DE10005555A1

DE10005555A1 - Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE10005555A1
Application number: DE2000105555
Authority: DE
Inventors: Frank Fischer
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2000-02-09
Filing date: 2000-02-09
Publication date: 2001-08-16
Also published as: WO2001058804A2; WO2001058804A3

Abstract

Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat (1); einem auf dem Substrat (1) vorgesehenen Funktionsbereich (5); und einer kappenförmigen Abdeckung (10, 14, 18; 10', 14', 20, 25; 10'', 14'', 30) zum Abdecken des Funktionsbereichs (5). Die kappenförmige Abdeckung (10, 14, 18; 10', 14', 20, 25; 10'', 14'', 30) weist mindestens eine obere und eine untere Deckschicht (10, 14; 10', 14'; 10'', 14'') auf. Die Deckschichten (10, 14; 10', 14'; 10'', 14'') weisen eine jeweilige zueinander versetzte Lochanordnung (11, 15) auf, von denen mindestens eine durch mindestens eine Verschlußschicht (17; 20, 25; 14'', 30) verschlossen ist.

Description

STAND DER TECHNIK

Die vorliegende Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat, einem auf dem Substrat vor gesehenen Funktionsbereich und einer kappenförmigen Abde ckung zum Abdecken des Funktionsbereichs sowie ein entspre chendes Herstellungsverfahren, wie aus der DE 195 37 814 A1 bekannt.

Obwohl auf beliebige mikromechanische Bauelemente und Strukturen, insbesondere Sensoren und Aktuatoren, anwend bar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrun deliegende Problematik in bezug auf ein in der Technologie der Silizium-Oberflächenmikromechanik herstellbares mikro mechanisches Bauelement, z. B. einen Beschleunigungssensor, erläutert.

In der DE 195 37 814 A1 werden der Aufbau eines funktiona len Schichtsystems und ein Verfahren zur hermetischen Ver kappung von Sensoren in Oberflächenmikromechanik beschrie ben. Hierbei wird die Herstellung der Sensorstruktur mit bekannten technologischen Verfahren erläutert. Die besagte hermetische Verkappung erfolgt mit einem separaten Kappen- Wafer aus Silizium, der mit aufwendigen Strukturierungspro zessen, wie beispielsweise KHO-Ätzen, strukturiert wird. Der Kappen-Wafer wird mit einem Glas-Lot (Seal-Glas) auf dem Substrat mit dem Sensor (Sensor-Wafer) aufgebracht. Hierfür ist um jeden Sensorchip ein breiter Bond-Rahmen notwendig, um eine ausreichende Haftung und Dichtheit der Kappe zu gewährleisten. Dies begrenzt die Anzahl der Sen sor-Chips pro Sensor-Wafer erheblich. Auf Grund des großen Platzbedarfs und der aufwendigen Herstellung des Kappen- Wafers entfallen erhebliche Kosten auf die Sensor- Verkappung.

VORTEILE DER ERFINDUNG

Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bzw. das Herstellungsverfahren nach Anspurch 8 sieht einen mindestens zweischichtigen Schichtaufbau vor, mit dem mikromechanische Sensoren bzw. Funktionsstrukturen hermetisch verkappt werden können. Da bei lässt sich ein definierter Gas- und/oder Druckein schluss gewährleisten.

Kern der Erfindung ist also eine Mehrschichtstruktur, die über mikromechanischen Sensoren bzw. Funktionsstrukturen abgeschieden wird und diese vor Umgebungseinflüssen schützt. Dabei wird die Sensorkappe nicht wie üblich sepa rat durch Ätz-Prozesse strukturiert und mit einem Seal- Glas-Lötverfahren mit dem Sensor-Wafer bzw. Funktions-Wafer verbunden, sondern die Verkappung wird direkt auf dem Sensor-Wafer derart erzeugt, dass ein Mehrschichtgerüst über den beispielsweise beweglichen Funktionsstrukturen aufge baut wird, wobei das Mehrschichtgerüst nach einem Opfer schicht-Ätzen durch mindestens eine Verschlussschicht her metisch verschlossen wird.

Hierdurch ist eine wesentlich kleinere kappenförmige Abde ckung als beim Stand der Technik möglich. Das Mehrschicht- Kappen-Gerüst lässt sich mit einfachen Halbleiterprozessen erzeugen. Es kann auf PbO-haltiges Seal-Glas verzichtet werden, welches unter Feuchtigkeitseinfluss eine massive Korrosion auf Al-Bond-Pads verursacht.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbil dungen und Verbesserungen des in Anspruch 1 angegebenen mikromechanischen Bauelements.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist eine erste Verschlußschicht über der oberen Deckschicht angeordnet, und die Lochanordnung der oberen Deckschicht ist durch die erste Verschlußschicht verpfropft.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist eine zweite Verschlußschicht zwischen der oberen und der unteren Deckschicht angeordnet, und die Lochanordnung der oberen Deckschicht ist durch Schmelzperlen der zweiten Verschluß schicht verschlossen.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung fungiert die obere Deckschicht als Verschlußschicht für die Lochanord nung der unteren Deckschicht. Dies läßt sich dadurch reali sieren, daß das Material der oberen Deckschicht derart ge wählt wird, daß es einen niedrigeren Schmelzpunkt als das Material der unterer Deckschicht aufweist und die obere Deckschicht aufgeschmolzen wird, so daß sie die Lochanord nung der unteren Deckschicht verschließt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die obere Deckschicht Verbindungsstege zur Verbindung mit der unteren Deckschicht auf.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die untere Deckschicht und/oder die obere Deckschicht Polysili zium oder Aluminium auf.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Verschlußschicht Aluminium, Silizium, Siliziumnitrid, Sili ziumdioxid, ein Glas oder einen Lack auf.

ZEICHNUNGEN

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher er läutert.

Es zeigen:

Fig. 1a-g eine schematische Querschnittsansicht der Herstellungschritte eines mikromechanischen Bau elements gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 1h eine Draufsicht auf das mikromechanischen Bauele ments gemäß der ersten Ausführungsform zur Il lustration der verschiedenen Lochanordnungen;

Fig. 2a-e eine schematische Querschnittsansicht der Herstellungschritte eines mikromechanischen Bau elements gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und

Fig. 3a-c eine schematische Querschnittsansicht der Herstellungschritte eines mikromechanischen Bau elements gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten.

Fig. 1a-g zeigen eine schematische Querschnittsansicht der Herstellungschritte eines mikromechanischen Bauelements ge mäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und Fig. 1h eine entsprechende Draufsicht zur Illustration der verschiedenen Lochanordnungen.

Gemäß Fig. 1a werden, wie im Stand der Technik beschrie ben, auf einem Silizium-Substrat 1 eine Opferschicht 2 aus SiO₂, eine strukturierte Leiterbahnebene 3 und eine weitere Opferschicht 4 aus SiO₂ aufgebracht. Auf der Opferschicht 4 wird eine funktionale Schicht mit dem Funktionsbereich 5 aufgebracht, welche durch ebenfalls bekannte Verfahren für das Ätzen von Gräben 6 strukturiert wird. Beispielsweise kann dazu das in der DE 42 41 045 A1 beschriebene Verfahren eingesetzt werden. Die funktionalen Strukturelemente 7, welche hier beispielhaft als drei Elektrodenfinger darge stellt sind, werden für das vorgeschlagene Bauelement ent weder durch ein bekanntes Verfahren zum Opferschicht-Ätzen frei beweglich gemacht (siehe z. B. die DE 43 17 274 A1), oder sie bleiben nach dem Tiefen-Ätzen noch fest auf der Opferschicht 4 angebunden, wie dies in Abb. 1a darge stellt ist.

Wie in Fig. 1b dargestellt, wird auf den funktionalen Strukturelementen 7 des mikromechanischen Bauelements in einem nächsten Schritt eine dicke Opferschicht 8 derart ab geschieden, dass die Strukturgräben 6 teilweise im oberen Grabenbereich 9 mit dem Opfermaterial aufgefüllt sind. Die Opferschicht 8 deckt den Teil der Struktur ab, welcher im Endzustand verkappt sein soll. Die Opferschicht 8 hat vor zugsweise eine Dicke von 1 µm bis 20 µm und kann beispiels weise aus Siliziumdioxid, Bor-Phosphor-Silikat-Glas oder amorphen Silizium bestehen. Es kann aber auch jedes andere Material verwendet werden, das sich isotrop mit einer ausreichenden Selektivität gegenüber den funktionalen Struk turelementen 7 und den späteren Deckschichten ätzen lässt.

Als nächstes wird gemäß Fig. 1c auf die Opferschicht 8 die untere Deckschicht 10 abgeschieden und mit einer Lochanord nung mit kleinen Löchern 11 strukturiert. Die Löcher 11 können eckig oder rund sein. Der Durchmesser der Löcher 11 liegt vorzugsweise zwischen 0,5 µm und 20 µm. Die Lochung wird so ausgelegt, dass sie gleichmäßig über der Fläche der funktionalen Strukturelemente 7 liegt. Die untere Deck schicht 10 ist vorzugsweise zwischen 0,5 µm und 10 µm dick und aus Polysilizium oder Aluminium hergestellt. Sie kann aber auch aus jedem anderen Material bestehen, das resis tent gegen das Opferschicht-Ätzen der Opferschicht 8 und weiterer Opferschichten ist. Die untere Deckschicht 10 wird über den Rand der Opferschicht 8 hinausgezogen und an die Schicht mit den funktionalen Strukturelementen 7 angebun den. Die untere Deckschicht 10 steht idealerweise unter in trinsischer Zugspannung, die durch geeignete Temperaturbe handlung eingestellt werden kann.

Wie in Fig. 1d illustriert, wird auf der ersten Deck schicht 10 eine zweite Opferschicht 12 aufgebracht. Diese zweite Opferschicht 12 besteht idealerweise aus dem glei chen Material wie die erste Opferschicht 8, also aus Sili ziumdioxid, und ist ebenfalls selektiv gegenüber der unte ren Deckschicht 10 ätzbar. Die Dicke der zweiten Opfer schicht 12 beträgt vorzugsweise zwischen 0,3 µm und 5 µm. Die zweite Opferschicht 12 wird danach derart strukturiert, daß sie auf der Durchgangslochanordnung 11 der unteren Deck schicht 10 liegt. Auch die zweite Opferschicht 12 weist ei ne Lochanordnung mit Löchern 13 auf, welche gegenüber den Löchern 11 der Lochanordnung der unteren Deckschicht 10 versetzt sind.

Gemäß Fig. 1e wird auf der zweiten Opferschicht 12 die o bere Deckschicht 14 abgeschieden. Diese obere Deckschicht 14 ist lokal über die Löcher 13 der zweiten Opferschicht 12 an der unteren Deckschicht 10 angebunden. In der oberen Deckschicht 14 wird eine Lochanordnung mit Löchern 15 aus gebildet, wobei die Löcher 15 gegenüber den Löchern 11 der unteren Deckschicht 10 versetzt sind, so dass die Löcher 11 alle samt von der oberen Deckschicht 14 überdeckt werden und unter den Löchern 15 überall die untere Deckschicht 10 liegt. Die Lochung besitzt vorzugsweise einen Durchmesser von 0,5 µm bis 20 µm. Die obere Deckschicht 14 wird über den Rand der zweiten Opferschicht 12 hinaus gezogen und an der unteren Deckschicht 10 und vorzugsweise auch an der Pe ripherie des Funktionsbereiches 5 angebunden. Mit anderen Worten überdeckt die obere Deckschicht 14 auch die untere Deckschicht 10 vorzugsweise vollständig. Die obere Deck schicht 14 ist zwischen 0,5 µm und 30 µm dick und kann wie die untere Deckschicht 10 beispielsweise aus Silizium oder Aluminium oder sonstigen Materialen mit den erforderlichen Ätz-Eigenschaften bestehen.

Wie in Fig. 1f bildlich dargestellt, werden danach in ei nem selektiven Ätzschritt die erste Opferschicht 8 und die zweite Opferschicht 12 geätzt. Hierbei kann eine nass chemisches Verfahren, wie z. B. BOE (BOE = buffered oxide etch = gepufferte Oxidätzung) oder ein Trockenätzverfahren, wie beispielsweise das aus der DE 43 17 274 A1 bekannte Flusssäure-Dampf-Ätzverfahren verwendet werden. Die Opfer schichten 2 und 4 unterhalb der funktionalen Strukturele mente 7 können in diesem Schritt ebenfalls geätzt werden, falls nicht schon vor Abscheidung der ersten Opferschicht 8 geschehen. Nach diesem selektiven Ätzschritt ist über den funktionalen Strukturelementen (hier bewegliche Kondensa torelektroden) eine Kappe bzw. Kuppel aufgespannt, welche mit Löchern perforiert ist. Diese Kappe besteht aus den miteinander verbundenen Deckschichten 10, 14, wobei es kei nen geradlinigen Weg für Gase bzw. Atome oder Moleküle durch die Kappe gibt, da die Lochanordnungen in den Deck schichten 10, 14 gegeneinander versetzt angeordnet sind.

In einem weiteren Schritt wird gemäß Fig. 1g eine Ver schlussschicht 17 auf der oberen Deckschicht 14 vorgesehen, welche über Pfropfen 18 die Löcher 15 der oberen Deck schicht 14 dicht verschließt. Die Verschlussschicht 17 ü berdeckt vorzugsweise die obere Deckschicht 14 vollständig. Der Verschließvorgang erfolgt unter definierten Gas- und Druckverhältnissen. Die Verschlussschicht 17 kann aus Alu minium, Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumdioxid, einem Glas, einem Lack oder einem sonstigen geeigneten Material bestehen und wird vorzugsweise mittels eines CVD (Chemical Vapour Deposition)-Verfahrens, Sputterverfahren, Aufdampfverfahrens, Flashverdampfungsverfahren, Spin-On-Verfahrens oder Sprühverfahrens aufgebracht.

Damit ist die gezeigte Sensorstruktur hermetisch verkappt, und unter der Verkappung in dem Funktionsbereich 5 mit den funktionalen Strukturelementen herrschen eine vorbestimmte Atmosphäre und ein vorbestimmter Druck.

Fig. 1h illustriert die gegenseitige Orientierung der ver schiedenen Lochungen. In der Draufsicht von Fig. 1h wird der Versatz der Löcher 15 in der oberen Deckschicht 14 ge genüber den Löchern 11 in der unteren Deckschicht 10 deut lich. Die Verbindungsstellen 13 zwischen der unteren Deck schicht 10 und der oberen Deckschicht 14 sind gegenüber den beiden Lochanordnungen mit den Löchern 11 bzw. 15 versetzt, so dass Gase (z. B. Reaktionsprodukte und -edukte beim Op ferschichtätzen) durch beide Lochanordnungen ins Freie strömen können.

Fig. 2a-e illustrieren eine schematische Querschnittsan sicht der Herstellungschritte eines mikromechanischen Bau elements gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegen den Erfindung.

Bei der zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen mik romechanischen Bauelementes wird, wie in Fig. 2a illust riert, auf die untere Deckschicht 10' eine Schicht 20 auf gebracht und strukturiert, welche bevorzugt aus Aluminium oder einem anderen schmelzbaren Material mit ausreichender Oberflächenspannung und geeigneter Haftung bzw. Benetzung auf dem Material der unteren Deckschicht 10' besteht. Die Schichtdicke der zweiten Verschlussschicht 20 sollte klei ner als die Dicke der zweiten Opferschicht 12' sein. Des Weiteren ist die zweite Verschlussschicht 20 derart struk turiert, das sie die Löcher 11 der unteren Deckschicht 10 frei lässt und unterhalb der Löcher 15 der oberen Deck schicht 14' angeordnet ist.

Wie in Fig. 2b dargestellt, wird analog wie bei der ersten Ausführungsform die obere Opferschicht 12' abgeschieden und strukturiert. Allerdings enthält die zweite Opferschicht 12' bei dieser zweiten Ausführungsform nicht notwendiger weise Löcher zur Anbindung der oberen Deckschicht 14' an der unteren Deckschicht 10'.

Gemäß Fig. 2c erfolgt das Opferschicht-Ätzen zum Ätzen der Schichten 2, 4, 8 und 12' im nächsten Prozessschritt. Nach dem Opferschicht-Ätzen ist ein Temperaturschritt zur ther mischen Reinigung der Sensoroberflächen zweckmäßig, der je doch nicht über die Schmelztemperatur des Materials der zweiten Verschlussschicht 20 reichen darf. Nach der Reini gung wird die gesamte Struktur in eine Heizvorrichtung ein gebracht, in der definierte Gas- und Druckverhältnisse ein gestellt werden können. Hierbei kann beispielsweise ein Va kuum erzeugt werden, oder ein Edelgas bzw. ein anderes Gas zur Erhöhung der Dämpfung der Schwingungen der funktionalen Strukturelemente 7 eingeschlossen werden.

Wie in Fig. 2d gezeigt, wird nach Einregelung der Gas- und Druckverhältnisse die Temperatur in der Heizvorrichtung über den Schmelzpunkt des Materials der zweiten Verschluss schicht 20 erhöht, so dass sich das Material 20 auf Grund der Oberflächenspannung zusammenzieht und Schmelzperlen ausbildet. Die Lage dieser Schmelzperlen auf der unteren Deckschicht 10 wird über die Strukturlage und Dicke der zweiten Verschlussschicht 20 derart gesteuert, dass die Schmelzperlen exakt unter den Löchern 15 der zweiten Deck schicht 14' entstehen. Das Material der zweiten Verschluss schicht 20 ist derart gewählt, das es eine ausreichende Be netzung mit dem Material der unteren Deckschicht 10' und der oberen Deckschicht 14' eingeht, und daher werden die Öffnungen 15 der oberen Deckschicht 14' von unten dicht verschlossen. Dadurch lässt sich eine vorbestimmte Atmo sphäre und ein vorbestimmter Druck unter der Verkappung einstellen. Beim Öffnen der Heizvorrichtung muss allerdings abgewartet werden, bis die Temperatur unter die Schmelztem peratur des Materials der zweiten Verschlussschicht 20 ge sunken ist.

Zur dauerhaften hermetischen Verschließung kann optionel lerweise eine weitere Verschlussschicht 25 über der resul tierenden Struktur wie beider ersten Ausführungsform abge schieden werden, wie in Fig. 2e gezeigt.

Fig. 3a-c sind eine schematische Querschnittsansicht der Herstellungschritte eines mikromechanischen Bauelements gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin dung.

Bei der dritten Ausführungsform wird das Material der obe ren Deckschicht 14" derart gewählt, dass es einen niedri geren Schmelzpunkt als das Material der unteren Deckschicht 10" aufweist. Beispielsweise kann das Material der oberen Deckschicht 14" Aluminium sein, welches bei 660°C auf schmilzt, während das Material der unteren Deckschicht 10" ein hochschmelzendes Material, z. B. CVD-Silizium, ist.

Fig. 3a zeigt den Zustand nach dem Opferschicht-Ätzen ent sprechend dem Zustand von Fig. 2c bzw. dem Zustand von Fig. 1f.

Wie in Fig. 3b illustriert, wird nach dem Opferschicht- Ätzen und einer eventuell durchgeführten thermischen Reini gung der Oberflächen das Material der oberen Deckschicht 14" unter definierten Gas- und Druckbedingungen in einer Heizvorrichtung aufgeschmolzen. Bei einer ausreichenden Be netzung zwischen der unteren und oberen Deckschicht 10", 14" werden dann die Öffnungen 11 in der unteren Deck schicht 10" durch die obere Deckschicht 14" hermetisch dicht verschlossen.

Wie bei der zweiten Ausführungsform kann auch bei dieser dritten Ausführungsform zur hermetischen Versiegelung eine weitere Verschlussschicht 30 auf der oberen Deckschicht 14" aufgebracht werden, welche aus Siliziumdioxid, Aluminium, Siliziumnitrid, Silizium oder einem anderen geeigne tem Material besteht. Dies zeigt Fig. 3c.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise mo difizierbar.

Es können insbesondere beliebige mikromechanische Grundma terialien verwendet werden, und nicht nur das exemplarisch angeführte Siliziumsubstrat.

Auch können die Lochanordnungen und die Anzahl und das De sign der Deckschichten und Opferschichten beliebig gewählt werden.

Weiterhin können die Strukturelemente der verschiedenen Ausführungsformen miteinander kombiniert werden.

Claims

1. Mikromechanisches Bauelement mit:
einem Substrat (1);
einem auf dem Substrat (1) vorgesehenen Funktionsbereich (5); und
einer kappenförmigen Abdeckung (10, 14, 18; 10', 14', 20, 25; 10", 14", 30) zum Abdecken des Funktionsbereichs (5);
dadurch gekennzeichnet, daß
die kappenförmige Abdeckung (10, 14, 18; 10', 14', 20, 25; 10", 14", 30) mindestens eine obere und eine untere Deck schicht (10, 14; 10', 14'; 10", 14") aufweist; und
die Deckschichten (10, 14; 10', 14'; 10", 14") eine je weilige zueinander versetzte Lochanordnung (11, 15) aufwei sen, von denen mindestens eine durch mindestens eine Verschlußschicht (17; 20, 25; 14", 30) verschlossen ist.

2. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Verschlußschicht (17; 25; 30) über der oberen Deckschicht (14; 14'; 14") angeordnet ist und die Lochanordnung (15) der oberen Deckschicht (14; 14'; 14") durch die erste Verschlußschicht (17; 25; 30) verpfropft ist.

3. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Verschlußschicht (20) zwischen der oberen und der unteren Deckschicht (14', 10') angeordnet ist und die Lochanordnung (15) der oberen Deckschicht (14') durch Schmelzperlen der zweiten Verschlußschicht (20) verschlössen ist.

4. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Deckschicht (14") als Verschlußschicht für die Lochanord nung (11) der unteren Deckschicht (10") fungiert.

5. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge henden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Deckschicht (14) Verbindungsstege zur Verbindung mit der unteren Deckschicht (10) aufweist.

6. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Deckschicht (10) und/oder die obere Deckschicht (14) Poly silizium oder Aluminium aufweist.

7. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorherge henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschlußschicht (17) Aluminium, Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumdioxid, ein Glas oder einen Lack aufweist.

8. Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bau elementes nach Anspruch 1 mit den Schritten:
Vorsehen einer ersten Opferschicht (8) auf dem Funktionsbe reich (5);
Vorsehen der unteren Deckschicht (10; 10', 10") mit der Lochanordnung (11) auf der ersten Opferschicht (8) derart, daß sie über den Rand der ersten Opferschicht (8) hinausge zogen ist und an der Peripherie des Funktionsbereiches (5) angebunden ist;
Vorsehen einer zweiten Opferschicht (12; 12') auf der unte ren Deckschicht (10; 10', 10");
Vorsehen der oberen Deckschicht (14; 14', 14") mit der Lochanordnung (15) auf der zweiten Opferschicht (12; 12') derart, daß sie über den Rand der zweiten Opferschicht (12; 12') hinausgezogen ist und an der unteren Deckschicht (10; 10', 10") und optionellerweise an der Peripherie des Funk tionsbereiches (5) angebunden ist;
selektives Entfernen der ersten Opferschicht (8) und der zweiten Opferschicht (12; 12'); und
Verschließen mindestens einer der Lochanordnungen (11, 15) durch mindestens eine Verschlußschicht (17; 20, 25; 14", 30).

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Verschlußschicht (17; 25; 30) über der oberen Deckschicht (14; 14'; 14") vorgesehen wird und die Lochan ordnung (15) der oberen Deckschicht (14; 14'; 14") durch die erste Verschlußschicht (17; 25; 30) verpfropft wird,

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeich net, daß eine zweite Verschlußschicht (20) auf der unteren Deckschicht (14', 10') vorgesehen wird und die Lochanord nung (15) der oberen Deckschicht (14') durch Schmelzperlen der zweiten Verschlußschicht (20) verschlossen wird.

11. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Material der obe ren Deckschicht (14") derart gewählt wird, daß es einen niedrigeren Schmelzpunkt als das Material der unterer Deck schicht (10") aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Deckschicht (14") aufgeschmolzen wird, so daß sie die Lochanordnung (11) der unteren Deckschicht (10") ver schließt.