EP4233165A1 - Stromrichter mit mindestens zwei leistungshalbleitermodulen - Google Patents

Stromrichter mit mindestens zwei leistungshalbleitermodulen

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EP4233165A1
EP4233165A1 EP21824331.9A EP21824331A EP4233165A1 EP 4233165 A1 EP4233165 A1 EP 4233165A1 EP 21824331 A EP21824331 A EP 21824331A EP 4233165 A1 EP4233165 A1 EP 4233165A1
Authority
EP
European Patent Office
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power
connecting means
power semiconductor
plug
semiconductor modules
Prior art date
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Pending
Application number
EP21824331.9A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Felix Zeyß
Philipp Kneißl
Jens Schmenger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
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Pending legal-status Critical Current

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Definitions

  • the invention relates to a power converter with at least two power semiconductor modules, in particular of the same type.
  • the invention relates to a method for producing a power converter with at least two power semiconductor modules, in particular of the same type.
  • the power semiconductor modules in such a power converter are connected in parallel, for example, in order to achieve a higher load current.
  • a power converter is to be understood, for example, as a rectifier, an inverter, a converter or a DC voltage converter.
  • parasitic inductances and resistances can lead to an uneven, in particular asymmetrical, current distribution between the power semiconductor modules, which, for example, can excite oscillations and thus generate additional power loss and/or radiated interference. Radiated interference can affect other elements of the power converter and cause spontaneous destruction of a power semiconductor module.
  • such an asymmetrical current distribution can result in the individual power semiconductor modules being loaded differently and the service life of individual modules being reduced.
  • the object of the present invention is to specify a power converter which, compared to the prior art, has greater reliability.
  • a power converter with at least two power semiconductor modules, in particular of the same type, with the power semiconductor modules each wells have at least one power semiconductor and power contacts, the power semiconductors being electrically conductively connected to the power contacts of the respective power semiconductor module, the power contacts for parallel connection of the power semiconductor modules each being electrically conductively connected via external circuitry, the power semiconductors being electrically conductively connected via at least one additional connecting means are conductively connected to one another, the at least one additional connection means having a lower parasitic inductance and/or a lower series resistance than the external wiring.
  • the object is achieved according to the invention by a method for producing a power converter with at least two, in particular similar, power semiconductor modules, the power semiconductor modules each having at least one power semiconductor and power contacts, the power semiconductors being electrically conductively connected to the power contacts of the respective power semiconductor module, wherein the power contacts for parallel connection of the power semiconductor modules are each electrically conductively connected via an external circuit, wherein the power semiconductors are electrically conductively connected to one another via at least one additional connecting means, the at least one additional connecting means having a lower parasitic inductance and/or a lower series resistance than the has external wiring.
  • the invention is based on the consideration of increasing the reliability of a power converter by improving the symmetry in the current distribution between power semiconductor modules connected in parallel.
  • the power semiconductor modules each have at least one power semiconductor ter and power contacts, the power semiconductors being electrically conductively connected to the power contacts of the respective power semiconductor module.
  • the power semiconductors are each in the form of a transistor, in particular an insulated gate bipolar transistor (IGBT), a metal oxide de semiconductor field effect transistor (MOSFET), a field effect transistor, a thyristor or another Running semiconductors.
  • a diode, in particular an antiparallel diode is assigned to at least one transistor.
  • the power contacts which are each connected to a collector and/or emitter of at least one IGBT, for example, are each electrically conductively connected via external wiring for parallel connection of the power semiconductor modules.
  • the external wiring includes copper rails and/or cables, in particular insulated copper cables for parallel connection of the power semiconductor modules.
  • the power semiconductors are electrically conductively connected to one another via at least one additional connecting means, the at least one additional connecting means having a lower parasitic inductance and/or a lower series resistance than the external wiring.
  • the modules connected in parallel are connected directly to one another by the at least one additional connecting means, so that equalizing currents can flow. These compensating currents prevent the parallel circuit from oscillating and ensure better symmetry in the current distribution.
  • the at least one additional connecting means comprises, for example, in particular parallel conductors, which produce a direct connection between the power semiconductor modules.
  • the conductors are made of copper or a copper alloy, for example.
  • the conductors of the at least one connecting means are shorter than the comparatively long copper rails and/or cables of the external circuitry, so that the at least one connecting means has a lower inductance and/or a lower series resistance than the external circuitry. points .
  • the better symmetry in the current distribution improves the reliability of the power converter.
  • a further embodiment provides that the at least one additional connecting means has a lower current-carrying capacity than the external wiring.
  • the at least one additional connecting means has a lower current-carrying capacity than the external wiring.
  • the power semiconductor modules each have a housing which includes the respective power contacts, with at least one connecting means being arranged to run through the housing.
  • the housings are made of a plastic, for example, with at least one connecting means running through the housing, for example by means of a sealed housing bushing, and compliance with the clearance and creepage distances is thus ensured.
  • the shortened distance of the housing bushing enables a lower inductance of the at least one connecting means.
  • a further embodiment provides that at least one connecting means has connecting elements integrated into the respective housing, which are electrically conductively connected via at least one separate contacting element.
  • the e.g. B. identically designed connection elements are integrated into the housing, for example by means of a, in particular sealed, housing bushing.
  • the separate contacting element establishes an electrically conductive connection between the connection elements in a simple and cost-effective manner.
  • a further embodiment provides that a connecting element is detachably connected to a contacting element.
  • a detachable connection is made, for example, by means of a tongue and groove connection. through such This detachable connection makes it easier to replace a power semiconductor module, for example in the event of a defect.
  • a further embodiment provides that a connecting element is connected to a contacting element via a plug connection.
  • a plug-in connection is designed, for example, as a plug-socket connection, with the connection element having a socket and the contacting element having an associated plug, for example.
  • Such a plug connection in particular a detachable one, is simple, inexpensive and reliable.
  • a further embodiment provides that a connecting means comprises a first plug-in element, which is integrated into a first housing, and a second plug-in element, which is integrated into a second housing and differs from the first plug-in element, the first plug-in element and the second plug-in element via a plug-in connection, in particular releasably, electrically conductively connected.
  • the plug-in elements are detachably connected to one another, for example via a plug-socket connection. Such a connection technique allows a number of power semiconductor modules to be connected to one another in a very simple manner.
  • a further embodiment provides that a connecting means comprises parallel conductors.
  • Conductors running parallel form a capacitance which at least partially compensates for a parasitic inductance of the conductors.
  • the capacitance between the conductors can be flexibly dimensioned, for example, by the spacing and the overlapping of the conductors.
  • a further embodiment provides that the parallel conductors form a filter, in particular an RC filter, whose limit frequency is in the MHz range.
  • the capacitance of the RC filter is determined by the parallel conductors and the resistance of the RC Filter formed by the series resistance of the ladder.
  • the limit frequency of the designed low-pass filter is above an operating frequency of the power converter, so that higher frequencies are suppressed by the filtering effect of the RC filter, which has a positive effect on the oscillation behavior of the power converter.
  • a further embodiment provides that a connecting means comprises at least one filter element.
  • a filter element is, for example, a discrete component, in particular a resistor, a capacitor or an RC element.
  • a filter element of this type allows a lower limit frequency in a space-saving manner, so that vibrations between the power semiconductor modules are damped in a space-saving manner.
  • the at least one additional connection means comprises a PTC thermistor.
  • the PTC thermistor contains, for example, platinum and/or Resistherm (NiFe30). Such a PTC thermistor, whose resistance increases as the temperature rises, allows compensating currents to flow primarily during transient events. Furthermore, the at least one additional connection means is protected against overloading.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a first embodiment of a power converter in cross section
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a second embodiment of a power converter in cross section
  • 3 shows a schematic representation of a third embodiment of a power converter in cross section
  • FIG. 4 shows a schematic representation of a fourth embodiment of a power converter in cross section
  • FIG. 5 shows a schematic representation of a fifth embodiment of a power converter in cross section
  • FIG. 6 shows a schematic representation of a sixth embodiment of a power converter in cross section.
  • the described components of the embodiments each represent individual features of the invention to be considered independently of one another, which each also develop the invention independently of one another and thus also individually or in a combination other than that shown as part of the invention are to be seen. Furthermore, the embodiments described can also be supplemented by further features of the invention already described.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a first embodiment of a power converter 2 in cross section, which has two power semiconductor modules 4 , 6 of the same type.
  • the power semiconductor modules 4, 6 are arranged on a common base body 8, which is designed, for example, as a heat sink made of aluminum or an aluminum alloy, and each have a power semiconductor 10, 12, which is, for example, an insulated gate bipolar transistor (IGBT ) is executed .
  • the power semiconductors 10, 12 as a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), as a field effect transistor, designed as a thyristor or as a diode.
  • the power semiconductors 10, 12 designed as IGBTs are each assigned an antiparallel diode, which is not shown in FIG. 1 for reasons of clarity.
  • the power semiconductors 10 , 12 designed as IGBTs each have a collector contact C, an emitter contact E and a gate contact G.
  • the power semiconductor modules 4 , 6 each have a housing 14 , 16 which is made of a plastic, for example, and includes power contacts 18 , 20 , 22 , 24 .
  • a first power semiconductor 10 is arranged in a first housing 14, which includes a first power contact 18 and a second power contact 20, while a second power semiconductor 12 is arranged in a second housing 16, which includes a third power contact 22 and a fourth power contact 24 is .
  • the collector contact C of the first power semiconductor 10 is connected to the first power contact 18, while the emitter contact E of the first power semiconductor 10 is connected to the second power contact 20.
  • the collector contact C of the second power semiconductor 12 is connected to the third power contact 18, while the emitter contact E of the second power semiconductor 12 is connected to the fourth power contact 24.
  • the housings 14, 16 of the power semiconductor modules 4, 6 each have a control contact 28, 30, the gate contact G of the first power semiconductor 10 having a first control contact 28 and the gate contact G of the second power semiconductor 12 having a second control contact 30 is connected.
  • the corresponding power contacts 18 , 20 , 22 , 24 are each electrically conductively connected via external wiring 32 , 34 .
  • the collector contacts C of the power semiconductors 10 , 12 are electrically conductively connected by a first external wiring 32 and the emitter contacts E of the power semiconductors 10 , 12 are electrically conductively connected by a second external wiring 34 .
  • the outer Circuit 32, 34 includes z. B. at least one copper rail each.
  • the external wiring 32 , 34 can have cables, in particular insulated copper cables.
  • the power semiconductors 10 , 12 are directly electrically conductively connected to one another via an additional connecting means 36 .
  • the additional connecting means 36 comprises, in particular parallel, conductors 38, 40, which establish a direct connection between the power semiconductor modules 4, 6, the emitter contact E of the first power semiconductor 10 being connected via a first conductor 38 to the emitter contact E of the second Power semiconductor 12 and the collector contact C of the first power semiconductor 12 are connected via a second conductor 40 to the collector contact C of the second power semiconductor 12 .
  • the conductors 38 , 40 are made of copper or a copper alloy, for example, and are applied as a metallization to a dielectric, in particular ceramic, substrate 42 .
  • the additional connecting means 36 has a lower parasitic inductance and/or a lower series resistance than the external wiring 32, 34, since in particular the short conductors 38, 40 of the connecting means 36 have a lower inductance and/or a lower series resistance than the comparatively long ones , copper rails and/or cables of the external wiring 32, 34.
  • Such a direct connection between the power semiconductor modules 4, 6 allows equalizing currents to flow between the power semiconductors 10, 12, which prevent the parallel circuit from oscillating and ensure better symmetry in the current distribution.
  • the connecting means 36 is arranged to run through the housings 14 , 16 , with seals 44 sealing the respective housing 14 , 16 in the area of the housing passage.
  • a filter in particular an RC filter, can be formed by the conductors 38 , 40 running in parallel, the limit frequency of which is above an operating frequency of the power converter 2 .
  • the cut-off frequency of the filter formed by the parallel conductors 38, 40 is in the MHz range.
  • the connecting means 36 can be at least one, in particular discrete, filter element, e.g. B. a resistor, a capacitor and/or an RC element. Vibrations between the power semiconductor modules 4 , 6 are damped by such a filter.
  • the connecting means can include a PTC thermistor such as platinum or Resistherm (NiFe30).
  • At least one of the conductors 38 , 40 is made from a PTC thermistor.
  • a PTC thermistor whose resistance increases as the temperature rises, so that compensating currents can flow primarily during transient events.
  • the connecting means 36 is protected against overloading.
  • FIG. 2 shows a schematic illustration of a second embodiment of a power converter 2 in cross section, with the power semiconductors 10, 12 each being designed as a half-bridge.
  • a half-bridge constructed from two stacked IGBTs comprises a positive power supply contact P, a negative power supply contact N, an AC voltage contact W and two gate contacts G .
  • the positive voltage supply contact P of the first power semiconductor 10 is connected to the first power contact 18, while the negative voltage supply contact N of the first power semiconductor 10 is connected to the second power contact 20.
  • the positive voltage supply contact P of the second power semiconductor 12 is connected to the third power contact 22, while the negative voltage supply contact N of the second power semiconductor 12 is connected to the fourth power contact 24.
  • the AC voltage contact W of the first power semiconductor 10 is connected to a fifth power contact 46 and the AC voltage contact W of the second power semiconductor 12 is connected to a sixth power contact 48 .
  • the gate contacts G of the first power semiconductor 10 and of the second power semiconductor 12 are each connected to a control contact 28 , 30 , 50 , 52 .
  • the corresponding power contacts 18 , 20 , 22 , 24 , 46 , 48 are each electrically conductively connected via external wiring 32 , 34 , 54 .
  • the positive voltage supply contacts P of the power semiconductors 10 , 12 are electrically connected by a first external circuit 32
  • the negative voltage supply contacts N of the power semiconductors 10 , 12 are electrically connected by a second external circuit 34
  • the AC voltage contacts W of the power semiconductors 10 , 12 are electrically connected by a third external circuit 54 conductively connected.
  • the external wiring 32, 34, 54 includes z. B. at least one copper rail each. Additionally or alternatively, the external wiring 32 , 34 , 54 can include cables, in particular insulated copper cables.
  • the power semiconductors 10 , 12 are directly electrically conductively connected to one another via an additional connecting means 36 .
  • the additional connecting means 36 comprises, in particular parallel, conductors 38, 40, 56 which establish a direct connection between the power semiconductor modules 4, 6, the positive voltage supply contact P of the first power semiconductor 10 being connected via a first conductor 38 to the positive voltage supply contact P of the second power semiconductor 12, the negative voltage supply contact N of the first power semiconductor 12 is connected to the negative voltage supply contact N of the second power semiconductor 12 via a second conductor 40, and the AC voltage contact W of the first power semiconductor 10 is connected to the AC voltage contact W of the second power semiconductor 12 via a third conductor 56.
  • the further implementation of the power converter 2 in FIG. 2 corresponds to that in FIG.
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a third embodiment of a power converter 2 in cross section, with the connecting means 36, in particular identical connecting elements 58 integrated into the respective housings 14, 16. has, which are electrically conductively connected via a, in particular axisymmetric, separate contacting element 60.
  • the contacting element 60 is detachably connected on both sides via a plug connection to the connection elements 58 integrated in the housings 14 , 16 .
  • the plug-in connection is designed as a plug-socket connection, with the contacting element 60 having, for example, plugs 62 which are plugged into respective matching sockets 64 of the connection elements 58 .
  • the further implementation of the power converter 2 in FIG. 3 corresponds to that in FIG.
  • FIG. 4 shows a schematic representation of a fourth embodiment of a power converter 2 in cross section, which has three power semiconductor modules 4 , 6 , 66 of the same type, for example.
  • the power semiconductor modules 4, 6, 66 each have a power semiconductor, which is not shown in FIG. 4 for reasons of clarity, the power semiconductors, as shown in FIG. 3, being connected in parallel via an external circuit.
  • the power semiconductors of the power semiconductor modules 4 , 6 , 66 are directly electrically conductively connected to one another via additional connecting means 36 .
  • the further design of the power converter 2 in FIG. 4 corresponds to that in FIG.
  • the connecting means 36 has a first plug-in element 68 which is integrated into the first housing 14 and a second plug-in element 70 which is integrated into the second housing 16 and differs from the first plug-in element 68 .
  • the first plug-in element 68 has a plug 62 and the second plug-in element 70 has a socket 64 that fits the plug 62 .
  • the first plug-in element 68 and the second plug-in element 70 are connected via a plug-in connection, in particular releasably.
  • the further design of the power converter 2 in FIG. 5 corresponds to that in FIG. FIG.
  • FIG. 6 shows a schematic representation of a sixth embodiment of a power converter 2 in cross section, which has two power semiconductor modules 4 , 6 with power semiconductors 10 , 12 connected in parallel.
  • Power semiconductors 10 , 12 designed as IGBTs are connected to a DCB substrate 72 via collector C, for example by soldering or sintering, with contact being made with emitter E via a bond connection 74 .
  • the connecting means 36 which directly electrically conductively connects the power semiconductors 10 , 12 to one another, is also connected to the DCB substrate 72 via a bond connection 74 .
  • the connecting means 36 has a first conductor 38 which is applied to a first side 76 of a dielectric, in particular ceramic, substrate 42 .
  • the connecting means 36 has a second conductor 40, which is applied to a second side 78, opposite the first side 76, of the dielectric, in particular ceramic, substrate 42, so that the conductors 38, 40 are arranged in parallel on opposite sides of the substrate 42 and a, in particular parasitic, capacitance 80 is formed by the parallel conductors 38 , 40 .
  • the capacitance 80 is part of a filter, in particular an RC filter, whose limit frequency is above an operating frequency of the power converter 2 .
  • the second conductor 40 of the connecting means 36 is contacted, for example, from the DCB substrate 72 via a bond connection 74 to the first side 76 of the connecting means 36, the second conductor 40, in particular within the respective housing 14, 16, for example via a through-plating, is guided to the second side 78 of the connecting means 36 .
  • the further implementation of the power converter 2 in FIG. 6 corresponds to that in FIG.
  • the invention relates to a power converter 2 with at least two power semiconductor modules 4 , 6 , in particular of the same type.
  • the power semiconductor modules 4, 6 each have at least one power semiconductor 10, 12 and power contacts 18, 20, 22, 24, 46, 48, the power semiconductors 10, 12 being electrically conductive with the power contacts 18, 20, 22, 24, 46, 48 of the respective power semiconductor module 4, 6 are connected, with the power contacts 18, 20, 22, 24, 46, 48 for the parallel connection of the power semiconductor modules 4, 6 each being electrically conductively connected via external circuitry 32, 34, 54, with the power semiconductors 10, 12 being connected via at least one additional Connecting means 36 are electrically conductively connected to one another, the at least one additional connecting means 36 having a lower parasitic inductance and/or a lower series resistance than the external wiring 32, 34, 54.

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Stromrichter (2) mit mindestens zwei, insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen (4, 6). Um, im Vergleich zum Stand der Technik, eine höhere Zuverlässigkeit zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass die Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils zumindest einen Leistungshalbleiter (10, 12) und Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) aufweisen, wobei die Leistungshalbleiter (10, 12) elektrisch leitend mit den Leistungskontakten (18, 20, 22, 24, 46, 48) des jeweiligen Leistungshalbleitermoduls (4, 6) verbunden sind, wobei die Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils über eine äußere Beschaltung (32, 34, 54) elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Leistungshalbleiter (10, 12) über zumindest ein zusätzliches Verbindungsmittel (36) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel (36) eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung (32, 34, 54) aufweist.

Description

Beschreibung
Stromrichter mit mindestens zwei Leistungshalbleitermodulen
Die Erfindung betri f ft einen Stromrichter mit mindestens zwei , insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen .
Ferner betri f ft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Stromrichters mit mindestens zwei , insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen .
Die Leistungshalbleitermodule in einem derartigen Stromrichter werden beispielsweise parallelgeschaltet , um einen höheren Laststrom zu erzielen . Unter einem Stromrichter ist beispielsweise ein Gleichrichter, ein Wechselrichter, ein Umrichter oder ein Gleichspannungswandler zu verstehen . Insbesondere bei einer Parallelschaltung von Leistungshalbleitermodulen kann es aufgrund parasitärer Induktivitäten und Widerstände zu einer ungleichmäßigen, insbesondere unsymmetrischen, Stromaufteilung zwischen den Leistungshalbleitermodulen kommen, welche beispielsweise Schwingungen anregen und somit zusätzliche Verlustleistung und/oder Störabstrahlung erzeugen können . Eine Störabstrahlung kann andere Elemente des Stromrichters beeinflussen sowie eine spontane Zerstörung eines Leistungshalbleitermoduls verursachen . Ferner kann es aufgrund einer derartigen unsymmetrischen Stromaufteilung dazu kommen, dass die einzelnen Leistungshalbleitermodule unterschiedlich belastet werden und die Lebensdauer für einzelne Module sinkt .
Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, einen Stromrichter anzugeben, welcher, im Vergleich zum Stand der Technik, eine höhere Zuverlässigkeit aufweist .
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Stromrichter mit mindestens zwei , insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen gelöst , wobei die Leistungshalbleitermodule j e- wells zumindest einen Leistungshalbleiter und Leistungskontakte aufweisen, wobei die Leistungshalbleiter elektrisch leitend mit den Leistungskontakten des j eweiligen Leistungshalbleitermoduls verbunden sind, wobei die Leistungskontakte zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule j eweils über eine äußere Beschaltung elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Leistungshalbleiter über zumindest ein zusätzliches Verbindungsmittel elektrisch leitend miteinander verbunden sind, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung aufweist .
Darüber hinaus wird die Aufgabe erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Stromrichters mit mindestens zwei , insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen, wobei die Leistungshalbleitermodule j eweils zumindest einen Leistungshalbleiter und Leistungskontakte aufweisen, wobei die Leistungshalbleiter elektrisch leitend mit den Leistungskontakten des j eweiligen Leistungshalbleitermoduls verbunden werden, wobei die Leistungskontakte zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule j eweils über eine äußere Beschaltung elektrisch leitend verbunden werden, wobei die Leistungshalbleiter über zumindest ein zusätzliches Verbindungsmittel elektrisch leitend miteinander verbunden werden, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung aufweist .
Die in Bezug auf den Stromrichter nachstehend angeführten Vorteile und bevorzugten Ausgestaltungen lassen sich sinngemäß auf das Herstellungsverfahren übertragen .
Der Erfindung liegt die Überlegung zugrunde , die Zuverlässigkeit eines Stromrichters durch eine Verbesserung der Symmetrie in der Stromaufteilung zwischen parallel geschalteten Leistungshalbleitermodulen zu erhöhen . Die Leistungshalbleitermodule weisen j eweils zumindest einen Leistungshaiblei- ter und Leistungskontakte auf , wobei die Leistungshalbleiter elektrisch leitend mit den Leistungskontakten des j eweiligen Leistungshalbleitermoduls verbunden sind . Beispielsweise sind die Leistungshalbleiter j eweils als Transistor, insbesondere als Insulated-Gate-Bipolar-Transistor ( IGBT ) , als Metalloxi- de-Semiconductor-Field-Ef f ect-Transistor (MOSFET ) , als Feldef fekttransistor, als Thyristor oder als ein anderer Halbleiter ausgeführt . Beispielsweise ist zumindest einem Transistor eine , insbesondere antiparallele , Diode zugewiesen . Die Leistungskontakte , welche beispielsweise j eweils mit einem Kollektor und/oder Emitter zumindest eines IGBTs verbunden sind, sind zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule j eweils über eine äußere Beschaltung elektrisch leitend verbunden . Beispielsweise umfasst die äußere Beschaltung Kupferschienen und/oder Kabel , insbesondere isolierte Kupferkabel zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule .
Ferner sind die Leistungshalbleiter über zumindest ein zusätzliches Verbindungsmittel elektrisch leitend miteinander verbunden, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung aufweist . Durch das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel werden die parallel geschalteten Module direkt miteinander verbunden, sodass ein Fließen von Ausgleichströme ermöglicht wird . Diese Ausgleichströme verhindern das Aufschwingen der Parallelschaltung und sorgen für eine bessere Symmetrie in der Stromaufteilung . Das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel umfasst beispielsweise , insbesondere parallel verlaufende , Leiter, welche eine direkte Verbindung zwischen den Leistungshalbleitermodulen herstellen . Die Leiter sind zum Beispiel aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt . Insbesondere durch die direkte Verbindung sind die Leiter des zumindest einen Verbindungsmittels kürzer als die , vergleichsweise langen, Kupferschienen und/oder Kabel der äußeren Beschaltung ausgeführt , sodass das zumindest eine Verbindungsmittel eine geringere Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung auf- weist . Durch die bessere Symmetrie in der Stromaufteilung wird die Zuverlässigkeit des Stromrichters verbessert .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel eine geringere Stromtragfähigkeit als die äußere Beschaltung aufweist . Insbesondere da über das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel nur kurz zeitig ein Nennstrom fließt , ist dieses mit einer geringeren Stromtragfähigkeit und somit kompakter und kostengünstiger dimensionierbar .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass die Leistungshalbleitermodule j eweils ein Gehäuse aufweisen, welches die j eweiligen Leistungskontakte umfasst , wobei zumindest ein Verbindungsmittel durch das Gehäuse verlaufend angeordnet ist . Die Gehäuse sind beispielsweise aus einem Kunststof f hergestellt , wobei zumindest ein Verbindungsmittel , beispielsweise mittels einer abgedichteten Gehäusedurchführung, durch das Gehäuse verläuft und so eine Einhaltung der Luft- und Kriechstrecken gewährleistet ist . Durch die verkürzte Distanz der Gehäusedurchführung wird eine geringere Induktivität des zumindest einen Verbindungsmittels ermöglicht .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass zumindest ein Verbindungsmittel in die j eweiligen Gehäuse integrierte Anschlusselemente aufweist , welche über zumindest ein separates Kontaktierungselement elektrisch leitend verbunden sind . Die , z . B . identisch ausgeführten, Anschlusselemente sind beispielsweise mittels einer, insbesondere abgedichteten, Gehäusedurchführung in das Gehäuse integriert . Das separate Kontaktierungselement stellt einfach und kostengünstig eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Anschlusselementen her .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass ein Anschlusselement mit einem Kontaktierungselement lösbar verbunden ist . Eine lösbare Verbindung wird beispielsweise mittels einer Nut- und Feder-Verbindung hergestellt . Durch eine derar- tige lösbare Verbindung wird ein Austausch eines Leistungshalbleitermoduls , beispielsweise bei einem Defekt , erleichtert .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass ein Anschlusselement mit einem Kontaktierungselement über eine Steckverbindung verbunden ist . Eine derartige Steckverbindung ist beispielsweise als eine Stecker-Buchse-Verbindung ausgeführt , wobei beispielsweise das Anschlusselement eine Buchse und das Kontaktierungselement einen zugehörigen Stecker aufweist . Eine derartige , insbesondere lösbare , Steckverbindung ist einfach, kostengünstig und zuverlässig .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass ein Verbindungsmittel ein erstes Steckelement , welches in ein erstes Gehäuse integriert ist , und ein zweites Steckelement , welches in ein zweites Gehäuse integriert ist und sich vom ersten Steckelement unterscheidet , umfasst , wobei das erste Steckelement und das zweites Steckelement über eine Steckverbindung, insbesondere lösbar, elektrisch leitend verbunden sind . Die Steckelemente sind beispielsweise über eine Stecker-Buchse-Verbindung lösbar miteinander verbunden . Durch eine derartige Verbindungstechnik lassen sich sehr einfach mehrere Leistungshalbleitermodule miteinander verbinden .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass ein Verbindungsmittel parallel verlaufende Leiter umfasst . Durch parallel verlaufende Leiter wird eine Kapazität ausgebildet , welche eine parasitäre Induktivität der Leiter zumindest teilweise kompensiert . Die Kapazität zwischen den Leitern ist beispielsweise durch den Abstand und die Überlappung der Leiter flexibel dimensionierbar .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass durch die parallel verlaufenden Leiter ein Filter, insbesondere ein RC- Filter, ausgebildet wird, dessen Grenz frequenz im MHz-Bereich liegt . Insbesondere wird die Kapazität des RC-Filters durch die parallel verlaufenden Leiter und der Widerstand des RC- Filters durch den Serienwiderstand der Leiter ausgebildet . Insbesondere liegt die Grenz frequenz des ausgebildeten Tiefpass filters oberhalb einer Betriebs frequenz des Stromrichters , sodass höhere Frequenzen durch die Filterwirkung des RC-Filters unterdrückt werden, was sich positiv auf das Schwingungsverhalten des Stromrichters auswirkt .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass ein Verbindungsmittel zumindest ein Filterelement umfasst . Ein derartiges Filterelement ist beispielsweise ein diskretes Bauelement , insbesondere ein Widerstand, ein Kondensator oder ein RC- Glied . Durch ein derartiges Filterelement wird eine geringere Grenz frequenz platzsparend ermöglicht , sodass Schwingungen zwischen den Leistungshalbleitermodulen platzsparend gedämpft werden .
Eine weitere Aus führungs form sieht vor, dass das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel einen Kaltleiter umfasst . Der Kaltleiter enthält beispielsweise Platin und/oder Re- sistherm (NiFe30 ) Durch einen derartigen Kaltleiter, dessen Widerstand sich bei steigender Temperatur erhöht , können Ausgleichsströme vornehmlich bei transienten Ereignissen fließen . Ferner wird das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel gegen Überlastung geschützt .
Im Folgenden wird die Erfindung anhand der in den Figuren dargestellten Aus führungsbeispiele näher beschrieben und erläutert .
Es zeigen :
FIG 1 eine schematische Darstellung einer ersten Ausgestaltung eines Stromrichters im Querschnitt ,
FIG 2 eine schematische Darstellung einer zweiten Ausgestaltung eines Stromrichters im Querschnitt , FIG 3 eine schematische Darstellung einer dritten Ausgestaltung eines Stromrichters im Querschnitt ,
FIG 4 eine schematische Darstellung einer vierten Ausgestaltung eines Stromrichters im Querschnitt ,
FIG 5 eine schematische Darstellung einer fünften Ausgestaltung eines Stromrichters im Querschnitt und
FIG 6 eine schematische Darstellung einer sechsten Ausgestaltung eines Stromrichters im Querschnitt .
Bei den im Folgenden erläuterten Aus führungsbeispielen handelt es sich um bevorzugte Aus führungs formen der Erfindung . Bei den Aus führungsbeispielen stellen die beschriebenen Komponenten der Aus führungs formen j eweils einzelne , unabhängig voneinander zu betrachtende Merkmale der Erfindung dar, welche die Erfindung j eweils auch unabhängig voneinander weiterbilden und damit auch einzeln oder in einer anderen als der gezeigten Kombination als Bestandteil der Erfindung anzusehen sind . Des Weiteren sind die beschriebenen Aus führungs formen auch durch weitere der bereits beschriebenen Merkmale der Erfindung ergänzbar .
Gleiche Bezugs zeichen haben in den verschiedenen Figuren die gleiche Bedeutung .
FIG 1 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten Ausgestaltung eines Stromrichters 2 im Querschnitt , welcher zwei gleichartige Leistungshalbleitermodule 4 , 6 aufweist . Die Leistungshalbleitermodule 4 , 6 sind auf einem gemeinsamen Grundkörper 8 , welcher beispielsweise als ein aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung gefertigter Kühlkörper ausgeführt ist , angeordnet und weisen j eweils einen Leistungshalbleiter 10 , 12 auf , welcher beispielhaft als Insulated-Gate- Bipolar-Transistor ( IGBT ) ausgeführt ist . Alternativ sind die Leistungshalbleiter 10 , 12 als Metalloxide-Semiconductor- Field-Ef f ect-Transistor (MOSFET ) , als Feldef fekttransistor, als Thyristor, oder als Diode ausgeführt . Insbesondere ist den als IGBT ausgeführten Leistungshalbleitern 10 , 12 j eweils eine antiparallele Diode zugewiesen, welche in FIG 1 aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt ist . Ferner weisen die als IGBT ausgeführten Leistungshalbleiter 10 , 12 j eweils einen Kollektor-Kontakt C, einen Emitter-Kontakt E und einen Gate-Kontakt G auf .
Darüber hinaus weisen die Leistungshalbleitermodule 4 , 6 j eweils ein Gehäuse 14 , 16 auf , welche beispielsweise aus einem Kunststof f hergestellt sind und Leistungskontakte 18 , 20 , 22 , 24 umfassen . Dabei ist ein erster Leistungshalbleiter 10 in einem ersten Gehäuse 14 , welches einen ersten Leistungskontakt 18 und einen zweiten Leistungskontakt 20 umfasst , angeordnet , während ein zweiter Leistungshalbleiter 12 in einem zweiten Gehäuse 16 , welches einen dritten Leistungskontakt 22 und einen vierten Leistungskontakt 24 umfasst , angeordnet ist . Der Kollektor-Kontakt C des ersten Leistungshalbleiters 10 ist mit dem ersten Leistungskontakt 18 verbunden, während der Emitter-Kontakt E des ersten Leistungshalbleiters 10 dem zweiten Leistungskontakt 20 verbunden ist . Analog ist der Kollektor-Kontakt C des zweiten Leistungshalbleiters 12 mit dem dritten Leistungskontakt 18 verbunden, während der Emitter-Kontakt E des zweiten Leistungshalbleiters 12 mit dem vierten Leistungskontakt 24 verbunden ist . Überdies weisen die Gehäuse 14 , 16 der Leistungshalbleitermodule 4 , 6 j eweils einen Steuerkontakt 28 , 30 auf , wobei der Gate-Kontakt G des ersten Leistungshalbleiters 10 mit einem ersten Steuerkontakt 28 und der Gate-Kontakt G des zweiten Leistungshalbleiters 12 mit einem zweiten Steuerkontakt 30 verbunden ist . Zur Parallelschaltung der Leistungshalbleiter 10 , 12 sind die korrespondierenden Leistungskontakte 18 , 20 , 22 , 24 j eweils über eine äußere Beschaltung 32 , 34 elektrisch leitend verbunden . Insbesondere sind die Kollektor-Kontakte C der Leistungshalbleiter 10 , 12 durch eine erste äußere Beschaltung 32 und die Emitter-Kontakte E der Leistungshalbleiter 10 , 12 durch eine zweite äußere Beschaltung 34 elektrisch leitend verbunden . Die äußere Be- Schaltung 32 , 34 umfasst z . B . j eweils zumindest eine Kupferschiene . Zusätzlich oder alternativ kann die äußere Beschaltung 32 , 34 Kabel , insbesondere isolierte Kupferkabel , aufweisen .
Darüber hinaus sind die Leistungshalbleiter 10 , 12 über ein zusätzliches Verbindungsmittel 36 direkt elektrisch leitend miteinander verbunden . Das zusätzliche Verbindungsmittel 36 umfasst , insbesondere parallel verlaufende , Leiter 38 , 40 , welche eine direkte Verbindung zwischen den Leistungshalbleitermodulen 4 , 6 herstellen, wobei der Emitter-Kontakt E des ersten Leistungshalbleiters 10 über einen ersten Leiter 38 mit dem Emitter-Kontakt E des zweiten Leistungshalbleiters 12 und der Kollektor-Kontakt C des ersten Leistungshalbleiters 12 über einen zweiten Leiter 40 mit dem Kollektor-Kontakt C des zweiten Leistungshalbleiters 12 verbunden sind . Die Leiter 38 , 40 sind beispielsweise aus Kupfer oder einer Kupferlegierung hergestellt und als Metallisierung auf einer dielektrischen, insbesondere keramischen, Substrat 42 aufgebracht . Das zusätzliche Verbindungsmittel 36 weist eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung 32 , 34 auf , da insbesondere die kurzen Leiter 38 , 40 des Verbindungsmittels 36 eine geringere Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand aufweisen als die , vergleichsweise langen, Kupferschienen und/oder Kabel der äußeren Beschaltung 32 , 34 . Durch eine derartige direkte Verbindung zwischen den Leistungshalbleitermodulen 4 , 6 können Ausgleichströme zwischen den Leistungshalbleitern 10 , 12 fließen, welche ein Aufschwingen der Parallelschaltung verhindern und für eine bessere Symmetrie in der Stromaufteilung sorgen . Insbesondere ist das Verbindungsmittel 36 durch die Gehäuse 14 , 16 verlaufend angeordnet , wobei Dichtungen 44 das j eweilige Gehäuse 14 , 16 im Bereich der Gehäusedurchführung abdichten .
Durch die parallel verlaufenden Leiter 38 , 40 ist ein Filter, insbesondere RC-Filter, ausbildbar, dessen Grenz frequenz oberhalb einer Betriebs frequenz des Stromrichters 2 liegt . Beispielsweise liegt die Grenz frequenz des durch die parallel verlaufenden Leiter 38 , 40 gebildeten Filters im MHz-Bereich . Das Verbindungsmittel 36 kann zumindest ein, insbesondere diskretes , Filterelement , z . B . einen Widerstand, einen Kondensator und/oder ein RC-Glied, umfassen . Schwingungen zwischen den Leistungshalbleitermodulen 4 , 6 werden durch ein derartiges Filter gedämpft . Zusätzlich oder alternativ kann das Verbindungsmittel einen Kaltleiter, wie Platin oder Re- sistherm (NiFe30 ) , umfassen . Insbesondere ist zumindest einer der Leiter 38 , 40 aus einem Kaltleiter hergestellt . Durch einen derartigen Kaltleiter, dessen Widerstand sich bei steigender Temperatur erhöht , sodass Ausgleichsströme vornehmlich bei transienten Ereignissen fließen können . Ferner wird das Verbindungsmittel 36 gegen Überlastung geschützt .
FIG 2 zeigt eine schematische Darstellung einer zweiten Ausgestaltung eines Stromrichters 2 im Querschnitt , wobei die Leistungshalbleiter 10 , 12 j eweils als Halbbrücke ausgeführt sind . Eine Halbbrücke , welche aus zwei gestapelte IGBTs aufgebaut ist , umfasst einen positiven Spannungsversorgungskontakt P, einen negativen Spannungsversorgungskontakt N, einen Wechselspannungskontakt W und zwei Gate-Kontakte G . Der positiven Spannungsversorgungskontakt P des ersten Leistungshalbleiters 10 ist mit dem ersten Leistungskontakt 18 verbunden, während der negative Spannungsversorgungskontakt N des ersten Leistungshalbleiters 10 mit dem zweiten Leistungskontakt 20 verbunden ist . Analog ist der positiven Spannungsversorgungskontakt P des zweiten Leistungshalbleiters 12 mit dem dritten Leistungskontakt 22 verbunden, während der negative Spannungsversorgungskontakt N des zweiten Leistungshalbleiters 12 mit dem vierten Leistungskontakt 24 verbunden ist . Ferner sind der Wechselspannungskontakt W des ersten Leistungshalbleiters 10 mit einem fünften Leistungskontakt 46 und der der Wechselspannungskontakt W des zweiten Leistungshalbleiters 12 mit einem sechsten Leistungskontakt 48 verbunden . Die Gate- Kontakte G des ersten Leistungshalbleiters 10 und des zweiten Leistungshalbleiters 12 sind j eweils mit einem Steuerkontakt 28 , 30 , 50 , 52 verbunden . Zur Parallelschaltung der Leistungshalbleiter 10 , 12 sind die korrespondierenden Leistungskontakte 18 , 20 , 22 , 24 , 46 , 48 j eweils über eine äußere Beschaltung 32 , 34 , 54 elektrisch leitend verbunden . Insbesondere sind die positiven Spannungsversorgungskontakte P der Leistungshalbleiter 10 , 12 durch eine erste äußere Beschaltung 32 , die negativen Spannungsversorgungskontakte N der Leistungshalbleiter 10 , 12 durch eine zweite äußere Beschaltung 34 und die Wechselspannungskontakte W der der Leistungshalbleiter 10 , 12 durch eine dritte äußere Beschaltung 54 elektrisch leitend verbunden . Die äußere Beschaltung 32 , 34 , 54 umfasst z . B . j eweils zumindest eine Kupferschiene . Zusätzlich oder alternativ kann die äußere Beschaltung 32 , 34 , 54 Kabel , insbesondere isolierte Kupferkabel , umfassen .
Darüber hinaus sind die Leistungshalbleiter 10 , 12 über ein zusätzliches Verbindungsmittel 36 direkt elektrisch leitend miteinander verbunden . Das zusätzliche Verbindungsmittel 36 umfasst , insbesondere parallel verlaufende , Leiter 38 , 40 , 56 welche eine direkte Verbindung zwischen den Leistungshalbleitermodulen 4 , 6 herstellen, wobei der positive Spannungsversorgungskontakt P des ersten Leistungshalbleiters 10 über einen ersten Leiter 38 mit dem positiven Spannungsversorgungskontakt P des zweiten Leistungshalbleiters 12 , der negative Spannungsversorgungskontakt N des ersten Leistungshalbleiters 12 über einen zweiten Leiter 40 mit dem negativer Spannungsversorgungskontakt N des zweiten Leistungshalbleiters 12 und der Wechselspannungskontakt W des ersten Leistungshalbleiters 10 über einen dritten Leiter 56 mit dem Wechselspannungskontakt W des zweiten Leistungshalbleiters 12 verbunden sind . Die weitere Aus führung des Stromrichters 2 in FIG 2 entspricht der in FIG 1 .
FIG 3 zeigt eine schematische Darstellung einer dritten Ausgestaltung eines Stromrichters 2 im Querschnitt , wobei das Verbindungsmittel 36 , insbesondere identische , in die j eweiligen Gehäuse 14 , 16 integrierte Anschlusselemente 58 auf- weist , welche über ein, insbesondere achsensymmetrisches , separates Kontaktierungselement 60 elektrisch leitend verbunden sind . Das Kontaktierungselement 60 ist beidseitig über eine Steckverbindung lösbar mit den in den Gehäusen 14 , 16 integrierten Anschlusselementen 58 verbunden . Die Steckverbindung ist als Stecker-Buchse-Verbindung ausgeführt , wobei das Kontaktierungselement 60 beispielhaft Stecker 62 aufweist , welche in j eweils passende Buchsen 64 der Anschlusselemente 58 gesteckt werden . Die weitere Aus führung des Stromrichters 2 in FIG 3 entspricht der in FIG 1 .
FIG 4 zeigt eine schematische Darstellung einer vierten Ausgestaltung eines Stromrichters 2 im Querschnitt , welcher beispielhaft drei gleichartige Leistungshalbleitermodule 4 , 6 , 66 aufweist . Die Leistungshalbleitermodule 4 , 6 , 66 weisen j eweils einen Leistungshalbleiter auf , welcher aus Gründen der Übersichtlichkeit in FIG 4 nicht dargestellt ist , wobei die Leistungshalbleiter, wie in FIG 3 gezeigt , über eine äußere Beschaltung parallelgeschaltet sind . Darüber hinaus sind die Leistungshalbleiter der Leistungshalbleitermodule 4 , 6 , 66 über zusätzliche Verbindungsmittel 36 direkt elektrisch leitend miteinander verbunden . Die weitere Aus führung des Stromrichters 2 in FIG 4 entspricht der in FIG 3 .
FIG 5 zeigt eine schematische Darstellung einer fünften Ausgestaltung eines Stromrichters 2 im Querschnitt . Das Verbindungsmittel 36 weist ein erstes Steckelement 68 , welches in das erste Gehäuse 14 integriert ist , und ein zweites Steckelement 70 , welches in das zweite Gehäuse 16 integriert ist und sich vom ersten Steckelement 68 unterscheidet , auf . Beispielhaft weist das erste Steckelement 68 einen Stecker 62 und das zweite Steckelement 70 eine zum Stecker 62 passende Buchse 64 auf . Das erste Steckelement 68 und das zweites Steckelement 70 sind über eine Steckverbindung, insbesondere lösbar, verbunden . Die weitere Aus führung des Stromrichters 2 in FIG 5 entspricht der in FIG 3 . FIG 6 zeigt eine schematische Darstellung einer sechsten Ausgestaltung eines Stromrichters 2 im Querschnitt , welcher zwei Leistungshalbleitermodule 4 , 6 mit parallel geschalteten Leistungshalbleitern 10 , 12 aufweist . Die als IGBTs ausgeführten Leistungshalbleiter 10 , 12 sind über den Kollektor C stof f schlüssig, beispielsweise durch Löten oder Sintern, mit einem DCB-Substrat 72 verbunden, wobei der Emitter E über eine Bondverbindung 74 kontaktiert ist . Das Verbindungsmittel 36 , welches die Leistungshalbleiter 10 , 12 direkt elektrisch leitend miteinander verbindet , ist ebenfalls über eine Bondverbindung 74 mit dem DCB-Substrat 72 verbunden . Ferner weist das Verbindungsmittel 36 einen ersten Leiter 38 auf , welcher auf einer ersten Seite 76 eines dielektrischen, insbesondere keramischen, Substrats 42 aufgebracht ist . Darüber hinaus weist das Verbindungsmittel 36 einen zweiten Leiter 40 auf , welcher auf einer der ersten Seite 76 gegenüberliegenden zweiten Seite 78 des dielektrischen, insbesondere keramischen, Substrats 42 aufgebracht ist , sodass die Leiter 38 , 40 parallel auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats 42 angeordnet sind und eine , insbesondere parasitäre , Kapazität 80 durch die parallel verlaufenden Leiter 38 , 40 ausgebildet wird . Insbesondere ist die Kapazität 80 Teil eines Filters , insbesondere RC-Filters , dessen Grenz frequenz oberhalb einer Betriebs frequenz des Stromrichters 2 liegt . Eine Kontaktierung des zweiten Leiters 40 des Verbindungsmittels 36 erfolgt beispielsweise vom DCB-Substrat 72 über eine Bondverbindung 74 auf die erste Seite 76 des Verbindungsmittels 36 , wobei der zweite Leiter 40 , insbesondere innerhalb des j eweiligen Gehäuses 14 , 16 , beispielsweise über eine Durchkontaktierung, auf die zweite Seite 78 des Verbindungsmittels 36 geführt wird . Die weitere Aus führung des Stromrichters 2 in FIG 6 entspricht der in FIG 1 .
Zusammenfassend betri f ft die Erfindung einen Stromrichter 2 mit mindestens zwei , insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen 4 , 6 . Um, im Vergleich zum Stand der Technik, eine höhere Zuverlässigkeit zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass die Leistungshalbleitermodule 4 , 6 j eweils zu- mindest einen Leistungshalbleiter 10, 12 und Leistungskontakte 18, 20, 22, 24, 46, 48 aufweisen, wobei die Leistungshalbleiter 10, 12 elektrisch leitend mit den Leistungskontakten 18, 20, 22, 24, 46, 48 des jeweiligen Leistungshalb- leitermoduls 4, 6 verbunden sind, wobei die Leistungskontakte 18, 20, 22, 24, 46, 48 zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule 4, 6 jeweils über eine äußere Beschaltung 32, 34, 54 elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Leistungshalbleiter 10, 12 über zumindest ein zusätzliches Verbindungsmittel 36 elektrisch leitend miteinander verbunden sind, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel 36 eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung 32, 34, 54 aufweist.

Claims

Patentansprüche
1. Stromrichter (2) mit mindestens zwei, insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen (4, 6) , wobei die Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils zumindest einen Leistungshalbleiter (10, 12) und Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) aufweisen, wobei die Leistungshalbleiter (10, 12) elektrisch leitend mit den Leistungskontakten (18, 20, 22, 24, 46, 48) des jeweiligen Leistungshalbleitermoduls (4, 6) verbunden sind, wobei die Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils über eine äußere Beschaltung (32, 34, 54) elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Leistungshalbleiter (10, 12) über zumindest ein zusätzliches Verbindungsmittel (36) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel (36) eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung (32, 34, 54) aufweist.
2. Stromrichter (2) nach Anspruch 1, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel (36) eine geringere Stromtragfähigkeit als die äußere Beschaltung (32, 34, 54) aufweist.
3. Stromrichter (2) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils ein Gehäuse (14, 16) aufweisen, welches die jeweiligen Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) umfasst, wobei zumindest ein Verbindungsmittel (36) durch das Gehäuse (14, 16) verlaufend angeordnet ist.
4. Stromrichter (2) nach Anspruch 3, wobei zumindest ein Verbindungsmittel (36) in die jeweiligen Gehäuse (14, 16) integrierte Anschlusselemente (58) aufweist, welche über zumindest ein separates Kontaktierungselement (60) elektrisch leitend verbunden sind.
5. Stromrichter (2) nach Anspruch 4, wobei ein Anschlusselement (58) mit einem Kontaktierungselement (60) lösbar verbunden ist.
6. Stromrichter (2) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei ein Anschlusselement (58) mit einem Kontaktierungselement (60) über eine Steckverbindung verbunden ist.
7. Stromrichter (2) nach Anspruch 3, wobei ein Verbindungsmittel (36) ein erstes Steckelement (68) , welches in ein erstes Gehäuse (14) integriert ist, und ein zweites Steckelement (70) , welches in ein zweites Gehäuse (16) integriert ist und sich vom ersten Steckelement (68) unterscheidet, umfasst, wobei das erste Steckelement (68) und das zweites Steckelement (70) über eine Steckverbindung, insbesondere lösbar, elektrisch leitend verbunden sind.
8. Stromrichter (2) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei ein Verbindungsmittel (36) parallel verlaufende Leiter (38, 40) umfasst.
9. Stromrichter (2) nach Anspruch 8, wobei durch die parallel verlaufenden Leiter (38, 40) ein Filter, insbesondere ein RC-Filter, ausgebildet wird, dessen
Grenzfrequenz im MHz-Bereich liegt.
10. Stromrichter (2) nach einem der vorherigen Ansprüche, 17 wobei ein Verbindungsmittel (36) zumindest ein Filterelement umfasst .
11. Stromrichter (2) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel (36) einen Kaltleiter umfasst.
12. Verfahren zur Herstellung eines Stromrichters (2) mit mindestens zwei, insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen (4, 6) , wobei die Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils zumindest einen Leistungshalbleiter (10, 12) und Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) aufweisen, wobei die Leistungshalbleiter (10, 12) elektrisch leitend mit den Leistungskontakten (18, 20, 22, 24, 46, 48) des jeweiligen Leistungshalbleitermoduls (4, 6) verbunden werden, wobei die Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils über eine äußere Beschaltung (32, 34, 54) elektrisch leitend verbunden werden, wobei die Leistungshalbleiter (10, 12) über zumindest ein zusätzliches Verbindungsmittel (36) elektrisch leitend miteinander verbunden werden, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel (36) eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung (32, 34, 54) aufweist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils ein Gehäuse (14, 16) aufweisen, welches die jeweiligen Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) umfasst, wobei zumindest ein Verbindungsmittel (36) durch das Gehäuse (14, 16) verlaufend angeordnet wird. 18
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei zumindest ein Verbindungsmittel (36) in die jeweiligen
Gehäuse (14, 16) integrierte Anschlusselemente (58) aufweist, welche über zumindest ein separates Kontaktierungselement (60) , insbesondere lösbar, elektrisch leitend verbunden werden .
15. Verfahren nach Anspruch 13, wobei ein Verbindungsmittel (36) ein erstes Steckelement (68) , welches in ein erstes Gehäuse (14) integriert ist, und ein zweites Steckelement (70) , welches in ein zweites Gehäuse (16) integriert ist und sich vom ersten Steckelement (68) unterscheidet, umfasst, wobei das erste Steckelement (68) und das zweites Steckelement (70) über eine Steckverbindung, insbesondere lösbar, elektrisch leitend verbunden werden.
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