DE4006456C1 - Appts. for vaporising material in vacuum - has electron beam gun or laser guided by electromagnet to form cloud or pre-melted spot on the target surface - Google Patents
Appts. for vaporising material in vacuum - has electron beam gun or laser guided by electromagnet to form cloud or pre-melted spot on the target surfaceInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einer
Vorrichtung zum Verdampfen von Material im Vakuum
mittels eines Lichtbogens mit einem Target, das mindestens
an einem Teil seiner Oberfläche ein zu verdampfendes
Material aufweist, wobei die Bogenentladung
in einem Bereich betrieben wird, wo ein wesentlicher
Teil des Bogenstroms meistens durch kleine
Flecken auf der Targetoberfläche fließt, mit einem
Verfahren gemäß dem Oberbegriff nach Anspruch 6,
mit einer Plasmalichtbogenanordnung zum Auftragen
von Überzügen auf ein Substrat mit einer Vorrichtung
sowie mit einer Anwendung des Verfahrens für
das Bedampfen von Substraten mittels eines Plasmalichtbogens.
Verfahren und Anlagen zum Auftragen von Überzügen
aus relativ hochschmelzenden Materialien durch Niederschlagen
des mit Hilfe eines elektrischen Lichtbogens
im Vakuum verdampften Materials sind bekannt
und in mannigfaltiger Weise vorbeschrieben.
Aus der DE-OS 21 36 532 ist eine Anlage bekannt, bei
welcher ein elektrischer Lichtbogen zwischen einer
hüllenförmigen Anode und einer, auf einem Kühlbett
montierten Kathode erzeugt wird, wobei die Kathode
an ihrer Oberfläche ein zu verdampfendes Metall enthält.
Durch Anbringen eines Schirmes an der Kathode
soll verhindert werden, daß der auf der Kathode erzeugte
Kathodenfleck von der Verdampfungsfläche
seitlich überspringt. Die Problematik dieser Anlage
liegt darin, daß infolge des zufälligen ungeführten
Wanderns des Kathodenfleckens die Kathodenoberflächen
ungleichmäßig abgetragen wird und zudem infolge lokaler
Überhitzung ständig Spritzer entstehen, die
zu Störungen auf der zu erzeugenden Beschichtung
resp. im Überzug führen. Auch die US-PS 36 25 848
beschreibt eine analoge Anlage, wobei hier die Kathode
aus dem Beschichtungsmaterial, das zu verdampfen
ist, hergestellt ist. Die Anlage weist grundsätzlich
dieselben Nachteile auf wie die Anlage gemäß
DE-OS 21 36 532.
In der Anlage gemäß US-PS 45 56 471 wird mittels
eines Magnetfeldes oder durch Anbringen eines Permanentmagneten
versucht, den Lichtbogen so weit in
seiner "Wanderung" zu beeinflussen, daß die Kathodenoberfläche
oder das sogenannte Target weitgehendst
gleichförmig abgetragen wird. Dabei ist die
Kathode zusätzlich gegenüber der Vakuumkammer isoliert
angeordnet. Grundsätzlich aber wandert der
Lichtbogenfleck auf der Kathode weiterhin ungeführt
und zufällig, wodurch die beschriebenen Nachteile
nur teilweise behoben sind und nach wie vor die Gefahr
von Spritzern bestehen bleibt. In der US-PS 46
20 913 wird eine Anlage beschrieben, wo mittels einer
speziellen Anodenanordnung das Wegwandern oder
das Überspringen des Fleckens von der Kathode verhindert
werden soll. Auch die DE-OS 35 28 677 bezweckt
durch das Anbringen von Lichtbogenbegrenzungsmitteln
das Wegspringen des Lichtbogenfleckens,
wobei hier zusätzlich durch Anbringen einer Magnetfeldquelle
der Fleck eine gelenkte Bewegung auf der
Kathode aufweisen soll. Durch gepulste Magnetfelderzeugung
wird der Fleck je nach Polarisation veranlaßt,
sich in Richtung oder gegen das Magnetfeld zu
bewegen. Es handelt sich dabei nur um ein "richtungsmäßiges",
aber nicht um ein eigentliches Führen
des Fleckens, so daß - wohl etwas reduziert -
immer noch die Gefahr von örtlicher Überhitzung und
damit von Spritzern nicht vollständig behoben ist.
Auch ist es nicht gelungen, Systeme dieser Art zufriedenstellend
zu realisieren.
In der DE-OS 33 45 493 wird wiederum das Wegwandern
des Fleckens mittels Anordnung eines Begrenzungsringes
an der Kathode verhindert, jedoch ohne Beeinflussung
der zufälligen Bewegung des Lichtbogenfleckens.
Auch in der DE-PS 33 45 442 wird das Anbringen
eines Begrenzungsringes aus einem magnetisch permeablen
Material beansprucht.
In der DE-PS 31 52 131 wird in der Vakuumkammer ein
Magnetfeld durch ein sogenanntes Solenoid erzeugt.
Durch dieses Magnetfeld wird der Kathodenstrahlfleck
zum Wandern veranlaßt. Weiter ist ein Zündimpulsgenerator
vorgesehen zum kontinuierlichen Zünden von
Kathodenstrahlflecken, die dann infolge des Magnetfeldes
zu einer Stirnfläche hinwandern. Der Fleck
wird aber nicht eigentlich gesteuert, sondern nur
sein Wandern vom Zufallsgenerator entlang der Kathodenoberfläche
zur Stirnseite hin veranlaßt.
In der CH-PS 6 57 242 wird beschrieben, wie die entstehenden
Spritzer oder Makroteilchen im Plasma
ausgeschieden werden. Angeordnet wird ein sogenannter
Plasmaleiter und ein koaxial angeordneter Elektromagnet,
der zu einem Fokussiersolenoid gegengeschaltet
ist. Dadurch wird ein spezielles Magnetfeld
erzeugt, das den Plasmastrahl derart umlenkt, daß
darin enthaltene Spritzer oder Makroteilchen aus
dem Plasmaleiter ausgetrieben werden. Diese Umlenkung
ist aber mit großen Materialverlusten verbunden.
Außerdem muß der Umlenkmechanismus, der sehr
viel stärker beschichtet wird als die Substrate,
ständig gereinigt werden, was mit großem Aufwand
und erheblichen Umtrieben verbunden ist. Entsprechendes
wird in der FR-A 25 24 254 beansprucht. Die
DE-PS 32 34 100 schließt sich im Prinzip an den Gehalt
der beiden vorgenannten Dokumente an, wobei zusätzlich
apparative Modifikationen vorgeschlagen
werden, um eine gleichmäßigere Beschichtung eines
Werkstückes zu gewährleisten. Diese beziehen sich
aber in keiner Weise auf das Führen des Fleckens auf
der Kathodenoberfläche.
In der DE-OS 37 31 127 wird ein Lichtbogen gepulst
betrieben, d. h. die Substanztemperatur wird mit einer
Temperaturobergrenze verglichen, und bei Überschreiten
dieser Obergrenze wird der Lichtbogen
unterbrochen. Damit soll ein örtliches Überhitzen
an der Kathodenoberfläche verhindert werden. Trotzdem
entstehende Spritzer sollen mittels Anbringen
von Magnetfeld/Abschirmblech abgelenkt werden, d. h.,
daß das Pulsen nur eine sehr ungenügende Lösung
darstellt. Abschirmungen mit Magnetfeld und Blenden
sind aber unwirtschaftlich, da sie einen sehr hohen
Wartungsaufwand erfordern und die Beschichtungsgeschwindigkeit
stark beeinträchtigen. Das beschriebene Verfahren
eignet sich insbesondere für dekorative Beschichtungen
und weniger für Beschichtungen im technischen
Bereich.
In der US-PS 46 73 477 wird mittels eines Permanentmagneten
der Kathodenfleck geführt. Die Anode ist
ringförmig ausgebildet und die Kathode verschoben
parallel zur Ringfläche als Scheibe ausgebildet.
Hinter der Kathode ist ein Magnet angeordnet, mittels
welchem der Kathodenfleck auf der Kathodenoberfläche
bewegt wird. Obwohl eine Reduktion der Spritzer
die Folge dieser Anordnung ist, muß die Konstruktion
erneut als kompliziert bezeichnet werden.
Auch in der EP-A 02 84 145 ist die Anode ringförmig
und die Kathode parallel versetzt zur Ringebene als
Zylinder angeordnet, wobei letzterer um seine Achse
rotierbar ist. Um ein wahlloses Wandern des Kathodenfleckes
zu verhindern, ist eine Magnetanordnung
vorgesehen, die innerhalb des Kathodenzylinders verschiebbar
angeordnet ist. Durch Rotation des Zylinders
und Längsverschiebung des Magneten wird der Kathodenfleck
auf der Oberfläche geführt, um Spritzerbildung
zu verhindern. Die vorgeschlagene Anordnung
umfaßt eine sehr komplizierte Konstruktion, die
nicht als sehr praxisgerecht zu bezeichnen ist.
In den beiden vorab beschriebenen Fällen hat es sich
zudem gezeigt, daß die Spritzerreduktion sehr stark
vom Kathodenwerkstoff abhängt, wobei sie für die in
der Praxis interessanten Werkstoffe, wie beispielsweise
Titan, nicht ausreicht.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher
nach wie vor in der Forderung nach einem Verfahren
resp. einer Anordnung, mittels welcher ein Funken
resp. ein Lichtbogenfleck stabilisiert und gesteuert
für das Verdampfen eines Beschichtungsmaterials eingesetzt
wird, um die Nachteile eines ungesteuerten
nichtgeführten Funkens oder Fleckens, wie oben umfangreich
dargestellt, zu überwinden. Die Konstruktion
und das Verfahren sollen zudem möglichst einfach
sein und gegebenenfalls sogar in bestehende Anlagen
zugerüstet werden können.
Erfindungsgemäß wird dies mittels einer Vorrichtung,
vorzugsweise nach mindestens einem der Ansprüche,
wie insbesondere nach Anspruch 1, sowie mittels
eines Verfahrens, vorzugsweise nach mindestens einem
der Ansprüche, wie insbesondere nach Anspruch 5 gelöst.
Vorgeschlagen wird eine Vorrichtung zum Verdampfen
von Material mittels eines Lichtbogens im Vakuum mit
einem Target, das mindestens an einem Teil seiner
Oberfläche ein zu verdampfendes Material aufweist,
das als Teil einer Bogenentladung geschaltet ist,
wobei der Lichtbogen in einem Bereich betrieben
wird, wo ein wesentlicher Teil des Bogenstroms meistens
durch kleine Flecken auf der Targetoberfläche
fließt, wobei die Vorrichtung zusätzlich eine Elektronenstrahlkanone
oder einen Laser beinhaltet, für
das Erzeugen einer lokalen Dampfwolke auf der Targetoberfläche,
um damit den Fußpunkt des Lichtbogens
zu stabilisieren und zu führen.
Beim Target handelt es sich vorzugsweise um die Kathode
des Funkens oder Lichtbogens.
Der Laser oder der Elektronenstrahl ist bevorzugt
derart aufgebaut, daß der Elektronenstrahl oder Laserstrahl
auf der Targetoberfläche führbar ist. Dabei
ist es beispielsweise möglich, die Objektlinse
des Lasers beweglich anzuordnen oder weiter einen
Spiegel vorzusehen, der für das Wandern des Brennfleckens
bewegbar angeordnet ist. Gleichzeitig mit
dem Führen von Elektronenstrahl oder Laserstrahl
wird damit auch der Lichtbogenfleck auf der Kathodenoberfläche
geführt, indem er der durch den Elektronenstrahl
oder Laserstrahl erzeugten lokalen
Dampfwolke auf der Targetoberfläche nachfolgt. Es
ist auch möglich, das Target beweglich anzuordnen.
Analog dazu wird ein Verfahren zum Verdampfen eines
Materials mittels eines Lichtbogens an einem Target
im Vakuum vorgeschlagen, wobei das Target mindestens
an seiner Oberfläche ein zu verdampfendes Material
aufweist, das als Teil einer Bogenentladung geschaltet
ist und wobei die Bogenentladung in einem Bereich
betrieben wird, wo ein wesentlicher Teil des
Bogenstroms mindestens durch kleine Flecken auf der
Targetoberfläche fließt, indem mittels eines Elektronenstrahls
oder eines Lasers auf der Targetoberfläche
eine lokale Dampfwolke erzeugt wird, und zwar
derart, daß der Fußpunkt des Lichtbogens oder Funkens
in dieser Dampfwolke stabilisiert und mit dieser
geführt wird. Dabei ist es zusätzlich möglich,
unter der Dampfwolke auf der Targetoberfläche eine
Pfütze zu erzeugen.
Der Elektronenstrahl oder der Laserstrahl sind bevorzugt
auf der Targetoberfläche führbar, um so den
Lichtbogen oder Funkenfußpunkt auf der Targetoberfläche
zu führen. Die Führung des Elektronenstrahles
oder Laserstrahles kann selbstverständlich nach einem
vorgegebenen Muster erfolgen, gemäß welchem ein
gleichmäßiges Abtragen der Targetoberfläche durch
den geführten Lichtbogen resp. Funkenfleck gewährleistet
ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt derart
betrieben, daß im zeitlichen Mittel die Betriebsleistung
der Bogenentladung die Betriebsleistung
des Elektronenstrahls oder des Lasers übersteigt,
wodurch die Verdampfung des Materials an der
Targetoberfläche mehrheitlich mittels der Bogenentladung
erfolgt.
Die Energiedichte des Elektronenstrahles oder Laserstrahles
ist insbesondere derart geregelt, daß ein
Entladungsstrom von mehr als 30 Ampre bei einer
Entladungsspannung von lediglich 10 bis 15 Volt
ermöglicht wird.
Weiter wird vorgeschlagen, daß der über dem Target
liegende Verdampfungsraum eine verdünnte Atmosphäre
aus Edelgas, Sauerstoff, Stickstoff, einer gasförmigen
Kohlenstoffverbindung, einer metallorganischen
gasförmigen oder borhaltigen gasförmigen Verbindung
aufrechterhalten wird.
Falls die Targetoberfläche ein leicht schmelzendes
Material umfaßt, so wird vorzugsweise der Elektronenstrahl
oder Laserstrahl so stark defokussiert,
daß die Pfütze um den Lichtbogenfußpunkt der Bogenentladung
ständig einen Trichter bildet, in dessen
Grund immer flüssiges Targetmaterial nachrinnt,
wodurch der Lichtbogen ohne Führung
stabilisiert wird.
Weiter wird vorgeschlagen, daß die Bewegung des
Elektronenstrahls bzw. Laserbrennpunktes so rasch
erfolgt, daß damit die Eigenbewegung des Bogenentladungsfußpunktes,
wobei es sich vorzugsweise um
den Kathodenfußpunkt handelt, unterdrückt wird.
Die oben erwähnten erfindungsgemäßen Vorrichtungen
eignen sich insbesondere für die Verwendung in einer
Plasmalichtbogenanordnung zum Auftragen von Überzügen
auf ein Substrat.
Ebenso eignen sich die beschriebenen Verfahren zum
Bedampfen von Substraten mittels eines Plasmalichtbogens
im Hochvakuum.
Die erfindungsgemäßen Verfahren eignen sich insbesondere
zu Herstellung von Überzügen, bestehend
aus Oxiden, Nitriden, Oxinitriden, Boriden, Carbiden
und Fluoriden für optische Anwendungen durch Verdampfen
eines Elementes oder einer Verbindung des
entsprechenden Elementes der Gruppen 2a, 3a, 3b, 4a,
4b, 5a, 5b, 6a in einer entsprechenden Reaktivgasatmosphäre.
Die Erfindung wird nun anschließend beispielsweise
anhand der beigefügten Figuren und anhand von spezifischen
Ausführungsbeispielen näher erläutert. Die
Fig. 1 zeigt dabei eine Hochvakuumanlage
mit einer Funkenentladungsanordnung sowie eine Elektronenkanone.
Fig. 2 zeigt eine Prinzipskizze einer
erfindungsgemäßen Anlage, geeignet für die Durchführung
der Beispiele 4 und 5.
In einer Hochvakuumanlage 9 mit der entsprechenden
Pumpöffnung 10 für das Evakuieren der Vakuumanlage 9
ist eine konventionelle Elektronenkanone 6 montiert,
welche mittels einer Wasserkühlung 7, 8 gekühlt
wird. Die Elektronenkanone 6 ist derart angeordnet,
daß ein von der Elektronenkanone emittierter Elektronenstrahl,
geführt durch die Polschuhe eines
Elektromagneten 5, auf das rotierende, durch einen
Isolator 4 vom Anlagenboden isoliert montierte Target
1 trifft, das ebenfalls mittels Wasserkühlung
2, 3 gekühlt wird.
Das Target 1 dient gleichzeitig als Kathode der Funkenentladung.
Diese Funkenentladung umfaßt eine
wassergekühlte Anode 12 mit einer Wasserkühlung 14,
die über einen Isolator 13 von der Anlage isoliert
ist. In einer beispielsweise ausgeführten erfindungsgemäßen
Anordnung umfaßt die Anode 12 die
Ausmaße 30×10 cm und ist in einer Entfernung von
ca. 10 cm vom Target 1 montiert.
Ein Zwischenboden 11 dient als Druckstufe für den
Fall, daß über einen Gaseinlaß 16 Reaktiv- oder
Edelgase eingelassen werden, so daß der Druck in
der Beschickungskammer 21 über den für die Elektronenkanone
maximal zulässigen Druck steigt.
Die Schaltung 15 symbolisiert die Stromversorgung
des Funkens, wobei es sich beispielsweise um einen
Hochstromgenerator handeln kann. Die zu beschichtenden
Gegenstände, wie beispielsweise optischen Substrate,
werden auf dem rotierenden Substrathalter 17
befestigt, der über Isolierungen 18 gegenüber der
Anlage isoliert ist. Die Drehdurchführung 19 ist
wassergekühlt. Der Substrathalter kann mittels einer
Spannungsquelle 20 auf ein gegenüber der Kathode negatives
Potential gelegt werden.
Die Funktionsweise der in der Figur dargestellten
Hochvakuumanlage ist derart, daß nach Zünden des
Funkens zwischen der Anode 12 und der Kathode 1, was
nach bekannter konventioneller Art und Weise geschehen
kann, mittels der Elektronenkanone 6, geführt
durch den Elektromagneten 5, auf dem Target ein
Fleck vorgeschmolzen wird. Der gezündete Funken
springt darauf unverzüglich auf diesen vorgeschmolzenen
Fleck und kann mittels dieses vorgeschmolzenen
Fleckes auf der Oberfläche des Target 1 geführt werden.
Auf diese Weise wird einerseits sichergestellt,
daß das zu verdampfende Material an der Targetoberfläche
1 oder an der Kathode gleichmäßig verdampft
wird und daß andererseits durch Vermeiden einer
örtlichen Überhitzung weitgehendst die Bildung von
Spritzern verhindert werden kann.
Eine kubische Bedampfungsanlage
wurde wie folgt ausgerüstet: In ihrem Boden, dezentriert,
war ein wassergekühlter Tiegel eingebaut.
Neben dem Tiegel im Boden war eine Elektronenstrahlkanone
mit axialem Magnetfeld angebracht, deren Kathodenraum
differentiell abgepumpt wurde. Der Abstand
vom Austritt des Elektronenstrahls zum Kathodenmittelpunkt
betrug 100 mm. Die Elektronenstrahlkanone
hatte eine maximale Leistung von 8 kW. Der Tiegel
war aus Kupfer gefertigt, wassergekühlt und hatte
einen Durchmesser von 80 mm. Es war elektrisch sowohl
vom Kammerboden als auch von der Masse der Kanone
isoliert. Mit einem Elektromotor konnte er in
Rotation versetzt werden. Der Tiegel wurde mit einem
Kabel, das isoliert in die Anlage eingeführt worden
war, an den negativen Pol eines Gleichspannungsspeisegerätes
von der Art eines Schweißtransformators
(max. 250 A) mit Kupferkabeln von 10 mm angeschlossen.
Der positive Pol des Speisegerätes wurde mit
einer getrennten, elektrisch isolierten und wassergekühlten
Durchführung an eine wassergekühlte Hilfsanode
angeschlossen. Diese war rechteckig, 250×
100 mm, und stand wimpelartig in einem Abstand von
60 mm vom Tiegel. Gegenüber dem Boden befand sich ein
Drehteller, dessen Achse durch das Anlagenzentrum
führte, auf dem Prüfkörper angebracht waren. Der
Tiegel wurde mit 350 g Titan chargiert und die Anlage
geschlossen und abgepumpt. Die Prüfkörper wurden mit
einer für die Werkzeugbeschichtung üblichen Methode
geheizt und ihre Oberfläche in einem Argonplasma
gereinigt. Danach wurde die Elektronenstrahlkanone
eingeschaltet und ihre Leistung auf 700 Watt hochgefahren.
Die Spannung zwischen Draht und Tiegel
betrug 10,6 kV. Der Tiegel wurde mit einer Frequenz
von 2 Umdrehungen/Minute in Rotation versetzt. Der
Brennfleck mit einem Durchmesser von etwa 1 mm wurde
auf den der Austrittsöffnung des Elektronenstrahls
näher liegenden Sektor des Tiegels fokussiert. Der
Druck in der Kammer war kleiner als 0,002 Pa. Danach
wurde der Schweißtransformator eingeschaltet. Seine
Leerlaufspannung von 130 V reichte, um eine Entladung
zu beenden. Der Strom wurde auf 200 A geregelt.
Die Betriebsspannung betrug 41 V. In der Schmelze
bildete sich ein kreisförmiger Graben, dessen Grund
dem Fußpunkt des Elektronenstrahls entsprach. Über
dieser Schmelze bildete sich ein lichtstarkes Plasma
aus. Die Substrate wurden durch ein zusätzliches
Speisegerät auf eine Spannung von -80 V gegenüber
dem Tiegelpotential gelegt. Der Ionenstrom auf dem
Substratträger betrug 8 A. Ohne Schweißtransformator
war der Substratstrom zu gering, um gemessen
werden zu können. Nach 15 Minuten wurden die Stromversorgungen
abgeschaltet und die Anlage geflutet.
Auf den Substraten befand sich eine feinkristalline
Schicht von 4 µm Titan. Die Oberflächenrauhigkeit
der Prüfkörper blieb unverändert und entsprach einer
mittleren Rauhtiefe von Ra 0,04 µm.
Es wurde der gleiche Aufbau wie im Beispiel 1 benutzt.
Der Tiegel wurde mit 330 g Titan chargiert.
Danach wurde vorerst wie in Beispiel 1 vorgegangen.
Die Leistung der Elektronenstrahlkanone wurde auf
7,4 kW geregelt. Die Tiegelrotation wurde nicht eingeschaltet.
Der Elektronenstrahl wurde auf die Tiegelmitte
fokussiert. Der Durchmesser seines Brennflecks
betrug etwa 7 mm. Der Elektronenstrahl wurde
mit einer Automatik mit einer Frequenz von 30 Hz
gewobbelt. Danach wurde Argon, und zwar 40 Standard-cm³/min,
eingelassen. Danach wurde der Schweißtransformator
zugeschaltet und sein Strom auf 110 A hochgeregelt.
Die Betriebsspannung betrug 10 V. Über der Schmelze
bildete sich wieder ein lichtstarkes Plasma, das der
Wobbelbewegung folgte. Es wurde Stickstoff zugelassen,
und zwar 420 Standard-cm³/min. Die Substrate wurden auf
eine Gleichspannung von -20 V gelegt. Nach einer
Stunde wurden die Strom- und Gasversorgungen abgeschaltet
und die Anlage geöffnet. Auf den Probescheiben
waren 8 µm stöchiometrisches goldfarbenes
Titannitrid abgeschieden. Die Härte der Schicht betrug
2300 HV. Sie wies einen ausgezeichneten Widerstand
gegenüber Erosion auf. Die Prozeßtemperatur
hatte 220°C nicht überschritten.
Eine kubische Bedampfungsanlage
wurde wie folgt ausgerüstet: In ihrem Boden, dezentriert,
war ein wassergekühlter Tiegel eingebaut.
Neben dem Tiegel im Boden war eine Elektronenstrahlkanone
mit axialem Magnetfeld angebracht, deren Kathodenraum
differentiell abgepumpt wurde. Der Abstand
vom Austritt des Elektronenstrahls zum Kathodenmittelpunkt
betrug 160 mm. Die Elektronenstrahlkanone
hatte eine maximale Leistung von 8 kW. Der Tiegel
war aus Kupfer gefertigt, wassergekühlt und hatte
einen Durchmesser von 80 mm. Er war elektrisch sowohl
vom Kammerboden als auch von der Masse der Kanone
isoliert. Mit einem Elektromotor konnte er in
Rotation versetzt werden. Der Tiegel wurde mit einem
Kabel, das isoliert in die Anlage eingeführt worden
war, an den negativen Pol eines Gleichspannungsspeisegerätes
von der Art eines Schweißtransformators
(max. 250 A) mit Kupferkabeln von 10 mm angeschlossen.
Der positive Pol des Speisegerätes wurde mit
einer getrennten, elektrisch isolierten und wassergekühlten
Durchführung an eine wassergekühlte Hilfsanode
angeschlossen. Diese war rechteckig, 250×
100 mm, und stand wimpelartig in einem Abstand von
60 mm vom Tiegel. Gegenüber vom Boden befand sich eine
Kalotte mit Glasscheiben. Der Tiegel wurde mit
60 g Silicium chargiert und die Anlage geschlossen
und abgepumpt. Danach wurde in die Kammer Sauerstoff
eingelassen, dessen Fluß so geregelt war, daß der
Druck in der Anlage 0,09 Pa nicht überstieg. Danach
wurde die Elektronenstrahlkanone eingeschaltet und
ihre Leistung auf 600 W hochgefahren. Etwa gleichzeitig
wurde der Tiegel in Rotation versetzt und der
Schweißtransformator zugeschaltet. Dessen Strom
wurde auf 140 A hochgeregelt. Nach 30 Minuten
wurde die Stromversorgung abgeschaltet. Beim Öffnen
der Anlage hat sich auf den Glasscheiben eine transparente
Siliciumoxidschicht niedergeschlagen.
Wie in Fig. 2 als Prinzipskizze dargestellt, wurde
in einer kubischen Anlage, 200 mm vom Anlagenzentrum
entfernt, ein wassergekühlter, kreisförmiger
Kathodenhalter 101 so montiert (Durchmesser
120 mm, Dicke 10 mm), daß der Winkel zwischen der
Oberflächennormalen und der Anlagenachse 70°C betrug.
Auf diesen Kathodenhalter wurde ein 3 mm dickes, rundes
Titantarget 102 (Durchmesser 48 mm), das auf einen
runden (60 mm Durchmesser), 12 mm dicken Kupferblock
aufgelötet war, derart aufgeschraubt, daß
zwischen Titantarget und Kathodenhalter ein guter
elektrischer Kontakt hergestellt werden konnte. Im
Abstand von 35 mm von der Kathode wurde eine isoliert
durch den Anlagenboden 106 durchgeführte, wassergekühlte
108 ringförmige (Innendurchmesser 70 mm) Anode
103 mit kreisförmigem Querschnitt (Durchmesser 12 mm)
parallel zur Kathode montiert. Die Kathode war geerdet
und mit dem negativen Pol 110 eines Schweißtransformators
(max. 250 A) verbunden, die Anode 103
wurde mit dem positiven Pol 111 dieser Stromquelle
verbunden. Der Laserstrahl 113 eines gepulsten
Nd : YAG Lasers (500 W) wurde durch ein Fenster 114
(Durchmesser 40 mm), das beidseitig mit einer Antireflexschicht
beschichtet war, in die Anlage geführt
und durch die Anode hindurch auf die Kathodenoberfläche
fokussiert. Der Abstand zwischen dem Fenster
und der Kathode betrug 280 mm. Der Laserstrahl wurde
außerhalb der Anlage mittels eines rotierenden dielektrischen
Spiegels, dessen Oberfläche einen Winkel
von 0,5° mit der Rotationsachse bildete, um 90° umgelenkt.
Durch diese Rotation konnte der Brennfleck
(Durchmesser 0,7 mm) des Laserstrahls auf dem Titantarget
rotiert werden. Die Rotationsgeschwindigkeit
war einstellbar zwischen 0 und 6000 U/min. Die Fokussierung
wurde mittels einer bikonvexen, beidseitig
antireflexbeschichteten Linse mit einer Brennweite
von 500 mm vor dem rotierenden Spiegel bewerkstelligt.
Nach Erreichen von 2×10-3 Pa wurde durch Einschalten
des Speisegerätes eine Spannung von 100 V zwischen
Kathode und Anode gelegt. Der Funke wurde darauf
mittels eines Laserpulses von 6 Millisekunden Dauer
und einer Energie von 30,5 Joule gezündet. Danach
lief der ungeführte Funke bei ca. 20 V und 90 A. Es
wurde festgestellt, daß die Zündbedingung (Schwellenergie
des Laserpulses) stark von der Oberflächenbeschaffenheit
des Targets (Reflexionsvermögen) und
von der Rotationsgeschwindigkeit des Laserstrahls
abhängt.
Das Zeitintervall zwischen Pulsen kann so gewählt
werden, daß die Bodenentladung kontinuierlich
brennt. Dies erlaubt ein Führen des Funkens auf der
Kathodenfläche. Anstelle des Spiegels können auch
andere optische Elemente, wie Hohlspiegel oder Gitter,
verwendet werden. Anstelle des Nd : YAG Lasers
können auch Gas oder Halbleiterlaser verwendet werden.
In einer kubischen Anlage wurde, 200 mm vom
Anlagenzentrum entfernt, ein wassergekühlter, kreisförmiger
Kathodenhalter so montiert (Durchmesser
120 mm, Dicke 10 mm), daß der Winkel zwischen der
Oberflächennormalen und der Anlagenachse 70° betrug.
Auf diesen Kathodenhalter wurde ein 5 mm dickes,
rechteckiges Zinntarget, das auf
eine Kupferplatte der Dicke 5 mm aufgelötet war, derart
aufgeschraubt, daß zwischen Zinntarget und Kathodenhalter
ein guter elektrischer Kontakt hergestellt
werden konnte. Im Abstand von 35 mm von der
Kathode wurde eine isoliert durch den Anlagenboden
durchgeführte wassergekühlte, ringförmige (Innendurchmesser
70 mm) Anode mit kreisförmigem Querschnitt
(Durchmesser 12 mm) parallel zur Kathode montiert.
Die Kathode (und somit das Zinntarget) war geerdet
und mit dem negativen Pol eines Schweißtransformators
(max. 250 A) verbunden. Die Anode wurde mit dem
positiven Pol dieser Stromquelle verbunden. Der Laserstrahl
eines gepulsten Nd : YAG Lasers (500 W) wurde
durch ein Fenster (Durchmesser 40 mm), das beidseitig
mit einer Antireflexschicht beschichtet war,
in die Anlage geführt und durch die Anode hindurch
auf die Kathodenoberfläche fokussiert. Der Abstand
zwischen dem Fenster und der Kathode betrug 280 mm.
Die Fokussierung des Laserstrahls erfolgte mittels
einer beidseitig mit einer Antireflexschicht versehenen
Linse (Brennweite 500 mm), die starr mit dem
Laser verbunden war. Die Bewegung des fokussierten
Laserstrahls innerhalb einer Fläche von 50 mm Durchmesser
auf dem Target wurde bewerkstelligt, indem
der Laser außerhalb der Anlage auf einem massiven
Tisch, der in zwei voneinander unabhängigen Richtungen
bewegt werden konnte, montiert wurde.
Nach Erreichen von 2×10-3 Pa wurde Argon in die Vakuumkammer
eingelassen, bis ein Druck von 2×10-1 Pa
erreicht wurde. Durch Einschalten des Speisegerätes
wurde eine Spannung von 100 V zwischen Kathode und
Anode gelegt. Der Funke konnte mittels eines Laserpulses
von 6 Millisekunden Dauer und einer Energie
von 2 J gezündet werden und lief auf dem Zinntarget.
Danach lief der Funke bei ca. 20 V und 90 A. Es wurde
festgestellt, daß die Zündbedingung (Schwellenergie
des Laserpulses) stark von der Oberflächenbeschaffenheit
des Targets (Reflexionsvermögen) und
von der Rotationsgeschwindigkeit des
Laserstrahls abhängt.
In einer kubischen Anlage wurde, 200 mm vom
Anlagenzentrum entfernt, ein wassergekühlter, kreisförmiger
Kathodenhalter so montiert (Durchmesser
120 mm, Dicke 10 mm), daß der Winkel zwischen der
Oberflächennormalen und der Anlagenachse 70° betrug.
Auf diesen Kathodenhalter wurde ein 5 mm dickes, rundes
Wolframtarget (Durchmesser 30 mm) aufgeklemmt, so
daß zwischen Wolframtarget und Kathodenhalter ein
guter elektrischer Kontakt hergestellt werden konnte.
Im Abstand von 35 mm von der Kathode wurde eine
isoliert durch den Anlagenboden durchgeführte, wassergekühlte,
ringförmige (Innendurchmesser 70 mm)
Anode mit kreisförmigem Querschnitt (Durchmesser
12 mm) parallel zur Kathode montiert.
Die Kathode war geerdet und mit dem negativen Pol
eines Schweißtransformators (max. 250 A) verbunden.
Die Anode wurde mit dem positiven Pol dieser Stromquelle
verbunden. Der Laserstrahl eines gepulsten
Nd : YAG Lasers (500 W) wurde durch ein Fenster
(Durchmesser 40 mm), das beidseitig mit einer Antireflexschicht
beschichtet war, in die Anlage geführt
und durch die Anode hindurch auf die Kathodenoberfläche
fokussiert. Der Abstand zwischen dem Fenster
und der Kathode betrug 280 mm. Die Fokussierung des
Laserstrahls (Durchmesser des Laserstrahles auf dem
Target: 0,65 mm) erfolgte durch eine außerhalb der
Anlage montierte, beidseitig antireflexbeschichtete
Bikonvexlinse (Brennweite 500 mm), die so bewegt werden
konnte, daß der Brennpunkt des Laserstrahles
beliebig auf dem W-Target bewegt werden konnte. Die
Steuerung der Bewegung erfolgte computergesteuert.
Nach Erreichen von 2×10-3 Pa wurde durch Einschalten
des Speisegerätes eine Spannung von 100 V zwischen
Kathode und Anode gelegt. Der Funke wurde darauf
mittels eines treppenförmigen Laserpulses (siehe
Skizze) von 3 Millisekunden totaler Dauer und einer
Energie von 7,5 J gezündet. Der Funke wurde mittels
eines Speicherkathodenstrahloszilloskopes aufgezeichnet.
Durch ein ähnliches Vorgehen wie im Beispiel 4 oder
5 konnte der Funke kontinuierlich geführt werden.
Claims (12)
1. Vorrichtung zum Verdampfen von Material in Vakuum mittels
eines Lichtbogens mit einem Target, das mindestens an
einem Teil seiner Oberfläche ein zu verdampfendes Material
aufweist, wobei die Bogenentladung in einem Bereich betrieben
wird, wo ein wesentlicher Teil des Bogenstroms meistens
durch kleine Flecken auf der Targetoberfläche fließt und
das Target als Kathode des Funkens oder Lichtbogens geschaltet
ist, dadurch gekennzeichnet, daß
die Vorrichtung zusätzlich eine Elektronenstrahlkanone (5)
oder einen Laser für das Erzeugen einer lokalen Dampfwolke
auf der Targetoberfläche und Mittel zum Führen des Elektronenstrahls
oder des Laserstrahls über die Targetoberfläche
aufweist, um damit den Lichtbogenfußpunkt zu stabilisieren
und zu führen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Objektlinse des Lasers beweglich
angeordnet ist, derart, daß der Laserstrahl auf der Targetoberfläche
führbar ist.
3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß ein bewegbarer Spiegel
angeordnet ist, um zu ermöglichen, daß der Brennfleck des
Lasers wandert, derart, daß der Laserstrahl auf der
Targetoberfläche führbar ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Target bewegbar angeordnet
ist.
5. Verfahren zum Verdampfen von Material in Vakuum mittels
eines Lichtbogens an einem als Kathode geschalteten Target,
das mindestens an einem Teil seiner Oberfläche ein zu verdampfendes
Material aufweist, wobei die Bogenentladung in
einem Bereich betrieben wird, wo ein wesentlicher Teil des
Bogenstroms meistens durch kleine Flecken auf der Targetoberfläche
fließt, dadurch gekennzeichnet,
daß man mittels eines Elektronenstrahls oder eines
Lasers auf der Targetoberfläche eine lokale Dampfwolke erzeugt,
derart, daß man den Fußpunkt des Lichtbogens oder
des Funkens in dieser Dampfwolke stabilisiert und mit dieser
führt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß man unterhalb der Dampfwolke auf der
Targetoberfläche eine Pfütze erzeugt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch
gekennzeichnet, daß man den Elektronenstrahl
oder den Laserstrahl auf der Targetoberfläche führt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß im zeitlichen Mittel die
Betriebsleistung der Bogenentladung die Betriebsleistung
der Elektronenstrahlkanone oder des Lasers übersteigt bzw.
daß das Verdampfen des Materials mehrheitlich mittels des
Lichtbogens der Bogenentladung erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß man die Energiedichte des
Elektronenstrahls oder des Laserstrahls derart regelt, daß
ein Entladungsstrom von mehr als 30 Ampere bei einer Entladungsspannung
von lediglich 10 bis 15 Volt ermöglicht wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß man im über dem Target
liegenden Verdampfungsraum eine verdünnte Atmosphäre aus
Edelgas, Sauerstoff, Stickstoff, einer gasförmigen
Kohlenstoffverbindung, einer metallorganischen gasförmigen
oder einer borhaltigen gasförmigen Verbindung
aufrechterhält.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Targetoberfläche aus
einem leichtschmelzenden Material besteht und man den Elektronenstrahl
oder den Laserstrahl so stark defokussiert,
daß die Pfütze um den Lichtbogenfußpunkt der Bogenentladung
ständig einen Trichter bildet, in dessen Grund immer flüssiges
Targetmaterial nachrinnt, wodurch der Lichtbogen ohne
Führung stabilisiert wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die Bewegung des Elektronenstrahls
bzw. Laserbrennpunktes so rasch erfolgt, daß man
damit die Eigenbewegung des Bogenentladungsfußpunktes unterdrückt.
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19904006456 DE4006456C1 (en) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | Appts. for vaporising material in vacuum - has electron beam gun or laser guided by electromagnet to form cloud or pre-melted spot on the target surface |
| DE59108387T DE59108387D1 (de) | 1990-03-01 | 1991-02-22 | Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen von Material im Vakuum sowie Anwendung des Verfahrens |
| AT91102573T ATE146010T1 (de) | 1990-03-01 | 1991-02-22 | Vorrichtung und verfahren zum verdampfen von material im vakuum sowie anwendung des verfahrens |
| EP91102573A EP0444538B2 (de) | 1990-03-01 | 1991-02-22 | Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen von Material im Vakuum sowie Anwendung des Verfahrens |
| ES91102573T ES2095880T3 (es) | 1990-03-01 | 1991-02-22 | Dispositivo y procedimiento para la vaporizacion de material en vacio, asi como aplicacion del procedimiento. |
| KR1019910003358A KR910016959A (ko) | 1990-03-01 | 1991-02-28 | 진공내에서 재료를 증발시키는 장치 및 방법 |
| JP3036229A JPH0641727A (ja) | 1990-03-01 | 1991-03-01 | 物質の真空蒸発方法および装置、プラズマアーク点火方法、およびこれらの方法の応用 |
| US07/935,639 US5238546A (en) | 1990-03-01 | 1992-08-25 | Method and apparatus for vaporizing materials by plasma arc discharge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19904006456 DE4006456C1 (en) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | Appts. for vaporising material in vacuum - has electron beam gun or laser guided by electromagnet to form cloud or pre-melted spot on the target surface |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4006456C1 true DE4006456C1 (en) | 1991-05-29 |
Family
ID=6401214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19904006456 Expired - Lifetime DE4006456C1 (en) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | Appts. for vaporising material in vacuum - has electron beam gun or laser guided by electromagnet to form cloud or pre-melted spot on the target surface |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE4006456C1 (de) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4336680A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Elektronenstrahlverdampfen |
| DE19724996C1 (de) * | 1997-06-13 | 1998-09-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE19924094A1 (de) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Vakuumbogenverdampfer |
| CN101831611B (zh) * | 2009-03-09 | 2012-04-11 | 财团法人工业技术研究院 | 真空镀膜装置及镀膜方法 |
| RU2457277C1 (ru) * | 2011-03-09 | 2012-07-27 | Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации | Вакуумно-плазменная установка для нанесения многофункциональных покрытий |
| WO2012100847A1 (de) | 2011-01-27 | 2012-08-02 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere kolbenring, mit einer beschichtung sowie verfahren zur herstellung eines gleitelements |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3625848A (en) * | 1968-12-26 | 1971-12-07 | Alvin A Snaper | Arc deposition process and apparatus |
| DE2136532A1 (de) * | 1971-07-19 | 1973-02-08 | Sablew | Anlage zur auftragung von metallueberzuegen im vakuum |
| FR2524254A1 (fr) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Luquet Marcel | Perfectionnements apportes aux outils de coupe portatifs et notamment les elagueuses |
| DE3345493A1 (de) * | 1983-05-09 | 1984-11-15 | Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col. | Vorrichtung zum stabilisieren eines verdampfungslichtbogens |
| DE3234100C2 (de) * | 1982-09-17 | 1985-04-11 | Gennadij Vasil'evič Ključko | Plasmalichtbogeneinrichtung zum Auftragen von Überzügen |
| DE3206882C2 (de) * | 1981-03-13 | 1985-04-11 | Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden | Verfahren und Vorrichtung zum Verdampfen von Material unter Vakuum |
| US4556471A (en) * | 1983-10-14 | 1985-12-03 | Multi-Arc Vacuum Systems Inc. | Physical vapor deposition apparatus |
| DE3345442C2 (de) * | 1983-12-07 | 1986-01-02 | Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col. | Vorrichtung zum Stabilisieren eines Verdampfungslichtbogens |
| DE3528677A1 (de) * | 1984-08-13 | 1986-02-20 | Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col. | Vorrichtung und verfahren zur lichtbogenverdampfung |
| CH657242A5 (de) * | 1982-03-22 | 1986-08-15 | Axenov Ivan I | Lichtbogen-plasmaquelle und lichtbogenanlage mit einer solchen lichtbogen-plasmaquelle zur plasmabehandlung der oberflaeche von werkstuecken. |
| DE3152131C2 (de) * | 1980-06-25 | 1986-09-04 | Ivan Ivanovič Char'kov Aksenov | Vakuum-Lichtbogen-Plasmaanlage |
| US4620913A (en) * | 1985-11-15 | 1986-11-04 | Multi-Arc Vacuum Systems, Inc. | Electric arc vapor deposition method and apparatus |
| US4673477A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
| DE3731127A1 (de) * | 1987-03-12 | 1988-09-22 | Vac Tec Syst | Verfahren und vorrichtung zur vakuum-lichtbogenplasma-ablagerung dekorativer und abnutzungsfester beschichtungen |
| EP0284145A1 (de) * | 1987-03-16 | 1988-09-28 | Hauzer Holding B.V. | Verdampfungseinrichtung mittels Kathodenbogenentladung |
| DD275883A1 (de) * | 1988-09-29 | 1990-02-07 | Hochvakuum Dresden Veb | Verfahren zur homogenen schichtabscheidung mittels bogenentladung |
-
1990
- 1990-03-01 DE DE19904006456 patent/DE4006456C1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3625848A (en) * | 1968-12-26 | 1971-12-07 | Alvin A Snaper | Arc deposition process and apparatus |
| DE2136532A1 (de) * | 1971-07-19 | 1973-02-08 | Sablew | Anlage zur auftragung von metallueberzuegen im vakuum |
| DE3152131C2 (de) * | 1980-06-25 | 1986-09-04 | Ivan Ivanovič Char'kov Aksenov | Vakuum-Lichtbogen-Plasmaanlage |
| DE3206882C2 (de) * | 1981-03-13 | 1985-04-11 | Balzers Hochvakuum Gmbh, 6200 Wiesbaden | Verfahren und Vorrichtung zum Verdampfen von Material unter Vakuum |
| CH657242A5 (de) * | 1982-03-22 | 1986-08-15 | Axenov Ivan I | Lichtbogen-plasmaquelle und lichtbogenanlage mit einer solchen lichtbogen-plasmaquelle zur plasmabehandlung der oberflaeche von werkstuecken. |
| FR2524254A1 (fr) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Luquet Marcel | Perfectionnements apportes aux outils de coupe portatifs et notamment les elagueuses |
| DE3234100C2 (de) * | 1982-09-17 | 1985-04-11 | Gennadij Vasil'evič Ključko | Plasmalichtbogeneinrichtung zum Auftragen von Überzügen |
| DE3345493A1 (de) * | 1983-05-09 | 1984-11-15 | Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col. | Vorrichtung zum stabilisieren eines verdampfungslichtbogens |
| US4556471A (en) * | 1983-10-14 | 1985-12-03 | Multi-Arc Vacuum Systems Inc. | Physical vapor deposition apparatus |
| DE3345442C2 (de) * | 1983-12-07 | 1986-01-02 | Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col. | Vorrichtung zum Stabilisieren eines Verdampfungslichtbogens |
| US4673477A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
| US4673477B1 (de) * | 1984-03-02 | 1993-01-12 | Univ Minnesota | |
| DE3528677A1 (de) * | 1984-08-13 | 1986-02-20 | Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col. | Vorrichtung und verfahren zur lichtbogenverdampfung |
| US4620913A (en) * | 1985-11-15 | 1986-11-04 | Multi-Arc Vacuum Systems, Inc. | Electric arc vapor deposition method and apparatus |
| DE3731127A1 (de) * | 1987-03-12 | 1988-09-22 | Vac Tec Syst | Verfahren und vorrichtung zur vakuum-lichtbogenplasma-ablagerung dekorativer und abnutzungsfester beschichtungen |
| EP0284145A1 (de) * | 1987-03-16 | 1988-09-28 | Hauzer Holding B.V. | Verdampfungseinrichtung mittels Kathodenbogenentladung |
| DD275883A1 (de) * | 1988-09-29 | 1990-02-07 | Hochvakuum Dresden Veb | Verfahren zur homogenen schichtabscheidung mittels bogenentladung |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4336680A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum Elektronenstrahlverdampfen |
| DE4336680C2 (de) * | 1993-10-27 | 1998-05-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Elektronenstrahlverdampfen |
| DE19724996C1 (de) * | 1997-06-13 | 1998-09-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE19924094A1 (de) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Vakuumbogenverdampfer |
| DE19924094C2 (de) * | 1999-05-21 | 2003-04-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Vakuumbogenverdampfer und Verfahren zu seinem Betrieb |
| CN101831611B (zh) * | 2009-03-09 | 2012-04-11 | 财团法人工业技术研究院 | 真空镀膜装置及镀膜方法 |
| WO2012100847A1 (de) | 2011-01-27 | 2012-08-02 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere kolbenring, mit einer beschichtung sowie verfahren zur herstellung eines gleitelements |
| DE102011003254A1 (de) | 2011-01-27 | 2012-08-02 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer Beschichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines Gleitelements |
| US9086148B2 (en) | 2011-01-27 | 2015-07-21 | Federal-Mogul Burscheid Gmbh | Sliding element, in particular piston ring, having a coating and process for producing a sliding element |
| EP3091100A1 (de) | 2011-01-27 | 2016-11-09 | Federal-Mogul Burscheid GmbH | Gleitelement, insbesondere kolbenring, mit einer beschichtung sowie verfahren zur herstellung eines gleitelements |
| RU2457277C1 (ru) * | 2011-03-09 | 2012-07-27 | Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации | Вакуумно-плазменная установка для нанесения многофункциональных покрытий |
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