JP2012169556A - 遮光膜及びその製造方法、並びに固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子用の遮光膜であって、(A)黒色顔料を含む被分散体と分散剤と有機溶媒とを含み、該被分散体の90%以上が15nm以上30nm以下の粒径を有する顔料分散物、(B)重合性化合物、及び(C)重合開始剤を含有する感放射線性組成物を、該基板の受光素子を備えた面と、該受光素子を備えた面に立上がる立上壁の表面にスプレー塗布して形成された固体撮像素子用遮光膜。
【選択図】なし
Description
具体的には、光学濃度の向上等を目的として、特定のX線回折ピーク強度比を有するチタンブラックを含む感放射線性組成物(例えば、特許文献1〜2参照)や、特定の窒素濃度や特定の結晶子径を有するチタンブラックを含む感放射線性組成物(例えば、特許文献3〜5参照)が検討されている。
その理由は、固体撮像素子の基体であるシリコン基板が可視光に対し高い透過率を示すためであり、更に、固体撮像素子に備えられる撮像素子が可視光に高い感度を示すために、入射面のみならず側面からの反射光を抑制することが高解像度の達成において重要となっているためである。
また、固体撮像素子の形状が複雑化し、従来の平面、即ち、重力方向に対して水平な面のみならず、基板の側面など、水平面に対し角度を有する面にも遮光膜を形成し、可視光の遮光のみならず、反射も抑制してノイズをより低減することが要求されている。
即ち、本発明の目的は、平面上のみならず、角度を持った側壁面等にも容易に形成され、且つ、可視光の遮光と可視光の反射抑制が可能な遮光膜を提供することにある。
また、本発明の目的は、可視光の遮光と可視光の反射防止能に優れた遮光膜の製造方法、及び、得られた遮光膜を備えた、可視光の透過や反射によるノイズが低減された固体撮像素子を提供することである。
<1> 少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子用の遮光膜であって、(A)黒色顔料を含む被分散体と分散剤と有機溶媒とを含み、該被分散体の90%以上が15nm以上30nm以下の粒径を有する顔料分散物、(B)重合性化合物、及び(C)重合開始剤を含有する感放射線性組成物を、該基板の受光素子を備えた面と、該受光素子を備えた面に立上がる立上壁の表面にスプレー塗布して形成された固体撮像素子用遮光膜。
<2> 前記スプレー塗布の散布角度がスプレーノズルの吐出口に対し、20°以上160°以下である<1>に記載の固体撮像素子用遮光膜。
<3> 前記感放射線性組成物の25℃における粘度が2mPa・s以上50mPa・s以下である<1>又は<2>に記載の固体撮像素子用遮光膜。
<4> 表面粗さ(Ra)が10000Å以上70000Å以下である<1>〜<3>のいずれか1項に記載の固体撮像素子用遮光膜。
<5> 前記被分散体が、チタンブラックを含有する<1>〜<4>のいずれか1項に記載の固体撮像素子用遮光膜。
<6> 前記被分散体が、チタンブラックとSi原子とを含み、該被分散体中のSi原子とTi原子との含有比(Si/Ti)が0.20以上0.50以下である有する<1>〜<5>のいずれか1項に記載の固体撮像素子用遮光膜。
<8> 前記前記感放射線性層を露光する工程が、前記感放射線性層をパターン状に露光する工程であり、さらに、露光後に現像する工程を有する<7>に記載の固体撮像素子用遮光膜の製造方法。
<9> 少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子のシリコン基板及び立上壁の表面に、<1>〜<6>のいずれか1項に記載の固体撮像素子用遮光膜を有する固体撮像素子。
<10> 少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の前記撮像素子部が設けられた面に設けられ、前記撮像素子部の少なくとも1部が露出するようにパターニングされた<1>〜<6>のいずれか1項に記載の遮光膜と、前記撮像素子部を有する面の立上がる立上壁表面に設けられた<1>〜<6>のいずれか1項に記載の遮光膜と、を有する<9>に記載の固体撮像素子。
また、本発明によれば、赤外遮光能と赤外反射防止能に優れた遮光膜の製造方法、及び、得られた遮光膜を備えた、赤外光によるノイズが低減された固体撮像素子を提供することができる。
本発明の固体撮像素子用遮光膜は、少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子用の遮光膜であって、(A)黒色顔料を含む被分散体と分散剤と有機溶媒とを含み、該被分散体の90%以上が15nm以上30nm以下の粒径を有する顔料分散物、(B)重合性化合物、及び(C)重合開始剤を含有する感放射線性組成物を、該基板の受光素子を備えた面と、該受光素子を備えた面に立上がる立上壁の表面にスプレー塗布して形成されたことを特徴とする。
なお、スプレー塗布では、スプレー塗布時のノズル詰まりがないという観点からはスプレー塗布時の粘度は、15mPa・s以下であることが好ましく、また、水平面以外の面、例えば垂直面などにスプレーにより適用された場合、液だれがなく均一な塗膜を形成しうるという観点からは、粘度は4mPa・s以上であることが好ましい。
粘度は、例えば、感放射線性組成物に含まれるバインダーポリマーの種類や量、有機溶剤の種類や量、固形分の割合などを調整したり、増粘剤を添加したり、することで制御される。
本発明におけるスプレー塗布は、公知のスプレー塗布方法及び噴射装置を適用すればよい。
本発明において、「赤外」とは、700nm〜1200nmの波長領域を指し、「可視光」とは400nm〜800nmの波長領域を指す。
また、「赤外光あるいは可視光を遮光する」とは、前記した波長領域全域にわたり透過率が10%以下である状態を指す。また、「可視域の反射を防止する」とは、450nm付近の波長領域で、表面の反射率が1%以下である状態を指す。反射率は以下に示す方法で測定される。
本明細書中では、撮像素子部が設けられたシリコン基板を「固体撮像素子」や「固体撮像素子基板」ということがある。前記固体撮像素子には、更に、その他の要素(カラーフィルタ、マイクロレンズ等)が形成されていてもよい。
<(A)黒色顔料を含む被分散体と分散剤と有機溶媒とを含み、該被分散体の90%以上が15nm以上30nm以下の粒径を有する顔料分散物>
本発明における顔料分散物は、チタンブラック粒子などの黒色顔料を含む被分散体を含有する。
(a−1)黒色顔料
黒色顔料としては、広範な波長領域に吸収を有し、遮光膜の形成に有用な公知の黒色顔料であれば特に制限なく用いられる。本発明に好適に使用される黒色顔料は、以下の吸光度を示すものが好ましく挙げられる。
即ち、評価対象顔料を有機溶剤に分散させて調製した顔料分散物を、2.5μmの膜厚となるように、ガラス基板上に塗布して塗膜を形成し、その後、90℃120秒でプリベークを行い、有機溶剤を揮発させて、顔料含有塗膜膜(乾燥膜)を形成する。形成された膜の波長740nmにおける吸収を測定し、吸光度ABSを得る。
得られた膜のABSの値から顔料のみを2.5μm塗布した場合の計算上の吸光度ABS(r)を、顔料と分散剤の重量比率およびそれぞれの比重から顔料と分散剤の体積比率を計算することで算出し、顔料の吸光度ABS(r)の値が1.0以上となるものを、可視域の遮光性が本発明に係る遮光膜の形成に有用なレベルに到達しているものと考え、本発明における好適な黒色顔料とする。
このような黒色顔料としては、例えば、チタンブラック(ABS(r)=11.0)、カーボンブラック(ABS(r)=10.4、)、セシウム酸化タングステン(ABS(r)=1.1)などが挙げられ、チタンブラック粒子を含むことが好ましい。
本発明における顔料分散は、黒色顔料を含有する。該黒色顔料は、分散組成物中において被分散体として含有されるものであり、被分散体の90%以上が15nm以上30nm以下の粒径を有することを要する。
本発明における黒色顔料の好ましい態様としては、チタンブラック粒子が挙げられ、特に被分散体がチタンブラック粒子とSi原子を含み、該被分散体中のSi原子とTi原子との含有比が0.20以上0.5以下の範囲であることが好ましい。
ここで、本発明における「黒色顔料を含む被分散体」は、黒色顔料が一次粒子の状態であるもの、凝集体(二次粒子)の状態であるものの双方を包含する。
本発明における被分散体の粒径とは、被分散体の粒子直径を意味し、粒子直径とは、粒子の外表面の投影面積と等しい面積をもつ円の直径である。粒子の投影面積は、電子顕微鏡写真での撮影により得られた面積を測定し、撮影倍率を補正することにより得られる。
チタンブラック分散物又は感放射線性組成物を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAとも略称する。)により500倍に希釈し、カーボン薄膜上に滴下、乾燥させて投下型電子顕微鏡を用いて形態観察写真を撮影する。得られた写真から、粒子400個について外表面の投影面積を求め、この面積に相当する円の直径を算出し、度数分布を評価する。
製膜された基板の断面を、走査型電子顕微鏡((株)日立ハイテクノロジーズ製、S−3400N(商品名))及びエネルギー分散型X線分析装置(EDAX社製Genesis(商品名))により、形態観察写真及びTiとSiの元素マップを撮影する。得られた写真から、Ti元素が検出されている粒子400個について外表面の投影面積を求め、この面積に相当する円の直径を算出し、度数分布を評価する。
本発明においてチタンブラック粒子とは、チタン原子を有する黒色粒子であり、好ましくは低次酸化チタンや酸窒化チタン等の黒色粒子である。
本発明に適用されるチタンブラック粒子としては、一次粒径の小さいものであることが好ましい。
被分散体のSi/Tiを0.20以上0.50以下の範囲とするためには、以下のような手段を用いることができる。
例えば、酸化チタンとシリカ粒子とを、例えば、酸化チタン100gに対しシリカ粒子を12.5gの比で混合し、分散機を用いて分散することにより分散組成物を得て、この分散組成物を高温(例えば、850〜1000℃)にて還元処理することにより、チタンブラック粒子を主成分とし、SiとTiとを含有する被分散体を得ることができる。このときすでに還元処理済みのチタンブラックにシリカ粒子を混合するだけでは本発明の効果を奏するSiとTiとを含有する被分散体を得ることができない。
また、例えば、特開2008−266045公報の段落番号〔0005〕(6)及び同段落番号〔0016〕〜〔0021〕に記載の方法に類似の方法により作製することができる。
また、上記のような被分散体の粒径が30nm以下であるために、さらにスプレー塗布適性が向上する。また、この被分散体のSi原子が含まれる成分が増すことにより、被分散体と分散剤との相互作用が大きくなり、パターン成形した上面の現像液耐性が向上することによってパターン上面の表面荒れが低減するという利点をも有するものと推測している。
また、感放射線性組成物中の(a−1)黒色顔料の含有量は、分散物の全質量に対し、2.5質量%〜30質量%であることが好ましく、5質量%〜20質量%であることがさらに好ましい
(A)顔料分散物及び感放射線性組成物は(a−2)分散剤を含有する。
本発明における分散剤としては、高分子分散剤〔例えば、ポリアミドアミンとその塩、ポリカルボン酸とその塩、高分子量不飽和酸エステル、変性ポリウレタン、変性ポリエステル、変性ポリ(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル系共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物〕、及び、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルカノールアミン、顔料誘導体等を挙げることができる。
本発明における分散剤は、その構造から更に直鎖状高分子、末端変性型高分子、グラフト型高分子、及びブロック型高分子に分類することができる。
一方で、本発明における分散剤は被分散体の表面を改質することで、分散樹脂の吸着を促進させる効果を有する。
これらの分散剤は、単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
分散剤の酸価が200mgKOH/g以下であれば、遮光膜を形成する際の現像時におけるパターン剥離がより効果的に抑えられる。また、分散剤の酸価が5.0mgKOH/g以上であればアルカリ現像性がより良好となる。また、分散剤の酸価が60mgKOH/g以上であれば、チタンブラック粒子の沈降をより抑制でき、粗大粒子数をより少なくすることができ、チタンブラック分散物又は感放射線性組成物の経時安定性をより向上できる。
本発明においては、分散剤として、グラフト共重合体(以下、「特定樹脂」ともいう)を用いることも好ましい。分散剤としてグラフト共重合体を用いることで、分散性及び保存安定性をより向上させることができる。
この特定樹脂は、チタンブラック粒子に分散性を付与しうる分散樹脂であり、優れた分散性と、グラフト鎖による溶媒との親和性を有するために、チタンブラック粒子の分散性、及び経時後の分散安定性に優れる。また、感放射線性組成物としたとき、グラフト鎖の存在により重合性化合物又はその他の併用可能な樹脂などとの親和性を有するので、アルカリ現像で残渣を生じにくくなる。
従って、前記グラフト共重合体に、アルカリ可溶性の部分構造を導入することで、(A)顔料分散物は、チタンブラック粒子の分散に不可欠の分散樹脂自体がアルカリ可溶性を有することになる。このようなチタンブラック分散物を含有する感放射線性組成物は、露光部の遮光性に優れたものとなり、且つ、未露光部のアルカリ現像性が向上される。
式(1)〜式(4)において、X1、X2、X3、X4、及びX5は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の有機基を表す。X1、X2、X3、X4、及びX5としては、合成上の制約の観点からは、好ましくはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜12のアルキル基であり、それぞれ独立に水素原子又はメチル基であることがより好ましく、メチル基が特に好ましい。
式(3)において、pが2〜500のとき、グラフト共重合体中に複数存在するR3は互いに同じであっても異なっていてもよい。式(4)において、qが2〜500のとき、グラフト共重合体中に複数存在するX5及びR4は互いに同じであっても異なっていてもよい。
また、式(1)及び式(2)において、j及びkは、それぞれ独立に、2〜8の整数を表す。式(1)及び式(2)におけるj及びkは、分散安定性、現像性の観点から、4〜6の整数が好ましく、5が最も好ましい。
式(4)中、R4は水素原子又は1価の有機基を表し、この1価の有機基としては特に構造上限定はされない。R4として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基が挙げられ、更に好ましくは、水素原子、又はアルキル基である。該R4がアルキル基である場合、該アルキル基としては、炭素数1〜20の直鎖状アルキル基、炭素数3〜20の分岐状アルキル基、又は炭素数5〜20の環状アルキル基が好ましく、炭素数1〜20の直鎖状アルキル基がより好ましく、炭素数1〜6の直鎖状アルキル基が特に好ましい。
式(4)中、R5は水素原子又は1価の有機基を表し、この1価の有機基としては特に構造上限定はされない。R5として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基が挙げられ、更に好ましくは、水素原子、又はアルキル基である。該R5がアルキル基である場合、該アルキル基としては、炭素数1〜20の直鎖状アルキル基、炭素数3〜20の分岐状アルキル基、又は炭素数5〜20の環状アルキル基が好ましく、炭素数1〜20の直鎖状アルキル基がより好ましく、炭素数1〜6の直鎖状アルキル基が特に好ましい。
また、特定樹脂においては、2種以上の構造が異なるグラフト部位を含有することができる。
また、前記式(2)で表される構造単位としては、分散安定性、現像性の観点から、下記式(2A)で表される構造単位であることがより好ましい。
式(2A)中、X2、Y2、Z2及びmは、前記式(2)におけるX2、Y2、Z2及びmと同義であり、好ましい範囲も同様である。
また、前記式(3)で表される構造単位としては、分散安定性、現像性の観点から、下記式(3A)又は式(3B)で表される構造単位であることがより好ましい。
特定樹脂としては、前記式(1A)で表される構造単位を有するものであることがより好ましい。
このチタンブラック粒子と相互作用を形成しうる官能基としては、例えば、酸基、塩基性基、配位性基、反応性を有する官能基等があげられ、特定樹脂には、酸基を有する構造単位、塩基性基を有する構造単位、配位性基を有する構造単位、反応性を有する構造単位を用いて導入される。
また、このような酸基を導入することで、特定樹脂のアルカリ現像性を向上させるという利点をも有する。
特定樹脂に共重合成分として導入されうる酸基を有する構造単位の好適な含有量は、0.1モル%以上50モル%以下であり、特に好ましくは、アルカリ現像による画像強度のダメージ抑制という観点から、1モル%以上30モル%以下である。
特定樹脂に共重合成分として導入される場合、塩基性基を有する構造単位の好適な含有量は、特定樹脂における全構造単位に対し、0.01モル%以上50モル%以下であり、特に好ましくは、現像性阻害抑制という観点から、0.01モル%以上30モル%以下である。
特定樹脂共重合成分として導入されうる塩基性基を有する構造単位又は反応性を有する構造単位の好適な含有量は、特定樹脂における全構造単位に対し、0.5モル%以上50モル%以下であり、特に好ましくは、現像性阻害抑制という観点から、1モル%以上30モル%以下である。
R1、R2、及びR3は、より好ましくは、それぞれ独立に水素原子、又は炭素原子数が1〜3のアルキル基であり、最も好ましくは、それぞれ独立に水素原子又はメチル基である。R2及びR3は、それぞれ水素原子であることが特に好ましい。
Xは、酸素原子(−O−)又はイミノ基(−NH−)を表し、酸素原子であることが好ましい。
R4、R5、及びR6としては、それぞれ独立に水素原子、又は炭素数が1〜3のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
該単量体の例としては、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物(例えば、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル)とコハク酸無水物の反応物、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物とフタル酸無水物の反応物、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物とテトラヒドロキシフタル酸無水物の反応物、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物と無水トリメリット酸の反応物、分子内に付加重合性二重結合と水酸基を有する化合物とピロメリット酸無水物の反応物、アクリル酸、アクリル酸ダイマー、アクリル酸オリゴマー、マレイン酸、イタコン酸、フマル酸、4−ビニル安息香酸、ビニルフェノール、4−ヒドロキシフェニルメタクリルアミドなどが挙げられる。
また、感放射線性組成物における分散剤の含有量としては、被分散体(チタンブラック粒子からなる被分散体及び他の着色剤を含む)の全固形分質量に対して、1質量%〜90質量%が好ましく、3質量%〜70質量%がより好ましい。
本発明に用いられる(A)顔料分散物は、(a−3)有機溶媒を含有する。
有機溶媒の例としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、酢酸エチル、エチレンジクロライド、テトラヒドロフラン、トルエン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、3−メトキシプロパノール、メトキシメトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピルアセテート、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどが挙げられるが、これらに限定されない。
有機溶媒を2種以上組み合わせて用いる場合、特に好ましくは、上記の3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから選択される2種以上で構成される混合溶液である。
チタンブラック分散物に含まれる有機溶媒の量としては、該分散物の全量に対し、10質量%〜80質量%であることが好ましく、20質量%〜70質量%であることがより好ましく、30質量%〜65質量%であることが更に好ましい。
また、感放射線性組成物に含まれる有機溶媒の量としては、該組成物の全量に対し、10質量%〜90質量%であることが好ましく、20質量%〜80質量%であることがより好ましく、25質量%〜75質量%であることが更に好ましい。
本発明の遮光膜形成に用いられる感放射線性組成物は、重合性化合物を含有する。
重合性化合物としては、少なくとも1個の付加重合可能なエチレン性不飽和基を有し、沸点が常圧で100℃以上である化合物であることが好ましい。
更に、日本接着協会誌Vol.20、No.7、300〜308頁に光硬化性モノマー及びオリゴマーとして紹介されているものも使用できる。
本発明に用いられる重合性化合物としては、4官能以上のアクリレート化合物がより好ましい。
2種以上の光重合性化合物を組み合わせて用いる場合、その組み合わせ態様は、感光性組成物に要求される物性等に応じて適宜設定することができる。光重合性化合物の好適な組み合わせ態様の一つとしては、例えば、前掲した多官能のアクリレート化合物から選択した2種以上の重合性化合物を組み合わせる態様が挙げられ、その一例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート及びペンタエリスリトールトリアクリレートの組み合わせが挙げられる。
重合性化合物の感光性樹脂成物中における含有量としては、質量換算で、全固形分100部に対して、3部〜55部が好ましく、より好ましくは10部〜50部である。
本発明に係る感光性樹脂性組成物は、重合開始剤を含有する。
光重合開始剤は、光や熱により分解し、前述した重合性化合物の重合を開始、促進する化合物であり、波長300〜500nmの領域の光に対して吸収を有するものであることが好ましい。
より具体的な例としては、例えば、特開2006−78749号公報の段落番号[0081]〜[0100]、[0101]〜[0139]等に記載される重合開始剤が挙げられる。
前記重合開始剤としては、オキシムエステル化合物が特に好ましい。
本発明に係る感放射線性組成物には、(A)顔料分散物、(B)重合性化合物、及び(C)重合開始剤に加え、目的に応じて種々の添加剤を含むことができる。
感放射線性組成物においては、皮膜特性向上などの目的で、必要に応じて、更にバインダーポリマーを使用することができる。
バインダーポリマーとしては、線状有機ポリマーを用いることが好ましい。このような「線状有機ポリマー」としては、公知のものを任意に使用できる。好ましくは水現像或いは弱アルカリ水現像を可能とするために、水或いは弱アルカリ水に可溶性又は膨潤性である線状有機ポリマーが選択される。線状有機ポリマーは、皮膜形成剤としてだけでなく、水、弱アルカリ水或いは有機溶剤現像剤としての用途に応じて選択使用される。
また、同様に側鎖にカルボン酸基を有する酸性セルロース誘導体も例として挙げられる。この他に水酸基を有する重合体に環状酸無水物を付加させたものなどが有用である。
また、バインダーポリマーを合成する際に用いられるラジカル重合開始剤の例としては、アゾ系開始剤、過酸化物開始剤等公知の化合物が挙げられる。
側鎖に二重結合を有するアルカリ可溶性バインダーポリマーは、その構造中に、樹脂がアルカリ可溶となるための酸基と、少なくとも1つの不飽和二重結合を有することで、非画像部除去性などの諸性能を向上させる。このような部分構造を有するバインダー樹脂は、特開2003−262958号公報に詳細に記載され、ここに記載の化合物を本発明にも使用することができる。
本発明では、所望の遮光性を発現させるべく、公知の有機顔料や染料などの無機顔料以外の着色剤を併用することが可能である。
C.I.Pigment Orange 36,38,62,64,
C.I.Pigment Red 122,150,171,175,177,209,224,242,254、255
C.I.Pigment Violet 19,23,29、32,
C.I.Pigment Blue 15:1,15:3,15:6,16,22,60,66,
C.I.Pigment Green 7,36,37、58
C.I.Pigment Black 1
感放射線性組成物には、重合開始剤のラジカル発生効率の向上、感光波長の長波長化の目的で、増感剤を含有していてもよい。
増感剤としては、用いられる重合開始剤を、電子移動機構又はエネルギー移動機構で増感させるものが好ましい。
増感剤の好ましい例としては、特開2008−214395号公報の段落番号〔0085〕〜〔0098〕に記載された化合物を挙げることができる。
増感剤の含有量は、感度と保存安定性の観点から、感放射線性組成物の全固形分に対し、0.1〜30質量%の範囲内であることが好ましく、1〜20質量%の範囲内であることがより好ましく、2〜15質量%の範囲内であることが更に好ましい。
本発明に係る感放射線性組成物には、該組成物の製造中或いは保存中において、重合性化合物の不要な熱重合を阻止するために少量の重合禁止剤を含有することが望ましい。重合禁止剤としては、公知の熱重合防止剤を用いることができ、具体的には、ハイドロキノン、p−メトキシフェノール、ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ピロガロール、t−ブチルカテコール、ベンゾキノン、4,4’−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、N−ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩等が挙げられる。
熱重合防止剤の含有量は、感放射線性組成物の全固形分に対し、約0.01〜約5質量%が好ましい。
本発明に係る感放射線性組成物には、支持体などの硬質表面との密着性を向上させるために、密着向上剤を含有することができる。密着向上剤の例としては、シラン系カップリング剤、チタンカップリング剤等が挙げられる。
本発明に係る感放射線性組成物は、塗布性をより向上させる観点から、各種の界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
即ち、フッ素系界面活性剤を含有する感放射線性組成物を適用した塗布液を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μm程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。
界面活性剤の含有量は、本発明に係る感放射線性組成物の全質量に対して、0.001質量%〜2.0質量%が好ましく、より好ましくは0.005質量%〜1.0質量%である。
更に、感放射線性組成物は、増感色素や開始剤の活性放射線に対する感度を一層向上させる、あるいは酸素による光重合性化合物の重合阻害を抑制する等の目的で共増感剤を含有してもよい。また、硬化皮膜の物性を改良するために、希釈剤、可塑剤、感脂化剤等の公知の添加剤を必要に応じて加えてもよい。
(A)顔料分散物の調製態様は、特に制限されないが、例えばチタンブラック粒子、分散剤、及び有機溶剤を、攪拌機、ホモジナイザー、高圧乳化装置、湿式粉砕機、湿式分散機、等を用いて分散処理を行なうことにより調製することができるが、その方法はこれらに限定されない。
分散処理は、2回以上の分散処理(多段分散)により行ってもよい。
本発明に係る感放射線性組成物の調製態様についても特に特に制限されないが、例えば、前記(A)顔料分散物、(B)重合開始剤、(C)重合性化合物、及び、所望により併用される各種添加剤を混合し調製することができる。
なお、本発明に係る感放射線性組成物の調製に際しては、異物の除去や欠陥の低減などの目的で、各成分を混合した後、フィルタにより濾過することが好ましい。フィルタは、従来、ろ過用途等に用いられているものが特に限定されることなく用いられる。具体的には、例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等のフッ素樹脂、ナイロン−6、ナイロン−6,6等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン樹脂(高密度、超高分子量を含む)等によるフィルタが挙げられる。これらフィルタ素材の中でも、ナイロン−6、ナイロン−6,6等のポリアミド系樹脂、ポリプロピレン(高密度ポリプロピレンを含む)が好ましい。
フィルタの孔径は、0.01〜7.0μm程度が適しており、好ましくは0.01〜2.5μm程度、さらに好ましくは0.01〜2.0μm程度である。この範囲とすることにより、後工程において均一な感放射線性組成物の調製を阻害する、微細な異物が確実に除去され、均一及び平滑な感放射線性組成物層の形成が可能となる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。その際、第1のフィルタを用いたフィルタリングは、1回のみでもよいし、2回以上行ってもよい。また、上述した範囲内で異なる孔径のフィルタを組み合わせて、第1のフィルタを複数のフィルタからなるものとして、第1回目のフィルタリングとしてもよい。ここでいう孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社(旧日本マイクロリス株式会社)又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
第2のフィルタは、上述した第1のフィルタと同様の材料等で形成されたものを使用することができる。
また、例えば、第1のフィルタでのフィルタリングは、顔料分散物のみにたいして行い、該顔料分散物に他の成分を混合して感放射線性組成物とした後に、第2のフィルタリングを行ってもよい。
固体撮像素子の中でも、後述する構造Kに係る固体撮像素子の構造は、前記裏面側から入射される赤外光を遮光する必要性、及び、金属電極上の現像残渣を低減する必要性が強い構造である。
このため、赤外遮光能向上及び残渣物低減の効果を有する(A)顔料分散物及び感放射線性組成物は、後述する構造Kに係る固体撮像素子の遮光膜の形成に特に好適である。
本発明の遮光膜は、前記本発明に係る感放射線性組成物をスプレー塗布することで形成されたものである。スプレー塗布及び乾燥後の遮光膜は、JIS B 0601−1994に準拠して測定した表面粗さ(Ra)が10000Å以上70000Å以下であることが好ましく、より好ましくは、30000Å以上60000Å以下である。
本発明においては、表面粗さ(Ra)は、ULVAC製 Dektak 6M(接触式表面形状測定器)を使用して、測定を行った値を用いている。
このような表面粗さを有することで本発明の遮光膜は赤外遮光能及のみならず赤外反射防止能にも優れる。
また、本発明の遮光膜をパターン状に形成した場合、その周辺(シリコン基板上の該遮光膜が形成されていない領域)では、残渣物が低減される。
光学濃度(OD)は、(株)島津製作所製UV-3600を用い、得られた膜の透過率測定を行ない、得られた透過率(%T)を下記式Bにより変換しOD値とする。
OD値=−Log(%T/100) … 式B
本発明では、波長λnmにおける光学濃度を「ODλ」で表す。
可視域と赤外域との遮光能のバランスの観点、及び本発明の効果をより効果的に得る観点より、遮光膜の光学濃度としては以下の条件が好適である。即ち、
前記〔OD1200/OD365〕は、1.0以上2.5以下がより好ましく、1.3以上2.0以下が特に好ましい。
前記遮光膜の波長1200nmにおける光学濃度(OD1200)は、1.5〜10であることが好ましく、2〜10であることがより好ましい。
前記遮光膜の波長365nmにおける光学濃度(OD365)は、1〜7であることが好ましく、2〜6であることがより好ましい。
前記遮光膜の、900nm〜1300nmの波長領域における光学濃度は、2以上10以下であることが好ましく、2以上9以下であることがより好ましく、2以上8以下であることが特に好ましい。
前記遮光膜の比〔OD900/OD365〕は、1.0以上2.5以下であることが好ましく、1.1以上2.5以下であることがより好ましい。
前記遮光膜の比〔OD1100/OD365〕は、0.6以上2.5以下であることが好ましく、0.7以上2.5以下であることがより好ましい。
前記遮光膜の比〔OD1300/OD365〕は、0.4以上2.3以下であることが好ましく、0.5以上2.0以下であることがより好ましい。
遮光膜の反射防止能は、反射率により評価される。
本発明においては、日立ハイテクノロジー製分光光度計、U−4100にて、波長450nmの可視域で、入射角度5度にて表面反射率を測定した(反射率は%にて表す)。反射率が低いほど反射防止能に優れると判断する。
本発明の如き固体撮像素子用途の場合には、4%以下の表面反射率ならば実用上問題のないレベルであると判断される。
本発明の遮光膜の製造方法は、一方の面に撮像素子部を有し、且つ、立上壁(側壁)を有するシリコン基板の、撮像素子部形成面に既述の本発明に係る感放射線性組成物をスプレー塗布して、当該面の(底面)表面と立上壁表面とに、感放射線性層を形成する工程(以下、「感放射線性層形成工程」ともいう。)と、前記感放射線性層を露光する工程(以下、「露光工程」ともいう。)と、を含むものである。なお、撮像素子部を含む全面に、まず感放射線性層を形成し、遮光膜が必要な領域のみを残してその他の領域は遮光膜を形成しない場合には、前記露光工程においてパターン状の露光を行い、その後、露光後の前記感放射線性層を現像してパターンを形成する工程(以下、「現像工程」ともいう。)をおこなってもよい。例えば、立上壁には遮光膜を全面に形成し、底面は撮像素子部を除いた領域に遮光膜を形成する場合でも、それに応じた露光により、底面と側面のように角度の違う面に、感放射線性層を一工程で形成しうる。
本発明の遮光膜の製造方法によれば、可視光の遮光能と可視光の反射防止とに優れた遮光膜を、互いに角度の異なる2つの表面に一工程で簡易に塗膜(感放射線性層)を形成することができ、さらに該遮光膜をパターン状に形成する際、該遮光膜の形成領域外における残渣物(以下、「現像残渣」ともいう)を低減できるという効果をも有する。
以下、本発明の遮光膜の製造方法における各工程を説明する。
感放射線性層形成工程では、シリコン基板上に、本発明に係る感放射線性組成物をスプレー塗布して感放射線性層を形成する。
感放射線性組成物の塗布膜厚(乾燥膜厚)としては、解像度と現像性の観点から、0.35μm〜3.0μmであることが好ましく、0.50μm〜2.5μmであることがより好ましい。
露光工程では、前記感放射線性層形成工程で形成された感放射線性層を、必要に応じて、例えばマスクを介して、パターン状に露光して硬化させる(マスクを介して露光する場合には、光照射された塗布膜部分だけを硬化させる)。また、側壁などにおいて、全面に遮光膜を形成する場合には、感放射線性層の全面に露光を行ってもよい。
前記露光工程に引き続いて、露光後の感放射線性層を例えばアルカリ現像処理により現像してパターンを形成する。現像工程では、露光工程における感放射線性層の非照射部分をアルカリ水溶液等に溶出させることにより、光照射部分だけを残す。全面露光を行った場合には、現像工程を省略してもよい。
本発明の固体撮像素子は、前記本発明の遮光膜を有して構成される。
即ち、本発明の固体撮像素子は、本発明に係る感放射線性組成物を用いて形成された遮光膜を備えるため、撮像素子部が設けられた面の反対側の面からシリコン基板(固体撮像素子の基体)に入射される赤外光によるノイズや、残渣物によるノイズが低減される。
本発明の固体撮像素子の構造は、シリコン基板の一方の面に撮像素子部(詳しくは、複数の撮像素子が例えばマトリクス状に配列されて構成された撮像素子部)が設けられ、該シリコン基板の他方の面に前記本発明の遮光膜が設けられた構造であれば特に限定はない。
また、撮像素子は、CCDであってもCMOSであってもよい。
即ち、本発明の固体撮像素子の好適な一構造(本明細書中構造Kとも称する)は、一方の面(以下、「第1の主面」ともいう)に撮像素子部を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の他方の面(以下、「第2の主面」ともいう)に設けられ、前記撮像素子部と電気的に接続された金属電極と、前記シリコン基板の前記金属電極が設けられた面に設けられ、前記金属電極の少なくとも1部が露出するようにパターニングされた前記本発明の遮光膜と、を有する固体撮像素子である。
従来より固体撮像素子は、ワイヤボンディング方式により回路基板に接続されてきた。 詳細には、固体撮像素子を回路基板の上に配置し、前記シリコン基板の撮像素子部側の面に設けられた接続用電極と、回路基板上の接続用電極と、をワイヤにより接続していた。このワイヤボンディング方式を採用する構造は、ボンディング領域の面積が大きくなり、カメラモジュールの小型化が難しい構造である。
上記構造Kの固体撮像素子と前記回路基板との接続は、前記固体撮像素子と前記回路基板とを、前記金属電極と回路基板上の接続用電極とが対向する向きに配置し、接続材料により前記金属電極と前記接続用電極とを接続することにより行われる(例えば、後述する図2及び図3参照)。
上記構造Kの固体撮像素子のように、(ワイヤを用いず)裏面側の金属電極により回路基板と接続される固体撮像素子を用いることで、ワイヤボンディングスペースを省略できるので、カメラモジュールの大幅な小型化が可能となる(例えば、”株式会社東芝ニュースリリース「携帯電話用CMOSカメラモジュール内製化によるCMOSイメージセンサ事業の強化について」”、[online]、平成19年10月1日、[平成21年11月12日検索]、インターネット<URL:http://www.toshiba.co.jp/about/press/2007_10/pr_j0102.htm>、参照)。
即ち、前記構造Kは、前記金属電極が形成された第2の主面上に設けられ、前記金属電極の少なくとも1部を露出するようにパターニングされた保護絶縁層を有する形態であってもよい。
なお、図2及び図3にわたり、共通する部分には共通する符号を付す。
また、説明に際し、「上」、「上方」及び「上側」は、シリコン基板10からみて遠い側を指し、「下」、「下方」及び「下側」は、はシリコン基板10に近い側を指す。
図2に示すカメラモジュール200は、実装基板である回路基板70に接続部材であるハンダボール60を介して接続されている。
詳細には、カメラモジュール200は、シリコン基板の第1の主面に撮像素子部を備えた固体撮像素子基板100と、固体撮像素子基板100の第1の主面側上方に配置されるガラス基板30(光透過性基板)と、ガラス基板30の上方に配置される赤外線カットフィルタ42と、ガラス基板30及び赤外線カットフィルタ42の上方に配置され内部空間に撮像レンズ40を有するレンズホルダー50と、固体撮像素子基板100及びガラス基板30の周囲を囲うように配置された遮光兼電磁シールド44と、を備えて構成されている。各部材は、接着剤20、41、43、45により接着されている。
カメラモジュール200では、外部からの入射光hνが、撮像レンズ40、赤外線カットフィルタ42、ガラス基板30を順次透過した後、固体撮像素子基板100の撮像素子部に到達するようになっている。
遮光膜18は既述のように、レンズホルダー50に撮像レンズ40をセットする前にレンズホルダー50の表面に形成するが、スプレー塗布適性に優れるため、下方の赤外線カットフィルタ42との界面、レンズホルダー50の側面、及び、上方の撮像レンズ40周縁部の3つの面に、一工程にて塗布することができる。なお、下方の赤外線カットフィルタ42との界面や上方の撮像レンズ40との界面などにおいて所望されない領域に感放射線層が形成された場合には、パターン露光により遮光膜18の形成が必要とされる領域のみを硬化させ、その他の領域は現像除去すればよい。
カメラモジュール200は、固体撮像素子基板100の第2の主面側で、ハンダボール60(接続材料)を介して回路基板70に接続されている。
固体撮像素子基板100は、基体であるシリコン基板10、撮像素子12、層間絶縁膜13、ベース層14、カラーフィルタ15R、カラーフィルタ15G、カラーフィルタ15B、オーバーコート16、マイクロレンズ17、絶縁膜22、金属電極23、ソルダーレジスト層24、内部電極26、及び素子面電極27を備えて構成されている。
但し、ソルダーレジスト層24は省略されていてもよい。
図2に示すように、固体撮像素子基板100の基体であるシリコン基板10の第1の主面側に、CCDやCMOS等の撮像素子12が2次元に複数配列された撮像素子部が設けられている。
撮像素子部における撮像素子12上には層間絶縁膜13が形成されており、層間絶縁膜13上にはベース層14が形成されている。更にベース層14上には、撮像素子12に対応するように、赤色のカラーフィルタ15R、緑色のカラーフィルタ15G、青色のカラーフィルタ15B(以下、これらをまとめて「カラーフィルタ15」ということがある)がそれぞれ配置されている。
赤色のカラーフィルタ15R、緑色のカラーフィルタ15G、青色のカラーフィルタ15Bの境界部、及び撮像素子部の周辺には、図示しない遮光膜が設けられていてもよい。この遮光膜は、例えば、公知のブラックのカラーレジストを用いて作製できる。
カラーフィルタ15上にはオーバーコート16が形成され、オーバーコート16上には撮像素子12(カラーフィルタ15)に対応するようにマイクロレンズ17が形成されている。
さらに、内部電極26上には、層間絶縁膜13を介して素子面電極27が形成されている。内部電極26と素子面電極27間の層間絶縁膜13内には、これら電極間を電気的に接続するコンタクトプラグ(不図示)が形成されている。素子面電極27は、コンタクトプラグ、内部電極26を介して電圧の印加及び信号の読み出しなどに使用される。
素子面電極27上には、ベース層14が形成されている。ベース層14上にはオーバーコート16が形成されている。素子面電極27上に形成されたベース層14及びオーバーコート16が開口されて、パッド開口部が形成され、素子面電極27の一部が露出している。
固体撮像素子基板100の第1の主面側において、撮像素子部の周辺には接着剤20が設けられ、この接着剤20を介し、固体撮像素子基板100とガラス基板30とが接着される。
該第2の主面側には、第2の主面上から貫通孔の内壁にわたり絶縁膜22が形成されている。
絶縁膜22上には、シリコン基板10の第2の主面上の領域から貫通孔の内部に至るようにパターニングされた金属電極23が設けられている。金属電極23は、固体撮像素子基板100中の撮像素子部と回路基板70との接続用の電極である。
前記貫通電極は、この金属電極23のうち、貫通孔の内部に形成された部分である。貫通電極は、シリコン基板10及び層間絶縁膜の一部を貫通して内部電極26の下側に至り、該内部電極26に電気的に接続されている。
露出された金属電極23上には、接続部材としてのハンダボール60が設けられ、このハンダボール60を介し、固体撮像素子基板100の金属電極23と、回路基板70の不図示の接続用電極と、が電気的に接続される。
遮光膜18の形成は、既述の本発明の遮光膜の製造方法によって形成できる。
層間絶縁膜13は、例えば、スパッタやCVD(Chemical vapor deposition)等によりSiO2膜またはSiN膜として形成する。
カラーフィルタ15(15R、15G、15B)は、例えば、公知のカラーレジストを用い、フォトリソグラフィーにより形成する。
オーバーコート16及びベース層14は、例えば、公知の有機層間膜形成用レジストを用い、フォトリソグラフィーにより形成する。
マイクロレンズ17は、例えば、スチレン系樹脂等を用い、フォトリソグラフィー等により形成する。
ソルダーレジスト層24は、例えばフェノール系樹脂、あるいはポリイミド系樹脂、アミン系樹脂を含む公知のソルダーレジストを用い、フォトリソグラフィーにより形成する。
ハンダボール60は、例えば、Sn−Pb(共晶)、95Pb−Sn(高鉛高融点半田)、Pbフリー半田として、Sn−Ag、Sn−Cu、Sn−Ag−Cuなどを用いて形成する。ハンダボール60は、例えば、直径100μm〜1000μm(好ましくは直径150μm〜700μm)の球状に形成する。
内部電極26及び素子面電極27は、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)、またはフォトリソグラフィー及びエッチングにより、Cu等の金属電極として形成する。
金属電極23は、例えば、スパッタ、フォトリソグラフィー、エッチング、及び電解めっきにより、Cu、Au、Al、Ni、W、Pt、Mo、Cu化合物、W化合物、Mo化合物等の金属電極として形成する。金属電極23は、単層構成でも2層以上からなる積層構成であってもよい。
金属電極23の膜厚は、例えば、0.1μm〜20μm(好ましくは0.1μm〜10μm)とする。
シリコン基板10としては特に限定されないが、基板裏面を削ることによって薄くしたシリコン基板を用いることができる。基板の厚さは限定されないが、例えば、厚み20〜200μm(好ましくは30〜150μm)のシリコンウエハを用いる。
シリコン基板10の貫通孔は、例えば、フォトリソグラフィー及びRIE(Reactive Ion Etching)により形成する。
粒径15nmの酸化チタンMT−150A(商品名:テイカ(株)製)を100g、BET表面積300m2/gのシリカ粒子AEROPERL(登録商標)300/30(エボニック製)を25g、及び、Disperbyk190(商品名:ビックケミー社製)を100g秤量し、イオン電気交換水71gを加えてKURABO製MAZERSTAR KK−400Wを使用して、公転回転数1360rpm、自転回転数1047rpmにて20分間処理することにより均一な混合物水溶液を得た。この水溶液を石英容器に充填し、小型ロータリーキルン(株式会社モトヤマ製)を用いて酸素雰囲気中で920℃に加熱した後、窒素で雰囲気を置換し、同温度でアンモニアガスを100mL/minで5時間流すことにより窒化還元処理を実施した。終了後回収した粉末を乳鉢で粉砕し、粉末状のSi原子を含むチタンブラックA(被分散体)を得た。
また、チタンブラックAの作製にて使用したシリカ粒子AEROPERLを、それぞれ12.5g、10g、5gとすることにより、それぞれチタンブラックB、チタンブラックC、チタンブラックXを得た。
500mL三口フラスコに、ε−カプロラクトン600.0g、2−エチル−1−ヘキサノール22.8gを導入し、窒素を吹き込みながら、攪拌溶解した。モノブチル錫オキシド0.1gを加え、100℃に加熱した。8時間後、ガスクロマトグラフィーにて原料が消失したのを確認後、80℃まで冷却した。2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール0.1gを添加した後、2−メタクリロイロキシエチルイソシアネート27.2gを添加した。5時間後、1H−NMRにて原料が消失したのを確認後、室温まで冷却し、固体状の前駆体1〔下記構造〕を200g得た。M1であることは、1H−NMR、IR、質量分析により確認した。
・組成比: x=35(質量%)、y=65(質量%)
・酸価 : 80mgKOH/g
・Mw : 30,000
1.チタンブラック分散組成物の調製
下記組成1に示す成分を、攪拌機(IKA社製EUROSTAR)を使用して、15分間混合し、分散物aを得た。
(組成1)
・(a−1)被分散体:前記にて作製したチタンブラックA 25部
・(a−2)分散剤:分散剤1の30%溶液 25部
・(a−3)有機溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 50部
得られた分散物aに対し、寿工業(株)製のウルトラアペックスミルUAM015を使用して下記条件にて分散処理を行い、実施例1の遮光膜形成に用いるチタンブラック分散組成物A(顔料分散物)を得た。
・ビーズ径:φ0.05mm
・ビーズ充填率:75体積%
・ミル周速:8m/sec
・分散処理する混合液量:500g
・循環流量(ポンプ供給量):13kg/hour
・処理液温度:25〜30℃
・冷却水:水道水
・ビーズミル環状通路内容積:0.15L
・パス回数:90パス
(バインダー溶液1の調製)
1,000mL三口フラスコに1−メトキシ−2−プロパノール159gを入れ、窒素気流下、85℃まで加熱した。これに、ベンジルメタクリレート63.4g、メタクリル酸72.3g、V−601(和光純薬製)4.15gを1−メトキシ−2−プロパノール159gに添加して調製した溶液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に5時間加熱して反応させた。
次いで、加熱を止め、ベンジルメタクリレート/メタクリル酸(30/70mol比)の共重合体を含む溶液得た。
次に、得られた共重合体溶液の内、120.0gを、300mL三口フラスコに移し、グリシジルメタクリレート16.6g、p−メトキシフェノール0.16gを加え、撹拌し溶解させた。溶解後、トリフェニルホスフィン3.0gを加え、100℃に加熱し、付加反応を行った。グリシジルメタクリレートが消失したことを、ガスクロマトグラフィーで確認し、加熱を止めた。反応液に、1−メトキシ−2−プロパノール184gを加え、重量平均分子量12,000(GPC法により求めたポリスチレン換算値)、酸価35mgKOH/g、 固形分30質量%のバインダー溶液1を調製した。
下記組成2の成分を攪拌機で混合し、フィルタでろ過して、実施例1の黒色感放射線性組成物Aを調製した。
(組成2)
・(A)チタンブラック分散組成物A 50部
・(F−1)アルカリ可溶性樹脂:バインダー溶液1 17.0部
・(B)重合性化合物:KAYARAD DPHA(日本化薬(株)製) 5.0部
・(C)重合開始剤:IRGACURE OXE02(BASF社製) 2.5部
・(F−4)重合禁止剤:p−メトキシフェノール 0.003部
・(F−6)界面活性剤:メガファックF781(フッ素系界面活性剤、
大日本インキ化学工業(株)製) 0.01部
・有機溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 10部
・有機溶媒:シクロヘキサノン 10部
黒色感放射線性組成物Aの調製において、組成2に示される成分のうち、チタンブラック分散物Aを、チタンブラック分散物B、C、X、Yに、それぞれ変更した以外は、黒色感放射線性組成物Aと同様にして、実施例2、3及び比較例1〜3の黒色硬化性組成物B、C、X、Yを調製した。
なお、黒色感放射線性組成物A、B、C、X、及びYの粘度は、それぞれ、6.1mPa・s(A)、6.5mPa・s(B)、6.3mPa・s(C)、7.0mPa・s(X)、6.6mPa・s(Y)であった。
上記にて得られた各黒色感放射線性組成物について、被分散体のSi/Ti比、被分散体の粒径について評価した。
<Si/Ti比>
得られた黒色感放射線性組成物A、B、C、X、Yから分取した測定用試料を、市販の石英ボート上にのせ電気炉を使用して100mL/minの酸素フロー下にて500℃で60分間加熱処理した。加熱処理により得られた粉体について、S−4800(商品名、(株)日立テクノロジーズ製)、及び、INCA EnergyPentaFETx3(Oxford社製)を用いて、Si原子量、Ti原子量を求め、Si/Ti比を算出した。
その結果、各黒色感放射線性組成物中の被分散体におけるSi/Ti比の結果を以下の表1に示す。
黒色感放射線性組成物A、B、C、X、Yを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを溶剤として用いて100倍に希釈し、これをカーボンフォイル上に滴下、乾燥し、これをTEMにより観察することにより被分散体の平均粒径を測定した。
その結果、各黒色感放射線性組成物に含まれる被分散体の粒径および、15nm以上30nm以下の粒子割合を以下の表1に示す。
調液直後の黒色組成物Aをスプレー塗布装置の溶液カップに入れて遮光膜形成用塗布液を調製し、以下の塗布および加熱条件でガラス基板に塗布を行い、遮光膜1(実施例1の遮光膜)を形成した。
スプレー塗布装置:GSIクレオス製 PS−268
スプレー塗布空気圧条件:3000cc/分
塗布量:0.2cc/分
ノズル径:0.4mm
スプレーの吐出口とガラス基板塗布面は垂直の向きに設置。
スプレーの吐出口とガラス基板の距離:3cm
スプレーの散布角度*:90度
(*スプレーの吐出口からガラス基板への法線から左右両方への角度)
塗布部分の平均膜厚が2.5μmとなるまでスプレー塗布実施し、塗布後ホットプレートにて120℃で2分加熱した。
(比較例3の遮光膜の作製)
前記で得た黒色組成物Bを、基板上に塗布膜厚が2.5μmとなるようにスピンコートを行い、ホットプレートにて120℃で2分加熱して遮光膜(比較例3)を得た。
なお、スピンコート法により形成した比較例3の遮光膜の表面粗さは5326Åであった。
黒色組成物A,B,C、X,及びYについて、以下の条件でスプレー塗布を行い、目詰まりを評価した。
スプレー塗布装置:GSIクレオス製 PS−268
前記スプレー塗布装置の溶液カップに評価する黒色組成物を入れ、25℃にて96時間放置した後、上記スプレー塗布装置により以下の条件で塗布を行い、目詰まりが発生するしないを評価した。
スプレー塗布空気圧条件:3000cc/分
塗布量:0.2cc/分
ノズル径:0.4mm
各サンプルを、日立ハイテクノロジー製分光光度計、U−4100にて、波長450nmで表面反射率を測定し(入射角度5度)、反射率を%にて測定した。
特に固体撮像素子用途の場合、4%以下の表面反射率ならば実用性があると判断する。
実施例1、2、3、比較例1、2、及び3の遮光膜形成時の目詰まり評価結果と、形成された遮光膜の表面反射率を以下に示す。
(遮光性)
各サンプルを、日立ハイテクノロジー製分光光度計、U−4100にて、波長550nmにおける透過率を測定し、遮光率の指標とした。
なお、スピンコート法により形成された比較例3の遮光膜は、既述のように表面粗さが5326Åであり、本発明の好ましい範囲外である。このため、スプレー塗布法により形成された実施例の遮光膜に比較し、反射防止能が劣ることがわかる。
[実施例4〜実施例8]
前記実施例2において、スプレー塗布装置の吐出口形状を調整し、スプレーの散布角度を20、35,62、118、152°にそれぞれ変更した以外は同様にして塗布膜を作製し、それぞれ実施例4,5,6,7、8として、表面反射率を測定した。その結果を実施例2と共に下記表3に示す。なお、スプレーの散布角度を20度とした実施例4の塗膜の表面粗さは75211Åであった。
実施例2において、スプレー塗布装置の吐出口とガラス基板の距離を10,5,4,2,1cmにそれぞれ変更して、表面粗さRaの異なるサンプルを作製し、それぞれ実施例8,9,10,11,12とした。
ここで表面粗さRaはULVAC製 Dektak 6M(接触式表面形状測定器)を使用して、測定を行ったものである。
実施例2と合わせて、表面粗さRaの測定結果と、表面反射率を下記表4に示す。
12 撮像素子
13 層間絶縁膜
14 ベース層
15R 赤色のカラーフィルタ
15G 緑色のカラーフィルタ
15B 青色のカラーフィルタ
16 オーバーコート
17 マイクロレンズ
18 遮光膜
22 絶縁膜
23 金属電極
24 ソルダーレジスト層
26 内部電極
27 素子面電極
30 ガラス基板
40 撮像レンズ
42 赤外線カットフィルタ
44 遮光兼電磁シールド
50 レンズホルダー
60 ハンダボール
70 回路基板
100 固体撮像素子基板
hν 入射光
S 隙間
Claims (10)
- 少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子用の遮光膜であって、(A)黒色顔料を含む被分散体と分散剤と有機溶媒とを含み、該被分散体の90%以上が15nm以上30nm以下の粒径を有する顔料分散物、(B)重合性化合物、及び(C)重合開始剤を含有する感放射線性組成物を、該基板の受光素子を備えた面と、該受光素子を備えた面に立上がる立上壁の表面にスプレー塗布して形成された固体撮像素子用遮光膜。
- 前記スプレー塗布の散布角度がスプレーノズルの吐出口に対し、20°以上160°以下である請求項1に記載の固体撮像素子用遮光膜。
- 前記感放射線性組成物の25℃における粘度が、2mPa・s以上50mPa・s以下である請求項1又は請求項2に記載の固体撮像素子用遮光膜。
- 表面粗さ(Ra)が10000Å以上70000Å以下である請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の固体撮像素子用遮光膜。
- 前記被分散体が、チタンブラックを含有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の固体撮像素子用遮光膜。
- 前記被分散体が、チタンブラックとSi原子とを含み、該被分散体中のSi原子とTi原子との含有比(Si/Ti)が0.20以上0.50以下である有する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の固体撮像素子用遮光膜。
- (A)黒色顔料を含む被分散体を含有する顔料分散物、(B)重合性化合物、及び(C)重合開始剤を含有し、且つ、前記被分散体の90%以上が15nm以上30nm以下の粒径を有する感放射線性組成物を、少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子のシリコン基板と立上壁との表面にスプレー塗布して感放射線性層を形成する工程と、前記感放射線性層を露光する工程と、を有する固体撮像素子用遮光膜の製造方法。
- 前記前記感放射線性層を露光する工程が、前記感放射線性層をパターン状に露光する工程であり、さらに、露光後に現像する工程を有する請求項7に記載の固体撮像素子用遮光膜の製造方法。
- 少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有する固体撮像素子のシリコン基板及び立上壁の表面に、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の固体撮像素子用遮光膜を有する固体撮像素子。
- 少なくとも一方の面に受光素子を備えた撮像素子部を有し、且つ、該撮像素子部を備えた面に立上がる立上壁を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記撮像素子部が設けられた面に設けられ、前記撮像素子部の少なくとも1部が露出するようにパターニングされた請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の遮光膜と、前記撮像素子部を有する面の立上がる立上壁表面に設けられた請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の遮光膜と、
を有する請求項9に記載の固体撮像素子。
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014080576A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | 顔料組成物、着色硬化性組成物、固体撮像素子用カラーフィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、顔料分散組成物及びその製造方法、並びに化合物 |
| WO2014087900A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子用保持基板及びその製造方法、固体撮像装置 |
| WO2014087901A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | Irカットフィルタ及びその製造方法、固体撮像装置、遮光膜の形成方法 |
| US20140339063A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Research In Motion Limited | Method And Apparatus Pertaining To A Keyboard Cover Having Light-Masking Paint |
| JP2017050371A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性組成物、カラーフィルタ、遮光膜、固体撮像素子および画像表示装置 |
| KR20170093877A (ko) | 2015-02-09 | 2017-08-16 | 후지필름 가부시키가이샤 | 경화성 조성물, 차광막 부착 적외광 차단 필터, 및 고체 촬상 장치 |
| WO2017158914A1 (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、硬化膜、光学センサおよび膜の製造方法 |
| TWI644166B (zh) * | 2018-02-07 | 2018-12-11 | 大陸商業成科技(成都)有限公司 | 影像擷取裝置及其製造方法 |
| JP2018200980A (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および固体撮像素子、並びに電子機器 |
| JP2020013156A (ja) * | 2015-10-09 | 2020-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 硬化膜の製造方法、硬化膜、固体撮像素子および画像表示装置 |
| US10761251B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-09-01 | Fujifilm Corporation | Resin film, coloring photosensitive composition, resin film production method, color filter, light shielding film, solid-state imaging element, and image display device |
| WO2021039253A1 (ja) | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、赤外線センサ、並びに、センサモジュール |
| JP2021102688A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | 大日精化工業株式会社 | 顔料分散剤、顔料分散剤の製造方法、及び顔料分散液 |
| JP2021152678A (ja) * | 2015-12-08 | 2021-09-30 | 富士フイルム株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、パターン形成方法、固体撮像素子および画像表示装置 |
| JP2022019935A (ja) * | 2015-11-05 | 2022-01-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
| US11296133B2 (en) | 2017-05-29 | 2022-04-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus and electronic device |
| WO2024166653A1 (ja) * | 2023-02-08 | 2024-08-15 | 株式会社カネカ | 光学基板及び固体撮像素子パッケージ |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101867851B1 (ko) * | 2010-12-28 | 2018-06-15 | 후지필름 가부시키가이샤 | 티타늄블랙 분산 조성물, 그것을 함유하는 흑색 감방사선성 조성물, 흑색 경화막, 고체 촬상 소자, 및 흑색 경화막의 제조 방법 |
| JP6708367B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2020-06-10 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | 遮光膜用感光性樹脂組成物、これを硬化した遮光膜及びカラーフィルター |
| US9653504B1 (en) * | 2015-11-03 | 2017-05-16 | Omnivision Technologies, Inc. | Chip-scale packaged image sensor packages with black masking and associated packaging methods |
| KR102033313B1 (ko) * | 2016-03-02 | 2019-10-18 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 카메라 모듈 제조 설비 |
| TWI691410B (zh) | 2016-04-21 | 2020-04-21 | 美商伊士曼化學公司 | 吸收電磁能之光學製品 |
| US11747532B2 (en) | 2017-09-15 | 2023-09-05 | Southwall Technologies Inc. | Laminated optical products and methods of making them |
| CN109698894B (zh) * | 2017-10-20 | 2023-06-30 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 基于金属支架的感光组件和摄像模组 |
| CN107991828B (zh) * | 2017-12-27 | 2023-10-20 | 哈尔滨学院 | 一种用于手机的微型光圈旋转式调节器 |
| CN108490738B (zh) * | 2018-03-22 | 2020-09-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 黑色矩阵材料组合物及黑色矩阵的制作方法 |
| US10613261B2 (en) | 2018-04-09 | 2020-04-07 | Southwall Technologies Inc. | Selective light-blocking optical products having a neutral reflection |
| US10627555B2 (en) | 2018-04-09 | 2020-04-21 | Southwall Technologies Inc. | Selective light-blocking optical products having a neutral reflection |
| KR102630401B1 (ko) * | 2018-09-20 | 2024-01-30 | 후지필름 가부시키가이샤 | 차광성 조성물, 경화막, 컬러 필터, 차광막, 광학 소자, 고체 촬상 소자, 헤드라이트 유닛 |
| TWI835977B (zh) * | 2019-02-01 | 2024-03-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 硬化性組成物、膜、結構體、濾色器、固體攝像元件及圖像顯示裝置 |
| EP4040469A4 (en) * | 2019-10-01 | 2023-11-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | HOLDING TOOL AND MANUFACTURING METHOD |
| CN113161378A (zh) * | 2021-05-08 | 2021-07-23 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感芯片封装结构、及封装方法 |
| TWI811022B (zh) * | 2022-07-14 | 2023-08-01 | 新應材股份有限公司 | 感光性樹脂組成物、硬化膜以及微透鏡陣列 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000338317A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Toray Ind Inc | 液晶ディスプレイ用カラーフィルタおよびその製造方法 |
| JP2002350611A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Canon Inc | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 |
| JP2004282778A (ja) * | 1995-05-31 | 2004-10-07 | Sony Corp | 撮像装置、信号処理装置および信号処理方法 |
| JP2007043628A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Hitachi Maxell Ltd | カメラモジュール |
| JP2009105771A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Sharp Corp | ケース部材、センサモジュールおよび電子情報機器 |
| JP2009117454A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 裏面入射型リニアイメージセンサ、その駆動方法、及びその製造方法 |
| JP2009141681A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 画像読取装置 |
| JP2010045191A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Jsr Corp | 遮光膜形成用感放射線性組成物、固体撮像素子用遮光膜及び固体撮像素子 |
| JP2010169863A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Fujifilm Corp | 分散組成物及びその製造方法、遮光性カラーフィルタ用感光性樹脂組成物及びその製造方法、遮光性カラーフィルタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142058A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体撮像素子およびその製造方法並びに半導体撮像装置とその製造方法 |
| JP2010040672A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-02-16 JP JP2011031284A patent/JP5398759B2/ja active Active
-
2012
- 2012-01-31 EP EP12153292.3A patent/EP2490262B1/en active Active
- 2012-01-31 CN CN201210021525.4A patent/CN102645692B/zh active Active
- 2012-01-31 TW TW101103065A patent/TWI467750B/zh active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004282778A (ja) * | 1995-05-31 | 2004-10-07 | Sony Corp | 撮像装置、信号処理装置および信号処理方法 |
| JP2000338317A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Toray Ind Inc | 液晶ディスプレイ用カラーフィルタおよびその製造方法 |
| JP2002350611A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Canon Inc | 高反射性銀鏡及び反射型光学部品 |
| JP2007043628A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Hitachi Maxell Ltd | カメラモジュール |
| JP2009105771A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Sharp Corp | ケース部材、センサモジュールおよび電子情報機器 |
| JP2009117454A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 裏面入射型リニアイメージセンサ、その駆動方法、及びその製造方法 |
| JP2009141681A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 画像読取装置 |
| JP2010045191A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Jsr Corp | 遮光膜形成用感放射線性組成物、固体撮像素子用遮光膜及び固体撮像素子 |
| JP2010169863A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Fujifilm Corp | 分散組成物及びその製造方法、遮光性カラーフィルタ用感光性樹脂組成物及びその製造方法、遮光性カラーフィルタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子 |
Cited By (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014080576A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | 顔料組成物、着色硬化性組成物、固体撮像素子用カラーフィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、顔料分散組成物及びその製造方法、並びに化合物 |
| US9952361B2 (en) | 2012-12-03 | 2018-04-24 | Fujifilm Corporation | IR cut filter, method for manufacturing the same, and solid-state imaging device |
| WO2014087900A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子用保持基板及びその製造方法、固体撮像装置 |
| WO2014087901A1 (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | Irカットフィルタ及びその製造方法、固体撮像装置、遮光膜の形成方法 |
| JP2014132644A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-07-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子用保持基板及びその製造方法、固体撮像装置 |
| JP2014132333A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-07-17 | Fujifilm Corp | Irカットフィルタ及びその製造方法、固体撮像装置、遮光膜の形成方法 |
| US9571706B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-02-14 | Fujifilm Corporation | Support plate for solid-state imaging element, method for manufacturing the same, and solid-state imaging device |
| KR101732040B1 (ko) * | 2012-12-03 | 2017-05-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자용 유지 기판 및 그 제조 방법, 고체 촬상 장치 |
| KR101762756B1 (ko) * | 2012-12-03 | 2017-07-28 | 후지필름 가부시키가이샤 | Ir 컷 필터 및 그 제조 방법, 고체 촬상 장치, 차광막의 형성 방법 |
| US20140339063A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Research In Motion Limited | Method And Apparatus Pertaining To A Keyboard Cover Having Light-Masking Paint |
| KR20170093877A (ko) | 2015-02-09 | 2017-08-16 | 후지필름 가부시키가이샤 | 경화성 조성물, 차광막 부착 적외광 차단 필터, 및 고체 촬상 장치 |
| JP2017050371A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士フイルム株式会社 | 硬化性組成物、カラーフィルタ、遮光膜、固体撮像素子および画像表示装置 |
| US10761251B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-09-01 | Fujifilm Corporation | Resin film, coloring photosensitive composition, resin film production method, color filter, light shielding film, solid-state imaging element, and image display device |
| JP2020013156A (ja) * | 2015-10-09 | 2020-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 硬化膜の製造方法、硬化膜、固体撮像素子および画像表示装置 |
| JP7027381B2 (ja) | 2015-10-09 | 2022-03-01 | 富士フイルム株式会社 | 硬化膜の製造方法、硬化膜、固体撮像素子および画像表示装置 |
| JP2022019935A (ja) * | 2015-11-05 | 2022-01-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
| US12014968B2 (en) | 2015-11-05 | 2024-06-18 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus |
| JP7364653B2 (ja) | 2015-11-05 | 2023-10-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP2021152678A (ja) * | 2015-12-08 | 2021-09-30 | 富士フイルム株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、パターン形成方法、固体撮像素子および画像表示装置 |
| WO2017158914A1 (ja) | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、硬化膜、光学センサおよび膜の製造方法 |
| KR20240023701A (ko) * | 2017-05-29 | 2024-02-22 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 장치, 고체 이미지 센서, 및 전자 기기 |
| US11810935B2 (en) | 2017-05-29 | 2023-11-07 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device, solid state image sensor, and electronic device |
| JP2022044653A (ja) * | 2017-05-29 | 2022-03-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
| US11296133B2 (en) | 2017-05-29 | 2022-04-05 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus and electronic device |
| US11309344B2 (en) | 2017-05-29 | 2022-04-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device, solid state image sensor, and electronic device |
| KR102847113B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2025-08-14 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 장치, 고체 이미지 센서, 및 전자 기기 |
| JP7690631B2 (ja) | 2017-05-29 | 2025-06-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
| JP2018200980A (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および固体撮像素子、並びに電子機器 |
| JP2024052924A (ja) * | 2017-05-29 | 2024-04-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
| JP7449317B2 (ja) | 2017-05-29 | 2024-03-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
| TWI644166B (zh) * | 2018-02-07 | 2018-12-11 | 大陸商業成科技(成都)有限公司 | 影像擷取裝置及其製造方法 |
| WO2021039253A1 (ja) | 2019-08-30 | 2021-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、膜、光学フィルタ及びその製造方法、固体撮像素子、赤外線センサ、並びに、センサモジュール |
| JP2021102688A (ja) * | 2019-12-25 | 2021-07-15 | 大日精化工業株式会社 | 顔料分散剤、顔料分散剤の製造方法、及び顔料分散液 |
| JP7148488B2 (ja) | 2019-12-25 | 2022-10-05 | 大日精化工業株式会社 | 顔料分散剤、顔料分散剤の製造方法、及び顔料分散液 |
| WO2024166653A1 (ja) * | 2023-02-08 | 2024-08-15 | 株式会社カネカ | 光学基板及び固体撮像素子パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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