DE4341269A1 - Gleichrichterdiode - Google Patents
GleichrichterdiodeInfo
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Synchronous Machinery (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Gleichrichterdiode nach
dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Es ist bekannt, Gleichrichterdioden für mittlere
und höhere Leistungen als Einpreßdioden auszu
führen. Die Einpreßdioden weisen dabei einen Ein
preßsockel auf, der in eine entsprechende Ausneh
mung eines Befestigungselementes eingepreßt wird.
Das Befestigungselement übernimmt dabei gleich
zeitig eine dauerhafte thermische und elektrische
Verbindung der Gleichrichterdiode. Derartige Anord
nungen sind beispielsweise aus der Kraftfahrzeug
technik bekannt, wo sie als Gleichrichter in Kraft
fahrzeuggeneratoren eingesetzt werden. Der Einpreß
sockel weist dabei einen Befestigungsbereich auf,
auf dem ein Halbleiterchip, beispielsweise durch
Löten, befestigt ist. Auf dem Halbleiterchip
wiederum ist ebenfalls beispielsweise durch Löten
ein sogenannter Kopfdraht befestigt, der elek
trisch, beispielsweise durch Löten oder Schweißen,
fest mit einer Phasenzuleitung des Kraftfahrzeug
generators verbunden ist.
Beim Betrieb des Kraftfahrzeugs treten Vibrationen
auf, die sich über den Kraftfahrzeuggenerator auf
die Gleichrichterdiode übertragen und diese einer
erheblichen Zugbelastung aussetzen. Damit diese
Zugbelastung vermindert werden kann, ist es be
kannt, die Gleichrichterdiode einzukapseln und so
einen Formschluß zwischen dem Kopfdraht und dem
Einpreßsockel herzustellen. Mit diesem Formschluß
soll eine Zugentlastung des empfindlichen Halb
leiterchips und der Lotschichten zwischen dem
Halbleiterchip und dem Einpreßsockel einerseits und
dem Kopfdraht andererseits erreicht werden.
Damit diese Zugentlastung erhöht werden kann, ist
bereits vorgeschlagen worden, so beispielsweise in
der DE-OS 41 12 286, zusätzliche Mittel vorzusehen,
die in die Einkapselung hineinragen. In der DE 41
12 286 ist eine neben dem Halbleiterchip schräg
verlaufende Wand beschrieben, die von der Ein
kapselung umschlossen wird. Die Wand ist dabei in
unmittelbarer Nähe des Halbleiterchips angeordnet
und weist eine Höhe auf, die den Halbleiterchip
überragt. In diese Ausführung kann lediglich über
die Höhe der Wand die gewünschte Zugentlastung ge
steuert werden. Hierbei ist jedoch nachteilig, daß
um so höher die Wand ist, der Halbleiterchip vor
Einbringen der Einkapslung abgeschirmt ist, so daß
die Chipseitenflächen nach dem Einlöten des Halb
leiterchips nur sehr schwer für eine Passivierung
zugänglich sind.
Die Gleichrichterdiode mit den im Hauptanspruch ge
nannten Merkmalen hat demgegenüber den Vorteil, daß
in einfacher Weise eine sichere Zugentlastung der
Gleichrichterdiode erreicht wird und ein Zugang
eines Passivierungsmittels zu den Seitenflächen des
Halbleiterchips nicht erschwert wird. Dadurch, daß
an einem äußeren umlaufenden Abschluß des Befesti
gungsbereiches ein zu einer Axialen des Befesti
gungsbereiches abgewinkelt verlaufender, vorzugs
weise über eine Befestigungsfläche des Befesti
gungsbereiches axial hinausragender Kragen an
geordnet ist, kann durch einfache geometrische
Variationen des Kragens auf die die Zugentlastung
wesentlich beeinflussenden Parameter der Ein
kapselung Einfluß genommen werden. Insbesondere
durch eine vorteilhafte Auswahl der Länge und/oder
des Anstellwinkels und/oder der Ausformung des
Kragens kann eine für die Zugentlastung entschei
dende Länge der Einkapselung in Abhängigkeit
anderer bekannter Parameter, beispielsweise des
Elastizitätsmoduls der Einkapselung eingestellt
werden.
In bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung ist vor
gesehen, daß der Kragen aus einzelnen zueinander
beabstandet angeordneten Segmenten gebildet ist, so
daß sich zwischen jedem Kragensegment immer eine
Lücke ergibt. Durch diese Ausgestaltung ist es sehr
vorteilhaft möglich, neben der bereits erwähnten
wesentlichen Erhöhung der Zugentlastung für ein un
gehindertes Zufließen eines Passivierungsmittels an
den Halbleiterchip Sorge zu tragen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung
ergeben sich aus den übrigen in den Unteransprüchen
genannten Merkmalen.
Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungs
beispielen anhand der zugehörigen Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch einen teilweise aufgeschnitte
nen Querschnitt einer Gleichrichterdiode;
Fig. 2 ein Detail aus Fig. 1 in einer sche
matischen Vergrößerung;
Fig. 3 eine erste Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 4 eine zweite Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5 eine dritte Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 6 schematisch eine mögliche Herstellung
eines Teils der erfindungsgemäßen
Gleichrichterdiode und
Fig. 7 schematisch einen teilweise aufgeschnitte
nen Querschnitt einer Gleichrichterdiode
in einer weiteren Ausführung.
Fig. 1 zeigt eine allgemein mit 10 bezeichnete in
einem teilweise aufgeschnittenen Querschnitt darge
stellte Gleichrichterdiode. Die Gleichrichterdiode
10 besitzt einen Einpreßsockel 12, der in einen
sich axial erstreckenden Befestigungsbereich 14
übergeht. Der Befestigungsbereich 14 ist dabei
durchmesserkleiner als der Einpreßsockel 12. Der
Befestigungsbereich 14 schließt mit einer Befesti
gungsfläche 16 ab, auf der über ein Lot 18 ein
Halbleiterchip 20 befestigt ist. Auf dem Halblei
terchip 20 ist über ein Lot 22 ein Kopfdraht 24 be
festigt, wobei der Kopfdraht 24 aus einem Kopf 26
und aus einem mit diesem verbundenen Drahtende 28
besteht. In einer Umfangsnut 30 des Einpreßsockels
12 ist eine Manschette 32 angeordnet, so daß sich
innerhalb der Manschette 32 ein Hohlraum 34 ergibt.
Der Hohlraum 34 ist so bemessen, daß sich in diesem
der Kopf 26 und ein Teil des Drahtendes 28 des
Kopfdrahtes 24 befinden. Ein seitlicher Rand 36 des
Halbleiterchips 20 ist mit einer Passivierungs
schicht 38 versehen. Der Hohlraum 34 ist mit einer
Einkapselung 40, beispielsweise aus einem Gießharz,
verfüllt. Der Befestigungsbereich 14 weist weiter
hin an einem äußeren umlaufenden Abschluß 42 einen
Kragen 44 auf. Der Kragen 44 ragt dabei in die
Einkapselung 40 hinein, so daß sich unterhalb des
Kragens 44 eine Hinterschneidung 46 ergibt. An
seinem Außenumfang kann der Einpreßsockel eine
Rändelung 48 aufweisen.
Bei der in der in Fig. 1 gezeigten Gleichrichter
diode 10 ist für die Erfindung wesentlich, wobei
auf Details in den weiteren Figuren noch näher
eingegangen wird, daß der Kragen 44 in die
Einkapselung 40 eingreift, das heißt von dieser
umschlossen wird und somit insgesamt ein Formschluß
zwischen dem Kopfdraht 24 und dem Einpreßsockel 12
realisiert ist. Durch diesen Formschluß werden
insbesondere der Halbleiterchip 20 und die Lote 18
bzw. 22 zugentlastet. In dem Moment, wo an dem
Drahtende 28 eine Phasenzuleitung eines hier nicht
dargestellten Kraftfahrzeuggenerators angeschlossen
ist, werden die zwangsläufig auftretenden Vibra
tionen des Kraftfahrzeugs über den Kopfdraht 24 auf
den Halbleiterchip 20 und die Lote 18 und 22 über
tragen. Somit ist dieser Bereich einer erheblichen
Zugbelastung ausgesetzt, die zu einem Ablösen des
Halbleiterchips 20 führen würden, wenn nicht eine
ausreichende Zugentlastung geschaffen ist.
Anhand einer vergrößerten Darstellung dieses Be
reiches wird in der Fig. 2 der Aufbau und die
Wirkungsweise weiter verdeutlicht. Gleiche Teile
wie in Fig. 1 sind mit gleichen Bezugszeichen ver
sehen und hier nicht nochmals erläutert. Es ist
deutlich der von dem äußeren Abschluß 42 des
Befestigungsbereiches 14 ausgehende Kragen 44 zu
erkennen. Der Kragen 44 ist von der Einkapselung 40
umschlossen und verankert somit die Einkapselung 40
über dem Kopf 26 und dem Befestigungsbereich 14.
Die Einkapselung 40 ist somit durch einen Gieß
harzzylinder gebildet, der sich den von dem Kopf 26
und Befestigungsbereich 14 vorgegebenen Außen
konturen anpaßt und diese formschlüssig umgreift.
Für eine Zugentlastung entlang der Axialen 50 ist
hier ein mit einer Länge l gekennzeichneter Bereich
der Einkapselung 40 entscheidend. Bei einer Zug
belastung zwischen dem Kopfdraht 24 und dem Ein
preßsockel 12 bzw. dem Befestigungsbereich 14 wird
der Bereich mit der Länge l um eine Länge Δl
gedehnt. Die Zugentlastung ist um so wirksamer, je
kleiner Δl bei vorgegebener Zugkraft wird. Nach der
Hookeschen Formel
ist Δl proportional der Länge l und umgekehrt
proportional einem durch E symbolisierten Elasti
zitätsmodul der Einkapselung 40. Der Wert σ steht
hier für eine vorgegebene und damit konstante
Spannung.
Durch eine entsprechende Auswahl der Einkapselung
40 und damit des Elastizitätsmoduls E der
Einkapselung 40 und eine möglichst kleine Länge l
können somit hohe Zugentlastungen eingestellt wer
den. Durch eine Variation des Kragens 14 kann somit
direkt auf die Länge l Einfluß genommen werden.
Indem der Kragen 44 über die Befestigungsfläche 16
in axialer Richtung verlängert ist, kann die Länge
l weiter reduziert werden. Auf Einzelheiten hierzu
wird in den nachfolgenden Figuren noch eingegangen.
Die zwischen dem Kopfdraht 24 und dem Einpreßsockel
12 wirkende Zugbelastung muß durch eine erste
Zylinderfläche 52, eine zweite Zylinderfläche 54
und eine Kreisringfläche 56 aufgenommen werden. Die
tragende Kreisringfläche 56 kann sehr vorteilhaft
einerseits durch Wahl einer Stufenhöhe des Befesti
gungsbereiches 14 und andererseits durch eine Wahl
der Anformung des Kragens 44 eingestellt werden.
Ebenso kann die Zylinderfläche 54 durch Auswahl
eines Abstandes a, eines äußeren Abschlusses des
Kragens 44 eingestellt werden. Um so größer der
Abstand a gewählt wird, desto geringer wird die
Zylinderfläche 54 und um so größer wird der die
Hinterschneidung 46 bildende Bereich der Ein
kapselung 40.
In einen von dem Kragen 44 dem Halbleiterchip 20
und dem Kopf 26 eingeschlossenen Bereich 58 kann
vor Einbringen der Einkapselung 40 problemlos eine
Ätzlösung eingebracht werden, mit der der Rand 36
des Halbleiterchips 20 nach dem Einlöten gereinigt
werden muß, um niedrige Sperrströme zu erzeugen.
Ein Einbringen der in Fig. 1 gezeigten Pas
sivierungsschicht 38 ist ebenfalls problemlos mög
lich.
In den Fig. 3 bis 5 sind verschiedene Aus
gestaltungsmöglichkeiten des Kragens 44 verdeut
licht. Gleiche Teile sind wieder mit gleichen
Bezugszeichen versehen. In der Fig. 3 wird deut
lich, daß der Kragen 44 einstückig mit dem
Befestigungsbereich 14 ausgebildet ist. Der Kragen
44 ist hier unter einem Winkel α zu der Axialen 50
abgewinkelt. Durch Wahl des Winkels α kann die in
Fig. 2 beschriebene Länge l sowie die Zylinder
fläche 54 und die Kreisringfläche 56 eingestellt
werden. Es ist also durch eine einfache Auswahl
eines Winkels α ein direkter Einfluß auf die
Zugentlastung möglich.
In der Fig. 4 wird deutlich, daß der Kragen 44 ei
nen ersten Abschnitt 60 und einen zweiten Abschnitt
62 aufweisen kann. Die Abschnitte 60 und 62 sind
dabei mit einem unterschiedlichen Winkel α bzw. α′ zu
der Axialen 50 angeordnet. Durch Variation ver
schiedener Winkel α bei einem Kragen 44 kann das
Zugentlastungsverhalten der gesamten Gleichrichter
diode 10 sehr variabel eingestellt werden. Ins
besondere wird auch eine bessere Zugänglichkeit des
in Figur beschriebenen Bereiches 58 für die Ätz
lösung bzw. die Passivierungsschicht erreicht.
Fig. 5 zeigt einen Kragen 44, der als Umbördelung
ausgebildet ist. Durch die hier gezeigte einfach
herzustellende Umbördelung des Kragens 44 ist ein
sehr großer Winkel α, hier von 90°, realisierbar,
so daß zwar einerseits die Länge l vergrößert wird,
jedoch durch eine Einstellung der Zylinderfläche 54
und der Kreisringfläche 56 die Zugentlastung ins
gesamt positiv beeinflußt werden kann. Anhand der
Fig. 6 wird die Herstellung der in den Fig. 3
bis 5 beispielhaft dargestellten Kragen 44 ver
deutlicht. Da der Einpreßsockel 12 in der Regel
rotationssymmetrisch ausgebildet ist, kann der ge
samte Einpreßsockel 12 mit seinem Befestigungs
bereich 14 und einer später den Kragen 44
ergebenden umfangsseitigen Verlängerung des Befe
stigungsbereiches 14 als Drehteil in einfacher
Weise hergestellt werden. Durch Einführen eines
Formwerkzeuges 64 in einem von dem noch nicht ver
formten Kragen 44 gebildeten Hohlraum 66 kann der
Kragen 44 in gewünschter Weise an dem Befestigungs
bereich 14 angeformt werden. Eine Arbeitsfläche 68
des Formwerkzeuges 64 ist dabei so ausgebildet, daß
die in den Fig. 3 bis 5 beispielhaft gezeigten
Konturen des Kragens 44 entstehen. Insgesamt ist es
also möglich, den Einpreßsockel 12 ohne eine
spanende Bearbeitung des bereits vorgefertigten
Drehteils in die endgültige Form zu bringen.
Fig. 7 zeigt in einem teilweise aufgeschnittenen
Querschnitt eine weitere Ausführungsvariante des
Einpreßsockels 12. Der an dem Befestigungsbereich
14 angeformte Kragen 44 wird hier durch einzelne
Kragensegmente 70 gebildet, die auf dem äußeren
Abschluß 42 des Befestigungsbereiches 14 beab
standet zueinander angeordnet sind. Der Abstand
zwischen den einzelnen Segmenten 70 ist dabei frei
wählbar und entsprechend der gewünschten Zugent
lastung einstellbar. Durch diese Ausgestaltung wird
erreicht, daß einerseits die hier den Kragen 44
bildenden Segmente 70, wie bereits zu den Fig. 1
bis 6 erwähnt, direkten Einfluß auf die Zugent
lastung der Gleichrichterdiode 10 nehmen und
andererseits durch die Zwischenräume zwischen den
Segmenten 70 ein sehr verbessertes Heranführen der
Ätzlösung bzw. der Passivierungsschicht an den Rand
36 des Halbleiterchips 20 möglich ist. Die Segmente
70 können die in den Fig. 3 bis 5 beispielhaft
gezeigten Konturen ebenfalls aufweisen.
Claims (11)
1. Gleichrichterdiode mit einem Einpreßsockel, der
einen sich axial erstreckenden Befestigungsbereich
für einen Halbleiterchip aufweist, einem auf dem
Halbleiterchip befestigten Kopfdraht, einer Ein
kapselung des Kopfdrahtes sowie Mittel zur Zugent
lastung des Kopfdrahtes, dadurch gekennzeichnet,
daß an einem äußeren umlaufenden Abschluß (42) des
Befestigungsbereiches (14) ein zu einer Axialen
(50) des Befestigungsbereiches (14) abgewinkelt
verlaufender, vorzugsweise über eine Befestigungs
fläche (16) des Befestigungsbereiches (14) axial
hinausragender Kragen (44) angeordnet ist.
2. Gleichrichterdiode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Kragen (44) einstückig mit
dem Befestigungsbereich (14) ausgebildet ist.
3. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kragen
(44) zu der Axialen (50) in einem Winkel α von 0 bis
90° angeordnet ist.
4. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kragen
(44) Abschnitte (60; 62) mit einem unterschied
lichen Winkel (α, α′) aufweist.
5. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ab
schnitte (60; 62) bogenförmig ineinander übergehen.
6. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ab
schnitte (60; 62) winklig ineinander übergehen.
7. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß über eine
wählbare Länge des Kragens (44), insbesondere des
äußeren Abschnitts (62), eine Zylinderfläche (54)
der Einkapselung (40) einstellbar ist.
8. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß über den
Winkel (α) eine Kreisringfläche (56) der Ein
kapselung (40) einstellbar ist.
9. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ein
kapselung (40) durch einen Gießharzzylinder gebil
det ist.
10. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß über den
Winkel (α) und/oder die Länge des Kragens (44) eine
Länge (l) eines Dehnungsbereiches der Einkapselung
(40) einstellbar ist.
11. Gleichrichterdiode nach einem der vorhergehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Kragen (44) aus einzelnen zueinander beabstandet
angeordneten Segmenten (70) gebildet ist.
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