JP2000252078A - Ｅｌ表示素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＥＬ表示素子において、リーク不具合を防止
すること。 【解決手段】 本発明のＥＬ表示素子では、第一電極ラ
イン２およびその間を絶縁する絶縁膜３の表面２ａ，３
ａが、同一平面を形成している。それゆえ、この表面２
ａ，３ａの上に積層されるＥＬ発光膜４および第二電極
ライン５の成膜精度が向上するので、ＥＬ発光膜４の縁
部にも不完全な部分がなくなる。その結果、第一電極ラ
イン２と第二電極ライン５とが短絡するリーク不具合は
ほぼ完全に防止され、歩留まり率、信頼性および耐久性
が改善される。また、同様の理由で輝度ムラも低減され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ表示素子（エ
レクトロルミネセンス・ディスプレイ・パネル）および
その製造方法の技術分野に属する。ＥＬ表示素子には、
有機ＥＬ表示素子と無機ＥＬ表示素子とがあり、本発明
はいずれも対象技術分野とする。ただし、本発明の技術
手段の中には、有機ＥＬ表示素子において特に効果が顕
著なものが含まれている。

【０００２】

【従来の技術】（通常技術）周知である通常技術の一例
として、次のような有機ＥＬ表示素子とその製造方法に
ついて説明する。

【０００３】有機ＥＬ表示素子は、図１０に示すよう
に、透明基板１００と、透明基板１００の一方の面に接
合し互いに所定間隔を隔てて配設された多数の透明な導
電体からなる第一電極ラインとしての陽極ライン２００
と、互いに隣り合う陽極ライン２００を絶縁する堤防状
の絶縁膜３００とを有する。そして、透明基板１００上
に形成された陽極ライン２００の上から、エレクトロル
ミネセンス発光機能をもつＥＬ発光膜（図略）と、多数
の第二電極ラインとしての陰極ライン（図略）とが順に
積層されて、有機ＥＬ表示素子が構成されている。

【０００４】このような有機ＥＬ表示素子を製造するに
は、通常、以下のような製造方法が取られる。

【０００５】すなわち、先ず、基板１００の一方の面に
接合して、多数の陽極ライン２００が、所定の間隔を隔
てて平行にストライプ状に形成される。この際、陽極ラ
イン２００は、ＩＴＯ等の導電性透明膜からなり、通常
はスパッタリングによって形成されている。ただし、そ
のままでは陽極ライン２００の表面粗度が粗く、陽極ラ
イン２００と陰極ラインとの間でリークを招きやすいの
で、陽極ライン２００の表面を研磨して少しでもリーク
を減らすことにより、歩留まりの向上に努めている。

【０００６】次に、互いに隣設する陽極ライン２００の
間にポリイミドなどからなる絶縁膜３００を堤防状に突
出して形成し、絶縁膜３００によって互いに隣り合う陽
極ライン２００の電気的絶縁を図っている。しかる後、
蒸着などの成膜手段でＥＬ発光膜を積層し、更にＥＬ発
光膜の上に複数本の陰極ラインを陽極ライン２００と交
差する方向にストライプ状に積層している。

【０００７】しかしながら、このような製造方法では、
有機系のＥＬ発光膜の成膜にあたり、同じく図１０に示
すように、ＥＬ発光膜を構成する膜形成粒子の入射方向
Ｓが基板１００の法線Ｐに対して傾いているときがあ
る。このような場合には、隣設する陽極ライン２００同
士の電気的絶縁を図る絶縁膜３００の高さＨｃが高いた
め、充分な成膜精度が得られないおそれがある。すなわ
ち、高い堤防状の絶縁膜３００で膜形成粒子の入射が遮
られ、ＥＬ発光膜が成膜されない未着部分Ｍが陽極ライ
ン２００の表面に生じることがある。

【０００８】また、開口４０１をもつマスク４００を用
いてパターンニングするときにおいても、マスク４００
と陽極ライン２００との距離ＬＡが大きくなる傾向があ
る。その結果、前述と同様に、ＥＬ発光膜が成膜されな
い未着部分Ｍが、陽極ライン２００の表面に生じること
がある。

【０００９】このように未着部分Ｍが形成された場合に
は、次工程で陰極ラインを積層すると、未着部分に陰極
ラインが直接に積層されるため、陰極ラインと陽極ライ
ン２００とが直接導通するリークの不具合が生じるおそ
れがある。

【００１０】このようなリーク不具合は、マスク４００
を通してＥＬ発光膜を形成する工程で、基板１００ごと
マスク４００を自転させることによっておおむね解消す
ることができる。しかし、陽極ライン２００の表面から
堤防状に高く突出した絶縁膜３００によって形成される
凹凸によって、ＥＬ発光膜の厚さが一定でなくなり、極
めて薄い部分やＥＬ発光膜が形成されていない部分が形
成される可能性が残ってしまう。このような可能性は、
膜厚が薄くなるＥＬ発光膜の縁の部分で、特に高くな
る。すると、ＥＬ発光膜がない部分や極端に薄い部分を
介して、やはり陰極ラインと陽極ライン２００とが直接
導通するリークの不具合が生じるおそれがある。

【００１１】（従来技術１）ここで、従来技術１とし
て、特開平８−３１５９８１号公報に、陽極ライン２０
０および絶縁膜３００の上にオーバーハングをもつ隔壁
を形成し、ＥＬ発光膜を十分に広く形成してリーク不具
合を防ぐ技術が開示されている。しかしながら従来技術
１によっても、陽極ライン２００の表面から堤防状に高
く突出した絶縁膜３００によって形成される凹凸に起因
するリーク不具合については、確実に防止できるとは考
えられない。

【００１２】（従来技術２）一方、第一電極ラインとし
ての陽極ライン２００がＩＴＯ等の透明導電体から形成
されているが、通常、透明導電体の透明度は光学ガラス
よりもずっと低い。それゆえ、陽極ライン２００をあま
り厚く形成すると、ＥＬ発光膜によって発光した光のう
ち陽極ライン２００に吸収されてしまう分が増え、輝度
の向上という要求に応えられない。

【００１３】したがって、陽極ライン２００をなるべく
薄くしたいのであるが、その反面、透明導電体は多くの
金属よりも比抵抗が大きいので、陽極ライン２００を薄
く形成すると、輝度ムラが大きくなるという不都合が生
じる。そして、輝度を保とうとすると印加電圧をせざる
を得ず、リーク不具合の可能性が高まるとともに、消費
電力が増えるという不都合を生じる。逆に、印加電圧を
一定にしていると抵抗が増える分だけ電流が減ってしま
うので、輝度を向上させたいという要求にやはり応える
ことができない。

【００１４】このような二律背反の不都合は、無機ＥＬ
表示素子よりも大きい電流で運用される有機ＥＬ表示素
子において、特に顕著である。その結果、陽極ライン２
００を薄いままにしながら、陽極ライン２００の電気抵
抗を実質的に低下させたいという要求が生じる。

【００１５】そこで、従来技術２として、特開平５−３
０７９９７号公報には、このような要求に応えるため
に、陽極ライン２００に沿って陽極ライン２００と接触
した金属製の補助電極ラインを形成する技術が開示され
ている。同公報には、様々な形式で補助電極ラインを陽
極ライン２００に接して形成する例が開示されている
が、どの例にも一長一短があり、決定的に好適な実施例
は開示されていない。

【００１６】すなわち、金属製の補助電極ラインは光を
通さないので、各陽極ライン２００の上に補助電極ライ
ンを形成してしまうと、補助電極ラインによって光が遮
られる割合が大きくなり、その分だけ輝度が低下してし
まう。このような不都合は、各陽極ライン２００の下に
補助電極ラインを形成した場合にも同様に起こる。かと
いって、各陽極ライン２００の上下に重ねて二枚の補助
電極ラインを形成すると、工数が増えてコストアップに
つながる。

【００１７】一方、陽極ライン２００の上からはみ出し
て補助電極ラインを形成する製造方法では、陽極ライン
２００と透明基板１００との間で段差ができている部分
に成膜することになる。すると、補助電極ラインの横幅
の寸法管理が難しくなり、やはりコストアップにつなが
る。かといって寸法管理が不十分であると、補助電極ラ
インの縁が隣接する陽極ライン２００に近接または接触
して、短絡を生じかねない。

【００１８】このように、従来技術２によっても、補助
電極ラインの形成に伴うコストアップと発光面積の低減
との両方の不都合を、バランス良く解決することは難し
い。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した実
情に鑑みなされたものであり、次の二つの解決すべき課
題をもつ。第一の課題は、ＥＬ表示素子において、第一
電極ラインと第二電極ラインとが短絡するリーク不具合
をほぼ完全に防止することである。第二の課題は、有機
ＥＬ表示素子において、あまりコストアップを生じるこ
となく、輝度の向上と輝度ムラの低減と消費電力の低減
とを実現することである。本発明は、前述の第一の課題
と第二の課題とのうち一方を解決していれば良いものと
する。

【００２０】

【課題を解決するための手段】［本発明のＥＬ表示素
子］ （第１手段）本発明の第１手段は、光透過性をもつ透明
基板と、該透明基板の一方の面に接合し互いに所定間隔
を隔てて配設された多数の透明な導電体からなる第一電
極ラインと、該透明基板の該一方の面に接合し互いに隣
り合う該第一電極ラインの間を絶縁する絶縁膜と、該第
一電極ラインおよび該絶縁膜のうち少なくとも前者の表
面を覆って形成されたエレクトロルミネセンス発光機能
をもつＥＬ発光膜と、該第一電極ラインと所定の角度を
もって該ＥＬ発光膜の表面を覆って形成され互いに所定
間隔を隔てて配設された多数の導電体からなる第二電極
ラインとを有するＥＬ表示素子において、前記第一電極
ラインおよび前記絶縁膜は、前記透明基板と背向する側
に実質的に同一面で互いに連続した表面をもつことを特
徴とするＥＬ表示素子である。

【００２１】前述のように、第一電極ラインおよび絶縁
膜は透明基板に接合されているが、必ずしも直接接合さ
れていることを要しない。すなわち、透明基板の表面に
薄膜やフィルムが形成されており、その表面に第一電極
ラインおよび絶縁膜が接合されていても、そのＥＬ表示
素子は本手段に含まれるものとする。

【００２２】本手段では、第一電極ラインおよび絶縁膜
が、透明基板の表面に交番に形成されているだけではな
く、実質的に同一面で互いに連続した表面を形成してい
る。それゆえ、第一電極ラインおよび絶縁膜が形成する
表面は平滑であって、両者の表面には凹凸がほとんどな
いばかりか、両者が互いに接合する縁部にも実質的に段
差がない。すると、ＥＬ発光膜を形成する際に、第一電
極ラインおよび絶縁膜の表面に形成された段差や凹凸に
起因する成膜不良がなくなるので、ＥＬ発光膜はほぼ均
一に第一電極ラインを覆って生成される。

【００２３】その結果、ＥＬ発光膜の上に積層して形成
される第二電極ラインは、ＥＬ発光膜の不良部分を介し
て第一電極ラインと近接ないし接触することがなくな
り、リーク不具合を生じることはほぼ完全に防止され
る。そして、リーク不具合が効果的に防止されているの
で、製造時の歩留まりが向上するばかりではなく、信頼
性および耐久性も同様に向上する。また、ＥＬ発光膜の
厚さがより均一になるので、輝度ムラが低減され、輝度
の均一性が向上する。

【００２４】そればかりではなく、第一電極ラインおよ
び絶縁膜の表面が実質的に同一面であり、その上に形成
されるＥＬ発光膜および第二電極ラインの成膜精度が向
上する。その結果、隙間が形成されることが防止される
ので、湿気等の浸入がより有効に防止され、よりいっそ
う信頼性、耐久性および耐候性が向上する。

【００２５】しかも、前述のように、第一電極ラインを
研磨する工程は通常のＥＬ表示素子の製造方法でも行わ
れていることであるから、ほとんどコストアップを生じ
ることなしに、本手段のＥＬ表示素子は製造されうる。

【００２６】したがって、本手段のＥＬ表示素子によれ
ば、ほとんどコストアップなしに、第一電極ラインと第
二電極ラインとが短絡するリーク不具合をほぼ完全に防
止することができるという効果がある。そればかりでは
なく、湿気の浸入も防止されているので、ＥＬ表示素子
の歩留まり、信頼性、耐久性および耐候性が向上すると
いう効果がある。さらに、成膜精度が向上しＥＬ発光膜
および第二電極ラインの厚さも均一になるので、ＥＬ表
示素子の輝度ムラも低減され、輝度の均一性が向上する
という効果がある。

【００２７】（第２手段）本発明の第２手段は、前述の
第１手段において、前記ＥＬ表示素子は、有機ＥＬ表示
素子であって、前記第一電極ラインに沿い該第一電極ラ
インの表面の一部と該第一電極ラインに隣接する絶縁膜
の一部とを覆って形成された補助電極ラインを該第一電
極ライン毎に有することを特徴とする。

【００２８】すなわち、本手段は、無機ＥＬ表示素子よ
りもずっと大きな電流を流すことを要する有機ＥＬ表示
素子である。そして、この有機ＥＬ表示素子では、第一
電極ラインに沿って第一電極ラインに接続している補助
電極ラインが、第一電極ラインの表面の一部から絶縁膜
の一部にかけて形成されている。ここで、補助電極ライ
ンのごく一部が第一電極ラインを覆い、他の大部分は絶
縁膜を覆うように、補助電極ラインを形成することもで
きる。

【００２９】すると、有機ＥＬ発光膜の発光部分のうち
補助電極ラインによって光が遮られる部分は、補助電極
ラインの幅のうち第一電極ラインを覆っている部分だけ
に限定される。その結果、補助電極ラインによる輝度の
低下は抑制されていながら、補助電極ラインによって導
電作用が向上し実質的に第一電極ラインの電気抵抗が低
減されるので、輝度が向上し消費電力が減少する。

【００３０】そればかりではなく、第一電極ラインの電
気抵抗に起因して起こる輝度ムラも低減され、輝度の均
一性がさらに向上する。

【００３１】しかも、前述のように第一電極ラインおよ
び絶縁膜の表面は実質的に同一面であり、同表面には段
差や凹凸がほとんどないので、補助電極ラインは寸法精
度良く形成されうる。その結果、比較的安価な補助電極
ラインの形成工程によっても、補助電極ラインを寸法精
度良く形成することができるので、補助電極ラインと隣
の第一電極ラインとの間で短絡が起きることを防止する
ことができる。

【００３２】したがって、本手段の有機ＥＬ表示素子に
よれば、あまりコストアップを生じることなく、輝度の
向上と輝度ムラの低減と消費電力の低減とを実現するこ
とができるという効果がある。

【００３３】［本発明の製造方法］ （第３手段）本発明の第３手段は、透明基板の一方の面
に交互に接合した多数の第一電極ラインおよび絶縁膜を
形成する成膜工程と、該第一電極ラインおよび該絶縁膜
の表面を研磨して該第一電極ラインの表面と該絶縁膜の
表面とを実質的に同一面にし第一電極ラインと該絶縁膜
とを交互に隣接させる研磨工程と、該同一面の上に少な
くとも一層のＥＬ発光膜および第二電極ラインを積層す
る積層工程とを有することを特徴とするＥＬ表示素子の
製造方法である。

【００３４】本手段では、研磨工程により、第一電極ラ
インおよび絶縁膜が、透明基板の表面に交番に形成され
ているだけではなく、実質的に同一面で互いに連続した
表面を形成するに至る。それゆえ、第一電極ラインおよ
び絶縁膜が形成する表面は平滑であって、両者の表面に
は凹凸がほとんどないばかりか、両者が互いに接合する
縁部にも実質的に段差がない。すると、積層工程におい
てＥＬ発光膜を形成する際に、第一電極ラインおよび絶
縁膜の表面に形成された段差や凹凸に起因する成膜不良
がなくなるので、ＥＬ発光膜はほぼ均一に第一電極ライ
ンを覆って生成される。

【００３５】その結果、ＥＬ発光膜の上に積層して形成
される第二電極ラインは、ＥＬ発光膜の不良部分を介し
て第一電極ラインと近接ないし接触することがなくな
り、製品であるＥＬ表示素子において、リーク不具合を
生じることはほぼ完全に防止される。そして、リーク不
具合が効果的に防止されているので、製造時の歩留まり
が向上するばかりではなく、ＥＬ表示素子の信頼性およ
び耐久性も同様に向上する。また、ＥＬ発光膜の厚さが
より均一になるので、ＥＬ表示素子の輝度ムラが低減さ
れ、輝度の均一性が向上する。

【００３６】そればかりではなく、第一電極ラインおよ
び絶縁膜の表面が実質的に同一面であるので、その上に
形成されるＥＬ発光膜および第二電極ラインの成膜精度
が向上する。その結果、隙間が形成されることが防止さ
れるので、湿気等の浸入がより有効に防止され、ＥＬ表
示素子の信頼性、耐久性および耐候性がよりいっそう向
上する。

【００３７】しかも、前述のように、第一電極ラインを
研磨する工程は通常のＥＬ表示素子でも行われているこ
とであるから、研磨工程によるコストアップはない。そ
れゆえ、本手段のＥＬ表示素子の製造方法によっては、
前述の通常技術に比べて、ほとんどコストアップを生じ
ることがない。

【００３８】したがって、本手段のＥＬ表示素子の製造
方法によれば、ほとんどコストアップなしに、第一電極
ラインと第二電極ラインとが短絡するリーク不具合がほ
ぼ完全に防止されたＥＬ表示素子を製造することができ
るようになるという効果がある。それゆえ、歩留まりが
向上する上に、ＥＬ表示素子の信頼性、耐久性および耐
候性も向上するという効果が生じる。そればかりではな
く、成膜精度が向上しＥＬ発光膜および第二電極ライン
の厚さも均一になるので、ＥＬ表示素子の輝度ムラも低
減され、輝度の均一性が向上するという効果がある。

【００３９】（第４手段）本発明の第４手段は、前述の
第３手段において、前記成膜工程は、前記第一電極ライ
ンを所定の幅で所定の間隔を空けて形成した後、該第一
電極ラインの間を埋め該第一電極ラインを覆う前記絶縁
膜をスピンコーティングにより形成する工程であること
を特徴とする。

【００４０】本手段では、互いに隣り合う第一電極ライ
ンの間に絶縁膜がスピンコーティングによって形成され
るので、第一電極ラインだけを形成する場合に比べて成
膜工程で生じるコストアップはほんのわずかである。す
なわち、本手段のＥＬ表示素子の製造方法では、通常の
ＥＬ表示素子の製造方法に比べてほとんどコストアップ
が生じない。

【００４１】したがって本手段によれば、前述の第３手
段の効果に加えて、さらにコストアップを抑制すること
ができるという効果がある。

【００４２】（第５手段）本発明の第５手段は、前述の
第３手段において、前記ＥＬ表示素子は有機ＥＬ表示素
子であって、前記研磨工程と前記積層工程との間に、前
記第一電極ラインに沿って該第一電極ラインの表面の一
部と前記絶縁膜の表面の一部とを覆う補助電極ラインを
形成する補助工程を有することを特徴とする。

【００４３】すなわち、本手段は、無機ＥＬ表示素子よ
りもずっと大きな電流を流すことを要する有機ＥＬ表示
素子を製造する方法である。そして、本手段では、補助
工程において、第一電極ラインに沿って第一電極ライン
に接続している補助電極ラインが、第一電極ラインの表
面の一部から絶縁膜の表面の一部にかけて形成される。
ここで、補助電極ラインのごく一部が第一電極ラインを
覆い、他の大部分は絶縁膜を覆うように、補助電極ライ
ンを形成することもできる。

【００４４】すると、ＥＬ発光膜の発光部分のうち補助
電極ラインによって光が遮られる部分は、補助電極ライ
ンの幅のうち第一電極ラインを覆っている部分だけに限
定される。その結果、補助電極ラインによる輝度の低下
は低減されていながら、補助電極ラインによって導電作
用が向上し実質的に第一電極ラインの電気抵抗が低減さ
れているので、ＥＬ表示素子の輝度が向上し、ＥＬ表示
素子の消費電力が減少する。また、第一電極ラインの電
気抵抗による電圧降下が低減されるので、輝度ムラが低
減され、輝度の均一性がさらに向上する。

【００４５】しかも、前述のように第一電極ラインおよ
び絶縁膜の表面は実質的に同一面であり、同表面には凹
凸がほとんどないので、補助工程では、補助電極ライン
は寸法精度良く形成されうる。その結果、比較的安価な
補助電極ラインの形成工程によっても補助電極ラインを
寸法精度良く形成することができるので、補助電極ライ
ンと隣の第一電極ラインとの間で短絡が起きることを防
止することができる。

【００４６】したがって、本手段によれば、あまりコス
トアップを生じることなく、輝度が向上し輝度ムラおよ
び消費電力が低減された有機ＥＬ表示素子を製造するこ
とができるという効果がある。

【００４７】（第６手段）本発明の第６手段は、前述の
第５手段において、前記補助工程は、前記同一面に一様
に金属膜を形成した後、ウェットエッチングおよびドラ
イエッチングのうち一方によってエッチングを施し、前
記補助電極ラインを形成する工程であることを特徴とす
る。

【００４８】本手段では、レーザーエッチングとは異な
り、量産性が非常に良い上に、成膜工程および研磨工程
で形成された第一電極ラインおよび絶縁膜の平滑な表面
を荒らすことがない。そして、ウェットエッチングおよ
びドライエッチングのうちいずれを選ぶかによって、そ
れぞれに固有の効果が得られる。すなわち、補助工程に
おいてウェットエッチングを行った場合、エッチング加
工に要する製造設備が安価である上に、量産性が極めて
良いという効果がある。一方、補助工程においてドライ
エッチングを行った場合、寸法精度が非常高いので、隣
の第一電極ラインとの短絡がより確実に防止され、第一
電極ラインのピッチをさらに詰めることができるように
なるという効果がある。

【００４９】したがって本手段によれば、前述の第５手
段の効果に加えて、ウェットエッチングが採用されれば
製造コストを抑制する効果が得られ、ドライエッチング
が採用されれば補助電極ラインの寸法精度が向上すると
いう効果が得られる。

【００５０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態としては、有
機ＥＬ表示素子でも無機ＥＬ表示素子でもかまわない。
しかし、近年は有機ＥＬ表示素子が主流になってきてい
るので、以下では有機ＥＬ表示素子に本発明を適用した
場合の望ましい実施の形態について説明する。有機ＥＬ
表示素子では、第一電極ラインは陽極ラインであり、第
二電極ラインは陰極ラインである。

【００５１】先ず、陽極ラインとしては、従来と同様に
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ＡＺＯ（Ａｌ添加Ｚ
ｎＯ）、ＳｎＯ₂ などの光透過性をもつ薄膜（透明導電
膜）を採用することができる。陽極ラインの厚さは適宜
選択でき、一般には１０〜３００ｎｍの範囲とするのが
好ましいが、特に制限されるものではない。また、互い
に隣り合う陽極ラインの間は、絶縁膜で電気的に絶縁さ
れている。

【００５２】一方、絶縁膜としては、各種の絶縁性物質
を採用することができるが、酸化物系絶縁物質を採用す
ることが好ましい。

【００５３】また、補助電極ラインを形成する材料とし
ては、金、銅、アルミニウム、クロムなどの導電性に優
れた金属が望ましいが、これらに限定されるものではな
い。将来的には、超伝導材料で補助電極ラインを形成す
ることができるうようになれば、極めて優れた輝度特性
を持つ有機ＥＬ表示素子を製造することができるように
なるであろう。

【００５４】次に、発光層は、従来の有機系ＥＬ表示素
子と同様に、正孔輸送層と、正孔輸送層上に形成された
発光体層と、発光体層上に形成された電子輸送層とから
構成されうる。正孔輸送層としては、従来と同様にトリ
フェニルジアミン誘導体などの第３級アミン誘導体、
（ジ）スチリルベンゼン（ピラジン）誘導体、ジオレフ
ィン誘導体、オキサジアゾール誘導体などのジ（トリ）
アゾール誘導体、キノサリン誘導体、フラン系化合物、
ヒドラゾン系化合物、ナフタセン誘導体、クマリン系化
合物、キナクリドン誘導体、インドール系化合物、ピレ
ン系化合物、アントラセン系化合物などが例示される。
また、発光体層としては、蛍光染料として知られる種々
の物質を採用することができ、トリスキノリノアルミニ
ウム錯体、ジスチリルビフェニル誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体などが例示される。さらに、電子輸送層とし
ては、ポリシラン、オキサジアゾール誘導体、トリスキ
ノリノアルミニウム錯体などが例示される。

【００５５】ここで、正孔輸送層の厚さは、従来と同様
に１０〜１００ｎｍとするのが望ましい。また、発光体
層の厚さは、従来と同様に１０〜１００ｎｍとするのが
望ましい。同様に、電子輸送層の厚さは、従来と同様に
１０〜１００ｎｍとするのが望ましい。

【００５６】この発光層を構成する各層は、それぞれ真
空蒸着法、ラングミュアブロジェット蒸着法、ディップ
コーティング法、スピンコーティング法、真空気体蒸着
法、有機分子線エピタキシ法などを用いて形成すること
ができる。

【００５７】最後に、陰極ラインはＴｉ，Ａｌ，Ｍｇ，
Ｚｎ，Ｓｎなどの導電性金属から、蒸着法などにより形
成することができる。

【００５８】本発明の製造方法における研磨工程では、
陽極ラインおよび絶縁膜に対して研磨による厚さ低減操
作を行い、陽極ラインの表面と絶縁膜の表面とを実質的
に同一面とする。研磨工程での厚さ低減操作としては、
陽極ラインおよび絶縁膜の表面を研磨ないし研磨する。
研磨処理としては、湿式研磨処理および乾式研磨処理の
うちいずれでも採用できるが、湿式研磨処理を取ること
が望ましい。

【００５９】

【実施例】［実施例１］ （実施例１のＥＬ表示素子）本発明の実施例１としての
ＥＬ表示素子は、有機ＥＬ表示素子であって、図１
（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、透明基板１と、第一電極
ラインとしての陽極ライン２と、絶縁膜３と、有機ＥＬ
発光膜４と、第二電極ラインとしての陰極ライン５とを
有する。

【００６０】すなわち、透明基板１は、光透過性に優れ
た平面ガラスからなる基板であって、両側に平らで平滑
な表面１ｒ（一方だけを図示）をもつ。そして、陽極ラ
イン２は、透明な導電性ガラス（ＩＴＯ）からなる電極
であり、透明基板の一方の表面に接合し互いに所定間隔
を隔ててストライプ状に多数本が配設されている。ま
た、絶縁膜３は、二酸化珪素（Ｓｉ０₂ ）からなる絶縁
材であって、透明基板１の同じ側の表面に接合してお
り、互いに隣り合う陽極ライン２の間を絶縁してストラ
イプ状に多数本が配設されている。

【００６１】ここで、陽極ライン２および絶縁膜３は、
図（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、透明基板１と背向する
側に実質的に同一平面で互いに連続した表面２ａ，３ａ
をもつ。すなわち、陽極ライン２および絶縁膜３は、互
いに同一平面内にある平滑な表面２ａ，３ａを形成して
おり、表面２ａ，３ａの上に有機ＥＬ発光膜４および陰
極ライン５が積層されている。

【００６２】有機ＥＬ発光膜４は、陽極ライン２および
絶縁膜３の表面２ａ，３ａを覆って形成されたエレクト
ロルミネセンス発光機能をもつ有機膜であり、陽極ライ
ン２および絶縁膜３を直交して横切る方向にストライプ
状に延在している。そして、陰極ライン５は、有機ＥＬ
発光膜４の表面を覆って形成されており、互いに所定間
隔を隔ててストライプ状に配設された多数の金属導電体
からなる。

【００６３】なお、有機ＥＬ発光膜４および陰極ライン
５が所定の間隔を開けてストライプ状に形成されるよう
に、各有機ＥＬ発光膜４および各陰極ライン５を隔てる
隔壁６が、陽極ライン２および絶縁膜３の表面２ａ，３
ａ上に等間隔に形成されている。各隔壁６は、ポリイミ
ド樹脂製の絶縁材料からなり、おおむね逆台形の断面形
状をもっている。そして、陰極ライン５が有機ＥＬ発光
膜４の縁からはみ出して陽極ライン２と接触することを
防ぐ目的で、有機ＥＬ発光膜４の幅は、陰極ライン５の
幅よりも広く形成されている。

【００６４】以下、本実施例の有機ＥＬ表示素子の構成
について、より具体的に詳しく説明する。

【００６５】図１（Ａ）は、画素Ｘを構成するドットマ
トリックスを備えた有機ＥＬ表示素子を概念的に示す平
面図である。そして、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中のＢ
−Ｂ線に沿った本実施例の有機ＥＬ表示素子の断面形状
を示す断面図である。また、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）
のＣ−Ｃ線に沿った本実施例の有機ＥＬ表示素子の断面
形状を示す断面図である。

【００６６】本実施例の有機ＥＬ表示素子は、透明性を
もつガラス製の平坦な透明基板１と、透明基板１の表面
１ｒに積層された複数本の陽極ライン２と、隣設する陽
極ライン２同士の間に設けられた電気絶縁性をもつ絶縁
膜３と、エレクトロルミネッセンス発光性を奏する有機
ＥＬ発光膜４と、有機ＥＬ発光膜４の上に積層された陰
極ライン５とを備えている。

【００６７】陽極ライン２は、所定の間隔Ｌを隔ててス
トライプ状に形成されており、一方向にのびている。有
機ＥＬ発光膜４は、図１（Ｂ）に示すように、正孔輸送
層４ａと、正孔輸送層４ａ上に積層された発光体層４ｂ
と、発光体層４ｂ上に積層された電子輸送層４ｃとをも
つ。

【００６８】同じく図１（Ｂ）に示すように、陽極ライ
ン２の表面２ａと絶縁膜３の表面３ａとは、実質的に同
一平面を形成している。そして、陽極ライン２の表面２
ａおよび絶縁膜３の表面３ａに沿って、有機ＥＬ発光膜
４が平坦に積層されており、さらにその上に陰極ライン
５が平坦に積層されている。

【００６９】同じく図１（Ｂ）に示すように、陽極ライ
ン２の表面２ａおよび絶縁膜３の表面３ａに、厚さＴ４
をもつポリイミド樹脂製の隔壁６が積層されている。そ
して、図１（Ｃ）に示すように、隔壁６は、互いに隣り
合う陰極ライン５を電気的に絶縁するように、多数本が
所定の間隔を隔ててストライプ状に互いに平行に形成さ
れている。

【００７０】（実施例１の製造方法）本発明の実施例１
としての有機ＥＬ表示素子の製造方法は、以下のような
成膜工程、研磨工程および積層工程を順に有する。

【００７１】第一に、成膜工程は、透明基板１の一方の
面に接合して、多数の第一電極ラインとしての陽極ライ
ン２と多数の絶縁膜３とを交互に形成する工程である。
第二に、研磨工程は、陽極ライン２および絶縁膜３の表
面２ａ，３ａを研磨して、陽極ライン２の表面２ａと絶
縁膜３の表面３ａとを実質的に同一平面にし、陽極ライ
ン２と絶縁膜３とを交互に隣接させる工程である。第三
に、積層工程は、同一平面２ａ，３ａの上に一層の有機
ＥＬ発光膜４と第二電極ラインとしての陰極ライン５と
を積層する工程である。

【００７２】以下、本実施例の製造方法について、図２
（Ａ）〜（Ｄ）を主に参照しつつ、具体的に詳しく説明
する。

【００７３】第一に、積層工程が行われる。

【００７４】成膜工程では、先ず図２（Ａ）に示すよう
に、電気絶縁性をもつ二酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）からなる
酸化物膜３ｐが、約３５０ｎｍの厚さで透明基板１の表
面１ｒに積層される。この場合には、ゾルゲル法を利用
してスピンコート処理で成膜した後に焼成することによ
り、酸化物膜３ｐは平坦に形成されうる。あるいは、ス
パッタリング等の物理的成膜手段によって、酸化物膜３
ｐが形成されていても良い。

【００７５】次に図２（Ｂ）に示すように、酸化物膜３
ｐの不必要部分がエッチングによって部分的に除去され
る。ストライプ状のエッチングマスクを用いてエッチン
グすることにより、多数本の絶縁膜３がストライプ状に
形成される。酸化物膜３ｐをエッチングするにあたって
は、フォトレジストマスクが用られ、ドライエッチング
法により、酸化物膜３ｐの余分な部分が除去される。ド
ライエッチング法としては、リアクティブイオンエッチ
ング法、スパッタエッチング法、プラズマエッチング
法、イオンビームエッチング法等を採用でる。本実施例
では、リアクティブイオンエッチング法が採用されてい
る。

【００７６】その後、図２（Ｃ）に示すように、絶縁膜
３を覆って、スパッタリングによりＩＴＯ膜２ｐが、約
５００ｎｍの厚さで透明基板１の表面１ｒに接して形成
される。この際、ＩＴＯ膜２ｐの厚さＴ２が絶縁膜３の
高さＴ１を越えるように、ＩＴＯ膜２ｐは透明基板１の
表面１ｒに積層される。つまり、ＩＴＯのスパッタリン
グが終わった時点では、ＩＴＯ膜２ｐの厚さＴ２は絶縁
膜３の厚さＴ１よりも厚くなっている。

【００７７】第二に、研磨工程が行われる。

【００７８】研磨工程では、後に陽極ライン２を形成す
るＩＴＯ膜２ｐと絶縁膜３とに対して、厚さを低減する
操作を行なう。厚さを低減する操作としては、ＩＴＯ膜
２ｐの表面２ｐｏおよび絶縁膜３を共に研磨する研磨処
理を採用できる。この研磨処理により、ＩＴＯ膜２ｐお
よび絶縁膜３の厚さは約３００ｎｍとなる。よって、図
２（Ｄ）に示すように陽極ライン２の表面２ａおよび絶
縁膜３の表面３ａを実質的に同一平面とする。

【００７９】この研磨処理は、乾式研磨または湿式研磨
によって行われうる。乾式研磨によって研磨処理が行わ
れる場合には、ポリエステルなどの樹脂がベースとさ
れ、極微細な研磨粒子がバインダにより均一に分散塗布
されたフィルム状研磨シートが用いられる。一方、湿式
研磨によって研磨処理が行われる場合には、スエード等
の研磨シートが用いられ、研磨液が介在した状態で研磨
処理が行われる。この際使用される研磨液としては、酸
化セリウム、アルミナ、ダイヤモンドペーストを純水で
懸濁液にしたものが採用されている。

【００８０】本実施例では、ＩＴＯからなる陽極ライン
２と二酸化珪素からなる絶縁膜３とは、共に酸化物であ
る。それゆえ、研磨工程では、両酸化物の表面とその接
合部とが研磨処理されるので、酸化物と樹脂とのように
研磨性が異なる部分を一緒に研磨する場合に比較して、
研磨を良好になし得る。その結果、両表面２ａ，３ａの
平滑度が高くなるだけではなく、両表面２ａ，３ａの間
で段差がほとんど生じることはない。

【００８１】第三に、積層工程が行われる。

【００８２】積層工程では、先ず、再び図１（Ｃ）に示
すように、隔壁６がポリイミド樹脂から形成される。そ
して次に、再び図１（Ｂ）に示すように、実質的に同一
平面を形成している陽極ライン２および絶縁膜３の表面
２ａ，３ａに、エレクトロルミネセンス発光機能をもつ
有機ＥＬ発光膜４が積層される。その後、蒸着等の成膜
手段により有機ＥＬ発光膜４の表面に陰極ライン５が積
層される。最後に、湿気進入などを防止するために、保
護膜（図示せず）が、有機ＥＬ発光膜４、陰極ライン５
および隔壁６の全面を覆って塗布される。

【００８３】（実施例１の作用効果）本実施例では、製
造方法に前述のような成膜工程および研磨工程を採用し
たことにより、陽極ライン２および絶縁膜３が、透明基
板１の表面１ｒに交番に形成されている。それだけでは
なく、陽極ライン２および絶縁膜３の表面２ａ，３ａ
は、実質的に同一平面にあり互いに連続した滑らかな表
面を形成するに至っている。それゆえ、陽極ライン２お
よび絶縁膜３が形成する表面２ａ，３ａは平滑であっ
て、両者２，３の表面２ａ，３ａには凹凸がほとんどな
いばかりか、両者２，３が互いに接合する縁部にも実質
的に段差がない。

【００８４】すると、積層工程において有機ＥＬ発光膜
４を形成する際に、陽極ライン２および絶縁膜３の表面
２ａ，３ａに形成された凹凸や両表面２ａ，３ａに起因
する成膜不良がなくなる。それゆえ、有機ＥＬ発光膜４
は、ほぼ均一に陽極ライン２および絶縁膜３の表面２
ａ，３ａを覆って生成され、有機ＥＬ発光膜４の成膜不
良が防止される。

【００８５】その結果、有機ＥＬ発光膜４の上に積層し
て形成される陰極ライン５は、有機ＥＬ発光膜４の不良
部分を介して第一電極ラインと近接ないし接触すること
がなくなる。そして、製品である有機ＥＬ表示素子にお
いて、リーク不具合を生じることはほぼ完全に防止され
る。そして、リーク不具合が効果的に防止されているの
で、製造時の歩留まりが向上するうえに、有機ＥＬ表示
素子の信頼性および耐久性も同様に向上する。また、有
機ＥＬ発光膜４の厚さがより均一になるので、ＥＬ表示
素子の輝度ムラが低減され、輝度の均一性が向上する。

【００８６】そればかりではなく、陽極ライン２および
絶縁膜３の表面２ａ，３ａが実質的に同一平面にあるの
で、両表面２ａ，３ａの上に形成される有機ＥＬ発光膜
４および陰極ライン５の成膜精度が向上する。その結
果、保護膜に隙間が形成されることが防止されるので、
湿気等の浸入がより有効に防止され、有機ＥＬ表示素子
の信頼性、耐久性および耐候性がよりいっそう向上す
る。

【００８７】しかも、従来の技術の項で述べたように、
陽極ライン２を研磨する工程は通常の有機ＥＬ表示素子
でも行われていることであるから、工数が増えるわけで
はなく、研磨工程によるコストアップはない。それゆ
え、本実施例の有機ＥＬ表示素子の製造方法によって
は、前述の通常技術に比べて、製品たる有機ＥＬ表示素
子にほとんどコストアップを生じることがない。

【００８８】したがって、本実施例の有機ＥＬ表示素子
およびその製造方法によれば、ほとんどコストアップな
しに、陽極ライン２と陰極ライン５とが短絡するリーク
不具合がほぼ完全に防止されたＥＬ表示素子を製造する
ことができるようになるという効果がある。それゆえ、
製造方法での歩留まりが向上するうえに、有機ＥＬ表示
素子の信頼性、耐久性および耐候性も向上するという効
果が生じる。そればかりではなく、成膜精度が向上し有
機ＥＬ発光膜４および陰極ライン５の厚さも均一になる
ので、有機ＥＬ表示素子の輝度ムラも低減され、輝度の
均一性が向上するという効果がある。

【００８９】（実施例１の変形態様１）本実施例の変形
態様１として、実施例１とは逆の順で、陽極ライン２お
よび絶縁膜３を形成する積層工程をもった有機ＥＬ表示
素子の製造方法を実施することができる。

【００９０】以下、本変形態様の製造方法について、図
３（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。

【００９１】先ず、成膜工程が行われる。すなわち、図
３（Ａ）に示すように、スパッタリングによりＩＴＯ膜
２ｐが、３５０ｎｍの厚さで、透明基板１の表面１ｒに
形成される。そして、図３（Ｂ）に示すように、ＩＴＯ
膜２ｐの不必要部分がエッチングにより部分的に除去さ
れる。こうして、多数本の陽極ライン２がストライプ状
に形成される。その後、図３（Ｃ）に示すように、陽極
ライン２を覆って、電気絶縁性をもつ二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ₂ ）の酸化物膜３ｐが、スパッタリングにより約５０
０ｎｍの厚さで透明基板１の表面１ｒに積層される。こ
のとき酸化物膜３ｐの高さが陽極ライン２の高さを越え
るように、酸化物膜３ｐは透明基板１の表面１ｒに積層
される。つまり陽極ライン２の厚さＴ５よりも酸化物膜
３ｐの厚さＴ６が厚くなるように、酸化物膜３ｐは形成
される。

【００９２】次に、研磨工程が行われる。研磨工程で
は、透明基板１上の陽極ライン２および酸化物膜３ｐ
（研磨により絶縁膜３を形成）に対して、厚さを低減す
る操作が行なわれる。厚さを低減する操作として、陽極
ライン２および酸化物膜３ｐが表面３ｐｏから研磨され
る。研磨工程により、陽極ライン２および酸化物膜３ｐ
の厚さは約３００ｎｍに低減されて、酸化物膜３ｐから
絶縁膜３が削り出される。その結果、図３（Ｄ）に示す
ように、陽極ライン２の表面２ａおよび絶縁膜３の表面
３ａは、実質的に同一平面を形成するに至る。

【００９３】研磨工程では、実施例１で述べたように、
スエード等の研磨シートを用い研磨液を介在させた湿式
研磨が行われる。この際使用される研磨液としては、酸
化セリウム、アルミナ、ダイヤモンドペーストを純水で
懸濁液にしたものが採用されている。

【００９４】最後に、積層工程が行われる。積層工程で
は、図１（Ｂ）から理解できるように、実質的に同一平
面内にある陽極ライン２および絶縁膜３の表面２ａ，３
ａに、発光機能をもつ有機ＥＬ発光膜４が積層される。
その後、蒸着等の成膜手段により、有機ＥＬ発光膜４の
表面に陰極ライン５が積層される。さらにその後、湿気
進入などを防止するために、有機ＥＬ発光膜４等を覆う
保護膜（図示せず）が塗布される。

【００９５】本変形態様の製造方法によっても、実施例
１の製造方法とおおむね同様の作用効果が得られる。

【００９６】（実施例１の変形態様２）本実施例の変形
態様２として、前述の変形態様１と同様に多数の陽極ラ
イン２が形成された後、透明基板１の表面１ｒと陽極ラ
イン２とを覆う絶縁膜３を、スピンコーティングによっ
て形成する成膜工程を有する製造方法の実施が可能であ
る。

【００９７】すなわち、本変形態様において、成膜工程
は、陽極ライン２を所定の幅で所定の間隔を空けて形成
した後、陽極ライン２の間を埋め陽極ライン２を覆う絶
縁膜３をスピンコーティングにより形成する工程であ
る。ここで絶縁膜３と呼んだものは、より正確には、研
磨工程によって絶縁膜３を形成するに至る酸化物膜３ｐ
のことである。本変形態様の成膜工程および研磨工程
は、再び図３（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、前述の変形
態様２と同じ図を参照して説明されうる。

【００９８】本変形態様では、前述の変形態様１と異な
って、互いに隣り合う陽極ライン２の間に絶縁膜３がス
ピンコーティングによって形成されるので、陽極ライン
２を形成する場合に比べても成膜工程で生じるコストア
ップはほんのわずかである。すなわち、本変形態様のＥ
Ｌ表示素子の製造方法では、通常のＥＬ表示素子の製造
方法に比べてほとんどコストアップが生じない。

【００９９】したがって、本変形態様の製造方法によれ
ば、前述の変形態様１よりもコストダウンすることがで
きるという効果がある。

【０１００】［実施例２］ （実施例２のＥＬ表示素子）本発明の実施例２としての
有機ＥＬ表示素子は、図９に示すように、陽極ライン２
に沿い、陽極ライン２の表面２ａの一部と陽極ライン２
に隣接する絶縁膜３の表面３ａの一部とを覆って形成さ
れた補助電極ライン７を、陽極ライン２毎に有する。

【０１０１】すなわち、図４に示すように、幅０．４７
ｍｍの陽極ライン２の表面２ａと、幅０．０３ｍｍの絶
縁膜３の表面３ａとは、同一平面を形成している。そし
て、再び図９に示すように、両表面２ａ，３ａにまたが
って、幅０．０４ｍｍのクロム製の補助電極ライン７が
形成されている。補助電極ライン７は、それぞれ０．０
２ｍｍずつ陽極ライン２および絶縁膜３に乗っており、
陽極ライン２の有効な幅は、０．４７ｍｍから０．４５
ｍｍに４％ほど減っている。なお、本実施例で開示され
る各寸法には、適正な公差が設定されている。

【０１０２】ちなみに、再び図４に示すように、陽極ラ
イン２および絶縁膜３の厚さは１６０ｎｍであり、一
方、図５に示すように、補助電極ライン７の厚さは３０
０ｎｍである。そして、陽極ライン２を形成しているＩ
ＴＯの比抵抗は１５０〜１８０μΩ・ｃｍであり、一
方、補助電極ライン７を形成しているクロムの比抵抗は
３０〜４０μΩ・ｃｍである。それゆえ、補助電極ライ
ン７が接合された陽極ライン２の電気抵抗は、陽極ライ
ン２だけの電気抵抗に比べて、おおむね半減している。

【０１０３】その他の点においては、本実施例の有機Ｅ
Ｌ表示素子は、前述の実施例１の有機ＥＬ表示素子と同
様の構成に構成されている。

【０１０４】（実施例２の製造方法）本発明の実施例２
としての有機ＥＬ表示素子の製造方法は、実施例１と同
様の成膜工程および研磨工程と、実施例１とほぼ同様の
積層工程とを有する。本実施例の製造方法は、これらの
工程に加えて、研磨工程と積層工程との間に、補助電極
ライン７を形成する補助工程を有する。

【０１０５】すなわち、補助工程は、研磨工程と積層工
程との間に実施される工程であり、補助工程では、陽極
ライン２に沿って、陽極ライン２の表面２ａの一部と絶
縁膜３の表面３ａの一部とを覆う補助電極ライン７を形
成する工程である。すなわち、補助工程では、同一平面
にある両表面２ａ，３ａに一様にクロムからなる金属膜
７ｐが形成された後、この金属膜７ｐにウェットエッチ
ングが施されて、補助電極ライン７が形成される。

【０１０６】以下、補助工程について、図４ないし図９
を参照しながら、より詳しく説明する。

【０１０７】補助工程における初期状態では、図４に示
すように、研磨工程が完了して、透明基板１の表面に接
合された陽極ライン２および絶縁膜３の表面２ａ，３ａ
は、実質的に同一平面内に形成されている。

【０１０８】先ず、図５に示すように、陽極ライン２お
よび絶縁膜３の表面２ａ，３ａに、スパッタリングによ
り厚さ３００ｎｍのクロム膜７ｐが形成される。

【０１０９】次に、図６ないし図９に示すように、クロ
ム膜７ｐにウェットエッチングが施されて補助電極ライ
ン７が形成される。すなわち、図６に示すように厚さ１
〜２μｍのフォトレジスト８がクロム膜７ｐの表面に塗
布され、マスク露光処理およびレジスト現像処理を経
て、図７に示すように補助電極ライン７を形成すべき位
置にフォトレジスト８が残される。この状態でウェット
エッチング処理が行われると、図８に示すように、フォ
トレジスト８に覆われていなかった部分のクロム膜７ｐ
が除去され、補助電極ライン７が残る。しかる後、残っ
ていたフォトレジスト８を除去すれば、図９に示すよう
に、陽極ライン２および絶縁膜３の表面２ａ，３ａに接
合した補助電極ライン７が形成され、補助工程は完了す
る。

【０１１０】そこで最後に、陽極ライン２および絶縁膜
３と補助電極ライン７とのうえに、隔壁６、有機ＥＬ発
光膜４および陰極ライン５（図１参照）が積層される積
層工程が行われる。そして、これらが保護膜で封止され
て、本実施例の有機ＥＬ表示素子が完成する。

【０１１１】（実施例２の作用効果）以上詳述したよう
に、本実施例の製造方法は、無機ＥＬ表示素子よりもず
っと大きな電流を流すことを要する有機ＥＬ表示素子を
製造する方法である。そして本実施例では、前述のよう
に、補助工程において、陽極ライン２に沿って陽極ライ
ン２に接続している補助電極ライン７が、陽極ライン２
の表面２ａの一部から絶縁膜３の一部３ａにかけて形成
される。ここで、補助電極ライン７の半分が陽極ライン
２を覆い、他の半分は絶縁膜３を覆うように、補助電極
ライン７は形成されている。

【０１１２】すると、有機ＥＬ発光膜４の発光部分のう
ち補助電極ライン７によって光が遮られる部分は、補助
電極ライン７のうち陽極ライン２を覆っている幅０．０
２ｍｍの部分だけに限定されている。その結果、補助電
極ライン７によって遮られておこる発光面積の低下は、
４％程度でしかない。逆に、補助電極ライン７によって
導電作用が向上し、実質的に陽極ライン２の電気抵抗は
前述のように半減している。

【０１１３】それゆえ、実施例１の有機ＥＬ表示素子と
同じ印加電圧がかけられていれば、電流が倍増して本実
施例の有機ＥＬ表示素子の輝度は、前述の実施例１より
も向上する。一方、電流が実施例１と同じであるとする
と、電気抵抗が半減しているので印加電圧も低減され、
本実施例の有機ＥＬ表示素子においては、消費電力も実
施例１に比べて低減される。

【０１１４】また、陽極ライン２の電気抵抗による電圧
降下が低減されるので、輝度ムラが低減され、輝度の均
一性がさらに向上する。

【０１１５】しかも、前述のように陽極ライン２および
絶縁膜３の表面２ａ，３ａは実質的に同一平面にあり、
同表面には凹凸がほとんどないので、補助工程では、補
助電極ライン７は寸法精度良く形成されうる。それゆ
え、ウェットエッチングによる安価な補助電極ラインの
形成工程によっても、補助電極ライン７を寸法精度良く
形成することができる。また、本実施例の補助工程で
は、ウェットエッチングに要する製造設備が安価である
うえに、量産性が極めて良い。それゆえ、補助工程にあ
まりコストがかからないでいながら、補助電極ライン７
と隣の陽極ライン２との間で短絡が起きることを防止す
ることができる。

【０１１６】したがって、本実施例の製造方法によれ
ば、あまりコストアップを生じることなく、輝度が向上
し輝度ムラおよび消費電力が低減された有機ＥＬ表示素
子を製造することができるという効果がある。また、本
実施例の有機ＥＬ表示素子によれば、比較的安価であり
ながら、輝度が向上し輝度ムラおよび消費電力が低減さ
れるという効果がある。

【０１１７】（実施例２の変形態様１）本実施例の変形
態様１として、補助電極ライン７の断面の角と隅とをな
くして曲面を形成し、陽極ライン２および絶縁膜３の表
面２ａ，３ａと滑らかにつながるようにした有機ＥＬ表
示素子を製造することが可能である。

【０１１８】本変形態様の有機ＥＬ表示素子では、補助
電極ライン７の縁部の表面が曲面で形成されており、陽
極ライン２および絶縁膜３の表面２ａ，３ａとなだらか
につながっているので、積層工程での成膜精度が向上す
る。その結果、リーク不具合が防止され、歩留まりが向
上するとともに、信頼性、耐久性および耐候性も向上す
る。

【０１１９】本変形態様の有機ＥＬ表示素子は、補助工
程の後、補助電極ライン７に等方性エッチングを施すこ
とによって製造されうる。

【０１２０】（実施例２の変形態様２）本実施例の変形
態様２として、超伝導材料からなる補助電極ライン７お
よび陰極ライン５をもつ有機ＥＬ表示素子を製造するこ
とも、将来的には可能になるであろう。

【０１２１】本変形態様では、陽極ライン２に接した補
助電極ライン７の電気抵抗と陰極ライン５の電気抵抗と
がゼロになり、印加電圧が低くても大きな電流が有機Ｅ
Ｌ発光膜４に流れるので、高い輝度が得られる。さら
に、補助電極ライン７および陰極ライン５に沿った電圧
降下がなくなるので、電圧降下に起因する輝度ムラもな
くなり、輝度の均一性がよりいっそう向上する。

【０１２２】（実施例２の変形態様３）本実施例の変形
態様３として、実施例１の変形態様１および変形態様２
の成膜工程を有する有機ＥＬ表示素子の製造方法を実施
することができる。本変形態様によっても、実施例１の
変形態様１および変形態様２の作用効果と同様の作用効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１としての有機ＥＬ表示素子の構成を
示す組図 （Ａ）平面図 （Ｂ）Ｂ−Ｂ断面図 （Ｃ）Ｃ−Ｃ
断面図

【図２】 実施例１としての有機ＥＬ表示素子の製造方
法を示す組図 （Ａ）成膜工程の最初に形成される酸化物膜を示す断面
図 （Ｂ）成膜工程の途中で形成される絶縁膜を示す断面図 （Ｃ）成膜工程後のＩＴＯ膜および絶縁膜を示す断面図 （Ｄ）研磨工程後の陽極ラインおよび絶縁膜を示す断面
図

【図３】 実施例１の変形態様１としての製造方法を示
す組図 （Ａ）成膜工程の最初に形成されるＩＴＯ膜を示す断面
図 （Ｂ）成膜工程の途中で形成される陽極ラインを示す断
面図 （Ｃ）成膜工程後の陽極ラインおよび酸化物膜を示す断
面図 （Ｄ）研磨工程後の陽極ラインおよび絶縁膜を示す断面
図

【図４】 実施例２としての製造方法で成膜工程後の表
面を示す断面図

【図５】 実施例２で補助工程の初期でのクロム成膜状
態を示す断面図

【図６】 実施例２で補助工程の途中でのレジスト塗布
状態を示す断面図

【図７】 実施例２で補助工程の途中でのレジスト現像
状態を示す断面図

【図８】 実施例２で補助工程のクロム膜エッチング状
態を示す断面図

【図９】 実施例２で補助工程後の補助電極ラインの形
成状態を示す断面図

【図１０】従来の通常技術の製造方法での積層工程を示
す断面図

【符号の説明】

１：透明基板（ガラス製） １ｒ：表面（一方の面と
して） ２：陽極ライン（ＩＴＯ膜製、第一電極ラインとして）
２ａ：表面 ２ｐ：ＩＴＯ膜 ２ｐｏ：表面 ３：絶縁膜（二酸化珪素製） ３ａ：表面 ３ｐ：酸化物膜（二酸化珪素製） ３ｐｏ：表面 ４：有機ＥＬ発光膜 ４ａ：正孔輸送層 ４ｂ：発光体層 ４ｃ：電子輸
送層 ５：陰極ライン（第二電極ラインとして） ６：隔壁（ポリイミド樹脂製） ７：補助電極ライン（クロム製） ７ｐ：クロム膜
（金属膜として） ８：フォトレジスト Ｘ：画素

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光透過性をもつ透明基板と、 該透明基板の一方の面に接合し互いに所定間隔を隔てて
   配設された多数の透明な導電体からなる第一電極ライン
   と、 該透明基板の該一方の面に接合し互いに隣り合う該第一
   電極ラインの間を絶縁する絶縁膜と、 該第一電極ラインおよび該絶縁膜のうち少なくとも前者
   の表面を覆って形成されたエレクトロルミネセンス発光
   機能をもつＥＬ発光膜と、 該第一電極ラインと所定の角度をもって該ＥＬ発光膜の
   表面を覆って形成され互いに所定間隔を隔てて配設され
   た多数の導電体からなる第二電極ラインと、を有するＥ
   Ｌ表示素子において、 前記第一電極ラインおよび前記絶縁膜は、前記透明基板
   と背向する側に実質的に同一面で互いに連続した表面を
   もつことを特徴とするＥＬ表示素子。
2. 【請求項２】 前記ＥＬ表示素子は、有機ＥＬ表示素子
   であって、 前記第一電極ラインに沿い、該第一電極ラインの表面の
   一部と該第一電極ラインに隣接する絶縁膜の一部とを覆
   って形成された補助電極ラインを、該第一電極ライン毎
   に有する、 請求項１記載のＥＬ表示素子。
3. 【請求項３】透明基板の一方の面に交互に接合した多数
   の第一電極ラインおよび絶縁膜を形成する成膜工程と、 該第一電極ラインおよび該絶縁膜の表面を研磨して該第
   一電極ラインの表面と該絶縁膜の表面とを実質的に同一
   面にし、第一電極ラインと該絶縁膜とを交互に隣接させ
   る研磨工程と、 該同一面の上に少なくとも一層のＥＬ発光膜および第二
   電極ラインを積層する積層工程と、 を有することを特徴とするＥＬ表示素子の製造方法。
4. 【請求項４】 前記成膜工程は、前記第一電極ラインを
   所定の幅で所定の間隔を空けて形成した後、該第一電極
   ラインの間を埋め該第一電極ラインを覆う前記絶縁膜を
   スピンコーティングにより形成する工程である、 請求項３記載のＥＬ表示素子の製造方法。
5. 【請求項５】 前記ＥＬ表示素子は有機ＥＬ表示素子
   であって、 前記研磨工程と前記積層工程との間に、前記第一電極ラ
   インに沿って、該第一電極ラインの表面の一部と前記絶
   縁膜の表面の一部とを覆う補助電極ラインを形成する補
   助工程を有する、 請求項３記載のＥＬ表示素子の製造方法。
6. 【請求項６】 前記補助工程は、前記同一面に一様に金
   属膜を形成した後、ウェットエッチングおよびドライエ
   ッチングのうち一方によってエッチングを施し、前記補
   助電極ラインを形成する工程である、 請求項５記載のＥＬ表示素子の製造方法。