DE10053206C1 - Logikschaltungsanordnung - Google Patents

Abstract

Logikschaltungsanordnung, mit mindestens einem magnetoresistiven Element, dem ein Leiter mit mindestens zwei Signalanschlüssen zugeordnet ist, mittels dem im stromdurchflossenen Zustand ein auf das magnetoresistive Element einwirkendes Magnetfeld erzeugbar ist, mittels dem die Magnetisierung einer weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Elements umschaltbar ist, wobei Mittel zum bedarfsabhängigen Erzeugen eines im Wesentlichen senkrecht zur Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht stehenden weiteren Magnetfelds vorgesehen sind.

Description

Die Erfindung betrifft eine Logikschaltungsanordnung, mit mindestens einem magnetoresistiven Element, dem ein Leiter mit mindestens zwei Signalanschlüssen zugeordnet ist, mittels dem im stromdurchflossenen Zustand ein auf das magnetore­ sistive Element einwirkendes Magnetfeld erzeugbar ist, mit­ tels dem die Magnetisierung einer weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Elements umschaltbar ist.

Aus der Veröffentlichung "Programmable logic using giant­ magnetoresistance and spin-dependent tunneling devices (invited)" von William C. Black, Jr. and Bodhisattva Das, Journal of applied physics, Band 87, Nr. 9 vom 01.05.2000, ist eine feldprogrammierbare Logikschaltungsanordnung be­ kannt, welche mehrere magnetoresistive Elemente und zugeord­ nete Referenz-Elemente umfasst. Der Typ der Logikschaltung, ob es sich also um eine Schaltung mit einer OR-, NOR-, AND- oder NAND-Funktion handelt, wird durch entsprechende Pro­ grammierung eingestellt, wozu man sich der harten und der weichen Schicht der magnetoresistiven Elemente, also der Re­ ferenz-Schicht, bedient, an die ein entsprechender Strom an­ gelegt wird, der zur Ausrichtung derselben dient. Die Funk­ tionsart wird durch die jeweilige Einstellung an einem magne­ toresistiven Element sowie seinem zugeordneten Referenzele­ ment definiert.

Zum einen ist die Art der Funktionsprogrammierung aufwendig, zum anderen sind hierfür jeweils mindestens drei Elemente er­ forderlich, um ein Logikgrundelement zu bilden.

Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine feldprogram­ mierbare Logikschaltung anzugeben, bei der auf einfache Weise die Funktion eingestellt werden kann und wenige magnetore­ sistive Elemente benötigt werden.

Zur Lösung dieses Problems ist bei einer Logikschaltungsan­ ordnung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß vorgese­ hen, das Mittel zum bedarfsabhängigen Erzeugen eines im We­ sentlichen senkrecht zur Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht stehenden weiteren Magnetfelds vorgesehen sind.

Das mit den erfindungsgemäß vorgesehenen Mitteln erzeugbare Magnetfeld, das senkrecht zur Magnetisierung der weichmagne­ tischen Schicht, die über das über den Leiter mit den Signal­ anschlüssen erzeugbare Feld bei hinreichend hohem Magnetfeld gedreht werden kann, steht, ist es mit besonderem Vorteil möglich, die zum Drehen bzw. Umschalten der Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht erforderliche Koerzitivfeld­ stärke zu verringern. Dies führt dazu, dass ein geringeres, von den über den Leiter geführten Signalströmen erzeugbares Magnetfeld zum Umschalten erforderlich ist. Der Drehprozess in der magnetischen Schicht geschieht außerdem schneller als das Umschalten bei der in der eingangs benannten Veröffentli­ chung beschriebenen Logikschaltungsanordnung.

Ist kein senkrecht stehendes Magnetfeld vorhanden, so ist die zum Umschalten erforderliche Koerzitivfeldstärke hoch. Um nun die Magnetisierung zu drehen, müssen über beide Signalan­ schlüsse Signale gegeben werden, so dass additiv ein hinrei­ chend hoher Strom über den Leiter fließt, der ein hinreichend hohes Magnetfeld erzeugt, das eine Feldstärke besitzt, die gleich oder größer der Koerzitivfeldstärke ist. In diesem Fall ist also eine AND-Logik realisiert. Wird nun das senk­ recht stehende Magnetfeld erzeugt, so verringert sich die Koerzitivfeldstärke. Zum Drehen ist es dann bereits ausrei­ chend, wenn lediglich ein Signal und damit nur der halbe Strom über den Leiter fließt, d. h., es ist ein niedrigeres Magnetfeld zum Umschalten ausreichend. In diesem Fall wäre eine OR-Funktion realisiert (da jedes der Signale individuell zum Schalten ausreicht).

Die Erfindung nutzt mit besonderem Vorteil die Asteroid- Schaltkurve der weichmagnetischen Schicht aus, die mit Hilfe des bedarfsabhängigen senkrechten Magnetfelds erhalten wird, um auf einfache Weise die Funktionsänderung der Logikschal­ tungsanordnung zu realisieren. Denn je nachdem, ob nun dieses senkrechte Magnetfeld anliegt oder nicht, ändert sich die Hysteresekurve, die das Ummagnetisierungsverhalten der weich­ magnetischen Schicht beschreibt, und damit auch die Funkti­ onsweise der Schaltungsanordnung. Damit ist auf einfache Wei­ se ein im einfachsten Ausführungsfall lediglich ein magneto­ resistives Element umfassendes Logikgrundelement realisiert, das je nach Bedarf und Anwendungsfall zwischen einer OR- und einer AND-Funktion oder - je nachdem wie die Signaleingänge und -ausgänge definiert sind bzw. die hartmagnetische Refe­ renzschicht ausgerichtet ist - zwischen einer NOR- und einer NAND-Funktion geschalten werden kann.

Zum Erzeugen des senkrecht stehenden Magnetfelds umfassen die Mittel vorteilhaft einen bestrombaren weiteren Leiter. Je nach gewünschter Logikfunktion wird dieser weitere Leiter bestromt oder nicht. Der weitere Leiter ist zweckmäßigerweise derart bemessen und angeordnet, dass das von ihm erzeugbare Magnetfeld im Wesentlichen homogen auf das magnetoresistive Element einwirkt, d. h., dass über die Fläche der weichmagne­ tischen Schicht ein im Wesentlichen homogenes Magnetfeld an­ liegt, so dass die Koerzitivfeldstärke gleichmäßig über die weichmagnetische Schicht verringert werden kann.

Gemäß einer zweckmäßigen Erfindungsausgestaltung kann einem oder mehreren magnetoresistiven Elementen ein magnetoresisti­ ves Referenz-Element mit eigenem zugeordneten Mittel zugeord­ net sein. Dieses Referenz-Element dient ausschließlich zu Re­ ferenzzwecken, hinsichtlich der Feldprogrammierbarkeit, die allein durch den bestrombaren weiteren Leiter erzielt wird, trägt das Referenz-Element nichts bei. Gleichwohl ist ein Re­ ferenz-Element zweckmäßig, um Widerstandsvariationen auf bzw. über den Wafer auszugleichen.

Den Mitteln, also beispielsweise dem weiteren Leiter, ist zweckmäßigerweise ein Schalt- oder Steuerelement zugeordnet, über das die Erzeugung des weiteren Magnetfelds steuerbar ist. Als ein solches Schalt- oder Steuerelement kann jedes beliebige Element dienen, das es ermöglicht, dann wenn es er­ forderlich ist einen Strom über den Leiter, der mit einer entsprechenden Stromquelle verbunden ist, zu führen. Als ein solches Schalt- oder Steuerelement kann zweckmäßigerweise eine MRAM-Speicherzelle, also eine magnetic-random-access- memory-Zelle verwendet werden, über deren Zustand der Bestro­ mungsbetrieb des weiteren Leiters definiert wird. Zweckmäßi­ gerweise wird ein Schalt- oder Steuerelement mit nicht flüch­ tig gespeicherter Schalt- oder Steuerinformation verwendet.

Nach einer vorteilhaften Erfindungsausgestaltung kann vorge­ sehen sein, dass die Mittel zum Erzeugen eines niedrigen Bias-Magnetfelds, das im Wesentlichen kontinuierlich auf das magnetoresistive Element einwirkt, und eines höheren Magnet­ felds ausgebildet ist. Das Bias-Magnetfeld erniedrigt die Koerzitivfeldstärke ebenfalls, jedoch nur gering, was dahin­ gehend von Vorteil ist, als die Hysteresekurve "homogener" wird. Man nähert sich einem idealen Schaltverhalten, das Schalten ist schneller möglich. Das magnetoresistive Element bzw. Referenz-Element wird also etwas vorgespannt. Demgegen­ über ist das Eigentliche die Funktion der Logikschaltungsan­ ordnung definierende Magnetfeld wesentlich höher und ernied­ rigt die Koerzitivfeldstärke deutlich.

Zweckmäßig kann es ferner sein, wenn einem magnetoresistiven Element - gleich welcher Art - ein Verstärkerelement zugeord­ net ist, um das Ausgangssignal zu verstärken, so dass es als Eingangssignal für andere Logikelemente benutzt werden kann.

Wie bereits beschrieben ermöglicht die erfindungsgemäße Lo­ gikschaltungsanordnung den Aufbau eines Logikgrundelements umfassend lediglich ein magnetoresistives Element mit zugeordnetem Leiter und weiterem Leiter, die Beiordnung eines Re­ ferenz-Elements ist optional. Die Einfachheit des Aufbaus er­ möglicht infolgedessen den ebenfalls einfachen und wesentlich kleineren Aufbau einer größeren Logikschaltungsanordnung, die eine Vielzahl von array-artig angeordneten magnetoresistiven Elementen, gegebenenfalls zugeordneten Referenz-Elementen, mit zugeordneten Leitern und weiteren Leitern und gegebenen­ falls Verstärkerelementen umfasst. Es können also auf einfa­ che Weise feldprogrammierbare Logikarrays gebildet werden, die zusammen mit integrierten Schaltungen eingesetzt werden können.

Als magnetoresistive Elemente bzw. Referenz-Elemente können zweckmäßigerweise GMR-(giant magnetoresistive) oder TMR- (tunneling magnetoresistive)Elemente verwendet werden.

Ferner können die Mittel erfindungsgemäß mehrere weitere dem magnetoresistiven Element zugeordnete, über- und/oder neben­ einander liegende und elektrisch voneinander isolierte Leiter umfassen, die zur Erzeugung des senkrecht wirkenden Magnet­ felds gemeinsam bestromt werden.

Eine Erfindungsalternative zur Verwendung separater und elek­ trisch bezüglich des magnetoresistiven Elements isolierter weiterer Leiter sieht vor, dass als weitere Leiter die Strom­ leitungen des magnetoresistiven Elements dienen. Das magneto­ resistive Element wird im Betrieb mit einem Tunnelstrom be­ aufschlagt. Die hierzu vorgesehenen Leitungen können zweckmä­ ßigerweise auch als weitere Leiter zur Erzeugung dieses senk­ rechten Magnetfelds dienen.

Schließlich kann erfindungsgemäß vorgesehen sein, dass die hartmagnetische Referenzschicht eines magnetoresistiven Ele­ ments über das bei Bestromung des Leiters mit den Signalan­ schlüssen erzeugbare Feld im Bedarfsfall ummagnetisierbar ist. Dies bietet die Möglichkeit, die Grundfunktion der Lo­ gikschaltung zu ändern, die abhängig von der Ausrichtung der Magnetisierung der Referenzschicht ist. Werden also über die Signalanschlüsse hohe Ströme geführt, die natürlich deutlich höher sein müssen als die normalen Signale, da sich beim nor­ malen Betrieb die Referenzschichtmagnetisierung natürlich nicht ändern darf, so ist es beispielsweise möglich, die Schaltungsfunktion von einer "OR"- in eine "NAND"-Funktion zu ändern.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung er­ geben sich aus den im Folgenden beschriebenen Ausführungsbei­ spielen sowie anhand der Zeichnungen. Dabei zeigen:

Fig. 1 eine Prinzipskizze einer Logikschaltungsanordnung einer ersten Ausführungsform,

Fig. 2 eine Prinzipskizze einer idealisierten Schaltkurve eines magnetoresistiven Elements mit Asteroid- Schaltverhalten, und

Fig. 3 eine zweite erfindungsgemäße Ausführungsform einer Logikschaltungsanordnung mit Referenz-Element.

Fig. 1 zeigt eine erfindungsgemäße Logikschaltungsanordnung 1 bestehend aus einem magnetoresistiven Element 2, beispiels­ weise einem GMR- oder einem TMR-Element. Dieses magnetore­ sistive Element ist über geeignete Zuleitungen mit einem Messstrom I₀ bestrombar, wobei die Größe der abgreifbaren Messspannungen abhängig davon ist, wie die Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Elements zur Magnetisierung der hartmagnetischen Referenzschicht steht. Die Grundfunktion eines GMR- oder TMR-Elements ist hinrei­ chend bekannt, auf sie muss hier nicht näher eingegangen wer­ den.

Elektrisch isoliert verläuft quer über dem magnetoresistiven Element 2 ein ebenfalls bestrombarer Leiter 3, der im bestromten Zustand ein Magnetfeld am Ort der weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Elements 2 erzeugt. Der Strom I_A/B im Leiter 3 addiert sich aus den Einzelströmen der beiden Logikeingänge A und B, an die entsprechende Logiksig­ nale gelegt werden können. Der Spannungsabfall U über dem magnetoresistiven Element ist der logische Ausgang.

Der Strom-Spannungsverlauf eines magnetoresistiven Elements 2 folgt direkt aus der Hysteresekurve der weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Elements und nimmt im Idealfall bei konstantem I₀ zwei diskrete Werte an, die zur Definition einer logischen "0" (U₀) und einer logischen "1" (U₁) dienen. Das Grundprinzip bzw. der prinzipielle Verlauf ist in Fig. 2 anhand der ausgezogenen Hysteresekurve dargestellt.

Zwei diskrete Stromwerte der Logikeingänge A und B werden als logische "1" (I(1)) und logische "0" (I(0)) definiert. Je nachdem, bei welchen Stromkombinationen bzw. den sich daraus ergebenden Strömen und damit Magnetfeldern über dem magneto­ resistiven Element 2 die Ummagnetisierung der weichmagneti­ schen Schicht und damit die Änderung der Spannung U von logi­ scher "0" nach logischer "1" schaltet, definiert sich die Lo­ gikschaltung als OR-, NOR-, AND- oder NAND-Funktion.

Sind I(0), I(1), U(0) und U(1) einmal global festgelegt, dann definiert das Schaltverhalten und dabei konkret die Koerzi­ tivfeldstärke H_c der weichmagnetischen Schicht des magnetore­ sistiven Elements 2 die Funktion der logischen Schaltung. Ist H_c klein, so dass bereits eine logische "1" an einem der Ein­ gänge A, B genügt, um von U(0) nach U(1) zu schalten, so liegt eine OR-Funktion vor (schaltet das Element von U(1) nach U(0), so liegt eine NOR-Funktion vor). Ist H_c so groß, dass an beiden logischen Eingängen eine logische "1" anliegen muss, damit das über den Leiter 3 erzeugte Magnetfeld hinrei­ chend groß ist, damit das magnetoresistive Element 2 ummagne­ tisiert und damit die Spannung schaltet, so liegt eine AND- Funktion vor (und entsprechend bei einem Umschalten von U(1) nach U(0) eine NAND-Funktion).

Durch geeignete Variation der Koerzitivfeldstärke H_c der weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Elements 2 kann somit die Logikschaltung 1 in ihrer Funktion definiert werden. Das Verhältnis der Koerzitivfeldstärke zur Höhe des über einen der Eingänge A oder B anlegbaren Signalstroms bzw. dem hierüber erzeugbaren Magnetfeld definiert also die Funk­ tion.

Die Erfindung macht sich nun den Umstand zu Nutze, dass mit­ tels eines senkrecht zur leichten magnetischen Richtung der weichmagnetischen Schicht, die eine uniaxiale magnetische Anisotropie aufweist, und deren Schaltverhalten durch eine sogenannte Asteroid-Kurve charakterisiert wird, die Koerzi­ tivfeldstärke betragsmäßig verkleinert werden kann. Material, Geometrie und Dimensionen der weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Elements 2 sind so gewählt, dass das Ele­ ment ein Asteroid-Schaltverhalten zeigt und die Koerzitiv­ feldstärke in der leichten magnetischen Richtung durch ein externes Magnetfeld verringert werden kann. Zu diesem Zweck ist ein weiterer Leiter 4 vorgesehen, der oberhalb des magne­ toresistiven Elements 2 und oberhalb des Leiters 3 und dazu isoliert verläuft, und der ebenfalls über geeignete Zuleitun­ gen mit einer Stromquelle 5 verbunden ist. Der Leiter 4 kann aber ebenso auch unterhalb des Elements 2, oder auch zwischen dem Element 2 und dem Leiter 3 angeordnet sein, solange Homo­ genität gewahrt ist. Wird nun dieser weitere Leiter 4 be­ stromt, so wird hierüber ein Magnetfeld erzeugt, das senk­ recht zur Richtung der Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Elements 2 verläuft. Hierüber wird die Koerzitivfeldstärke verringert. Dies bedeutet gleichzeitig, dass aufgrund dieses zusätzlichen stromindu­ zierten Magnetfelds auch die externe Feldstärke abnimmt, die zum Ummagnetisieren erforderlich ist. Wird also bei Bestro­ mung des weiteren Leiters 4 mit einem Strom I_P ein senkrecht stehendes Magnetfeld H_P erzeugt, so kann die logische Funkti­ on der Logikschaltungsanordnung 1 von einer AND- in eine OR- Funktion durch das externe Magnetfeld umprogrammiert werden, gleichermaßen ist eine Umprogrammierung von einer NAND- in eine NOR-Funktion möglich, je nach Definition der Ein- und Ausgänge.

Im Strom-Spannungs-Verlauf äußert sich dies dadurch, dass - siehe idealisiert in Fig. 2 - die Hysteresekurve schmäler wird. Die ausgezogene idealisierte Schaltkurve erhält man, wenn I_P = 0 gegeben ist. Wird ein Strom I_P = I' über den weiteren Leiter 4 geführt, so nimmt der erforderliche Umschaltstrom ab, wie durch die gestrichelte Linie angegeben ist. Ist bei der ausgezogenen Kurve noch die Summe beider an den Eingängen A und B anliegenden Signale erforderlich (AND-Funktion), so ist gemäß der gestrichelten Linie nur noch ein an einem der Eingänge A oder B anliegendes Signal zum Umschalten vonnöten.

Die Information, ob der weitere Leiter 4 bestromt und damit ein Magnetfeld H_P angelegt werden soll oder nicht, wird über ein Schalt- oder Steuerelement 6, im gezeigten Beispiel eine M-RAM-Speicherzelle 7, vorgegeben. Ein Verstärkerelement 8 dient zur Signalverstärkung, um einen oder mehrere Logikein­ gänge anderer Logikfunktionen ansteuern zu können.

Nachfolgend wird ein Beispiel gegeben, wie die logischen Ein- und Ausgänge definiert werden können, um NAND-Funktion zu de­ finieren:
Die logischen Eingänge sind definiert:
logische "1": I(1) = I*
logische "0": I(0) = -0.5I*
Die logischen Ausgänge sind definiert:
logische "1": U(1) = U₁
logische "0": U(0) = U₀.

Bevor eine logische Funktion ausgeführt wird ist das magneto­ resistive Element 2 in einen definierten Ausgangszustand zu bringen, wobei in diesem Ausführungsbeispiel an beide Eingän­ ge eine logische 0 angelegt wird (reset-Funktion). Es liegt also an beiden Eingängen ein Strom I(0) = -0.5I* an. Gemäß o­ biger Definition und dem bezüglich Fig. 2 beschriebenen Astroid-Schaltverhalten folgt, dass bei I_P = 0 eine NAND- Funktion vorliegt, bei I_P = I' liegt eine NOR-Funktion vor.

Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform einer erfindungsge­ mäßen Logikschaltung 9. Diese entspricht insoweit der Logik­ schaltung gemäß Fig. 1, jedoch ist hier ein zweites magneto­ resistives Referenz-Element 2' vorgesehen, oberhalb welchem ebenfalls elektrisch isoliert ein Leiter 3 verläuft, so dass auch dieses Referenz-Element 2' mit einem Magnetfeld geschal­ tet wird wie das eigentliche Messelement 2. Über das magneto­ resistives Referenz-Element 2', bei dem ebenfalls ein kon­ stanter Strom I(0) anliegt, wird gleichermaßen eine Referenz­ spannung U_R abgegriffen, die im Idealfall im Bereich U_max ≦ U_R ≦ U_min liegt, wobei U_max, U_min der maximale bzw. minimale Span­ nungsabfall am Element 2 bei Strom I(0) ist.

Zusammenfassend ist festzuhalten, dass die Erfindung eine feldprogrammierbare Logikschaltungsanordnung angibt, die we­ sentlich weniger Elemente benötigt und mithin auf einer ge­ ringeren Fläche auf einem Wafer aufgebaut werden kann, weiter kann sie auf einfache Weise jederzeit in ihrer Funktion umge­ schalten werden. Das Umschalten findet in einem Rotationspro­ zess statt, der eine schnellere Signalverarbeitung erlaubt.

Claims (14)

1. Logikschaltungsanordnung, mit mindestens einem magneto­ resistiven Element, dem ein Leiter mit mindestens zwei Sig­ nalanschlüssen zugeordnet ist, mittels dem im stromdurchflos­ senen Zustand ein auf das magnetoresistive Element einwirken­ des Magnetfeld erzeugbar ist, mittels dem die Magnetisierung einer weichmagnetischen Schicht des magnetoresistiven Ele­ ments umschaltbar ist, dadurch gekenn­ zeichnet, dass Mittel zum bedarfsabhängigen Erzeu­ gen eines im Wesentlichen senkrecht zur Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht stehenden weiteren Magnetfelds (H_P) vorgesehen sind.

2. Logikschaltungsanordnung nach Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, dass die Mit­ tel mindestens einen bestrombaren weiteren Leiter (4) umfas­ sen.

3. Logikschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Leiter (4) derart bemessen und angeordnet ist, das das von ihm erzeugba­ re Magnetfeld im Wesentlichen homogen auf das magnetoresisti­ ve Element (2) einwirkt.

4. Logikschaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, dass einem oder mehreren magnetoresistiven Elemen­ ten (2) ein magnetoresistives Referenz-Element (2') mit eige­ nem zugeordnetem Mittel zugeordnet ist.

5. Logikschaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, dass den Mitteln ein Schalt- oder Steuerelement (6) zugeordnet ist, über das die Erzeugung des weiteren Mag­ netfelds (H_P) steuerbar ist.

6. Logikschaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass es ein Schalt- oder Steuerelement mit nicht flüchtig gespeicherter Steuerinforma­ tion ist.

7. Logikschaltungsanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Schalt- oder Steuerelement (6) eine MRAM-Speicherzelle (7) ist.

8. Logikschaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, dass die Mittel zum Erzeugen eines niedrigen Bias- Magnetfelds, das im Wesentlichen kontinuierlich auf das magnetoresistive Element wirkt, und eines höheren Magnetfelds ausgebildet sind.

9. Logikschaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, dass einem magnetoresistiven Element (2, 2') ein Verstärkerelement (8) zugeordnet ist.

10. Logikschaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, dass sie eine Vielzahl von arrayartig angeordneten magnetoresistiven Elementen (2) und gegebenenfalls Referenz- Elementen (2') mit zugeordneten Leitern (3) und weiteren Lei­ tern (4) und gegebenenfalls Verstärkerelementen (8) aufweist.

11. Logikschaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich­ net, dass das magnetoresistive Element (2) bzw. Refe­ renz-Element (2') ein GMR- oder ein TMR-Element ist.

12. Logikschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel mehrere weitere, dem magnetoresistiven Element (2) zugeordnete, über- und/oder nebeneinander liegende und elekt­ risch voneinander isolierte Leiter umfassen.

13. Logikschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass als weitere Leiter die Stromleitungen des magnetoresistiven Ele­ ments dienen.

14. Logikschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die hartmagnetische Referenzschicht eines magnetoresistiven Ele­ ments über das bei Bestromung des Leiters mit den Signalan­ schlüssen erzeugbare Feld im Bedarfsfall ummagnetisierbar ist.