JP2007158285A - Ｉｉｉ族窒化物基反射器を製造する方法 - Google Patents

Ｉｉｉ族窒化物基反射器を製造する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007158285A
JP2007158285A JP2006001364A JP2006001364A JP2007158285A JP 2007158285 A JP2007158285 A JP 2007158285A JP 2006001364 A JP2006001364 A JP 2006001364A JP 2006001364 A JP2006001364 A JP 2006001364A JP 2007158285 A JP2007158285 A JP 2007158285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gan
aln
distributed bragg
layer
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006001364A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4511473B2 (ja
Inventor
Gensheng Huang
黄根生
Hsin-Hung Yao
姚忻宏
Hao-Chung Kuo
郭浩中
Shing-Chung Wang
王興宗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Yang Ming Chiao Tung University NYCU
Original Assignee
National Yang Ming Chiao Tung University NYCU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Yang Ming Chiao Tung University NYCU filed Critical National Yang Ming Chiao Tung University NYCU
Publication of JP2007158285A publication Critical patent/JP2007158285A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4511473B2 publication Critical patent/JP4511473B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H10F77/337—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2921—Materials being crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3214—Materials thereof being Group IIIA-VA semiconductors
    • H10P14/3216—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3242—Structure
    • H10P14/3244—Layer structure
    • H10P14/3251—Layer structure consisting of three or more layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3242—Structure
    • H10P14/3244—Layer structure
    • H10P14/3251—Layer structure consisting of three or more layers
    • H10P14/3252—Alternating layers, e.g. superlattice
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3416—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors
    • H10H20/8142—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors forming resonant cavity structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】クラックがなく高い反射率と広いストップバンドを有するＤＢＲの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にバッファ層を成長させる工程と、バッファ層上にＧａＮとＡｌＮ反射器膜を成長させる工程と、ＧａＮ層上に一対のＧａＮとＡｌＮ反射器膜を成長させる工程と、一対以上の超格子層を成長させる工程を備えるIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法において、超格子層の各対は、ＧａＮとＡｌＮの２つ以上の層から構成される１組の超格子とＧａＮ層を具備している。
【選択図】図１

Description

本発明は、クラックがなく高い反射率と広いストップバンドを有するIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法に関する。特に、クラックを含まない高反射率かつ広ストップバンドを有するIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法に関する。III族窒化物基分布ブラッグ反射器は、垂直空洞面発光レーザー、微小空洞発光ダイオード、共振空洞発光ダイオードおよび光検出器等の光学素子に広範囲に適用される。
近年、例えば１５５０ｎｍ、１３１０ｎｍ、８５０ｎｍ、６７０ｎｍ等において様々なレーザー波長を発生する能力、優れた光電特性、および様々な種類の材料が利用可能であるために、垂直空洞面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）が普及してきている。
様々な材料により構成されるＶＣＳＥＬに関しては、優れた光電特性のために、分布ブラッグ反射器付きの垂直空洞面発光レーザー、微小空洞発光ダイオード（ＭＣＬＥＤ）、および共振空洞発光ダイオード（ＲＣＬＥＤ）が、フルカラー表示、フォトリソグラフィ、超高密度光メモリ、および高輝度白色光源に広く応用されている。例えば、III族窒化物基ＶＣＳＥＬ（III−Ｎ−ＶＣＳＥＬ）は、端面発光型レーザーを凌いで、円形のビーム形、垂直方向の発光、低閾値電流、単一縦モード、および二次元配列の形成を含む多くの優位な特性を有する。III族窒化物基共振空洞発光ダイオード（III−Ｎ−ＲＣＬＥＤ）は、プラスチック光ファイバーに広く応用されている。また、ＧａＮ／Ａｌ（Ｇａ）Ｎ、ＡｌＮ／Ｇａ（Ａｌ）Ｎ多層膜は、底面側の高反射率ミラーとして用いられている。
一般に、ＶＣＳＥＬは、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）あるいは水素化物気相エピタキシー法（ＨＶＰＥ）、またはホットウォールエピタキシー法（ＨＷＥ）により層を析出させることにより、例えば絶縁サファイヤ単結晶、種々の酸化物結晶、炭化珪素単結晶、およびIII‐Ｖ族化合物半導体単結晶などの基板上に成長する。
典型的なＶＣＳＥＬは、半導体であるｎ型、ｐ型、および活性層、さらに分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、電流制限構造、基板、および接続端子から構成される。活性層は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ<１、０≦ｙ<１、ｘ＋ｙ<１）の式を有するＧａＮ基化合物から一般に構成される。通常、ＶＣＳＥＬの場合、ＧａＮ等の大きなバンドギャップ材料により挟まれたＩｎＧａＮを、特別な組成かつ発光波長で用いる。それらは、２つの異質構造、または単一量子井戸構造、または多量子井戸効果を有する。しかし、多量子井戸の活性層を有するＧａＮ基発光素子は、高駆動電圧で所望の出力パワーを達成するのが難しい。
ＶＣＳＥＬに起因するこれらの問題を解決するために、多くの提案がなされている。例えば、下記非特許文献１では、反射器を成長させる前に一組のＧａＮ／ＧａＡｌＮ超格子を成長させて、ひずみを解放しクラックのないＧａＮ／ＧａＡｌＮ反射器を得ていた。ＧａＡｌＮ材料とＧａＮ材料では屈折率の差が小さいため、狭いストップバンドで高反射率を達成するために多数の反射器の対が必要である。しかし、ＧａＮ基材料はサファイヤ上に成長する。ＧａＮとサファイヤとの間には大きな格子の不整合があるので、ＧａＮエピ層中には多数の転位や欠陥がある。それらはエピ層の品質に影響を及ぼし、光損失を引起して反射率を低下させる。例えば、下記非特許文献１において、３０層を超える反射器を直接成長させることは大変困難である。
さらに、下記非特許文献２では、高い反射率で広いストップバンドを有するＡｌＮ／ＧａＮ分布ブラッグ反射器をＭＢＥにより成長させた。この工程は反射器の対の数を約２０〜２５に効果的に減らしているが、ＡｌＮとＧａＮとの間の格子不整合に起因して表面にクラックが存在するために、高品質な反射器を得ることが難しい。
上述のように、分布ブラッグ反射器は、高品質、高反射率、および広ストップバンドという素子の要件に達していない。垂直空洞面発光レーザーを実現する観点から、クラックの発生を抑えて高い反射率および広いストップバンドを有する分布ブラッグ反射器を達成するという提案を行う。
Ｎａｋａｄａ、Ｈ.Ｉｓｈｉｋａｗａ、Ｔ．Ｅｇａｗａ、Ｔ．Ｊｉｍｂｏ，「サファイヤ上のＧａＮ／ＡｌＧａＮ分布ブラッグ反射器有機金属化学気相成長法を用いて成長させたＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子によるサファイヤ上のＧａＮ／ＡｌＧａＮ分布ブラッグ反射器中におけるクラック発生の抑制」Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｐｔ．２ ４２（２００３）Ｌ１４４ Ｈ．Ｍ．Ｎｇ、Ｔ．Ｄ．Ｍｏｕｓｔａｋａｓ、Ｓ．Ｎ．Ｇ．Ｃｈｕ，「分子線エピタキシー法で成長させた高反射率ブロードバンド幅ＡｌＮ／ＧａＮ分布ブラッグ反射器」Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７６（２０００）２８１８
上記のようなＤＢＲに存在する問題点を解決するために、本発明は、クラックがなく高い反射率と広いストップバンドを有するＤＢＲの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の発明者らは、垂直空洞面発光レーザー用のＤＢＲについて鋭意研究を行い、上記問題点を解決する本発明に至った。
本発明は、以下のような目的を持つ。
（１）基板上に成長するバッファ層と、
（２）バッファ層上に成長する厚いＧａＮ層と、
（３）厚いＧａＮ層上に成長する一対以上の１／４波長ＧａＮとＡｌＮ反射器膜と、
（４）一対以上のＡｌＮ／ＧａＮ超格子層（１／４波長）、および１／４波長ＧａＮ層と、
を備えるIII族窒化物基分布ブラッグ反射器の製造方法。
請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造に関して、ＧａＮ等の基板と同じ格子定数であること以外は、全て異なる格子定数の材料から少なくとも１つの基板が選択される。例えば、基板はサファイヤ、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、およびシリコン基板のうちの１つである。
バッファ層は１００〜１０００℃の成長温度で成長する請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造方法。
厚いＧａＮ層は、成長圧力が５０〜５００Ｔｏｒｒおよび回転速度が９００ｒｐｍで成長する請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造方法。
キャリヤーガスである窒素（Ｎ２）の流量が１０〜６０００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ２）の流量が０〜２００ｓｃｃｍ、成長圧力が１〜３００Ｔｏｒｒ、ＮＨ３の流量が１００〜１５００ｓｃｃｍ、ＴＭＧaの流量が１〜２０ｓｃｃｍ、ＴＭＡｌの流量が１０〜２００ｓｃｃｍ、および温度が３００〜１５００℃において反射器膜が成長する請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造方法。
超格子層はＤＢＲの成長と同じ条件で成長するが、成長時間は反射器膜よりも短い請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造方法。
有機金属化学気相エピタキシー法、水素化物気相エピタキシー法、分子線エピタキシー法、またはホットウォールエピタキシー法により、全てのエピ層が成長する請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造方法。
バッファ層の厚さは、１〜１００ｎｍの範囲内にある請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造方法。
厚いＧａＮ層の厚さは、１０ｎｍ〜１００μｍの範囲内である請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造方法。
反射器膜の各層の光学的厚さは１／４（１±２０％）波長であり、ＡｌＮ／ＧａＮ層対の合計厚さは１／２波長である請求項１に記載のIII族窒化物基ＤＢＲの製造方法。
バッファ層、ＧａＮ層、一対以上のＧａＮ／ＡｌＮ反射器膜、および一対以上の超格子層をこの順に基板上に成長させて、超格子層の各対は（光学的厚さが１／４波長である）一組のＡｌＮ／ＧａＮ超格子と１／４波長ＧａＮ層から成る第１〜１０項のいずれかに記載の方法により製造されるＤＢＲ。
一対以上のＡｌＮ／ＧａＮ超格子から成る請求項１１に記載の分布ブラッグ反射器。
超格子の両側は薄いＡｌＮ層である請求項１１に記載の分布ブラッグ反射器。
一対以上のＧａＮとＡｌＮ反射器膜から成る請求項１１に記載の分布ブラッグ反射器。
以下、添付の図面及び実際の実施例を参照して本発明を詳細に例示し説明する。但し、例示した図面及び実際の実施例は、本発明の最良の実施例およびその実践的な応用として有用なものであり、また当該分野の技術者が本発明の範囲を限定するのではなく、その概念と有効性をより良く理解する手助けとしても有用である。さらに、本発明および添付の特許請求の範囲が、本発明の精神と範囲内において本発明の目的とするその他の変形および変更に及ぶことを、当該分野の技術者は認識するであろう。
図１は、２０対のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器の概略的な構造を示す。図１に示すように、本分布ブラッグ反射器は、少なくとも基板、バッファ層、厚いＧａＮ層、一対以上の反射器膜、および１組以上の超格子を備える。本分布ブラッグ反射器は、有機金属化学気相エピタキシー法、水素化物気相エピタキシー法、分子線エピタキシー法、またはホットウォールエピタキシー法により成長させる。比較として、成長パラメータを変えずに、別の２０対のＡｌＮ／ＧａＮのＤＢＲをＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入しない状態で成長させた。
また、このIII族窒化物基分布ブラッグ反射器は、サファイヤ基板上に成長させたＧａＮバッファ層とＧａＮバッファ層上に成長させた厚さ２〜３μｍのＧａＮ層を備える。１対以上のＡｌＮ／ＧａＮ反射器膜がＧａＮ層上に成長した。ＤＢＲ対の数は、観測可能なクラックがないことにより制限される。このときはＤＢＲ対の数が５を超えるとクラックが観測された。１組のＧａＡｌＮ（ＡｌＮ）／ＧａＮ超格子と１／４波長ＧａＮ層とから成る１対以上の超格子層を成長させた。超格子の両側は、薄いＧａＡｌＮ（ＡｌＮ）層である。１組の超格子の厚さは１／４波長である。また、この組の超格子は、ＤＢＲ構造中のひずみ解放層である。その後、１対以上のＡｌＮ／ＧａＮ反射器膜を成長させる。必要に応じて、これらの工程を繰り返して所定反射率のＤＢＲを得る。
さらに、このIII族窒化物基分布ブラッグ反射器において、ＧａＮバッファ層と厚さ２〜３μｍのＧａＮ層は、本発明に影響を与えることなく、すべてのIII族窒化物エピ層により置き換えてもよい。例えば、これらのIII族窒化物エピ層はＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、およびＧａＮのいずれかから選択される。
本方法において分布ブラッグ反射器に用いる基板は、特別な制限なしに、ＧａＮ材料と異なる格子定数を有するすべての材料の少なくとも１つから選択してよい。例えば、基板は、サファイヤ、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン基板のうちの１つである。サファイヤが好適である。
さらに、本発明においてバッファ層の成長温度は、通常１００〜１０００℃の範囲内にあり、５００℃が好適である。さらに、バッファ層の厚さは、その後のエピ層の品質に影響を与えない限り特に制限がないが、通常、バッファ層の厚さは１〜１００ｎｍの範囲内であり、好適には５〜８０ｎｍであり、さらに好適には１５〜５０ｎｍである。ＧａＮ層の厚さは、通常１〜３μｍの範囲内である。
次に、分布ブラッグ反射器の本製造によれば、特別な制限なしに、すべての従来技術の方法、例えば、有機金属化学気相エピタキシー法、水素化物気相エピタキシー法、分子線エピタキシー法、またはホットウォールエピタキシー法により、ＧａＮ層を成長させることが可能である。また、通常ＧａＮ層は、成長圧力が５０〜５００Ｔｏｒｒで回転速度が１０００ｒｐｍより低速で成長し、好適には圧力が１〜３００Ｔｏｒｒで回転速度が約９００ｒｐｍである。ＧａＮ層の厚さは、その後のエピ層の品質に影響を与えない限り特に制限がないが、通常、ＧａＮ層の厚さは０．５〜１０μｍの範囲内であり、好適には３μｍである。
分布ブラッグ反射器の本製造によれば、特別な制限なしに、すべての従来技術の方法、例えば、有機金属化学気相エピタキシー法、水素化物気相エピタキシー法、分子線エピタキシー法、またはホットウォールエピタキシー法により、反射器膜を成長させることが可能である。また、キャリヤーガスである窒素（Ｎ２）の流量が１０〜６０００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ２）の流量が０〜５００ｓｃｃｍ、成長圧力が１〜３００Ｔｏｒｒ、および成長温度が７００〜１５００℃において、反射器膜は通常成長し、好適には、キャリヤーガスである窒素（Ｎ２）の流量が５０〜５５００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ２）の流量が０〜３００ｓｃｃｍ、成長圧力が１０〜２５０Ｔｏｒｒ、および成長温度が８００〜１３００℃、さらに好適には、キャリヤーガスである窒素（Ｎ２）の流量が１００〜５０００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ２）の流量が０〜２００ｓｃｃｍ、成長圧力が５０〜２２０Ｔｏｒｒ、および成長温度が９００〜１１００℃である。さらに、反射器膜の厚さは、本発明の効果が損なわれない限り特に制限がないが、ＧａＮまたはＡｌＮのいずれかの厚さは、通常１／４（１±２０％）波長である（（１±２０％）は、厚さのばらつきが０〜２０％の範囲で増加または減少することが許容されることを意味する）。また、ＡｌＮ／ＧａＮ層対の合計厚さは１／２波長である。好適には、クラックの発生を抑制するために、ＧａＮの厚さは規準の１／４波長より５％大きく、ＡｌＮの厚さは規準の１／４波長より５％少ない。
このように、クラックのない分布ブラッグ反射器が本発明により達成される。
本発明の実施例を以下に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
実施例１：ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入する分布ブラッグ反射器の作製
本方法を示す図１を参照すると、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入する分布ブラッグ反射器を、有機金属化学気相エピタキシー法により成長させる。
最初に、エピ対応のサファイヤ基板をＭＯＣＶＤ反応室内に置く。基板表面の不純物を５分間高温（１１００℃）水素雰囲気において除去し、その後成長温度を５００℃に下げて厚さ３０ｎｍのバッファ層を成長させた。次に、成長圧力が２００Ｔｏｒｒで回転速度が９００ｒｐｍにおいて、厚さ３μｍのＧａＮ層をバッファ層の上に成長させた。
これにより、水素を伴う窒素環境中においてＤＢＲ構造が成長した。キャリヤーガス流量（Ｈ２／Ｎ２）が４２００／１００ｓｃｃｍ、成長圧力が１００Ｔｏｒｒ、および成長温度が１１００℃であった。各層が確実に１／４波長の厚さとなるように、膜測定器により測定した成長速度に応じて成長時間を制御した。好適には、クラック発生を抑えることを容易にするために、ＧａＮの厚さは規準の１／４波長より５％大きく、ＡｌＮの厚さは規準の１／４波長より５％少なくした。
反射器膜の成長条件を上の表１に示した。ＮＨ３流量が０〜７０００ｓｃｃｍ、ＴＭＧａ流量が１２ｓｃｃｍ（ソースの温度は−５℃）、およびＴＭＡｌ流量が８０ｓｃｃｍソースの温度は１０℃）であった。流量はソース温度に依存した。合計で５対のＡｌＮ／ＧａＮ反射器膜を成長させた。さらに、１対の超格子層を成長させた。成長条件は、反射器膜と同じであった。超格子層の各対は、１組の超格子（厚さは１／４波長）と１／４波長のＧａＮ層とから構成された。成長条件は、上記に示したものと同じであった。超格子の各組は５．５層のＡｌＮとＧａＮから構成され、ＧａＮ／ＡｌＮ超格子挿入層はもう１つのＡｌＮ層により終了してＡｌＮ層からＧａＮ層に変化する界面を区別した。超格子挿入時の各層の厚さは、成長時間により約３〜５ｎｍに制御された。
その後に、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子が挿入された状態で得られた分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）サンプルを、光学顕微鏡とＡＦＭにより観察してクラックの存在を確認した。ＡｌＮ／ＧａＮ超格子が挿入された状態におけるＤＢＲ中の個々の層の厚さは、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のより詳細に調べた。反射特性は、室温での垂直入射により、ｎ&ｋ可視紫外分光計を用いて評価した。
図２（ｂ）はＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入したＤＢＲの倍率５０倍の光学顕微鏡像を示す。ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入したＤＢＲサンプルの表面では、クラックが観察されなかった。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定したＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入したＤＢＲサンプルの表面を図３に示す。スペクトル線の輪郭にクラックは観測されない。図４（ａ）と図４（ｂ）は、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入したＤＢＲサンプルのＴＥＭ断面像を示す。明るい層はＡｌＮ層を表し、暗い層はＧａＮ層を表す。図４（ａ）において、ＴＥＭ像にクラックがない。図５の実線はＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入したＤＢＲサンプルの反射率スペクトルを表し、点線はＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入しないＤＢＲサンプルを表す。ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入したＤＢＲサンプルは、３９９ｎｍの中心波長において９７％のピーク反射率を持ち、ストップバンドの幅は１４ｎｍまでであることがわかる。一方、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入しないＤＢＲサンプルのピークの反射率は９２％であった。主にクラックの存在により反射率が減少する。
比較例１:
ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入しない実際の別のサンプルを同じ成長パラメータで成長させた。その結果、図２（ａ）に示すような２０対のＡｌＮ／ＧａＮ超格子が挿入されないＤＢＲサンプルの表面においてクラックが観測された。その反射率スペクトルを図５中の点線で示す。
実施例と比較例との結果の比較から、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入した本実施例の表面にはクラックがないが、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子が挿入されない比較例の表面にはクラックがあることがわかる。
さらに、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子の挿入により、表面での反射率が向上する。例えば、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入したＤＢＲの反射率は９７％であり、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子が挿入されない比較例の反射率（わずか９２％）よりもはるかに高い。
本発明によれば、有機金属化学気相エピタキシー法によりＡｌＧａＮ／ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ／ＧａＮ、およびＡｌＮ／ＧａＮ層をＡｌＮ／ＧａＮ反射器中に挿入して、反射器表面でクラックが観察されないようにひずみを抑制することが可能であり、表面粗さは２．５ｎｍにまで減少する。３９９ｎｍの中心波長でのピーク反射率は９２％から９７％に増加する。
従って、本発明は、従来技術で使用される分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）において存在する課題を解決し、さらに本発明は、垂直空洞面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）用ＤＢＲの製造方法を提供する。この技術は、高反射で広ストップバンド幅のIII族窒化物基ＤＢＲが必要なIII族窒化物基ＶＣＳＥＬの製造に適用され得る。
図１は、３つのＡｌＮ／ＧａＮ超格子挿入対を有する２０対のＡｌＮ／ＧａＮの概略的なＤＢＲ構造を示す。 図２（ａ）はＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入しない分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）サンプルの倍率５０倍の平面視光学顕微鏡像を示し、図２（ｂ）はＡｌＮ／ＧａＮ超格子を有する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）の倍率５０倍の平面視光学顕微鏡像を示す。 図３は、ＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入した分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）サンプルのＡＦＭ像を示す。スペクトル線の輪郭にクラックは観測されないが、表面は粗い。 図４（ａ）はＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入した分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）サンプルのＴＥＭ断面像を示し、図４（ｂ）は１組の超格子の拡大断面像を示す。 図５は反射率スペクトルを示し、実線はＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入した分布ブラッグ反射器サンプルを表し、点線はＡｌＮ／ＧａＮ超格子を挿入しない分布ブラッグ反射器サンプルを表す。

Claims (14)

  1. （１）基板上にバッファ層を成長させる工程、
    （２）前記バッファ層上にＧａＮ層を成長させる工程、
    （３）前記ＧａＮ層上に一対以上のＧａＮとＡｌＮ反射器膜を成長させる工程、
    （４）一対以上の超格子層を成長させる工程、
    を備えるIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法において、超格子層の各対は、ＧａＮとＡｌＮの２つ以上の層から構成される１組の超格子とＧａＮ層からなることを特徴とするIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  2. 前記基板は、サファイヤ、炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン基板から選択される少なくとも１つ、またはそれらの組み合わせからなることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  3. 前記バッファ層は１００〜１０００℃の温度で成長することを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  4. 前記ＧａＮ層は、圧力が５０〜５００Tｏｒｒおよび回転速度が９００ｒｐｍで成長することを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  5. 前記反射器膜は、キャリヤーガスである窒素（Ｎ２）の流量が１０〜６０００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ２）の流量が０〜２００ｓｃｃｍ、圧力が１〜３００Ｔｏｒｒ、および温度が３００〜１５００℃において成長することを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  6. 前記超格子層は、ＮＨ３フラックスが１００〜１５００ｓｃｃｍ、ＴＭＧａフラックスが１〜２０ｓｃｃｍ、およびＴＭＡｌフラックスが１０〜２００ｓｃｃｍの条件で成長することを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  7. 前記ＧａＮ層は、有機金属化学気相エピタキシー法、水素化物気相エピタキシー法、分子線エピタキシー法、またはホットウォールエピタキシー法により成長することを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  8. 前記バッファ層の厚さは、１〜１００ｎｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  9. 前記ＧａＮ層の厚さは、１０〜１００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  10. 前記反射器膜の各層の光学的厚さは１／４（１±２０％）波長であり、ＡｌＮ／ＧａＮ層対の合計厚さは１／２波長であることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物基分布ブラッグ反射器を製造する方法。
  11. バッファ層、ＧａＮ層、一対以上のＧａＮ／ＡｌＮにより構成される反射器膜、および一対以上の超格子層をこの順に基板上に成長させ、超格子層の各対は、ＧａＮ層を挿入した２層以上のＧａＮ／ＡｌＮにより構成される一組の超格子から成り、一組の超格子の厚さは１／４波長である請求項１〜１０のいずれかに記載の方法により製造されることを特徴とする分布ブラッグ反射器。
  12. 一対以上の超格子層から成ることを特徴とする請求項１１に記載の分布ブラッグ反射器。
  13. 前記超格子の両側は薄いＡｌＮ層であることを特徴とする請求項１１に記載の分布ブラッグ反射器。
  14. ＧａＮとＡｌＮにより構成される一対以上の反射器膜から成ることを特徴とする請求項１１に記載の分布ブラッグ反射器。
JP2006001364A 2005-12-05 2006-01-06 Ｉｉｉ族窒化物基反射器を製造する方法 Expired - Fee Related JP4511473B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094142756A TW200723624A (en) 2005-12-05 2005-12-05 Process of producing group III nitride based reflectors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007158285A true JP2007158285A (ja) 2007-06-21
JP4511473B2 JP4511473B2 (ja) 2010-07-28

Family

ID=38119281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006001364A Expired - Fee Related JP4511473B2 (ja) 2005-12-05 2006-01-06 Ｉｉｉ族窒化物基反射器を製造する方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070128743A1 (ja)
JP (1) JP4511473B2 (ja)
TW (1) TW200723624A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024523148A (ja) * 2021-07-07 2024-06-28 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー 面発光半導体レーザおよび面発光半導体レーザを製造する方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7928471B2 (en) * 2006-12-04 2011-04-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Group III-nitride growth on silicon or silicon germanium substrates and method and devices therefor
US7795642B2 (en) * 2007-09-14 2010-09-14 Transphorm, Inc. III-nitride devices with recessed gates
US20090072269A1 (en) * 2007-09-17 2009-03-19 Chang Soo Suh Gallium nitride diodes and integrated components
US7915643B2 (en) 2007-09-17 2011-03-29 Transphorm Inc. Enhancement mode gallium nitride power devices
US8519438B2 (en) 2008-04-23 2013-08-27 Transphorm Inc. Enhancement mode III-N HEMTs
US8289065B2 (en) 2008-09-23 2012-10-16 Transphorm Inc. Inductive load power switching circuits
US7898004B2 (en) 2008-12-10 2011-03-01 Transphorm Inc. Semiconductor heterostructure diodes
US8742459B2 (en) 2009-05-14 2014-06-03 Transphorm Inc. High voltage III-nitride semiconductor devices
US8390000B2 (en) 2009-08-28 2013-03-05 Transphorm Inc. Semiconductor devices with field plates
US8389977B2 (en) 2009-12-10 2013-03-05 Transphorm Inc. Reverse side engineered III-nitride devices
WO2011102044A1 (ja) * 2010-02-16 2011-08-25 日本碍子株式会社 エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法
US20110244663A1 (en) * 2010-04-01 2011-10-06 Applied Materials, Inc. Forming a compound-nitride structure that includes a nucleation layer
US8742460B2 (en) 2010-12-15 2014-06-03 Transphorm Inc. Transistors with isolation regions
US8643062B2 (en) 2011-02-02 2014-02-04 Transphorm Inc. III-N device structures and methods
US8772842B2 (en) 2011-03-04 2014-07-08 Transphorm, Inc. Semiconductor diodes with low reverse bias currents
US8716141B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Transphorm Inc. Electrode configurations for semiconductor devices
US8901604B2 (en) 2011-09-06 2014-12-02 Transphorm Inc. Semiconductor devices with guard rings
US9257547B2 (en) 2011-09-13 2016-02-09 Transphorm Inc. III-N device structures having a non-insulating substrate
US8598937B2 (en) 2011-10-07 2013-12-03 Transphorm Inc. High power semiconductor electronic components with increased reliability
US9165766B2 (en) 2012-02-03 2015-10-20 Transphorm Inc. Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates
JP5728411B2 (ja) * 2012-02-21 2015-06-03 富士フイルム株式会社 半導体発光素子
WO2013155108A1 (en) 2012-04-09 2013-10-17 Transphorm Inc. N-polar iii-nitride transistors
US9184275B2 (en) 2012-06-27 2015-11-10 Transphorm Inc. Semiconductor devices with integrated hole collectors
JP6522521B2 (ja) 2013-02-15 2019-05-29 トランスフォーム インコーポレーテッド 半導体デバイスの電極及びその製造方法
US9087718B2 (en) 2013-03-13 2015-07-21 Transphorm Inc. Enhancement-mode III-nitride devices
US9245992B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Transphorm Inc. Carbon doping semiconductor devices
CN104134722A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
US9190270B2 (en) * 2013-06-04 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same
US9443938B2 (en) 2013-07-19 2016-09-13 Transphorm Inc. III-nitride transistor including a p-type depleting layer
US9318593B2 (en) 2014-07-21 2016-04-19 Transphorm Inc. Forming enhancement mode III-nitride devices
US9536967B2 (en) 2014-12-16 2017-01-03 Transphorm Inc. Recessed ohmic contacts in a III-N device
US9536966B2 (en) 2014-12-16 2017-01-03 Transphorm Inc. Gate structures for III-N devices
US11448824B2 (en) * 2015-03-20 2022-09-20 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Devices with semiconductor hyperbolic metamaterials
US11322599B2 (en) 2016-01-15 2022-05-03 Transphorm Technology, Inc. Enhancement mode III-nitride devices having an Al1-xSixO gate insulator
US10224401B2 (en) 2016-05-31 2019-03-05 Transphorm Inc. III-nitride devices including a graded depleting layer
CN108428763B (zh) * 2018-04-18 2024-06-04 厦门大学 一种应力调控紫外多波长msm光电探测器及其制备方法
CN113922208A (zh) * 2021-08-20 2022-01-11 华灿光电（浙江）有限公司 GaN基蓝紫光垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003063896A (ja) * 2001-08-23 2003-03-05 Ricoh Co Ltd 半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システム
JP2005056922A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Rohm Co Ltd 半導体発光素子

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6389051B1 (en) * 1999-04-09 2002-05-14 Xerox Corporation Structure and method for asymmetric waveguide nitride laser diode
US6822272B2 (en) * 2001-07-09 2004-11-23 Nichia Corporation Multilayered reflective membrane and gallium nitride-based light emitting element
US6967355B2 (en) * 2003-10-22 2005-11-22 University Of Florida Research Foundation, Inc. Group III-nitride on Si using epitaxial BP buffer layer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003063896A (ja) * 2001-08-23 2003-03-05 Ricoh Co Ltd 半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システム
JP2005056922A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Rohm Co Ltd 半導体発光素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024523148A (ja) * 2021-07-07 2024-06-28 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー 面発光半導体レーザおよび面発光半導体レーザを製造する方法
JP7598492B2 (ja) 2021-07-07 2024-12-11 エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー 面発光半導体レーザおよび面発光半導体レーザを製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4511473B2 (ja) 2010-07-28
US20070128743A1 (en) 2007-06-07
TWI299929B (ja) 2008-08-11
TW200723624A (en) 2007-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4511473B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物基反射器を製造する方法
CN101689586B (zh) 氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法
US8563995B2 (en) Ultraviolet light emitting diode/laser diode with nested superlattice
JP3876649B2 (ja) 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
US10411438B2 (en) Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element
JP4948720B2 (ja) 窒素化合物半導体積層物、発光素子、光ピックアップシステム、および窒素化合物半導体積層物の製造方法。
JP2023510979A (ja) 半導体構造及び製造方法
US20110220867A1 (en) Superlattice free ultraviolet emitter
JP2000232238A (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US8143154B2 (en) Relaxed InGaN/AlGaN templates
JP2008117922A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
US10770621B2 (en) Semiconductor wafer
EP3336908B1 (en) Semiconductor multilayer film mirror, vertical cavity type light-emitting element using the mirror, and methods for manufacturing the mirror and the element
JP5401145B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物積層体の製造方法
WO2020230669A1 (ja) 半導体多層膜反射鏡を用いた垂直共振器型発光素子及びその製造方法
JP6932345B2 (ja) 半導体多層膜反射鏡及び垂直共振器型発光素子
JP6242238B2 (ja) 窒化物半導体多元混晶の製造方法
WO2024155335A2 (en) Ultraviolet laser diode on a nano-porous aluminum gallium nitride template
WO2023034608A1 (en) Iii-nitride-based devices grown on or above a strain compliant template
JP2001308464A (ja) 窒化物半導体素子、窒化物半導体結晶の作製方法および窒化物半導体基板
KR100773559B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
JP7741515B2 (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法、及び窒化物半導体発光素子
JP7758293B2 (ja) 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5898656B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体素子
JP2001028473A (ja) ｎ型窒化物半導体の成長方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090707

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091005

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091008

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100415

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100506

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150514

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees