JP2012175006A - 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 - Google Patents
光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012175006A JP2012175006A JP2011037703A JP2011037703A JP2012175006A JP 2012175006 A JP2012175006 A JP 2012175006A JP 2011037703 A JP2011037703 A JP 2011037703A JP 2011037703 A JP2011037703 A JP 2011037703A JP 2012175006 A JP2012175006 A JP 2012175006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- propagation path
- beam propagation
- optical
- laser
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
- H05G2/0082—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation the energy-carrying beam being a laser beam
- H05G2/0086—Optical arrangements for conveying the laser beam to the plasma generation location
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10061—Polarization control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/1305—Feedback control systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】光学装置は、レーザ光のビーム伝播経路上に配置された光学モジュールと、前記ビーム伝播経路上に配置され、前記レーザ光のビーム伝播経路を調節するアクチュエータ部と、前記ビーム伝播経路上に配置され、前記ビーム伝播経路を検出する計測部と、 前記計測部によって検出された前記レーザ光のビーム伝播経路の検出結果に基づいて、前記アクチュエータ部を制御する制御部と、を備えてもよい。
【選択図】図3
Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成装置
3.1 構成
3.2 動作
4.LPP用レーザ装置
4.1 構成
4.2 動作
4.3 課題の発見
5.光学装置のコンセプト
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用
6.光学モジュールが増幅器の場合
6.1 スラブ型増幅器
6.2 高速軸流型増幅器
7.光学モジュールがその他の場合
7.1 リレー光学系
7.2 空間フィルタ
7.3 過飽和吸収体
7.4 ビーム伝播経路長調節モジュール
7.5 偏光アイソレータ
8.アクチュエータ部
8.1 2枚高反射ミラー
8.2 1枚高反射ミラーとVRMWM高反射ミラーとの組み合わせ
8.3 1枚高反射ミラーと1枚ディフォーマブル高反射ミラーの組み合わせ
9.計測部
9.1 ビーム伝播経路上の2地点でのビームプロファイル計測
9.2 ビームプロファイル+ビームポインティング
9.3 少なくとも1つの貫通口とビームプロファイルラの組み合わせ
9.4 光学モジュールとビームプロファイルラの組み合わせ
9.5 シャックハルトマン干渉計
10.制御部
10.1 制御部の制御フロー
10.2 少なくとも1つの貫通穴がある場合の制御フロー
11 LPP式EUV光生成装置
11.1 構成
11.2 レーザコントローラの制御フロー
12.ガイドレーザ光を含むレーザ装置とEUV光源装置
12.1 構成
12.2 レーザコントローラの制御フロー
13.位置決め機構
13.1 ピンによる位置決め
13.1 レールによる位置決め
14.補足説明
実施の形態の概要について、以下に説明する。実施の形態は、その概要として、レーザ光のビーム伝播経路上配置された光学モジュールと、前記ビーム伝播経路上に配置された前記レーザ光のビーム伝播経路を調節するためのアクチュエータ部と、前記ビーム伝播経路上に配置された前記レーザ光のビーム伝播経路を検出するための計測部と、を備える。
つぎに、本開示において使用する用語について、以下のように定義する。「ドロップレット」とは、溶融したターゲット物質の液滴である。したがって、その形状は、表面張力によって略球形となる。「プラズマ生成サイト」とは、プラズマを生成する空間として予め設定された3次元空間である。「ビーム拡大」とは、ビーム断面が徐々に広がることをいう。
3.1 構成
図1に本開示の一態様による例示的なLPP方式のEUV光生成装置1の概略構成を示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザシステム3と共に用いてもよい(EUV光生成装置1及びレーザシステム3を含むシステムを、以下、EUV光生成システム11と称する)。図1に示し、かつ以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。EUV光生成装置1は、ターゲット供給装置(例えばドロップレット生成器26)を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ2の壁に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置が供給するターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照すると、レーザシステム3から出射されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御アクチュエータ34を経てパルスレーザ光32としてウィンドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザビーム経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射して、パルスレーザ光33として少なくとも1つのドロップレットターゲット27に照射されてもよい。
つづいて、図1に示すEUV光生成装置1におけるレーザシステム3をより具体的に説明する。図2は、図1に示すEUV光生成装置1におけるレーザシステム3をより具体化した図である。なお、図2では、説明の簡略化のため、図1におけるEUV光生成制御システム5およびターゲットセンサ4については、省略する。
図2に示すように、レーザシステム3は、マスターオシレータ(MO)301と、複数の増幅器304、306、311および313と、複数のリレー光学系303、305、307、310、312および314とを備えている。増幅器304、306、311および313は、入射したパルスレーザ光31の光強度を増幅する。リレー光学系303、305、307、310、312および314は、パルスレーザ光31を適宜、ビーム拡径したり、平行光化したりする。レーザシステム3は、マスターオシレータ301から出力されたパルスレーザ光31の光特性を調整する空間フィルタ302と、パルスレーザ光31のビーム伝播経路を変更する高反射ミラー308および309とを備えてもよい。
マスターオシレータ301は、たとえば図1に示すEUV光生成制御システム5の制御の下、所定の繰返し周波数で発振することで、パルスレーザ光31を出力する。出力されたパルスレーザ光31は、空間フィルタ302を通過した後、複数の増幅器304、306、311および313を順次通過する。パルスレーザ光31は、それぞれのリレー光学系303、305、307、310、312および314で増幅される。この際、パルスレーザ光31は、各増幅器304、306、311および313の増幅領域の大きさや形状等に合わせるように、そのビーム断面積やビーム断面の形状や偏光状態等が、リレー光学系303、305、307、310、312および314によって調整される。その後、レーザシステム3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御アクチュエータ34を経由して、チャンバ2内へ入射する。
マスターオシレータ301からチャンバ2内のプラズマ生成サイト25までのビーム伝播経路長は、数十mから100m以上となる場合がある。このため、設置時、メンテナンス時または不具合発生時には、マスターオシレータ301から各光学モジュールを経由したターゲット照射位置までのビーム伝播経路のアライメントに、長い時間を要する場合がある。この時間は、たとえば数日から数週間程度となることがある。
そこで本開示では、以下のような態様を例として提案する。図3は、本実施の形態による光学装置の一態様を示す。図4は、本実施の形態による光学装置の他の態様を示す。
図3および図4に示すように、光学装置330および340は、それぞれ、パルスレーザ光のビーム伝播経路上配置された光学モジュール331と、前記ビーム伝播経路上に配置された前記パルスレーザ光31のビーム伝播経路を調節するためのアクチュエータ部332と、前記ビーム伝播経路上に配置された前記パルスレーザ光31のビーム伝播経路を検出するための計測部333と、を含む。また、光学装置330および340は、アクチュエータ部332を制御する制御部334を含む。
計測部333は、パルスレーザ光31のビーム伝播経路を検出する。制御部334は、計測部333で計測された検出値に基づいて、アクチュエータ部332を制御する。たとえば制御部334は、光学モジュール331の交換前後で、計測部333で計測されたパルスレーザ光31のビーム伝播経路の変化量を特定する。そして、制御部334は、特定したビーム伝播経路の変化量に応じてアクチュエータ部332を駆動することで、パルスレーザ光31のビーム伝播経路を交換前のビーム伝播経路に近づけるように調整する。
以上のように、本態様では、光学装置330および340から出射するパルスレーザ光31のビーム伝播経路を正しい位置(目的のビーム伝播経路)とする調整動作が、自動的に実行される。その結果、たとえば光学モジュール331を新設したり交換したりした場合においても、パルスレーザ光31のビーム伝播経路を、容易且つ迅速に正しい位置に調整することが可能となる。
つづいて、光学装置のより具体例を、以下に説明する。図5は、光学モジュール331をスラブ型増幅器331Aとした光学装置330Aの垂直断面図である。図6は、図5に示す光学装置330AのV−V断面図である。増幅器331Aは、増幅器304、306、311および313のいずれであってもよい。
図5および図6に示すように、光学装置330Aは、アクチュエータ部332、スラブ型増幅器331Aおよび計測部333を、それぞれ一つの定盤335上の所定の位置にそれぞれ位置決めするための位置決めプレート336〜338を備える。位置決めプレート336〜338は、定盤335に位置決めされて固定される。アクチュエータ部332、スラブ型増幅器331Aおよび計測部333は、それぞれ位置決めプレート336〜338上の規定された位置に設置される。これにより、アクチュエータ部332、スラブ型増幅器331Aおよび計測部333のアライメントが大まかに調整された状態を得られる。
つぎに、光学モジュール331に高速軸流型増幅器331Bを用いた場合を説明する。図7は、光学モジュール331を高速軸流型増幅器331Bとした光学装置330Bの垂直断面図である。図8は、図7に示す光学装置330BのVII―VII断面図である。
つぎに、光学モジュール331を増幅器以外とした場合を以下に例を挙げて説明する。光学モジュール331の他の例としては、空間フィルタ、過飽和吸収体、ビーム伝播経路長調節器、偏光制御光学系および波面調節器などが挙げられる。
図9は、光学モジュール331を2枚の凹面ミラーを備えているリレー光学系331Cとした光学装置330Cの垂直断面図である。図10は、図9に示すリレー光学系331CのIX−IX断面図である。リレー光学系331Cは、リレー光学系303、305、307、310、312および314のいずれであってもよい。このようなリレー光学系331Cに対してもアクチュエータ部332および計測部333を設けることで、その置き換え後のアライメントを容易且つ迅速に行うことが可能となる。
光学モジュール331は、図11に示すような空間フィルタ331Dとしてもよい。空間フィルタ331Dは、たとえば2つの軸外放物面ミラーD331aおよびD331bと、ピンホールプレートD331cとを備えている。ピンホールDプレート331cは、軸外放物面ミラーD331aおよびD331bの焦点位置付近に配置されている。
光学モジュール331は、図12に示すような過飽和吸収体セル331Eであってもよい。過飽和吸収体セル331Eは、入射ウィンドウE331cと、チャンバE331aと、出射ウィンドウE331dとからなる。チャンバE331aの中には、過飽和吸収体(たとえばSF6)であるガスまたは可飽和吸収体を含む混合ガスが封入されている。このガスは、たとえば不図示の循環機構と冷却機構を組み合わせてチャンバE331aと冷却機構とを循環してもよい。
光学モジュール331は、図13に示すようなビーム伝播経路長調節モジュール331Fであってもよい。ビーム伝播経路長調節モジュール331Fは、たとえば2つの反射面が互いに90°の角度で配置されたミラーF331aと、同様のミラーF331bよりなる。このミラーF331aおよびF331bのどちらか一方または両方をビーム伝播経路に平行(図の白抜き矢印の方向)に移動させることにより、パルスレーザ光31のビーム伝播経路長を調節することができる。
光学モジュール331は、図14に示すような偏光アイソレータ331Gであってもよい。偏光アイソレータ331Gは、3つのミラーG331a〜G331cを含む。
つぎに、光学装置におけるアクチュエータ部332について、例を挙げて説明する。
図15は、アクチュエータ部332の一例を示す。図15に示すように、アクチュエータ部332は、たとえば2つのミラー332aおよび332bと、これらをそれぞれ保持するミラーホルダよりなる。ミラー332aおよび332bは、それぞれの姿勢角度(θx、θy)を制御可能なジンバル機構を有するミラーホルダによって保持されている。ミラー332aおよび332bそれぞれの姿勢角度(θx、θy)を制御することによって、パルスレーザ光31のビーム伝播経路を所望のビーム伝播経路に調整できる。ここで、θxの方向とθyの方向とは、互いに垂直であってもよい。
アクチュエータ部332は、図17および図18に示すようなアクチュエータ部332Aに置き換えられてもよい。図17に示すように、アクチュエータ部332Aは、アクチュエータ部332における一方のミラー332aまたは332b(本例ではミラー332b)が、反射光の波面を制御可能なVRWM(Variable Radius Waveform Mirror)332dに置き換えられてもよい。このように、VRWM332dを用いることで、少ない光学素子(本例では2つ)を用いて、パルスレーザ光31のビーム伝播経路と波面との両方を補正することが可能となる。図18はアクチュエータ部332Aによる波面補正の例を示す。
ビーム伝播経路と波面との両方を補正可能なアクチュエータ部332は、図19に示すようにも構成することができる。図19に示すアクチュエータ部332Bは、デフォーマブルミラー332eと高反射ミラー332bとを備える。デフォーマブルミラー332eには、曲率だけでなく、反射面の凹凸を変更可能なMMDM(Micromachined Membrance Deformable Mirror)などを用いることができる。
つぎに、光学装置330における計測部333について、例を挙げて説明する。
図20は、計測部333の一例を示す。図20に示すように、計測部333は、ビームスプリッタ3331aと、ミラー3331bと、レンズ3332aおよび3332bと、ビームプロファイラ3333aおよび3333bとを含む。ビームプロファイラ3333aの受光面には、ビーム伝播経路上の位置A1でのパルスレーザ光31のビームプロファイル(レーザビームの断面強度プロファイル)が、レンズ3332aによって結像される。一方、ビームプロファイラ333bの受光面には、分岐したビーム伝播経路上の位置A2でのパルスレーザ光31のビームプロファイルが、レンズ3332bによって結像される。このように、離れた複数の位置(A1およびA2)におけるビームプロファイルを計測することで、パルスレーザ光31の方向やダイバージェンス(波面の曲率)などを算出することができる。たとえば各ビームプロファイルの中心位置と、位置A1およびA2間のビーム伝播経路上の距離とから、ビーム伝播経路の空間位置およびビーム伝播経路の方向を計算することができる。さらに、位置A1およびA2におけるビームプロファイルの大きさの差から、パルスレーザ光31のダイバージェンス(波面の曲率)を計算することができる。
計測部333は、図21に示すような計測部333Aに置き換えられてもよい。図21に示すように、計測部333Aは、くさび形ビームスプリッタ3331cと、レンズ3332aおよび3332cと、ビームプロファイラ3333aおよび3333cとを含む。レンズ3332aおよびビームプロファイラ3333aは、計測部333と同様に、くさび形ビームスプリッタ33331cを透過したパルスレーザ光31のビームプロファイルを計測する。一方、ビームプロファイラ3333cは、レンズ3332cの焦点位置に配置される。ビームプロファイラ3333cは、くさび形ビームスプリッタ3331cで反射されたパルスレーザ光31の集光位置におけるビームプロファイルを計測する。各ビームプロファイルの中心位置とレンズ3332cの焦点距離から、パルスレーザ光31のビーム伝播経路の空間位置およびビーム伝播経路の方向を求めることができる。さらに、各ビームプロファイルの大きさと各プロファイラの観測位置から、パルスレーザ光31のダイバージェンスを求めることができる。
計測部333は、図22に示すような計測部333Bに置き換えられてもよい。図22に示すように、計測部333Bは、貫通穴付きプレートおよびその貫通孔3334と、ビームスプリッタ3331aと、レンズ3332aと、ビームプロファイラ3333aと、エネルギーセンサ3333dとを含む。貫通穴付きプレートの貫通孔3334は、ビームプロファイルの実質的な計測位置(位置A1)と異なる位置に配置される。ビームプロファイラ3333aの受光面には、貫通穴付きプレートの貫通孔3334を通過したパルスレーザ光31のビーム伝播経路上の位置A1におけるビームプロファイルが結像される。貫通穴付きプレートの貫通孔3334の空間的位置および大きさが既知であれば、この位置とビームプロファイラ3333aで得られるビームプロファイルとから、ビーム伝播経路の空間位置およびビーム伝播経路の方向、さらにダイバージェンスを求めることができる。また、エネルギーセンサ3333dは、ビームスプリッタ3331aで反射されたパルスレーザ光31のエネルギーを計測する。なお、パルスレーザ光31のエネルギーは、ビームプロファイラ3333aによるビームプロファイルの計測結果から算出してもよい。
計測部333は、図24に示すような計測部333Dに置き換えられてもよい。図24に示すように、計測部333Dは、図22に示す計測部333Bにおける貫通穴付きプレートの貫通孔3334が、増幅器3311の放電管3311aに置き換えられている。このような構成としても、図22に示す計測部333Bと同様の機能を果たすことが可能である。なお、増幅器3311の入射口に貫通穴を配置してもよい。
計測部333は、図26に示すような計測部333Fに置き換えられてもよい。図26に示すように、計測部333Fは、シャックハルトマン型の計測部である。計測部333Fは、CCDカメラ3336と、CCDカメラ3336の受光面前面に配置されたマイクロレンズアレイ3335と、を備える。このシャックハルトマン型の計測部333Fによれば、1つのセンサを用いてビーム伝播経路の方向およびダイバージェンスを検出することが可能である。
つぎに、光学装置330における制御部334の動作について、例を挙げて説明する。
図27は、制御部334の主動作を示すフローチャートである。図27に示すように、制御部334は、アライメント動作を開始すると、まず、不図示のメモリ等から、これに予め記憶されている目標値を読み込む(ステップS101)。なお、目標値とは、ビーム伝播経路が所望の状態であるときに計測部333で計測されたビームプロファイルであってもよいし、この値から得られるビーム伝播経路の空間位置およびビーム伝播経路の方向であってもよい。本例では、パルスレーザ光31のビーム伝播経路の目標位置Ppt(x,y)と、ビーム伝播経路の目標方向Ppθt(θx,θy)とを目標値とする。
ここで、図22または図23に示すように、少なくとも1つの貫通穴付きプレートの貫通孔3334を用いた場合、もしくは、図24または図25に示すように、貫通穴付きプレートの貫通孔3334の代わりに貫通穴として機能する光学装置(3311a,3312)を用いた場合、図28に示す光計測サブルーチンは、図29または図30に示すフローに置き換えることができる。図29は、計測部333Bもしくは計測部333Dを用いた際の光計測サブルーチンを示す。図30は、計測部333Cもしくは計測部333Eを用いた際の光計測サブルーチンを示す。
つぎに、上述した光学装置をEUV光生成装置1(図2参照)のレーザシステム3に適用した場合を、以下に説明する。図37は、光学装置が適用されたEUV光生成装置1Aの概略構成を示す。なお、図37では、説明の簡略化のため、図1におけるターゲットセンサ4については、省略する。
図37に示すレーザシステム3Aでは、各光モジュール(304〜307および310〜314)が、アクチュエータ部304a〜307aおよび310a〜314a、計測部304b〜307bおよび310b〜314b、および制御部304c〜307cおよび310c〜314cを備えた光学装置304A〜307Aおよび310A〜314Aに置き換えられている。EUV光生成制御システム5は、各光学装置304A〜307Aおよび310A〜314Aにおける制御部304c〜307cおよび310c〜314cを統括する。制御部304c〜307cおよび310c〜314cは、EUV光生成制御システム5から与えられた命令をトリガとして、上述したアライメント動作を独自に実行することで、個々のアライメントを実行するようにしてもよい。また、各制御部304c〜307cおよび310c〜314cは、各々光学装置304A〜307Aおよび310A〜314Aのアライメントを完了した場合、アライメント完了信号をEUV光生成制御システム5に送信するようにしてもよい。
つぎに、図37に示すEUV光生成制御システム5の動作を、以下に例を挙げて説明する。図38は、EUV光生成制御システム5の動作を示すフローチャートである。なお、以下の説明では、アライメントを実行する光学装置数がnであるとする。また、マスターオシレータ301側の光学装置を第1光学装置とし、順にチャンバ2側の光学装置を第n光学装置とする。図37に示すEUV光生成制御システム5では、アライメントを実行する順序はnが示す序数順として説明する。ただし、部分的な光学装置のメンテナンスを実施した場合は、メンテナンスを実施した光学装置とそれより下流の光学装置のみをアライメントするようにしてもよい。
各光学装置におけるアライメントには、ガイドレーザ光が用いられてもよい。図45に、ガイドレーザ光を用いた光学装置のアライメントが可能なEUV光生成装置1Bの概略構成を示す。なお、図45では、説明の簡略化のため、図1におけるターゲットセンサ4については、省略する。
図37と図45と比較すると明らかなように、EUV光生成装置1Bのレーザシステム3Bは、ガイドレーザ光を出力可能なガイドレーザ装置350をさらに備える。ガイドレーザ装置350から出力されたガイドレーザ光351は、たとえばビーム伝播経路合成部352として機能するダイクロイックミラーによって、空間フィルタ302を出力したパルスレーザ光31と略同一のビーム伝播経路に導入される。ガイドレーザ光351は、たとえば計測部333におけるビームプロファイラなどのセンサに対して感度が高い波長の光であってもよい。このガイドレーザ装置350には、たとえば1μm付近の波長のレーザ光を出力可能なYAGレーザやファイバーレーザなどを適用できる。また、ガイドレーザ光351は、可視光線であってもよい。この場合、ガイドレーザ装置350には、HeNeレーザ(633nm)、YAGレーザ(ただし、第二高調波光(533nm))を適用できる。
図45に示すEUV光生成制御システム5の動作は、基本的には、図37に示すEUV光生成制御システム5の動作と同様である。ただし、図45に示すEUV光生成制御システム5は、各光学装置のアライメント時(図38のステップS202)において、マスターオシレータ301の代わりに、ガイドレーザ装置350を発振させる(図46のステップS301参照)。各光学装置でのアライメントは、このガイドレーザ光351を計測して得られた値に基づいて実行される。
つぎに、EUV光生成装置の設置例を、以下に例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、図37に示すEUV光生成装置1Aを引用して説明する。ただし、以下の説明では、マスターオシレータ301および空間フィルタ302についても、アクチュエータ部332、計測部333および制御部334を備えた光学装置として構成する。また、本例では増幅器として、図7および図8に示す光学装置330Bを適用する。
つぎに、個々の光学装置の位置決め機構について、以下に例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、説明の簡略化のため、図5に示した光学装置330Aを例に挙げる。
図53は、レールを用いた光学装置の位置決め機構の一例を示す。図54は、図53のVXIII−VXIII断面図を示す。図53および図54に示すように、光学モジュール331、アクチュエータ部332および計測部333は、レール339aと図示しない車輪等により、定盤335上をスライドさせて移動することが可能である。レール339aは、位置決めプレート336〜338の所定の位置に固定されてもよい。あるいは、定盤335上の所定の位置に直接固定されていてもよい。レール339aの終端には、光学モジュール331、アクチュエータ部332および計測部333を規定位置で停止させるための位置決めブロック339cが設けられる。この位置決めブロック339cは、光学モジュール331を交換した際の位置再現性を確保する。光学モジュール331、アクチュエータ部332および計測部333は、規定位置に移動後、固定ブロック339bで固定されるとよい。このように、光学モジュール331、アクチュエータ部332および計測部333を移動機構によって移動可能とすることで、これらが手持ちで移動することが困難な重量物であっても、新設やメンテナンスや交換等を容易に行うことが可能となる。
ここで、上述したVRWM332dについて説明する。図57〜図59は、VRWM332dの一例を示す。図57〜図59に示すように、VRWM332dは、たとえば反射面の曲率を変更することが可能なデフォーマブルミラーである。VRWM332dは、たとえば反射面が平面である場合、図57に示すように、平行光のパルスレーザ光31を平行光として反射する。また、たとえば反射面が凹面となるように曲率が調整されていた場合、図58に示すように、VRWM332dは、平行光のパルスレーザ光31を焦点距離が+F離れた焦点F12に集光するように反射する。一方、たとえば反射面が凸面となるように曲率が調整されていた場合、図59に示すように、VRWM332dは、平行光のパルスレーザ光31を焦点距離−F離れた位置に焦点F13を持つようにビーム拡大されたパルスレーザ光として反射する。このように、反射面の曲率を変更可能なVRWM332dを用いることで、入射光に対する反射光の波面を所定の波面に調節することが可能である。
2 チャンバ
3、3A、3B レーザシステム
4 ターゲットセンサ
5 EUV光生成制御システム
6 露光装置
21 ウィンドウ
22 レーザ光集光ミラー
23 EUV集光ミラー
24 貫通孔
25 プラズマ生成サイト
26 ドロップレット生成器
27 ドロップレット(ドロップレットターゲット)
28 ターゲット回収器
29 接続部
291 壁
292 中間焦点(IF)
31 パルスレーザ光
32 パルスレーザ光
33 パルスレーザ光
34 レーザ光進行方向制御アクチュエータ
251、252 EUV光
291 壁
292 中間焦点
301 マスターオシレータ
302 空間フィルタ
304、306、311、313 増幅器
303、305、307、310、312、314 リレー光学系
304A〜307A、310A〜314A、330、330A、330B、330C、340 光学装置
304a〜307a、310a〜314a、332 アクチュエータ部
304b〜307b、310b〜314b、333 計測部
304c〜307c、310c〜314c、334 制御部
331 光学モジュール
331A スラブ型増幅器
331B 高速軸流型増幅器
331C リレー光学系
331D 空間フィルタ
331E 過飽和吸収体セル
331F ビーム伝播経路長調節モジュール
331G 偏光アイソレータ
332a、332b ミラー
333a ビームスプリッタ
333b センサ
335,335A、335B 定盤
301d〜307d、310d〜314d、301e、302e、304e〜307e、310e〜314e、336〜338 位置決めプレート
301B、302B、304B〜307Bおよび310B〜314B アライメントユニット
350 ガイドレーザ装置
351 ガイドレーザ光
3031〜3033、3035 ミラー
3034 ビームスプリッタ
3036 センサ
Claims (7)
- レーザ光のビーム伝播経路上に配置された光学モジュールと、
前記ビーム伝播経路上に配置され、前記レーザ光のビーム伝播経路を調節するアクチュエータ部と、
前記ビーム伝播経路上に配置され、前記ビーム伝播経路を検出する計測部と、
前記計測部によって検出された前記レーザ光のビーム伝播経路の検出結果に基づいて、前記アクチュエータ部を制御する制御部と、
を備える光学装置。 - 前記光学モジュールは、レーザ光を増幅する増幅器、リレー光学系、過飽和吸収セル、ビーム伝播経路長を調整する光学系、空間フィルタ、および偏光制御素子を備えた光学系のうち少なくとも1つを1つ以上含む請求項1記載の光学装置。
- 前記アクチュエータ部は、前記光学モジュールの入力側に配置されている請求項1記載の光学装置。
- 前記アクチュエータ部は、前記光学モジュールの出力側に配置されている請求項1記載の光学装置。
- 前記レーザ光と異なる波長のガイドレーザ光を出力するガイドレーザ光源と、
前記ガイドレーザ光のビーム伝播経路を前記レーザのビーム伝播経路に略一致させるビーム伝播経路合成部と、
をさらに備え、
前記計測部は、前記ガイドレーザ光のビーム伝播経路を検出し、
前記制御部は、前記計測部による前記ガイドレーザ光のビーム伝播経路の検出結果に基づいて、前記アクチュエータ部を制御する請求項1記載の光学装置。 - 請求項1から5のいずれか一つに記載の光学装置を少なくとも1つ含むレーザ装置。
- 請求項6記載のレーザ装置を備える極端紫外光生成装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011037703A JP5816440B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
| PCT/IB2012/000295 WO2012114178A2 (en) | 2011-02-23 | 2012-02-17 | Optical device, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system |
| EP12715718.8A EP2679078A2 (en) | 2011-02-23 | 2012-02-17 | Optical device, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system |
| US13/817,818 US8891161B2 (en) | 2011-02-23 | 2012-02-17 | Optical device, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system |
| US14/485,355 US9362703B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-09-12 | Optical device, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011037703A JP5816440B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012175006A true JP2012175006A (ja) | 2012-09-10 |
| JP5816440B2 JP5816440B2 (ja) | 2015-11-18 |
Family
ID=45992563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011037703A Active JP5816440B2 (ja) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8891161B2 (ja) |
| EP (1) | EP2679078A2 (ja) |
| JP (1) | JP5816440B2 (ja) |
| WO (1) | WO2012114178A2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014042003A1 (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成方法及び極端紫外光生成装置 |
| WO2015092855A1 (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-25 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
| WO2015182092A1 (ja) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
| WO2016171158A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
| JPWO2015118687A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-03-23 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
| JPWO2015128943A1 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-03-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
| JP2017516288A (ja) * | 2014-02-28 | 2017-06-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源のための適応レーザシステム |
| WO2018055744A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及び極端紫外光生成システム |
| WO2018225117A1 (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
| US10374381B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-08-06 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
| JP2019135788A (ja) * | 2019-04-22 | 2019-08-15 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
| JPWO2021245918A1 (ja) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9052615B2 (en) | 2008-08-29 | 2015-06-09 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
| US9099292B1 (en) * | 2009-05-28 | 2015-08-04 | Kla-Tencor Corporation | Laser-sustained plasma light source |
| WO2014119199A1 (ja) | 2013-01-31 | 2014-08-07 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
| WO2014119198A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-07 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
| US9000405B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Beam position control for an extreme ultraviolet light source |
| WO2015075838A1 (ja) | 2013-11-25 | 2015-05-28 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びレーザ装置にチャンバを増設する方法 |
| WO2016015010A1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Amo Manufacturing Usa, Llc | Systems and methods for laser beam direct measurement and error budget |
| JP6480960B2 (ja) * | 2015-02-06 | 2019-03-13 | ギガフォトン株式会社 | ビームデリバリシステム及びその制御方法 |
| US10422691B2 (en) | 2015-03-03 | 2019-09-24 | Asml Netherlands B.V. | Radiation sensor apparatus |
| CZ2016661A3 (cs) | 2016-10-21 | 2018-02-14 | Fyzikální Ústav Av Čr, V. V. I. | Kompaktní systém pro charakterizaci spektra a profilu intenzity svazku krátkovlnného záření |
| JPWO2018134971A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2019-11-07 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
| US11366399B2 (en) | 2017-11-29 | 2022-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Laser beam monitoring system |
| CN113597715B (zh) * | 2019-03-20 | 2025-10-21 | 通快激光系统半导体制造有限公司 | 用于调整激光射束的方法、用于提供经调整的激光射束的设备和光学布置 |
| KR102691181B1 (ko) * | 2019-12-23 | 2024-08-05 | 사이머 엘엘씨 | Duv 레이저 정렬을 개선하기 위한 계측법 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046007U (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-21 | ||
| JPH04271035A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-28 | Ricoh Co Ltd | 光軸調整補助装置 |
| JP2001028470A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | キャビティ軸心の調整方法 |
| JP2001358383A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 光学原点調整装置及び光学原点の初期調整方法 |
| JP2002162551A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Honda Motor Co Ltd | 光学ユニット |
| JP2008277705A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Megaopto Co Ltd | 再生増幅器及び超短パルスレーザ |
| WO2010059210A2 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for drive laser beam delivery in an euv light source |
| JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
| US7885311B2 (en) * | 2007-03-27 | 2011-02-08 | Imra America, Inc. | Beam stabilized fiber laser |
| WO2007056772A2 (en) * | 2005-11-09 | 2007-05-18 | William Marsh Rice University | Modulation cancellation method in laser spectroscopy |
| US7960261B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor |
| JP2009099785A (ja) | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Fujifilm Corp | 携帯電子機器及びその組立方法 |
| US8304752B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-11-06 | Cymer, Inc. | EUV light producing system and method utilizing an alignment laser |
| JP5765730B2 (ja) | 2010-03-11 | 2015-08-19 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
-
2011
- 2011-02-23 JP JP2011037703A patent/JP5816440B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-17 WO PCT/IB2012/000295 patent/WO2012114178A2/en not_active Ceased
- 2012-02-17 EP EP12715718.8A patent/EP2679078A2/en not_active Withdrawn
- 2012-02-17 US US13/817,818 patent/US8891161B2/en active Active
-
2014
- 2014-09-12 US US14/485,355 patent/US9362703B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH046007U (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-21 | ||
| JPH04271035A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-28 | Ricoh Co Ltd | 光軸調整補助装置 |
| JP2001028470A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | キャビティ軸心の調整方法 |
| JP2001358383A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 光学原点調整装置及び光学原点の初期調整方法 |
| JP2002162551A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Honda Motor Co Ltd | 光学ユニット |
| JP2008277705A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Megaopto Co Ltd | 再生増幅器及び超短パルスレーザ |
| JP2010135769A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
| WO2010059210A2 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for drive laser beam delivery in an euv light source |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9277635B2 (en) | 2012-09-11 | 2016-03-01 | Gigaphoton Inc. | Method for generating extreme ultraviolet light and device for generating extreme ultraviolet light |
| JPWO2014042003A1 (ja) * | 2012-09-11 | 2016-08-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成方法及び極端紫外光生成装置 |
| WO2014042003A1 (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-20 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成方法及び極端紫外光生成装置 |
| WO2015092855A1 (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-25 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
| JPWO2015092855A1 (ja) * | 2013-12-16 | 2017-03-16 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
| US9743503B2 (en) | 2014-02-10 | 2017-08-22 | Gigaphoton Inc. | Laser device and extreme ultraviolet light generation system |
| JPWO2015118687A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-03-23 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
| JPWO2015128943A1 (ja) * | 2014-02-25 | 2017-03-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
| JP2017516288A (ja) * | 2014-02-28 | 2017-06-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源のための適応レーザシステム |
| WO2015182092A1 (ja) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
| JP2015225744A (ja) * | 2014-05-27 | 2015-12-14 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
| US10374381B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-08-06 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generating apparatus |
| WO2016171158A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
| US10211589B2 (en) | 2015-04-20 | 2019-02-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser apparatus and extreme ultraviolet light generation apparatus |
| JPWO2016171158A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2017-07-13 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成装置 |
| WO2018055744A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及び極端紫外光生成システム |
| US10842008B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-11-17 | Gigaphoton Inc. | Laser device, and extreme ultraviolet light generation system |
| JPWO2018055744A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2019-07-04 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及び極端紫外光生成システム |
| JPWO2018225117A1 (ja) * | 2017-06-05 | 2020-04-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
| WO2018225117A1 (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
| US10925143B2 (en) | 2017-06-05 | 2021-02-16 | Gigaphoton Inc. | Laser apparatus and EUV light generating system |
| JP6990701B2 (ja) | 2017-06-05 | 2022-01-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
| JP2019135788A (ja) * | 2019-04-22 | 2019-08-15 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
| JPWO2021245918A1 (ja) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | ||
| WO2021245918A1 (ja) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | ギガフォトン株式会社 | アライメント調整装置、及び電子デバイスの製造方法 |
| JP7512385B2 (ja) | 2020-06-05 | 2024-07-08 | ギガフォトン株式会社 | アライメント調整装置、及び電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012114178A2 (en) | 2012-08-30 |
| US9362703B2 (en) | 2016-06-07 |
| US8891161B2 (en) | 2014-11-18 |
| WO2012114178A3 (en) | 2012-11-01 |
| US20140374605A1 (en) | 2014-12-25 |
| JP5816440B2 (ja) | 2015-11-18 |
| EP2679078A2 (en) | 2014-01-01 |
| US20130208742A1 (en) | 2013-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5816440B2 (ja) | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 | |
| US8242472B2 (en) | Extreme ultraviolet light source device and control method for extreme ultraviolet light source device | |
| US9128391B2 (en) | Optical device including wavefront correction parts and beam direction parts, laser apparatus including the optical device, and extreme ultraviolet light generation system including the laser apparatus | |
| US20130037693A1 (en) | Optical system and extreme ultraviolet (euv) light generation system including the optical system | |
| KR101898750B1 (ko) | 극자외선광 생성 장치 | |
| US10027084B2 (en) | Alignment system and extreme ultraviolet light generation system | |
| JP5711326B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
| US12282262B2 (en) | Method for controlling extreme ultraviolet light | |
| WO2016125295A1 (ja) | ビームデリバリシステム及びその制御方法 | |
| JP6232462B2 (ja) | アライメントシステム | |
| US11828952B2 (en) | Light source and extreme ultraviolet light source system using the same | |
| NL2012718A (en) | Radiation systems and associated methods. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120702 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140110 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150430 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150608 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150908 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150928 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5816440 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |