DE4202454C1 - - Google Patents

Info

Publication number
DE4202454C1
DE4202454C1 DE4202454A DE4202454A DE4202454C1 DE 4202454 C1 DE4202454 C1 DE 4202454C1 DE 4202454 A DE4202454 A DE 4202454A DE 4202454 A DE4202454 A DE 4202454A DE 4202454 C1 DE4202454 C1 DE 4202454C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
holes
electrolyte
etching
plate
substrate wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4202454A
Other languages
English (en)
Inventor
Volker Dr. 8000 Muenchen De Lehmann
Hans Dr. 8022 Gruenwald De Reisinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE4202454A priority Critical patent/DE4202454C1/de
Priority to DE59202728T priority patent/DE59202728D1/de
Priority to EP92121412A priority patent/EP0553465B1/de
Priority to US08/006,939 priority patent/US5262021A/en
Priority to JP03119893A priority patent/JP3190759B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of DE4202454C1 publication Critical patent/DE4202454C1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/12—Etching of semiconducting materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/204—Filters in which spectral selection is performed by means of a conductive grid or array, e.g. frequency selective surfaces
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/61—Electrolytic etching
    • H10P50/613—Electrolytic etching of Group IV materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

Für viele technische Anwendungen werden perforierte Werkstücke, insbesondere als preiswerte optische oder mechanische Filter mit Porendurchmessern im µm und Sub-µm-Bereich benötigt. Solche Anwendungen sind z. B. isoporöse Membranen, rück­ spülbare Filter, Laminisatoren, Katalysatorträger, Elektroden für Batterien und Brennstoffzellen, Düsenplatten, Röhrengitter oder Filter für elektromagnetische Wellen wie z. B. Licht oder Mikrowellen.
Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung solcher Filter ist die sogenannte LIGA-Technik (LIGA: Lithographie, Galvanik, Abformung). In der LIGA-Technik, die z. B. aus E.W. Becker et al, Microelectronic Engeneering, Bd. 4 (1986) S. 35 ff. be­ kannt ist, wird eine dicke Fotolackschicht mit Hilfe von Synchrotronstrahlung strukturiert. Anschließend werden die Strukturen durch Galvanoformung und Abformtechnik mit Kunst­ stoffen in das Filter übertragen. Mit der LIGA-Technik sind minimale Strukturbreiten von 2 µm erzielbar. In der Dimension parallel zur Durchgangsrichtung durch das Filter ist keinerlei Strukturierung möglich. Die erforderliche Anwendung von Synchrotronstrahlung macht dieses Verfahren sehr teuer.
Der Erfindung liegt daher das Problem zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines perforierten Werkstückes anzugeben, mit dem Porendurchmesser in µm und Sub-µm-Bereich erzielt werden und das einfach durchführbar ist.
Dieses Problem wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren nach Anspruch 1. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den übrigen Ansprüchen hervor.
Da die Substratscheibe bei der elektrochemischen Ätzung als Anode geschaltet ist, bewegen sich Minoritatsladungsträger in dem n-dotierten Silizium zu der mit dem Elektrolyten in Kontakt stehenden ersten Oberfläche. An dieser Oberfläche bildet sich eine Raumladungszone aus. Da die Feldstärke im Bereich von Vertiefungen in der Oberfläche größer ist als außerhalb davon, bewegen sich die Minoritätsladungsträger bevorzugt zu diesen Punkten. Dadurch kommt es zu einer Strukturierung der Oberfläche. Je tiefer eine anfänglich kleine Unebenheit durch die Ätzung wird, desto mehr Minoritäts­ träger bewegen sich wegen der vergrößerten Feldstärke dorthin und desto stärker ist der Ätzangriff an dieser Stelle. Die Löcher wachsen im Substrat in der kristallographischen (100)- Richtung. Es ist daher vorteilhaft, ein Substrat mit (100)- Orientierung zu verwenden.
Die elektrochemische Ätzung von n-dotiertem Silizium zur Her­ stellung von Löchern oder Gräben ist z. B. aus EP 02 96 348 A1 bekannt, in der Gräben insbesondere für ORAM-Zellen auf diese Weise hergestellt werden. Deren Einsatz zum Ablösen von Plättchen von einem Substrat wird dort jedoch nicht in Be­ tracht gezogen.
Der Ätzangriff ist abhängig von der Stromdichte in der Substratscheibe und von der Fluoridkonzentration im Elektro­ lyten. Durch Erhöhung der Stromdichte im Elektrolyten oder durch Verminderung der Fluoridkonzentration im Elektrolyten wird der Ätzangriff vergrößert. Diese Tatsache wird in dem erfindungsgemäßen Verfahren ausgenutzt, um bei Erreichen einer Tiefe der Löcher, die im wesentlichen der Dicke des fertigen Werkstücks entspricht, den Ätzabtrag so zu vergrößern, daß der Querschnitt der Löcher wächst. Da, wie oben ausgeführt, der Ätzangriff nur im unteren Bereich der Löcher stattfindet, bleibt der Querschnitt der Löcher im oberen Bereich, d. h. in der Nähe der ersten Oberfläche, dabei unverändert. Im unteren Bereich jedoch wachsen die Löcher. Die elektrochemische Ätzung wird solange fortgesetzt, bis benachbarte Löcher zusammen­ wachsen und dadurch die strukturierte Schicht als Plättchen abgelöst wird. Das Plättchen besteht aus zusammenhängendem Silizium, das die Löcher als Poren enthält. Dieses Plättchen ist als perforiertes Werkstück, z. B. als mechanischer oder optischer Filter verwendbar.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich Lochdurch­ messer zwischen 20 µm und 50 nm gut herstellen.
Das Plättchen kann z. B. durch Diffusion oder Implantation mit einer anderen Dotierung versehen werden, als es die Substrat­ scheibe ist. Auf diese Weise kann die Leitfähigkeit des perforierten Werkstücks eingestellt werden.
Durch Aufbringen von einer isolierenden Schicht an den Ober­ flächen des Plättchens kann die Oberflächenbeschaffenheit des perforierten Werkstückes beeinflußt werden. Dadurch wird das Werkstück isolierend. Durch Erzeugung eines thermischen Siliziumoxids oder Siliziumnitrid an der Oberfläche des Plättchens, wird dessen Oberfläche passiviert, widerstands­ fähig gegen äußere Einflüsse und chemisch inert.
Die Stromdichte in der Substratscheibe ist durch Beleuchtung einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche der Substratscheibe besonders einfach zu beeinflussen. In diesem Fall wird das Ablösen des Plättchens durch Vergrößerung der Beleuchtung erzielt. In diesem Fall ist es weiterhin möglich, den Querschnitt der Löcher senkrecht zur ersten Oberfläche durch eine Änderung der Beleuchtung zu ändern. Durch kontinuierliche Änderung der Beleuchtung werden z. B. konische Löcher hergestellt.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, vor der Bildung der Löcher, die erste Oberfläche der Substratscheibe mit einer Oberflächen­ topologie zu versehen. Auf diese Weise wird die erste Ober­ fläche gezielt mit Vertiefungen versehen, an denen der Ätzan­ griff beim elektrochemischen Ätzen beginnt. Dadurch wird die Anordnung der Löcher bestimmt.
Wird die erste Oberfläche mit einer Oberflächentopologie aus regelmäßig angeordneten Vertiefungen versehen, zeigt das Plättchen eine im wesentlichen konstante Dicke. In diesem Fall ist nämlich der Abstand der Löcher im wesentlichen gleich, so daß die Materialmenge zwischen benachbarten Löchern, die durch Vergrößerung des Ätzangriffs zum Ablösen des Plättchens abge­ ätzt werden muß, im wesentlichen gleich ist. Dann wachsen im wesentlichen alle Löcher gleichzeitig zusammen.
Darüber hinaus zeigt das fertige Plättchen in diesem Fall Strukturbreiten, d. h. Breiten der Löcher bzw. der dazwischen verbleibenden Stege, die innerhalb enger Grenzen konstant sind. Es wird eine Konstanthaltung der Strukturbreiten inner­ halb von 10% beobachtet.
In dem erfindungsgemäßen Verfahren werden, wenn die erste Oberfläche des Substrats vor der Bildung der Löcher mit einer Oberflächentopologie aus regelmäßig angeordneten Vertiefungen versehen wird, minimale Strukturbreiten bis 0,1 µm erzielt. Die Oberflächentopologie wird dabei z. B. nach Herstellung einer Fotolackmaske auf der ersten Oberfläche und an­ schließender alkalischer Ätzung der ersten Oberfläche erzeugt. Zur Herstellung der Fotolackmaske wird dabei konventionelle optische Fotolithographie verwendet.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, die Oberflächentopologie durch lichtinduzierte elektrochemische Ätzung in demselben Elektrolyten, in dem anschließend die Löcher geätzt werden, herzustellen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren und eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt aus einer Siliziumscheibe, die mit einer Oberflächentopologie versehen ist.
Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt aus der Siliziumscheibe, in die durch elektrochemische Ätzung Löcher konstanten Quer­ schnitts geätzt wurden.
Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt aus der Siliziumscheibe, in die durch elektrochemische Ätzung Löcher geätzt worden sind, deren Querschnitt durch Veränderung der Ätzparameter vergrößert wurde.
Fig. 4 zeigt eine Substratscheibe, von der ein perforiertes Plättchen abgelöst wurde.
Fig. 5 zeigt eine Draufsicht auf das perforierte Plättchen.
Eine Substratscheibe 1 aus n-dotiertem, einkristallinem Silizum mit einer elektrischen Leitfähigkeit von z. B. 5 Ohm cm ist an einer ersten Oberfläche 2 mit einer Oberflächentopo­ logie versehen (s. Fig. 1). Die Oberflächentopologie umfaßt in regelmäßigen Abständen angeordnete Vertiefungen 3.
Die Vertiefungen 3 werden z. B. nach Herstellung einer Foto­ lackmaske mit Hilfe konventioneller Fotolithographie und an­ schließender alkalischer Ätzung hergestellt. Alternativ kann die Oberflächentopologie durch lichtinduzierte, elektro­ chemische Ätzung gebildet werden.
Die erste Oberfläche 2 der Substratscheibe 1 wird mit einem fluoridhaltigen, sauren Elektrolyten in Kontakt gebracht. Der Elektrolyt weist eine Flußsäurekonzentration von 1 bis 50%, vorzugsweise 3% auf. Dem Elektrolyten kann ein Oxidations­ mittel, z. B. Wasserstoffsuperoxid, zugesetzt werden, um die Entwicklung von Wasserstoffbläschen auf der ersten Oberfläche 2 der Substratscheibe 1 zu unterdrücken.
Die Substratscheibe 1 wird als Anode verschaltet. Zwischen der Substratscheibe 1 und den Elektrolyten wird eine Spannung von 0-20 V, vorzugsweise 3 Volt angelegt. Die Substratscheibe 1 wird von der Rückseite her mit Licht beleuchtet, so daß eine Stromdichte von z. B. 10 mA/cm2 eingestellt wird. Ausgehend von den Vertiefungen 3 (s. Fig. 1) werden bei der elektro­ chemischen Ätzung Löcher 4 erzeugt, die senkrecht zur ersten Oberfläche 2 verlaufen (s. Fig. 2). Dabei wird eine strukturierte Schicht 7 an der ersten Oberfläche 2 gebildet.
Nach etwa 60 Minuten Ätzzeit wird die anodische Stromdichte auf z. B. 30 mA/cm2 erhöht. Dabei wird die Spannung zwischen Elektrolyt und Substratscheibe 1 auf 2 Volt reduziert. Die Stromdichte wird weiterhin durch Beleuchtung der Rückseite der Substratscheibe 1 eingestellt.
Durch die geänderten Parameter bei der elektrochemischen Ätzung vergrößern sich die Querschnitte der Löcher 4 im unteren Bereich bei der weiteren Ätzung. Es bilden sich am Boden jedes Loches 4 höhlenförmige Erweiterungen 5 aus. Der Querschnitt der höhlenförmigen Erweiterungen 5 wächst, bis das jeweils benachbarte höhlenförmige Erweiterungen 5 trennende Silizium weggeätzt ist (s. Fig. 4). Dieses ist mit den ange­ gebenen Prozeßparametern nach ungefähr 10 Minuten der Fall.
Es bildet sich ein Plättchen 6, das aus freitragendem Silizium mit den Löchern 4 besteht. Mit den angegebenen Prozeßpara­ metern wird eine Dicke des Plättchens von 30 µm erzielt. Diese Dicke liegt weit unter den durch konventionelles Sägen erziel­ baren Dicken von Siliziumscheiben.
Fig. 5 zeigt eine Aufsicht auf das Plättchen 6. Die das Plättchen bildende, freitragende strukturierte Schicht 7 zeigt eine gleichmäßige Verteilung der Löcher 4, die runden oder quadratischen Querschnitt haben. Die Löcher 4 haben einen Durchmesser von z. B. 2 µm und sind in einem Abstand von z. B. 1,5 µm angeordnet. Zur ersten Oberfläche 2 hin weiten sich die Löcher 4 auf. Das ist eine Folge der Oberflächentopologie, die an der ersten Oberfläche der Substratscheibe erzeugt wurde. Diese Aufweitungen 8 im oberen Bereich der Löcher haben den Vorteil, daß das Plättchen 6 als Filter rückspülbar ist. Durch eine kurzzeitige Umkehr der Strömungsrichtung läßt sich im Betrieb der Filter reinigen.
Zur Veränderung der elektrischen Leitfähigkeit kann das Plättchen 6 anschließend in bekannter Weise mit einer Dotierung versehen werden.
Zur Verbesserung der Oberfläche kann das Plättchen mit einem thermischen Siliziumoxid oder einem thermischen Silizium­ nitrid versehen werden. Dadurch wird die Oberfläche chemisch inert und das Plättchen kann in entsprechenden Umgebungen als Werkstück eingesetzt werden.
Da das Plättchen 6 aus Silizium besteht, kann es, falls es die jeweilige Anwendung erfordert, bei hohen Temperaturen ausge­ glüht oder regeneriert werden.

Claims (15)

1. Verfahren zur Herstellung eines perforierten Werkstückes,
  • - bei dem in einer ersten Oberfläche (2) einer Substrat­ scheibe (1) aus n-dotiertem, einkristallinem Silizium durch elektrochemische Ätzung Löcher (4) senkrecht zur ersten Oberfläche gebildet werden, so daß eine strukturierte Schicht (7) entsteht, wobei die elektrochemische Ätzung in einem Elektrolyten erfolgt, in dem die Substratscheibe als Anode verschaltet ist, in dem die erste Oberfläche (2) mit dem Elektrolyt in Kontakt steht und in dem eine den Ätzab­ trag beeinflussende Stromdichte eingestellt ist,
  • - bei dem bei Erreichen einer Tiefe der Löcher (4), die der Dicke des fertigen Werkstücks entspricht, die Prozeßparameter der Ätzung so geändert werden, daß der Querschnitt der Löcher (4) wächst und daß durch Zusammenwachsen der Löcher die strukturierte Schicht (7) als Plättchen (6), aus dem das Werkstück ge­ bildet wird, abgelöst wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das elektrochemische Ätzen in einem fluoridhaltigen, sauren Elektrolyten erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Substratscheibe eine (100)-Scheibe ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Stromdichte durch Beleuchtung einer der ersten Oberfläche (2) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche der Substratscheibe (1) eingestellt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Elektrolyt 1 bis 50% Flußsäure (HF) enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem der Elektrolyt zusätzlich ein Oxidationsmittel ent­ hält.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem zum Ablösen des Plättchens (6) die Stromdichte erhöht wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem zum Ablösen des Plättchens (6) die Konzentration des Fluorid im Elektrolyten reduziert wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem an der ersten Oberfläche (2) der Substratscheibe (1) vor der Bildung der Löcher (4) eine Oberflächentopologie er­ zeugt wird, die die Anordnung der Löcher bestimmt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Oberflächentopologie aus regelmäßig angeordneten Vertiefungen (3) der ersten Oberfläche (2) besteht.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die Oberflächentopologie durch Herstellung einer Fotolackmaske auf der ersten Oberfläche (2) und anschließende alkalische Ätzung der ersten Oberfläche (2) erzeugt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die Oberflächentopologie durch elektrochemisches Ätzen mit dem Elektrolyten dadurch erzeugt wird, daß auf der ersten Oberfläche (2) unter Verwendung einer Lichtquelle mit einer Wellenlänge kleiner als 1100 nm ein Beleuchtungsmuster erzeugt wird und daß die Stromdichte im Elektrolyten so eingestellt wird, daß nur an belichteten Stellen des Beleuchtungsmusters lokal ein anodischer Minoritätsträgerstrom über die Substrat­ scheibe fließt zur Erzeugung eines Ätzabtrags der ersten Oberfläche (2).
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem durch Dotierung des Plättchens (6) die Leitfähigkeit des Werkstücks eingestellt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem an den Oberflächen des Plättchens (6) mindestens eine isolierende Schicht erzeugt wird.
15. Verfahren zur Herstellung eines mechanischen oder optischen Filters unter Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 14.
DE4202454A 1992-01-29 1992-01-29 Expired - Fee Related DE4202454C1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4202454A DE4202454C1 (de) 1992-01-29 1992-01-29
DE59202728T DE59202728D1 (de) 1992-01-29 1992-12-16 Verfahren zur Herstellung eines perforierten Werkstückes.
EP92121412A EP0553465B1 (de) 1992-01-29 1992-12-16 Verfahren zur Herstellung eines perforierten Werkstückes
US08/006,939 US5262021A (en) 1992-01-29 1993-01-21 Method of manufacturing a perforated workpiece
JP03119893A JP3190759B2 (ja) 1992-01-29 1993-01-27 多孔部品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4202454A DE4202454C1 (de) 1992-01-29 1992-01-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4202454C1 true DE4202454C1 (de) 1993-07-29

Family

ID=6450503

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4202454A Expired - Fee Related DE4202454C1 (de) 1992-01-29 1992-01-29
DE59202728T Expired - Lifetime DE59202728D1 (de) 1992-01-29 1992-12-16 Verfahren zur Herstellung eines perforierten Werkstückes.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE59202728T Expired - Lifetime DE59202728D1 (de) 1992-01-29 1992-12-16 Verfahren zur Herstellung eines perforierten Werkstückes.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5262021A (de)
EP (1) EP0553465B1 (de)
JP (1) JP3190759B2 (de)
DE (2) DE4202454C1 (de)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19820756C1 (de) * 1998-05-08 1999-11-11 Siemens Ag Perforiertes Werkstück und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2000066815A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-09 Nft Nano-Filtertechnik Gmbh Verfahren zur herstellung eines filters
US6328876B1 (en) 1997-07-28 2001-12-11 Nft Nanofiltertechnik Gesellschaft Mit Beschankter Haftung Method for producting a filter
DE10055872A1 (de) * 2000-11-10 2002-06-13 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter
DE10217569A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Vorrichtung auf Basis von partiell oxidiertem porösen Silizium
DE10259366A1 (de) * 2002-12-18 2004-07-08 Siemens Ag Verfahren zur Nachbearbeitung eines Durchgangslochs eines Bauteils
US7135120B2 (en) 2002-06-04 2006-11-14 Lake Shore Cryotronics, Inc. Method of manufacturing a spectral filter for green and shorter wavelengths
US7560018B2 (en) 2004-01-21 2009-07-14 Lake Shore Cryotronics, Inc. Semiconductor electrochemical etching processes employing closed loop control
US7628906B2 (en) 2002-10-16 2009-12-08 Lake Shore Cryotronics, Inc. Method of manufacturing a spectral filter for green and longer wavelengths
DE102009042321A1 (de) 2009-09-21 2011-03-31 Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg Poren aufweisender n-dotierter Siliziumkörper sowie Verfahren zu seiner Herstellung

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0630058A3 (de) * 1993-05-19 1995-03-15 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Pyrodetektoranordnung durch elektronisches Ätzen eines Silizium Substrats.
EP0645621A3 (de) * 1993-09-28 1995-11-08 Siemens Ag Sensoranordnung.
JP3347203B2 (ja) * 1993-12-27 2002-11-20 富士通株式会社 微細空洞形成方法及び微細空洞を有する微小装置
DE59503218D1 (de) * 1994-02-07 1998-09-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer kubisch integrierten Schaltungsanordnung
US5798042A (en) * 1994-03-07 1998-08-25 Regents Of The University Of California Microfabricated filter with specially constructed channel walls, and containment well and capsule constructed with such filters
US5651900A (en) * 1994-03-07 1997-07-29 The Regents Of The University Of California Microfabricated particle filter
US5660680A (en) * 1994-03-07 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of high vertical aspect ratio thin film structures
US5985328A (en) * 1994-03-07 1999-11-16 Regents Of The University Of California Micromachined porous membranes with bulk support
US5770076A (en) * 1994-03-07 1998-06-23 The Regents Of The University Of California Micromachined capsules having porous membranes and bulk supports
US5645684A (en) * 1994-03-07 1997-07-08 The Regents Of The University Of California Multilayer high vertical aspect ratio thin film structures
US5985164A (en) * 1994-03-07 1999-11-16 Regents Of The University Of California Method for forming a filter
DE19507547C2 (de) * 1995-03-03 1997-12-11 Siemens Ag Verfahren zur Montage von Chips
DE19526734A1 (de) * 1995-07-21 1997-01-23 Siemens Ag Optische Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
CA2179947A1 (en) * 1995-09-25 1997-03-26 Michael Gunnar Johnson Mold assembly for forming apertures in a molded body
US6045677A (en) * 1996-02-28 2000-04-04 Nanosciences Corporation Microporous microchannel plates and method of manufacturing same
GB9610878D0 (en) * 1996-05-24 1996-07-31 Philips Electronics Nv Electronic device manufacture
DE938597T1 (de) 1996-09-06 2000-03-09 Obducat Ab Verfahren für das anisotrope ätzen von strukturen in leitende materialien
US5882496A (en) * 1997-02-27 1999-03-16 The Regents Of The University Of California Porous silicon structures with high surface area/specific pore size
US5938923A (en) * 1997-04-15 1999-08-17 The Regents Of The University Of California Microfabricated filter and capsule using a substrate sandwich
US5997713A (en) * 1997-05-08 1999-12-07 Nanosciences Corporation Silicon etching process for making microchannel plates
US6121552A (en) 1997-06-13 2000-09-19 The Regents Of The University Of Caliofornia Microfabricated high aspect ratio device with an electrical isolation trench
WO1999016123A1 (de) * 1997-09-22 1999-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung einer dotierten schicht in einem aus einem halbleiter bestehenden erzeugnis, sowie entsprechendes erzeugnis
DE59807589D1 (de) * 1998-02-10 2003-04-24 Infineon Technologies Ag Optische struktur und verfahren zu deren herstellung
KR20010041741A (ko) * 1999-01-13 2001-05-25 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 관성력센서 및 관성력 센서의 제조방법
EP1063688A1 (de) 1999-01-13 2000-12-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Verfahren zum herstellen eines siliziumelementes
US6954613B1 (en) * 1999-09-10 2005-10-11 Virtual Geosatellite Holdings, Inc. Fixed satellite constellation system employing non-geostationary satellites in sub-geosynchronous elliptical orbits with common ground tracks
CA2392115A1 (en) * 1999-11-17 2001-05-25 Neah Power Systems, Inc. Fuel cells having silicon substrates and/or sol-gel derived support structures
US6924058B2 (en) * 1999-11-17 2005-08-02 Leroy J. Ohlsen Hydrodynamic transport and flow channel passageways associated with fuel cell electrode structures and fuel cell electrode stack assemblies
US6720105B2 (en) 1999-11-17 2004-04-13 Neah Power Systems, Inc. Metallic blocking layers integrally associated with fuel cell electrode structures and fuel cell electrode stack assemblies
US6852443B1 (en) * 1999-11-17 2005-02-08 Neah Power Systems, Inc. Fuel cells having silicon substrates and/or sol-gel derived support structures
EP1132952B1 (de) * 2000-03-10 2016-11-23 Imec Verfahren zur Herstellung und Abhebung von einer porösen Siliziumschicht
US6768590B2 (en) * 2000-05-19 2004-07-27 Shipley Company, L.L.C. Method of fabricating optical filters
AU2001292884A1 (en) * 2000-09-20 2002-04-02 Molecular Reflections Microfabricated ultrasound array for use as resonant sensors
CA2444688A1 (en) * 2001-04-19 2002-10-31 Neah Power Systems, Inc. Porous silicon and sol-gel derived electrode structures and assemblies adapted for use with fuel cell systems
US6677070B2 (en) * 2001-04-19 2004-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same
AU2003266998A1 (en) * 2002-08-23 2004-03-11 Hartmut Presting Microstructured catalyst body and method for production thereof
GB2395059B (en) 2002-11-05 2005-03-16 Imp College Innovations Ltd Structured silicon anode
US7357877B2 (en) * 2002-11-18 2008-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dispersion of nanowires of semiconductor material
US20050058414A1 (en) * 2003-08-21 2005-03-17 Lake Shore Cryotronics, Inc. Porous retroreflection suppression plates, optical isolators and method of fabricating same
US7165647B2 (en) * 2003-12-18 2007-01-23 Pei-Chau Lee Mechanical acoustic filter by erosion etching
US7108813B2 (en) * 2004-03-30 2006-09-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Gas/ion species selective membrane supported by multi-stage nano-hole array metal structure
TW200620451A (en) * 2004-11-09 2006-06-16 Univ Osaka Method for forming hole in crystal substrate, and crystal substrate having hole formed by the method
US20060115919A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Gogoi Bishnu P Method of making a microelectromechanical (MEM) device using porous material as a sacrificial layer
US20060207890A1 (en) * 2005-03-15 2006-09-21 Norbert Staud Electrochemical etching
US7569490B2 (en) 2005-03-15 2009-08-04 Wd Media, Inc. Electrochemical etching
US20060256428A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Lake Shore Cryotronics, Inc. Long wave pass infrared filter based on porous semiconductor material and the method of manufacturing the same
DE202005010588U1 (de) * 2005-07-04 2005-10-13 Weiss Umwelttechnik Gmbh Simulationsanlagen-Messtechnik Anordnung zum Prüfen von pharmazeutischen Substanzen
GB0601318D0 (en) 2006-01-23 2006-03-01 Imp Innovations Ltd Method of etching a silicon-based material
GB0601319D0 (en) 2006-01-23 2006-03-01 Imp Innovations Ltd A method of fabricating pillars composed of silicon-based material
GB0709165D0 (en) 2007-05-11 2007-06-20 Nexeon Ltd A silicon anode for a rechargeable battery
GB0713896D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd Method
GB0713898D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB0713895D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd Production
GB2464158B (en) 2008-10-10 2011-04-20 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB2464157B (en) 2008-10-10 2010-09-01 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material
GB2470056B (en) 2009-05-07 2013-09-11 Nexeon Ltd A method of making silicon anode material for rechargeable cells
GB2470190B (en) 2009-05-11 2011-07-13 Nexeon Ltd A binder for lithium ion rechargeable battery cells
US9853292B2 (en) 2009-05-11 2017-12-26 Nexeon Limited Electrode composition for a secondary battery cell
RU2410792C1 (ru) * 2009-08-28 2011-01-27 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) Способ получения кремниевой микроканальной матрицы
CN102782818B (zh) * 2010-01-27 2016-04-27 耶鲁大学 用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用
GB201005979D0 (en) 2010-04-09 2010-05-26 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB201009519D0 (en) 2010-06-07 2010-07-21 Nexeon Ltd An additive for lithium ion rechargeable battery cells
GB201014706D0 (en) 2010-09-03 2010-10-20 Nexeon Ltd Porous electroactive material
GB201014707D0 (en) 2010-09-03 2010-10-20 Nexeon Ltd Electroactive material
US9583353B2 (en) 2012-06-28 2017-02-28 Yale University Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication
US11095096B2 (en) 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
JP7016259B6 (ja) 2014-09-30 2023-12-15 イェール ユニバーシティー 多孔質窒化ガリウム層およびそれを含む半導体発光デバイス
US11018231B2 (en) 2014-12-01 2021-05-25 Yale University Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers
CA3162752A1 (en) 2015-04-09 2016-10-13 Angle Europe Limited Method for performing a biological assay
US10554017B2 (en) 2015-05-19 2020-02-04 Yale University Method and device concerning III-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer
KR20220093170A (ko) 2019-10-31 2022-07-05 예일 유니버시티 다공성 iii족-질화물 및 이의 사용 및 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0296348A1 (de) * 1987-05-27 1988-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Ätzverfahren zum Erzeugen von Lochöffnungen oder Gräben in n-dotiertem Silizium

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3962052A (en) * 1975-04-14 1976-06-08 International Business Machines Corporation Process for forming apertures in silicon bodies
FR2339953A1 (fr) * 1976-01-29 1977-08-26 Anvar Procede d'obtention de films minces en silicium de type n, de diodes a barriere de surface comportant de tels films, et detecteurs de particules comportant de telles diodes

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0296348A1 (de) * 1987-05-27 1988-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Ätzverfahren zum Erzeugen von Lochöffnungen oder Gräben in n-dotiertem Silizium

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Microelectronic Engineering, Vol. 4, (1986), S. 35ff *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6328876B1 (en) 1997-07-28 2001-12-11 Nft Nanofiltertechnik Gesellschaft Mit Beschankter Haftung Method for producting a filter
DE19820756C1 (de) * 1998-05-08 1999-11-11 Siemens Ag Perforiertes Werkstück und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2000066815A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-09 Nft Nano-Filtertechnik Gmbh Verfahren zur herstellung eines filters
DE10055872A1 (de) * 2000-11-10 2002-06-13 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter
DE10055872B4 (de) * 2000-11-10 2004-02-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter
DE10217569A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-13 Infineon Technologies Ag Vorrichtung auf Basis von partiell oxidiertem porösen Silizium
US7135120B2 (en) 2002-06-04 2006-11-14 Lake Shore Cryotronics, Inc. Method of manufacturing a spectral filter for green and shorter wavelengths
US7628906B2 (en) 2002-10-16 2009-12-08 Lake Shore Cryotronics, Inc. Method of manufacturing a spectral filter for green and longer wavelengths
DE10259366A1 (de) * 2002-12-18 2004-07-08 Siemens Ag Verfahren zur Nachbearbeitung eines Durchgangslochs eines Bauteils
US7560018B2 (en) 2004-01-21 2009-07-14 Lake Shore Cryotronics, Inc. Semiconductor electrochemical etching processes employing closed loop control
DE102009042321A1 (de) 2009-09-21 2011-03-31 Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg Poren aufweisender n-dotierter Siliziumkörper sowie Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
JP3190759B2 (ja) 2001-07-23
US5262021A (en) 1993-11-16
DE59202728D1 (de) 1995-08-03
JPH05315316A (ja) 1993-11-26
EP0553465B1 (de) 1995-06-28
EP0553465A1 (de) 1993-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0553465B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines perforierten Werkstückes
DE4310206C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einer Substratscheibe
EP1084285B1 (de) Perforierte silizium-membran, hergestellt mittels eines elektrochemischen ätzverfahrens
DE60311531T2 (de) Verfahren zur herstellung von nanostrukturierten glühkörpern zur lichterzeugung
EP0254103B1 (de) Mikrofilterfolie aus anorganischem Material, insbesondere Metall, und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0553464B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einer Substratscheibe
EP0296348B1 (de) Ätzverfahren zum Erzeugen von Lochöffnungen oder Gräben in n-dotiertem Silizium
EP0528281A2 (de) Schaltungsstuktur mit mindestens einem Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10025167A1 (de) Elektrode für die elektrolytische Erzeugung von Ozon und/oder Sauerstoff, dieseenthaltende Elektrolysezelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Elektrode
EP1167934A1 (de) Mikromechanisches Bauelement, insbesondere Sensorelement, mit einer stabilisierten Membran und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelementes
WO1993004503A1 (de) Verfahren zum herstellen von elektrolumineszenten siliziumstrukturen
DE2901697B2 (de) Verfahren zur Ausbildung von Verbindungsleitungen auf einem Substrat
DE2265257C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung
EP0630058A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Pyrodetektoranordnung durch elektronisches Ätzen eines Silizium Substrats
DE4310205C1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Lochstruktur in einem Substrat aus Silizium
WO2021151884A1 (de) Mems mit hohem aspektverhältnis
WO1999034421A1 (de) Verfahren zur herstellung einer porösen schicht mit hilfe eines elektrochemischen ätzprozesses
DE10055872B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer porösen Struktur für ein Sieb oder einen Filter und poröse Struktur für ein Sieb oder einen Filter
EP1089813B1 (de) Reaktoranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE69211771T2 (de) Verfahren zur Behandlung der gravierten Oberfläche eines Halbleiters oder Halbisolierers, durch ein solches Verfahren hergestellte integrierte Schaltkreise, sowie Apparat zur anodischen Oxidation zur Durchführung eines solchen Verfahrens
DE19803852A1 (de) Verfahren zur Herstellung beidseitig oxidierter Siliziumwafer
EP0996147A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips durch anodischer Oxidation
EP1390988A2 (de) Verfahren zum Erzeugen von optisch transparenten Bereichen in einem Siliziumsubstrat
DE2227961A1 (de) Verfahren zur herstellung eines elektrischen leiterzugmusters und nach diesem verfahren hergestellte anordnung
DE19802131A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer monokristallinen Schicht aus einem leitenden oder halbleitenden Material

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of patent without earlier publication of application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee