JP2000347054A - 光デバイス及びその製造方法、並びに、ポリイミド膜の製造方法 - Google Patents
光デバイス及びその製造方法、並びに、ポリイミド膜の製造方法Info
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型軽量化が容易で、光透過性に優れた安価
な光デバイスおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に感光性ポリイミド溶液を塗布
し、加熱して溶媒を揮発させるた後に、所望の形状にフ
ォトリソによりエッチングを行う。その後、感光性ポリ
イミド３の最終の焼成を真空中で行う。光の透過率が大
きく、損失の小さい光デバイスを容易に作製することが
可能となり、基板上に形成される種々の有機高分子を用
いた光デバイスに適応できる。
な光デバイスおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に感光性ポリイミド溶液を塗布
し、加熱して溶媒を揮発させるた後に、所望の形状にフ
ォトリソによりエッチングを行う。その後、感光性ポリ
イミド３の最終の焼成を真空中で行う。光の透過率が大
きく、損失の小さい光デバイスを容易に作製することが
可能となり、基板上に形成される種々の有機高分子を用
いた光デバイスに適応できる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、小型化が可能な光
デバイスおよびその製造方法並びにポリイミド膜の製造
方法に関するものである。
デバイスおよびその製造方法並びにポリイミド膜の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】さまざまな携帯用電子機器、ネットワー
ク機器が実用化されるに伴い、さらに、小型、軽量、高
性能の光デバイスの開発が望まれている。従来、光デバ
イスとして主要なものを例に挙げると、第一に通信用光
デバイス等に利用され、基板上に形成される光導波路、
第二に種々の光学部品を組み合わせたバルク型の光デバ
イスなどがある。
ク機器が実用化されるに伴い、さらに、小型、軽量、高
性能の光デバイスの開発が望まれている。従来、光デバ
イスとして主要なものを例に挙げると、第一に通信用光
デバイス等に利用され、基板上に形成される光導波路、
第二に種々の光学部品を組み合わせたバルク型の光デバ
イスなどがある。
【０００３】上記光導波路には、光損失が小さい、製造
が容易、コア層とクラッド層の屈折率差を制御できる、
耐熱性に優れている、等の条件が要求されている。しか
し、石英系光導波路の作製時には１０００℃以上の高温
の工程が必要であるため、光導波路を形成する基板が限
定され、また光部品を搭載した後には形成できないなど
の問題がある。
が容易、コア層とクラッド層の屈折率差を制御できる、
耐熱性に優れている、等の条件が要求されている。しか
し、石英系光導波路の作製時には１０００℃以上の高温
の工程が必要であるため、光導波路を形成する基板が限
定され、また光部品を搭載した後には形成できないなど
の問題がある。
【０００４】また、近年注目されているプラスチック光
ファイバー（ＰＯＦ）を伝送媒体とした光通信方式で
は、１ｍｍ程度の大口径のＰＯＦと高効率で結合するこ
とのできる厚膜の光導波路が必要となる。しかしなが
ら、石英系光導波路は製造上の問題から厚膜化が困難で
ある。
ファイバー（ＰＯＦ）を伝送媒体とした光通信方式で
は、１ｍｍ程度の大口径のＰＯＦと高効率で結合するこ
とのできる厚膜の光導波路が必要となる。しかしなが
ら、石英系光導波路は製造上の問題から厚膜化が困難で
ある。
【０００５】ところで、近年提案されているプラスチッ
ク光導波路は、低い温度で導波路形成が可能であり、ま
た、厚膜化が比較的容易であるという特徴があり注目さ
れている。プラスチックの中で最も耐熱性に優れている
ポリイミドを用いたポリイミド光導波路の一般的な作製
方法は、以下の通りである。
ク光導波路は、低い温度で導波路形成が可能であり、ま
た、厚膜化が比較的容易であるという特徴があり注目さ
れている。プラスチックの中で最も耐熱性に優れている
ポリイミドを用いたポリイミド光導波路の一般的な作製
方法は、以下の通りである。
【０００６】１ポリアミック酸溶液又はポリイミド溶液
を例えばスピンコート法で塗布し、加熱して溶媒を揮発
させることによりポリイミド薄膜を作製する。２その
後、酸素ガスによるドライエッチング等により、所望の
形状にパターニングしてポリイミド光導波路を得る。
を例えばスピンコート法で塗布し、加熱して溶媒を揮発
させることによりポリイミド薄膜を作製する。２その
後、酸素ガスによるドライエッチング等により、所望の
形状にパターニングしてポリイミド光導波路を得る。
【０００７】このようなＰＯＦを伝送媒体とする光デバ
イスの場合、波長６００ｎｍから８００ｎｍ辺りで損失
が大きくなるため、実用化に当たってはその低損失化が
必要となる。そこで、特開平４−９８０７号公報では、
この問題を解決するため、より損失の少ないポリイミド
光導波路が提案されている。これは、ポリイミドを構成
するジアミンをフッ素化することにより、従来のポリイ
ミドに比べ低損失のポリイミド材料を得るものである。
イスの場合、波長６００ｎｍから８００ｎｍ辺りで損失
が大きくなるため、実用化に当たってはその低損失化が
必要となる。そこで、特開平４−９８０７号公報では、
この問題を解決するため、より損失の少ないポリイミド
光導波路が提案されている。これは、ポリイミドを構成
するジアミンをフッ素化することにより、従来のポリイ
ミドに比べ低損失のポリイミド材料を得るものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記に
示されたプラスチック光導波路の作製工程では、作製し
たポリイミド光導波路がポリイミド特有の褐色を呈し、
低損失な光導波路が得られないという問題点があった。
示されたプラスチック光導波路の作製工程では、作製し
たポリイミド光導波路がポリイミド特有の褐色を呈し、
低損失な光導波路が得られないという問題点があった。
【０００９】また、特開平４−９８０７号公報で開示さ
れている様な方法では、フッ素化ポリイミド材料は高価
であるため、これを用いた光デバイスの価格が高くなっ
てしまうという問題があった。さらにまた、ポリイミド
を酸素ガスによりドライエッチングする場合、ノボラッ
ク樹脂系のポジ型レジストとのエッチング選択比が小さ
いことから、マスクとして用いることができず、酸化シ
リコンやアルミニウム等をエッチングマスクとして用い
る必要がある。したがって、製造プロセスが複雑とな
り、製造コストが高くなってしまうという問題があっ
た。製造プロセスを簡略化する方法として、感光基を有
するポリイミド（感光性ポリイミド）を用いたプロセス
があるが、感光性ポリイミドは焼成により着色するた
め、これまで光関係への適用は検討されていない。
れている様な方法では、フッ素化ポリイミド材料は高価
であるため、これを用いた光デバイスの価格が高くなっ
てしまうという問題があった。さらにまた、ポリイミド
を酸素ガスによりドライエッチングする場合、ノボラッ
ク樹脂系のポジ型レジストとのエッチング選択比が小さ
いことから、マスクとして用いることができず、酸化シ
リコンやアルミニウム等をエッチングマスクとして用い
る必要がある。したがって、製造プロセスが複雑とな
り、製造コストが高くなってしまうという問題があっ
た。製造プロセスを簡略化する方法として、感光基を有
するポリイミド（感光性ポリイミド）を用いたプロセス
があるが、感光性ポリイミドは焼成により着色するた
め、これまで光関係への適用は検討されていない。
【００１０】上記に示したように、厚膜化が比較的容易
な有機高分子であるポリイミド等を用いたプラスチック
光導波路では、コア材の吸収や、コア界面の散乱による
光損失が大きく、高性能のものを安価に得ることが困難
であった。さらにまた、製造プロセスが複雑となり、安
価に製造することが困難であった。
な有機高分子であるポリイミド等を用いたプラスチック
光導波路では、コア材の吸収や、コア界面の散乱による
光損失が大きく、高性能のものを安価に得ることが困難
であった。さらにまた、製造プロセスが複雑となり、安
価に製造することが困難であった。
【００１１】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、小型軽量化が容易で安価
な光デバイスおよびその製造方法を提供することを目的
としている。
決すべくなされたものであり、小型軽量化が容易で安価
な光デバイスおよびその製造方法を提供することを目的
としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】我々は、液状のポリイミ
ド、および感光性ポリイミドを基板上に塗布し、真空中
で焼成することにより、高い透過率を得られることを見
いだした。これを所望の形状にエッチング加工を行うこ
とにより安価で高性能な光学素子を得ることができる。
また、基板上に塗布、焼成し、一括して種々の光学素子
を加工するため、エッチング時に半導体プロセスあるい
はレーザを用いて加工を行うことで、光学素子の組み合
わせ時に最も問題となる位置あわせの必要がなく、信頼
性の高い光学系の提供が可能となる。
ド、および感光性ポリイミドを基板上に塗布し、真空中
で焼成することにより、高い透過率を得られることを見
いだした。これを所望の形状にエッチング加工を行うこ
とにより安価で高性能な光学素子を得ることができる。
また、基板上に塗布、焼成し、一括して種々の光学素子
を加工するため、エッチング時に半導体プロセスあるい
はレーザを用いて加工を行うことで、光学素子の組み合
わせ時に最も問題となる位置あわせの必要がなく、信頼
性の高い光学系の提供が可能となる。
【００１３】すなわち、本発明は、有機高分子を用いた
光デバイスの製造方法において、基板上に塗布した有機
高分子を含有する溶液の焼成を、真空中で行うことを特
徴とする。
光デバイスの製造方法において、基板上に塗布した有機
高分子を含有する溶液の焼成を、真空中で行うことを特
徴とする。
【００１４】また、前記溶液の焼成を行う真空度が１Ｔ
ｏｒｒ以下であることを特徴とする。
ｏｒｒ以下であることを特徴とする。
【００１５】また、有機高分子はポリイミドであること
を特徴とする。
を特徴とする。
【００１６】また、有機高分子は感光性ポリイミドであ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００１７】さらに、有機高分子膜を有し、該有機高分
子中を光が透過する光デバイスにおいて、前記有機高分
子膜は、有機高分子を含有する溶液を真空中で焼成する
ことで形成されており、前記有機高分子膜の膜厚が、５
μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする。
子中を光が透過する光デバイスにおいて、前記有機高分
子膜は、有機高分子を含有する溶液を真空中で焼成する
ことで形成されており、前記有機高分子膜の膜厚が、５
μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする。
【００１８】また、有機高分子膜を有し、該有機高分子
中を光が透過する光デバイスにおいて、前記有機高分子
膜は感光性ポリイミドからなり、前記光の波長が１．５
μｍ以下であることを特徴とする。
中を光が透過する光デバイスにおいて、前記有機高分子
膜は感光性ポリイミドからなり、前記光の波長が１．５
μｍ以下であることを特徴とする。
【００１９】さらに、有機高分子膜を有し、該有機高分
子中を光が透過する光デバイスにおいて、前記有機高分
子膜はポリイミドからなり、前記光の波長が５００ｎｍ
〜８００ｎｍであることを特徴とする。
子中を光が透過する光デバイスにおいて、前記有機高分
子膜はポリイミドからなり、前記光の波長が５００ｎｍ
〜８００ｎｍであることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）第１の実施
の形態では、本発明のポリイミド及びその製造方法を光
導波路に適用した例について説明する。なお、以下にお
いて、ポリイミドとは、酸二無水物やジアミンに対して
フッ素化を施していないものを示す。
の形態では、本発明のポリイミド及びその製造方法を光
導波路に適用した例について説明する。なお、以下にお
いて、ポリイミドとは、酸二無水物やジアミンに対して
フッ素化を施していないものを示す。
【００２１】図１は、本実施の形態におけるポリイミド
光導波路の製造方法を表す概略図である。図１を基にポ
リイミド光導波路の製造方法を説明する。
光導波路の製造方法を表す概略図である。図１を基にポ
リイミド光導波路の製造方法を説明する。
【００２２】１）まず、バッファ層２として、酸化シリ
コンや有機高分子膜が表面に形成されたＳｉ等からなる
基板１上に、コア層３として、バッファ層２よりも屈折
率の高いポリイミド（その前駆体であるポリアミック
酸）溶液をスピンコート法により塗布し、空気中でプリ
ベークして有機溶媒の一部を揮発させた後に、真空中で
焼成することにより有機溶媒を揮発させると共にイミド
化を行い、ポリイミド膜からなるコア層３を得る（図１
（ａ））。
コンや有機高分子膜が表面に形成されたＳｉ等からなる
基板１上に、コア層３として、バッファ層２よりも屈折
率の高いポリイミド（その前駆体であるポリアミック
酸）溶液をスピンコート法により塗布し、空気中でプリ
ベークして有機溶媒の一部を揮発させた後に、真空中で
焼成することにより有機溶媒を揮発させると共にイミド
化を行い、ポリイミド膜からなるコア層３を得る（図１
（ａ））。
【００２３】２）この上にコア層３のエッチングマスク
４として、銅やアルミニウム、酸化シリコン等をスパッ
タ法等により製膜する（図１（ｂ））。
４として、銅やアルミニウム、酸化シリコン等をスパッ
タ法等により製膜する（図１（ｂ））。
【００２４】３）フォトレジスト５を塗布し、フォトリ
ソ工程によりパターニングを行う（図１（ｃ））。
ソ工程によりパターニングを行う（図１（ｃ））。
【００２５】４）ドライエッチングあるいは、ウエット
エッチングによりマスクパターンをエッチングマスク４
に転写する（図１（ｄ））。
エッチングによりマスクパターンをエッチングマスク４
に転写する（図１（ｄ））。
【００２６】５）酸素ガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）によりコア層３をエッチングする（図１
（ｅ））。
ング（ＲＩＥ）によりコア層３をエッチングする（図１
（ｅ））。
【００２７】６）エッチングマスク４をウエットエッチ
ング等により除去する（図１（ｆ））。
ング等により除去する（図１（ｆ））。
【００２８】７）オーバークラッド６として、コア層３
よりも屈折率の低い有機高分子をスピンコートにより塗
布、焼成する（図１（ｇ））。
よりも屈折率の低い有機高分子をスピンコートにより塗
布、焼成する（図１（ｇ））。
【００２９】このような光導波路では、ポリイミド膜か
らなる高屈折率のコア層３が、低屈折率のバッファ層２
及びオーバクラッド層６により挟まれることになり、導
波光はコア層３内に閉じ込められて導波路中を導波する
ことになる。
らなる高屈折率のコア層３が、低屈折率のバッファ層２
及びオーバクラッド層６により挟まれることになり、導
波光はコア層３内に閉じ込められて導波路中を導波する
ことになる。
【００３０】このため、コア層３を構成するポリイミド
膜は所望の波長（導波路中を導波する光の波長）におい
て透過率が高いことが望ましい。ポリイミド膜の構成要
素である酸二無水物やジアミンをフッ素化したポリイミ
ドは、一般に可視域から近赤外域で透過率が高く、光通
信用のデバイス材料として注目されているが、その価格
が高いため問題となる。しかし、安価なポリイミド（本
発明のいうところのポリイミド）においても、その焼成
（イミド化）を真空中で行うことにより、その透過率を
高くすることができる。
膜は所望の波長（導波路中を導波する光の波長）におい
て透過率が高いことが望ましい。ポリイミド膜の構成要
素である酸二無水物やジアミンをフッ素化したポリイミ
ドは、一般に可視域から近赤外域で透過率が高く、光通
信用のデバイス材料として注目されているが、その価格
が高いため問題となる。しかし、安価なポリイミド（本
発明のいうところのポリイミド）においても、その焼成
（イミド化）を真空中で行うことにより、その透過率を
高くすることができる。
【００３１】次に、ポリイミドの焼成条件と透過率の関
係を説明する。ポリイミドとして、日立化成製の商品名
ＰＩＸ−３４００を用いて、厚さ０．５５ｍｍのガラス
基板上にスピンコート法により焼成後の膜厚が２５μｍ
となるように塗布し、下記の条件で焼成を行った。
係を説明する。ポリイミドとして、日立化成製の商品名
ＰＩＸ−３４００を用いて、厚さ０．５５ｍｍのガラス
基板上にスピンコート法により焼成後の膜厚が２５μｍ
となるように塗布し、下記の条件で焼成を行った。
【００３２】（条件Ａ）空気中において、３５０℃で１
時間焼成 （条件Ｂ）窒素雰囲気中において、３５０℃で１時間焼
成 （条件Ｃ）１×１０-2Ｔｏｒｒの真空中において、３５
０℃で１時間焼成 すべて、スピンコート後に空気中において１３０℃のホ
ットプレートにより、５分間のプリベークを行った後、
上記条件により焼成を行った。昇温速度を３℃／分と
し、１００℃から焼成を行った。
時間焼成 （条件Ｂ）窒素雰囲気中において、３５０℃で１時間焼
成 （条件Ｃ）１×１０-2Ｔｏｒｒの真空中において、３５
０℃で１時間焼成 すべて、スピンコート後に空気中において１３０℃のホ
ットプレートにより、５分間のプリベークを行った後、
上記条件により焼成を行った。昇温速度を３℃／分と
し、１００℃から焼成を行った。
【００３３】上記条件で作製したサンプルを用いて透過
率の波長依存性を測定した結果を図２に示す。透過率
は、島津製作所製ＵＶ３６５Ａを用いて、同一のガラス
基板をリファレンスとして測定した。
率の波長依存性を測定した結果を図２に示す。透過率
は、島津製作所製ＵＶ３６５Ａを用いて、同一のガラス
基板をリファレンスとして測定した。
【００３４】条件Ａ、Ｂ、Ｃの順で波長１μｍ以下の透
過率が向上しているのがわかる。特に、波長５００ｎｍ
〜８００ｎｍの光においては条件Ｃのものが条件Ａ，Ｂ
よりも透過率が顕著に大きいことがわかる。例えば、Ｐ
ＯＦを伝送媒体とした光通信や、ＤＶＤ等の光ディスク
装置で使用される６５０ｎｍの波長では、透過率が条件
Ａ，Ｂ，Ｃの順にそれぞれ８９％、９１％、９６％であ
った。
過率が向上しているのがわかる。特に、波長５００ｎｍ
〜８００ｎｍの光においては条件Ｃのものが条件Ａ，Ｂ
よりも透過率が顕著に大きいことがわかる。例えば、Ｐ
ＯＦを伝送媒体とした光通信や、ＤＶＤ等の光ディスク
装置で使用される６５０ｎｍの波長では、透過率が条件
Ａ，Ｂ，Ｃの順にそれぞれ８９％、９１％、９６％であ
った。
【００３５】このように、同じポリイミド膜でも焼成条
件により透過率が異なり、真空中で焼成することにより
透過率の高いポリイミド膜を得ることが可能となる。特
に、波長が５００ｎｍ〜８００ｎｍの光を含む場合に
は、条件Ａ，Ｂで作成したポリイミド膜は上記波長帯域
において透過率が低く、光を透過させる光デバイスとし
ての使用には実用に耐え得るものではなかったが、条件
Ｃの真空中での焼成により形成することにより、十分に
使用できるレベルの透過率のポリイミド膜を得ることが
可能となる。
件により透過率が異なり、真空中で焼成することにより
透過率の高いポリイミド膜を得ることが可能となる。特
に、波長が５００ｎｍ〜８００ｎｍの光を含む場合に
は、条件Ａ，Ｂで作成したポリイミド膜は上記波長帯域
において透過率が低く、光を透過させる光デバイスとし
ての使用には実用に耐え得るものではなかったが、条件
Ｃの真空中での焼成により形成することにより、十分に
使用できるレベルの透過率のポリイミド膜を得ることが
可能となる。
【００３６】本実施の形態で示したように、ポリイミド
の焼成を真空中で行うことにより、透過率を向上させる
ことが可能となり、安価で光損失の少ない光導波路や光
デバイスを得ることができる。
の焼成を真空中で行うことにより、透過率を向上させる
ことが可能となり、安価で光損失の少ない光導波路や光
デバイスを得ることができる。
【００３７】なお、本実施の形態で示した製造工程は一
例であり、ポリイミドの焼成を真空中で行えばよい。し
たがって、例えば、ＲＩＥ以外の加工方法でポリイミド
膜のパターン加工を行ったり、一部を変更した工程を用
いても良い。また、プリズム、レンズ等の光デバイスも
同様の工程を応用して作製することが可能である。
例であり、ポリイミドの焼成を真空中で行えばよい。し
たがって、例えば、ＲＩＥ以外の加工方法でポリイミド
膜のパターン加工を行ったり、一部を変更した工程を用
いても良い。また、プリズム、レンズ等の光デバイスも
同様の工程を応用して作製することが可能である。
【００３８】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態における感光性ポリイミドを用いたポリ
イミド光導波路の製造方法を表す概略図である。図３を
基にポリイミド光導波路の製造方法を説明する。なお、
図３において図１と同一の構成要素には同一符号を付し
ている。
２の実施の形態における感光性ポリイミドを用いたポリ
イミド光導波路の製造方法を表す概略図である。図３を
基にポリイミド光導波路の製造方法を説明する。なお、
図３において図１と同一の構成要素には同一符号を付し
ている。
【００３９】１）バッファ層２として、酸化シリコンや
有機高分子膜が表面に形成されたＳｉ等からなる基板１
上に、コア層３として、バッファ層２よりも屈折率の高
い感光性ポリイミド溶液（その前駆体であるポリアミッ
ク酸）をスピンコートにより塗布し、空気中でプリベー
クして有機溶媒の一部を揮発させる（図３（ａ））。
有機高分子膜が表面に形成されたＳｉ等からなる基板１
上に、コア層３として、バッファ層２よりも屈折率の高
い感光性ポリイミド溶液（その前駆体であるポリアミッ
ク酸）をスピンコートにより塗布し、空気中でプリベー
クして有機溶媒の一部を揮発させる（図３（ａ））。
【００４０】２）所望のマスクパターンを用いてフォト
リソ工程によりパターニングを行う（図３（ｂ））。
リソ工程によりパターニングを行う（図３（ｂ））。
【００４１】３）真空中において焼成を行い、有機溶媒
を揮発させると共にイミド化を行う。
を揮発させると共にイミド化を行う。
【００４２】４）オーバークラッド６として、コア層３
よりも屈折率の低い有機高分子をスピンコートにより塗
布し焼成する（図３（ｃ））。
よりも屈折率の低い有機高分子をスピンコートにより塗
布し焼成する（図３（ｃ））。
【００４３】このような光導波路では、ポリイミド膜か
らなる高屈折率のコア層３が、低屈折率のバッファ層２
及びオーバクラッド層６により挟まれることになり、導
波光はコア層３内に閉じ込められて導波路中を導波する
ことになる。
らなる高屈折率のコア層３が、低屈折率のバッファ層２
及びオーバクラッド層６により挟まれることになり、導
波光はコア層３内に閉じ込められて導波路中を導波する
ことになる。
【００４４】なお、本実施の形態で示した製造工程は、
感光性ポリイミドの焼成を真空中で行うことを特徴とし
ており、上記工程は一例に過ぎない。したがって、例え
ば、オーバクラッド６の塗布工程をなくして空気をオ−
バクラッドとして利用するなど、一部を変更した工程を
用いても良い。また、プリズム、レンズ等の光デバイス
も同様の工程を応用して作製することが可能であり、こ
れらを同一の基板に集積して作製することも可能であ
る。
感光性ポリイミドの焼成を真空中で行うことを特徴とし
ており、上記工程は一例に過ぎない。したがって、例え
ば、オーバクラッド６の塗布工程をなくして空気をオ−
バクラッドとして利用するなど、一部を変更した工程を
用いても良い。また、プリズム、レンズ等の光デバイス
も同様の工程を応用して作製することが可能であり、こ
れらを同一の基板に集積して作製することも可能であ
る。
【００４５】本実施の形態のように、感光性ポリイミド
を用いれば、第１の実施の形態で示した製造方法よりも
簡易な製造方法によりポリイミド光導波路、および光デ
バイスを作製することが可能となる。一般に、感光性ポ
リイミド材料は焼成により着色するため、通常のポリイ
ミドよりも光の透過率が低く、光学材料として用いるこ
とが困難であった。しかしながら、第１の実施の形態で
示したように、真空中で焼成を行うことにより、その透
過率が大幅に改善される。
を用いれば、第１の実施の形態で示した製造方法よりも
簡易な製造方法によりポリイミド光導波路、および光デ
バイスを作製することが可能となる。一般に、感光性ポ
リイミド材料は焼成により着色するため、通常のポリイ
ミドよりも光の透過率が低く、光学材料として用いるこ
とが困難であった。しかしながら、第１の実施の形態で
示したように、真空中で焼成を行うことにより、その透
過率が大幅に改善される。
【００４６】図４に第１の実施の形態と同一の条件Ａ〜
Ｃで焼成した感光性ポリイミド（日立化成デュポンマイ
クロシステムズ製商品名ＨＤ−６１００）の透過率の波
長依存性を測定した結果を示す。感光性ポリイミドの焼
成条件によって、透過率が異なり、波長１．５μｍ以下
（特には波長４００ｎｍ〜１．２μｍ）の光においては
条件Ｃのものが条件Ａ，Ｂよりも透過率が顕著に大きい
ことがわかる。例えば、ＰＯＦを伝送媒体とした光通信
や、ＤＶＤ等の光ディスク装置で使用される６５０ｎｍ
の波長では、透過率が条件Ａ，Ｂ，Ｃの順にそれぞれ１
０％、２０％、９４％であった。
Ｃで焼成した感光性ポリイミド（日立化成デュポンマイ
クロシステムズ製商品名ＨＤ−６１００）の透過率の波
長依存性を測定した結果を示す。感光性ポリイミドの焼
成条件によって、透過率が異なり、波長１．５μｍ以下
（特には波長４００ｎｍ〜１．２μｍ）の光においては
条件Ｃのものが条件Ａ，Ｂよりも透過率が顕著に大きい
ことがわかる。例えば、ＰＯＦを伝送媒体とした光通信
や、ＤＶＤ等の光ディスク装置で使用される６５０ｎｍ
の波長では、透過率が条件Ａ，Ｂ，Ｃの順にそれぞれ１
０％、２０％、９４％であった。
【００４７】このように感光性ポリイミドの焼成を真空
中で行うことにより、特に波長１．５μｍ以下の可視域
での透過率を大幅に向上させることができる。波長が４
００ｎｍ〜１．２μｍの光を含む場合には、条件Ａ，Ｂ
で作成したポリイミド膜は透過率が低く光を透過させる
光デバイスとしての使用には実用に耐え得るものではな
かったが、条件Ｃの真空中での焼成により形成すること
により、十分に使用できるレベルの透過率のポリイミド
膜を得ることが可能となる。
中で行うことにより、特に波長１．５μｍ以下の可視域
での透過率を大幅に向上させることができる。波長が４
００ｎｍ〜１．２μｍの光を含む場合には、条件Ａ，Ｂ
で作成したポリイミド膜は透過率が低く光を透過させる
光デバイスとしての使用には実用に耐え得るものではな
かったが、条件Ｃの真空中での焼成により形成すること
により、十分に使用できるレベルの透過率のポリイミド
膜を得ることが可能となる。
【００４８】なお、条件Ｃで作製し、その後、空気中で
３５０℃で加熱したサンプルを作製して、透過率の測定
を行ったが、条件Ｃと同等であり、安定した状態であっ
た。
３５０℃で加熱したサンプルを作製して、透過率の測定
を行ったが、条件Ｃと同等であり、安定した状態であっ
た。
【００４９】本実施の形態で示したように、感光性ポリ
イミドを用いることにより簡易な工程での光デバイスの
作製が可能となり、また、焼成を真空中で行うことによ
り、透過率を向上させることが可能となるため、光導波
路や数々の光デバイスに応用することができる。
イミドを用いることにより簡易な工程での光デバイスの
作製が可能となり、また、焼成を真空中で行うことによ
り、透過率を向上させることが可能となるため、光導波
路や数々の光デバイスに応用することができる。
【００５０】次に、上述したような感光性ポリイミドの
焼成により形成したポリイミド膜の透過率の向上が得ら
れる真空度の上限について説明する。
焼成により形成したポリイミド膜の透過率の向上が得ら
れる真空度の上限について説明する。
【００５１】本実施の形態で示した感光性ポリイミド
（日立化成デュポンマイクロシステムズ製商品名ＨＤ−
６１００）を用いて、さらに条件Ｄ，Ｅ、すなわち、 （条件Ｄ）１Ｔｏｒｒの真空度で３５０℃で１時間焼成 （条件Ｅ）１０Ｔｏｒｒの真空度で３５０℃で１時間焼
成 でサンプルを作製して、透過率を測定した。
（日立化成デュポンマイクロシステムズ製商品名ＨＤ−
６１００）を用いて、さらに条件Ｄ，Ｅ、すなわち、 （条件Ｄ）１Ｔｏｒｒの真空度で３５０℃で１時間焼成 （条件Ｅ）１０Ｔｏｒｒの真空度で３５０℃で１時間焼
成 でサンプルを作製して、透過率を測定した。
【００５２】図５は、条件Ｃ（第一の実施の形態参照）
及び、上記に示したＤ，Ｅで感光性感光性ポリイミドを
焼成したときの、透過率の波長依存性を示す図である。
焼成時の真空度によって透過率が異なり、６５０ｎｍの
波長では、透過率が条件Ｃ，Ｄ，Ｅの順にそれぞれ９４
％，９３％，８４％であった。
及び、上記に示したＤ，Ｅで感光性感光性ポリイミドを
焼成したときの、透過率の波長依存性を示す図である。
焼成時の真空度によって透過率が異なり、６５０ｎｍの
波長では、透過率が条件Ｃ，Ｄ，Ｅの順にそれぞれ９４
％，９３％，８４％であった。
【００５３】１Ｔｏｒｒ以下では透過率の変化はほとん
ど見られなくなる。また、１０Ｔｏｒｒでも、透過率が
高いことから使用可能であるが、真空装置を高圧に制御
するのが難しい等の点から、１Ｔｏｒｒ以下が特に好ま
しい。
ど見られなくなる。また、１０Ｔｏｒｒでも、透過率が
高いことから使用可能であるが、真空装置を高圧に制御
するのが難しい等の点から、１Ｔｏｒｒ以下が特に好ま
しい。
【００５４】次に、上記の焼成条件による透過率変化の
原因を調べるため、さらに、 （条件Ｆ）焼成無し 上記条件Ｆのサンプルを作製し、赤外吸収分光測定（日
本バイオラッドラボラトリーズ製ＦＴＳ６０００型赤外
吸収分光装置）を行った。
原因を調べるため、さらに、 （条件Ｆ）焼成無し 上記条件Ｆのサンプルを作製し、赤外吸収分光測定（日
本バイオラッドラボラトリーズ製ＦＴＳ６０００型赤外
吸収分光装置）を行った。
【００５５】図６に条件Ａ〜Ｃ（第一の実施の形態参
照）、及び、条件Ｆで作製した感光性ポリイミド（赤外
光の透過率の問題から、基板には高抵抗シリコン基板を
使用した）の赤外吸収スペクトル（測定波数領域：２２
００〜４００ｃｍ-1、波数分解能４ｃｍ-1）を示す。
照）、及び、条件Ｆで作製した感光性ポリイミド（赤外
光の透過率の問題から、基板には高抵抗シリコン基板を
使用した）の赤外吸収スペクトル（測定波数領域：２２
００〜４００ｃｍ-1、波数分解能４ｃｍ-1）を示す。
【００５６】焼成していない条件Ｆと比較すると、焼成
雰囲気に関係なく、ポリミック酸の脱水閉環反応により
イミド環が形成され、イミド化がよく進行していること
が分かる。
雰囲気に関係なく、ポリミック酸の脱水閉環反応により
イミド環が形成され、イミド化がよく進行していること
が分かる。
【００５７】さらに、条件Ａのように空気中で焼成した
感光性ポリイミドが着色（透過率が低下）する点、条件
Ｃのように真空中で焼成した感光性ポリイミドが着色し
ない点について考察する。感光性ポリイミドで使用され
ている感光基はアセトフェノン系の３級アミンである。
このことから焼成条件の違いによる３級アミンの赤外吸
収スペクトルを詳細に調べた。
感光性ポリイミドが着色（透過率が低下）する点、条件
Ｃのように真空中で焼成した感光性ポリイミドが着色し
ない点について考察する。感光性ポリイミドで使用され
ている感光基はアセトフェノン系の３級アミンである。
このことから焼成条件の違いによる３級アミンの赤外吸
収スペクトルを詳細に調べた。
【００５８】図７は、波数１２００〜５００ｃｍ-1の領
域の拡大図である。約１０４０ｃｍ -1の吸収ピークは３
級アミン（感光基）のＣ−Ｎ伸縮振動に対応し、条件
Ｆ，Ａ，Ｂ，Ｃの順に減少している。焼成前（すなわち
条件Ｆ）の可視領域での吸収特性から、イミド化前にお
いて、感光基が可視領域での透過率低下には寄与してい
ないことがわかっている。しかしながら、上述した図７
の結果から、その後の焼成過程で本来遊離して揮発すべ
き感光基が、焼成により変質して（結合状態を変え
て）、膜内に残留している可能性があり、それが透過特
性に影響を及ぼしている虞れがある。
域の拡大図である。約１０４０ｃｍ -1の吸収ピークは３
級アミン（感光基）のＣ−Ｎ伸縮振動に対応し、条件
Ｆ，Ａ，Ｂ，Ｃの順に減少している。焼成前（すなわち
条件Ｆ）の可視領域での吸収特性から、イミド化前にお
いて、感光基が可視領域での透過率低下には寄与してい
ないことがわかっている。しかしながら、上述した図７
の結果から、その後の焼成過程で本来遊離して揮発すべ
き感光基が、焼成により変質して（結合状態を変え
て）、膜内に残留している可能性があり、それが透過特
性に影響を及ぼしている虞れがある。
【００５９】本発明では、真空中において焼成を行って
いるため、何らかの作用で感光基の遊離が促進され、感
光基が存在しない状態になり、上述のような感光基の変
質に伴う可視領域での透過率の劣化を防止できている可
能性がある。
いるため、何らかの作用で感光基の遊離が促進され、感
光基が存在しない状態になり、上述のような感光基の変
質に伴う可視領域での透過率の劣化を防止できている可
能性がある。
【００６０】（第３の実施の形態）図８は、本発明の第
３の実施の形態におけるポリイミド光導波路を用いた光
通信装置を表す概略図である。
３の実施の形態におけるポリイミド光導波路を用いた光
通信装置を表す概略図である。
【００６１】この光通信装置は主に、光ファイバ７から
入射した受信光をフォトダイオード等の受光素子９まで
伝搬する主導波路３ａと、半導体レーザ等の発光素子８
から出射された送信光を主導波路３ａまで伝搬する副導
波路３ｂから構成される。これらは、受光素子９と発光
素子８を制御する制御装置１１と発光素子８の出力をモ
ニタするモニタ用フォトダイオード１０と共にシリコン
等からなる基板１上に形成されている。副導波路３ｂは
主導波路３ａの側面で主導波路３ａと結合している。主
導波路３ａと副導波路３ｂは、第１の実施の形態、また
は第２の実施の形態で示した製造方法により作製された
ポリイミド光導波路を用いている。
入射した受信光をフォトダイオード等の受光素子９まで
伝搬する主導波路３ａと、半導体レーザ等の発光素子８
から出射された送信光を主導波路３ａまで伝搬する副導
波路３ｂから構成される。これらは、受光素子９と発光
素子８を制御する制御装置１１と発光素子８の出力をモ
ニタするモニタ用フォトダイオード１０と共にシリコン
等からなる基板１上に形成されている。副導波路３ｂは
主導波路３ａの側面で主導波路３ａと結合している。主
導波路３ａと副導波路３ｂは、第１の実施の形態、また
は第２の実施の形態で示した製造方法により作製された
ポリイミド光導波路を用いている。
【００６２】発光素子８は制御装置１１で制御され、送
信光を出射する。発光素子８から出射した送信光は副導
波路３ｂに結合され、副導波路３ｂを伝播して、主導波
路３ａに結合される。そして、主導波路３ａを伝搬し
て、光ファイバ７に結合する。発光素子８から出射した
光の一部はモニタ用フォトダイオード１０で受光され、
発光素子８の出射強度が一定となるように調整される。
一方、光ファイバ７から入射してきた受信光は主導波路
３ａと結合し、主導波路３ａを伝搬して主導波路３ａの
厚みが徐々に薄くなるテーパーカプラ３ｃで受光素子９
に結合される。その後、制御装置１１で電気信号に変換
される。
信光を出射する。発光素子８から出射した送信光は副導
波路３ｂに結合され、副導波路３ｂを伝播して、主導波
路３ａに結合される。そして、主導波路３ａを伝搬し
て、光ファイバ７に結合する。発光素子８から出射した
光の一部はモニタ用フォトダイオード１０で受光され、
発光素子８の出射強度が一定となるように調整される。
一方、光ファイバ７から入射してきた受信光は主導波路
３ａと結合し、主導波路３ａを伝搬して主導波路３ａの
厚みが徐々に薄くなるテーパーカプラ３ｃで受光素子９
に結合される。その後、制御装置１１で電気信号に変換
される。
【００６３】第１の実施の形態で示したように、焼成を
真空中で行ったポリイミド光導波路を用いることによ
り、低コストで低損失の主導波路３ａおよび副導波路３
ｂを得ることができるため、安価で高効率の光通信装置
を得ることができる。更に、第２の実施の形態で示した
ように、感光性ポリイミドを光導波路材料として用いる
ことにより、製造方法を簡素化することができ、より低
コストの光通信装置を得ることができる。
真空中で行ったポリイミド光導波路を用いることによ
り、低コストで低損失の主導波路３ａおよび副導波路３
ｂを得ることができるため、安価で高効率の光通信装置
を得ることができる。更に、第２の実施の形態で示した
ように、感光性ポリイミドを光導波路材料として用いる
ことにより、製造方法を簡素化することができ、より低
コストの光通信装置を得ることができる。
【００６４】光ファイバ７としては、ＰＯＦ等のマルチ
モード光ファイバを用いることができる。ＰＯＦはコア
がＰＭＭＡやポリカーボネート等のプラスチックからな
り、クラッドはコアよりも屈折率の低いプラスチックで
構成されている。コア径は約２００μｍから１ｍｍ程度
であり、石英光ファイバに比べ口径が大きい。
モード光ファイバを用いることができる。ＰＯＦはコア
がＰＭＭＡやポリカーボネート等のプラスチックからな
り、クラッドはコアよりも屈折率の低いプラスチックで
構成されている。コア径は約２００μｍから１ｍｍ程度
であり、石英光ファイバに比べ口径が大きい。
【００６５】このため、石英系光導波路のように数μｍ
厚の光導波路と結合させた場合、結合損失が大きくな
る。ポリイミド光導波路は数１０μｍから数１００μｍ
の厚膜形成が比較的容易であり、大口径のＰＯＦを高効
率で結合させることができる。
厚の光導波路と結合させた場合、結合損失が大きくな
る。ポリイミド光導波路は数１０μｍから数１００μｍ
の厚膜形成が比較的容易であり、大口径のＰＯＦを高効
率で結合させることができる。
【００６６】主導波路３ａ、副導波路３ｂの膜厚として
は、５μｍから２００μｍ程度が好ましい。これより薄
い場合、ＰＯＦとの結合効率が低下することや、石英系
光導波路を用いた方が、より低損失な光通信装置を得る
ことができるようになる。また、厚い場合、基板１上へ
の均一な膜形成が困難となる。基板１へのポリイミド溶
液の塗布は、一般にスピンコート法により行われるが、
ポリイミド溶液の粘度や濃度にもよるが、約４０μｍ以
上では均一な膜を得ることが困難となる。このため、こ
れより厚膜にする場合、複数層を重ねるか、他の塗布方
法を用いる必要がある。しかし、複数層を重ねた場合で
も数層くらいが限界である。他の塗布方法としては、ド
クターブレード等を用いて基板１上にポリイミド溶液を
流延する方法がある。この方法でも、ポリイミド溶液の
自重の関係から、２００μｍ以上の均一塗布は困難であ
る。したがって、基板１上に均一に塗布でき、他の光デ
バイスより高性能が得られる膜厚としては、５μｍから
２００μｍとなる。
は、５μｍから２００μｍ程度が好ましい。これより薄
い場合、ＰＯＦとの結合効率が低下することや、石英系
光導波路を用いた方が、より低損失な光通信装置を得る
ことができるようになる。また、厚い場合、基板１上へ
の均一な膜形成が困難となる。基板１へのポリイミド溶
液の塗布は、一般にスピンコート法により行われるが、
ポリイミド溶液の粘度や濃度にもよるが、約４０μｍ以
上では均一な膜を得ることが困難となる。このため、こ
れより厚膜にする場合、複数層を重ねるか、他の塗布方
法を用いる必要がある。しかし、複数層を重ねた場合で
も数層くらいが限界である。他の塗布方法としては、ド
クターブレード等を用いて基板１上にポリイミド溶液を
流延する方法がある。この方法でも、ポリイミド溶液の
自重の関係から、２００μｍ以上の均一塗布は困難であ
る。したがって、基板１上に均一に塗布でき、他の光デ
バイスより高性能が得られる膜厚としては、５μｍから
２００μｍとなる。
【００６７】以上のように、第１の実施の形態や第２の
実施の形態で示した光導波路を利用することにより、低
コストで高性能な光通信装置を得ることができる。ま
た、半導体プロセスにより作製が可能であるため、高精
度で他の光学素子との位置合わせすることが可能とな
る。
実施の形態で示した光導波路を利用することにより、低
コストで高性能な光通信装置を得ることができる。ま
た、半導体プロセスにより作製が可能であるため、高精
度で他の光学素子との位置合わせすることが可能とな
る。
【００６８】本実施の形態は一例であり、ポリイミドあ
るいは感光性ポリイミドを真空中で焼成することで形成
したポリイミド膜を用いた他の光通信装置、プリズム，
ミラー，レンズ等の光学素子（例えば４００ｎｍ〜１．
２μｍの波長の光束を用いる光ディスク装置に利用され
る光学素子）、液晶表示素子の配向制御膜，カラーフィ
ルタ及びその保護膜、半導体レーザやフォトダイオード
などの保護膜に代表されるオーバコート材，耐熱積層材
料等の透明膜等を有する光デバイスに応用することがで
きる。また、ポリイミド（感光性ポリイミド）は耐熱
性、耐薬品性、電気絶縁性に優れていることから、電子
部品の表面に塗布することで、電気絶縁用の保護膜とし
ても利用できる。
るいは感光性ポリイミドを真空中で焼成することで形成
したポリイミド膜を用いた他の光通信装置、プリズム，
ミラー，レンズ等の光学素子（例えば４００ｎｍ〜１．
２μｍの波長の光束を用いる光ディスク装置に利用され
る光学素子）、液晶表示素子の配向制御膜，カラーフィ
ルタ及びその保護膜、半導体レーザやフォトダイオード
などの保護膜に代表されるオーバコート材，耐熱積層材
料等の透明膜等を有する光デバイスに応用することがで
きる。また、ポリイミド（感光性ポリイミド）は耐熱
性、耐薬品性、電気絶縁性に優れていることから、電子
部品の表面に塗布することで、電気絶縁用の保護膜とし
ても利用できる。
【００６９】
【発明の効果】本発明の光デバイスの製造方法によれ
ば、光透過性の良好な光デバイスを得ることができる。
ば、光透過性の良好な光デバイスを得ることができる。
【００７０】また、本発明のポリイミド膜の製造方法に
よれば、光透過性を良好にするとともに、光損失を小さ
くし、耐熱性を備えることができる。さらに、感光性ポ
リイミドの焼成により形成すれば、上記効果に加え、複
雑な製造方法を用いることなく、光デバイスを容易に作
製することが可能となる。すなわち、基板上に有機高分
子膜を形成し、これをパターン加工することにより、小
型、軽量で高精度の光デバイスを得ることができる。
よれば、光透過性を良好にするとともに、光損失を小さ
くし、耐熱性を備えることができる。さらに、感光性ポ
リイミドの焼成により形成すれば、上記効果に加え、複
雑な製造方法を用いることなく、光デバイスを容易に作
製することが可能となる。すなわち、基板上に有機高分
子膜を形成し、これをパターン加工することにより、小
型、軽量で高精度の光デバイスを得ることができる。
【００７１】また、本発明の光デバイスによれば、光の
透過率を向上できる。
透過率を向上できる。
【図１】本発明におけるポリイミド光導波路の製造方法
を表す概略図である。
を表す概略図である。
【図２】本発明における製造方法で作製したポリイミド
のサンプルを用いて透過率の波長依存性を測定した結果
である。
のサンプルを用いて透過率の波長依存性を測定した結果
である。
【図３】本発明における感光性ポリイミド光導波路の製
造方法を表す概略図である。
造方法を表す概略図である。
【図４】本発明における製造方法で作製した感光性ポリ
イミドのサンプルを用いて透過率の波長依存性を測定し
た結果である。
イミドのサンプルを用いて透過率の波長依存性を測定し
た結果である。
【図５】本発明における製造方法で真空度を変化させて
作製した感光性ポリイミドのサンプルを用いて透過率の
波長依存性を測定した結果である。
作製した感光性ポリイミドのサンプルを用いて透過率の
波長依存性を測定した結果である。
【図６】本発明における製造方法で作製した感光性ポリ
イミドの赤外吸収スペクトルである（測定波数領域：２
２００〜４００ｃｍ-1）。
イミドの赤外吸収スペクトルである（測定波数領域：２
２００〜４００ｃｍ-1）。
【図７】本発明における製造方法で作製した感光性ポリ
イミドの赤外吸収スペクトルである（測定波数領域：１
２００〜５００ｃｍ-1）。
イミドの赤外吸収スペクトルである（測定波数領域：１
２００〜５００ｃｍ-1）。
【図８】本発明におけるポリイミド光導波路を用いた光
通信装置を表す概略図である。
通信装置を表す概略図である。
１ 基板 ２ バッファ層 ３ コア層 ３ａ 主導波路 ３ｂ 副導波路 ３ｃ テーパーカプラ ４ エッチングマスク ５ フォトレジスト ６ オーバークラッド ７ 光ファイバ ８ 発光素子 ９ 受光素子 １０ モニタ用フォトダイオード １１ 制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 壽宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 倉田 幸夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 PA02 PA21 PA24 PA28 QA05 TA01 TA43 4J043 RA34 ZA51 ZA52 ZB21 ZB22
Claims (9)
- 【請求項１】 有機高分子を用いた光デバイスの製造方
法において、 基板上に塗布した有機高分子を含有する溶液の焼成を、
真空中で行うことを特徴とする光デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 前記溶液の焼成を行う真空度は１Ｔｏｒ
ｒ以下であることを特徴とする請求項１記載の光デバイ
スの製造方法。 - 【請求項３】 前記有機高分子はポリイミドであること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の光デバイ
スの製造方法。 - 【請求項４】 前記有機高分子は感光性ポリイミドであ
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光
デバイスの製造方法。 - 【請求項５】 ポリイミドまたは感光性ポリイミドの溶
液を塗布した後、１Ｔｏｒｒ以下の真空度で焼成するこ
とを特徴とするポリイミド膜の製造方法。 - 【請求項６】 ポリイミド膜を有し、該ポリイミド膜中
を光が透過する光デバイスにおいて、 前記ポリイミド膜は、ポリイミドまたは感光性ポリイミ
ドを含有する溶液を真空中で焼成することで形成されて
おり、 前記ポリイミド膜の膜厚が、５μｍ以上２００μｍ以下
であることを特徴とする光デバイス。 - 【請求項７】 有機高分子膜を有し、該有機高分子中を
光束が透過する光デバイスにおいて、 前記有機高分子膜は感光性ポリイミドの焼成により形成
されてなり、 前記光束は、波長が１．５μｍ以下の光を含むことを特
徴とする光デバイス。 - 【請求項８】 有機高分子膜を有し、該有機高分子中を
光束が透過する光デバイスにおいて、 前記有機高分子膜はポリイミドの焼成により形成されて
なり、 前記光束が、波長が５００ｎｍ〜８００ｎｍの光を含む
ことを特徴とする光デバイス。 - 【請求項９】 プラスチックファイバーに対して光を送
信または受信する光導波路を少なくとも有する光デバイ
スにおいて、 前記光導波路のコア層が、ポリイミドまたは感光性ポリ
イミドの焼成により形成されたポリイミド膜であること
を特徴とする光デバイス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11195388A JP2000347054A (ja) | 1999-03-31 | 1999-07-09 | 光デバイス及びその製造方法、並びに、ポリイミド膜の製造方法 |
| US09/539,385 US6618543B1 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-31 | Optical devices made with vacuum-baked films |
| US10/614,175 US20040008963A1 (en) | 1999-03-31 | 2003-07-08 | Optical device, method for producing the same, and method for producing polyimide film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-90528 | 1999-03-31 | ||
| JP9052899 | 1999-03-31 | ||
| JP11195388A JP2000347054A (ja) | 1999-03-31 | 1999-07-09 | 光デバイス及びその製造方法、並びに、ポリイミド膜の製造方法 |
Publications (1)
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