JP2002100577A

JP2002100577A - ウエハ処理方法及びウエハ処理装置

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Publication number: JP2002100577A
Application number: JP2000291798A
Authority: JP
Inventors: Hirosuke Sato; 裕輔佐藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-09-26
Filing date: 2000-09-26
Publication date: 2002-04-05
Anticipated expiration: 2020-09-26
Also published as: JP3655180B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ロット中のウエハ処理間隔或いはロット間の
処理間隔によらず、ウエハ温度が一定になるようにする
こと。【解決手段】処理室内にウエハを搬送する工程と、前
記処理室内で前記ウエハを加熱して当該ウエハに対する
処理を行う工程と、前記処理室外に前記ウエハを搬送す
る工程とを備え、前記処理室内に前記ウエハが存在しな
いときにも前記処理室内において加熱を行い、前記処理
室内で前記ウエハを加熱するときの加熱パワーを前記処
理室内に前記ウエハが存在しないときの加熱パワーより
も大きくすることを特徴とするウエハ処理方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はウエハ処理方法及び
ウエハ処理装置に係わり、特にウエハの温度を制御し
て、ウエハ上への成膜、アニール処理、エッチング処理
等の処理を行うウエハ処理方法及びウエハ処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ウエハを一枚づつ処理する枚葉装置で
は、例えば、ウエハカセットに１ロット２５枚のシリコ
ンウエハをセットし、ウエハを搬送ロボットにより処理
室まで搬送し、処理が終了したウエハを搬送ロボットに
より取り出し、カセットまで戻す工程を行っている。

【０００３】しかしながら、このような従来のウエハ処
理方法では、ロットを連続して処理する場合やロットと
ロットとの間が空いた場合等において、ヒータパワーを
一定にするような制御等をすると、処理が行われるウエ
ハの温度がウエハ間で異なる現象が生じるという問題が
あった。例えば、ウエハ上に成膜を行う場合は、ウエハ
上に成膜される膜の膜厚がウエハ間で変化するという現
象が生じる。また、エッチングの場合は、ウエハ上の被
エッチング材料のエッチング深さがウエハ間で異なると
いう現象が生ずる。このような現象が生ずると、ウエハ
間で処理及び品質のばらつきが生じ、ひいては歩留まり
の低下につながってしまう。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ウエハ処理方法では、ロットを連続して処理する場合や
ロットとロットとの間があいた場合に、処理が行われる
ウエハの温度がウエハ間で異なる現象が生じ、ウエハ間
で処理及び品質のばらつきが生じ、ひいては歩留まりの
低下につながってしまうという問題があった。

【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、ロット中のウエハ処理間隔或いはロット間
の処理間隔によらず、ウエハ温度が一定になるようにす
るウエハ処理方法及びウエハ処理装置を提供するもので
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ために、本発明の第１は、処理室内にウエハを搬送する
工程と、前記処理室内で前記ウエハを加熱して当該ウエ
ハに対する処理を行う工程と、前記処理室外に前記ウエ
ハを搬送する工程とを備え、前記処理室内に前記ウエハ
が存在しないときにも前記処理室内において加熱を行
い、前記処理室内で前記ウエハを加熱するときの加熱パ
ワーを前記処理室内に前記ウエハが存在しないときの加
熱パワーよりも大きく制御することを特徴とするウエハ
処理方法を提供する。

【０００７】また、本発明の第２は、処理室内にウエハ
を搬送する工程と、前記処理室内で前記ウエハを加熱源
により加熱して当該ウエハに対する処理を行う工程と、
前記処理室外に前記ウエハを搬送する工程とを備え、前
記処理室内に前記ウェハが存在しないときに前記処理室
内において前記加熱源の温度制御を行い、前記処理室内
に前記ウエハが存在しないときの前記加熱源の温度を、
前記処理室内で前記ウエハを加熱するときの前記加熱源
の温度よりも高く制御することを特徴とするウエハ処理
方法を提供する。

【０００８】本発明の第１及び第２において、前記ウエ
ハを加熱するときにフィードフォワード制御を行うこと
が望ましい。

【０００９】また、本発明の第３は、処理室内にウエハ
を搬送する工程と、前記処理室内で前記ウエハを加熱し
て当該ウエハに対する処理を行う工程と、前記処理室外
に前記ウエハを搬送する工程とを備え、前記ウエハのロ
ット中での処理順番により、当該ウエハの処理開始まで
の時間を変化させることを特徴とするウエハ処理方法を
提供する。

【００１０】本発明の第３において、前記ウエハのロッ
ト処理間の間隔に応じて、ロットの最初のウエハの処理
開始までの時間を変化させることが望ましい。

【００１１】また、本発明の第４は、処理室と、この処
理室内外にウエハを搬送するウエハ搬送機構と、前記処
理室内で処理される前記ウエハを加熱する加熱源とを備
え、前記加熱源は、前記処理室内に前記ウエハが存在し
ないときの加熱パワーが、前記処理室内で前記ウエハを
加熱するときの加熱パワーよりも高いことを特徴とする
ウエハ処理装置を提供する。

【００１２】また、本発明の第５は、処理室と、この処
理室内外にウエハを搬送するウエハ搬送機構と、前記処
理室内で処理される前記ウエハを加熱する加熱源とを備
え、前記加熱源は、前記処理室内に前記ウエハが存在し
ないときに前記処理室内において温度制御され、前記処
理室内に前記ウエハが存在しないときの前記加熱源の温
度が、前記処理室内で前記ウエハを加熱するときの前記
加熱源の温度よりも高く制御されることを特徴とするウ
エハ処理装置を提供する。

【００１３】上記した各発明において、前記処理には、
例えば、原料ガスを流して前記ウエハ上に薄膜を成長さ
せる工程や、前記ウエハをアニール処理する工程等が含
まれる。

【００１４】ウエハ温度がロットの処理間隔等により変
化する現象は、ウエハが処理室内に存在する場合と存在
しない場合とで、加熱源からの放熱が変化し、ウエハが
存在しない場合は加熱源からの放熱量が多くなり、加熱
源の温度が低下する。そのために、ロットの処理の間隔
が空いた場合、加熱源の温度が低下してロットの最初の
数枚のウエハの処理温度が低下する。ウエハが処理室内
に存在しない場合の加熱源の加熱パワーを大きくするこ
とにより、ウエハが処理室に存在しない場合の加熱源の
温度の低下を防止でき、ロットの処理間隔等によらず、
ウエハ処理温度を一定にできる。

【００１５】加熱源の温度を制御している場合は、処理
室内にウエハが存在しない場合には、加熱源の設定温度
を高くすることにより同様の効果が得られる。

【００１６】ロットの最初の数枚の温度安定までの時間
を長くすることによっても、処理温度を一定にすること
ができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１８】図１は、本発明のウエハ処理装置のシステ
ム構成を示す概略図である。この図に示されるように、
搬送室１には第１の処理室２及び第２の処理室３がそれ
ぞれゲートバルブ６ａ及び６ｂを介して接続されてい
る。また、搬送室１にはウエハを装置外部から搬入する
ための第１のカセット室４及び第２のカセット室５がそ
れぞれゲートバルブ６ｃ及び６ｄを介して接続されてい
る。

【００１９】搬送室１内にはロボットハンドを有するア
ーム機構７が設けられており、このアーム機構７により
ウエハが搬送室１を介して処理室２又は３とカセット室
４又は５との間を搬送される。なお、８は冷却台であ
り、処理の終わったウエハはアーム機構７により冷却台
８に搬送され、ウエハ温度が下げられる。

【００２０】処理室２及び３、搬送室１、カセット室４
及び５、冷却台８が収納される部屋等、各部屋の状態
（部屋の扉の開閉状態、部屋内の温度等）は各種センサ
によりモニタされ、その状態に相当するデータが制御装
置９へ送られる（図１の点線）。一方、制御装置９から
も各部屋に対して制御信号が発せられ、各部屋の状態
（部屋の扉の開閉状態等）がコントロールされるように
なっている（図１の点線）。１０は加熱源（ヒータ）用
電力ユニットであり、制御装置９からの制御信号を受け
て（図１の実線）、処理室２及び３の温度制御を行う構
成となっている。

【００２１】第１の処理室２及び第２の処理室３内に
は、第１のカセット室４又は第２のカセット室５、及び
搬送室１を介して外部から搬送されてきたウエハを保持
し、処理するためのウエハ処理機構が設置されている。
以下、このウエハ処理機構について説明する。

【００２２】図５は、本発明の一実施形態に係る枚葉式
のウエハ処理機構の概略縦断面図である。図中３１は処
理容器を示している。この処理容器３１は実際には幾つ
かのパーツの組合せによって構成されているが、ここで
は図の簡単化を図るために一体に形成されているように
示されている。

【００２３】処理容器３１内の上方には処理室３２が形
成されており、処理室３２の上壁１１は石英板等の透明
部材で形成されている。そして、上壁１１の上方には図
示しない放射温度計等が配置される。処理室３２内で上
壁１１に対向する位置には、石英等の耐熱性透明部材で
形成された整流板１２が配置されている。

【００２４】整流板１２の上面周縁部には環状の仕切板
１３が配置されており、この仕切板１３によって整流板
１２と上壁１１との間が原料ガス供給室１４とパージガ
ス供給室１５とに区画されている。原料ガス供給室１４
は原料ガス導入口１６を介して図示しない原料ガス供給
源に選択的に接続され、またパージガス供給室１５はパ
ージガス導入口１７を介して図示しないパージガス供給
源に選択的に接続される。

【００２５】処理室３２の側壁で上部位置には、後述す
る被処理基板（ウエハ）Ｓを処理室３２へ出し入れする
ための搬入口１８が設けられている。この搬入口１８は
被処理基板Ｓを出し入れする期間以外は図示しないバル
ブによって閉じられている。処理室３２の側壁で下部位
置には、処理室３２内を通過した原料ガスおよびパージ
ガスを排出するための排気口１９が周方向の複数箇所に
亘って形成されている。

【００２６】処理室３２内で中央部上方位置には被処理
基板Ｓを保持するための基板ホルダ２０ａが配置されて
いる。この基板ホルダ２０ａは、ガス発生量を抑え、か
つ高温雰囲気や腐食雰囲気に耐えさせるためにカーボン
系の材料によって形成されている。基板ホルダ２０ａの
周囲には遮熱筒２７が配置されており、この遮熱筒２７
は処理室２の内壁に固定されている。なお、２９は加熱
源である電気ヒータ、６５は均熱板、６６は遮熱板、６
７は被処理基板Ｓの出し入れ時に被処理基板Ｓを突上げ
るためのピンである。

【００２７】図５の基板処理装置では、回転軸２５ｄが
中空で、かつ下方に向かうにしたがって段階的に小径に
形成されている。すなわち、回転軸２５ｄは、一端側が
基板ホルダ２０ａに接続されるとともに他端側が基板ホ
ルダ２０ａと同径で下方に向けて延びた軸要素７５と、
この軸要素７５より小径に形成されて一端側が軸要素７
５の下端に接続された軸要素７６と、この軸要素７６よ
り小径に形成されて一端側が軸要素７６の下端に接続さ
れた軸要素７７とで構成されている。

【００２８】軸要素７６の周囲には、この軸要素７６と
の間に１ｍｍ程度の微小ギャップＡを設けて冷却液流路
３２´が対向配置されている。この冷却液流路３２´に
は導入口３３から２５℃程度の冷却水が導入され、図示
しない排出口から排出される。

【００２９】軸要素７７の外周面と収容空間３０の構成
壁内周面との間には回転軸２５ｄを回転自在に支持する
ための球軸受７８，７９が設けてあり、これら球軸受７
８と球軸受７９の間に回転軸２５ｄに回転動力を与える
ためのモータ８０が設けられている。また、収容空間３
０の上部壁には、収容空間３０に侵入しようとするプロ
セスガスを押し出す形に水素，ヘリウム，窒素，アルゴ
ン，ネオン，酸素などパージガスを収容空間３０に流す
ためのパージガス導入口５０が形成されている。

【００３０】処理容器１ｄの底部壁には開口８１が形成
されており、この開口８１を通して回転軸２５ｄ内に回
転軸２５ｄとは非接触に保護筒８２が差込まれている。
そして、突き上げピン６７を操作するためロッド８３、
電気ヒータ２９に給電するためのリード線８４，８５、
測温用の熱電対８６が保護筒８２内を案内され、保護筒
８２の下端開口部に装着された閉塞板８７を気密に貫通
して外部に導かれている。

【００３１】基板ホルダ２０ａの基板載置部には圧力セ
ンサ（図示せず。）が設けられており、ウエハが基板ホ
ルダ２０ａ上に載置されると、当該センサが作動し、ウ
エハが載置されたことを示すデータが制御装置９へ送ら
れる。なお、処理室２及び３の扉に圧力センサが取り付
けられていてもよく、この場合は、扉の開閉が行われた
際、扉が開閉されたことを示すデータが制御装置９へ送
られる。なお、圧力センサの代わりに、光センサ、電気
的なセンサ（例えば、ウエハの載置によって生ずるウエ
ハとの間の静電容量の変化や電気抵抗の変化に感応する
もの等）等、各種センサを用いることが可能である。

【００３２】次に、上述した本発明のウエハ処理装置を
用いてウエハ処理を行う方法について説明する。

【００３３】まず、図１に示すウエハ処理装置のシステ
ムにおいて、第１のカセット室４又は第２のカセット室
５に外部から１ロット２５枚のウエハをセットし、カセ
ット室４又は５のカセット出入り口を閉じた後、真空引
き、Ｎ₂置換を行い、カセット室４又は５を搬送室１と
同じ圧力、例えば６．６７×１０³ＰａのＮ₂雰囲気にす
る。このとき、ゲートバルブ６ｃ又は６ｄは閉じた状態
となっている。

【００３４】搬送室１は第１の処理室２又は第２の処理
室３と同じ圧力、例えば６．６７×１０³ＰａのＮ₂雰囲
気に設定されている。ゲートバルブ６ｃ又は６ｄが開け
られ、ロボットハンドを有するアーム機構７によりカセ
ット室４又は５からウエハが１枚ずつ搬送室１内に取り
出され、さらにこのウエハはゲートバルブ６ａ又は６ｂ
を介して第１の処理室２又は第２の処理室３内へと運ば
れる。その後、ゲートバルブ６ａ又は６ｂは閉じられて
処理室２又は３内で処理が行われる。

【００３５】処理室２又は３内の基板ホルダ２０ａは電
気ヒータ２９により加熱されており、最初のロット処理
の際は、ウエハは処理室２又は３内に存在しない。上述
したようにウエハ（被処理基板Ｓ）を処理室２又は３内
に運び、図５に示される突き上げピン６７により当該ウ
エハを突き上げた後、ロボットハンドが搬送室１内に戻
り、ゲートバルブ６ａ又は６ｂが閉まる。突き上げピン
６７を下げて、上記ウエハを基板ホルダ２０ａに載せ、
所定の時間経過した後、処理を開始する。

【００３６】処理が終了するとゲートバルブ６ａ又は６
ｂを開き、ウエハを突き上げピン６７で突き上げ、ロボ
ットハンドを処理室に挿入し、ウエハ突き上げピン６７
を下ろし、ロボットハンドにウエハを載せ、ウエハを搬
送室１に搬出し、次のウエハをセットする。ここで、次
のウエハは反対側の端のロボットハンドに予め搬送して
おいた。搬出されたウエハは冷却台８に搬送され、温度
を下げた後にカセット室４又は５へ戻される。このよう
な処理を連続的に行う。

【００３７】図２は、従来方式のロット処理においてロ
ット間隔が空いた場合のロット処理１枚目からの昇温プ
ロファイルを示す特性図である。従来は、例えばヒータ
パワーを一定にするような制御をしており、その場合は
図２に示すように、ウエハ間でウエハ温度の上がり方が
異なるという現象が生ずる。即ち、この場合には、ウエ
ハが処理室に存在しないときは、熱を遮断する役割をも
果たすウエハが基板ホルダに載置されていないため、加
熱部からの放熱量が大きくなり、加熱部の温度が低下す
る。ウエハが繰返し処理される毎に、ウエハが処理室に
存在しないときの加熱部における温度は上昇する傾向に
ある。したがって、最初の数枚のウエハは、処理のため
の所定温度まで到達するまでの時間が長くかかるように
なり、ウエハの処理枚数が増えるに従って、所定温度ま
での到達時間が短くなる現象が生ずる。以上のことか
ら、図２の点線で示される処理開始時刻におけるウエハ
温度が最初の数枚では同図に示すように他の場合より低
下していた。

【００３８】本発明では、処理室２又は３内の基板ホル
ダ２０ａにウエハが載置されていない場合に、ヒータの
パワーを最適値に設定することにより、ロット処理の最
初のウエハからウエハを所定温度に素早く設定すること
が可能である。図３は、本発明による加熱パワーの与え
方を示すタイムチャートであり、図４は、ウエハ処理枚
数と処理開始時のウエハ温度との関係を示す特性図であ
る。

【００３９】図３に示すように、処理室２又は３内の基
板ホルダ２０ａにウエハが載置されていない時、即ちロ
ット処理前後の時間帯やウエハ交換時間帯に相当する時
には、制御装置９から加熱源（ヒータ）用電力ユニット
１０へ加熱パワーの制御信号を出し、電力ユニット１０
の作動により加熱パワーを高く設定する（例えば３４０
０Ｗ）。一方、ロット中のウエハが処理室２又は３内の
基板ホルダ２０ａに載置されており所定の処理を受けて
いる時には、制御装置９から電力ユニット１０へ加熱パ
ワーの制御信号を出し、電力ユニット１０の作動により
ウエハ載置時に比べて加熱パワーをより低く設定する
（例えば３１００Ｗ）。

【００４０】このようにウエハが処理室２又は３内に存
在するか否かにより、電気ヒータ２９の加熱パワーの大
きさを最適化することにより、図４の白丸で示すように
ロット処理の最初のウエハからウエハ温度を所定温度に
素早く設定することが可能である。黒丸は従来方式によ
るものであり、この場合はロット処理における最初の数
枚のウエハは、処理開始時において処理のための所定温
度には到達していない。このように、処理室にウエハが
存在しない場合に、加熱パワーをある最適なパワーに設
定するという単純な処理方法により、ウエハ間の温度の
均一性を向上させることが可能になり、ウエハ処理の均
一性を確保することが可能になる。

【００４１】上記実施形態の場合、図５に示す熱電対８
６の温度設定を、ウエハが処理室２又は３内に存在しな
い場合に、ウエハ処理時の設定温度と異なる温度（例え
ば、ウエハ処理時の設定温度よりも高い温度）に設定し
ても同様の効果がある。

【００４２】また、放射温度計（図示せず。）により基
板ホルダ２０ａの温度をモニタし、基板ホルダ２０ａの
温度を制御することも可能であり、ウエハが処理室２又
は３内に存在しない場合に、ウエハ処理時の設定温度と
異なる温度（例えば、ウエハ処理時の設定温度よりも高
い温度）に設定しても良い。

【００４３】また、図５に示されるように加熱源（ヒー
タ）２９が分割されている場合は、分割されたゾーン毎
に加熱パワーを設定し、若しくはゾーン毎の温度を制御
することが可能である。通常、基板ホルダにウエハを設
置した後に昇温を開始すると、ウエハ面内の各点の温度
は必ずしも均一には上昇しない。ウエハ面内の各点の温
度が均一化するにはかなりの時間を要してしまう場合も
ある。上記の如く加熱源（ヒータ）を分割した構成であ
れば、ウエハが処理室２又は３内に存在しない場合の各
ゾーンの設定温度を、ウエハ処理時の各ゾーンの設定温
度と異なる温度（例えば、ウエハ周辺側の温度とウエハ
中心側の温度とを異なる温度に制御する。）に設定する
ことにより、ウエハ面内の各点の温度が均一化する時間
を短縮することが可能である。

【００４４】さらにまた、ウエハが所定の温度になるま
での間の昇温時間を短縮するために、ウエハが基板ホル
ダ２０ａにセットされる前、図３の点線で示すように予
め決められた値に加熱部のパワーを増減させ、昇温時間
を短縮するようなフィードフォワード制御を行うことに
より、昇温時間を短縮させることが可能になる。

【００４５】また、ウエハのロット中での処理順番によ
り、当該ウエハの処理開始までの時間を変化させても良
い。例えば、ロット処理間隔にかかわらず、ロットの処
理枚数毎に、温度安定時間を変化させ、所定の温度に安
定した後に処理を開始しても良い。

【００４６】さらに、加熱部の温度低下は、ロット処理
の間隔の空き時間によるため、空き時間の長さに応じ
て、ロットの最初のウエハの処理開始までの時間を変化
させても良い。この場合、ロットの処理枚数毎に温度安
定時間を設定させても良い。

【００４７】さらにまた、ウエハの基板ホルダへのセッ
トの時期とウエハの加熱温度又は加熱パワーの変更の時
期との間、並びにウエハの基板ホルダからの脱離の時期
とウエハの加熱温度又は加熱パワーの変更の時期との間
は、適宜タイミングをずらして本発明を適用することも
可能である。

【００４８】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはない。例えば、本発明は冷却処理に対しても適用
することが可能である。例えば、一定温度にまで冷却し
てエッチングを行うエッチング処理に対しても本発明を
適用可能である。

【００４９】この場合は、処理室内にウエハを搬送する
工程と、前記処理室内で前記ウエハを冷却源により冷却
して当該ウエハに対する処理を行う工程と、前記処理室
外に前記ウエハを搬送する工程とを備え、前記処理室内
に前記ウエハが存在しないときにも前記処理室内におい
て前記冷却源により冷却を行い、前記処理室内に前記ウ
エハが存在しないときの前記冷却源の温度を、前記処理
室内で前記ウエハを冷却するときの前記冷却源の温度よ
りも低くするウエハ処理方法を用いることが可能であ
る。また、ウエハ処理装置としては、処理室と、この処
理室内外にウエハを搬送するウエハ搬送機構と、前記処
理室内で処理される前記ウエハを冷却する冷却源とを備
え、前記冷却源は、前記処理室内に前記ウエハが存在し
ないときにも前記処理室内において冷却を行い、前記処
理室内に前記ウエハが存在しないときの前記冷却源の温
度が、前記処理室内で前記ウエハを冷却するときの前記
冷却源の温度よりも低いことを特徴とするウエハ処理装
置を用いることが可能である。

【００５０】その他、本発明の趣旨を逸脱しないで種々
変形して実施することが可能である。

【００５１】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ロッ
ト中のウエハ処理間隔或いはロット間の処理間隔によら
ず、ウエハ温度が一定になるようにすることが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウエハ処理装置のシステム構成を示
す概略図。

【図２】従来方式のロット処理においてロット間隔が
空いた場合のロット処理１枚目からの昇温プロファイル
を示す特性図。

【図３】本発明による加熱パワーの与え方を示すタイ
ムチャート。

【図４】ウエハ処理枚数と処理開始時のウエハ温度と
の関係を示す特性図。

【図５】本発明の一実施形態に係る枚葉式のウエハ処
理機構の概略縦断面図。

【符号の説明】

１…搬送室２…第１の処理室３…第２の処理室６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ…ゲートバルブ７…アーム機構８…冷却台２０ａ…基板ホルダ２９…電気ヒータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｅ 21/31 21/324 Ｔ 21/324 Ｋ 21/302 Ｐ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理室内にウエハを搬送する工程と、前
記処理室内で前記ウエハを加熱して当該ウエハに対する
処理を行う工程と、前記処理室外に前記ウエハを搬送す
る工程とを備え、前記処理室内に前記ウエハが存在しな
いときにも前記処理室内において加熱を行い、前記処理
室内で前記ウエハを加熱するときの加熱パワーを前記処
理室内に前記ウエハが存在しないときの加熱パワーより
も大きく制御することを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項２】処理室内にウエハを搬送する工程と、前
記処理室内で前記ウエハを加熱源により加熱して当該ウ
エハに対する処理を行う工程と、前記処理室外に前記ウ
エハを搬送する工程とを備え、前記処理室内に前記ウェ
ハが存在しないときに前記処理室内において前記加熱源
の温度制御を行い、前記処理室内に前記ウエハが存在し
ないときの前記加熱源の温度を、前記処理室内で前記ウ
エハを加熱するときの前記加熱源の温度よりも高く制御
することを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項３】前記ウエハを加熱するときにフィードフ
ォワード制御を行うことを特徴とする請求項１又は２記
載のウエハ処理方法。
【請求項４】処理室内にウエハを搬送する工程と、前
記処理室内で前記ウエハを加熱して当該ウエハに対する
処理を行う工程と、前記処理室外に前記ウエハを搬送す
る工程とを備え、前記ウエハのロット中での処理順番に
より、当該ウエハの処理開始までの時間を変化させるこ
とを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項５】前記ウエハのロット処理間の間隔に応じ
て、ロットの最初のウエハの処理開始までの時間を変化
させることを特徴とする請求項４記載のウエハ処理方
法。
【請求項６】処理室と、この処理室内外にウエハを搬
送するウエハ搬送機構と、前記処理室内で処理される前
記ウエハを加熱する加熱源とを備え、前記加熱源は、前
記処理室内に前記ウエハが存在しないときの加熱パワー
が、前記処理室内で前記ウエハを加熱するときの加熱パ
ワーよりも高いことを特徴とするウエハ処理装置。
【請求項７】処理室と、この処理室内外にウエハを搬
送するウエハ搬送機構と、前記処理室内で処理される前
記ウエハを加熱する加熱源とを備え、前記加熱源は、前
記処理室内に前記ウエハが存在しないときに前記処理室
内において温度制御され、前記処理室内に前記ウエハが
存在しないときの前記加熱源の温度が、前記処理室内で
前記ウエハを加熱するときの前記加熱源の温度よりも高
く制御されることを特徴とするウエハ処理装置。