JP2011124342A - 基板処理装置、基板処理方法及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】装置コストを増大させることがなく、乾燥処理により形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を搬送する搬送路３４と、搬送路３４の途中に設けられ、気体を噴出する多数の噴出孔が狭ピッチで形成されたステージ面１１１を有し、被処理面に処理液が塗布処理された基板に噴出孔から噴出した気体を吹き付けることにより、基板をステージ面１１１の上で浮上させ、基板を乾燥処理する浮上ステージ１１０と、噴出孔から噴出する気体を常温より高い温度で噴出孔に供給する第１の供給源と、搬送路３４の搬送方向に沿って浮上ステージ１１０の上流側に設けられ、基板を浮上ステージ１１０に搬入駆動する搬入駆動部１５０と、搬送路３４の搬送方向に沿って浮上ステージ１１０の下流側に設けられ、基板を浮上ステージ１１０から搬出駆動する搬出駆動部１５２とを有する。
【選択図】図７

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置、その基板処理装置における基板処理方法、及びこの基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体に関する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、基板処理装置を用い、ガラス基板等の被処理基板（以下「基板」という。）上にレジスト（処理液）を塗布処理し、塗布処理した基板を加熱処理し、露光し、現像処理してレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程を行う。フォトリソグラフィー工程の中で、レジスト等（以下「処理液」という場合がある。）を塗布した後、レジスト中の残存溶剤を蒸発させる加熱処理つまりプリベーキングを即座に行うと、溶剤の蒸発が不均一になり、乾燥して形成される塗布膜の膜厚にムラが発生するという問題がある。これは、例えば加熱処理を行う加熱処理ユニット内で、基板と接触するリフトピン、支持ピンまたはバキューム溝等から熱的な影響を受けて溶剤の蒸発が基板面内で不均一になるためである。

そこで、レジストを塗布した後、プリベーキングに先立って、減圧雰囲気中で基板上のレジスト中の残存溶剤をある程度まで揮発させることでレジスト塗布膜の表面に固い層（一種の変質層）を形成する減圧乾燥処理が行われている。レジスト塗布膜の内部またはバルク部を液状に保ちつつ表層部のみを固化する減圧乾燥処理を行うことにより、プリベーキングの際にバルクレジストの流動を抑制して乾燥斑の発生を低減し、膜厚にムラが発生することを防止する。これによって、露光時におけるレジスト解像度が高くなる。

このような減圧乾燥を行う基板処理装置は、基板を減圧下に保持するためのチャンバよりなる減圧乾燥処理ユニットを有する（例えば特許文献１参照）。減圧乾燥処理ユニットのチャンバは、上面が開口しているトレーまたは底浅容器型の下部チャンバと、この下部チャンバの上面に気密に密着または嵌合可能に構成された蓋状の上部チャンバとを有しており、下部チャンバの中にはステージが配設されている。このステージ上にレジストが塗布処理された基板を水平に載置し、チャンバを閉じて（上部チャンバを下部チャンバに密着させて）室内を排気して減圧状態にする。また、チャンバに基板を搬入出する際には、上部チャンバをクレーン等で上昇させてチャンバを開放し、さらには基板のローディング／アンローディングのためにステージをシリンダ等で適宜上昇させるようにしている。また、ステージの上面に多数の支持ピンが突出して設けられており、基板はそれらの支持ピンの上に載置されるようになっている。

特開２０００−１８１０７９号公報

上記のような基板処理装置は、チャンバを有するため、装置コストが増大する点が問題になっている。すなわち、室内を真空に減圧するために、下部チャンバ及び上部チャンバを含めたチャンバ強度を大きくする必要がある。また、基板をチャンバに搬入出する際に上部チャンバを上げ下げ（開閉）するために、昇降機構を設ける必要がある。近時、基板のサイズがＬＣＤ用ガラス基板のように一辺が２ｍを越えるような大きさになると、チャンバも著しく大型化し、上部チャンバだけでも２トン以上の重量になってきている。従って、昇降機構も大掛かりになり、装置コストが増大している。

とりわけ、タクト時間を短縮し、生産性を向上させるためには、減圧乾燥処理ユニットを複数設けることが必要となるため、装置コストがさらに増大する点が問題になっている。

さらに、基板処理装置のチャンバ内に、支持部材に支持された状態で基板が停止するため、乾燥して形成される塗布膜の膜厚にムラが生じやすいという点も問題になっている。具体的には、チャンバ内で基板はステージ上面から突出するピンの上で減圧乾燥処理を受けるため、減圧乾燥により形成される塗布膜にピンの跡が膜厚のムラとして残ってしまうことがある。また、チャンバ内で減圧する際に、またチャンバ内を大気圧に戻す際に、チャンバ内の気流によって、膜厚のムラが生じることもある。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、乾燥処理を行う基板処理装置において、装置コストを増大させることがなく、乾燥処理により形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止できる基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法を提供する。

上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。

本発明の一実施例によれば、基板の被処理面を上に向けた状態で一方向に前記基板を搬送する搬送路と、前記搬送路の途中に設けられ、気体を噴出する多数の噴出孔が狭ピッチで形成されたステージ面を有し、前記被処理面に処理液が塗布処理された前記基板に前記噴出孔から噴出した気体を吹き付けることにより、前記基板を前記ステージ面の上で浮上させ、前記基板を乾燥処理する浮上ステージと、前記噴出孔から噴出する気体を常温より高い温度で前記噴出孔に供給する第１の供給源と、前記搬送路の搬送方向に沿って前記浮上ステージの上流側に設けられ、前記基板を前記浮上ステージに搬入駆動する搬入駆動部と、前記搬送路の搬送方向に沿って前記浮上ステージの下流側に設けられ、前記基板を前記浮上ステージから搬出駆動する搬出駆動部とを有する基板処理装置が提供される。

また、本発明の一実施例によれば、基板の被処理面を上に向けた状態で一方向に前記基板を搬送する搬送路と、前記搬送路の途中に設けられ、気体を噴出する多数の噴出孔が狭ピッチで形成されたステージ面を有する浮上ステージとを有する基板処理装置における基板処理方法であって、前記搬送路の搬送方向に沿って前記浮上ステージの上流側に設けられた搬入駆動部により、前記被処理面に処理液が塗布処理された前記基板を前記浮上ステージに搬入駆動する搬入工程と、前記基板に前記噴出孔から噴出した常温より高い温度の気体を吹き付けることにより、前記基板を前記ステージ面の上で浮上させ、前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、前記搬送路の搬送方向に沿って前記浮上ステージの下流側に設けられた搬出駆動部により、前記基板を前記浮上ステージから搬出駆動する搬出工程とを有する基板処理方法が提供される。

本発明によれば、乾燥処理を行う基板処理装置及びその基板処理装置における基板処理方法において、装置コストを増大させることがなく、乾燥処理により形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止できる。

第１の実施の形態に係る基板処理装置を適用した塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける１枚の基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。 第１の実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける塗布プロセス部のレジスト塗布ユニット、乾燥処理ユニット及びプリベークユニットの構成を示す平面図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。 図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 第１の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。 浮上ステージのステージ面に形成された噴出孔及び吸引孔を示す図である。 乾燥処理ユニットの気流形成部の別の構成の例を示す斜視図である。 第１の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。 図１０のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 第１の実施の形態の第２の変形例に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。 図１２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 乾燥処理ユニットの気流形成部の別の構成の例を示す斜視図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。 図１５のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。 第２の実施の形態の変形例に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。 第３の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。 第３の実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。 図２０のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、図１から図９を参照し、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。

図１は、本実施の形態に係る基板処理装置を適用した塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。

図１に示すように、塗布現像処理システム１０は、例えばガラス基板（以下「基板Ｇ」という。）を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像及びポストベーク等の一連の処理を行う。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。

塗布現像処理システム１０は、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６及びインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８を有している。塗布現像処理システム１０の中心部には横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６が配置され、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とが配置されている。

カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、カセットステージ２０及び搬送機構２２を備えている。カセットステージ２０は、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置できる。搬送機構２２は、カセットステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のプロセスラインＡ、Ｂを有している。また、プロセスラインＡ、Ｂには、各処理部がプロセスフローまたは工程の順に配置されている。

プロセスラインＡは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインである。プロセスラインＡは、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０、第２の熱的処理部３２及び第１の搬送路３４を有している。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０及び第２の熱的処理部３２は、第１の搬送路３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。なお、第１の搬送路３４は、本発明における搬送路に相当する。

搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４は、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、被処理面を上に向けた状態で第１の搬送路３４に投入する。洗浄プロセス部２６は、第１の搬送路３４に沿って上流側から順に設けられたエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６及びスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を有している。第１の熱的処理部２８は、上流側から順に設けられたアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０及び冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を有している。塗布プロセス部３０は、上流側から順に設けられたレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４及び乾燥処理ユニット４６を有している。第２の熱的処理部３２は、上流側から順に設けられたプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８及び冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を有している。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の搬送路３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の搬送路３４上を搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。

プロセスラインＢは、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインである。プロセスラインＢは、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０、搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２及び第２の搬送路６４を有している。現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０及び搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６及び冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡す。

両プロセスラインＡ、Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、搬送装置７２、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４及び周辺装置７６を有している。搬送装置７２は、上記第１及び第２の搬送路３４、６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行う。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４及び周辺装置７６は、搬送装置７２の周囲に配置されている。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、例えばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等よりなる。周辺装置７６は、第２の搬送路６４に接続されている。

図２は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおける１枚の基板に対する全工程の処理手順を示すフローチャートである。

先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２が、カセットステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する（ステップＳ１）。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入された基板Ｇは、第１の搬送路３４上に移載または投入される。

第１の搬送路３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６及びスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により紫外線洗浄処理（ステップＳ２）及びスクラビング洗浄処理（ステップＳ３）を順次施される。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８において、基板Ｇは、基板表面から粒子状の汚れを除去するブラッシング洗浄やブロー洗浄が施され、その後にリンス処理が施され、最後にエアーナイフ等を用いて乾燥処理が施される。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理が施された後、基板Ｇは第１の搬送路３４を通って第１の熱的処理部２８へ搬入される。

第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ４）。アドヒージョン処理が施された後、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。その後、基板Ｇは第１の搬送路３４を通って塗布プロセス部３０へ搬入される。

塗布プロセス部３０において、基板Ｇは、最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布処理され、その後に、乾燥処理ユニット４６で後述する常圧雰囲気下のレジスト乾燥処理を受ける（ステップＳ６）。その後、基板Ｇは、第１の搬送路３４を通って第２の熱的処理部３２へ搬入される。

第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを施される（ステップＳ７）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ８）。その後、基板Ｇは、第１の搬送路３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４で例えば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入される。周辺露光装置に搬入された基板Ｇは、周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ９）。

露光装置１２では、基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。パターン露光が施された基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ９）、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入される。タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）において、基板Ｇは、基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１０）。その後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の搬送路６４の始点に搬入される。

こうして、基板Ｇは、今度は第２の搬送路６４上を、被処理面を上に向けた状態でプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは、現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ１１）。

現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理が施された基板Ｇは、第２の搬送路６４を通って第３の熱的処理部６６及び検査ユニット（ＡＰ）６０に順次搬入される。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ１２）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１３）。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ１４）。

搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の搬送路６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ１）。

塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部３０のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４４から第２の熱的処理部３２のプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８までのレジスト処理部（４４、４６、４８）のうち、特に乾燥処理ユニット４６に本発明を適用することができる。以下、図３から図９を参照し、本実施の形態におけるレジスト処理部（４４、４６、４８）の構成及び作用を詳細に説明する。

図３は、本実施の形態に係る基板処理装置である塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布ユニット、乾燥処理ユニット及びプリベークユニットの構成を示す平面図である。

図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４は、塗布処理用浮上ステージ８０、基板搬送機構８２、レジストノズル８４及びリフレッシュ部８６を有している。塗布処理用浮上ステージ８０は、第１の搬送路３４（図１）の一部または一区間を構成する。基板搬送機構８２は、塗布処理用浮上ステージ８０上で浮上している基板Ｇを塗布処理用浮上ステージの長手方向（Ｘ方向）に搬送する。レジストノズル８４は、塗布処理用浮上ステージ８０上を搬送される基板Ｇの上面にレジスト液を供給する。ノズルリフレッシュ部８６は、塗布処理の合間にレジストノズル８４をリフレッシュする。

塗布処理用浮上ステージ８０の上面には所定のガス（例えばエア）を上方に噴射する多数のガス噴射孔８８が設けられており、それらのガス噴射孔８８から噴射されるガスの圧力によって基板Ｇがステージ上面から一定の高さに浮上するように構成されている。

基板搬送機構８２は、ガイドレール９０Ａ、９０Ｂ、スライダ９２を備えている。ガイドレール９０Ａ、９０Ｂは、塗布処理用浮上ステージ８０を挟んでＸ方向に延びる一対のガイドレールである。スライダ９２は、ガイドレール９０Ａ、９０Ｂに沿って往復移動可能に設けられている。また、スライダ９２には、塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇの両側端部を着脱可能に保持するように、吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）が設けられている。また、基板搬送機構８２には、図示しない直進移動機構が設けられており、直進移動機構によりスライダ９２を搬送方向（Ｘ方向）に移動させることによって、塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇの浮上搬送を行うように構成されている。

レジストノズル８４は、塗布処理用浮上ステージ８０の上方を搬送方向（Ｘ方向）と直交する水平方向（Ｙ方向）に横断して延びる長尺形ノズルである。レジストノズル８４は、所定の塗布位置でその直下を通過する基板Ｇの上面に対してスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出するようになっている。また、レジストノズル８４は、このノズルを支持するノズル支持部材９４と一体にＸ方向に移動可能、かつＺ方向に昇降可能に構成されており、上記塗布位置とノズルリフレッシュ部８６との間で移動できるようになっている。

ノズルリフレッシュ部８６は、プライミング処理部９８、ノズルバス１００及びノズル洗浄機構１０２を備えている。プライミング処理部９８は、塗布処理用浮上ステージ８０の上方の所定位置で支柱部材９６に保持されており、塗布処理のための下準備としてレジストノズル８４にレジスト液を吐出させるためのものである。ノズルバス１００は、レジストノズル８４のレジスト吐出口を乾燥防止の目的から溶剤蒸気の雰囲気中に保つためのものである。洗浄機構１０２は、ノズルバス１００と、レジストノズル８４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのものである。

ここで、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４における主な作用を説明する。先ず、上流側の第１の熱的処理部２８（図１）より例えばコロ搬送で搬送されてきた基板Ｇが、塗布処理用浮上ステージ８０上の前端側に設定された搬入部に搬入され、そこで待機していたスライダ９２が基板Ｇを保持して受け取る。塗布処理用浮上ステージ８０上で基板Ｇはガス噴射孔８８より噴射されるガス（エア）の圧力を受けて略水平な姿勢で浮上状態を保つ。

基板Ｇは、スライダ９２に保持された状態で乾燥処理ユニット４６側に向かって搬送方向（Ｘ方向）に搬送される。そして、基板Ｇがレジストノズル８４の下を通過する際に、レジストノズル８４が基板Ｇの上面である被処理面に向けて液状のレジスト液を帯状に吐出することにより、基板Ｇの被処理面上に基板前端から後端に向ってレジストが塗布処理される。レジストが塗布処理された基板Ｇは、スライダ９２により塗布処理用浮上ステージ８０上で浮上搬送され、塗布処理用浮上ステージ８０の後端を越えると、受け渡し用及び浮上搬送駆動用のコロ１０４に受け渡される。受け渡し用及び浮上搬送駆動用のコロ１０４に受け渡された基板Ｇは、下流側の乾燥処理ユニット４６へ搬入される。

一方、塗布処理が施された基板Ｇを乾燥処理ユニット４６側へ搬出した後、スライダ９２は次の基板Ｇを受け取るために塗布処理用浮上ステージ８０の前端側の搬入部へ戻る。また、レジストノズル８４は、１回または複数回の塗布処理を終えると、塗布位置（レジスト吐出位置）からノズルリフレッシュ部８６へ移動してそこでノズル洗浄やプライミング処理等のリフレッシュないし下準備をしてから、塗布位置に戻る。

図３に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布処理用浮上ステージ８０の延長線上（下流側）には、受け渡しおよび浮上搬送駆動用のコロ１０４を挟んで乾燥処理ユニット４６が設けられている。また、乾燥処理ユニット４６の延長線上（下流側）にはプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）４８の搬送路を構成するコロ搬送路１０８が設けられている。

なお、例えば受け渡し及び浮上搬送駆動用のコロ１０４は、図示しない例えばフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持されており、電気モータ等の搬送駆動源に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。

次に、図３から図９を参照し、乾燥処理ユニット４６について説明する。図４及び図５は、それぞれ本実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図及び側面図である。図６は、図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図７は、本実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。図８は、浮上ステージのステージ面に形成された噴出孔及び吸引孔を示す図である。図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は側面図である。図９は、乾燥処理ユニットの気流形成部の別の構成の例を示す斜視図である。

図３から図７に示すように、乾燥処理ユニット４６は、浮上ステージ１１０、気流形成部１３０、搬入駆動部１５０及び搬出駆動部１５２を有している。

浮上ステージ１１０は、ステージ面１１１、正圧マニホールド１１２、負圧マニホールド１１３、第１の供給源１１４及び真空源１１５を有している。浮上ステージ１１０は、塗布処理用浮上ステージ８０の延長線上（下流側）に設けられ、搬入駆動部１５０及び搬出駆動部１５２とともに第１の搬送路３４を構成する。

ステージ面１１１は浮上ステージ１１０の上面である。ステージ面１１１は、第１の搬送路３４の途中に設けられている。搬送方向に沿ったステージ面１１１の長さ寸法は、搬送方向に沿った基板Ｇの長さ寸法よりも小さくすることができる。従って、乾燥処理ユニット４６は、小さなサイズで構成できる。

図８（ａ）に示すように、ステージ面１１１には、気体を噴出する多数の噴出孔１１６及び気体を吸引する多数の吸引孔１１７が、それぞれ狭ピッチで形成されている。また、浮上ステージ１１０は、被処理面に処理液が塗布処理された基板Ｇに噴出孔から気体を吹き付けることにより、基板Ｇをステージ面１１１の上で浮上させ、基板Ｇを乾燥処理する。

図８（ａ）に示すように、ステージ面１１１には、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）及び第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）のいずれの方向にも、噴出孔１１６と吸引孔１１７とが狭ピッチで交互に配列するように形成されている。噴出孔１１６は、高圧または正圧の圧縮空気を噴き出すものであり、吸引孔１１７は、負圧で空気を吸い込むものである。従って、噴出孔１１６及び吸引孔１１７は、大気圧下または常圧下で基板Ｇを好ましくは１００μｍ（例えば５０μｍ）の微小ギャップまたは浮上高Ｈｓで浮上させる。具体的には、図８（ａ）に示すように、浮上ステージ１１０の上で基板Ｇを搬送するときは、噴出孔１１６から圧縮空気による垂直上向き力を加えると同時に、吸引孔１１７より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、相対抗する双方向の力のバランスを制御する。これにより、基板Ｇの浮上高を浮上乾燥に適した設定値付近に維持するようにしている。

なお、上述したレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４の塗布処理用浮上ステージ８０においても、基板浮上高さを安定化させるために、ガス噴射孔８８に混在させて吸引孔（図示せず）を設け、ガス噴射孔８８より基板Ｇに加えられる垂直上向きの力（浮上力）と吸引孔より基板Ｇに与えられる垂直下向きの力（引力）とのバランスをとるようにしてもよい。

正圧マニホールド１１２及び負圧マニホールド１１３は、浮上ステージ１１０の内部に設けられている。正圧マニホールド１１２及び負圧マニホールド１１３は、それぞれステージ面１１１に形成された各噴出孔１１６及び各吸引孔１１７に接続されている。第１の供給源１１４は、浮上ステージ１１０の外部に設けられ、ガス供給管１１８を介し、正圧マニホールド１１２に接続されている。真空源１１５は、浮上ステージ１１０の外部に設けられ、バキューム管１１９を介し、負圧マニホールド１１３に接続されている。

正圧マニホールド１１２は、第１の供給源１１４からガス供給管１１８を介して所定圧力の圧縮空気を導入して、浮上ステージ１１０のステージ面（上面）１１１の各噴出孔１１６に略均一な圧力で圧縮空気を分配供給する。第１の供給源１１４は、例えばコンプレッサあるいは工場用力を使用してもよく、圧縮空気の圧力を安定化させるためのレギュレータ等を備えていてもよい。

負圧マニホールド１１３は、バキューム管１１９を介して真空源１１５により真空吸引されており、浮上ステージ１１０のステージ面（上面）１１１の各吸引孔１１７の吸引力を略均一にするような圧力緩衝作用を奏する。真空源１１５は、例えば真空ポンプあるいは工場用力を使用してもよい。

第１の供給源１１４は、温度制御可能な発熱素子１２０を備えており、正圧マニホールド１１２に供給する気体である圧縮空気を常温より高い温度で供給することができる。発熱素子１２０は、ヒータ電源１２１より電力の供給を受けると通電してジュール熱を発生し、第１の供給源１１４に貯蔵される気体を設定温度に加熱するようになっている。

噴出孔１１６から噴出する気体の温度が高すぎると、基板Ｇに反りが発生し、浮上ステージ１１０への基板Ｇの搬入出を行う搬入駆動部１５０及び搬出駆動部１５２の搬送ローラから基板Ｇに駆動力を伝えることができず、基板搬送に問題が生じるおそれがある。従って、基板の設定温度は、基板Ｇに反りが発生しない程度の適度な温度（例えば５０℃）に設定することが好ましい。

あるいは、発熱素子１２０を、正圧マニホールド１１２あるいは浮上ステージ１１０の上部と熱的に結合するように設けてもよい。そのような場合にも、浮上ステージ１１０、特にステージ面１１１近傍の浮上ステージ１１０を加熱し、ステージ面（上面）１１１の各噴出孔１１６から噴き出す気体を常温より高い温度で供給することができる。また、このような場合には、第１の供給源１１４は、正圧マニホールド１１２あるいは浮上ステージ１１０の上部を含めるものとする。

本実施の形態では、浮上ステージ１１０のステージ面（上面）１１１は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って傾斜している。また、浮上ステージ１１０は、傾斜したステージ面１１１の低い側に、第１の搬送路３４の搬送方向に沿って配列して設けられた複数のサイドローラ１２２を有している。

具体的には、図５から図７に示すように、浮上ステージ１１０のステージ面（上面）１１１は、０°よりも大きく１０°以下程度（例えば３°）の傾斜角θＳで、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に向かって例えば左側が低くなるように傾斜している。また、傾斜したステージ面１１１の低い側（例えば左側）に複数のサイドローラ１２２を有している。そのため、浮上ステージ１１０のステージ面１１１の上で浮上する基板Ｇは、傾斜したステージ面１１１の低い側に引き寄せられ、片側をサイドローラ１２２に接した状態で、浮上する。

このようにステージ面１１１を第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に傾斜させることにより、ステージ面１１１の上で浮上する基板Ｇが常にサイドローラ１２２に接した状態になるため、基板Ｇを搬送する際に基板Ｇが蛇行するのを防止でき、搬送位置を容易に安定化することができる。

気流形成部１３０は、浮上ステージ１１０の上方に設けられ、下面１３１、第２の供給源１３２、排気部１３３を有している。下面１３１には、気体を吐出する吐出口１３４及び気体を吸引する吸引口１３５が形成されている。第２の供給源１３２は、気流形成部１３０の外部に設けられ、ガス供給管１３６を介し、吐出口１３４に接続されている。排気部１３３は、気流形成部の外部に設けられ、排気管１３７を介し、吸引口１３５に接続されている。

吐出口１３４は、下面１３１において、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿うように形成されている。吸引口１３５は、第１の搬送路３４の搬送方向に沿って吐出口１３４よりも下流側の下面１３１において、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿うように形成されている。吐出口１３４は、浮上ステージ１１０の上で浮上する基板Ｇと所定距離（例えば５ｍｍ〜１５ｍｍ）のギャップを介して第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）にスリット状に延びている。吸引口１３５も、上記したギャップを介して第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）にスリット状に延びている。

また、下面１３１は、浮上ステージ１１０のステージ面１１１と平行になるように、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って傾斜している。気流形成部１３０の下面１３１が傾斜することにより、浮上ステージ１１０の上で浮上する基板Ｇの上面と、スリット状に形成した吐出口１３４及び吸引口１３５とのギャップを、搬送路を横切る方向（Ｙ方向）に沿って均一にすることができる。そのため、乾燥処理によって形成するレジスト塗布膜ＲＭの膜厚のムラが生じるのを防止できる。

吐出口１３４は、第２の供給源１３２よりガス供給管１３６を介して送られてくるガス（例えば清浄な空気あるいは窒素ガス）を導入し、導入したガスを吐出口１３４の多孔板１３８に通してスリット状の吐出口１３４より基板Ｇに向けて所定の圧力（風圧）及び均一な層流の気流として噴き出すようにしてもよい。また、第２の供給源１３２は、ガス供給源、送風ファン（またはコンプレッサ）等で構成されていてもよい。

吸引口１３５は、排気管１３７を介して接続された排気部１３３により、吐出口１３４から基板Ｇの上面に沿って流れてくる気流を吸い込むとともに、図８（ｂ）に示す基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭから蒸発した溶剤も一緒に吸い込むようになっている。これにより、基板Ｇ上に、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って流れる気流を形成することができる。なお、吐出口１３４を下流側に、吸引口１３５を上流側に配置して、搬送方向（Ｘ方向）と逆向きになるように気流を形成してもよい。

なお、気流形成部は一体で設けられていなくてもよく、吐出口が形成された部分と、吸引口が形成された部分とが、分離して設けられていてもよい。吐出口が形成された部分と、吸引口が形成された部分とが、分離して設けられた例を図９に示す。なお、図９においては、気流形成部及び基板以外の図示を省略している。

図９に示すように、気流形成部２３０は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って互いに対向して設けられた第１の気流形成部２３０ａ及び第２の気流形成部２３０ｂを有する。第１の気流形成部２３０ａは、搬送方向（Ｘ方向）に沿って第２の気流形成部２３０ｂの上流側に設けられており、第２の気流形成部２３０ｂと対向する側（下流側）の側面２３１ａには吐出口２３４が形成されている。第２の気流形成部２３０ｂは、搬送方向（Ｘ方向）に沿って第１の気流形成部２３０ａの下流側に設けられており、第１の気流形成部２３０ａと対向する側（上流側）の側面２３１ｂには吸引口２３５が設けられている。吐出口２３４は、側面２３１ａに、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿ってスリット状に延びるように形成されている。吸引口２３５は、側面２３１ｂに、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿ってスリット状に延びるように形成されている。また、図８に示すように、第１の搬送路３４に垂直な方向（Ｚ方向）に沿って複数の吐出口２３４及び吸引口２３５が設けられていてもよい。また、第２の供給源１３２、排気部１３３は、図５に示す例と同様にすることができる。

このように、気流形成部を吐出口が形成された部分と、吸引口が形成された部分とに分離した場合でも、基板Ｇ上に、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って流れる気流を形成することができる。なお、この場合も、吐出口２３４が形成された第１の気流形成部２３０ａを下流側に、吸引口２３５が形成された第２の気流形成部２３０ｂを上流側に配置して、搬送方向（Ｘ方向）と逆向きになるように気流を形成してもよい。

第２の供給源１３２は、温度制御可能な発熱素子１３９を備えてもよい。発熱素子１３９を備えるときは、第２の供給源１３２は、吐出口１３４に供給する気体を常温より高い温度で供給することができる。発熱素子１３９は、第１の供給源１１４の発熱素子１２０と同様にすることができ、例えばヒータ電源１４０より電力の供給を受けると通電してジュール熱を発生し、第２の供給源１３２に貯蔵される気体を設定温度（例えば５０℃）に加熱するようにすることができる。

ただし、第２の供給源１３２に貯蔵される気体の温度が高いときは、基板Ｇが加熱されて反りが発生することがある。基板Ｇに反りが発生すると、浮上ステージ１１０とのギャップの基板面内の分布が均一でなくなる等の理由により、基板搬送に問題が生じることがある。従って、第２の供給源１３２に貯蔵される気体の加熱は適度に抑えることが望ましい。あるいは、第２の供給源１３２には、発熱素子等を備えなくてもよい。

また、本実施の形態では、第１の供給源１１４及び第２の供給源１３２を用いて基板Ｇの下方及び上方から異なる温度で気体を供給することができるため、基板Ｇの反りが所定の形状の範囲になるように、制御することができる。具体的には、基板Ｇの反りの形状が、平面又は椀形状（下に凸の曲面）になるように、浮上ステージ１１０の噴出孔１１６から供給する気体及び気流形成部１３０の吐出口１３４から供給する気体のそれぞれの温度、圧力、風量を決定することができる。

あるいは、浮上ステージ１１０の搬送方向（Ｘ方向）に沿って左右両側にそれぞれ発光素子と受光素子とを配列配置した複数のレーザセンサの組を設け、基板Ｇの反り形状を制御するようにしてもよい。このとき、それぞれのレーザセンサが障害物を検知したか否かによって基板Ｇの反り形状を測定する。次に、測定した基板Ｇの反り形状と予め設定した基板Ｇとの形状を比較する。そして、基板Ｇの反り形状が予め設定した形状に近づくように、浮上ステージ１１０の噴出孔１１６から供給する気体及び気流形成部１３０の吐出口１３４から供給する気体のそれぞれの温度、圧力、風量を制御する。

搬入駆動部１５０は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って浮上ステージ１１０の上流側に設けられている。搬入駆動部１５０は、複数の回転ローラ１５１を有している。また、複数の回転ローラ１５１は、図示しない、例えばフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持されており、電気モータ等の搬送駆動源に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。複数の回転ローラ１５１は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って並べられており、基板Ｇをコロ搬送する。このような構成により、搬入駆動部１５０は、基板Ｇを第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って上流側より浮上ステージ１１０に搬入駆動することができる。

搬出駆動部１５２は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って浮上ステージ１１０の下流側に設けられている。搬出駆動部１５２も、搬入駆動部１５０と同様に、複数の回転ローラ１５３を有し、それら複数の回転ローラ１５３は図示しない搬送駆動源に接続されている。複数の回転ローラ１５３は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って並べられており、基板Ｇをコロ搬送する。このような構成により、搬出駆動部１５２は、基板Ｇを第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って浮上ステージ１１０から下流側に搬出駆動することができる。

前述したように、浮上ステージ１１０のステージ面（上面）１１１が傾斜している。そのため、搬入駆動部１５０の複数の回転ローラ１５１は、図５に示すように、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って、それぞれの回転ローラ１５１の幅方向の傾斜角が水平状態から徐々に増大するように設けられる。また、搬出駆動部１５２の複数の回転ローラ１５３も、図５に示すように、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って、それぞれの回転ローラ１５３の幅方向の傾斜角が徐々に減少して水平状態に戻るように設けられる。

次に、乾燥処理ユニット４６における作用を説明する。

上記したように、上流側隣のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４でレジスト液を塗布された基板Ｇは、塗布処理用浮上ステージ８０からコロ１０４を通って乾燥処理ユニット４６の搬入駆動部１５０上に搬送される。搬入駆動部１５０上に搬送された基板Ｇは、搬入駆動部１５０の駆動力により浮上ステージ１１０に搬入され、搬入駆動部１５０の駆動力によって浮上ステージ１１０の上を搬送方向（Ｘ方向）に搬送される。

ステージ面１１１には、前述したように、多数の噴出孔１１６及び吸引孔１１７が、それぞれ狭ピッチで形成されている。狭ピッチとは、噴出孔１１６、吸引孔１１７、又は噴出孔１１６と吸引孔１１７とが配列するピッチが、１ｍｍ〜２０ｍｍ程度、好ましくは３ｍｍ〜８ｍｍ程度の範囲にあることを意味する。本実施の形態では、噴出孔１１６及び吸引孔１１７が形成されるピッチを例えば８ｍｍとすることができる。

また、噴出孔１１６、吸引孔１１７の分布がマクロ的に平均化して一様になっていればよく、マクロ的に視たときに膜ムラが発生しやすい特異的な部分がなければよい。すなわち、狭ピッチとは、噴出孔１１６、吸引孔１１７、又は噴出孔１１６と吸引孔１１７とが配列するピッチが、一定のピッチであるか、あるいは噴出孔１１６と吸引孔１１７とが交互に配列することに限定されない。従って、ステージ面１１１に所定のピッチで配列するように形成される場合のみならず、ステージ面１１１を多孔質材で形成し、多孔質材の内部又は多孔質材の下層に、多孔質の孔の分布よりも大きいピッチで配列する噴出孔及び吸引孔を形成するようにしてもよい。

このように、浮上ステージ１１０のステージ面１１１に噴出孔１１６、吸引孔１１７を狭ピッチで形成することにより、基板Ｇの被処理面と反対面である下面に吹き付ける気体の流れを基板面内でより均一にすることができ、基板の温度分布をより均一にすることができる。これにより、被処理面に塗布する塗布膜の膜厚及び膜質を含めた膜ムラを防止することができる。

あるいは、基板Ｇの被処理面と反対面である下面に吹き付ける気体の流れを基板面内でより均一にすることにより、搬送される基板の振動を抑制することができる。

また、気流形成部１３０によって基板Ｇの被処理面の上方に搬送方向（Ｘ方向）に沿って順方向（又は逆方向）に一定の気流が形成される。これにより、レジスト塗布膜ＲＭにおける溶剤の空中への拡散（揮発）を一定に保持することができる。その結果、レジスト塗布膜ＲＭ内の乾燥度合いにばらつき（乾燥斑）を生じることなく膜厚が面内均一に乾燥初期値（例えば８μｍ）から所望の乾燥目標値（例えば２〜３μｍ）まで減少することになる。

乾燥処理ユニット４６により乾燥処理が施された基板Ｇは、搬出駆動部１５２の駆動力によって浮上ステージ１１０の上を搬送方向に搬送され、搬出駆動部１５２の駆動力により浮上ステージ１１０から搬出され、搬出駆動部１５２上を搬送される。搬出駆動部１５２上を搬送された基板Ｇは、搬出駆動部１５２の駆動力によりプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入される。

図３に示すように、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８は、加熱用のヒータとして例えば平板形のシーズヒータ１６４を有している。シーズヒータ１６４は、コロ搬送路１０８に近接させて相隣接するコロ１６２とコロ１６２の間に、搬送方向（Ｘ方向）に１枚または複数枚並べて配置されている。各シーズヒータ１６４は、その表面（上面）に例えばセラミックコーティングを有している。セラミックコーティングが図示しないヒータ電源より図示しない電気ケーブルを介して供給される電力により通電して発熱することにより、シーズヒータ１６４の高温の表面から放射する熱を至近距離からコロ搬送路１０８上の基板Ｇに与える。

さらに、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８には、コロ搬送路１０８に沿ってその上方に例えばグレイチングパネルからなる排気用吸い込み天井板（多孔板）１７０が設けられていてもよい。排気用吸い込み天井板１７０は、コロ搬送路１０８の搬送面から所定距離のギャップを挟んで水平に配置されており、その上方にバッファ室１７２が形成されていてもよい。バッファ室１７２は、排気管または排気路１７４を介して排気ポンプまたは排気ファン等を有している排気部１７６に通じている。コロ搬送路１０８上で基板Ｇ上のレジスト塗布膜ＲＭから蒸発した溶剤は周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板１７０の中へ吸い込まれ、排気部１７６へ送られるようになっている。

なお、コロ搬送路１０８を構成するコロ１０５は、図示しない例えばフレーム等に固定された軸受に回転可能に支持されており、電気モータ等の搬送駆動源に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。

次に、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８における作用を説明する。

乾燥処理ユニット４６で乾燥処理を終えた基板Ｇは、コロ搬送路１０８に搬送されてプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８へ搬入される。コロ搬送路１０８上で基板Ｇは、プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８に搬入されると、そこで至近距離のシーズヒータ１６４から基板裏面に放射熱を受ける。この急速加熱より、コロ搬送路１０８上を搬送される間に基板Ｇの温度は所定温度（例えば１８０〜２００℃程度）まで上昇し、短時間の間にレジスト塗布膜ＲＭ中の残留溶媒の大部分が蒸発して膜が一層薄く固くなり、基板Ｇとの密着性が高められる。このプリベーキングの加熱処理の際に、シーズヒータ１６４からの熱的な影響を受けても、前工程の常圧乾燥処理によってレジスト塗布膜ＲＭのバルク部内の溶剤が平均化ないし均一化されており、かつ膜厚も十分に（例えば２〜３μｍまでに）薄くなっているので、この加熱工程でもレジスト塗布膜ＲＭに斑は発生し難い。なお、レジスト塗布膜ＲＭから蒸発した溶剤は、周囲の空気と一緒に排気用吸い込み天井板１７０の中へ吸い込まれて、排気部１７６へ送られる。

プリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でプリベーキングの加熱処理を終えた基板Ｇはそのままコロ搬送路１０８上を搬送され、下流側隣の冷却ユニット（ＣＯＬ）５０（図１）へ送られる。

また、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４、乾燥処理ユニット４６及びプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８内の各部は、図１に示すように、コントローラ２０１によって制御される。コントローラ２０１をマイクロコンピュータで構成した場合は、コントローラ２０１に装置全体の動作（シーケンス）を統括制御させることもできる。また、コントローラ２０１には、基板処理装置である塗布現像処理システムで実行される各種処理をコントローラ２０１の制御にて実現するための制御プログラムを格納した記憶媒体（記録媒体）よりなる記憶部２０２が接続されていてもよい。記憶媒体（記録媒体）は、ハードディスクや半導体メモリであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介して制御プログラムを適宜伝送させるようにしてもよい。

また、乾燥処理ユニット４６に基板Ｇを搬入し（搬入工程）、乾燥処理を行い（乾燥処理工程）、搬出する（搬出工程）工程を含む基板処理方法をコントローラ２０１に実行させるための制御プログラムを、記憶媒体（記録媒体）よりなる記憶部２０２に記憶してもよい。搬入工程は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って浮上ステージ１１０の上流側に設けられた搬入駆動部１５０により、基板Ｇを浮上ステージ１１０に搬入駆動する工程を含む。乾燥処理工程は、被処理面に処理液が塗布処理された基板Ｇに、第１の供給源１１４を用いて常温より高い温度で供給された気体を噴出孔１１６から吹き付けることにより、基板Ｇをステージ面１１１の上で浮上させ、基板Ｇを乾燥処理する工程を含む。搬出工程は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って浮上ステージ１１０の下流側に設けられた搬出駆動部１５２により、基板Ｇを浮上ステージ１１０から搬出駆動する工程を含む。

なお、本実施の形態では、浮上ステージのステージ面に、噴出孔及び吸引孔が狭ピッチで形成されている例を説明した。しかし、上記した乾燥して形成される塗布膜の膜厚ムラの発生を防止する作用は、ステージ面に少なくとも噴出孔が形成されていれば実現可能である。従って、ステージ面には、少なくとも噴出孔が形成されていればよく、吸引孔が形成されていなくてもよい。
（第１の実施の形態の第１の変形例）
次に、図１０及び図１１を参照し、本発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理装置について説明する。

本変形例に係る基板処理装置は、浮上ステージが搬送路を横切る方向（Ｙ方向）に沿って複数の列部に分割されている点で、第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。

図１０は、本変形例に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の変形例、実施の形態についても同様）。

本変形例でも、乾燥処理ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図３を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、乾燥処理ユニット４６ａにおける、搬入駆動部１５０及び搬出駆動部１５２は、第１の実施の形態と同様である。また、浮上ステージ１１０ａが、負圧マニホールド１１３及び真空源１１５を有している点は、第１の実施の形態と同様である。

一方、本変形例では、浮上ステージ１１０ａが第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って複数の列部に分割されている。また、第１の供給源は、噴出孔１１６から噴出する気体を、列部ごとに異なる温度に制御可能である。

図１０及び図１１に示すように、浮上ステージ１１０ａは、複数の列部１１０ａ−１、１１０ａ−２、１１０ａ−３に分割され、列部ごとに、正圧マニホールドも分割して複数（１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ）設けられる。また、正圧マニホールドの数に対応して、第１の供給源は複数（１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ）設けられる。それぞれの第１の供給源は、ガス供給管１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを介してそれぞれの正圧マニホールドに接続されている。それぞれの第１の供給源１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃは、独立して温度制御可能な発熱素子１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃを備えており、ヒータ電源１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃによりそれぞれの正圧マニホールドに供給する気体である圧縮空気を常温より高く互いに異なる温度で供給することができる。

あるいは、複数の正圧マニホールド１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを１つの第１の供給源から分岐するガス供給管を介して接続し、列部ごとに正圧マニホールド又は浮上ステージの上部の温度を制御してもよい。そして、発熱素子を、列部ごとに正圧マニホールドあるいは浮上ステージの上部と熱的に結合するように設けてもよい。この場合、浮上ステージ、特にステージ面近傍の浮上ステージを加熱し、ステージ面（上面）の各噴出孔から噴き出す気体を列部ごとに異なる温度に制御した状態で供給することができる。

本変形例では、列部ごとに異なる温度で基板に気体を吹き付けることができる。従って、搬送路を横切る方向（Ｙ方向）に温度勾配が発生するおそれがあるときも、その温度勾配を打ち消すことができ、基板Ｇに形成されるレジスト塗布膜の膜厚のムラを更に防止することができる。
（第１の実施の形態の第２の変形例）
次に、図１２から図１４を参照し、本発明の第１の実施の形態の第２の変形例に係る基板処理装置について説明する。

本変形例に係る基板処理装置は、更に気流形成部が搬送路を横切る方向に沿って複数の列部に分割されている点で、第１の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理装置と相違する。

図１２は、本変形例に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。図１３は、図１２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図１４は、乾燥処理ユニットの気流形成部の別の構成の例を示す斜視図である。

本変形例でも、乾燥処理ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図３を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、乾燥処理ユニット４６ｂにおける、搬入駆動部１５０及び搬出駆動部１５２は、第１の実施の形態の第１の変形例と同様である。また、浮上ステージ１１０ａが、複数の列部１１０ａ−１、１１０ａ−２、１１０ａ−３に分割され、ステージ面（上面）１１１、正圧マニホールド１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを有している点は、第１の実施の形態の第１の変形例と同様である。また、浮上ステージ１１０ａが、負圧マニホールド１１３、第１の供給源１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ及び真空源１１５を有している点は、第１の実施の形態の第１の変形例と同様である。

一方、本変形例では、前述したように、気流形成部１３０ａが第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って複数の列部に分割されている。また、第２の供給源は、吐出口から吐出する気体を、列部ごとに異なる温度に制御可能である。

図１２及び図１３に示すように、気流形成部１３０ａは、複数の列部（１３０ａ−１、１３０ａ−２、１３０ａ−３）に分割され、列部ごとに、吐出口も分割して複数（１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃ）設けられる。また、吐出口の数に対応して、第２の供給源は複数（１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ）設けられる。それぞれの第２の供給源は、ガス供給管１３６ａ、１３６ｂ、１３６ｃを介して、それぞれの吐出口に接続されている。それぞれの第２の供給源は、独立して温度制御可能な発熱素子１３９ａ、１３９ｂ、１３９ｃを備えており、それぞれの吐出口に供給する気体を常温より高く互いに異なる温度で供給することができる。なお、図１３では排気部の図示を省略しているが、図１１に示す例と同様に排気部１３３が設けられている。

あるいは、複数の吐出口を１つの第２の供給源から分岐するガス供給管を介して接続し、列部ごとに吐出口近傍の温度を制御してもよい。例えば、発熱素子を、列部ごとに吐出口近傍と熱的に結合するように設けてもよい。この場合、吐出口近傍の気流形成部を加熱し、各吐出口から噴き出す気体を列部ごとに異なる温度に制御した状態で供給することができる。

本変形例では、第１の供給源及び第２の供給源を用いて基板Ｇの下方及び上方から列部ごとに異なる温度で気体を供給することができる。従って、搬送路を横切る方向（Ｙ方向）に温度勾配が発生するおそれがあるときも、その温度勾配を打ち消すことができ、搬送路を横切る方向（Ｙ方向）に沿った基板Ｇの反りを防止することができる。その結果、基板を搬送する際の基板の位置ずれや衝突・破損等のエラーが生じるのを防止できる。

なお、第１の実施の形態において図９を用いて説明したのと同様に、気流形成部は一体で設けられていなくてもよく、吐出口が形成された部分と、吸引口が形成された部分とが、分離して設けられていてもよい。吐出口が形成された部分と、吸引口が形成された部分とが、分離して設けられた例を図１４に示す。なお、図１４においても、図９と同様に、気流形成部及び基板以外の図示を省略している。

図１４に示すように、気流形成部３３０は、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って互いに対向して設けられた第１の気流形成部３３０ａ及び第２の気流形成部３３０ｂを有する。第１の気流形成部３３０ａは、搬送方向（Ｘ方向）に沿って第２の気流形成部３３０ｂの上流側に設けられている。第１の気流形成部３３０ａは、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って、複数の列部（３３０ａ−１、３３０ａ−２、３３０ａ−３）に分割されている。また、列部ごとに分割された複数（３３４ａ、３３４ｂ、３３４ｃ）の吐出口が、第２の気流形成部３３０ｂと対向する側（下流側）の側面３３１ａに形成されている。第２の気流形成部３３０ｂは、搬送方向（Ｘ方向）に沿って第１の気流形成部３３０ａの下流側に設けられている。第１の気流形成部３３０ａと対向する側（上流側）の側面３３１ｂには吸引口３３５が設けられている。吐出口３３４は、側面３３１ａに、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿ってスリット状に延びるように形成されている。吸引口３３５は、側面３３１ｂに、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿ってスリット状に延びるように形成されている。また、図１４に示すように、第１の搬送路３４に垂直な方向（Ｚ方向）に沿って複数の吐出口３３４ａ、３３４ｂ、３３４ｃ及び吸引口３３５が設けられていてもよい。また、第２の供給源１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃは、図１３に示す例と同様にすることができ、排気部１３３は、図１１に示す例と同様にすることができる。

このように、気流形成部を吐出口が形成された部分と、吸引口が形成された部分とに分離した場合でも、基板Ｇ上に、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って流れる気流を形成することができる。また、搬送路を横切る方向（Ｙ方向）の温度勾配を打ち消すことができ、基板Ｇの反りを防止することができる。
（第２の実施の形態）
次に、図１５から図１８を参照し、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置は、気流形成部を有していない点で、第１の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。

図１５及び図１６は、それぞれ本実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図及び側面図である。図１７は、図１５のＡ−Ａ線に伴った断面図である。図１８は、本実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す斜視図である。

本実施の形態でも、乾燥処理ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図３を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、乾燥処理ユニット４６ｃにおける、浮上ステージ１１０、搬入駆動部１５０及び搬出駆動部１５２は、第１の実施の形態と同様である。

一方、本実施の形態では、乾燥処理ユニット４６ｃは、気流形成部を有していない。例えば、噴出孔から噴出する気体の温度が常温よりあまり高くないときは、基板Ｇに発生する反りは少なくすることができる。基板Ｇに発生する反りが少ないときは、気流形成部を併用しなくても、乾燥して形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止できる。従って、乾燥して形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止しつつ、装置コストを低減させることができる。
（第２の実施の形態の変形例）
次に、図１９を参照し、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る基板処理装置について説明する。

本変形例に係る基板処理装置は、搬送路の搬送方向に沿った浮上ステージの長さ寸法が、搬送路の搬送方向に沿った基板の長さ寸法に略等しい点で、第２の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。

図１９は、本変形例に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図である。

本変形例でも、乾燥処理ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図３を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、乾燥処理ユニット４６ｄにおける、搬入駆動部１５０及び搬出駆動部１５２は、第２の実施の形態と同様である。また、浮上ステージ１１０ｂが、ステージ面（上面）１１１、正圧マニホールド１１２、負圧マニホールド１１３、第１の供給源１１４及び真空源１１５を有している点は、第２の実施の形態と同様である。また、浮上ステージ１１０ｂが、気流形成部を有していない点は、第２の実施の形態と同様である。

一方、本変形例に係る浮上ステージ１１０ｂは、前述したように、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って、基板Ｇの長さ寸法に略等しい長さ寸法を有している。また、浮上ステージ１１０ｂは、複数のサイドローラ１２２ａを回転駆動する回転駆動部１２３を有している。更に、浮上ステージ１１０ｂは、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って複数の列部に分割され、それぞれの列部が第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）に沿って複数の行部（１１０ａ−１１、１１０ａ−１２、１１０ａ−１３、１１０ａ−２１、１１０ａ−２２、１１０ａ−２３、１１０ａ−３１、１１０ａ−３２、１１０ａ−３３）に分割されている。すなわち、浮上ステージ１１０ｂは、平面視で縦横マトリクス状の各ブロックに分割されている。

また、第１の実施の形態の第１の変形例と同様に、正圧マニホールドは、ブロックごとに分割して複数設けられる。また、正圧マニホールドの数に対応して、第１の供給源も複数設けられる。各第１の供給源は、独立して温度制御可能な発熱素子を備えており、それぞれの正圧マニホールドに供給する気体である圧縮空気を常温より高く互いに異なる温度で供給することができる。

あるいは、複数の正圧マニホールドを１つの第１の供給源から分岐するガス供給管を介して接続し、ブロックごとに正圧マニホールド又は浮上ステージの上部の温度を制御してもよい。例えば、発熱素子を、ブロックごとに正圧マニホールドあるいは浮上ステージの上部と熱的に結合するように設けてもよい。この場合、浮上ステージ１１０ｂ、特にステージ面１１１近傍の浮上ステージを加熱し、ステージ面（上面）１１１の各噴出孔から噴き出す気体を列部ごとに異なる温度に制御した状態で供給することができる。

図１９に示すように、浮上ステージ１１０ｂのステージ面（上面）１１１は、基板Ｇ全体を十分カバーできる面積を有している。従って、基板Ｇを浮上ステージ１１０ｂの上に搬入するときは、搬入駆動部１５０と、回転駆動部１２３が回転駆動する複数のサイドローラ１２２ａとにより、基板Ｇを浮上ステージ１１０ｂの上に搬入駆動する。基板Ｇが浮上ステージ１１０ｂの上に搬入され、浮上ステージ１１０ｂの上で浮上している状態で、回転駆動部１２３の回転駆動を停止し、複数のサイドローラ１２２ａによる基板Ｇの搬送を一旦停止し、乾燥処理を行う。基板Ｇの乾燥処理を行った後、回転駆動部１２３の回転駆動を開始し、回転駆動部１２３が回転駆動する複数のサイドローラ１２２ａと、搬出駆動部１５２とにより、基板Ｇを浮上ステージ１１０ｂの上から搬出駆動する。

本変形例では、浮上ステージ上で一旦基板の搬送を停止し、ブロックごとに異なる温度で基板に気体を吹き付けることができる。そのため、第１の搬送路３４の搬送方向（Ｘ方向）及び第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）のいずれの方向に温度分布が発生するおそれがあるときも、その温度分布を打ち消すことができ、基板Ｇに形成されるレジスト塗布膜の膜厚のムラを更に均一化することができる。

なお、本変形例に係る基板処理方法をコントローラ２０１に実行させるための制御プログラムには、浮上ステージ１１０ｂの上で、基板Ｇの搬送を一旦停止する停止工程が含まれる。その他、乾燥処理ユニット４６に基板Ｇを搬入し（搬入工程）、乾燥処理を行い（乾燥処理工程）、搬出する（搬出工程）工程を含むのは、第１の実施の形態と同様である。

また、本変形例では、浮上ステージのステージ面が搬送路を横切る方向に沿って傾斜しており、浮上ステージの長さ寸法が、搬送方向に沿った基板の長さ寸法に略等しく、サイドローラを回転駆動する回転駆動部を有する場合において、浮上ステージ上で一旦基板の搬送を停止する例について説明した。しかしながら、浮上ステージのステージ面が傾斜しておらず、浮上ステージの長さ寸法が、搬送方向に沿った基板の長さ寸法に略等しくなく、又はサイドローラを回転駆動する回転駆動部を有しない場合において、浮上ステージ上で一旦基板の搬送を停止してもよい。

あるいは、後述する第３の実施の形態において、搬送路を横切る方向及び搬送方向に沿って、浮上ステージを複数の列部及び行部に分割し、噴出孔から噴出する気体をそれぞれの列部及び行部で異なる温度に制御可能とし、浮上ステージ上で一旦基板の搬送を停止してもよい。この際、更に、第１の実施の形態で説明した気流形成部を設けてもよい。
（第３の実施の形態）
次に、図２０から図２２を参照し、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置は、浮上ステージのステージ面が傾斜していない点で、第２の実施の形態に係る基板処理装置と相違する。

図２０及び図２１は、それぞれ本実施の形態に係る基板処理装置の乾燥処理ユニットの構成を示す平面図及び側面図である。図２２は、図２０のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

本実施の形態でも、乾燥処理ユニット以外の塗布現像処理システムの各処理部は、図１から図３を用いて説明した第１の実施の形態に係る塗布現像処理システムと同様にすることができる。また、乾燥処理ユニット４６ｅにおける、搬入駆動部１５０及び搬出駆動部１５２は、第２の実施の形態と同様である。また、浮上ステージ１１０ｃが、ステージ面（上面）１１１、正圧マニホールド１１２、負圧マニホールド１１３、第１の供給源１１４及び真空源１１５を有している点は、第２の実施の形態と同様である。また、浮上ステージ１１０ｃが、気流形成部を有していない点は、第２の実施の形態と同様である。

一方、本実施の形態では、浮上ステージ１１０ｃのステージ面（上面）１１１は、第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って傾斜しておらず、略水平である。また、浮上ステージ１１０ｃは、サイドローラを有していない。

例えば、浮上ステージ１１０ｃのステージ面１１１と基板Ｇの下面との間のギャップを小さくするときは、基板Ｇが第１の搬送路３４を横切る方向（Ｙ方向）に沿って位置ずれが発生せず、基板Ｇを搬送する際に基板Ｇが蛇行するのを防止できる。基板Ｇが蛇行するのを防止できるときは、ステージ面を傾斜させ、傾斜したステージ面の低い側に、複数のサイドローラを搬送路の搬送方向に沿って配列して設けなくても、基板Ｇを安定して搬送することができる。従って、乾燥して形成される塗布膜の膜厚のムラの発生を防止しつつ、装置コストを低減させることができる。

なお、本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した気流形成部を設けない例について説明した。しかしながら、気流形成部を設けてもよい。

以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 塗布現像処理システム
３４ 第１の搬送路
４６ 乾燥処理ユニット
１１０ 浮上ステージ
１１１ ステージ面
１１４ 第１の供給源
１１６ 噴出孔
１１７ 吸引孔
１２２ サイドローラ
１３０ 気流形成部
１３１ 下面
１３２ 第２の供給源
１３４ 吐出口
１３５ 吸引口
１５０ 搬入駆動部
１５２ 搬出駆動部

Claims (21)

1. 基板の被処理面を上に向けた状態で一方向に前記基板を搬送する搬送路と、
   前記搬送路の途中に設けられ、気体を噴出する多数の噴出孔が狭ピッチで形成されたステージ面を有し、前記被処理面に処理液が塗布処理された前記基板に前記噴出孔から噴出した気体を吹き付けることにより、前記基板を前記ステージ面の上で浮上させ、前記基板を乾燥処理する浮上ステージと、
   前記噴出孔から噴出する気体を常温より高い温度で前記噴出孔に供給する第１の供給源と、
   前記搬送路の搬送方向に沿って前記浮上ステージの上流側に設けられ、前記基板を前記浮上ステージに搬入駆動する搬入駆動部と、
   前記搬送路の搬送方向に沿って前記浮上ステージの下流側に設けられ、前記基板を前記浮上ステージから搬出駆動する搬出駆動部と
   を有する基板処理装置。
2. 前記浮上ステージの前記ステージ面は、前記搬送路を横切る方向に沿って傾斜しており、
   前記浮上ステージは、傾斜した前記ステージ面の低い側に、前記搬送路の搬送方向に沿って配列して設けられた複数のサイドローラを有する請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記搬送路の搬送方向に沿った前記浮上ステージの長さ寸法は、前記搬送路の搬送方向に沿った前記基板の長さ寸法に略等しく、
   前記浮上ステージは、前記複数のサイドローラを回転駆動する回転駆動部を有する請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記浮上ステージは、前記搬送路を横切る方向に沿って複数の列部に分割されており、
   前記第１の供給源は、前記噴出孔から噴出する気体を、それぞれの列部で異なる温度に制御可能である請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記複数の列部のそれぞれは、前記搬送路の搬送方向に沿って複数の行部に分割されており、
   前記第１の供給源は、前記噴出孔から噴出する気体を、それぞれの行部で異なる温度に制御可能である請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記浮上ステージの上で、前記基板の搬送を一旦停止する請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記ステージ面は、気体を吸い込む多数の吸引孔が狭ピッチで形成された請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記浮上ステージの上方に設けられ、気体を吐出する吐出口及び気体を吸い込む吸引口が形成された下面を有し、前記ステージ面の上で浮上した前記基板の上方に気流を形成する気流形成部を有する請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記吐出口から吐出する気体を常温より高い温度で前記吐出口に供給する第２の供給源を有する請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記吐出口は、前記搬送路を横切る方向に沿ってスリット状に形成されており、
    前記吸引口は、前記搬送路の搬送方向に沿って前記吐出口の下流側に、前記搬送路を横切る方向に沿ってスリット状に形成された請求項８又は請求項９に記載の基板処理装置。
11. 基板の被処理面を上に向けた状態で一方向に前記基板を搬送する搬送路と、前記搬送路の途中に設けられ、気体を噴出する多数の噴出孔が狭ピッチで形成されたステージ面を有する浮上ステージとを有する基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記搬送路の搬送方向に沿って前記浮上ステージの上流側に設けられた搬入駆動部により、前記被処理面に処理液が塗布処理された前記基板を前記浮上ステージに搬入駆動する搬入工程と、
    前記基板に前記噴出孔から噴出した常温より高い温度の気体を吹き付けることにより、前記基板を前記ステージ面の上で浮上させ、前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、
    前記搬送路の搬送方向に沿って前記浮上ステージの下流側に設けられた搬出駆動部により、前記基板を前記浮上ステージから搬出駆動する搬出工程と
    を有する基板処理方法。
12. 前記浮上ステージの前記ステージ面は、前記搬送路を横切る方向に沿って傾斜しており、
    前記浮上ステージは、傾斜した前記ステージ面の低い側に、前記搬送路の搬送方向に沿って配列して設けられた複数のサイドローラを有する請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記搬送路の搬送方向に沿った前記浮上ステージの長さ寸法は、前記搬送路の搬送方向に沿った前記基板の長さ寸法に略等しく、
    前記搬入工程において、回転駆動部が回転駆動する前記サイドローラにより前記基板を搬入駆動し、
    前記搬出工程において、前記回転駆動部が回転駆動する前記サイドローラにより前記基板を搬出駆動する請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記浮上ステージは、前記搬送路を横切る方向に沿って複数の列部に分割されており、
    前記乾燥処理工程において、前記噴出孔から噴出する気体を、それぞれの列部で異なる温度に制御可能である請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法。
15. 前記複数の列部のそれぞれは、前記搬送路の搬送方向に沿って複数の行部に分割されており、
    前記乾燥処理工程において、前記噴出孔から噴出する気体を、それぞれの行部で異なる温度に制御可能である請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記浮上ステージの上で、前記基板の搬送を一旦停止する停止工程を有する請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 前記ステージ面は、気体を吸い込む多数の吸引孔が狭ピッチで形成された請求項１１から請求項１６のいずれかに記載の基板処理方法。
18. 前記基板処理装置は、前記浮上ステージの上方に設けられ、気体を吐出する吐出口及び気体を吸い込む吸引口が形成された下面を有する気流形成部を有し、
    前記乾燥処理工程において、前記ステージ面の上で浮上した前記基板の上方に前記気流形成部により気流を形成する請求項１１から請求項１７のいずれかに記載の基板処理方法。
19. 前記乾燥処理工程において、前記吐出口から吐出する気体は、常温より高い温度である請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 前記吐出口は、前記搬送路を横切る方向に沿ってスリット状に形成されており、
    前記吸引口は、前記搬送路の搬送方向に沿って前記吐出口の下流側に、前記搬送路を横切る方向に沿ってスリット状に形成された請求項１８又は請求項１９に記載の基板処理方法。
21. コンピュータに請求項１１から請求項２０のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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