DE19946182A1 - Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Kohlstoff Nanoröhren - Google Patents
Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Kohlstoff NanoröhrenInfo
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Abstract
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Anordnung anzugeben, die es gestatten, daß Kohlenstoff Nanoröhren an genau definierten Orten mit einer definierten Dichte auf der Oberfläche eines Auffängers erzeugt werden. DOLLAR A Es wird ein Verfahren angegeben, bei dem eine dünne Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials (1), welche auf einer Trägerschicht (3) aufgebracht ist, in unmittelbarer Nähe der Oberfläche eines Auffängers (4) angeordnet ist. Mit einzelnen Laserpulsen (5) werden kohlenstoffhaltige Moleküle aus dem kohlenstoffhaltigen Material (1) verdampft, die sich auf der direkt gegenüber befindlichen Oberfläche des Auffängers (4) abscheiden. Da dieser Auffänger (4) durch den gleichen Laserpuls (5), der das Verdampfen und Zersetzen der kohlenstoffhaltigen Moleküle bewirkt, auf eine für das Wachstum von Kohlenstoff Nanoröhren erforderliche Oberflächentemperatur aufgeheizt wird, werden gezielt an dieser Stelle, die etwa der Größe des Focusflecks (9) des Laserstrahls entspricht, Kohlenstoff Nanoröhren erzeugt. Die Schicht des kohlenstoffhaltigen Materials (1) und der Auffänger (4) sind gemeinsam auf einem Translationstisch (8) angeordnet und können mit diesem in x- und in y-Richtung kontinuierlich oder in Rasterschritten bewegt werden. DOLLAR A Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der Verwendung der Anordnung können gezielt an definierten Orten auf der Oberfläche eines Auffängers (4) Kohlenstoff Nanoröhren erzeugt werden. Die entstehenden Kohlenstoff Nanoröhren ...
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung von
Kohlenstoff-Nanoröhren durch Verdampfung von kohlenstoffhaltigen
Materialien mittels eines Laserstrahls.
Es sind Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren bekannt, bei
denen gepulste Laser nur zur Verdampfung von kohlenstoffhaltigen
Materialien dienten. So ist in der Patentanmeldung WO 99/13127
beschrieben, daß in einer Vakuumkammer ein kohlenstoffhaltiges Material
angeordnet ist, das durch einen Laserstrahl, der durch ein optisches System
auf dieses Material fokussiert wird, verdampft. Ein Teil der verdampften
Kohlenstoffmoleküle kondensiert auf sogenannten Auffängern, deren
Temperatur durch externe Heizung und Kühlung gesteuert wird wodurch das
Wachstum von Nanoröhren bewirkt wird.
Auf dem gleichen Prinzip beruht ein Verfahren zur Herstellung von
Nanoröhren, das in der WO 98/39250 beschrieben ist.
Die Nanoröhren wachsen auf den Auffängern sporadisch, mit einer
stochastischen Verteilung auf der Fläche. Für verschiedene Anwendungen,
insbesondere in der Mikroelektronik ist aber eine definierte Verteilung der
Nanoröhren auf einer Oberfläche erforderlich. Für diese Anwendungen ist
eine nachträgliche manuelle Positionierung der Nanoröhren mit
rastersondenmikroskopischen Methoden erforderlich.
Andere Verfahren beruhen darauf, dünne Schichten von Übergangsmetallen
photolithographisch zu strukturieren um daran in einem zweiten Schritt z. B.
durch katalytische Zersetzung von kohlenstoffhaltigen Molekülen Wachstum
von Nanoröhren zu erzielen.
Der Nachteil der bekannten Verfahren besteht darin, daß eine definierte
Verteilung der Kohlenstoff-Nanoröhren auf einer Oberfläche nicht gezielt
erzeugt werden kann.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Anordnung
anzugeben, die es gestatten, daß Kohlenstoff-Nanoröhren an genau
definierten Orten mit einer definierten Dichte auf der Oberfläche eines
Auffängers mit einem Verfahrensschritt erzeugt werden.
Diese Aufgabe wird durch das erfindungsgemäße Verfahren gelöst, indem
eine dünne Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials, welche auf einer für
den Laserpuls transparenten Trägerschicht aufgebracht ist, in unmittelbarer
Nähe der Oberfläche eines Auffängers angeordnet ist, so daß
kohlenstoffhaltige Moleküle mit einzelnen Laserpulsen, die durch ein
optisches System auf die Oberfläche des kohlenstoffhaltigen Materials
fokussiert werden, aus dem kohlenstoffhaltigen Material verdampft werden.
Die kohlenstoffhaltigen Moleküle zersetzen sich und scheiden sich auf der
direkt gegenüber befindlichen Oberfläche des Auffängers ab. Da dieser
Auffänger durch den gleichen Laserpuls, der das Verdampfen und Zersetzen
der kohlenstoffhaltigen Moleküle bewirkt, auf eine für das Wachstum von
Kohlenstoff-Nanoröhren erforderliche Oberflächentemperatur aufgeheizt wird,
werden gezielt an dieser Stelle, die etwa der Größe des Focusflecks des
Laserstrahls entspricht, Kohlenstoff-Nanoröhren erzeugt. Da sich der
Auffänger nur wenige Mikrometer von der Oberfläche des kohlenstoffhaltigen
Materials entfernt befindet, scheiden sich nahezu alle durch Zersetzung der
kohlenstoffhaltigen Moleküle entstandenen Teilchen auf dem Auffänger ab.
Der Zersetzungsprozeß der kohlenstoffhaltigen Moleküle wird positiv
beeinflußt, wenn das kohlenstoffhaltige Material in einer direkten Verbindung
mit einem Übergangsmetall steht. Das Übergangsmetall hat die Aufgabe
eines Katalysators für die Abspaltung der kohlenstoffhaltigen Moleküle aus
dem kohlenstoffhaltigen Material. Das kohlenstoffhaltige Material sowie das
Übergangsmetall können als diskrete dünne Schichten ausgebildet sein, die
aufeinander angeordnet sind. Das Übergangsmetall kann aber auch in Form
kleiner Cluster oder Atome in dem kohlenstoffhaltigen Material angeordnet
oder in Form von Metallpulver mit den kohlenstoffhaltigen Molekülen gemischt
sein.
Das kohlenstoffhaltige Material wird vorzugsweise eine Graphitschicht mit
einer Schichtdicke von einigen Mikrometern sein. Besonders geeignet für das
Verfahren ist die Verwendung von Fullerenen als kohlenstoffhaltige Moleküle.
Die Mikrostrukturierung der Kohlenstoff Nanoröhren erfolgt vorzugsweise mit
Nanosekundenpulsen eines Excimerlasers oder mittels Picosekundenpulsen
eines NdYag-Lasers oder mit Subpicosekundenpulsen eines Ti-Saphir-Lasers
mit regenerativem Verstärker.
Für die Bildung von Kohlenstoff Nanoröhren kann es besonders vorteilhaft
sein, wenn der Auffänger durch externe Heiz- und Kühlelemente auf einer
konstanten Ausgangstemperatur < 250°C gehalten wird.
Die erfindungsgemäße Anordnung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird gebildet durch eine Trägerschicht eines für Laserstrahlung
transparenten Materials auf das eine Schicht eines kohlenstoffhaltigen
Materials aufgebracht ist und dieser Schicht unmittelbar gegenüber ein
Auffänger angeordnet ist. Die Schicht des kohlenstoffhaltigen Materials und
der Auffänger sind gemeinsam auf einem Translationstisch angeordnet und
können mit diesem in x- und in y-Richtung mittels getrennter Antriebe definiert
kontinuierlich oder in Rasterschritten bewegt werden.
Die Anordnung weist weiterhin ein optisches System, aufweisend eine
Lochmaske und eine Abbildungsoptik, auf, das den gepulsten Laserstrahl auf
die Oberfläche des kohlenstoffhaltigen Materials fokussiert.
Die gesamte Anordnung kann vorteilhafterweise in einer Vakuumkammer
angeordnet sein, in der eine definierte Atmosphäre erzeugbar ist. Der äußere
Abschluß der Vakuumkammer gegenüber der Laserquelle kann durch das
optische System bzw. die transparente Trägerschicht gebildet sein.
Die Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials kann vorteilhafterweise an
eine Schicht eines Übergangsmetalls angrenzen. Das kohlenstoffhaltige
Material kann aber auch mit dem Übergangsmetall durchsetzt sein und somit
als eine Einzelschicht ausgebildet sein.
Durch die Wahl der Lochmaske und den Einsatz eines Objektives mit einem
entsprechenden Abbildungsmaßstab als Abbildungsoptik wird ein Focusfleck
mit einem Durchmesser in der Größe von 1 bis 100 µm auf der Oberfläche
des kohlenstoffhaltigen Materials erzeugt.
Der Abstand des Auffängers von der Oberfläche des kohlenstoffhaltigen
Materials beträgt nur wenige Mikrometer, wobei der geringste Abstand durch
die Oberflächenrauhigkeit der beiden Oberflächen bestimmt wird.
Vorteilhafterweise kann der Abstand durch entsprechende Stellelemente bis
zu einem Abstand < 500 µm eingestellt werden.
Zur Einstellung einer konstanten Ausgangstemperatur des Auffängers sind an
diesem vorteilhafterweise externe Heiz- und Kühlelemente angeordnet, die
mit einer Temperaturerfassungs- und -steuerungseinrichtung verbunden sind.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung können den
Unteransprüchen entnommen werden.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und der Verwendung der Anordnung
können gezielt an definierten Orten auf der Oberfläche eines Auffängers
Kohlenstoff Nanoröhren mit einer vorgebbaren Dichte erzeugt werden.
Die entstehenden Kohlenstoff Nanoröhren können sowohl leer als auch mit
Metall gefüllt sein. Die Metallfüllung entspricht dem verwendeten
Übergangsmetall.
Die Erfindung soll nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels näher
erläutert werden.
Die zugehörige Zeichnung zeigt eine
schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Anordnung.
An Hand der Fig. 1 wird zunächst eine Ausführung der erfindungsgemäßen
Anordnung zur Herstellung von Kohlenstoff Nanoröhren näher beschrieben.
Eine dünne Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials 1, die aus einer ca.
2 µm dicken C60-Schicht besteht, ist auf ein Quarzglas 3, das die transparente
Trägerschicht bildet, aufgebracht. Eine separate Schicht eines
Übergangsmetalls 2, die in diesem Beispiel aus einer ca. 0,4 µm starken
Nickelschicht besteht, schließt sich an die C60-Schicht 1 an. Das
Übergangsmetall 2 kann auch in Form von kleinen Clustern bzw.
Einzelatomen direkt in der C60-Schicht 1 angeordnet sein. In einem sehr
geringen Abstand Z gegenüber der C60-Schicht 1 ist ein Auffänger 4
angeordnet, der in diesem Beispiel aus einem Siliziumwafer besteht. Der
minimalste Abstand Z wird durch die Oberflächenrauhigkeit des
Siliziumwafers 4 und der C60-Schicht 1 bestimmt und beträgt einige
Mikrometer.
Das Quarzglas 3 mit der C60-Schicht 1 und der Nickelschicht 2 werden mit
dem Siliziumwafer 4 in ihrer Lage zueinander fixiert und gemeinsam auf
einem Translationstisch 8 positioniert. Durch nicht dargestellte Stellelemente
kann der Translationstisch 8 kontinuierlich bzw. in definierten Schritten in x-
und in y-Richtung bewegt werden.
Ein ebenfalls nicht dargestellter Laser, ein Excimerlasers, der mit KrF bei
einer Wellenlänge von 248 nm betrieben wird, erzeugt einen Laserpuls 5, der
mittels einer Lochmaske 6 mit einem Durchmesser von 1 mm und einer
Abbildungsoptik 7, die aus einem 1 : 20-Objektiv besteht, auf die Oberfläche
der C60-Schicht 1 fokussiert wird. Die Pulsenergie des Laserpulses wird
zwischen 1,6 und 0,2 mJ/mm2 eingestellt.
In dieser Figur ebenfalls nicht dargestellt ist eine Vakuumkammer, die
zumindest die C60-Schicht 1 und den Siliziumwafer 4 umschließt. Sie kann
aber auch den Translationstisch 8, einschließlich der Stellelemente mit
enthalten. Der äußere Abschluß der Vakuumkammer in Richtung Laser kann
durch das Quarzglas 3 oder die Abbildungsoptik 7 gebildet werden.
Werden Heiz- und Kühlelemente sowie Temperaturerfassungs- und
-steuergeräte vorgesehen, werden diese zweckmäßigerweise zwischen
Translationstisch 8 und Siliziumwafer 4 angeordnet.
Stellelemente zur Veränderung des Abstandes Z zwischen C60-Schicht 1 und
dem Siliziumwafer 4 sind in der Figur nicht dargestellt und könnten auf der
Oberfläche des Translationstisches 8 angeordnet sein und gegenüber dem
Quarzglas 3 mit der C60-Schicht 1 wirken.
Nachfolgend soll das Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff Nanoröhren
detaillierter beschrieben werden.
Der Laserpuls 5 wird durch die Lochmaske 6 mit einem Lochdurchmesser von
ca. 1 mm und die Abbildungsoptik 7, die aus einem 1 : 20-Objektiv besteht,
derart beeinflußt, daß nach Durchtritt durch das Quarzglas 3 auf der
Oberfläche der C60-Schicht 1 ein Focusfleck 9 mit einem Durchmesser von
ca. 50 µm entsteht. Die Energie des Laserpulses 5 bewirkt, daß die Fullerene
der C60-Schicht 1 in diesem Bereich verdampfen und sich zersetzen. Diese
frei gewordenen Teilchen bewegen sich in Richtung auf den nur wenige
Mikrometer entfernten Siliziumwafer 4 und scheiden auf diesem ab. Da der
Laserpuls 5 gleichzeitig den Siliziumwafer 4 auf eine Temperatur aufheizt, die
für das Wachstum von Kohlenstoff Nanoröhren erforderlich ist, werden gezielt
an dieser Stelle, die etwas größer als der Focusfleck 9 des Laserstrahls ist,
Kohlenstoff Nanoröhren erzeugt.
Bei einer kontinuierlichen Bewegung des Translationstisches 8 entstehen
linienförmige Bereiche auf denen sich Kohlenstoff Nanoröhren befinden. Wird
der Translationstisch 8 dagegen rasterförmig bewegt, entstehen punktförmige
Bereiche mit Kohlenstoff Nanoröhren. Die Größe der Bereiche, die
Kohlenstoff Nanoröhren aufweisen, wird durch den Durchmesser des
Focusflecks 9 bestimmt; während die Größe der Bereiche, in denen sich
keine Kohlenstoff Nanoröhren befinden von der Größe der Rasterschritte
bestimmt wird. Die Dichte der Kohlenstoff Nanoröhren je Flächeneinheit kann
beispielsweise durch die Anzahl der in der C60-Schicht 1 verdampften
Fullerene variiert werden, was wiederum durch die Schichtdicke und die
Laserenergie je Fläche beeinflußt wird.
Die Energie des Laserpulses 5 wird vorrangig durch die Zerstörungsschwelle
des als Trägerschicht verwendeten Materials, beispielsweise des Quarzglases
3 bestimmt.
Durch die Verwendung eines Übergangsmetalls 2, beispielsweise Nickel wird
die Ablösung der Fullerene aus der C60-Schicht 1 vorteilhaft beeinflußt und es
können mit Nickel gefüllte Kohlenstoff Nanoröhren entstehen.
Um optimale Wachstumsbedingungen für Kohlenstoff Nanoröhren auf dem
Siliziumwafer 4 zu gewährleisten, ist es vorteilhaft die Oberflächentemperatur
des Siliziumwafers 4 auf einem konstanten Ausgangswert < 250°C zu halten.
Claims (27)
1. Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren, bei dem durch
Verdampfen eines kohlenstoffhaltigen Materials mittels Laserstrahl auf der
Oberfläche eines Substrates Nanoröhren abgeschieden werden,
dadurch gekennzeichnet, daß
mit einzelnen Laserpulsen (5), die auf die Oberfläche einer dünnen Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials (1), welche auf einer für den Laserpuls transparenten Trägerschicht (3) aufgebracht ist, fokussiert werden,
kohlenstoffhaltige Moleküle aus dem kohlenstoffhaltigen Material (1) verdampft und zersetzt werden und auf einem Auffänger (4) abgeschieden werden, der sich in einem Abstand (Z), der nur wenige Mikrometer beträgt, von der Oberfläche des kohlenstoffhaltigen Materials (1) entfernt befindet, wodurch der Laserpuls (5) auch eine Oberflächentemperatur auf dem Auffänger (4) erzeugt, die für das Wachstum der Nanoröhren erforderlich ist und durch Positionierung des kohlenstoffhaltigen Materials (1) sowie des Auffängers (4) unter dem gepulsten Laserstrahl (5) an dieser Stelle auf der Oberfläche des Auffängers (4) gezielt Kohlenstoff Nanoröhren wachsen, wobei durch gezielte Bewegungen des kohlenstoffhaltigen Materials (1) und des Auffängers (4) gegenüber dem gepulsten Laserstrahl (5) an definierten Stellen Kohlenstoff Nanoröhren erzeugt werden.
mit einzelnen Laserpulsen (5), die auf die Oberfläche einer dünnen Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials (1), welche auf einer für den Laserpuls transparenten Trägerschicht (3) aufgebracht ist, fokussiert werden,
kohlenstoffhaltige Moleküle aus dem kohlenstoffhaltigen Material (1) verdampft und zersetzt werden und auf einem Auffänger (4) abgeschieden werden, der sich in einem Abstand (Z), der nur wenige Mikrometer beträgt, von der Oberfläche des kohlenstoffhaltigen Materials (1) entfernt befindet, wodurch der Laserpuls (5) auch eine Oberflächentemperatur auf dem Auffänger (4) erzeugt, die für das Wachstum der Nanoröhren erforderlich ist und durch Positionierung des kohlenstoffhaltigen Materials (1) sowie des Auffängers (4) unter dem gepulsten Laserstrahl (5) an dieser Stelle auf der Oberfläche des Auffängers (4) gezielt Kohlenstoff Nanoröhren wachsen, wobei durch gezielte Bewegungen des kohlenstoffhaltigen Materials (1) und des Auffängers (4) gegenüber dem gepulsten Laserstrahl (5) an definierten Stellen Kohlenstoff Nanoröhren erzeugt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Mikrostrukturierung mit Nanosekundenpulsen eines Excimerlasers erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Mikrostrukturierung mit Picosekundenpulsen eines NdYag-Lasers erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Mikrostrukturierung mit Subpicosekundenpulsen eines Ti-Saphir-Lasers
mit regenerativem Verstärker erfolgt.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das kohlenstoffhaltige Material (1) eine Graphitschicht mit einer Schichtdicke
von einigen Mikrometern ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die kohlenstoffhaltigen Moleküle Fullerene sind.
7. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das kohlenstoffhaltige Material (1) in Verbindung mit einem Übergangsmetall
(2) steht.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
das kohlenstoffhaltige Material (1) und das Übergangsmetall (2) als diskrete
Schichten ausgebildet sind, die unmittelbar aufeinander angeordnet sind.
9. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Übergangsmetall (2) in Form kleiner Cluster in dem kohlenstoffhaltigen
Material (1) angeordnet ist.
10. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Übergangsmetall (2) in Form von Metallpulver mit den Molekülen des
kohlenstoffhaltigen Materials (1) gemischt ist.
11. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Übergangsmetall (2) insbesondere Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cr,
Mo, W, Ti ist.
12. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Auffänger (4) ein metallischer Leiter, ein Halbleiter oder ein Isolator ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Auffänger (4) ein Siliziumwafer ist.
14. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Verfahren in einer geschlossenen Atmosphäre bei einem Druck kleiner
1 mbar abläuft.
15. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Verfahren in einer geschlossenen Gas-Atmosphäre bei einem Druck
kleiner 2 bar abläuft.
16. Verfahren nach Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet, daß
die geschlossene Gas-Atmosphäre insbesondere durch ein Edelgas gebildet
wird.
17. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Auffänger (4) auf einer nahezu konstanten Ausgangstemperatur < 250°C
gehalten wird.
18. Anordnung zur Herstellung von Kohlenstoff Nanoröhren mittels eines
gepulsten Lasers,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials (1), auf einer für den
Laserstrahl (5) transparenten Trägerschicht (3) angeordnet ist, und in einem
Abstand von wenigen Mikrometern dazu die Oberfläche eines Auffängers (4)
angeordnet ist, wobei die transparente Trägerschicht (3) mit dem darauf
angeordneten kohlenstoffhaltigen Material (1) sowie der Auffänger (4)
gemeinsam auf einem, in einer Ebene beweglichen, Translationstisch (8)
gehaltert sind und der Laserstrahl (5) durch eine Lochmaske (6) sowie eine
nachfolgend angeordnete Abbildungsoptik (7) auf die Oberfläche des
kohlenstoffhaltigen Materials (1) fokussierbar ist, wobei der Durchmesser des
Focusflecks (9) 1 bis 100 µm beträgt und der Translationstisch in x- und y-
Richtung kontinuierlich oder in Rasterschritten bewegbar ist.
19. Anordnung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
zumindest die kohlenstoffhaltige Schicht (1) und der Auffänger (4) in einer
Vakuumkammer angeordnet sind, die nach außen in Richtung Laser durch
die transparente Trägerschicht (3) bzw. die Abbildungsoptik (7)
abgeschlossen ist.
20. Anordnung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials (1) an eine Schicht eines
Übergangsmetalls (2) angrenzt.
21. Anordnung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Schicht eines kohlenstoffhaltigen Materials (1) mit dem Übergangsmetall
(2) durchsetzt ist und als Einzelschicht ausgebildet ist.
22. Anordnung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
das transparente Material (3) aus Quarzglas besteht.
23. Anordnung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Abbildungsoptik (7) durch ein Objektiv mit einem Abbildungsmaßstab von
1 : 20 gebildet ist.
24. Anordnung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
der minimale Abstand (Z) zwischen dem kohlenstoffhaltigen Material (1), das
mit einem Übergangsmetall (2) in Verbindung steht, und der Oberfläche des
Auffängers (4) durch die Oberflächenrauhigkeit beider Schichten bestimmt ist.
25. Anordnung nach Anspruch 24,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Oberflächenrauhigkeit beider Schichten < 1 µm beträgt.
26. Anordnung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Abstand (Z) zwischen dem kohlenstoffhaltigen Material (1), das mit einem
Übergangsmetall (2) in Verbindung steht, und der Oberfläche des Auffängers
(4) durch Stellelemente bis zu einem Abstand (Z) < 500 µm einstellbar ist.
27. Anordnung nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Auffänger (4) Heiz- und Kühlelemente sowie Temperaturerfassungs- und
-steuerungsgeräte aufweist.
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