JP2000216122A - 半導体ウェ―ハの平面研削方法 - Google Patents
半導体ウェ―ハの平面研削方法Info
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 平面度と平行度を大幅に向上し得る半導体ウ
ェーハの平面研削方法を提供する。 【解決手段】 チャッキングテーブル２の真空チャック
１の上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェーハ
Ｗを真空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研削
するに際し、真空チャックの上面のクリーニングに先立
って、その上方の天井面３に付着した微細なダクトＤを
圧縮空気Ａの噴射によって飛散除去する。
ェーハの平面研削方法を提供する。 【解決手段】 チャッキングテーブル２の真空チャック
１の上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェーハ
Ｗを真空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研削
するに際し、真空チャックの上面のクリーニングに先立
って、その上方の天井面３に付着した微細なダクトＤを
圧縮空気Ａの噴射によって飛散除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面研削盤による
半導体ウェーハの平面研削方法に関する。
半導体ウェーハの平面研削方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、平面研削盤によって半導体ウェー
ハを平面研削するには、先ず、図４に示すように、上面
に真空チャック３１をほぼ面一に装着したチャッキング
テーブル３２を回転する一方、クリーニングホイール３
３をチャッキングテーブル３２とは逆方向に回転すると
共に、このクリーニングホイール３３に装着したセラミ
ックスあるいはアーカンソー砥石等からなる短円柱状の
複数のクリーニング砥石３４の研削面をチャッキングテ
ーブル３２の上面に接触させながら、真空チャック３１
を含むチャッキングテーブル３２の上面とクリーニング
ホイール３３のクリーニング砥石３４の研削面に、クー
ラー（図示せず）のクーラントノズル３５からクーラン
ト（冷却剤）Ｃを噴射して真空チャック３１を含むチャ
ッキングテーブル３２の上面をダストＤが残留しないよ
うにクリーニングする。次に、図５に示すように、真空
チャック３１の上面にシリコンウェーハ等の半導体ウェ
ーハＷを真空吸着してチャッキングテーブル３２を回転
する一方、ダイヤモンドホイール３６をチャッキングテ
ーブル３２とは逆方向に回転すると共に、このダイヤモ
ンドホイール３６に装着した短円柱状の複数の砥石３７
の研削面を半導体ウェーハＷの上面に接触させながら、
半導体ウェーハＷの上面とダイヤモンドホイール３６の
砥石７の研削面に、前記クーラントノズル３５からクー
ラントＣを噴射して半導体ウェーハＷの平面研削を行
う。そして、ダイヤモンドホイール３６の砥石３７によ
る研削量を、チャッキングテーブル３２の上面を計測す
るダイヤルゲージ３８と半導体ウェーハＷの上面を計測
するダイヤルゲージ３９の数値を読み取り、半導体ウェ
ーハＷの厚みが所要の各寸法になると、片面の研削加工
が終了するものであり、残る面の平面研削も、半導体ウ
ェーハＷの取り外し洗浄後、同様に行われるものであ
る。
ハを平面研削するには、先ず、図４に示すように、上面
に真空チャック３１をほぼ面一に装着したチャッキング
テーブル３２を回転する一方、クリーニングホイール３
３をチャッキングテーブル３２とは逆方向に回転すると
共に、このクリーニングホイール３３に装着したセラミ
ックスあるいはアーカンソー砥石等からなる短円柱状の
複数のクリーニング砥石３４の研削面をチャッキングテ
ーブル３２の上面に接触させながら、真空チャック３１
を含むチャッキングテーブル３２の上面とクリーニング
ホイール３３のクリーニング砥石３４の研削面に、クー
ラー（図示せず）のクーラントノズル３５からクーラン
ト（冷却剤）Ｃを噴射して真空チャック３１を含むチャ
ッキングテーブル３２の上面をダストＤが残留しないよ
うにクリーニングする。次に、図５に示すように、真空
チャック３１の上面にシリコンウェーハ等の半導体ウェ
ーハＷを真空吸着してチャッキングテーブル３２を回転
する一方、ダイヤモンドホイール３６をチャッキングテ
ーブル３２とは逆方向に回転すると共に、このダイヤモ
ンドホイール３６に装着した短円柱状の複数の砥石３７
の研削面を半導体ウェーハＷの上面に接触させながら、
半導体ウェーハＷの上面とダイヤモンドホイール３６の
砥石７の研削面に、前記クーラントノズル３５からクー
ラントＣを噴射して半導体ウェーハＷの平面研削を行
う。そして、ダイヤモンドホイール３６の砥石３７によ
る研削量を、チャッキングテーブル３２の上面を計測す
るダイヤルゲージ３８と半導体ウェーハＷの上面を計測
するダイヤルゲージ３９の数値を読み取り、半導体ウェ
ーハＷの厚みが所要の各寸法になると、片面の研削加工
が終了するものであり、残る面の平面研削も、半導体ウ
ェーハＷの取り外し洗浄後、同様に行われるものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
ウェーハの平面研削方法では、半導体ウェーハＷの真空
吸着に先立って、真空チャック３１を含むチャッキング
テーブル３２の上面のクリーニングが行われるものの、
前の研削加工中に生じた半導体ウェーハＷの研削粉を含
む粒径０．１μｍ以上のダストＤが真空チャック３１の
上方の天井面４０に付着しており、このダストＤがクリ
ーニング後の真空チャック３１上に落下して付着するこ
とが頻繁に起こっている。したがって、図６に示すよう
に、真空チャック３１の上面にダストＤが付着した状態
で、半導体ウェーハＷが真空吸着されて平面研削される
と、ダストＤの部分で半導体ウェーハＷが持ち上がった
まま加工されることとなり、図７に示すように、平面研
削後の半導体ウェーハＷにディンプルＷd を生じ、半導
体ウェーハＷの平面度、平行度の低下をもたらす。そこ
で、本発明は、平面度と平行度を大幅に向上し得る半導
体ウェーハの平面研削方法を提供することを目的とす
る。
ウェーハの平面研削方法では、半導体ウェーハＷの真空
吸着に先立って、真空チャック３１を含むチャッキング
テーブル３２の上面のクリーニングが行われるものの、
前の研削加工中に生じた半導体ウェーハＷの研削粉を含
む粒径０．１μｍ以上のダストＤが真空チャック３１の
上方の天井面４０に付着しており、このダストＤがクリ
ーニング後の真空チャック３１上に落下して付着するこ
とが頻繁に起こっている。したがって、図６に示すよう
に、真空チャック３１の上面にダストＤが付着した状態
で、半導体ウェーハＷが真空吸着されて平面研削される
と、ダストＤの部分で半導体ウェーハＷが持ち上がった
まま加工されることとなり、図７に示すように、平面研
削後の半導体ウェーハＷにディンプルＷd を生じ、半導
体ウェーハＷの平面度、平行度の低下をもたらす。そこ
で、本発明は、平面度と平行度を大幅に向上し得る半導
体ウェーハの平面研削方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の第１の半導体ウェーハの平面研削方法は、
チャッキングテーブルの真空チャックの上面をクリーニ
ングし、その上面に半導体ウェーハを真空吸着した後、
半導体ウェーハの上面を平面研削するに際し、真空チャ
ックの上面のクリーニングに先立って、その上方の天井
面に付着した微細なダストを圧縮空気の噴射によって飛
散除去することを特徴とする。第２の半導体ウェーハの
平面研削方法は、チャッキングテーブルの真空チャック
の上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェーハを
真空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研削する
に際し、真空チャックの上面のクリーニングに先立っ
て、その上方の天井面に付着した微細なダストを高圧噴
射水の噴射によって飛散除去することを特徴とする。第
３の半導体ウェーハの平面研削方法は、チャッキングテ
ーブルの真空チャックの上面をクリーニングし、その上
面に半導体ウェーハを真空吸着した後、半導体ウェーハ
の上面を平面研削するに際し、真空チャックの上面のク
リーニングに先立って、その上方の天井面に付着した微
細なダストを圧縮空気と高圧噴射水の同時噴射によって
飛散除去することを特徴とする。又、第４の半導体ウェ
ーハの平面研削方法は、チャッキングテーブルの真空チ
ャックの上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェ
ーハを真空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研
削するに際し、真空チャックの上面のクリーニングに先
立って、その上方の天井面に付着した微細なダストを圧
縮空気と高圧噴射水の交互噴射によって飛散除去するこ
とを特徴とする。
め、本発明の第１の半導体ウェーハの平面研削方法は、
チャッキングテーブルの真空チャックの上面をクリーニ
ングし、その上面に半導体ウェーハを真空吸着した後、
半導体ウェーハの上面を平面研削するに際し、真空チャ
ックの上面のクリーニングに先立って、その上方の天井
面に付着した微細なダストを圧縮空気の噴射によって飛
散除去することを特徴とする。第２の半導体ウェーハの
平面研削方法は、チャッキングテーブルの真空チャック
の上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェーハを
真空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研削する
に際し、真空チャックの上面のクリーニングに先立っ
て、その上方の天井面に付着した微細なダストを高圧噴
射水の噴射によって飛散除去することを特徴とする。第
３の半導体ウェーハの平面研削方法は、チャッキングテ
ーブルの真空チャックの上面をクリーニングし、その上
面に半導体ウェーハを真空吸着した後、半導体ウェーハ
の上面を平面研削するに際し、真空チャックの上面のク
リーニングに先立って、その上方の天井面に付着した微
細なダストを圧縮空気と高圧噴射水の同時噴射によって
飛散除去することを特徴とする。又、第４の半導体ウェ
ーハの平面研削方法は、チャッキングテーブルの真空チ
ャックの上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェ
ーハを真空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研
削するに際し、真空チャックの上面のクリーニングに先
立って、その上方の天井面に付着した微細なダストを圧
縮空気と高圧噴射水の交互噴射によって飛散除去するこ
とを特徴とする。
【０００５】ここで、微細なダストとは、半導体ウェー
ハに求められる精度にもよるが、粒径０．１μｍ以上の
半導体ウェーハの切削粉等をいう。圧縮空気とは、０．
３〜１．５Ｍｐａの圧力の空気をいう。又、高速噴射水
とは、０．２〜１．２Ｍｐａ（流量１０〜１５Ｌ／ｍｉ
ｎ）の圧力で噴出する純水をいう。
ハに求められる精度にもよるが、粒径０．１μｍ以上の
半導体ウェーハの切削粉等をいう。圧縮空気とは、０．
３〜１．５Ｍｐａの圧力の空気をいう。又、高速噴射水
とは、０．２〜１．２Ｍｐａ（流量１０〜１５Ｌ／ｍｉ
ｎ）の圧力で噴出する純水をいう。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１、図２及び図３は本発
明に係る半導体ウェーハの平面研削方法の実施の形態の
一例を示す各工程の一部を破断した側面図である。平面
研削盤によって半導体ウェーハＷを平面研削するには、
先ず、図１に示すように、上面に真空チャック１をほぼ
面一に装着したチャッキングテーブル２の上方の天井面
３に付着した粒径０．１μｍ以上のダストＤを、コンプ
レッサー等の図示しない圧縮空気供給装置のエアノズル
４からの０．３〜１．５ＭＰａ程度の圧縮空気Ａの噴射
によって飛散除去する。次に、図２に示すように、チャ
ッキングテーブル２を回転する一方、クリーニングホイ
ール５をチャッキングテーブル２とは逆方向に回転する
と共に、このクリーニングホイール５に装着したセラミ
ックスあるいはアーカンソー砥石等からなる短柱状の複
数のクリーニング砥石６の研削面をチャッキングテーブ
ル２の上面に接触させながら、真空チャック１を含むチ
ャッキングテーブル２の上面とクリーニングホイール５
のクリーニング砥石６の研削面に、図示しないクーラー
のクーラントノズル７からクーラント（冷却剤）Ｃを噴
射し、真空チャック１を含むチャッキングテーブル２の
上面に付着したダストＤを飛散除去する。なお、クリー
ニングホイール５の回転速度は、２０〜５０ｒｐｍであ
り、後述するダイヤモンドホイールの回転速度１５００
〜２５００ｒｐｍに比べてはるかに遅く、又、チャッキ
ングテーブル２を滑るようにクリーニングするので、除
去されたダストＤがチャッキングテーブル２、すなわち
真空チャック１の上方の天井面３に付着したりすること
はない。次いで、図３に示すように、真空チャック１の
上面にシリコンウェーハ等の半導体ウェーハＷを真空吸
着してチャッキングテーブル２を回転する一方、ダイヤ
モンドホイール８をチャッキングテーブル２とは逆方向
に回転すると共に、このダイヤモンドホイール８に装着
した短円柱状の複数の砥石９の研削面を半導体ウェーハ
Ｗの上面に接触させながら、半導体ウェーハＷの上面と
ダイヤモンドホイール８の砥石９の研削面に、前記クー
ラントノズル７からクーラントＣを噴射して半導体ウェ
ーハＷの平面研削を行う。そして、ダイヤモンドホイー
ル８の砥石９による研削量を、チャッキングテーブル２
の上面を計測するダイヤルゲージ１０と半導体ウェーハ
Ｗの上面を計測するダイヤルゲージ１１の数値を読み取
り、半導体ウェーハＷの厚みが所要の寸法になると、片
面の研削加工が終了するものであり、残る面の平面研削
は、半導体ウェーハＷの取り外洗浄後、上述した手順に
従って行われるものである。
て図面を参照して説明する。図１、図２及び図３は本発
明に係る半導体ウェーハの平面研削方法の実施の形態の
一例を示す各工程の一部を破断した側面図である。平面
研削盤によって半導体ウェーハＷを平面研削するには、
先ず、図１に示すように、上面に真空チャック１をほぼ
面一に装着したチャッキングテーブル２の上方の天井面
３に付着した粒径０．１μｍ以上のダストＤを、コンプ
レッサー等の図示しない圧縮空気供給装置のエアノズル
４からの０．３〜１．５ＭＰａ程度の圧縮空気Ａの噴射
によって飛散除去する。次に、図２に示すように、チャ
ッキングテーブル２を回転する一方、クリーニングホイ
ール５をチャッキングテーブル２とは逆方向に回転する
と共に、このクリーニングホイール５に装着したセラミ
ックスあるいはアーカンソー砥石等からなる短柱状の複
数のクリーニング砥石６の研削面をチャッキングテーブ
ル２の上面に接触させながら、真空チャック１を含むチ
ャッキングテーブル２の上面とクリーニングホイール５
のクリーニング砥石６の研削面に、図示しないクーラー
のクーラントノズル７からクーラント（冷却剤）Ｃを噴
射し、真空チャック１を含むチャッキングテーブル２の
上面に付着したダストＤを飛散除去する。なお、クリー
ニングホイール５の回転速度は、２０〜５０ｒｐｍであ
り、後述するダイヤモンドホイールの回転速度１５００
〜２５００ｒｐｍに比べてはるかに遅く、又、チャッキ
ングテーブル２を滑るようにクリーニングするので、除
去されたダストＤがチャッキングテーブル２、すなわち
真空チャック１の上方の天井面３に付着したりすること
はない。次いで、図３に示すように、真空チャック１の
上面にシリコンウェーハ等の半導体ウェーハＷを真空吸
着してチャッキングテーブル２を回転する一方、ダイヤ
モンドホイール８をチャッキングテーブル２とは逆方向
に回転すると共に、このダイヤモンドホイール８に装着
した短円柱状の複数の砥石９の研削面を半導体ウェーハ
Ｗの上面に接触させながら、半導体ウェーハＷの上面と
ダイヤモンドホイール８の砥石９の研削面に、前記クー
ラントノズル７からクーラントＣを噴射して半導体ウェ
ーハＷの平面研削を行う。そして、ダイヤモンドホイー
ル８の砥石９による研削量を、チャッキングテーブル２
の上面を計測するダイヤルゲージ１０と半導体ウェーハ
Ｗの上面を計測するダイヤルゲージ１１の数値を読み取
り、半導体ウェーハＷの厚みが所要の寸法になると、片
面の研削加工が終了するものであり、残る面の平面研削
は、半導体ウェーハＷの取り外洗浄後、上述した手順に
従って行われるものである。
【０００７】上述した半導体ウェーハＷの平面研削方法
によれば、真空チャック１の上面のクリーニングの前
に、その上方の天井面３のクリーニングが行われ、ダス
トＤが天井面３に付着していない状態となるので、真空
チャック１の上面のクリーニング後に、天井面からダス
トＤが真空チャック１上に落下したりすることがなく、
半導体ウェーハＷの真空吸着が真空チャック１との間に
ダストＤの介在が全くない状態で行われることとなり、
平面研削後の半導体ウェーハＷの平面度と平行度を大幅
に向上することができ、ひいては半導体ウェーハＷの歩
留まりを高めることができる。
によれば、真空チャック１の上面のクリーニングの前
に、その上方の天井面３のクリーニングが行われ、ダス
トＤが天井面３に付着していない状態となるので、真空
チャック１の上面のクリーニング後に、天井面からダス
トＤが真空チャック１上に落下したりすることがなく、
半導体ウェーハＷの真空吸着が真空チャック１との間に
ダストＤの介在が全くない状態で行われることとなり、
平面研削後の半導体ウェーハＷの平面度と平行度を大幅
に向上することができ、ひいては半導体ウェーハＷの歩
留まりを高めることができる。
【０００８】なお、上述した半導体ウェーハの平面研削
方法においては、真空チャック１の上面のクリーニング
に先立って、真空チャック１の上方の天井面に付着した
ダストＤの飛散除去を圧縮空気Ａの噴射によって行う場
合について説明したが、これに限定されるものではな
く、図示は省略するが、高圧噴射水供給装置から供給さ
れる０．２〜１．２Ｍｐａ（流量：１０〜１５Ｌ／ｍｉ
ｎ）の圧力の高圧噴射水（純水）の噴射によって行うよ
うにしてもよい。この高圧噴射水を用いる場合には、諸
条件により異なるが、ある程度多くの水量を充分な時間
噴射すべきである。この場合、当然長く噴射すれば、そ
れだけダストＤの除去確率は向上するが、加工能率を勘
案して噴射時間を定めるのが望ましい。又、圧縮空気と
高圧噴射水を同時に噴射したり、あるいは交互に数サイ
クル噴射して行うようにしてもよい。上記いずれの方法
によっても、前述した実施の形態の方法とほぼ同様の作
用効果が得られる。
方法においては、真空チャック１の上面のクリーニング
に先立って、真空チャック１の上方の天井面に付着した
ダストＤの飛散除去を圧縮空気Ａの噴射によって行う場
合について説明したが、これに限定されるものではな
く、図示は省略するが、高圧噴射水供給装置から供給さ
れる０．２〜１．２Ｍｐａ（流量：１０〜１５Ｌ／ｍｉ
ｎ）の圧力の高圧噴射水（純水）の噴射によって行うよ
うにしてもよい。この高圧噴射水を用いる場合には、諸
条件により異なるが、ある程度多くの水量を充分な時間
噴射すべきである。この場合、当然長く噴射すれば、そ
れだけダストＤの除去確率は向上するが、加工能率を勘
案して噴射時間を定めるのが望ましい。又、圧縮空気と
高圧噴射水を同時に噴射したり、あるいは交互に数サイ
クル噴射して行うようにしてもよい。上記いずれの方法
によっても、前述した実施の形態の方法とほぼ同様の作
用効果が得られる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１〜第
４の半導体ウェーハの平面研削方法によれば、真空チャ
ックの上面のクリーニングの前に、その上方の天井面の
クリーニングが行われ、ダストが天井面に付着していな
い状態となるので、真空チャックの上面のクリーニング
後に、天井面からダストが真空チャック上に落下したり
することがなく、半導体ウェーハの真空吸着が真空チャ
ックとの間にダストの介在が全くない状態で行われるこ
ととなり、平面研削後の半導体ウェーハの平面度と平行
度を大幅に向上するこができ、ひいては半導体ウェーハ
の歩留まりを高めることができる。
４の半導体ウェーハの平面研削方法によれば、真空チャ
ックの上面のクリーニングの前に、その上方の天井面の
クリーニングが行われ、ダストが天井面に付着していな
い状態となるので、真空チャックの上面のクリーニング
後に、天井面からダストが真空チャック上に落下したり
することがなく、半導体ウェーハの真空吸着が真空チャ
ックとの間にダストの介在が全くない状態で行われるこ
ととなり、平面研削後の半導体ウェーハの平面度と平行
度を大幅に向上するこができ、ひいては半導体ウェーハ
の歩留まりを高めることができる。
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの平面研削方法の
実施の形態の一例を示す第１工程の一部を破断した側面
図である。
実施の形態の一例を示す第１工程の一部を破断した側面
図である。
【図２】本発明に係る半導体ウェーハの平面研削方法の
実施の形態の一例を示す第２工程の一部を破断した側面
図である。
実施の形態の一例を示す第２工程の一部を破断した側面
図である。
【図３】本発明に係る半導体ウェーハの平面研削方法の
実施の形態の一例を示す第３工程の一部を破断した側面
図である。
実施の形態の一例を示す第３工程の一部を破断した側面
図である。
【図４】従来の半導体ウェーハの平面研削方法を示す第
１工程の一部を破断した側面図である。
１工程の一部を破断した側面図である。
【図５】従来の半導体ウェーハの平面研削方法を示す第
２工程の一部を破断した側面図である。
２工程の一部を破断した側面図である。
【図６】従来の半導体ウェーハの平面研削方法の作用を
示す一部を破断した側面図である。
示す一部を破断した側面図である。
【図７】従来の半導体ウェーハの平面研削方法による半
導体ウェーハの斜視図である。
導体ウェーハの斜視図である。
１ 真空チャック ２ チャッキングテーブル ３ 天井面 ４ エアノズル ５ クリーニングホイール ７ クーラントノズル ８ ダイヤモンドホイール Ｗ 半導体ウェーハ Ｄ ダスト Ａ 圧縮空気
Claims (4)
- 【請求項１】 チャッキングテーブルの真空チャックの
上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェーハを真
空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研削するに
際し、真空チャックの上面のクリーニングに先立って、
その上方の天井面に付着した微細なダストを圧縮空気の
噴射によって飛散除去することを特徴とする半導体ウェ
ーハの平面研削方法。 - 【請求項２】 チャッキングテーブルの真空チャックの
上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェーハを真
空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研削するに
際し、真空チャックの上面のクリーニングに先立って、
その上方の天井面に付着した微細なダストを高圧噴射水
の噴射によって飛散除去することを特徴とする半導体ウ
ェーハの平面研削方法。 - 【請求項３】 チャッキングテーブルの真空チャックの
上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェーハを真
空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研削するに
際し、真空チャックの上面のクリーニングに先立って、
その上方の天井面に付着した微細なダストを圧縮空気と
高圧噴射水の同時噴射によって飛散除去することを特徴
とする半導体ウェーハの平面研削方法。 - 【請求項４】 チャッキングテーブルの真空チャックの
上面をクリーニングし、その上面に半導体ウェーハを真
空吸着した後、半導体ウェーハの上面を平面研削するに
際し、真空チャックの上面のクリーニングに先立って、
その上方の天井面に付着した微細なダストを圧縮空気と
高圧噴射水の交互噴射によって飛散除去することを特徴
とする半導体ウェーハの平面研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012390A JP2000216122A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 半導体ウェ―ハの平面研削方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012390A JP2000216122A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 半導体ウェ―ハの平面研削方法 |
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ID=11803954
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|---|---|---|---|
| JP11012390A Pending JP2000216122A (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 半導体ウェ―ハの平面研削方法 |
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101188168B1 (ko) * | 2005-10-25 | 2012-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치의 제조 시스템 및 이의 제어 방법 |
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-
1999
- 1999-01-20 JP JP11012390A patent/JP2000216122A/ja active Pending
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