JP2007088056A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 高密度化および高速化に対応しつつ、十分な信頼性をもって、ノイズ対策がなされた配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 金属支持基板２、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５が順次積層される回路付サスペンション基板１において、ベース絶縁層３内に、導体パターン４の信号配線１０と厚み方向に対向し、金属支持基板２と接触するグランド層６を幅方向に間隔Ｓ１を隔てて設けるとともに、導体パターン４として、信号配線部８とともにグランド配線部９を形成し、そのグランド配線部９として、下端面が金属支持基板２と直接接触するように、ベース絶縁層３に形成された接続孔７内に充填される接続部１１と、ベース絶縁層３の上に形成され、幅方向において間隔Ｓ１を隔てて隣接配置される各グランド層６の両方と、厚み方向に対向するグランド層対向部１２とを形成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、配線回路基板に関し、詳しくは、高密度化や高速化に対応した配線回路基板に関する。

ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板は、通常、金属支持基板と、金属支持基板の上に形成されたベース絶縁層と、ベース絶縁層の上に形成された導体パターンと、ベース絶縁層の上に導体パターンを被覆するように形成されたカバー絶縁層とを備えている。
このような回路付サスペンション基板では、金属支持基板と導体パターンとの間の電位差がノイズの発生原因となるため、そのノイズ対策として、導体パターンとして、電気信号を伝送する信号配線とともに、金属支持基板と導通するグランド配線を形成して、そのグランド配線を、磁気ヘッドと接続することにより、磁気ヘッドをグランド接続するようにしている。

また、このような回路付サスペンション基板では、近年の高密度化や高速化に対応して、導体パターンの伝送損失を低減するために、導体の下層に、絶縁層を挟んで、電気的にグランド電位とされる下部導体を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００５−１１３８７号公報

しかるに、グランド配線を設けるとともに、下部導体を設ければ、高密度化や高速化に対応しつつ、ノイズ対策することができる。また、導体パターンを高密度に配置すると、グランド配線と下部導体とが、厚み方向において対向するので、グランド配線を下部導体へ接続すれば、グランド配線のグランド接続が容易となる。
しかし、グランド配線を下部導体へ接続すると、グランド配線と下部導体との接続部分（界面）において、密着不良が生じ、配線回路基板の信頼性が低下するという不具合がある。

本発明の目的は、高密度化および高速化に対応しつつ、十分な信頼性をもって、ノイズ対策がなされた配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、電気信号を伝送する信号配線部およびグランド接続のためのグランド配線部を含む導体パターンと、前記導体パターンを被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層と、前記信号配線部の少なくとも一部と厚み方向において対向し、少なくとも一部が前記金属支持基板に接続されるように、前記ベース絶縁層内に埋設されるグランド層とを備え、前記グランド配線部は、前記グランド層の少なくとも一部と厚み方向において対向するグランド層対向部と、前記金属支持基板と接続される接続部とを含んでいることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記グランド層が、前記信号配線部が延びる方向に対して直交する方向において、間隔を隔てて設けられており、前記グランド層対向部が、前記間隔を隔てて配置される各前記グランド層の少なくともいずれか一方と厚み方向において対向するように配置され、前記接続部が、前記間隔を隔てて配置される各前記グランド層の間に配置されていることが好適である。

また、本発明の配線回路基板では、前記グランド配線部と前記金属支持基板との間には、前記導体パターンをアディティブ法により形成するための金属薄膜が介在されていてもよい。
また、本発明の配線回路基板では、前記金属支持基板には、前記信号配線部の少なくとも一部と厚み方向において対向する開口部が形成されていてもよい。

また、開口部が形成される場合には、前記ベース絶縁層内に埋設される前記グランド層が前記開口部から露出することを防止するために、前記グランド層を前記開口部から被覆する絶縁保護層を備えていることが好適である。

本発明の配線回路基板によれば、グランド配線部のグランド層対向部が、グランド層の少なくとも一部と厚み方向において対向するように、導体パターンを高密度で形成することができながら、グランド配線部の接続部は、グランド層と接続されるのではなく、金属支持基板と接続されているので、グランド配線部の接続部とグランド層との接続部分での密着性の向上を図ることができ、グランド配線部を確実にグランド接続することができる。そのため、本発明の配線回路基板では、高密度化および高速化に対応しつつ、十分な信頼性をもって、ノイズの発生を低減することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す回路付サスペンション基板の要部断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されるカバー絶縁層５とを備えている。また、この回路付サスペンション基板１には、金属支持基板２の上に形成され、ベース絶縁層３内に埋設されるグランド層６を備えている。

金属支持基板２は、長手方向（図１における紙厚方向）に延びる平板からなり、金属箔や金属薄板から形成されている。金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
グランド層６は、金属支持基板２の上に、金属支持基板２と接触するように、幅方向（長手方向に直交する方向）に間隔Ｓ１を隔てて複数（２つ）形成されている。グランド層６を形成する金属としては、例えば、クロム、銅、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、または、それらの酸化物などが用いられる。これらのうち、銅または銅合金が好ましく用いられる。また、グランド層６の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、２〜４μｍである。また、幅方向において隣接する各グランド層６の間隔Ｓ１は、例えば、８０〜５００μｍ、好ましくは、１２０〜３００μｍである。

ベース絶縁層３は、グランド層６を被覆（埋設）するように、金属支持基板２の上に形成されている。ベース絶縁層３には、幅方向において間隔Ｓ１を隔てて隣接配置される各グランド層６の間において、接続孔７が、ベース絶縁層３の厚み方向を貫通して、金属支持基板２を露出させるように形成されている。ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、ポリイミドが好ましく用いられ、感光性ポリイミドがさらに好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜１５μｍであり、好ましくは、８〜１０μｍである。また、接続孔７の幅方向の開口長さＳ２は、例えば、４０〜３００μｍ、好ましくは、６０〜２００μｍである。

導体パターン４は、電気信号を伝送する信号配線部８と、磁気ヘッドをグランド接続するためのグランド配線部９とを備えている。
信号配線部８は、一方のグランド層６を被覆するベース絶縁層３の上において、一方のグランド層６と厚み方向（上下方向）において対向するように設けられている。この信号配線部８は、幅方向において互いに間隔を隔てて配置され、長手方向に沿って延びる複数（２つ）の信号配線１０と、各信号配線１０の長手方向両端部に連続する複数の端子（図示せず。）とを備えている。長手方向一端部の端子には、磁気ヘッドの端子が接続されるとともに、長手方向他端部の端子には、外部制御回路の端子が接続される。

なお、各信号配線１０の幅は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍであり、各信号配線１０間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。
グランド配線部９は、接続部１１と、グランド層対向部１２と、グランド端子部１３とを一体的に備えている。

接続部１１は、その下端面が金属支持基板２と直接接触するように、ベース絶縁層３に形成された接続孔７内に充填されている。
グランド層対向部１２は、ベース絶縁層３の上に形成され、接続部１１から幅方向両外側に延び、幅方向において間隔Ｓ１を隔てて隣接配置される各グランド層６の両方と、厚み方向（上下方向）においてベース絶縁層３を介して対向するように設けられている。

グランド端子部１３は、磁気ヘッドのグランド端子と接続するために設けられ、後述するカバー絶縁層５のグランド端子開口部１４から露出する部分として設けられている。このグランド端子部１３は、図１においては、カバー絶縁層５のグランド端子開口部１４が、一方のグランド層６と対向するグランド層対向部１２が露出するように形成されているため、一方のグランド層６と対向するグランド層対向部１２に設けられているが、例えば、カバー絶縁層５のグランド端子開口部１４が、接続部１１が露出するように形成されている場合には、その接続部１１に設けられる。

また、導体パターン４を形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられる。これらのうち、銅が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
カバー絶縁層５は、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されている。このカバー絶縁層５には、上記した信号配線部８の端子に対向して、端子開口部（図示せず。）が形成されるとともに、グランド端子部１３の形成部分に、グランド端子開口部１４が形成されている。

また、カバー絶縁層４を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。また、その厚みは、例えば、３〜１０μｍ、好ましくは、４〜５μｍである。
図２〜図６は、この回路付サスペンション基板１の製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。次に、図２〜図６を参照して、この回路付サスペンション基板１を製造する方法について説明する。

この方法では、まず、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意し、次いで、図２（ｂ）に示すように、その金属支持基板２の上に、グランド層６を形成する。
金属支持基板２の上にグランド層６を形成するには、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２の表面全面に、スパッタリングまたは電解めっきにより、金属薄膜２１を形成する。

金属薄膜２１を形成する金属としては、例えば、上記したグランド層６と同様の金属が用いられ、好ましくは、銅やクロムが用いられる。また、その厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．１〜１μｍである。金属薄膜２１は、金属支持基板２の表面と接触するように、金属支持基板２との密着性の高い金属と、グランド層６の表面と接触するように、グランド層６との密着力の高い金属とを積層することにより、多層で形成することもできる。

次いで、図３（ｂ）に示すように、めっきレジスト２２を、金属薄膜２１の上に、上記したグランド層６の反転パターンで形成する。めっきレジスト２２の形成は、例えば、ドライフィルムレジストを露光および現像する、公知の方法が用いられる。
その後、図３（ｃ）に示すように、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、めっきレジスト２２から露出する金属薄膜２１の表面に、グランド層６を、上記したように、幅方向に間隔Ｓ１を隔てたパターンとして、形成する。

次いで、図３（ｄ）に示すように、めっきレジスト２２を、例えば、エッチング（ウェットエッチング）または剥離によって除去した後、図３（ｅ）に示すように、そのめっきレジスト２２が形成されていた部分の金属薄膜２１を、例えば、エッチング（ウェットエッチング）によって除去する。
これによって、図２（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、グランド層６が形成される。なお、図２においては、金属薄膜２１は省略されている。

次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３を、グランド層６を被覆するように、金属支持基板２の上に形成する。
ベース絶縁層３を、グランド層６を被覆するように、金属支持基板２の上に形成するには、例えば、感光性ポリイミドを用いて、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３をパターンとして形成する場合には、まず、図４（ａ）に示すように、感光性ポリイミド前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、グランド層６を被覆するように、金属支持基板２の全面に塗布し、乾燥して皮膜２３を形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、皮膜２３を、フォトマスク２４を介して露光する。フォトマスク２４は、光透過部２４ａおよび遮光部２４ｂがパターンとして形成されており、遮光部２４ｂが、例えば、皮膜２３の周縁部と接続孔７の形成部分とに対向するように配置される。

その後、皮膜２３を、必要により露光後加熱した後、図４（ｃ）に示すように、アルカリ現像液などの現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などによって現像する。これによって、皮膜２３における遮光部２４ｂとの対向部分が溶解して、次いで、図４（ｄ）に示すように、２５０℃以上に加熱して硬化すれば、金属支持基板２の上に、グランド層６を被覆するように、ポリイミドからなるベース絶縁層３が、接続孔７が形成されるパターンで形成される。なお、図４では、ベース絶縁層３を、ネガ画像で形成したが、ポジ画像で形成することもできる。

なお、ベース絶縁層３の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め接続孔７が穿孔された合成樹脂のフィルムを用意して、そのフィルムを、グランド層６を被覆するように、金属支持基板２の上に、接着剤層を介して貼着することもできる。
次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を形成する。導体パターン４は、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により、上記した信号配線部８とグランド配線部９とを備えるパターンとして形成する。微細なパターンを形成する観点から、好ましくは、アディティブ法が用いられる。

アディティブ法によって、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を形成するには、まず、図５（ａ）に示すように、ベース絶縁層３の表面およびベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面に、スパッタリングにより、金属薄膜２５を形成する。
金属薄膜２５を形成する金属としては、例えば、上記したグランド層６と同様の金属が用いられ、好ましくは、銅やクロムが用いられる。また、その厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．１〜１μｍである。好ましくは、金属支持基板２およびベース絶縁層３の表面と接触するように、金属支持基板２およびベース絶縁層３との密着性の高い金属、例えば、クロムと、導体パターン４の表面と接触するように、導体パターン４との密着力の高い金属、例えば、銅とを、順次積層することにより、多層で形成する。

次いで、図５（ｂ）に示すように、めっきレジスト２６を、金属薄膜２５の上に、上記した導体パターン４の反転パターンで形成する。めっきレジスト２６の形成は、例えば、ドライフィルムレジストを露光および現像する、公知の方法が用いられる。
その後、図５（ｃ）に示すように、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、めっきレジスト２６から露出する金属薄膜２５の表面に、導体パターン４を、上記した信号配線部８とグランド配線部９とを備えるパターンとして、形成する。

なお、電解めっきにより、信号配線部８がベース絶縁層３の上に形成されると同時に、グランド配線部９が、まず、接続部１１が接続孔７内に充填されるように形成され、次いで、グランド層対向部１２が接続孔７を囲むベース絶縁層３の上に形成されるようにして、形成される。
次いで、図５（ｄ）に示すように、めっきレジスト２６を、例えば、エッチング（ウェットエッチング）または剥離によって除去した後、図６（ｅ）に示すように、そのめっきレジスト２６が形成されていた部分の金属薄膜２５を、例えば、エッチング（ウェットエッチング）によって除去する。

これによって、図２（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に導体パターン４が形成される。なお、図２においては、金属薄膜２５は省略されている。
そして、この方法では、図２（ｅ）に示すように、カバー絶縁層５を、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成する。
カバー絶縁層５を、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成するには、例えば、感光性ポリイミドを用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層５をパターンとして形成する場合には、まず、図６（ａ）に示すように、感光性ポリイミド前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の表面およびベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面に塗布し、乾燥して皮膜２７を形成する。次いで、図６（ｂ）に示すように、皮膜２７を、フォトマスク２８を介して露光する。フォトマスク２８は、光透過部２８ａおよび遮光部２８ｂがパターンとして形成されており、遮光部２８ｂが、例えば、皮膜２７の周縁部と、信号配線部８の端子開口部の形成部分と、グランド端子開口部１４の形成部分とに対向するように配置される。

その後、皮膜２７を、必要により露光後加熱した後、図６（ｃ）に示すように、アルカリ現像液などの現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などによって現像する。これによって、皮膜２７における遮光部２８ｂとの対向部分が溶解して、次いで、図６（ｄ）に示すように、２５０℃以上に加熱して硬化すれば、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように、ポリイミドからなるカバー絶縁層５が、信号配線部８の端子開口部およびグランド端子開口部１４が形成されるパターンで形成される。なお、図６では、カバー絶縁層５を、ネガ画像で形成したが、ポジ画像で形成することもできる。

なお、カバー絶縁層５の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め信号配線部８の端子開口部およびグランド端子開口部１４が穿孔された合成樹脂のフィルムを用意して、そのフィルムを、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に、接着剤層を介して貼着することもできる。
このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、グランド配線部９のグランド層対向部１２が、幅方向において間隔Ｓ１を隔てて隣接配置される各グランド層６の両方と、厚み方向（上下方向）において対向配置されている。そのため、導体パターン４を、信号配線部８およびグランド配線部９を高密度で配置する微細パターンとして形成することができる。しかも、グランド配線部９の接続部１１は、グランド層６と接続されるのではなく、金属支持基板２と直接（グランド層６を介する間接ではなく直接）接続されているので、グランド配線部９の接続部１１とグランド層６との接続部分（界面）での密着性の向上を図ることができ、グランド配線部９を確実にグランド接続することができる。

とりわけ、上記した製造方法において、導体パターン４をアディティブ法により形成すると、グランド配線部９の接続部１１と金属支持基板２との界面には、金属薄膜２５が介在される（図５（ｅ）参照）。
一方、導体パターン４をアディティブ法により形成する場合に、グランド配線部９の接続部１１をグランド層６に接続すると、グランド配線部９の接続部１１とグランド層６との界面に、金属薄膜２５が介在されることとなり、この金属薄膜２５の存在によって、グランド配線部９の接続部１１とグランド層６との界面の密着不良が顕著となる場合がある。

すなわち、グランド層６を銅から形成し、金属薄膜２５をクロム（下層）／銅（上層）の２層から形成し、導体パターン４（接続部１１）を銅から形成する場合には、グランド層６と金属薄膜２５との間で密着不良を生じて、その結果、グランド配線部９の接続部１１とグランド層６との界面の密着不良が顕著となる。
しかし、この回路付サスペンション基板１のように、グランド配線部９の接続部１１を金属支持基板２と直接接続すれば、たとえ、グランド配線部９の接続部１１と金属支持基板２との界面に、金属薄膜２５が介在しても、グランド配線部９の接続部１１と金属支持基板２との界面の密着性の向上を図ることができる。

すなわち、金属支持基板２をステンレスから形成し、金属薄膜２５をクロム（下層）／銅（上層）の２層から形成し、導体パターン４（接続部１１）を銅から形成する場合には、金属支持基板２と金属薄膜２５との間で密着性が向上し、その結果、グランド配線部９の接続部１１と金属支持基板２との界面の密着性の向上を図ることができる。
その結果、この回路付サスペンション基板１では、高密度化および高速化に対応しつつ、十分な信頼性をもって、ノイズの発生を低減することができる。

図７は、本発明の配線回路基板の他の実施形態を示す回路付サスペンション基板の要部断面図である。
図７に示すように、回路付サスペンション基板１では、さらに、金属支持基板２に、信号配線部８の信号配線１０と厚み方向（上下方向）において対向するように、開口部１５を形成することもできる。開口部１５を形成することにより、導体パターン４の特性インピーダンスを調整し、部分的にフレキシブル性を向上させることができる。

この開口部１５は、特に限定されないが、図７においては、例えば、金属支持基板２において、複数（２つ）の信号配線１０と厚み方向（上下方向）において対向する一方のグランド層６との対向部分を、厚み方向に貫通するように形成されている。また、開口部１５は、他方のグランド層６との対向部分にも、厚み方向に貫通するように形成されている。

また、図７に示す回路付サスペンション基板１では、グランド層６を開口部１５から被覆するように、絶縁保護層１６が設けられている。この絶縁保護層１６は、一方のグランド層６と他方のグランド層６とに対応して、それぞれ設けられている。
一方のグランド層６に対応する一方の絶縁保護層１６は、幅方向一端部から幅方向他端部に向かって、開口部１５を被覆するまで延び、幅方向一端部においては、金属支持基板２とベース絶縁層３との間に介在され、その幅方向内側においては、開口部１５を含む金属支持基板２とグランド層６との間に介在されている。また、一方の絶縁保護層１６の幅方向他端部は、一方のグランド層６の幅方向途中に配置されており、これによって、一方のグランド層６の幅方向他端部と金属支持基板２との接触が確保されている。

他方のグランド層６に対応する他方の絶縁保護層１６は、幅方向他端部から幅方向一端部に向かって、開口部１５を被覆するまで延び、幅方向他端部においては、金属支持基板２とベース絶縁層３との間に介在され、その幅方向内側においては、開口部１５を含む金属支持基板２とグランド層６との間に介在されている。また、他方の絶縁保護層１６の幅方向一端部は、他方のグランド層６の幅方向途中に配置されており、これによって、他方のグランド層６の幅方向一端部と金属支持基板２との接触が確保されている。

また、絶縁保護層１６を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。また、その厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜３μｍである。
このような絶縁保護層１６を形成することによって、ベース絶縁層３内に埋設されるグランド層６が開口部１５から露出することを防止することができ、グランド層６の腐食などを防止することができる。

図８は、図７に示す回路付サスペンション基板１の製造方法の一実施形態を示す製造工程図である。次に、図７を参照して、図７に示す回路付サスペンション基板１を製造する方法について説明する。
この方法では、まず、図８（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意し、次いで、図８（ｂ）に示すように、その金属支持基板２の上に、絶縁保護層１６を形成する。

金属支持基板２の上に絶縁保護層１６を形成するには、まず、金属支持基板２の全面に、感光性ポリイミド前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を塗布し、乾燥して皮膜した後、ベース絶縁層３の形成と同様に、露光および現像することにより、上記した絶縁保護層１６の形成位置において、ポリイミドからなる絶縁保護層１６をパターンとして形成する。

次いで、図８（ｃ）に示すように、絶縁保護層１６の幅方向外端部が露出するように、グランド層６を、上記と同様の方法により、絶縁保護層１６および金属支持基板２の上に形成する。これによって、絶縁保護層１６が、グランド層６によって、幅方向外端部が露出するように、部分的に被覆される。
その後、図８（ｄ）に示すように、上記と同様の方法により、ベース絶縁層３を、グランド層６を被覆するように、金属支持基板２および絶縁保護層１６の上に形成し、次いで、図８（ｅ）に示すように、上記と同様の方法により、ベース絶縁層３の上に、信号配線部８とグランド配線部９とを備えるパターンとして、導体パターン４を形成する。

次いで、図８（ｆ）に示すように、上記と同様の方法により、カバー絶縁層５を、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成した後、図８（ｇ）に示すように、金属支持基板２に開口部１５を形成して、回路付サスペンション基板１を得る。
金属支持基板２に開口部１５を形成するには、例えば、金属支持基板２における、開口部１５を形成する部分を除く部分に、エッチングレジストを形成した後、エッチングレジストから露出する金属支持基板２を、例えば、塩化第二鉄水溶液などのエッチング液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、化学エッチング（ウェットエッチング）し、その後、エッチングレジストを除去する。

このようにして得られる図７に示す回路付サスペンション基板１では、上記した図１に示す回路付サスペンション基板１の利点に加えて、開口部１５の形成により、導体パターン４の特性インピーダンスを調整し、部分的にフレキシブル性を向上させることができ、さらに、グランド層６を開口部１５から被覆するように、絶縁保護層１６が設けられているので、ベース絶縁層３内に埋設されるグランド層６が開口部１５から露出することを防止することができ、グランド層６の腐食などを防止することができる。

なお、上記した回路付サスペンション基板１では、グランド層６の表面および導体パターン４の表面に保護皮膜を設けることもできる。保護皮膜は、上記の製造方法において、グランド層６の形成後、または、導体パターン４の形成後に、それぞれ、例えば、無電解ニッケルめっきによって、ニッケル皮膜として形成することができる。
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、回路付サスペンション基板に限らず、例えば、補強層（金属支持基板に相当）を備えるフレキシブル配線回路基板（片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板および多層フレキシブル配線回路基板を含む。）なども含んでいる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らこれら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
金属支持基板として、厚み２５μｍのステンレス基板を用意して（図２（ａ）参照）、その金属支持基板の上に、金属薄膜として、厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とをスパッタリングによって順次形成した（図３（ａ）参照）。次いで、グランド層の反転パターンでめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成した（図３（ｂ）参照）。その後、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、グランド層として、厚み４．０μｍの銅箔を、硫酸銅水溶液を用いて電解銅めっきにより形成した（図３（ｃ）参照）。なお、この銅箔は、幅方向に間隔を隔てて２つ形成した。

次いで、めっきレジストを、水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離により除去した後（図３（ｄ）参照）、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜をエッチングにより除去し（図３（ｅ）参照）、グランド層の表面に、保護皮膜として、厚み０．１μｍのニッケル皮膜を無電解ニッケルめっきにより形成した。
次いで、グランド層を被覆するように、金属支持基板の上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布後、乾燥して皮膜を形成し（図４（ａ）参照）、その皮膜を露光（図４（ｂ）参照）および現像（図４（ｃ）参照）し、さらに加熱硬化することにより（図４（ｄ）参照）、接続孔が形成されるパターンとして、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図２（ｃ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の表面および接続孔から露出する金属支持基板の表面に、金属薄膜として、厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とをスパッタリングによって順次形成した（図５（ａ）参照）。次いで、導体パターンの反転パターンでめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成した（図５（ｂ）参照）。その後、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターンとして、厚み１０μｍの銅箔を、硫酸銅水溶液を用いて電解銅めっきにより形成した（図５（ｃ）参照）。

次いで、めっきレジストを、水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離により除去した後（図５（ｄ）参照）、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜をエッチングにより除去し（図５（ｅ）参照）、導体パターンの表面に、保護皮膜として、厚み０．１μｍのニッケル皮膜を無電解ニッケルめっきにより形成した。なお、この導体パターンは、上記した信号配線部とグランド配線部とを備えるパターンとして形成された。

その後、導体パターンを被覆するように、金属支持基板およびカバー絶縁層の上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布後、乾燥して皮膜を形成し（図６（ａ）参照）、その皮膜を露光（図６（ｂ）参照）および現像（図６（ｃ）参照）し、さらに加熱硬化することにより（図６（ｄ）参照）、信号配線部８の端子開口部、および、グランド端子開口部１４が形成されるパターンとして、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成し、これによって、回路付サスペンション基板を得た（図２（ｅ）参照）。

実施例２
金属支持基板として、厚み２５μｍのステンレス基板を用意して（図８（ａ）参照）、その金属支持基板の上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布後、乾燥して皮膜を形成し、その皮膜を露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、上記した絶縁保護層の形成位置において、厚み２μｍのポリイミドからなる絶縁保護層をパターンとして形成した（図８（ｂ）参照）。

次いで、各絶縁保護層の幅方向外端部が露出するように、厚み４．０μｍの銅箔からなるグランド層を、実施例１と同様の方法により、絶縁保護層および金属支持基板の上に形成した（図８（ｃ）参照）。
その後、実施例１と同様の方法により、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を、グランド層を被覆するように、金属支持基板および絶縁保護層の上に形成し（図８（ｄ）参照）、次いで、実施例１と同様の方法により、ベース絶縁層の上に、信号配線部とグランド配線部とを備えるパターンとして、厚み１０μｍの銅箔からなる導体パターンを形成した（図８（ｅ）参照）。

次いで、実施例１と同様の方法により、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に形成した後（図８（ｆ）参照）、金属支持基板を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングすることにより、開口部を形成して、回路付サスペンション基板を得た（図８（ｇ）参照）。

本発明の配線回路基板の一実施形態を示す回路付サスペンション基板の要部断面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、グランド層を形成する工程、（ｃ）は、グランド層を被覆するように、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｅ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を形成する工程を示す。 図２（ｂ）に示す金属支持基板の上にグランド層を形成する工程の詳細であって、（ａ）は、金属支持基板の表面全面に、金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、めっきレジストを、金属薄膜の上に、グランド層の反転パターンで形成する工程、（ｃ）は、電解めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、グランド層を形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を除去する工程を示す。 図２（ｃ）に示すグランド層を被覆するように金属支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程の詳細であって、（ａ）は、感光性ポリイミド前駆体のワニスを、グランド層を被覆するように、金属支持基板の全面に塗布し、乾燥して皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を、硬化する工程を示す。 図２（ｄ）に示すベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程の詳細であって、（ａ）は、ベース絶縁層の表面およびベース絶縁層から露出する金属支持基板の表面に、金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、めっきレジストを、金属薄膜の上に、導体パターンの反転パターンで形成する工程、（ｃ）は、電解めっきにより、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を除去する工程を示す。 図２（ｂ）に示す導体パターンを被覆するようにベース絶縁層の上にカバー絶縁層を形成する工程の詳細であって、（ａ）は、感光性ポリイミド前駆体のワニスを、ベース絶縁層の表面およびベース絶縁層から露出する金属支持基板の表面に塗布し、乾燥して皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を、硬化する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態を示す回路付サスペンション基板の要部断面図である。 図７に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、絶縁保護層を形成する工程、（ｃ）は、金属支持基板の上に、絶縁保護層を部分的に被覆するように、グランド層を形成する工程、（ｄ）は、グランド層を被覆するように、金属支持基板および絶縁保護層の上に，ベース絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｆ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、金属支持基板に開口部を形成する工程を示す。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
５ カバー絶縁層
６ グランド層
８ 信号配線部
９ グランド配線部
１１ 接続部
１２ グランド層対向部
１４ グランド端子開口部
１５ 絶縁保護層
２５ 金属薄膜

Claims (5)

1. 金属支持基板と、
   前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、
   前記ベース絶縁層の上に形成され、電気信号を伝送する信号配線部およびグランド接続のためのグランド配線部を含む導体パターンと、
   前記導体パターンを被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層と、
   前記信号配線部の少なくとも一部と厚み方向において対向し、少なくとも一部が前記金属支持基板に接続されるように、前記ベース絶縁層内に埋設されるグランド層とを備え、
   前記グランド配線部は、前記グランド層の少なくとも一部と厚み方向において対向するグランド層対向部と、前記金属支持基板と接続される接続部とを含んでいることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記グランド層が、前記信号配線部が延びる方向に対して直交する方向において、間隔を隔てて設けられており、
   前記グランド層対向部が、前記間隔を隔てて配置される各前記グランド層の少なくともいずれか一方と厚み方向において対向するように配置され、
   前記接続部が、前記間隔を隔てて配置される各前記グランド層の間に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記グランド配線部と前記金属支持基板との間には、前記導体パターンをアディティブ法により形成するための金属薄膜が介在されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 前記金属支持基板には、前記信号配線部の少なくとも一部と厚み方向において対向する開口部が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
5. 前記ベース絶縁層内に埋設される前記グランド層が前記開口部から露出することを防止するために、前記グランド層を前記開口部から被覆する絶縁保護層を備えていることを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板。

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