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TECHNISCHER HINTERGRUND DER
ERFINDUNG
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Technisches Gebiet der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen
gedruckten Leiterplatte bzw. einer Mehrlagenleiterplatte und eine
Laserbearbeitung, insbesondere ein Mehrlagenleiterplattenfertigungsverfahren
zum Anbringen feiner Löcher
zu niedrigen Kosten und eine Laserbearbeitungsvorrichtung.
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Beschreibung der verwandten Technik
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Eine
Aufbau-Mehrlagenleiterplatte weist abwechselnd Zwischenschicht-Harzisolatoren
und leitfähige
Schaltungslagen auf, stellt Löcher
für die
isolierenden Harzzwischenschichten bereit und verbindet dann die
oberen Lagen und die unteren Lagen elektrisch durch Ausbilden leitfähiger Schichten
an der Wandoberfläche
dieser Löcher.
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Ein
Loch (Kontaktloch) der isolierenden Harzzwischenschicht wird im
allgemeinen durch das Belichtungs- und Entwicklungsverfahren ausgebildet, indem
dem Harz der Zwischenschicht Lichtempfindlichkeit verliehen wird.
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Der
Durchmesser dieser Kontaktlöcher
auf der Mehrlagenleiterplatte beträgt jedoch nahezu 100 μm oder weniger,
und es wird eine Entwicklung der Technologie erwartet, um das Kontaktloch
mit noch kleinerem Durchmesser auszubilden. Wegen dieses Bedarfs
wird jetzt die Anwendung eines Bearbeitungsverfahrens untersucht,
das einen Laserstrahl zum Bohren der Aufbau-Mehrlagenleiterplatte
nutzt.
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Eine
Technologie mit Anwendung eines Lasers zum Bohren wird zum Beispiel
in der Veröffentlichten
Geprüften
Japanischen Patentschrift Nr. HEI 3-54
884 vorgeschlagen. Bei dieser Technologie wird ein Lichtstrahl
aus einer Laserquelle durch einen Bearbeitungskopf zur Ablenkung
empfangen. Dadurch wird der Laserstrahl auf einen vorgegebenen Harzisolator
eingestrahlt, um ein Durchkontaktloch zu bilden.
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Eine
Mehrlagenleiterplatte weist jedoch in einer Lage Kontaktlöcher in
einer Anzahl im Bereich von einigen hundert bis einigen tausend
auf und muß außerdem eine
höhere
Positionsgenauigkeit aufweisen, da die Kontaktlöcher elektrisch mit Leiterschaltungen
der unteren Lage verbunden werden müssen. Daher ist gefordert worden,
die Positionierung des Lasers mit höherer Genauigkeit zu ermöglichen,
um eine Massenproduktion der Mehrlagenleiterplatte zu realisieren.
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Es
ist nämlich
erforderlich, die Substratposition genau zu messen, um die automatische
Steuerung für
eine Massenproduktion zu verwirklichen.
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Als
Meßverfahren
für die
Substratposition ist ein übliches
Verfahren eingeführt
worden, bei dem eine auf dem Substrat angebrachte Positioniermarke mit
einer Kamera gelesen wird, um die Position zu messen.
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Im
Fall einer Mehrlagenleiterplatte sind jedoch die Positioniermarken
oft auf einer unteren Lage der Harzschicht ausgebildet, die durch
einen Laserstrahl entfernt werden soll, und wenn versucht wird,
den von der Positioniermarke unter der Harzschicht reflektierten
Lichtstrahl zu lesen, ist es manchmal schwierig, den mittels Reflexion
durch die Harzschicht reflektierten Strahl genau zu lesen.
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US 5 522 683 betrifft eine
Bohrvorrichtung, die unabhängig
vom Material eines Werkstücks (durchsichtiges
oder undurchsichtiges Material) ein Bild einer Bohrmarke zur Erfassung
des Mittelpunkts der Bohrmarke ermitteln soll. Die Bohrvorrichtung weist
auf: einen Arbeitstisch, auf den ein Werkstück mit einer Bohrmarke aufgesetzt
wird; ein unter dem Arbeitstisch angebrachtes unteres Beleuchtungselement
zur Emission von Licht auf die Bohrmarke durch eine Bohröffnung hindurch;
ein oberes Beleuchtungselement zur Emission von Licht auf die Bohrmarke
von der Oberseite aus; eine an dem Arbeitstisch angebrachte Kameraeinheit
zum Empfang eines Durchlichtbilds der durch das untere Beleuchtungselement
bestrahlten Bohrmarke und eines Reflexionsbilds der durch das obere
Be leuchtungselement bestrahlten Bohrmarke; eine Bildverarbeitungseinheit
zum Verarbeiten eines durch die Kameraeinheit empfangenen Bildsignals
zu einem Binärsignal und
zum Durchsuchen des Binärbilds,
um den Mittelpunkt der Bohrmarke zu erfassen; einen Bohrer und einen
Vorschubmechanismus, der in Verbindung mit der Bildverarbeitungsvorrichtung
und dem Bohrer steht, um den Bohrer in X- und Y-Richtung korrigierend
zur Mittelpunktsposition der Bohrmarke zu bewegen und den Bohrer
das Werkstück
im Mittelpunkt der Bohrmarke bohren zu lassen, wobei das untere Beleuchtungselement
und das obere Beleuchtungselement aufeinander umschaltbar sind.
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EP 0 657 917 betrifft eine
Drahtbondvorrichtung, die zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises
(IC) benutzt wird. Die Vorrichtung weist eine Bildaufnahmevorrichtung
zur Gewinnung von Bilddaten eines Bildrahmens mit quadratischer
Fläche
auf, die Drahtbondobjekte einschließlich der Elektrodenanschlüsse eines
IC-Chips umgibt und Innenanschlüssen
eines Systemträgers
entspricht. Das Bild der quadratischen Fläche wird an der Bondstation
aufgenommen, wo der Bondvorgang ausgeführt wird.
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Die
Erfinder haben daher vorgeschlagen, als Verfahren zum genauen Lesen
der Positioniermarke die Positioniermarke aus einem Schattenriß bzw. einer
Silhouette unter Anwendung des Durchlichtstrahls des von der Unterseite
auf die Mehrlagenleiterplatte eingestrahlten Lichts zu lesen.
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Da
jedoch die Mehrlagenleiterplatte auf einen X-Y-Tisch aufgelegt wird,
wenn das Licht von der Unterseite her auf das Substrat eingestrahlt
wird, besteht die Ansicht, daß der
Tisch selbst oder ein Antriebsmotor für den Antrieb des Tischs das
Einstrahlen des Lichtstrahls behindert.
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Da
außerdem
das Substrat sich mit Hilfe des X-Y-Tischs ständig bewegt, ist es auch schwierig, den
Lichtstrahl stets von der Unterseite der Positioniermarke her einzustrahlen,
die sich zusammen mit dem X-Y-Tisch bewegt. Überdies entsteht ein derartiges
Problem nicht nur bei der Mehrlagenleiterplatte, sondern auch bei
einer automatischen Laserbearbeitung.
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Andererseits
muß zum
Bohren der Kontaktlöcher
und Durchkontaktlöcher
der Mehrlagenleiterplatte ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge eingesetzt
werden, die in der Harzzwischenschicht Wärme erzeugt, und der CO2-Laser oder Excimerlaser werden als eine
solche Quelle angesehen. Der Excimerlaser hat eine Wellenlänge von
nur 248 nm in KrF, 308 nm in XeCl und 193 nm in ArF und eignet sich
zur Ausbildung eines Kontaktlochs mit kleinem Durchmesser.
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Der
Excimerlaser führt
jedoch zu einem Anstieg der Produktionskosten; wenn er industriell
zum Einsatz gebracht wird, da die Gerätekosten hoch werden und ferner
Teile wie z. B. die Linse wegen der kurzen Wellenlänge altern
und diese Teile häufig
ausgetauscht werden müssen,
und da das Excimergas innerhalb kurzer Zeit ergänzt und ausgetauscht werden
muß.
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Hinsichtlich
dieses Punktes ist der CO2-Laser mit relativ
längerer
Wellenlänge
eher für
den Einsatz in der Industrie geeignet, da nicht nur die Ausgangsleistung
hoch ist und die Gerätekosten
niedrig sind, sondern auch beispielsweise keine Linsenreparatur
erforderlich ist und die Ergänzung
eines CO2-Lasers kostengünstig realisiert werden kann; wenn
jedoch die Ausgangsleistung des Laserstrahls erhöht wird, um ein tieferes Loch
zu erzeugen, wird der Durchmesser des Kontaktlochs größer. Außerdem kann
ein Loch mit einem Durchmesser von 100 μm, was etwa dem 10-fachen der
Wellenlänge
(10,6 μm)
entspricht, leicht gebohrt werden, aber das Bohren eines Lochs von
50 μm oder
weniger, was etwa dem 5-fachen der Wellenlänge entspricht, bereitet erhebliche
Schwierigkeiten.
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Ein
solches Problem entsteht auch dann, wenn der CO2-Laser, außer bei
der Mehrlagenleiterplatte, als Laserquelle zur Bearbeitung eingesetzt wird.
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Da
außerdem
in der Herstellungsvorrichtung für
Mehrlagenleiterplatten gemäß der verwandten Technik
mehrere tausend bis einige zehntausend Kontaktlöcher in der Mehrlagenleiterplatte
gebohrt werden, war bisher zum Bohren der Löcher in nur einer Lage mit
dem Laser eine längere
Zeit erforderlich, und die Bearbeitungszeit wird sehr lang, wenn ein,
derartiges Laserverfahren für
mehrere Lagen wiederholt wird.
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren
zur Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte bereitzustellen, nach
dem unter gleichzeitiger Sicherung der Posi tioniergenauigkeit von
Kontaktlöchern
Hunderte und Tausende von Löchern
gebohrt werden.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher die Bereitstellung
eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte, das
Kontaktlöcher
von extrem kleinem Durchmesser kostengünstig erzeugen kann, sowie
die Bereitstellung einer Laserbearbeitungsvorrichtung, die Löcher von extrem
kleinem Durchmesser herstellen kann.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung
eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte, das
die Positioniermarken genau lesen kann.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung
einer Laserbearbeitungsvorrichtung, welche die Bearbeitungszeit
verkürzen kann.
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Außerdem ist
eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung die Bereitstellung
einer Vorrichtung und eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte,
welche die erforderliche Zeit zur Ausbildung der Kontaktlöcher einer
Mehrlagenleiterplatte vom Aufbau-Typ verkürzen können.
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Die
Aufgaben der Erfindung werden mit den Merkmalen der Ansprüche gelöst.
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OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
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Um
die oben beschriebenen Aufgaben zu lösen, ist das Verfahren zur
Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte gemäß Anspruch 1 vom technischen Gesichtspunkt
aus dadurch gekennzeichnet, daß es die
folgenden Schritte aufweist:
Ausbilden der Positioniermarken
und der isolierenden Harzzwischenschicht der Mehrlagenleiterplatte;
Auflegen
der Mehrlagenleiterplatte mit darauf ausgebildeten Positioniermarken
auf den X-Y-Tisch der Herstellungsvorrichtung für Mehrlagenleiterplatten, welche
die Bearbeitungslaserquelle, den Abtastkopf zur Richtungsablenkung
des Laserstrahls in die X-Y-Richtungen, die Kamera zum Lesen der
Positioniermarken auf der Mehrlagenleiterplatte, den X-Y-Tisch zum
Auflegen der Mehrlagenleiterplatte, den Eingabeabschnitt zum Eingeben
der Bearbeitungsdaten der Mehrlagenleiterplatte, den Speicherabschnitt
zum Speichern der Bearbeitungsdaten oder des Ergebnisses der Rechenoperationen
und den Rechenoperationsabschnitt aufweist, und außerdem Eingabe
der Bearbeitungsdaten in diese Vorrichtung;
Messen der Positionen
der mit dem Zwischenschicht-Harzisolator
bedeckten Positioniermarken auf der Mehrlagenleiterplatte mit der
Kamera, Korrigieren der eingegebenen Bearbeitungsdaten anhand der
gemessenen Positionen der Positioniermarken im Rechenoperationsabschnitt,
um die Daten für
den Antrieb des Abtastkopfs und des X-Y-Tischs zu erzeugen, und
Speichern dieser Antriebsdaten im Speicherabschnitt; und
Auslesen
der Antriebsdaten aus dem Speicherabschnitt in den Steuerungsabschnitt,
Einstrahlen des Laserstrahls auf die Mehrlagenleiterplatte durch Steuerung
des X-Y-Tischs und des Abtastkopfs, um die Harzzwischenschicht zu
entfernen und die Löcher
auszubilden.
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Da
bei der vorliegenden Erfindung die Position der Positioniermarke
mit einer Kamera gemessen wird, um die Position des Substrats tatsächlich zu messen,
indem zuvor die Positioniermarke an der vorgegebenen Position der
Mehrlagenleiterplatte ausgebildet wird, wird die Substratposition
gemessen, und eine Abweichung der Substratposition wird anhand der
eingegebenen Bearbeitungsdaten und der tatsächlich gemessenen Position
des Substrats korrigiert, um die Antriebsdaten für den Abtastkopf und den X-Y-Tisch
zu erzeugen. Dadurch werden der Abtastkopf und der X-Y-Tisch in
Abhängigkeit
von diesen Antriebsdaten angetrieben. Als Ergebnis kann das Bohren
von einigen hundert bis einigen tausend Kontaktlöchern realisiert und gleichzeitig
eine höhere Positionsgenauigkeit
eingehalten werden.
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Bei
der vorliegenden Erfindung ist es wünschenswert, daß die Positioniermarke
der Mehrlagenleiterplatte aus einem metallischen Leiter gebildet wird.
Der Grund dafür
ist, daß beim
Lesen der Marke mit dem von der Positioniermarke reflektierten Strahl ein
Metall ein höheres
Reflexionsvermögen
gewährleistet
und die Marke durch die Kamera leicht gelesen werden kann. Da außerdem in
dem Fall, wo die Positioniermarke mit dem Durchlichtstrahl gelesen
wird, das Metall den Lichtstrahl nicht durchläßt, kann die Positioniermarke
durch einen Schat tenriß bzw.
eine Silhouette erkannt und durch die Kamera leicht gelesen werden.
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Außerdem ist
es auch wünschenswert,
daß die
Positioniermarke gleichzeitig mit einer Leiterschaltung ausgebildet
wird, da es in diesem Fall nicht erforderlich ist, das Verfahren
zur Ausbildung der Positioniermarke zusätzlich bereitzustellen.
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Konkret
können
die Positioniermarken zum Zeitpunkt der Ausbildung einer Leiterstruktur
durch Ätzen
einer kupferbeschichteten Laminatplatte ausgebildet werden. Außerdem wird
auf der Leiterschaltung und auf der Fläche wo die Positioniermarke nicht
ausgebildet wird, ein Galvanisierresist aufgebracht, und die Leiterschaltung
und die Positioniermarke können
dadurch gleichzeitig durch die Metallisierung ausgebildet werden.
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Wie
oben erläutert,
ist es bei gleichzeitiger Ausbildung der Leiterschaltung und der
Positioniermarke wünschenswert,
einen Zwischenschicht-Harzisolator mit Lichtdurchlässigkeit
zu verwenden, da die Positioniermarke mit dem Zwischenschicht-Harzisolator
abgedeckt wird.
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Die
Erfinder haben sich bemüht,
durch Untersuchung eine Ursache der Durchmesservergrößerung der
Kontaktlöcher
usw. zu finden. Als Ergebnis ist nachgewiesen worden, daß der CO2-Laser
eine große
Wellenlänge
von 10,6 μm
aufweist, der Brennfleckdurchmesser bei der Fokussierung des Lichts durch
den Einfluß der
Beugung des Laserstrahls vergrößert wird,
und wenn die Ausgangsleistung erhöht wird, der Lochdurchmesser
größer wird
als der voreingestellte Wert.
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Daher
ist außerdem
festgestellt worden, daß die
Beugung des Laserstrahls gesteuert werden und der Brennfleckdurchmesser
bei der Fokussierung des Lichtstrahls so klein wie möglich eingestellt
werden kann, um ein Kontaktloch mit kleinem Durchmesser zu bilden,
wenn der Laserstrahl eine längere
Wellenlänge
aufweist.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
wandelt die vorliegende Erfindung den Laserstrahl von der Laserquelle
durch eine Oberwellenerzeugungseinrichtung in eine kürzere Wellenlänge um,
um die Beugung des Laserstrahls zu steuern, und kann außerdem den
Brennfleckdurchmesser des Laserstrahls bei der Fokussierung des
Laserstrahls durch Verkleinern des Grenzwerts der Fokussierungsgrenze
verringern. Als Ergebnis wird bei Erhöhung einer Ausgangsleistung
des Laserstrahls zur Ausbildung eines tieferen Lochs der Lochdurchmesser
nicht erweitert. Daher können
auch ein Kontaktloch und ein Loch von kleinem Durchmesser ausgebildet
werden.
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Als
die oben erläuterte
Laserquelle ist der CO2-Gaslaser wünschenswert, da die Vorrichtung kostengünstig ist
und eine hohe Ausgangsleistung liefert und außerdem niedrige Betriebskosten
sichert.
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Als
Oberwellenerzeugungseinrichtung kann ein Wellenleiter oder das Volumen
eines nichtlinearen optischen Kristalls verwendet werden.
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Konkret
wird an der Oberwellen-Austrittsseite des nichtlinearen optischen
Kristalls eine Einrichtung zur Reflexion des Laserstrahls von der
CO2-Laserquelle und zum Durchlassen der
durch den nichtlinearen optischen Kristall erzeugten Oberwelle bereitgestellt.
Der Laserstrahl mit der Wellenlänge
der Lichtquelle wird reflektiert, und der Laserstrahl mit der kürzeren Wellenlänge wird
direkt durchgelassen. Daher wird die Bearbeitung nur durch den Laserstrahl
mit der kürzeren
Wellenlänge
ausgeführt.
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Als
Einrichtung zur Reflexion des Laserstrahls von der Bearbeitungslaserquelle
und zum Durchlassen der durch den nichtlinearen optischen Kristall
erzeugten Oberwelle wird auf der Oberfläche der Kollimatorlinse ein
Dünnfilm
(Überzug),
z. B. aus Natriumfluorid, ausgebildet.
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Hierbei
wird empfohlen, die Funktion für
einen Totaldurchgang des Laserstrahls von der Bearbeitungslaserquelle
auf der Eintrittsseite des nichtlinearen optischen Kristalls, d.
h. auf der Seite der Bearbeitungslaserquelle bereitzustellen, um
die Eingangs- und Ausgangsausbeute des Lichtstrahls zu verbessern.
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Auf
der Eintrittsseite des nichtlinearen optischen Kristalls wird an
der Oberfläche
der Kondensorlinse und der Stirnfläche des nichtlinearen optischen
Kristalls als der Einrichtung zum Bereitstellen der Funktion des
Totaldurchgangs des Laserstrahls von der Bearbeitungslaserquelle
eine Dünnschicht aus
Natriumfluorid und Silicium usw. ausgebildet, in der die Schichtenzahl
und die Schichtdicke eingestellt werden.
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Außerdem ist
es auch zulässig,
daß der nichtlineare
optische Kristall innerhalb der Laserquelle angebracht wird und
die Funktion zur Reflexion eines Teils des Laserstrahls mit der
Wellenlänge
der Lichtquelle auf der Eintrittsseite des nichtlinearen optischen
Kristalls vorgesehen wird, oder daß innerhalb der Bearbeitungslaserquelle
unter Verwendung eines halbdurchlässigen Spiegels ein Resonator
ausgebildet wird. Der Grund dafür
ist, daß der
Oberwellengenerator vom Resonatortyp einen hohen Umwandlungswirkungsgrad
gewährleistet
und daß außerdem ein
praktischer Einsatz und darüberhinaus
ein höherer
Umwandlungswirkungsgrad erzielt werden können, indem die Ausgangsleistung
des nichtlinearen optischen Kristalls erhöht wird.
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Als
nichtlinearer optischer Kristall ist Tellur vorzuziehen. Der CO2-Laser, der als Laserquelle optimal ist,
gewährleistet
das Band im fernen Infrarot und realisiert die Phasenanpassung der
Wellenlänge dieses
Bands.
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Bei
Verwendung von Tellur wird der Schnittwinkel für die c-Achse auf θ = 14,3° festgelegt,
um die Phasenanpassung für
den CO2-Laser zu realisieren.
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Die
Wellenlänge
des CO2-Lasers beträgt 10,6 μm, und die zweite Harmonische
(erste Oberwelle) hat die Wellenlänge von 5,3 μm. Daher
kann das Loch mit einem Durchmesser von 50 μm, was etwa gleich dem 10-fachen
der zweiten Harmonischen ist, leicht ausgebildet werden.
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Um
das Loch in dem Zwischenschicht-Harzisolator zu bohren, muß hierbei
die Wellenlänge
360 nm oder weniger oder 3000 nm oder mehr betragen. Daher muß die Wellenlänge der
Bearbeitungslaserquelle, die eine kürzere Wellenlänge der
zweiten Harmonischen gewährleistet,
720 nm oder weniger oder 6000 nm oder mehr betragen.
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Die
vorliegende Erfindung ist besonders wirkungsvoll bei der Ausbildung
des Lochs, wenn das Aspektverhältnis
(Lochtiefe/Lochdurchmesser) höchstens
gleich 1,5 ist.
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Die
Erfinder haben die vorliegende Erfindung als Ergebnis von Untersuchungen
entwickelt, indem sie festgestellt haben, daß der Lichtstrahl immer von der
Unterseite der Positioniermarke her eingestrahlt werden kann, ohne
durch den X-Y-Tisch
selbst oder den Antriebsmotor behindert zu werden, indem die Lichtquelle
an der Position eingebettet wird, die der Positioniermarke des X-Y-Tischs
entspricht.
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Wenn
bei der vorliegenden Erfindung ein zu bearbeitendes Werkstück, wie
z. B. eine Mehrlagenleiterplatte, auf den X-Y-Tisch aufgelegt wird,
dann wird, da die Lichtquelle in den Bereich eingebettet ist, welcher
der Positioniermarke des zu bearbeitenden Werkstücks, wie z. B. der Mehrlagenleiterplatte,
entspricht, die Positioniermarke als Schattenriß erkannt, da das Licht von
der Lichtquelle durch die Positioniermarke des zu bearbeitenden
Werkstücks,
wie z. B. der Mehrlagenleiterplatte, abgeschirmt wird, und wird dann
durch die Kamera gelesen. Dieser Schattenriß wird nicht durch den Glanz
einer Harzschicht beeinflußt,
auch wenn die Positioniermarke an der unteren Lage der durch den
Laser zu entfernenden Harzschicht angebracht wird. Da außerdem die
Lichtquelle in den X-Y-Tisch selbst eingebettet ist, wird die Lichtquelle
niemals durch den X-Y-Tisch oder den Antriebsmotor abgeschirmt,
und da sich die Lichtquelle zusammen mit dem X-Y-Tisch bewegt, kann das
Licht immer von der Unterseite der Positioniermarke her eingestrahlt
werden, und die Positioniermarke kann immer erkannt werden, selbst
wenn sich der X-Y-Tisch bewegt.
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Da
es außerdem
ausreicht, wenn die Lichtquelle nur die Fläche der Positioniermarke bestrahlt, können die
Lichtquellenfläche
und die Lichtmenge reduziert, und dadurch wird das Substrat niemals
deformiert, und die Größe des Werkstücks, wie
z. B. des Substrats, wird nie durch die Hitze von der Lichtquelle
verändert.
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Außerdem können, da
die Lichtquellenfläche verkleinert
werden kann, eine Rille und ein Loch zum Zweck der Unterdruckansaugung
an dem X-Y-Tisch angebracht werden, und das Substrat kann sicher
fixiert werden.
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Als
die bei der vorliegenden Erfindung verwendete Lichtquelle können eine
LED (Leuchtdiode), eine Laserquelle, eine Leuchtstofflampe oder
eine kleine Glühbirne
aufgeführt
werden. Die LED ist besonders zu bevorzugen, da sie klein und leicht
ist, daher die Trägheit
des X-Y-Tischs nicht erhöht
und mit Sicherheit eine geringe Wärmeentwicklung und hohe Leuchtdichte
realisiert. Außerdem
eignet sie sich für die
Massenproduktion der Leiterplatte, da sie eine längere Austauschzeit sichert.
Als Farbe des durch diese LED emittierten Lichts ist grün zu bevorzugen, da
es durch ein CCD-Element als Bildaufnahmeelement der Kamera erkannt
werden kann.
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Als
Struktur der Lichtquelle wird eine Öffnung an dem X-Y-Tisch vorgesehen,
und die Lichtquelle, wie z. B. die LED, und eine an die Lichtquelle
anzuschließende
Fassung werden in diese Öffnung
eingebettet. Die Fassung wird mit dem Kabel verbunden, das an der
Innenseite oder Rückseite
des X-Y-Tischs verlegt ist, und dieses Kabel wird dann an die äußere Stromversorgung
angeschlossen.
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Für die Öffnung ist
eine rechteckige Form besonders zu bevorzugen. Die Positioniermarke
wird für
jede Isolatorschicht ausgebildet, und daher überlappen sich diese Marken
niemals. Außerdem
sind die Öffnungen
auf einer Linie in Querrichtung ausgebildet, während die Positioniermarken
jeder Schicht voneinander abweichen. Da die Öffnung rechteckförmig ausgebildet
ist, kann die Positioniermarke jeder Schicht gleichzeitig mit dem
Lichtstrahl bestrahlt werden.
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Da
bei der vorliegenden Erfindung die Positioniermarke vorher in der
vorgegebenen Position des Werkstücks,
wie z. B. der Mehrlagenleiterplatte, ausgebildet wird, wird die
Position des Werkstücks,
wie z. B. des Substrats, aktuell durch Messen der Position des Schattenrisses
der Positioniermarke mit einer Kamera gemessen, die Daten für den Antrieb
des Galvanospiegels und des X-Y-Tischs werden erzeugt, um die Abweichung
der Substratposition gemäß den eingegebenen
Bearbeitungsdaten und dem tatsächlich
gemessenen Wert der Substratposition zu kompensieren, und der Galvanospiegel
und der X-Y-Tisch werden in Abhängigkeit
von diesen Antriebsdaten angetrieben. Dadurch ist es möglich, das Bohren
vieler Kontaktlöcher
im Bereich von einigen hundert bis einigen tausend zu realisieren
und dabei die höhere
Positioniergenauigkeit einzuhalten.
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Bei
der vorliegenden Erfindung ist es vorzuziehen, daß die Positioniermarke
der Mehrlagenleiterplatte aus einem metallischen Leiter hergestellt wird.
Da ein Metall den Lichtstrahl nicht durchläßt, kann die Positioniermarke
durch einen Schattenriß erkannt
und mit der Kamera leicht gelesen werden.
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Außerdem wird
die Positioniermarke vorzugsweise gleichzeitig mit der Leiterschaltung
ausgebildet, da in diesem Fall das Ausbildungsverfahren für die Positioniermarke
nicht zusätzlich
bereitgestellt werden muß.
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Bei
der Ausbildung der Positioniermarke auf der Mehrlagenleiterplatte
ist es wünschenswert,
daß die
Positioniermarke der oberen Lage von der Positioniermarke der unteren
Lage abweicht. Dadurch überlagert
sich der Schattenriß der
Positioniermarke der oberen Lage niemals mit der Positioniermarke der
unteren Lage.
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Konkret
kann die Positioniermarke bei Gelegenheit der Ausbildung der Leiterstruktur
durch Ätzen
der kupferbeschichteten Laminatplatte ausgebildet werden. Außerdem wird
vorher ein Galvanisierresist auf der Fläche aufgebracht, wo die Leiterschaltung
und die Positioniermarke nicht vorgesehen sind, und dadurch können die
Leiterschaltung und die Positioniermarke gleichzeitig durch den
Metallisierungsvorgang ausgebildet werden.
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Bei
gleichzeitiger Ausbildung der Leiterschaltung und der Positioniermarke
wird die Positioniermarke mit dem Zwischenschicht-Harzisolator abgedeckt.
Daher ist die Verwendung eines Materials mit Lichtdurchlässigkeitseigenschaft
als Zwischenschicht-Harzisolator vorzuziehen. Außerdem ist auch die Verwendung
eines Materials mit Lichtdurchlässigkeitseigenschaft
für das
Substrat selbst vorzuziehen, auf dem der Zwischenschicht-Harzisolator
ausgebildet wird.
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Wenn
in der bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung bei der Ausbildung eines Kontaktlochs mit
dem Laserstrahl durch einen Abtastkopf kein Kontaktloch mit dem
anderen Abtastkopf ausgebildet wird, tastet der andere Abtastkopf die
Außenseite
der Bearbeitungsfläche
der Mehrlagenleiterplatte mit dem Laserstrahl ab. Dadurch ist es möglich, die Bearbeitung
in unterschiedlichen Strukturen mit mehreren Abtastköpfen auszuführen.
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Da
in der bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung eine Übertragungsmaske zwischen
der Bearbeitungslaserquelle und dem Strahlteiler vorgesehen ist,
kann die Struktur gegenüber
der Struktur, wo mehrere Masken vorgesehen sind, vereinfacht werden.
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Da
in der bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung die Übertragungsmaske
zwischen dem Strahlteiler und jedem Abtastkopf vorgesehen ist, kann
der Abstand von jeder Übertragungsmaske
zu der Mehrlagenleiterplatte als dem Bearbeitungsgegenstand ausgeglichen
werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 zeigt
ein Schema einer Herstellungsvorrichtung für Mehrlagenleiterplatten in
Bezug auf die erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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2 zeigt
ein Blockschaltbild der Steuervorrichtung der in 1 dargestellten
Herstellungsvorrichtung;
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3 zeigt
ein Ablaufdiagramm für
die Bearbeitung, die durch die in 2 dargestellte
Steuervorrichtung ausgeführt
wird;
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4 zeigt
ein Ablaufschema für
die Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte in Bezug auf die erste
Ausführungsform;
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5 zeigt
ein Ablaufschema für
die Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte in Bezug auf die erste
Ausführungsform;
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6 zeigt
ein Schema einer Herstellungsvorrichtung für Mehrlagenleiterplatten in
Bezug auf ein Modifikationsbeispiel der ersten Ausführungsform;
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7 zeigt
ein Schema einer Herstellungsvorrichtung für Mehrlagenleiterplatten in
Bezug auf die zweite Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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8 zeigt
eine Schnittansicht entlang der Linie A-A des in 7 dargestellten
X-Y-Tischs;
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9(A) zeigt eine Draufsicht einer Öffnung des
in 8 dargestellten X-Y-Tischs, 9(B) zeigt eine
Schnittansicht der Öffnung, 9(C) zeigt eine Draufsicht der Öffnung,
und 9(D) zeigt eine Schnittansicht
der Öffnung;
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10 zeigt
ein Ablaufschema für
die Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte in Bezug auf die zweite
Ausführungsform;
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11 zeigt
ein Ablaufschema für
die Herstellung einer Mehrlagenleiterplatte in Bezug auf die zweite
Ausführungsform;
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12 zeigt
ein Schema einer Mehrlagenleiterplatte in Bezug auf die dritte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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13 zeigt
ein Blockschaltbild einer Steuervorrichtung der in 12 dargestellten
Herstellungsvorrichtung;
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14 zeigt
ein Ablaufdiagramm der Bearbeitung durch die in 13 dargestellte
Steuervorrichtung;
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15 zeigt
ein Ablaufdiagramm des in 14 dargestellten
Galvanodaten-Erzeugungsprozesses;
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16 zeigt
ein Schema einer Herstellungsvorrichtung für Mehrlagenleiterplatten in
Bezug auf ein Modifikationsbeispiel der dritten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung; und
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17 zeigt
ein Schema einer Herstellungsvorrichtung für Mehrlagenleiterplatten in
Bezug auf ein weiteres Modifikationsbeispiel der dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Nachstehend
werden die bevorzugten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
erläutert.
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1 zeigt
eine Herstellungsvorrichtung für Mehrlagenleiterplatten
in Bezug auf die erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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In
der ersten Ausführungsform
wird als Laserquelle ein CO2-Laseroszillator 60 verwendet,
der CO2-Laserstrahlung mit einer Wellenlänge von
10,6 μm
erzeugt. Dieser CO2-Laseroszillator 60 ist als
Oszillator vom Resonatortyp konstruiert, der durch Einschließen des
CO2-Gases zwischen einem totalreflektierenden
Spiegel 60B und einem teilreflektierenden Spiegel 60A gebildet
wird. Von dem angeregten CO2 wird eine Energie
als Laserstrahl durch den teilreflektierenden Spiegel 60A ausgestrahlt.
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Der
von dem CO2-Laseroszillator 60 ausgestrahlte
Laserstrahl mit einem Strahldurchmesser von 20 mm wird durch eine
Kondensorlinse 92 aus Zinkselenid (ZnSe) mit einem Dünnschichtüberzug aus
Natriumfluorid (hergestellt von MELLES GRIOT) gebündelt und
fällt dann
auf metallisches Tellur 94 auf. Die Oberfläche der
Kondensorlinse 92 ist vollkommen durchlässig für den Lichtstrahl mit der Wellenlänge von
10,6 μm
(AR: Antireflexion).
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Das
Tellur 94 hat eine Länge
von 5 mm und wird zur Phasenanpassung in dem Winkel θ = 14,3° zur c-Achse
geschnitten. Das einfallende Licht mit der Wellenlänge von
10,6 μm
wird durch Tellur in die zweite Harmonische mit der Wellenlänge von
5,3 μm umgewandelt.
Die umgewandelte zweite Harmonische wird von dem Tellurkristall 94 emittiert
und fällt dann
auf die Kollimatorlinse 90 auf. Die Einfalls- und Emissions-Stirnflächen des
Tellurkristalls 94 sind mit einer Dünnschicht aus Natriumfluorid überzogen,
die für
den Strahl mit der Wellenlänge
von 10,6 μm
eine Antireflexeigenschaft aufweist, um den Einfalls- und Emissionswirkungsgrad
zu verbessern.
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Die
von dem Tellur 94 emittierte zweite Harmonische mit der
Wellenlänge
von 5,3 μm
wird durch die Kollimatorlinse 90 parallel gerichtet. Die
Oberfläche
der Kollimatorlinse 90 (hergestellt von MELLES GRIOT) ist
mit einer Dünnschicht
aus Natriumfluorid überzogen,
deren Schichtenzahl und -dicke eingestellt werden. Diese Oberfläche ist
totalreflektierend (HR: Totalreflexion) für den Laserstrahl mit der Wellenlänge von
10,6 μm
und total durchlässig
(AR) für die
zweite Harmonische mit der Wellenlänge von 5,3 μm. Das heißt, der
Laserstrahl mit der Wellenlänge von
10,6 μm,
der Wellenlänge
der nicht umgewandelten Lichtquelle, wird blockiert. Daher trägt nur der
Laserstrahl mit der Wellenlänge
von 5,3 μm
zur Bearbeitung bei.
-
Der
Laserstrahl mit der Wellenlänge
von 5,3 μm
wird durch einen Spiegel 66 des optischen Systems reflektiert
und durch die Übertragungsmaske 62 zum
Galvanokopf 70 gelenkt, um den Brennpunkt auf dem Substrat
einzustellen.
-
Der
Galvanokopf (Abtastkopf) 70 besteht aus einem Satz von
Galvanospiegeln, der durch den Galvanospiegel 74X zum Ablenken
des Laserstrahls in X-Richtung und den Galvanospiegel 74Y zum
Ablenken des Laserstrahls in Y-Richtung gebildet wird. Diese Spiegel 74X, 74Y werden
durch die Stellmotoren 72X, 72Y angetrieben. Die
Motoren 72X, 72Y stellen die Winkel der Spiegel 74X, 74Y in
Abhängigkeit
von dem Steuerbefehl von dem weiter unten zu erläuternden Computer ein und übertragen
außerdem
das Erfassungssignal von dem eingebauten Codierer zur Computerseite.
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Der
Ablenkbereich des Galvanospiegels beträgt 30 mm × 30 mm. Außerdem beträgt die Positioniergeschwindigkeit
des Galvanospiegels 400 Punkte/s innerhalb des Ablenkbereichs. Der
Laserstrahl wird durch ein Paar Galvanospiegel 74X bzw. 74Y in der
X- bzw. Y-Richtung abgelenkt und passiert die f-θ-Linse 76 und trifft
dann auf die Bindemittelschicht des weiter unten zu erläuternden
Substrats 10 auf, um das Kontaktloch (die Öffnung)
zu formen.
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Das
Substrat 10 wird auf den X-Y-Tisch 80 aufgelegt,
der sich in den X-Y-Richtungen bewegt. Da, wie oben erläutert, der
Ablenkbereich des Galvanospiegels jedes Galvanokopfs 70 gleich
30 mm × 30 mm
ist und das Substrat 10 mit Abmessungen von 500 mm × 500 mm
verwendet wird, ist die Anzahl der Schrittbereiche des X-Y-Tischs 80 gleich
289 (17 × 17).
Das heißt,
die Bearbeitung des Substrats 10 kann abgeschlossen werden,
indem die Bewegung von 30 mm in X-Richtung 17 mal bzw. die Bewegung in
Y-Richtung 17 mal wiederholt wird.
-
Die
oben erläuterte
Herstellungsvorrichtung ist außerdem
mit der CCD-Kamera 82 ausgestattet, und daher werden die
Positionen der Zielmarken (Positioniermarken) 11, die in
vier Ecken des Substrats 10 angeordnet sind, gemessen,
um nach dem Fehlerausgleich mit der Bearbeitung zu beginnen.
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Nachstehend
wird die Steuervorrichtung dieser Herstellungsvorrichtung unter
Bezugnahme auf 2 erläutert.
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Die
Steuervorrichtung umfasst einen Computer 50, der als Eingabe
die Lochkoordinatenwerte (Bearbeitungsdaten) der Mehrlagenleiterplatte,
die vom Eingabeabschnitt 54 eingegeben werden, und die
durch die CCD-Kamera 82 gemessene Position der Zielmarke 11 empfängt, um
die im Speicherabschnitt 52 zu speichernden Bearbeitungsdaten
zu erzeugen. Der eigentliche Bohrvorgang kann durchgeführt werden,
indem der X-Y-Tisch 80, der Laser 60 und der Galvanokopf 70 auf
der Basis der Bearbeitungsdaten angetrieben werden.
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Hier
wird der Prozeß der
Bearbeitungsdatenerzeugung durch den Computer 50 unter
Bezugnahme auf 3 ausführlicher erläutert.
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Der
Computer 50 steuert zunächst
den X-Y-Tisch 80 zur Position der CCD-Kamera 82,
um die Zielmarke 11 zu bewegen (erster Prozeß). Fehler, wie
z. B. Abweichung in X-Richtung, Abweichung in Y-Richtung, ein Kompressionsgrad
des Substrats und ein Drehungsgrad, werden durch Erfassen der Positionen
der vier Zielmarken 11 mit der CCD-Kamera 82 gemessen
(zweiter Prozeß).
Hierbei werden Fehlerdaten zur Korrektur des Meßfehlers erzeugt (dritter Prozeß).
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Anschließend korrigiert
der Computer 50 die Lochkoordinatenwerte, die aus den Koordinaten
entsprechender Löcher
bestehen, mit den im dritten Prozeß erzeugten Fehlerdaten, um
die tatsächlichen
Bearbeitungsdaten zu erzeugen, die aus den Koordinaten der tatsächlich gebohrten
Löcher
bestehen (vierter Prozeß).
Auf der Basis der tatsächlichen
Bearbeitungsdaten werden die Galvanokopf-Daten für den Antrieb des Galvanokopfs 70 erzeugt
(fünfter
Prozeß),
die Tischdaten für
den Antrieb des X-Y-Tischs werden erzeugt (sechster Prozeß), und
außerdem werden
die Laserdaten für
die Zeitsteuerung der Oszillation des Lasers 60 erzeugt
(siebenter Prozeß). Diese
Daten werden vorübergehend
im Speicherabschnitt 52 gespeichert, wie oben erläutert, und
der eigentliche Bohrvorgang wird durch Ansteuern des X-Y-Tischs,
des Lasers 60 und des Galvanokopfs 70 in Abhängigkeit
von diesen Daten durchgeführt.
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Nachstehend
wird der Herstellungsprozeß der
Mehrlagenleiterplatte unter Verwendung der Herstellungsvorrichtung
in Bezug auf die erste Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 4 und 5 erläutert.
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Zunächst wird
unter Verwendung einer in 4(A) dargestellten
kupferbeschichteten Laminatplatte 10a als Ausgangsmaterial,
wobei Kupferfolie 12 von 18 μm Dicke auf beide Flä chen den
Substrats 10 auflaminiert wird, das aus Glas-Epoxid oder
BT (Bismaleimidtetrazin) von 500 × 500 mm und 1 mm Dicke besteht,
die Kupferfolie in Form einer Struktur nach dem üblichen Verfahren geätzt, wie
in dem Prozeß (B)
dargestellt, um die Kupferstrukturen 14a, 14b der
inneren Schicht und Zielmarken 11 auf beiden Oberflächen des
Substrats 10 auszubilden.
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Hier
wird ein Zwischenschicht-Harzisolator hergestellt. Nach dem Vermischen
von 70 Gewichtsteilen eines Epoxidharzes vom Kresolnovolak-Typ (hergestellt
von Nippon Kayaku Co., Ltd.: Molekulargewicht 2500), das in DMDG
(Dimethylglycoldimethylether) gelöst ist, 30 Gewichtsteilen Polyethersulfon
(FE), 4 Gewichtsteilen Imidazol-Härtungsmittel (Shikoku Chemicals
Corp.: Markenname 2E4MZ-CN) und anschließendem weiterem Vermischen
von 35 Gewichtsteilen Epoxidharzteilchen mit einer mittleren Teilchengröße von 5,5 μm und 5 Gewichtsteilen
mit einer mittleren Teilchengröße von 0,5 μm mit diesem
Gemisch werden diese Bestandteile mit einem Homogenisator weiter
geknetet, wobei NMP zugesetzt wird, um die Viskosität auf 12
Pa·s einzustellen,
und anschließend
werden diese Bestandteile mit einer Dreiwalzenmaschine geknetet, um
das Lösungsmittel
des Bindemittels (Zwischenschicht-Harzisolators) zu entfernen.
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Das
im Prozeß (B)
dargestellte Substrat 10 wird mit Wasser gewaschen und
dann getrocknet. Danach wird das Substrat 10 unter sauren
Bedingungen entfettet, sanft geätzt,
mit einem Katalysator-Lösungsmittel
verarbeitet, das Palladiumchlorid und organische Säure enthält, um einen
Pd-Katalysator zu erhalten, aktiviert und in dem stromlosen Metallisierungsbad
metallisiert, um die versenkten und vorspringenden Schichten (rauhe
Oberfläche)
aus Ni-P-Cu-Legierung mit einer Dicke von 2,5 μm an der Oberfläche der
Kupferleiter 14a, 14b, der Zielmarke 11 und
einer Kontaktloch-Anschlußstelle
zu bilden.
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Danach
wird das Substrat 10 mit Wasser gewaschen, dann eine Stunde
lang in das stromlose Verzinnungsbad aus Zinn-Borfluorid-Thioharnstoff mit einer Temperatur
von 50°C
eingetaucht, um an der rauhen Oberfläche der Ni-Cu-P-Legierung eine Zinnaustauschmetallisierungsschicht
mit einer Dicke von 0,3 μm
zu bilden.
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Wie
in dem Verfahren von 4(C) dargestellt,
wird das Bindemittel mit einer Walzenstreichmaschine auf das Substrat 10 aufgetragen
und dann 20 Minuten im horizontalen Zustand belassen. Dann wird
das Substrat 30 Minuten bei einer Temperatur von 60°C getrocknet,
um eine Bindemittelschicht 16 mit einer Dicke von 50 μm zu bilden.
Danach wird es dann 5 Stunden auf eine Temperatur von 170°C erhitzt,
um die Bindemittelschicht 16 zu härten. Diese Bindemittelschicht 16 ist
lichtdurchlässig.
Dadurch kann die mit der Bindemittelschicht 16 bedeckte
Zielmarke 11 leicht mit der CCD-Kamera 82 erkannt
werden.
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Danach
wird das Substrat 10 auf den in 1 dargestellten
X-Y-Tisch 80 aufgelegt, und die, wie oben erläutert, auf
dem Substrat 10 ausgebildete Zielmarke 11 wird
mit der CCD-Kamera 82 gemessen. Auf diese Weise wird nach
dem Messen und der Korrektur der Abweichung des Substrats 10 der
Impulsstrahl von dem Laseroszillator 60 auf das Substrat
eingestrahlt, um in der Bindemittelschicht 16 auf dem Substrat
das Loch 20 für
das Kontaktloch auszubilden (vergleiche Prozeß (D)).
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Das
heißt,
der Bohrvorgang wird mit der Konstruktion gemäß der vorliegenden Ausführungsform durchgeführt, in
der das optische System unter Verwendung einer Kondensorlinse 92,
einer Kollimatorlinse 90 und von Tellur 94 als
dem nichtlinearen optischen Kristall ausgebildet ist.
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Die
Ausgangsleistung des CO2-Laseroszillators 60 beträgt 5000
W, und die Impulsdauer beträgt 1 μs. Die Oberwellen-Ausgangsleistung
hat einen Spitzenwert von 1600 W, und der Umwandlungswirkungsgrad
betrug 32%. Hierbei wurde die Strahlungsenergie auf 0,8 mJ eingestellt.
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In
dieser Ausführungsform
wird der Laserstrahl der zweiten Harmonischen von 5,3 μm durch die
Bindemittelschicht (den Zwischenschicht-Harzisolator) 16 mit
einer Dicke von 50 μm
eingestrahlt, um den Bodenabschnitt (Kupferstrukturen 14a, 14b der
Innenschicht) zu bestrahlen und das Loch 20 mit einer Tiefe
von 50 μm
auszubilden. Außerdem
kann ein kleines Kontaktloch mit dem oberen Durchmesser des Lochs 20 (Öffnungsdurchmesser)
von 40 μm hergestellt
werden.
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Wie
oben erläutert,
kann durch Nutzung der Laserstrahlwellenlänge von 5,3 μm, die durch
Modulieren des Laserstrahls der kostengünstigen CO2-Laserquelle
auf die kürzere
Wellenlänge
erzeugt wurde, ein dünnes
und tiefes Loch gebohrt werden.
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Nachstehend
wird zu Vergleichszwecken das Testergebnis bei der Ausbildung eines
Kontaktlochs erläutert,
das in die Bindemittelschicht 16 von 50 μm Dicke gebohrt
wurde, indem der Laserstrahl bei einer Einstellung des Durchmessers
der Maske 62 auf 0,6 mm und der Strahlungsenergie auf 0,4
mJ durch Strukturieren des optischen Systems ohne Verwendung der
Kondensorlinse, der Kollimatorlinse oder von Tellur eingestrahlt
wurde. In diesem Fall beträgt
die Ausgangsleistung des CO2-Lasers 5000 W, und
die Impulsdauer beträgt
1 μs. Die
Ausgangsleistung der Harmonischen hat den Spitzenwert von 1600 W,
und die Wellenlänge
beträgt
10,6 μm.
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Der
obere Durchmesser des für
den Test ausgebildeten Lochs beträgt 40 μm, die Lochtiefe beträgt 30 μm, und die
Bestrahlung des Bodenabschnitts (Kupferstrukturen 14a, 14b der
Innenschicht) unter Durchgang durch die Bindemittelschicht 16 von 50 μm ist unmöglich.
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Bei
Erhöhung
der Strahlungsenergie auf 0,8 mJ im gleichen optischen System wurde
die Bestrahlung des Bodenabschnitts unter Durchgang durch die Bindemittelschicht 16 von
50 μm Dicke
realisiert, aber der obere Lochdurchmesser beträgt 60 μm, und der Öffnungsdurchmesser wird erweitert.
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Wenn
die Wellenlänge
10,6 μm
beträgt, kann,
wie oben erläutert,
ein Loch durch die Bindemittelschicht gebohrt werden, indem die
Ausgangsleistung erhöht
wird, aber der Lochdurchmesser wird gleichfalls erweitert. Außerdem kann
bei Verminderung der Ausgangsleistung der Lochdurchmesser verkleinert
werden, aber die Laserausgangsleistung kann nicht durch die Bindemittelschicht
durchgestrahlt werden, und die obere Lage kann nicht mit der unteren
Lage verbunden werden.
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Da
in dieser Ausführungsform
die Zielmarke 11 aus Kupfer besteht, gewährleistet
sie hohes Reflexionsvermögen
und kann leicht durch die CCD-Kamera 82 gelesen werden.
Da außerdem
Kupfer den Lichtstrahl nicht durchläßt, kann die Positioniermarke an
einem Schattenriß erkannt
und mit der CCD-Kamera 82 leicht gelesen werden. In dieser
Ausführungsform
wird Kupfer für
die Zielmarke 11 verwendet, aber anstelle von Kupfer können auch
andere Arten von metallischen Leitern verwendet werden, die gleichfalls
ein höheres
Reflexionsvermögen
sichern und den Lichtstrahl nicht durchlassen.
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Da
ferner die Zielmarke 11 gleichzeitig mit der Leiterschaltung
(den Kupferstrukturen 14a, 14b der Innenschicht)
ausgebildet wird, ist die zusätzliche Bereitstellung
eines Zielmarkenausbildungsprozesses nicht erforderlich.
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Nachstehend
wird ein Herstellungsverfahren für
Mehrlagenleiterplatten erläutert.
In dieser Ausführungsform
werden mit dem Laserstrahl von kürzerer Wellenlänge 5000
Löcher
in statistischer Verteilung auf dem Substrat (500 mm × 500 mm)
gebohrt. Hierbei beträgt,
wie oben erläutert,
der Ablenkbereich des Galvanospiegels 30 × 30 mm, und die Positioniergeschwindigkeit
innerhalb des Ablenkbereichs beträgt 400 Punkte/s. Andererseits
ist die Anzahl der Schrittbereiche des X-Y-Tischs gleich 289 (17 × 17). Das heißt, das
Laserverfahren wird abgeschlossen, indem die Bewegung von 30 mm
in X-Richtung 17 mal und die Bewegung von 30 mm in Y-Richtung 17
mal wiederholt wird. Die Bewegungsgeschwindigkeit des X-Y-Tischs 80 beträgt 15000
mm/min. Dabei ist die Erkennungszeit der vier Zielmarken 11 durch
die CCD-Kamera 82 gleich 9 Sekunden, einschließlich der
Bewegungszeit des Tischs 80. Wenn das Substrat 10 durch
eine derartige Herstellungsvorrichtung bearbeitet wird, beträgt die Bearbeitungsdauer
269,5 s.
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Das
Substrat 10 mit den darin ausgebildeten Löchern 20 wird
eine Minute in Chromsäure
getaucht, um die Epoxidharzteilchen in dem Zwischenschicht-Harzisolator
aufzulösen
und eine rauhe Oberfläche
des im Prozeß (E)
dargestellten Zwischenschicht-Harzisolators 16 zu erhalten.
Danach wird das Substrat in eine Neutralisierungslösung (hergestellt
von SHIPLEY Corp.) getaucht und dann mit Wasser gewaschen.
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Nach
Durchführung
des Verfahrens zum Ausbilden der rauhen Oberfläche wird dem Substrat 10 der
Palladiumkatalysator (ATOTECH Corp.) zugesetzt, um den Katalysatorkern
in die Bindemittelschicht 16 und das Loch für das Kontaktloch 20 einzubringen.
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Dann
wird Flüssigresist
hergestellt. Ein lichtempfindliches Oligomer (Molekulargewicht 4000), das
durch einen Acrylisierungsprozeß der
Epoxygruppe von 25% eines Epoxidharzes vom Kresolnovolak-Typ (hergestellt
von Nippon Kayaku Co., Ltd.: Markenname EOCN-103S), gelöst in DMDG,
ein Imidazol-Härtungsmittel
(hergestellt von Shikoku Chemicals Corp.: Markenname 2PMHZ-PW),
Acrylisocyanat (hergestellt von Toagosei Co., Ltd.: Markenname Alonix
M215), Benzophenon als Photoinitiator (hergestellt von Kanto Chemical
Co., Inc.) und Michlers Keton als Lichtempfindlichkeitsverstärker (hergestellt
von Kanto Chemical Co., Inc.) werden unter Verwendung von NMP in
der folgenden Zusammensetzung geknetet. Dann werden diese Bestandteile mit
einem Homodispersions-Rührwerk
auf eine Viskosität
von 3000 cps eingestellt und dann mit einer Dreiwalzenmaschine geknetet,
um den Flüssigresist zu
erhalten. Resist-Zusammensetzung:
lichtempfindliches Epoxidharz/M215/BP/MK/Imidazol = 100/10/5/0,5/5.
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Wie
in dem Prozeß (F)
von 5 dargestellt, wird nach Abschluß des Prozesses
zum Einbringen des Katalysatorkerns der oben erhaltene Flüssigresist
unter Verwendung einer Walzenstreichmaschine auf beide Oberflächen des
Substrats 10 aufgetragen. Dann wird er eine halbe Stunde
bei einer Temperatur von 60°C
getrocknet, um die Resistschicht 24 mit einer Dicke von
30 μm auszubilden.
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Nachdem
die nicht zu entfernende Fläche der
Resistschicht 24 durch Photoätzen oder Bestrahlen mit einem
Laser mit kleiner Ausgangsleistung behandelt wird, wird die Resistschicht
durch DMTG aufgelöst,
wie im Prozeß (G)
dargestellt, um auf dem Substrat 10 den Metallisierresist 26 auszubilden,
wobei die Struktur 26a zur Bildung der leitfähigen Schaltkreisstruktur
und die Struktur 26b zur Bildung der Zielmarken entfernt
werden. Außerdem
wird der Resist mit einer Quecksilberhöchstdrucklampe mit einer Energie
von 1000 mJ/cm2 eine Stunde bei einer Temperatur
von 100°C
bestrahlt. Danach wird das Substrat drei Stunden auf 150°C erhitzt,
um einen Permanentresist auf dem Zwischenschichtisolator (der Bindemittelschicht) 16 auszubilden.
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Das
Substrat 10 mit dem darauf ausgebildeten Permanentresist 26,
wie im Prozeß (H)
dargestellt, wird zuvor einem Vormetallisierungsprozeß ausgesetzt
(konkreter einer Behandlung mit Schwefelsäure und Aktivierung des Katalysatorkerns).
Danach wird durch stromlose Abscheidung in dem stromlosen Kupferbeschichtungsbad
eine nichtelektrolytische Kupferbeschichtung 28 mit einer
Dicke von etwa 15 μm
auf die nicht mit Resist bedeckte Fläche abgeschieden, um die Kupferstruktur 30 der äußeren Schicht,
das Kontaktloch 32 und die Zielmarke 111 zu bilden.
Dadurch wird durch ein Additivverfahren eine Leiterschicht ausgebildet.
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Die
oben erläuterten
Prozesse werden wiederholt, um ferner eine weitere Leiterschicht
durch das Additivverfahren auszubilden. In diesem Fall wird mit
der CCD-Kamera 82 unter Verwendung der auf dem Zwischenschichtisolator
(der Bindemittelschicht) 16 ausgebildeten Zielmarke 111 ein
Fehler gemessen, und das Loch für
das Kontaktloch wird mittels Laser ausgebildet. Durch Aufbau der
Verdrahtungslagen kann eine aus sechs Lagen bestehende Mehrlagenleiterplatte
geformt werden.
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Nachstehend
wird eine Struktur der Herstellungsvorrichtung in Bezug auf ein
Modifikationsbeispiel der ersten Ausführungsform erläutert. In
dem oben unter Bezugnahme auf 1 erläuterten
Profil ist der Tellurkristall 94 außerhalb des CO2-Laseroszillators 60 angeordnet,
der durch Einschließen
des CO2-Gases zwischen dem totalreflektierenden
Spiegel 60B und dem teilreflektierenden Spiegel 60A gebildet
wird. Unterdessen wird in der zweiten Ausführungsform der CO2-Laseroszillator 160 durch
Einschließen
des CO2-Gases zwischen dem Tellurkristall 194 und
dem totalreflektierenden Spiegel 160B bereitgestellt. Das
heißt,
der Tellurkristall 194 ist innerhalb des CO2-Laseroszillators 160 angeordnet. Der
Tellurkristall 194 ist so strukturiert, daß er an
der Oberfläche,
die dem totalreflektierenden Spiegel 160B gegenüberliegt,
teilreflektierend ist, um ebenso wie der teilreflektierende Spiegel 60A in
dem in 1 dargestellten Profil nur einen Teil der durch
das angeregte CO2-Gas emittierten Energie
durchzulassen.
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Da
in einem nichtlinearen optischen Kristall, wie z. B. dem Tellurkristall
usw., der Wirkungsgrad der Umwandlung in Harmonische bei Einfall
eines Laserstrahls von hoher Ausgangsleistung höher ist, trifft in dem CO2-Laseroszillator 160 ein Laserstrahl mit
hoher Ausgangsleistung auf den Tellurkristall auf, um einen höheren Wirkungsgrad
der Umwandlung in Harmonische zu realisieren.
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In
der oben erläuterten
Ausführungsform wird
ein Galvanokopf als Abtastkopf verwendet, aber alternativ kann ein
Polygonspiegel eingesetzt werden. Außerdem kann die Laserstrahlungsposition durch
Bewegen des X-Y-Tischs ohne Verwendung des Abtastkopfs eingestellt
werden.
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In
der obigen Ausführungsform
wird die Wellenlänge
des CO2-Lasers durch einen Tellurkristall verdoppelt,
aber es ist auch möglich,
die Laserwellenlänge
durch Bereitstellen des Tellurkristalls in zwei Stufen auf das Vierfache
zu erhöhen.
Außerdem
wird der CO2-Laser als Laseroszillator eingesetzt,
aber bei der vorliegenden Erfindung ist es auch möglich, die
Harmonischen verschiedener Laserquellen zu verwenden, wie z. B.
Argon usw. Hierbei muß die Wellenlänge des
Laserstrahls 360 nm oder weniger oder 3000 nm oder mehr betragen,
um die Löcher
in den Zwischenschicht-Harzisolator zu bohren. Das heißt, der
Laserstrahl mit einer Wellenlänge
von weniger als 300 nm und mehr als 3000 nm wird verwendet, um beim
Durchgang des Laserstrahls durch das Harz eine Wärmeentwicklung zu eliminieren.
Daher muß bei
Verdopplung der Wellenlänge
eine Laserquelle mit einer Wellenlänge von weniger als 720 nm und
mehr als 6000 nm verwendet werden. Ferner muß, wenn die Wellenlänge bis
zum Vierfachen erhöht
wird, eine Laserquelle mit einer Wellenlänge von weniger als 1440 nm
und mehr als 12000 nm verwendet werden.
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Außerdem wird
in der oben erwähnten
ersten Ausführungsform
Tellur als der nichtlineare optische Kristall verwendet, aber es
können
verschiedene Arten von nichtlinearen optischen Kristallen verwendet werden,
solange die Phasenanpassung mit dem Laserstrahl erreicht wird und
ein derartiger optischer Kristall den Laserstrahl von 10 μm bis 5 μm Wellenlänge durchläßt. Zum
Beispiel können
Galliumselenid GaSe, Silberantimonsulfid Ag3SbS3, Silberarsensulfid Ag3AsS3, Quecksilbersulfid HgS und Selen Se verwendet
werden.
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Außerdem wird
als zu bearbeitendes Werkstück
eine Mehrlagenleiterplatte verwendet, aber das Werkstück ist nicht
darauf beschränkt.
-
Nachstehend
wird die zweite Ausführungsform
der Erfindung unter Bezugnahme auf 7 bis 11 erläutert. 7 zeigt
die Herstellungsvorrichtung für
Mehrlagenleiterplatten in Bezug auf die zweite Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
-
In
der zweiten Ausführungsform
wird der CO2-Laseroszillator 260 mit
einer Wellenlänge
von 10,6 μm
als Laserquelle verwendet. Der von dem Laseroszillator 260 emittierte
Lichtstrahl wird durch die Übertragungsmaske 262 zum
Galvanokopf geschickt, um den Brennpunkt auf dem Substrat einzustellen.
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Der
Abtastkopf 270 umfasst einen Galvanospiegel, der durch
einen Satz aus dem Galvanospiegel 274X zum Ablenken des
Laserstrahls in X-Richtung und dem Galvanospiegel 274Y zum
Ablenken des Strahls in Y-Richtung gebildet wird. Diese Spiegel 274X, 274Y werden
durch Stellmotoren 272X, 272Y angetrieben. Die
Motoren 272X, 272Y stellen die Winkel der Spiegel 274X, 274Y entsprechend dem
Steuerbefehl von dem weiter unten zu erläuternden Computer ein und übertragen
außerdem
das Erfassungssignal von dem eingebauten Codierer zur Computerseite.
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Der
Ablenkbereich des Galvanospiegels beträgt 30 × 30 mm. Außerdem beträgt die Positioniergeschwindigkeit
des Galvanospiegels 400 Punkte/s im Ablenkbereich. Der Laserstrahl
wird durch ein Paar Galvanospiegel 274X, 274Y in
den X-Y-Richtungen abgelenkt, um die f-θ-Linse 276 zu passieren und
dann die weiter unten beschriebene Bindemittelschicht des Substrats 210 zu
erreichen, um ein Loch 220 (eine Öffnung) für das Kontaktloch auszubilden.
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Das
Substrat 210 wird auf den X-Y-Tisch 280 aufgelegt,
der sich in die X-Y-Richtungen bewegt. Da, wie oben erläutert, der
Ablenkbereich des Galvanospiegels jedes Galvanokopfs 270 30
mm × 30
mm beträgt
und ein Substrat 210 von 500 mm × 500 mm verwendet wird, ist
die Anzahl der Schrittbereiche des X-Y-Tischs 280 gleich 289 (17 × 17).
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In
der Herstellungsvorrichtung ist eine CCD-Kamera 282 vorgesehen,
um die Position der Zielmarken (Positioniermarken) 211a zu
messen, die an den vier Ecken des Substrats 210 angeordnet sind,
und einen Fehler hinsichtlich des Starts der Bearbeitung zu korrigieren.
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Nachstehend
wird eine Struktur des X-Y-Tischs 280 gemäß dieser
Ausführungsform
unter Bezugnahme auf 7 und 8 ausführlicher
erläutert. 8 zeigt
eine Schnittansicht entlang der Linie A-A des in 7 dargestellten
X-Y-Tischs 280.
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Wie
in 7 dargestellt, ist in dem Bereich, welcher der
Positioniermarke 211a der Leiterplatte 210 entspricht,
eine rechteckige Öffnung 280a von
30 mm × 8
mm vorgesehen, wenn die Leiterplatte 210 an den vier Ecken
auf den X-Y-Tisch 280 aufgelegt wird. Wie in 8 dargestellt,
wird ein (Steck)Sockel 286 in Eingriff mit der jeweiligen Öffnung 280a gebracht.
Der Sockel 286 wird mit dem Kabel 283 verbunden,
das an der Innenseite des X-Y-Tischs 280 verlegt ist, und
dieses Kabel 283 wird mit dem Verbindungsstecker 281 verbunden,
der am Endabschnitt des X-Y-Tischs 280 vorgesehen ist.
Dieser Verbindungsstecker 281 wird ferner an das Kabel 290 von der
externen Stromversorgung angeschlossen. Die Verbindung mit der externen
Stromversorgung kann außer
der Verwendung des Kabels gemäß der vorliegenden
Ausführungsform
auch durch ein Gleitkontaktverfahren realisiert werden. In dem Sockel 286 sind
vier LEDs befestigt, die der Spezifikation Nr. HP-HLMP-2685 entsprechen
(Stanley Electric Co., Ltd. H-3000-L, Sharp Corp. GL5-UR-3K usw.).
Die Öffnung 280a ist
mit einem lichtdurchlässigen
oder halbdurchlässigen
Glas- oder Acryldeckel 289 versehen, und dadurch kann die
LED 288 geschützt
werden, wenn der Laserstrahl falsch eingestrahlt wird. An der Unterseite
des X-Y-Tischs 280 sind der X-Antriebsmotor 284X für den Antrieb
in der X-Richtung und
der Y-Antriebsmotor 284Y für den Antrieb in der Y-Richtung
angeordnet. In dem X-Y-Tisch 280 gemäß der vorliegenden Ausführungsform
sind eine Rille und ein Loch (nicht dargestellt) für Unterdruckansaugung
und Fixieren des Substrats an einer anderen Oberfläche als
derjenigen, die der Lichtquelle entspricht, vorgesehen.
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Die
Erläuterung
der Steuervorrichtung der Herstellungsvorrichtung wird hier nicht
wiederholt, da sie derjenigen der oben erläuterten ersten Ausführungsform
entspricht.
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Nachstehend
wird das Verfahren zur Erzeugung der Bearbeitungsdaten durch den
Computer 250 gemäß der zweiten
Ausführungsform
erläutert. Das
durch den Computer 250 ausgeführte Verfahren ist ähnlich demjenigen
in der ersten Ausführungsform,
die oben unter Bezugnahme auf 3 beschrieben
wurde, und wird daher unter Bezugnahme auf 3 und 9 erläutert. 9(B) zeigt eine vergrößerte Schnittansicht der Öffnung 280a des
in 8 dargestellten X-Y-Tischs 280. 9(A) zeigt eine Draufsicht der Öffnung 280a,
gesehen von der Seite der CCD-Kamera 282.
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Der
Computer 250 steuert zunächst den X-Y-Tisch 280 zur
Position der CCD-Kamera 282, um die Zielmaske 211a zu
verschieben (erster Prozeß, dargestellt
in 3). Es wird veranlaßt, daß die LED 288 das
Licht emittiert, welches das BT-Harzsubstrat 210 (vergleiche 9(B)) durchstrahlt, um von der Rückseite
des Substrats aus Schattenrisse der Zielmarke 211a auf
der Oberseite des Substrats und der Zielmarke 211b zu erzeugen
(vergleiche 9(A)). Die CCD-Kamera 282 erkennt
diese Schattenrisse und nimmt die Positionen der vier Zielmarken 211a des
Substrats 210 auf (vergleiche 7), um die Fehler
zu messen, wie z. B. eine Abweichung in X-Richtung, eine Abweichung
in Y-Richtung, eine Kompression des Substrats und einen Drehungsbetrag
(zweiter Prozeß).
Um die gemessenen Fehler zu korrigieren, werden Fehlerdaten erzeugt
(dritter Prozeß).
Die vier Zielmarken 211b werden aufgenommen, um die Rückseite
des Substrats 211 zu bearbeiten. Die gewünschte Form
der Zielmarke ist eine Kreisform, deren Mittelpunkt leicht durch
den Computer abgeleitet werden kann.
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Anschließend korrigiert
der Computer 250 die Lochkoordinatenwerte, die aus den
Koordinaten der Bearbeitungslöcher
bestehen, mit den durch den dritten Prozeß erzeugten Fehlerdaten, um
die aktuellen Bearbeitungsdaten zu erzeugen, die aus den Koordinaten
der Löcher
bestehen, die tatsächlich
zu bohren sind (vierter Prozeß).
Auf der Basis der aktuellen Bearbeitungsdaten werden die Abtastkopfdaten für den Antrieb
des Gal vanokopfs 270 erzeugt (fünfter Prozeß), die Tischdaten für den Antrieb
des X-Y-Tischs 280 werden erzeugt (sechster Prozeß), und
die Laserdaten der Zeitsteuerung für die Oszillation des Lasers 260 werden
erzeugt (siebenter Prozeß).
Diese Daten werden vorübergehend
in dem Speicherabschnitt 252 gespeichert, und das eigentliche
Bohrverfahren wird durch Ansteuern des X-Y-Tischs 280, des Lasers 260 und
des Galvanokopfs 270 auf der Basis dieser Daten ausgeführt.
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Nachstehend
wird das Herstellungsverfahren einer Mehrlagenleiterplatte unter
Verwendung der Mehrlagenleiterplatte gemäß der zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 10 und 11 beschrieben.
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Unter
Verwendung der kupferbeschichteten Laminatplatte 210a als
Ausgangsmaterial, in der eine Kupferfolie von 18 μm Dicke auf
beide Oberflächen des
Substrats 210 auflaminiert ist, das aus einem lichtdurchlässigen oder
halbdurchlässigen
Glas-Epoxy-Substrat oder aus BT (Bismaleimidtetrazin) von 500 × 500 mm
mit einer Dicke von 1 mm besteht, wie im Prozeß (A) von 10 dargestellt,
werden zunächst
die Kupferstrukturen 214a, 214b der Innenschicht,
die Zielmarke 211a zur Bearbeitung der Substratoberfläche und
die Zielmarke 211b zur Bearbeitung der Rückseite
auf beiden Seiten des Substrats 211 ausgebildet, indem
die Kupferfolie nach dem üblichen
Verfahren strukturiert geätzt
wird, wie in 10(B) dargestellt.
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Das
in 10(B) dargestellte Substrat 210 wird
mit Wasser gewaschen und dann getrocknet. Das Substrat 210 wird
dann einem Entfettungsprozeß in
einer zum schonenden Ätzen
dienenden Säure
ausgesetzt. Dann wird es mit einem Katalysatorlösungsmittel behandelt, das
aus Palladiumchlorid und organischer Säure besteht. Dadurch wird ihm
der Pd-Katalysator zugesetzt und aktiviert. Danach wird das Substrat
einer Metallisierung in dem stromlosen Metallisierungsbad ausgesetzt,
um auf der Oberfläche
der Kupferleiter 214a, 214b, der Zielmarken 211a, 211b und
der Kontaktloch-Anschlußstelle
eine vertiefte und vorstehende Schicht (rauhe Oberfläche) aus
Ni-P-Cu-Legierung
mit einer Dicke von 2,5 mm zu bilden.
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Das
Substrat wird dann mit Wasser gewaschen und dann eine Stunde bei
einer Temperatur von 50°C
in das stromlose Verzinnungsbad eingetaucht, das aus Zinn-Borfluorid-Thioharnstoff besteht,
um an der rauhen Oberfläche
aus Ni-Cu-P-Legierung
eine Zinn-Austauschmetallisierungsschicht zu bilden.
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Wie
im Prozeß (C)
dargestellt, wird das Bindemittel mit einer Walzenstreichmaschine
auf das Substrat 210 aufgetragen. und dann 20 Minuten im horizontalen
Zustand belassen. Dann wird das Substrat 30 Minuten bei einer Temperatur
von 60°C
getrocknet, um eine Bindemittelschicht 216 von 50 μm Dicke zu
bilden. Danach wird die Bindemittelschicht 216 durch einen
Erhitzungsvorgang 5 Stunden bei 170°C im Wärmeofen gehärtet. Diese Bindemittelschicht 216 ist
lichtdurchlässig.
Dadurch können
die mit dieser Bindemittelschicht 216 bedeckten Zielmarken 211a, 211b leicht
mit der CCD-Kamera 282 erkannt werden.
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Danach
wird das Substrat 210 auf den in 7 dargestellten
X-Y-Tisch 280 aufgelegt, und das Substrat 210 wird
durch Unterdruckansaugen durch die auf dem X-Y-Tisch 280 vorgesehenen
Rillen und Löcher
auf dem X-Y-Tisch 280 fixiert. Dann werden die an den vier
Ecken des Substrats 210 ausgebildeten Zielmarken 211a,
wie oben erwähnt,
mit der CCD-Kamera 282 gemessen, und die Abweichung des
Substrats 210 wird gemessen und korrigiert. Danach wird
vom Laseroszillator 260 ein Impulsstrahl von 50 μs Dauer mit
einer Ausgangsleistung von 400 W eingestrahlt. Dieser Lichtstrahl
dient zur Ausbildung eines Lochs 220 für das Kontaktloch in der Bindemittelschicht 216 des
Substrats (vergleiche Prozeß (D)).
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Da
in dieser Ausführungsform
für die
Zielmarken 211a, 211b Kupfer verwendet wird, das
den Lichtstrahl nicht durchläßt, können die
Positioniermarken mittels der Schattenrisse leicht erkannt und mit
der CCD-Kamera 282 leicht gelesen werden. In dieser Ausführungsform
wird Kupfer für
die Zielmarken 211a, 211b verwendet, aber es können auch
verschiedene andere metallische Leiter verwendet werden, die den
Lichtstrahl gleichfalls nicht durchlassen.
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Da
außerdem
die Zielmarken 211a, 211b gleichzeitig mit der
Leiterschaltung (den Leiterstrukturen 214a, 214b der
Innenschicht) ausgebildet werden, braucht das Verfahren zur Aus bildung
der Zielmarken nicht zusätzlich
bereitgestellt zu werden.
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In
dieser Ausführungsform
werden 5000 Löcher
in statistischer Verteilung auf dem Substrat (500 mm × 500 mm)
gebohrt. Hierbei beträgt,
wie oben erwähnt,
der Ablenkbereich des Galvanospiegels 30 mm × 30 mm, und die Positioniergeschwindigkeit
beträgt
400 Punkte/s innerhalb des Ablenkbereichs. Andererseits ist die
Anzahl der Schrittbereiche des X-Y-Tischs 280 gleich 289
(17 × 17).
Die Bewegungsgeschwindigkeit des X-Y-Tischs 280 beträgt 15000 mm/min.
Die Erkennungszeit der vier Zielmarken 211a, 211b durch
die CCD-Kamera 282 beträgt
dabei 9 Sekunden, einschließlich
der Bewegungszeit des Tischs 280.
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Wenn
das Substrat 210 mit dieser Herstellungsvorrichtung hergestellt
wird, beträgt
die Verarbeitungszeit 269,5 Sekunden.
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Das
Substrat 210 mit den ausgebildeten Löchern 220 wird eine
Minute in Chromsäure
getaucht, um die Epoxidharzteilchen in der isolierenden Harzzwischenschicht
zu lösen
und die Schicht 216 mit der rauhen Oberfläche zu bilden,
wie im Prozeß (E)
dargestellt. Danach wird das Substrat in eine Neutralisierungslösung (SHIPLEY
Corp.) eingetaucht und dann mit Wasser gewaschen.
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Der
Katalysatorkern kann in die Bindemittelschicht 216 und
das Loch 220 für
das Kontaktloch eingebracht werden, indem der Palladiumkatalysator (ATOTECH
Corp.) nach Abschluß der
Ausbildung der rauhen Oberfläche
dem Substrat 210 zugesetzt wird.
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Wie
im Prozeß (F)
von 11 dargestellt, wird nach abgeschlossenem Einbringen
des Katalysatorkerns der Flüssigresist
ebenso wie derjenige in der ersten Ausführungsform mit einer Walzenstreichmaschine
auf beide Oberflächen
des Substrats 21 aufgetragen und dann 30 Minuten bei 60°C getrocknet,
um die Resistschicht 224 mit einer Dicke von 30 μm zu bilden.
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Danach
wird der nicht zu entfernende Abschnitt der Resistschicht 224 durch
Photoätzen
oder Bestrahlen mit einem Laser mit kleiner Ausgangsleistung behandelt,
und dann wird die Resistschicht durch DMTG aufgelöst, wie
im Prozeß (G)
dargestellt, um auf dem Substrat 210 den Metallisierresist 226 aus zubilden,
wobei die Struktur 226b zur Bildung der leitfähigen Schaltkreisstruktur 226a und
der Zielmarken entfernt werden. Dann wird der Resist mit einer Quecksilberhöchstdrucklampe
mit einer Energie von 1000 mJ/cm2 bestrahlt.
Außerdem
wird das Substrat 210 eine Stunde auf 100°C und dann
drei Stunden auf 150°C
erhitzt, um einen Permanentresist 226 auf der isolierenden
Zwischenschicht (der Bindemittelschicht) 216 zu bilden.
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Wie
im Prozeß (H)
dargestellt, wird die Vorverarbeitung (konkret die Behandlung mit
Schwefelsäure
und die Aktivierung des Kondensatorkerns) an dem Substrat 210 ausgeführt, auf
dem der Permanentresist 226 ausgebildet ist. Danach wird
eine nichtelektrolytische Kupferbeschichtung 228 mit einer
Dicke von 15 μm
durch stromlose Metallisierung in dem stromlosen Kupferbeschichtungsbad
auf dem Abschnitt ohne Resistausbildung abgeschieden, um die Kupferstruktur 230 der äußeren Schicht,
das Kontaktloch 232 und die Zielmarken 211a', 211b' im Hinblick
auf die Ausbildung der Leiterschicht nach dem Additivverfahren auszubilden.
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Durch
Wiederholung der oben erläuterten Prozesse
wird nach dem Additivverfahren eine weitere Leiterschicht ausgebildet.
In diesem Fall wird, wie in 9(C) und 9(D) dargestellt, ein Fehler mit der CCD-Kamera 282 gemessen,
und das Loch für das
Kontaktloch wird unter Verwendung der Oberseitenbearbeitungs-Zielmarken 211a' und der Rückseitenbearbeitungs-Zielmarken 211b', die auf der
isolierenden Harzzwischenschicht (Bindemittelschicht) 216 ausgebildet
sind, mittels Laserstrahl ausgebildet. Die aus vier oder mehr Lagen
bestehende Mehrlagenleiterplatte kann durch Aufbau der Verdrahtungslagen
gebildet werden, wie oben erläutert.
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Nachstehend
wird die dritte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 12 bis 17 erläutert.
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12 zeigt
eine Herstellungsvorrichtung für
Mehrlagenleiterplatten in Bezug auf die dritte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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In
dieser Ausführungsform
wird der CO2-Laseroszillator 360 als
Laserquelle verwendet. Der vom Laseroszillator 360 emittierte
Lichtstrahl tritt durch die Übertragungsmaske 362 in einem
Strahlteiler 364 ein, um den Brennpunkt auf dem Substrat
einzustellen. In dem Strahlteiler 364 wird das einfallende
Licht im Leistungsverhältnis
1:1 verteilt und dann zum Galvanokopf (Abtastkopf) 370A auf
der Seite A und durch Reflexion an dem Spiegel 366 zu dem
Galvanokopf (Abtastkopf) 370B auf der Seite B übertragen. Als
Strahlteiler können
Kombinationen von mehreren Prismensätzen und Strahlteiler verwendet
werden, die man durch Anordnen einer mehrlagigen Folie aus Zinkselenid
(ZnSe) erhält.
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Der
Galvanokopf 370A auf der Seite A und der Galvanokopf 370B auf
der Seite B setzen sich jeweils aus einer Gruppe von Galvanospiegeln
zusammen, die aus dem Galvanospiegel 374X zum Ablenken
des Laserstrahls in X-Richtung und dem Galvanospiegel 374Y zum
Ablenken des Strahls in Y-Richtung besteht, und diese Spiegel 374X, 374Y werden durch
die Stellmotoren 372X, 372Y angetrieben. Die Motoren 372X, 372Y stellen
die Winkel der Spiegel 374X, 374Y ein und übertragen
das Erfassungssignal von dem eingebauten Codierer entsprechend dem
Steuerbefehl von dem weiter unten zu beschreibenden Computer zur
Computerseite.
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Der
Ablenkbereich des Galvanospiegels beträgt 30 × 30 mm, und die Positioniergeschwindigkeit des
Galvanospiegels beträgt
400 Punkte/s im Ablenkbereich. Der Abstand zwischen dem Galvanokopf 370A auf
der Seite A und dem Galvanokopf 370B auf der Seite B wird
zum mehrfachen Auskehlen auf ein Intervall von 250 mm eingestellt,
das gleich der halben Substratgröße (500
mm × 500
mm) ist, um den Wirkungsgrad der Substratbearbeitung zu verbessern.
Der Laserstrahl wird durch ein Paar Galvanospiegel 374X, 374Y in
den X-Y-Richtungen abgelenkt, passiert dann die f-θ-Linse 376 und
erreicht dann die Bindemittelschicht des Substrats 310, wie
weiter unten erläutert
wird, um das Loch (die Öffnung)
für das
Kontaktloch auszubilden.
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Das
Substrat 310 wird auf den X-Y-Tisch 380 aufgelegt,
der sich in den X-Y-Richtungen bewegt. Da, wie oben erläutert, der
Ablenkbereich der Galvanospiegel der Galvanoköpfe 370A, 370B gleich
30 mm × 30
mm ist und das Substrat 31 von 500 mm × 500 mm verwendet wird, ist
die Anzahl der Schrittbereiche des X-Y-Tischs 380 gleich
289 (17 × 17).
Das heißt,
die Laserbearbeitung wird abgeschlossen, indem die Bewegung von
30 mm in X-Richtung 17 mal und
die Bewegung von 30 mm in Y-Richtung 17 mal wiederholt
werden.
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In
der Herstellungsvorrichtung ist die CCD-Kamera 382 angeordnet,
und die Bearbeitung wird begonnen, nachdem die Positionen der an
den vier Ecken des Substrats 310 angeordneten, Zielmarken 311 gemessen
und dann ein Fehler kompensiert worden ist.
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Nachstehend
wird die Steuervorrichtung der Herstellungsvorrichtung unter Bezugnahme
auf 13 erläutert.
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Die
Steuervorrichtung besteht aus einem Computer 350, der eine
Eingabe der Lochkoordinatenwerte der Mehrlagenleiterplatte (Bearbeitungsdaten),
die vom Eingabeabschnitt 354 eingegeben werden, und die
durch die CCD-Kamera 382 gemessene Position der Zielmarken
(Positioniermarken) 311 empfängt, um die Bearbeitungsdaten
zu erzeugen, und die Daten dann im Speicherabschnitt 352 speichert.
Auf der Basis der Bearbeitungsdaten werden der X-Y-Tisch 380,
der Laser 360 und die Galvanoköpfe 370A, 370B zum
Zweck des eigentlichen Lochbohrvorgangs gesteuert.
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Nachstehend
wird der Prozeß zum
Erzeugen der Bearbeitungsdaten durch den Computer 350 unter
Bezugnahme auf 14 ausführlich erläutert.
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Der
Computer 350 steuert den X-Y-Tisch 380 zur Position
der CCD-Kamera 382, um die Zielmarke 311 zu bewegen
(erster Prozeß).
Fehler, wie z. B. eine Abweichung in X-Richtung, eine Abweichung
in Y-Richtung, Kompression des Substrats und ein Drehungsbetrag,
können
durch Aufnahme der Positionen der vier Zielmarken 311 mit
der CCD-Kamera 382 gemessen werden (zweiter Prozeß). Die
Fehlerdaten zur Kompensation des gemessenen Fehlers werden erzeugt
(dritter Prozeß).
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Danach
korrigiert der Computer 350 die Lochkoordinatenwerte, die
aus den Koordinaten für das
Bohren der Löcher
bestehen, mit den durch den dritten Prozeß erzeugten Fehlerdaten, um
die aktuellen bzw. tatsächlichen
Bearbeitungsdaten zu erzeugen, die aus den Koordinaten des tatsächlich zu
bohrenden Lochs bestehen (vierter Prozeß). Auf der Basis der aktuellen Bearbeitungsdaten
werden die Galvanokopf-Daten für
den Antrieb der Galvanoköpfe 370A, 370B erzeugt
(fünfter
Prozeß),
die Tischdaten für
den Antrieb des X-Y-Tischs 380 werden erzeugt (sechster
Prozeß),
und die Laserdaten für
die Zeitsteuerung der Oszillation des Lasers 360 werden gleichfalls
erzeugt (siebenter Prozeß).
Diese so erzeugten Daten werden dann vorübergehend im Speicherabschnitt 352 gespeichert
und steuern den X-Y-Tisch 380, den Laser 360 und
die Galvanoköpfe 370A, 370B auf
der Basis der Daten für
den eigentlichen Lochbohrvorgang.
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Die
Erzeugung der Galvanodaten, die im fünften Prozeß verwendet werden, wird nachstehend unter
Bezugnahme auf 15, die das Ablaufdiagramm dieses
Prozesses darstellt, ausführlicher
erläutert.
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Bei
der Herstellung mehrerer Mehrlagenleiterplatten durch mehrfaches
Auskehlen des Substrats kann es als angemessen betrachtet werden,
den Lochbohrvorgang mit der gleichen Struktur durchzuführen, um
zwei Tafeln der Mehrlagenleiterplatte von gleicher Form gleichzeitig
mit dem Galvanokopf 370A auf der Seite A und dem Galvanokopf 370B auf der
Seite B zu bohren. Da jedoch die Positioniergenauigkeit des Lochbohrvorgangs
20 μm beträgt, ist es
erforderlich, die zwei benachbarten Mehrlagenleiterplatten von gleicher
Form mit einer Genauigkeit von 20 μm zu positionieren, was aber
sehr schwierig ist. Daher werden in dieser Ausführungsform die Löcher am
Galvanokopf 370A der Seite A anders als diejenigen am Galvanokopf 370B der
Seite B gebohrt. Das Verfahren zu diesem Zweck wird nach dem in 15 dargestellten,
weiter unten zu erläuternden
Verfahren durchgeführt.
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Zunächst ermittelt
der Computer 350 aus den Koordinaten jedes Lochs der aktuellen
Bearbeitungsdaten, ob jedes Loch durch den Galvanokopf 370A auf
der Seite A oder den Galvanokopf 370B auf der Seite B zu
bearbeiten ist (S12). Wenn ein Loch mit dem Galvanokopf 370A auf
der Seite A gebohrt wird (JA im Schritt S14), dann wird außerdem beurteilt,
ob oder nicht der Lochbohrvorgang durch den Galvanokopf 370A auf
der Seite A (Schritt S16) zu dem Zeitpunkt auszuführen ist,
wo der Laserstrahl von Laser 360 geliefert wird und der
Lochbohrvorgang durch den Galvanokopf 370B, d. h. den anderen
Galvanokopf, ausgeführt
wird.
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Hierbei
werden, wenn das Bohren nicht ausgeführt wird (NEIN im Schritt S16),
die Drehpositionen (Ablenkpositionen) des X-Achsen-Motors 374X und
des Y-Achsen-Motors 374Y mit den Galvanospiegeln 372X, 372Y so
eingestellt (S18), daß der
Laserstrahl auf eine vom Substrat 310 abweichende Position
gelenkt wird, nämlich
zu einem Bereich außerhalb
der Bearbeitungsobjektfläche
der Mehrlagenleiterplatte. Wenn andererseits das Bohren ausgeführt wird
(JA im Schritt S16), dann werden die Drehpositionen (Ablenkpositionen)
des X-Achsen-Motors 374X und des Y-Achsen-Motors 374Y so berechnet,
daß der
Laserstrahl mit den Galvanospiegeln 372X, 372Y auf
die Koordinatenpositionen der Ziellöcher eingestrahlt wird (S20,
S22). Im Fall der Bearbeitung mit dem Galvanokopf 370B auf
der Seite B (NEIN im Schritt S14) werden die entsprechenden Prozesse
ausgeführt
(S26, S28, S30, S32). Wenn die obigen Prozesse für die Koordinaten aller Löcher der aktuellen
Bearbeitungsdaten abgeschlossen sind (JA im Schritt S34), sind alle
Prozesse abgeschlossen.
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Nachstehend
wird die Herstellung der Mehrlagenleiterplatte unter Verwendung
der Herstellungsvorrichtung für
Mehrlagenleiterplatten in Bezug auf die dritte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 4 und 5 erläutert, auf
die auch für
die Erläuterung
des Herstellungsverfahrens gemäß der ersten
Ausführungsform Bezug
genommen wurde.
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Die
Prozesse (A) bis (C) entsprechen der ersten Ausführungsform, und die gleiche
Erläuterung wird
hier nicht wiederholt. Nach Abschluß des Prozesses (C) wird das
Substrat 10 auf den in 12 dargestellten
X-Y-Tisch 380 aufgelegt, und dann wird der Impulsstrahl
von 50 μs
Dauer mit einer Ausgangsleistung von 400 W vom Laseroszillator 360 auf das
Substrat 10 eingestrahlt. Dieser Lichtstrahl erzeugt ein
Loch 20 für
das Kontaktloch in der Bindemittelschicht 16 des Substrats
(vgl. Prozeß (D)).
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In
dieser Ausführungsform
werden 5000 Löcher
in statistischer Verteilung auf dem Substrat (500 mm × 500 mm)
gebohrt.
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Wie
oben erläutert,
beträgt
hierbei der Ablenkbereich der entsprechenden Galvanospiegel 30 × 30 mm,
und die Positioniergeschwindigkeit beträgt 400 Punkte/s innerhalb des
Ablenkbereichs. Andererseits ist die Anzahl der Schrittbereiche
des X-Y-Tischs 380 gleich
289 (17 × 17).
Die Bewegungsgeschwindigkeit des X-Y-Tischs 380 beträgt 15000 mm/min.
Die Erkennungszeit der vier Zielmarken 11 durch die CCD-Kamera 382 beträgt dabei
9 Sekunden, einschließlich
der Bewegungszeit des Tischs 380.
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Wenn
das Substrat 10 durch diese Herstellungsvorrichtung bearbeitet
wird, beträgt
die Bearbeitungszeit 134 Sekunden. In der Herstellungsvorrichtung
gemäß der ersten
und der zweiten Ausführungsform,
in der nur ein Galvanokopf verwendet wird, beträgt die Bearbeitungszeit 269,5
s. Wie oben erläutert,
kann die Bearbeitungszeit bei der vorliegenden Erfindung auf die
Hälfte
reduziert werden, ohne die Tischgröße zu verändern. Die Erläuterung
der Prozesse (E) bis (H) wird hier nicht wiederholt, da sie derjenigen
in der ersten Ausführungsform
entspricht.
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Nachstehend
wird die Herstellungsvorrichtung in Bezug auf das Modifikationsbeispiel
der dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 16 erläutert. In
der anhand von 12 erläuterten dritten Ausführungsform
sind zwei Galvanokopfeinheiten 370A, 370B vorgesehen. In
der dritten Ausführungsform
sind unterdessen drei Galvanokopfeinheiten 370A, 370B, 370C vorgesehen.
In diesem Modifikationsbeispiel wird ein Lichtstrahl mit einer Leistung,
die gleich 1/3 der vom Laser 360 ausgestrahlten Lichtleistung
ist, über
den Strahlteiler 364A, der den einfallenden Lichtstrahl
im Leistungsverhältnis
von 1:2 verteilt, dem Galvanokopf 370A auf der Seite A
zugeführt.
Außerdem
wird ein Lichtstrahl mit einer Leistung, die gleich 1/3 der Lichtleistung
ist, über
dem Strahlteiler 364A, der den Strahl im Leistungsverhältnis von
1:1 verteilt, dem Galvanokopf 370B auf der Seite B zugeführt, und
ferner wird ein Lichtstrahl mit einer Leistung, die gleich 1/3 der
Leistung ist, durch den Spiegel 366 dem Galvanokopf 370C auf
der Seite C zugeführt.
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In
der Herstellungsvorrichtung gemäß dem Modifikationsbeispiel
dieser dritten Ausführungsform kann
die Lochbohrzeit mittels Laser auf 1/3 verkürzt werden. In dieser Ausführungsform
werden drei Galvanokopfeinheiten verwendet, aber es können auch vier
oder mehr Galvanokopfeinheiten verwendet werden, indem das Leistungsverhältnis der
Strahlen durch den Strahlteiler eingestellt wird.
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Als
nächstes
wird eine Herstellungsvorrichtung in Bezug auf ein weiteres Modifikationsbeispiel der
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 17 beschrieben.
In der anhand von 12 erläuterten dritten Ausführungsform
ist zwischen dem Laseroszillator 360 und dem Strahlteiler 364 eine Übertragungsmaskeneinheit 362 angeordnet.
Andererseits sind in der Herstellungsvorrichtung gemäß der weiter
modifizierten dritten Ausführungsform
die Übertragungsmasken 362A, 362B jeweils
zwischen dem Strahlteiler 364 und den Galvanoköpfen 370A bzw. 370B angeordnet.
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In
der Struktur mit dem oben anhand von 12 erläuterten
Profil wird nur eine Übertragungsmaske 362 verwendet,
jedoch unterscheidet sich die optische Weglänge von der Übertragungsmaske 362 bis
zum Substrat 310 im Fall des Galvanokopfs 370A auf
der Seite A von derjenigen im Fall des Galvanokopfs 370B auf
der Seite B. Daher muß der
Abstand vom Substrat 310 zum Galvanokopf 370A auf
der Seite A anders eingestellt werden als der Abstand zum Galvanokopf 370B auf
der Seite B. In der in 17 dargestellten Struktur des
weiteren Modifikationsbeispiels ist unterdessen die optische Weglänge von
der Übertragungsmaske 362 bis
zum Substrat 310 im Fall des Galvanokopfs 370A auf
der Seite A und des Galvanokopfs 370B auf der Seite B gleich. Daher
kann der Abstand vom Substrat 310 zum Galvanokopf 370A auf
der Seite A auf den gleichen Wert eingestellt werden wie der Abstand
zum Galvanokopf 370B auf der Seite B.
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In
den oben erläuterten
zweiten und dritten Ausführungsformen
wird die vorliegende Erfindung auf eine Herstellungsvorrichtung
für Mehrlagenleiterplatten
angewandt, jedoch kann die vorliegende Erfindung auch auf verschiedene
Arten von Laserbearbeitungsvorrichtungen angewandt werden. Außerdem wird als
Abtastkopf ein Galvanokopf verwendet, aber es kann auch ein Polygonspiegel
verwendet werden. Ferner wird als Laseroszillator ein CO2-Laser verwendet, aber es können auch
verschiedene Lasertypen eingesetzt werden.
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Bei
der Vorrichtung gemäß der dritten
Ausführungsform
kann die Bearbeitungsgeschwindigkeit durch Nutzung des X-Y-Tischs zum Positionieren
des einzelnen Galvanokopfs gemäß der verwandten Technik
verbessert werden. Es ist nämlich
auch möglich,
mehrere Galvanoköpfe
herzustellen und den Laseroszillator für diese Köpfe bereitzustellen. In diesem
Fall vergrößern sich
unvermeidlich die Abmessungen der Vorrichtung, wie z. B. X-Y-Tischs.
Da jedoch in der dritten Ausführungsform
ein einzelner Laseroszillator verwendet wird, vergrößern sich
die Abmessungen der Vorrichtung nicht.
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Außerdem kann
die Fläche
des X-Y-Tischs auf die Größe nur eines
Werkstücks
eingestellt werden, indem mit zwei oder mehr Abtastköpfen nur
ein Werkstück
(Mehrlagenleiterplatte) bearbeitet wird, und dadurch kann die Bearbeitungsgeschwindigkeit ohne
Vergrößern der
Abmessungen der Vorrichtung erhöht
werden.
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Auswirkungen der Erfindung
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Da,
wie oben erläutert,
bei der vorliegenden Erfindung eine kürzere Wellenlänge durch
Modulation der Wellenlänge
der Laserquelle realisiert werden kann, können dünne Löcher sowie Kontaktlöcher unter
Verwendung einer kostengünstigen
Lichtquelle geformt werden.
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Da,
wie weiter oben erläutert,
bei der vorliegenden Erfindung einige hundert bis einige tausend Löcher durch
Bestrahlen mit einem Laserstrahl gebohrt werden können und
dabei die Positioniergenauigkeit der Kontaktlöcher sichergestellt werden kann,
ist die Massenproduktion der Mehrlagenleiterplatte mittels Laserstrahl
realisierbar.
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Da
bei der vorliegenden Erfindung, wie oben erläutert, das Licht immer von
der Unterseite der Positioniermarken eingestrahlt werden kann, um
die Positioniermarken auch dann genau zu lesen, wenn der X-Y-Tisch
selbst oder ein Antriebsmotor vorgesehen ist, kann der Bohrvorgang
durch den Laserstrahl mit höherer
Genauigkeit ausgeführt
werden.
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Da
außerdem,
wie oben erläutert,
bei der vorliegenden Erfindung mehrere Galvanoköpfe vorgesehen sind, auch wenn
nur eine Laserquelle verwendet wird, kann die Bohrgeschwindigkeit
verbessert werden, ohne die Abmessungen der Vorrichtung zu vergrößern, und
dadurch kann ein kostengünstiges
Laserbohren realisiert werden.