DE2655320C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für einen elektronischen Widerstand, der mittels
einer Steuergröße steuerbar ist.
Steuerbare elektronische Widerstände werden besonders als Stellglieder in Regelkreisen von Verstärkern
zur automatischen Konstanthaltung eines beistimmten Signalpegels benötigt Bei vielen der Anwendungsfälle,
beispielsweise in Regelkreisen von Trägerfrequenzverstärkern, besteht dabei die Forderung nach einer hohen
Aussteuerungsgrenze sowie einer hohen Klirrdämpfung dieser Stellglieder, um zeitweilig auftretende Spannungsspitzen
des Signals verzerrungsfrei übertragen zu können. In anderen Anwendungsfällen, beispielsweise in
Empfangsschaltungen von Datenübertragungsgeräten (Modems), wird zusätzlich zu den genannten Anforderungen
ein schnelles Einschwingen des Regelkreises gefordert
Mittels Dioden, deren Arbeitspunkt verändert wird, ist es möglich, Schaltungsanordnungen für steuerbare
elektronische Widerstände aufzubauen. In den meisten Anwendungsfällen ist jedoch bei diesen Schaltungsanordnungen
wegen der nichtlinearen Diodenkennlinie die Aussteuerungsgrenze zu niedrig. Dies gilt auch für
eine Anordnung, bei welcher der steuerbare elektronische Widerstand durch die Emitter-Kollektor-Strecke
eines Transistors gebildet wird. Eine höhere Aussteuerungsgrenze läßt sich mit einer aus einem fremdgeheizten
Heißleiter gebildeten Anordnung erreichen. Diese Anordnung ist jedoch wegen der hohen thermischen
Zeitkonstante des Heißleiters und der dadurch bedingtes großen Einschwingzeit der Regelschaltung in vielen
Ein mit einem Feldeffekttransistor realisierter steuerbarer elektronischer Widerstand ist aus DE-PS
15 83 767 bekannt. In Fig. 2 dieser Druckschrift ist eine Anordnung dargestellt, bei der parallel zum Kanalwiderstand
zwischen Drain- und Sourceelektrode des Feldeffekttransistors ein Spannungsteiler angeordnet
ist, dessen MittclabgrifT unmittelbar mit dem Bulkanschluß
und über einen Kondensator mit der Gate-Elektrode verbunden ist. Hierdurch soll eine Schaltungan-Ordnung
geschaffen werden, weiche nur einen sehr kleinen Klirrfaktor zweiter Ordnung aufweist. Sie ist dazu
bestimmt, als Stellglied im Gegenkopplungskreis eines Verstärkers eingesetzt zu werden.
Weitere Beispiele von steuerbaren elektronischen Widerständen, die mit einem Feldeffekttransistor realisiert sind, sind in Elektronic Design 3, Febr. 1,1975, Seiten 68 bis 72, F i g. 3 gezeigt. Der Feldeffekttransistor ist bei beiden Schallungsvarianten als steuerbarer Widerstand in den Gegenkopplungskreis eines Verstärkers eingefügt. Zur Verbesserung der Klirrdämpfung des Feldeffekttransistors wird ein Teil der Spannung am Kanalwiderstand des Feldeffekttransistors über einen Kondensator auf den Gate-Anschluß zurückgeführt. Diese gegenphasige Rückführung wird durch die Einfügung eines Transistors in der zweiten Schaltungsvnriante weiter verbessert.
Weitere Beispiele von steuerbaren elektronischen Widerständen, die mit einem Feldeffekttransistor realisiert sind, sind in Elektronic Design 3, Febr. 1,1975, Seiten 68 bis 72, F i g. 3 gezeigt. Der Feldeffekttransistor ist bei beiden Schallungsvarianten als steuerbarer Widerstand in den Gegenkopplungskreis eines Verstärkers eingefügt. Zur Verbesserung der Klirrdämpfung des Feldeffekttransistors wird ein Teil der Spannung am Kanalwiderstand des Feldeffekttransistors über einen Kondensator auf den Gate-Anschluß zurückgeführt. Diese gegenphasige Rückführung wird durch die Einfügung eines Transistors in der zweiten Schaltungsvnriante weiter verbessert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung für einen mittels einer Steuergröße
steuerbaren elektronischen Widerstand zu schaffen, dessen Klirrdämpfung und Aussteuerungsgi enze möglichst
groß ist gegenüber den entsprechenden Werten von bekannten Halbleiteranordnungen und der eine
etwa ebenso niedrige Regelzeitkonstante aufweist wie diese Halbleiteranordnungen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen aus einem ersten Widerstand und einem von der
Steuergröße unmittelbar angesteuerten zweiten Widerstand bestehenden Spannungsteiler, dessen Abgriff mit
dem Eingang eines Verstärkers verbunden ist, wobei der Ausgang dieses Verstärkers über einen dritten Widerstand
mit einem Ende des Spannungsteilers verbunden ist und die beiden Enden dieses Spannungsteilers die
Klemmen des elektronischen Widerstandes bilden.
Im folgenden soll die Erfindung an Hand zweier Ausführungsbeispiele näher beschrieben und erläutert werden. Es zeigt
Im folgenden soll die Erfindung an Hand zweier Ausführungsbeispiele näher beschrieben und erläutert werden. Es zeigt
F i g. 1 das Prinzipschaltbild der Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung,
Fig.2 ein Beispiel mit der erfindungsgemäßen
Fig.2 ein Beispiel mit der erfindungsgemäßen
Fig.3 die Schaltungsanordnung eines möglichen
Ausführungsbeispiels der Erfindung,
Fig.4 die Schaltungsanordnung eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung.
M) In F i g. 1 wird der Spannungsteiler ST durch die
Reihenschaltung des ersten Widerstandes R 1 mit dem zweiten Widerstand R 2 gebildet, welcher mittels der
Steuergröße 5 steuerbar ist. Der Verbindungspunkt von Widerstand R1 und Widerstand R 2 ist mit dem
Eingang des Verstärkers V verbunden. Der Ausgang des Verstärkers V ist über den Widerstand R 3 mit dem
freien Ende des Widerstandes R 2 verbunden. Zwischen den beiden Enden des Spannungsteilers ST tritt der
gewünschte elektronische Widerstand ÄS 1 auf.
Bei der folgenden Erläuterung der Erfindung sollen zum leichteren Verständnis die Vereinfachungen gemacht
werden, daß der durch den Spannungsteiler ST fließende Strom /2 klein ist, bezogen auf den durch den
elektronischen Widerstand RSi fließenden Strom /1,
womit dieser Strom /1 etwa gleich dem durch den Widerstand A3 fließenden Strom /3 ist, und daß der
Innenwiderstand des Verstärkers V vemachlässigbar
klein ist, bezogen auf den Wert des Widerstandes A3.
Liegt am elektronischen Widerstand RSi eine sinusförmige
Wechselspannung UX an, so tritt am Ausgang des
Verstärkers V dann eine Wechselspannung UY » a ■ Ui auf, wobei sich der Faktor ü aus dem
Teilerverhältnis des Spannungsteilers ST sowie dem Eingangswiderstand und der Verstärkung des Verstärkers
Vergibt. An den Klemmen des Widerstandes A3
liegt eine Wechselspannung an, welche sich aus der Differenz der Wechselspannungen Ui und UY ergibt:
Ui - ü ■ Ui - Ui · (1-öjl De" durch den
Widerstand R 3 fließende Strom /3 läßt sich daher aus dem Verhältnis dieser Differenzspannung zum Wert des
Widerstandes R 3 bestimmen:
Aus dieser Beziehung errechnet sich der Wert des elektronischen Widerstandes RS1 zu
/1 1 - Il
Hieraus geht hervor, daß der elektronische Widerstand RS1 durch Verändern des Faktors ü gesteuert
werden kann. Der Faktor ü wiederum kann durch Verändern der Steuergröße 5 gesteuert werden.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung besteht darin, daß als
steuerbarer zweiter Widerstand R 2 die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors dient, wobei der Widerstand
dieser Strecke mittels der Basisvorspannung gesteuert wird. An dieser Emitter-Kollektor-Strecke
liegt nur ein Teil der am elektronischen Widerstand RS1 herrschenden Spannung Ui an. Die Schaltungsanordnung
gemäß der Erfindung hat daher den Vorteil, daß die Werte für Aussteuerungsgrenze und Klirrdämpfung
wesentlich höher liegen als in den eingangs erwähnten Fällen, bei denen die Spannung UX
unmittelbar an der Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors bzw. Kathoden-Anoden-Strecke einer Diode
anliegt
Ist der elektronische Widerstand RSi, wie in Fig. 2
gezeigt, in einen Stromkreis eingeschaltet, beispielsweise in den Gegenkopplungskreis eines Verstärkers, so
tritt an ihm bei großen Widerstandswerten ein großer Spannungsabfall auf. Aus der für den elektronischen
Widerstand ÄS 1 angegebenen Beziehung (2) geht hervot: daß bei großen positiven Werten von RS i der
Faktor ü einen Wert etwas kleiner als 1 aufweist Dies bedeutet, daß sich dann ein als zweiter Widerstand R 2
verwendeter Transistor im niederohmigen Zustand befindet Dieses Verhalten ist ein weiterer Vorteil
gegenüber den eingangs erwähnten Anordnungen, bei denen sich bei einem hochohmigen Zustand auch der
betreffende Transistor bzw. die Diode im hochohmigen und damit besonders übersteuerungsempfindlichen
Zustand befindet.
Im dem in Fig.3 dargestellten Ausführungsbeispiel
ist der Verstärker K mit einem integrierten Operationsverstärker
aufgebaut, wobei die Sptnnungsverstärkung
des Verstärkers den Wert ν =■ +1 aufweist Als
steuerbarer zweiter Widerstand. R 2 dient der Feldeffekt-Transistor
Ti, dessen Gate-Elektrode über den ohmschen Widerstand A4 mit der als Steuergröße 5
dienenden Steuerspannungsquelle U1 verbunden ist
Parallel zur Source-Drain-Strecke des Transistors Tl
ίο ist der ohmsche Spannungsteiler ST geschaltet, wobei
zwischen dessen Abgriff und der Gate-Elektrode des Transistors Ti der Kondensator Ci angeordnet ist
Dieser Kondensator Ci dient in Verbindung mit dem Spannungsteiler ST und dem Widerstand R 4 zur
Gegenkopplung des Transistors Ti und damit zur Erhöhung der KJirrdämpfung. Durch Veränderung der
Steuerspannung U1 wird der elektronische Widerstand
RS1 gesteuert Mit dem Widerstand des Spannungsteilers
ST kann die Grenze des Regelbereiches des elektronischen Widerstandes RSi beeinflußt werden.
Ist kein Spannungsteiler ST notwendig, so kann zur Beeinflussung des Regelbereiches an Stelle des Spannungsteilers
ST' auch ein einziger Widerstand verwendet werden. Als Widerstand A3 wird ein ohmscher
Widerstand verwendet Entsprechend der Beziehung (2) sind dann die Werte des elektronischen Widerstandes
Rs 1 reell.
In einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist der
Widerstand Λ 3 komplex. Man erhält dann für den
J0 elektronischen Widerstand RSi ebenfalls einen komplexen
Widerstand. Wie aus der Beziehung (2) hervorgeht, ist dieser Widerstand RS1 nur vom Wert
des reellen Faktors ü abhängig. Der komplexe Widerstand RS Il hat daher den gleichen Phasenwinkel
wie der komplexe Widerstand R 3. Verwendet man beispielsweise als Widerstand R 3 eine Induktivität, so
tritt als elektronischer Widerstand RSi eine entsprechende
veränderbare Induktivität auf. Mit dieser Ausführungsform der Erfindung läßt sich beispielsweise
die Resonanzfrequenz eines LC-Schwingkreises in einem weiten Bereich steuern.
In Fig.4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der
Erfindung dargestellt Der Verstärker V wird hier mit dem npn-Transistor 72 realisiert, dessen Emitter den
Verstärkerausgang und dessen Basis den Verstärkereingang bildet Der Verbindungspunkt des als ohmscher
Widerstand ausgeführten Widerstandes R 3 mit dem Spannungsteiler ST und der Source-Drain-Strecke des
Transistors Tl ist mit dem einen Pol einer Gleichspannungsquelle Ub (Spannung OV) verbunden und bildet
wiederum die eine Klemme des elektronischen Widerstandes RSi. Der Widerstand Ri wird durch die
Reihenschaltung der beiden ohmschen Widerstände R 1.1 und RX2 gebildet, wobei letzterem der Kondensa-
-Λ tor C3 parallel geschaltet ist Der Verbindungspunkt
von Kollektor des Transistors 72, Kondensator Ci,
Widerstand Ri2 und dem einen Ende des Widerstandes R 5 bildet die andere Klemme des elektronischen
Widerstandes RS1. Das andere Ende des Widerstandes
bo R 5 ist mit dem anderen, in diesem Falle positiven Pol
der Gleichspannungsquelle Ub verbunden. Die Reihenschaltung
der Source-Drain-Strecke des Transistors 71 mit dem Kondensator C2 liegt zwischen Spannung OV
und dem Verbindungspunkt von Spannungsteiler ST,
b5 Widerstand R 1.1 sowie der Basis des Transistors 72.
Der ohmsche Widerstand R 3 dient femer in Verbindung mit den Widerständen R 1.1, R 1.2 und R 5 sowie
dem Spannungsteiler 57' zur Einstellung des Arbeits-
punktes des Transistors T2. Der Kondensator C3 schließt den Widerstand R \2 wechselstrommäßig kurz.
Durch eine entsprechende Wahl des Verhältnisses der Widerstände RiA und RiSt ist eine zusätzliche
Emstellmöglichkeit für den Faktor ö bzw. für den ·;
Regelbereich des elektronischen Widerstandes RS1
gegeben. An Stelle des ohmschen Widerstandes R 3 kann auch ein komplexer Widerstand verwendet
werden. In diesem Fall muß dann wegen des Arbeitspunktes des Transistors 72 auf einen bestimm- ι ο
ten Gleichstromwiderstand geachtet werden.
Da einzelne Transistoren gegenüber Operationsverstärkern
eine höhere Grenzfrequenz aufweisen, ist das AusführuRgsbeispie! nach Fig.4 besonders für hohe
Frequenzen geeignet π
Im allgemeinen Fall nach F i g. 1 können der Widerstand R1 und der steuerbare zweite Widerstand
R 2 auch gegeneinander vertauscht angeordnet sein.
Als steuerbarer zweiter Widerstand R2 kann beispielsweise auch ein Fototransistor oder eine
Feldplatte dienen. Die Steuergröße Szur Steuerung des elektronischen Widerstandes RSi ist dann eine
Lichtquelle bzw. ein Magnetfeld.
Wird der Eingangswiderstand des Verstärkers V entsprechend niedrig bemessen, so kann auf den 7r>
Widerstand R 1 verzichtet werden.
J5
41)
55
60
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung für einen mittels einer Steuergröße steuerbaren elektronischen Widerstand,
gekennzeichnet durch einen aus einem ersten Widerstand (R 1) und einem von der
Steuergröße (S) unmittelbar angesteuerten, zweiten Widerstand (R 2) bestehenden Spannungsteiler (ST),
dessen Abgriff mit dem Eingang eines Verstärkers (V) verbunden ist, wobei der Ausgang dieses
Verstärkers (V)über einen dritten Widerstand (RZ)
mit einem Ende des Spannungsteilers (ST) verbunden ist und die beiden Enden dieses Spannungsteilers
(ST) die Klemmen des elektronischen Widerstandes (ÄS I) bilden.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch ■gekennzeichnet, daß der steuerbare zweite Widerstand
(R 2) durch die Emitter-Koliektor-Strecke eines Transistors (Tl) gebildet wird, dessen
Basis-Elektrode über einen vierten Widerstand (R 4) mit einer Steuerspannungsquelle (U1) verbunden ist
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der steuerbare zweite Widerstand (R 2) durch die Source-Drain-Strecke eines
Feldeffekt-Transistors (Tl) gebildet wird, dessen Gate-Elektrode über einen vierten Widerstand (R 4)
mit einer Steuerspannungsquelle (i/„/verbunden ist
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter-Kollektor-Strecke
bzw. der Source-Drain-Strecke des Transistors (Ti) ein weiterer Spannungsteiler (ST')
parallel geschaltet ist, zwischen dessen Abgriff und der Basis- bzw. Gate-Elektrode ein Kondensator
(C 1) angeschlossen ist
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
dritte Widerstand (R 3) am Ausgang des Verstärkers (V) komplex ist
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