JP2004014960A

JP2004014960A - 露光装置および露光方法

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Publication number: JP2004014960A
Application number: JP2002169507A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Koike; 小池　薫
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-06-11
Filing date: 2002-06-11
Publication date: 2004-01-15

Abstract

【課題】真空雰囲気下であっても露光装置内のコンタミネーションを除去可能な露光装置および露光方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１と、真空チャンバ１１内に設けられた露光光源２１と、露光光源２１から放出される電子線ｅの経路上に設けられた基板載置台２２とを備えた露光装置において、真空チャンバ１１内には、コンタミネーションを除去する領域に紫外線を照射する紫外線照射手段４１と、紫外線照射領域にガスを吹きつけるガス供給手段４２とを備えたことを特徴とする露光装置およびこれを用いた露光方法である。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は露光装置および露光方法であって、特に真空雰囲気下で露光を行う荷電粒子線、または極短波長紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ（ＥＵＶ））を露光光に用いた露光装置および露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子における高集積化の進展にともない、フォトリソグラフィ工程において用いられる露光装置の露光光源はその短波長化が進んでいる。
しかし、短波長域の露光光は露光エネルギーが高く、その照射により露光を行う基板上のレジストに含まれる有機物等が化学的に分解されて気化し、露光装置内にコンタミネーションが発生し易い。
【０００３】
このコンタミネーションを除去するために、光触媒を用いてコンタミネーションを除去する方法（特開２０００−２８４４６８号公報、特開２０００−２８４４６９号公報、特開２０００−２８６１８７号公報）や、露光装置内に洗浄手段を組み込む方法（特開平１１−２２４８３９号公報、特開２０００−９１２０７号公報）が報告されている。
【０００４】
一方、近年、高解像度のパターン露光が可能な荷電粒子線露光技術が注目されている。荷電粒子線露光技術では、露光光に電子線等の荷電粒子線を用いて真空雰囲気下で露光を行うものであり、１００ｎｍ以下の微細パターンを半導体基板やマスク等に容易に形成することができる。
【０００５】
ここで、例えば低加速電子線投影露光法（Ｌｏｗ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（ＬＥＥＰＬ）に用いる荷電粒子線露光装置を図４に示す。
図４に示すように、露光を行う真空チャンバ１１内には、露光光として電子線ｅを放出する露光光源２１が配置されており、この露光光源２１から放出する電子線ｅの経路上に基板載置台２２が配置されている。
そして、電子線ｅの経路上であって、露光光源２１と基板載置台２２との間には、基板Ｗに露光パターン３２を転写するための露光マスク３１が設けられている。
【０００６】
このような構成の荷電粒子線露光装置を用いて露光を行う場合には、まず、基板載置台２２上に、表面にレジスト（図示せず）を塗付してなる基板Ｗを載置する。続いて露光光源２１から電子線ｅを放出し、種々の電子光学系を通過させて露光マスク３１に照射する。そして、この露光マスク３１の露光パターン３２を通過することで成型された電子線ｅ’を基板Ｗ表面のレジストに照射し、このレジストに露光パターン３２を転写する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような荷電粒子線露光装置でも露光装置内のコンタミネーションは重要な問題となっており、基板上のレジストから気化した有機物等のコンタミネーションが露光装置内を浮遊し、荷電粒子線の経路上に配置される電子光学系や露光マスクなどに付着し、固着してしまう傾向があった。
【０００８】
このように固着したコンタミネーションは、荷電粒子線で露光することで電子やイオンにより帯電され、この帯電電荷が露光時の荷電粒子線の経路を曲げてしまい、転写する露光パターンの位置精度が低下するという問題があった。
特に、露光マスクの露光面側にコンタミネーションは固着し易く、露光パターンにコンタミネーションが固着した場合、位置精度だけでなく、露光パターンの線幅精度も低下するため、重要な問題となっていた。
【０００９】
このような問題を解決するために、荷電粒子線露光装置（荷電粒子ビーム装置）において光触媒を用いることにより、発生したコンタミネーションを分解する方法（特許第３０４７２９３号明細書）も提案されているが、固着したコンタミネーションの除去については十分な効果が得られなかった。
また、従来の技術で説明したような、露光装置に洗浄手段を組み込む手法は、紫外線またはＸ線を露光光源とする露光装置についての手法であることから、真空雰囲気下で露光を行う荷電粒子線露光装置にそのまま適用することは困難であった。
【００１０】
したがって、真空雰囲気下で露光を行う露光装置内のコンタミネーションを除去することが可能な露光装置および露光方法が要望されていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記のような課題を解決するために、本発明の第１の露光装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられた露光光源と、この露光光源から放出される露光光の経路上に設けられた基板載置台とを備えた露光装置において、真空チャンバ内には、コンタミネーションを除去する領域に紫外線を照射する紫外線照射手段と、紫外線照射領域にガスを吹きつけるガス供給手段とを備えたことを特徴としている。
【００１２】
このような露光装置によれば、真空雰囲気下の真空チャンバ内で、紫外線照射手段によりコンタミネーションを除去する領域に紫外線を照射することで、真空チャンバ内の紫外線照射領域における有機物からなるコンタミネーションが分解される。
その後、紫外線照射領域にガス供給手段によりガスを吹きつけることで、分解された有機物を真空チャンバ内から除去することができるため、真空チャンバ内にコンタミネーションが再付着するのを防ぐことができる。
【００１３】
特に、ガス供給手段が内部にガスの進行方向に沿った複数の流路を有するとともに、ガス吹き出し口に向かって開口幅が広くなるように形成されたノズルを備えている場合には、ノズル内の複数の流路にガスが流れることにより、ガス吹き出し口の形状に沿った方向へガスの吹き出し方向が制御され、ガス吹き出し口を紫外線照射領域に向けることで、紫外線照射領域に層流状態で効率よくガスを吹きつけることができる。また、ガス吹き出し口に向かって開口幅が広く形成されていることにより、紫外線照射領域の全域にガスを確実に吹きつけることができる。
【００１４】
また、ガス供給手段がガスの吹き出し方向を制御するための駆動手段を備えている場合には、ガスの吹き出し方向を制御しつつ紫外線照射領域にガスを吹きつけることで、真空雰囲気下であっても、紫外線照射領域全域に確実に効率よくガスを吹きつけることが可能である。また、コンタミネーションの除去状況を確認しながら、ガスを吹きつける位置を調整することも可能である。
【００１５】
また、本発明の第２の露光装置は、露光を行うための真空チャンバと、真空チャンバに隣接して設けられ、真空チャンバ内に露光マスクを装填するためのマスク装填室とを備えた露光装置において、マスク装填室内には、露光マスクに紫外線を照射する紫外線照射手段と、紫外線照射領域にガスを吹きつけるガス供給手段とを備えたことを特徴としている。
【００１６】
このような露光装置によれば、マスク装填室内で露光マスクに紫外線を照射することで、露光マスクに固着したコンタミネーションを分解することができる。また、通常マスク装填室内も真空雰囲気下に維持されていることから、紫外線照射領域にガスを吹きつけることにより、分解したコンタミネーションをマスク装填室から除去することができるため、露光マスクにコンタミネーションが再付着するのを防ぐことも可能である。
さらに、真空チャンバ内で露光マスクを用いて露光を行う間に、マスク装填室内で次に用いる露光マスクに付着したコンタミネーションを除去することができる。
【００１７】
また、本発明の露光方法は、真空チャンバ内で基板に露光を行う露光工程と、基板を紫外線遮光シャッターで覆った状態で、真空チャンバ内のコンタミネーションを除去する領域に紫外線を照射するとともに、紫外線照射領域にガスを吹きつけてコンタミネーションを除去するコンタミネーション除去工程とを有することを特徴としている。
【００１８】
このような露光方法によれば、基板を紫外線遮光シャッターで覆った状態で、真空チャンバ内のコンタミネーションを除去する領域に紫外線を照射して紫外線照射領域のコンタミネーションを分解するとともに、紫外線照射領域にガスを吹きつけることで分解したコンタミネーションを除去することから、真空チャンバ内に基板が搬入された状態であっても、基板に紫外線照射の影響を与えることなく真空チャンバ内のコンタミネーションを除去することができる。
したがって、基板の露光位置を変えて複数回露光を行う場合に、露光工程の合間に頻繁にコンタミネーションの除去を行うことが可能であるため、真空チャンバ内をより清浄な状態に維持することが可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１（ａ）は本発明の露光装置の一実施形態を説明するための荷電粒子線露光装置の概要構成図である。
この図に示す荷電粒子線露光装置は、図４を用いて説明した従来の露光装置に、コンタミネーションを除去するための紫外線照射手段４１およびガス供給手段４２を備え、さらに、基板載置台２２と露光マスク３１との間に移動自在な紫外線遮光シャッター４３を備えた構成となっている。
ここでは、露光マスク３１の露光パターン３２に固着したコンタミネーションを除去する露光装置を例にとり説明する。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、荷電粒子線露光装置は、露光を行うための真空チャンバ１１と、真空チャンバ１１に隣接して設置され、真空チャンバ１１内に露光マスク３１を装填するためのマスク装填室１２とを備えている。
【００２１】
真空チャンバ１１内には、露光光として電子線ｅを放出する電子銃からなる露光光源２１が配置されており、この露光光源２１から放出された電子線ｅの経路上に水平方向（ｘｙ方向）に移動可能な基板載置台２２が配置されている。
この基板載置台２２はｘｙ方向に移動することにより、電子線ｅの照射範囲に基板載置台２２上に載置された基板Ｗ表面の全域を移動させることができる。
そして、電子線ｅの経路上であり、露光光源２１と基板載置台２２の間には基板Ｗに露光パターン３２を転写するために用いる露光マスク３１と露光マスク３１を保持するためのマスク保持部材（図示せず）が設けられている。
【００２２】
また、露光光源２１と露光マスク３１との間には、電子線ｅの経路上に、露光光源２１側から順に、電子線ｅを制限するアパーチャー２３、進行方向を平行にするためのコンデンサレンズ２４が配置されている。そして、コンデンサレンズ２４の下方には、電子線ｅの経路を囲むように、電子線ｅが露光マスク３１に垂直に入射するように偏向させる目的を持つ一対のメインデフレクターのセット２５、２６があり、さらには電子線ｅの照射位置の微調整を行う微調整用デフレクター２７、２８が配置されている。
【００２３】
ここで、本発明に特徴的な紫外線照射手段４１は、真空チャンバ１１内の微調整用デフレクター２８と露光マスク３１との間に一対で設けられ、露光マスク３１の露光パターン３２に紫外線を照射可能な状態で配置されている。
なお、ここでは露光パターン３２に固着したコンタミネーションを除去するために、紫外線照射手段４１を微調整用デフレクター２８と露光マスク３１との間に配置することにより、露光マスク３１に対し電子線ｅの照射面側から紫外線を照射し、ガスを吹きつけるように構成した。
ただし、本発明はこれに限定されず、真空チャンバ１１内におけるコンタミネーションを除去する領域に対して、紫外線を照射可能であり、露光の妨げにならない位置に紫外線照射手段４１を配置すればよい。
【００２４】
また、ガス供給手段４２は、例えば真空チャンバ１１の外側に接して設置された温度制御手段５１と、温度制御手段５１に接続され、真空チャンバ１１内へガスを導入するノズル５２とを備えている。
温度制御手段５１により供給するガスの温度は、吹きつけるガスにより露光マスク３１に温度伸縮が起こらないように、露光装置の設置されている環境の温度と同等の２０〜２７℃が好ましい。
この場合、温度を制御しなくても供給するガスが上記の温度を維持できるのであれば、温度制御手段５１を設けなくてもよい。
【００２５】
また、温度制御手段５１に接続されたノズル５２は、その先端がガス吹き出し口５３となっており、真空チャンバ１１内の紫外線照射領域、すなわち、ここでは露光パターン３２に露光面側からガスを誘導可能な向きに設けられ、ノズル５２が露光の妨げにならない位置に配置されている。
ここで、図１（ｂ）に本実施形態におけるノズル５２のガス吹き出し口５３付近の要部拡大図を示す。
【００２６】
図１（ｂ）に示すように、このノズル５２の内部はガスの進行方向Ｃに沿った複数の流路を有しており、ノズル５２の先端のガス吹き出し口５３に向かって開口幅が広くなるように形成されている。
供給されるガスは、このノズル５２内の複数の流路を通り、ガス吹き出し口５３の形状に沿った方向へガスの吹き出し方向Ｃ’が制御され、層流状態で露光パターン３２に吹きつけられる。また、ノズル５２はガス吹き出し口５３に向かって開口幅が広くなるように形成されていることから、ガスの吹き出し口５３が向けられた露光パターン３２の全域にガスが吹きつけられる。
【００２７】
なお、ここでは、ノズル５２の特定の形状によってガスの吹き出し方向Ｃ’を制御した例について説明したが、本発明のガス供給手段４２は、上記の形状に限定されず、真空雰囲気下で所定の領域にガスを確実に吹きつけることが可能であればよい。
【００２８】
さらに、真空チャンバ１１内には、紫外線照射手段４１から照射される紫外線に対して基板載置台２２を覆う位置と、電子線ｅの経路上から外れる位置とに移動自在な紫外線遮光シャッター４３が設けられている。
本実施形態における紫外線遮光シャッター４３は、例えば真空チャンバ１１の側壁から突出し、露光マスク３１と基板載置台２２との間に配置可能に設けられている。
このように、紫外線遮光シャッター４３は基板載置台に載置された基板Ｗを紫外線から遮光するために用いるため、基板載置台２２の近くに配置されるのが好ましいが、基板Ｗを紫外線から遮光できれば、配置位置は上記に限定されるものではない。
なお、基板Ｗを真空チャンバ１１内に搬入しない状態で、コンタミネーションの除去を行う場合には、紫外線遮光シャッター４３を設けなくてもよい。
【００２９】
次に、上述した露光装置を用いた露光方法について説明する。
まず、真空雰囲気に維持された真空チャンバ１１内にマスク装填室１２から露光マスク３１を搬入し、マスク保持部材（図示せず）に例えばステンシルマスクからなる露光マスク３１を装着する。
【００３０】
次に、真空チャンバ１１内に例えば半導体ウエハからなる基板Ｗを搬入し、基板Ｗを基板載置台２２に載置して、基板Ｗの露光位置と露光マスク３１との位置合わせを行う。
この際、基板Ｗ上には露光マスク３１の露光パターン３２を転写するためのレジスト（図示せず）が塗付された状態であることとする。
【００３１】
続いて、露光光源２１をオンにして、露光光源２１から放出させた電子線ｅを、アパーチャー２３、コンデンサレンズ２４で成形し、上述したデフレクター２５〜２８で電子線ｅの照射位置を調整しつつ走査させながら露光マスク３１に照射する。そして、この露光マスク３１の露光パターン３２を通過することで成型された電子線ｅ’を基板Ｗ表面のレジストに照射し、このレジストに露光パターン３２を転写する。
【００３２】
次に、真空チャンバ１１の側壁から露光マスク３１と基板載置台２２に載置された基板Ｗとの間に紫外線遮光シャッター４３を突出させて配置する。
そして、紫外線遮光シャッター４３により基板Ｗを覆い、紫外線から遮光した状態で、紫外線照射手段４１により露光パターン３２に紫外線を照射する。
【００３３】
ここで、通常紫外線は波長が４００ｎｍ以下の電磁波を指すが、この場合の紫外線はコンタミネーションを分解するために用いるため、エネルギーの強い短波長の紫外線が望ましい。
特に、波長１８０ｎｍ以下の紫外線を照射する場合には、後述する工程で、ガス供給手段４２から流すガスが酸素を含むガスであれば、酸素が活性度の高い励起酸素原子となるため、コンタミネーション除去速度が速く、さらに好ましい（特許第０３４７２０号明細書）。
【００３４】
続いて、紫外線を照射した状態でガス供給手段４２から、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスを紫外線の照射領域に吹きつける。これにより、真空チャンバ１１内は真空雰囲気に維持されているため、特に排気手段を設けなくても、不活性ガスとともに分解したコンタミネーションを真空チャンバ１１内から除去することができる。
この際、温度制御手段５１により、供給するガスの温度は２０〜２７℃に制御することとする。
【００３５】
なお、本発明は上記のガスに限定されず、酸素、水素、水蒸気、オゾン、過酸化水素蒸気等のガスを吹きつけてもよい。これにより、分解された有機物が二酸化炭素ガスや炭化水素ガスに変換されて真空チャンバ１１内から除去される。
また、ここでは紫外線を照射しながら、紫外線照射領域にガスを吹きつけることとしたが、紫外線を照射した後、ガスを吹きつけてもよい。
【００３６】
このようにして、露光マスク３１に付着したコンタミネーションを除去する間に、基板載置台２１をｘｙ方向に移動することにより、基板Ｗを次の露光位置に移動させる。
【００３７】
本実施形態では、まず、露光工程を行い、その後コンタミネーションを除去する工程を行うこととしたが、初期状態で真空チャンバ１１内にコンタミネーションが発生している場合には、コンタミネーションを除去する工程を先に行ってもよい。
この場合、基板Ｗを真空チャンバ１１内に搬入する前に露光マスク３１のコンタミネーションを除去すれば、紫外線遮光シャッター４３で基板Ｗを覆わなくてもよく、基板Ｗへの紫外線照射による影響を考慮しなくてよいので好ましい。
【００３８】
また、本実施形態では、生産効率を向上させるため、基板Ｗの露光位置を移動させる際にコンタミネーションを除去する工程を並行して行うこととしたが、本発明はこれに限定されず、別々に行ってもよく、どちらの工程を先に行ってもよい。
また、コンタミネーションを除去する工程は露光工程の合間に毎回行う必要はなく、真空チャンバ１１内のコンタミネーションの発生状況により適宜設定する。
【００３９】
このような露光装置および露光方法によれば、露光パターン３２に紫外線を照射可能な位置に紫外線照射手段４１が配置されていることにより露光パターン３２に付着した有機物等のコンタミネーションを紫外線により分解することができる。
【００４０】
また、露光パターン３２にガスを吹きつけるようにガス供給手段４２が配置されており、ノズル５２の内部はガスの進行方向Ｃに沿った複数の流路を有するとともに、ガス吹き出し口５３に向かって開口幅が徐々に広くなるように形成されている。これにより、ガス吹き出し口５３の形状に沿って、ガスの吹き出し方向Ｃ’を制御し、ガスを層流状態で吹きつけることにより、露光パターン３２に効率よくガスを吹きつけることができ、また、露光パターン３２全域にガスを吹きつけることができる。
【００４１】
よって、真空雰囲気下であっても露光パターン３２にガスを確実に吹きつけることができるので、紫外線照射により分解したコンタミネーションを確実に除去することができ、基板Ｗ上に転写される露光パターン３２の位置精度や線幅精度を向上させることができる。
また、真空雰囲気下でコンタミネーションを分解して、真空チャンバ１１内からコンタミネーションを除去することにより、コンタミネーションの再付着を防ぐことができ、真空チャンバ１１内をより清浄化できる。
【００４２】
さらに、真空チャンバ１１に基板載置台２２と露光マスク３１との間に移動自在な、紫外線遮光シャッター４３が設けられていることにより、基板Ｗを基板載置台２２上に載置した状態で、露光パターン３２のコンタミネーションを除去することができるため、露光工程の合間に頻繁に露光パターン３２に付着したコンタミネーションを除去することができる。
【００４３】
また、ガス供給手段４２が温度制御手段５１を備えていることにより、ガスを吹きつけた部分の温度による伸縮作用を抑制することができる。
また、従来、加速された電子線ｅが露光マスク３１に照射されるとその露光エネルギーにより、熱膨張を生じて露光パターン３２の線幅精度を悪化させるという問題が生じていたが、本実施形態のようにガス供給手段４２が温度制御手段５１を備えていれば、供給するガスの温度を低く調整することができるため、ガスを露光マスク３１に吹きつけることにより、冷却することも可能である。
【００４４】
なお、本実施形態においてはマスク装填室１２が設置された例について説明したが、露光マスク３１をケースに入れて真空チャンバ１１内に直接搬入するような露光装置であってもよい。
【００４５】
（第２実施形態）
第１実施形態では、ガス供給手段４２のノズル５２の形状によりガスの吹き出し方向Ｃ’を制御する例について説明したが、本実施形態では、ガス供給手段４２がガスの吹き出し方向Ｃ’を制御するための駆動手段を備えた例について説明する。
なお、ノズル５２以外の構成は第１実施形態と同一の構成とし、露光マスク３１における露光パターン３２のコンタミネーションを除去することとする。
【００４６】
図２に本実施形態における、ノズル５２のガス吹き出し口５３付近の要部拡大図を示す。
図２に示すように、ガス吹き出し口５３の先には、支持軸５５に連結された振動板５４が配置され、支持軸５５は駆動手段（図示せず）に連結されている。ノズル５２内のガスの進行方向Ｃに対して、駆動手段によって支持軸５５を回転することにより、振動板５４が傾斜し、ガスの吹き出し方向Ｃ’が制御される。
【００４７】
ここでは、駆動手段により振動板５４の向きを紫外線照射領域である露光パターン３２方向へ制御することで、供給されたガスは露光パターン３２（前記図１（ａ）参照）に局所的に吹きつけられる。そして、駆動手段により振動板５４の傾斜を変動させることで、露光パターン３２の全域にガスを吹きつけることができる。
このように、本発明の露光装置は駆動手段によりガスの吹き出し方向Ｃ’を制御する振動板５４のような制御手段を備えたガス供給手段４２であってもよい。この制御手段は振動板５４に限定されず、ノズル５２自体を傾斜させて動かすことにより、露光パターン３２の全域にガスを吹きつけても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、コンタミネーションの除去状況を確認しながら、ガスの吹き出し方向Ｃ’を調整することも可能である。
【００４８】
（第３実施形態）
また、第１実施形態では真空チャンバ１１内に紫外線照射手段４１とガス供給手段４２とが配置された例について説明したが、本実施形態では、真空チャンバ１１に隣接して設置されたマスク装填室１２内に紫外線照射手段４１とガス供給手段４２とが配置された例について説明する。
この場合には、コンタミネーションを除去する領域は露光マスク３１となる。ここでは、第１、第２実施形態と同様に、露光パターン３２のコンタミネーションを除去することとする。
【００４９】
図３に示すように、マスク装填室１２内に配置されたマスク保持部材（図示せず）に保持された露光マスク３１にマスク装填室１２内の例えば上部に配置された紫外線照射手段４１から紫外線を照射して、コンタミネーションを分解する。そして、この紫外線照射領域にマスク装填室１２の例えば側壁に配置されたガス供給手段４２からガスを吹きつけて分解したコンタミネーションを除去する。
【００５０】
このような露光装置および露光方法によれば、マスク装填室１２内で紫外線を照射して露光マスク３１に付着したコンタミネーションを分解し、ガス供給手段４２によりガスを吹きつけることで、分解したコンタミネーションを除去することができる。
また、通常マスク装填室１２内も真空雰囲気下に維持されているため、分解したコンタミネーションを露光マスク３１に再付着させることなく、ガスとともにマスク装填室１２内から排気することが可能である。
さらに、真空チャンバ１１内で露光を行う間に、マスク装填室１２内で次に用いる露光マスク３１に固着したコンタミネーションを除去することができる。
【００５１】
以上説明したように、第１実施形態〜第３実施形態ではＬＥＥＰＬ法に用いる荷電粒子線露光装置を用いた例について説明したが、本発明はこれに限定されず、真空雰囲気下で露光を行う露光装置であれば、他の露光装置であってもよい。例えば、極短波長紫外線露光（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ（ＥＵＶ））装置であっても、同様の効果を奏することができる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第１の露光装置によれば、コンタミネーションを除去する領域に紫外線を照射し、紫外線照射領域にガスを吹きつけることで、コンタミネーションを真空チャンバ内から除去することができ、コンタミネーションの再付着を防ぐことができる。
また、コンタミネーションを除去する領域が露光マスクである場合には、コンタミネーションの除去を確実に行うことができるため、この露光マスクを用いて基板に露光を行うことにより、基板に転写されるマスクパターンの位置精度および線幅精度を向上させることができる。
【００５３】
また、本発明の第２の露光装置によれば、マスク装填室内で露光マスクに固着したコンタミネーションを除去することができ、真空チャンバ内で露光マスクを用いて露光を行う間に、マスク装填室内で次に用いる露光マスクに固着したコンタミネーションを除去することができ、コンタミネーションの再付着を防ぐことができる。
さらに、真空チャンバ内で露光を行う間に、マスク装填室内で次に用いる露光マスクに固着したコンタミネーションを除去することができる。
【００５４】
また、本発明の露光方法によれば、真空チャンバ内で基板を紫外線遮光シャッターにより覆った状態で紫外線を照射することにより、真空チャンバ内に基板が搬入された状態であっても、基板に紫外線照射の影響を与えることなくコンタミネーションを除去することができる。
したがって、基板の露光位置を変えて複数回露光を行う場合に、露光工程の合間に頻繁にコンタミネーションの除去を行うことが可能であるため、露光装置内をより清浄な状態に維持することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態における露光装置を説明するための概要構成図（ａ）と要部拡大図（ｂ）である。
【図２】第２実施形態における露光装置のノズルの要部拡大図である。
【図３】第３実施形態における露光装置の概要構成図である。
【図４】従来の技術における露光装置を説明するための概要構成図である。
【符号の説明】
１１…真空チャンバ、１２…マスク装填室、２１…露光光源、２２…基板載置台、３１…露光マスク、４１…紫外線供給手段、４２…ガス供給手段、５１…温度制御手段、５２…ノズル、５３…ガス吹き出し口、５４…振動板、Ｗ…基板、ｅ…電子線

Claims

真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられた露光光源と、この露光光源から放出される露光光の経路上に設けられた基板載置台とを備えた露光装置において、
前記真空チャンバ内には、コンタミネーションを除去する領域に紫外線を照射する紫外線照射手段と、
紫外線照射領域にガスを吹きつけるガス供給手段とを備えた
ことを特徴とする露光装置。
前記露光光源と前記基板載置台との間の露光光の経路上には露光マスクが設けられており、前記コンタミネーションを除去する領域が前記露光マスクである
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
前記真空チャンバ内には、前記紫外線照射手段から照射される紫外線に対して前記基板載置台を覆う位置と、露光光の経路上から外れる位置とに移動自在な紫外線遮光シャッターが設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
前記ガス供給手段は、内部にガスの進行方向に沿った複数の流路を有するとともに、ガス吹き出し口に向かって開口幅が広くなるように形成されたノズルを備えている
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
前記ガス供給手段は、ガスの吹き出し方向を制御するための駆動手段を備えている
ことを特徴とする請求項１の露光装置。
前記ガス供給手段は、供給するガスの温度を制御する温度制御手段を備えている
ことを特徴とする請求項１の露光装置。
露光を行うための真空チャンバと、前記真空チャンバに隣接して設けられ、前記真空チャンバ内に露光マスクを搬入するためのマスク装填室とを備えた露光装置において、
前記マスク装填室内には、前記露光マスクに紫外線を照射する紫外線照射手段と、紫外線照射領域にガスを吹きつけるガス供給手段とを備えた
ことを特徴とする露光装置。
真空チャンバ内で基板に露光を行う露光工程と、
前記基板を紫外線遮光シャッターで覆った状態で、真空チャンバ内のコンタミネーションを除去する領域に紫外線を照射するとともに、紫外線照射領域にガスを吹きつけてコンタミネーションを除去するコンタミネーション除去工程とを有する
ことを特徴とする露光方法。
前記基板の露光位置を移動する際に、前記コンタミネーション除去工程を並行して行う
ことを特徴とする請求項８記載の露光方法。