DE10024924A1 - Licht emittierendes Halbleiterbauelement - Google Patents

Licht emittierendes Halbleiterbauelement

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Abstract

Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einer Anzahl von Schichten, die überwiegend aus Elementen der Gruppe II und VI des Periodensystems bestehen, auf einem Substrat, vorzugsweise aus InP, epitaktisch aufgebracht sind und eine p-dotierende Deckschicht und eine n-dotierte Deckschicht aufweisen, deren Gitterkonstanten der des Substrats entsprechen, und eine zwischen diesen beiden Schichten liegende undotierte aktive Schicht enthalten, welche in Zusammenwirkung mit ihren Nachbarschichten eine Quantentrog-Struktur bildet, wobei die Gitterkonstante der aktiven Schicht kleiner als die der Nachbarschichten ausgebildet ist.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Licht emittierendes Halbleiterbauele­ ment mit einer Anzahl von Schichten, die überwiegend aus Elementen der Gruppe II und VI des Periodensystems bestehen. Die Schichten sind auf einem Substrat, vorzugsweise aus InP, epitaktisch aufgebracht und weisen eine p-dotierte Deckschicht und eine n-dotierte Deckschicht auf, deren Gitterkonstanten der des Substrats entsprechen. Zwischen beiden Schichten liegt eine undotierte aktive Schicht, die in Zusammenwirkung mit ihren Nachbarschichten eine Quantentrog-Struktur bildet.
Halbleiterbauelemente mit Quantentrog-Struktur werden in weiten Berei­ chen der Technik eingesetzt. Sie finden Anwendung als Leuchtdiode, beispielsweise zur Signalisierung von verschiedenen Betriebszuständen, oder als Laserdiode, z. B. bei der optischen Aufzeichnung oder Wieder­ gabe von Bild und Ton auf Trägermaterial, Laserdruckern, medizini­ schen Lasergeräten oder der Materialbearbeitung. Laserdioden dieses Typs zeichnen sich durch einen niedrigen Schwellenstrom, hohe Aus­ gangsleistung und niedrige Strahldivergenz aus. Diese Eigenschaften führten dazu, daß Licht emittierende Halbleiterbauelemente mit einer Quantentrog-Struktur eine bevorzugte Stellung bei Anwendung und Entwicklung einnehmen.
Technisch einsetzbare Halbleiterbauelemente mit Quantentrog verwen­ den Elemente aus der Gruppe III und V des Periodensystems. Sie ba­ sieren auf den Werkstoffen Galiumarsenid (GaAs), Galiumaluminiumar­ senid (GaAIAs) und Galiumnitrid (GaN). Das durch diese Bauelemente erzeugte Licht liegt in den Spektralbereichen infrarot, gelb und violett.
Durch die Entwicklung von Verfahren zur p-Dotierung von Zinkselenid (ZnSe) mit Hilfe von Stickstoff-Plasma haben Halbleiterbauelemente, deren Schichten überwiegend aus Elementen der Gruppe II und VI des Periodensystems aufgebaut sind, großes Interesse in Forschung und Entwicklung gewonnen, da sie den bisher fehlenden Spektralbereich von grün bis blau abdecken würden. Dieser Spektralbereich ist auch deshalb interessant, weil Licht dieser Wellenlängen den Vorteil einer hoher Auf­ lösung bietet, die - aufgrund der durch Beugung bedingten Auflösungs­ grenze - umso größer ausfällt, je kürzer die Wellenlänge ist.
Bekannte Lösungen für Laserdioden, die aus Elementen der Gruppe II und VI des Periodensystems aufgebaut sind, enthalten in der Regel ZnSe in der p-dotierten Schicht. Ein Vorschlag für einen im grünen Spektralbereich arbeitendes Halbleiterbauelement dieses Typs weist beispielsweise folgende Schichten auf:
Die Schichten sind auf einem Substrat aus GaAs aufgebracht. Ihre Git­ terkonstanten entsprechen der des Substrats mit Ausnahme der aktiven Schicht, die eine Gitterkonstante größer als die des Substrats aufweist. Halbleiterbauelemente dieser Bauart zeigen jedoch einen gravierenden Nachteil. Unter technischen Betriebsbedingungen bilden sich nach kur­ zer Zeit "Dunkellinien-Defekte". Hierunter versteht man die Ausbildung von Licht absorbierenden Bereichen in der aktiven Schicht und den an­ grenzenden Schichten. Ihr Entstehen führt zu einem drastischen Leis­ tungsabfall des Halbleiterbauelements. Die Einsatzdauer von Bauele­ mente dieser Art ist daher auf kurze Zeitspannen eingeschränkt.
Ein Vorschlag entsprechend Applied. Physics. Letters, Vol 68, June 1996 verwendet InP als Substrat und folgenden Schichtenaufbau:
wobei die Gitterkonstante der aktiven Schicht gleich der der Nachbar­ schichten und der des Substrats entspricht. Als Nachteil dieses Aufbaus gegenüber dem erstgenannten hat sich gezeigt, daß die Dotierung mit Stickstoff bei dieser Zusammensetzung der p-dotierten Schicht nur zu geringen Akzeptor-Konzentrationen führt, so dass bisher keine Elektro­ lumineszenz demonstriert werden konnte.
Die Erfindung hat sich zur Aufgabe gestellt, diesen Nachteilen abzuhel­ fen und dem Bedarf nach einem Licht emittierenden Halbleiterbauele­ ment zu entsprechen, das Licht im Spektralbereich grün bis blau zur Verfügung stellt und gleichzeitig eine hohe Lebensdauer aufweist.
Ausgehend von einem Lichtemittierenden Halbleiterbauelement, das aus einer Anzahl von Schichten aufgebaut ist, die überwiegend aus E­ lementen der Gruppe II und VI des Periodensystems bestehen, und eine p-dotierte Deckschicht und eine n-dotierte Deckschicht aufweisen, deren jeweilige Gitterkonstante der des Substrats entspricht, und eine zwi­ schen beiden Schichten liegende undotierte aktive Schicht enthalten, welche in Zusammenwirkung mit ihren Nachbarschichten eine Quanten­ trog-Struktur bildet, wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die Gitter­ konstante der aktiven Schicht kleiner als die der Nachbarschichten ausgebildet ist.
Infolge der unterschiedlichen Gitterkonstanten zwischen aktiver Schicht und deren Nachbarschichten entsteht innerhalb der aktiven Schicht eine Zugspannung. Diese Zugspannung führt zu einer erheblichen Vergröße­ rung der Lebensdauer des Halbleiterbauelementes. Unter technischen Betriebsbedingungen werden Lebensdauern erreicht, die gegenüber dem Stand der Technik mit vergleichbarer Dichte makroskopischer De­ fekte um wenigstens 3 Größenordnungen höher liegen.
Die erzielte Leistungssteigerung bei Halbleiterbauelementen entspre­ chend der vorliegender Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß der drastische Leistungsabfall bei bekannten Halbleiterbauelementen aus Elementen der Gruppe II und VI des Periodensystems prinzipielle Ursa­ chen thermodynamischer Natur hat. Diese Zusammenhänge erkannt zu haben, ist ein Verdienst vorliegender Erfindung. Anhand des o. g. Schichtenaufbaus von bekannten Halbleiterbauelementen sollen die Ursachen kurz dargelegt werden.
Die p-Dotierung von ZnSe mittels Stickstoff führt zu einem instabilen Stickstoffakzeptor. Er zerfällt in einen stabilen Komplex (NI - Vse)3+, be­ stehend aus einem Zwischengitter-Stickstoffatom N1 und einer Selen­ leerstelle Vse. Dieser Komplex ist positiv geladen und diffundiert insbe­ sondere bei Betrieb des Halbleiterbauelementes in den Quantentrog- Bereich der aktiven Zone. Dort werden diese Komplexe eingefangen, angesammelt und führen bei höherer Konzentration schließlich zu den Dunkellinien-Defekten.
Der Einfangvorgang wird durch die mechanische Spannung zwischen der aktiven Schicht und den Nachbarschichten gesteuert. Da das ZnCdSe der aktiven Schicht eine größere Gitterkonstante als das ZnSe der Nachbarschicht hat, weist die aktive Schicht eine Druckverspannung gegenüber ihren beiden Nachbarschichten aus. Die Druckverspannung in der aktiven Zone bekannter Laserdioden, die aus Elementen der Gruppe II und VI des Periodensystems aufgebaut sind, begünstigt je­ doch das Einfangen von Leerstellen, da dieser Vorgang zu einer Verrin­ gerung der Gitterkonstanten und damit zu einer Abnahme der durch Spannung bedingten Energie führt. Nach den Gesetzen der Thermody­ namik ist dieser Zustand, der energetisch kleiner ist als der vor dem Ein­ fangvorgang, der stabilere Zustand von beiden.
Der Einfangvorgang läßt sich daher verhindern, wenn man aktive Schicht und Nachbarschichten so ausbildet, daß eine Zugspannung zwi­ schen ihnen herrscht. In diesem Fall bewirkt die Spannung ein Zurückdrängen von Leerstellen, wodurch die Ausbildung von Dunkellinien- Defekten vermieden wird.
Eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiter­ bauelementes, weist folgenden Schichtenaufbau auf:
Die einzelnen Schichten des Halbleiterbauelementes sind auf einem Substrat aus InP aufgebracht und weisen eine p-dotierte Deckschicht, eine n-dotierte Deckschicht und eine dazwischen liegende undotierte aktive Schicht auf. Als Verfahren zum Aufbringen der Schichten wird MBE (molecular beam epitaxy) angewandt. Klarzustellen ist, dass die Dotierung der p-Schicht mit Stickstoffplasma, die der n-Schicht mit Zink­ chlorid durchgeführt werden kann, jedoch nicht zwingend durchgeführt werden muß.
Aus der Übersicht lassen sich auch die Elemente - überwiegend Ele­ mente der Gruppe II und VI des Periodensystems - entnehmen, aus denen die einzelnen Schichten aufgebaut sind.
Diese Auswahl der Elemente stellt sicher, daß zwischen aktiver Schicht und Nachbarschichten eine Zugspannung vorherrscht, da die Gitterkon­ stante von ZnCdSe kleiner ist als die von ZnMgTeSe bzw. ZnMgCdSe.
In Abweichung zum Stand der Technik weisen die p- und n-dotierte Deckschicht unterschiedliche chemische Zusammensetzungen auf. Ne­ ben den in beiden Schichten gemeinsam vertretenen Elementen ZnMgSe weist die n-dotierte Schicht Cd, die n-dotierte Schicht dagegen stattdessen Te auf.
Dem Te in der p-dotierten Schicht kommt dabei nicht nur die Rolle zu, die Gitterkonstanten von aktiver Schicht und Nachbarschichten auf eine definierte Differenz einzustellen und damit Leerstellen von der aktiven Schicht fernzuhalten, sondern auch die Bildung von Leerstellen aktiv zu verhindern.
Rechnungen und Experimente haben nämlich gezeigt, daß bei Halblei­ terbauelementen, deren p- und n-dotierte Schichten ZnSe enthalten, durch Einbringen von beispielsweise Te in die p-dotierte Schicht bei der p-Dotierung mittels Stickstoff der (NI - Vse)3+-Komplex nicht stabil ist und sich deshalb nicht bildet. Aufgrund dieser Instabilität hat dieser Komplex daher keine Chance, in die aktive Schicht zu diffundieren und Dunkelli­ nien-Defekte zu erzeugen.
Durch Einbringen von Te in die p-dotierte Schicht wird daher die Bildung der o. g. stabilen Komplexe anteilig reduziert, die Ausbildung von Dunkellinien-Defekten während des Betriebes des Halbleiterbauelementes wird dadurch weiter vermindert. Den optimalen Effekt erreicht man durch die größt mögliche Konzentration von Te in der p-dotierten Schicht, d. h. dann, wenn ein Element der n-dotierten Schicht in der p-dotierten Schicht vollkommen durch Te ausgetauscht wird.
Varianten dieser Ausbildungsform sind so ausgebildet, daß ihre p- dotierte Schicht das Element Be und/oder Cd enthalten. Durch Einbrin­ gen dieser Elemente in die p-dotierte Schicht werden ähnliche Effekte wie durch Einbringen von Te erreicht.
In Kenntnis dieses Sachverhaltes sind weitere bevorzugte Ausführungs­ formen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes so ausgebildet, daß die p-dotierte Schicht durch Übergitter, vorzugsweise der Kombina­ tionen
ZnMgSe/ZnTe
ZnMgSe/ZnMgTe
MgSe/ZnTe
gebildet wird.
Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement läßt sich als spontan emittierende Leuchtdiode oder induziert emittierende Laserdiode ausbilden. Der oben beschriebene Aufbau aus p-dotierter Schicht, aktiver Schicht und n-dotierter Schicht ist für eine Leuchtdiode kennzeichnend. Bei Ausbildung des Halbleiterbauelementes als Laserdiode sind zusätzliche Schichten erforderlich, die sich der nachfolgenden Übersicht entnehmen lassen.
Der Schichtaufbau weist zusätzlich zur p-dotierten Deckschicht, der n­ dotierten Deckschicht und der dazwischen liegenden undotierten aktiven Schicht, zwei Wellenleiterschichten auf, welche die aktive Schicht ein­ schließen, wobei deren Energielücke kleiner ist als die der Deckschicht und zwei Pufferschichten zwischen Substrat und p-dotierter Schicht. Die Wellenleiterschichten haben die Aufgabe, senkrecht zur Schichtebene für das in der aktiven Schicht erzeugte Licht Totalreflexion zu bewirken und damit den Austritt des Lichtes in diesen Richtungen zu verhindern. Die Pufferschichten hingegen haben die Aufgabe, elektrische oder kristallographische Probleme beim Übergang zwischen den verschiede­ nen Werkstoffen abzufangen.
Für den Laserbetrieb ist weiterhin erforderlich, daß die Stirnflächen der aktiven Schicht und ihrer benachbarten Schichten eine hohe optische Güte aufweisen. Der Diodenkörper bildet hierdurch einen optischen Re­ sonator, in dem beim Anlegen eines Stroms, dessen Stärke die Schwell­ stromstärke überschreitet, Laserlicht erzeugt wird.
Aufbau und quantitative Zusammensetzung der aktiven Schicht haben wesentlichen Einfluß auf die Eigenschaften des emittierten Lichtes. Das Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung läßt sich so ausbilden, daß verschiedene Ausbildungsformen jeweils Licht mit von einander ver­ schieden Eigenschaften erzeugen.
Von besonderem Interesse ist die Frequenz bzw. Wellenlänge des emit­ tierten Lichtes. Sie wird bestimmt durch die Energielücke zwischen Va­ lenz- und Leitungsband (bzw. zwischen deren Subniveaus) der Quan­ tentrogstruktur in der aktiven Schicht.
Bei Halbleiterbauelementen mit Quantentrog-Struktur läßt sich in gewis­ sen Grenzen die Frequenz durch das Mischungsverhältnis der einzelnen Elemente der aktiven Schicht zu einander vorgeben. Durch das Mi­ schungsverhältnis wird die Gitterkonstante festgelegt und hierdurch die Frequenz des emittierten Lichtes bestimmt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Halbleiterbauelementes ist die quantitative Zusammensetzung der einzelnen Schichten aus den genannten Elementen durch die folgenden Formeln gegeben. Es genü­ gen Schichten mit den Elementen
ZnMgCdSe der Formel: Zn(1-x-y)MgxCdySe mit 0,4 ≦ x ≦ 0,6 und 0,15 ≦ y ≦ 0,3,
ZnMgSeTe der Formel: Zn(1-x-y)MgxSe(1-y)Tey mit 0,4 ≦ x ≦ 0,6 und 0,15 ≦ y ≦ 0,3,
ZnCdSe der Formel: Zn(1-x)CdxSe mit 0 ≦ x ≦ 0,5.
Entsprechend der vorgegebenen Formel kann der Zn- und Cd-Anteil der aktiven Schicht in weiten Grenzen variiert und damit Licht unterschiedli­ cher Wellenlängen erzeugt werden.
Eine Variante der vorliegenden Ausführungsform ist so ausgebildet, daß die aktive Schicht einen hohen Anteil von Cd und dementsprechend einen niedrigen Anteil von Zn aufweist. Das von dieser Variante emittier­ te Licht liegt im grünen Spektralbereich. Bei einer weiteren Variante da­ gegen ist ein niedriger Anteil von Cd bzw. ein hoher Anteil von Zn in der aktiven Schicht vorgegeben. Diese Variante emittiert Licht im blauen Spektralbereich.
Als wesentlicher Vorteil des Halbleiterbauelemente gemäß der Erfindung ist anzusehen, daß durch Vorgabe entsprechender Mischungsverhält­ nisse bei der Herstellung die Wellenlänge des emittierten Lichtes auf beliebige Werte zwischen blau und grün eingestellt werden kann.
Die Intensität der vom Halbleiterbauelement erzeugten Strahlung wird durch die Stromstärke des angelegten Stromes bestimmt. Mit steigender Stromstärke nimmt die Intensität der Strahlung zu.
Aber auch durch konstruktive Vorgaben läßt sich die Intensität der von dem Halbleiterbauelement emittierten Strahlung variieren. Diese kon­ struktiven Vorgaben betreffen die Zahl der in der aktiven Schicht vor­ handenen Quantentröge. Bei einer Variante des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes ist dementsprechend in der aktiven Schicht eine Struktur mit Mehrfach-Quantenntrögen ausgebildet. Durch diese Struktur wird bei gleicher Stromstärke des von außen angelegten Stromes die Intensität des emittierten Lichtes erhöht.
Bei dem betrachteten Halbleiterbauelement sind neben den das eigentli­ che Halbleiterbauelement bildenden Schichten noch weitere Puffer­ schichten vorgesehen. Aufgabe dieser Schichten ist es, elektrische oder kristallographische Probleme beim Übergang zwischen den verschiede­ nen Werkstoffen abzufangen.
Eine Weiterbildung dieser Art weist zwischen Substrat und n-dotierter Deckschicht 2 weitere Schichten aus, welche durch n-GalnAs und n- ZnCdSe gebildet werden.
Probleme beim Übergang zwischen den verschiedenen Werkstoffen können auch dadurch abgefangen werden, daß sich innerhalb einer Schicht der Anteil eines oder mehrerer Elemente über die Schichtdicke kontinuierlich ändert.
Ein derartiger Aufbau wird bei der Stromzufuhr einer vorteilhaften Vari­ ante des Halbleiterbauelementes gemäß vorliegender Erfindung ange­ wandt. Die Zufuhr des elektrischen Stroms bei geschichteten Halbleiter­ bauelementen erfolgt i. d. R. quer zu den Schichten. Als Kontaktmaterial wird überwiegend Gold verwendet. Bringt man auf einer ZnSe enthal­ tenden, p-dotierten Schicht eine Goldschicht direkt auf, resultiert ein Kontakt mit relativ hohen Widerstand. Kontakte mit geringerem Wider­ stand und zudem nahezu linearem, d. h. ohmschen Strom- /Spannungsverlauf erhält man auf Schichten, welche ZnTe enthalten.
Bei der angesprochenen Variante ist daher auf der p-dotierten Schicht an der der aktiven Schicht abgewandten Seite eine weitere Schicht auf­ gebracht, innerhalb derer sich der Anteil von Se kontinuierlich verringert, der von Te dagegen kontinuierlich erhöht. Auf der Schicht­ oberfläche mit dem hohen Te-Anteil ist der Kontakt für die Stromzufuhr angebracht.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung sind dem nachfolgenden Beschreibungsteil zu entnehmen. In diesem Teil wird ein Ausführungsbeispiel des Licht emittierenden Halbleiterbauelementes als Laserdiode beschrieben und anhand von Zeichnungen näher erläutert.
Die Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 Energieniveau-Schema des erfindunge­ mäßen Halbleiterbauelementes
Fig. 2 Lebenszeit-Messungen
Fig. 1 zeigt den Verlauf dieser Energielücke in den einzelnen Schichten des Halbleiterbauelementes. Im unteren Teil der Zeichnung sind die einzelnen Schichten des Halbleiterbauelementes angedeutet. Sie um­ fassen eine
p-dotierte Deckschicht 1 aus p-ZnMgTeSe der Dicke 6
Wellenleiterschicht 2 aus ZnMgCdSe der Dicke 7
aktive Schicht 3 aus ZnCdSe der Dicke 8
Wellenleiterschicht 4 aus ZnMgCdSe der Dicke 9
n-dotierte Deckschicht 4 aus n-ZnMgCdSe der Dicke 10.
Im oberen Teil der Zeichnung ist die Valenzbandkante 11 und die Lei­ tungsbandkante 12 innerhalb der einzelnen Schichten wiedergegeben. Die Energielücke zwischen diesen beiden Kanten wird durch den Ab­ stand 13 zwischen beiden Kurven wiedergegeben. 14 kennzeichnet die Energielücke innerhalb der aktiven Schicht. Die Größe dieser Lücke ist ein Maß für die Frequenz der in der aktiven Schicht erzeugten Licht­ strahlung.
Wesentliches Merkmal der vorliegenden Erfindung ist die unsymmetri­ sche Ausprägung des Verlaufs der beiden Bandkanten über die einzel­ nen Schichten. Diese Asymmetrie wird ersichtlich an den ungleichen Stufenhöhen 15 und 16 bzw. 15' und 16'. Ursache für diese Unsymmetrie ist der unsymmetrische, d. h. aus verschiedenen Elementen bestehende, Aufbau der p- und n-dotierten Schicht.
Halbleiterbauelemente entsprechend der vorliegenden Erfindung zeigen eine hohe Lebensdauer. Meßkurven hierzu sind in Fig. 2 wiedergegeben. Die erste Kurve 20 zeigt in Abhängigkeit der Zeit den Verlauf der Intensität der emittierten Strahlung bei einem Halbleiterbauelement nach dem Stand der Technik, das auf GaAs aufgebaut ist und dessen p­ dotierte Schicht die Elemente ZnMgSSe enthält. Die zweite Kurve 21 gibt den entsprechenden Verlauf für ein Halbleiterbauelement entspre­ chend der Erfindung wieder, aufgebaut auf InP mit einer p-dotierten Schicht aus ZnMgTeSe. Randbedingungen für diese Messung sind:
Raumtemperatur, Dauerstrichbetrieb (d. h. kontiuierlich emittierendes Halbleiterelement), Stromdichte 50 A/cm2. Man erkennt an beiden Meß­ kurven unschwer, daß sich die Lebensdauer des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes um Größenordnungen von der des Halbleiter­ bauelementes nach dem Stand der Technik unterscheidet.

Claims (11)

1. Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einer Anzahl von Schich­ ten, die überwiegend aus Elementen der Gruppe II und VI des Perio­ densystems bestehen, auf einem Substrat, vorzugsweise aus InP, epi­ taktisch aufgebracht sind und eine p-dotierte Deckschicht und eine n- dotierte Deckschicht aufweisen, deren Gitterkonstanten der des Sub­ strats entsprechen, und eine zwischen diesen beiden Schichten liegen­ de undotierte aktive Schicht enthalten, welche in Zusammenwirkung mit ihren Nachbarschichten eine Quantentrog-Struktur bildet, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Gitterkonstante der aktiven Schicht kleiner als die der Nachbar­ schichten ausgebildet ist.
2. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die p-dotierte Schicht aus den Elementen ZnMgSeTe,
und/oder die n-dotierte Schicht aus den Elementen ZnMgCdSe
und/oder die dazwischenliegende aktive Schicht aus den Elementen ZnCdSe gebildet wird.
3. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die p-dotierte Schicht Beimengungen von Be und/oder Cd enthält.
4. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die p-dotierte Schicht durch Übergitter, insbesondere der Kombinatio­ nen
ZnMgSe/ZnTe
ZnMgSe/ZnMgTe
MgSe/ZnTe
gebildet wird.
5. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2-4, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen n-dotierter Schicht und aktiver Schicht
und/oder zwischen p-dotierter Schicht und aktiver Schicht je eine wei­ tere aus den ZnMgCdSe-Verbindungen zusammengesetzte Schicht je­ doch mit kleinerer Energielücke als die Deckschicht vorgesehen ist und das Halbleiterbauelement im Laserbetrieb betrieben wird.
6. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2-5, dadurch gekennzeichnet, daß
die quantitative Zusammensetzung der die Elemente ZnMgCdSe ent­ haltenden Schichten der Formel Zn(1-x-y)MgxCdySe genügt, mit 0,4 ≦ x ≦ 0,6 und 0,15 ≦ y ≦ 0,3
der die Elemente ZnMgSeTe enthaltenden Schichten der Formel Zn(1-x-y)MgxSe(1-y)Tey, mit 0,4 ≦ x ≦ 0,6 und 0,15 ≦ y ≦ 0,3,
der die Elemente ZnCdSe enthaltenden Schichten der Formel Zn(1-x)CdxSe, mit 0 ≦ x ≦ 0,5.
7. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung in der aktiven Schicht entweder einen hohen Anteil von Cd und einen niedrigen Anteil von Zn oder umgekehrt einen niedrigen Anteil von Cd und einen hohen Anteil von Zn aufweist.
8. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorange­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in der aktiven Schicht eine Struktur mit Mehrfach-Quantentrögen aus­ gebildet ist.
9. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorange­ henden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß zwischen n-dotierter Schicht und Substrat zwei weitere Schichten aus n-dotiertem ZnCdSe und n-dotiertem GalnAs vorgesehen sind.
10. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach einem der vorange­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sich innerhalb einer Schicht der Anteil eines oder mehrerer Elemente über die Schichtdicke kontinuierlich ändert.
11. Licht emittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, da­ durch gekennzeichnet, daß in einer auf der p-dotierten Deckschicht aufgebrachten weiteren Schicht sich der Anteil von Se über die Schichtdicke kontinuierlich ver­ mindert, der von Te dagegen kontinuierlich erhöht.
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