JP2012248833A - 発光ダイオード - Google Patents

Abstract

【課題】基板及び発光ダイオードチップを備える、逆電流又はショートが生じないフリップチップ型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板は、本体４３、複数の第３パッド２３、第４パッド２４、第１電極２５、第２電極２６、複数の第１ビア２１、及び、第２ビア２２を有する。本体は、第１面及び第１面に対向する第２面を有する。第３パッド及び第４パッドは、第１面に設けられている。第１電極及び第２電極は、第２面に設けられる。第１ビアは、本体を貫通し、電気的に第３パッドと第１電極とを接続する。第２ビアは、本体を貫通し、電気的に第４パッドと第２電極とを接続する。
【選択図】図３

Description

本開示は、発光ダイオード及びその製造方法に関し、より詳細には、フリップチップ型の発光ダイオード及びその製造方法に関する。

［優先権情報］
本願は、２０１１年５月３０日出願の米国仮出願６１／４９１，３０７号及び２０１１年８月２５日出願の米国仮出願６１／５２７，５８６号の優先権を主張するものであり、前記出願の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージの従来の製造方法では、複数の金のボールを基板の電極上に配置し、共晶接合を使用して、フリップチップ型のＬＥＤを、基板の対応する電極と電気的に接続する。その後、ＬＥＤチップと基板との間の空間に、電気的に絶縁性を有するコロイド（以下、"アンダーフィル"と称する）を供給して、反射性を高めている。従って、フリップチップ法では、水平型のチップ電極による光の遮蔽の問題が生じ、それにより、照明効率が低くなっている。また、フリップチップ法による基板へのＬＥＤの接合（ボンディング）では、アライメントが不十分になる場合があり、これによって照明に不均一性が発生する場合がある。更に、ＬＥＤと基板との間のアンダーフィルは、望ましくない反射性を有する上に、製造コストが高くなる傾向がある。

従来のフリップチップ型のＬＥＤは、通常、Ｎ型半導体層、Ｐ型半導体層及び発光層を有する。複数の導電性金属プラグが、フリップチップ型のＬＥＤを貫通するように設けられ、Ｐ型半導体層から、発光層を介して、Ｎ型半導体層に至るように設けられる。フリップチップ型ＬＥＤの底面層に設けられるＮ型電極は、複数の導電性金属プラグと接続される。フリップチップ型ＬＥＤの底面層に設けられるＰ型電極は、Ｐ型半導体層と接続される。そして、電気接続のための金のボールを使用することなく、共晶接合又はリフローにより、フリップチップ型ＬＥＤが基板上の電極に電気的に接続される。この方法は、ＬＥＤチップを基板にフリップチップ方法でボンディングする時のミスアライメントの問題に対処できるだけでなく、アンダーフィルを必要としないという利点を有する。しかしながら、この方法でフリップチップ型ＬＥＤと基板とを電気的に接続すると、半導体層（メサ又はエピ）と基板電極との間の距離が非常に近いために、共晶接合又はリフローをした後に、逆電流又はショートが生じる場合がある。

上記のような従来のＬＥＤパッケージに関する問題を解決するために、本開示では、シリコン基板又は電気的に絶縁された基板を含むＬＥＤチップを提供する。ＬＥＤチップは、透明な基板、及び、透明な基板の表面上に形成されたＮ型半導体層、発光層及びＰ型半導体層を含む半導体層を備える。ＬＥＤチップは更に、Ｐ型半導体層とシリコン基板又は電気的に絶縁された基板との間に、コンタクト層を備える。ＬＥＤチップは、シリコン基板又は電気的絶縁基板の底面からＮ型半導体層までを貫通する複数の第１金属導電プラグと、シリコン基板又は電気的絶縁基板の底面からＰ型半導体層までを貫通する複数の第２金属導電プラグと、シリコン基板又は電気的絶縁基板の底面に設けられ第１金属導電プラグと電気的に接続されるＮ型電極と、シリコン基板又は電気的絶縁基板の底面に設けられ第２金属導電プラグと電気的に接続されるＰ型電極とを備える。ＬＥＤチップは、フリップチップ型の方法により、基板と電気的に接続される。したがって、シリコン基板又は電気的絶縁基板は、ＬＥＤフリップチップ構造を高い位置に配置することが可能となるので、逆電流及び短絡現象の発生を回避することができる。更に、シリコン基板又は電気的絶縁基板は、高い電流によるＬＥＤフリップチップ構造の絶縁破壊を回避するべく、ツェナーダイオードであってもよい。

本開示の上記の実施形態では、複数の導電性金属プラグが、シリコン基板又は電気的に絶縁された基板に、ダマシンプロセスによって形成される。そして、シリコン基板又は電気的に絶縁された基板が、共晶接合により、ＬＥＤチップの半導体層と接合される。

本開示の上記の実施形態では、シリコン基板又は電気的絶縁基板は、ＬＥＤチップの半導体層に接合される。フォトリソグラフィー及び金属堆積によって、複数の第１金属導電プラグ及び複数の第２金属導電プラグが、ＬＥＤチップ内に形成される。絶縁層が、金属導電プラグの側面付近に形成されるため、電気接続による短絡を回避できる。

本開示の上記の実施形態では、ＬＥＤチップの透明基板は更に、透明基板の他方の側の半導体層上に設けられるパターニングされた構造を有する。パターニングされた構造は、照明を向上させる規則的なパターン又は不規則なパターンを含んでもよい。

本開示の上記の実施形態では、ＬＥＤチップのＰ型電極及びＮ型電極は、共晶接合又はリフローによって、基板上の電極と電気的に接続されてもよい。

本開示の上記の実施形態では、ＬＥＤフリップチップ構造の上方に、光学変換材料を配置してもよい。光学変換材料は、ＬＥＤフリップチップ構造によって励起されて、光混合したときに白色光を生成してもよい。

一側面において、フリップチップ型ＬＥＤは、基板及びＬＥＤチップを備えてもよい。基板は、第１面及び第１面と対向する第２面を有する本体、第１面上に設けられた複数の第３パッド、第１面上に設けられた第４パッド、第２面上に設けられた第１電極、第２面上に設けられた第２電極、本体を貫通し第３のパッドと第１電極とを電気的に接続する複数の第１ビア、及び、本体を貫通し第４パッドを第２電極に電気的に接続する第２ビアを有する。ＬＥＤチップは、基板に接合されるフリップチップであってもよく、透明基板、透明基板上に設けられた第１型半導体層、第１型半導体層上に設けられる第２型半導体層、第１型半導体層と第２型半導体層との間に設けられた活性半導体層、第１型半導体層に配置され電気的に第３パッドと接続される第１パッド、及び、第２型半導体層に配置され第４パッドと電気的に接続される第２パッドを備える。

別の側面では、フリップチップ型ＬＥＤは、第１面と第１面に対向する第２面を有する本体を有する基板を備えてもよい。フリップチップ型ＬＥＤは更に、第２面に設けられた第１電極、及び、第２面に設けられた第２電極を備えてもよい。フリップチップ型ＬＥＤは更に、透明基板、透明基板上に設けられた第１型半導体層、第１型半導体層上に設けられた第２型半導体層、第１型半導体層と第２型半導体層との間上に設けられた活性半導体層、第２型半導体層と基板の第１面との間に設けられた接着層、基板の本体、接着層、第２型半導体層及び活性半導体層を貫通する複数の第１ビア、及び、基板の本体を貫通する第２ビアを供える。第１ビアは、第１型半導体層及び第１電極に電気的に接続されてもよい。第２ビアは、第２型半導体層及び第２電極に電気的に接続されてもよい。

一側面において、フリップチップ型ＬＥＤを製造する方法は、第１面及び第１面に対向する第２面を有する本体、第１面に設けられた複数の第３パッド、第１面に設けられた第４パッド、第２面に設けられた第１電極、第２面に設けられる第２電極、本体を貫通しそれぞれが第３パッドのうちの１つに電気的に接続される複数の第１ビア、及び、本体を貫通し第４パッドと第２電極とに電気的に接続される第２ビアを備える基板を提供してもよい。方法はまた、透明基板、透明基板上に設けられた第１型半導体層、第１型半導体層上に設けられた第２型半導体層、第１型半導体層と第２型半導体層との間に設けられた活性半導体層、第１型半導体層上に設けられた第１パッド、及び、第２型半導体層に設けられた第２パッドを備えるＬＥＤチップを提供してもよい。方法は更に、第１パッド及び第２パッドがそれぞれ、第３パッド及び第４パッドに電気的に接続されるように、基板とＬＥＤチップとを接合する工程を備えてもよい。

別の側面では、フリップチップ型ＬＥＤの製造方法は、透明基板を用意する工程と、第１型半導体層を透明基板に形成する工程と、第１型半導体基板に活性半導体層を形成する工程と、活性半導体基板に第２型半導体層を形成する工程と、第２型半導体基板に接着層を形成する工程と、第１面及び第１面に対向する第２面を有する本体を有する基板を形成する工程と、基板の本体、接着層、第２型半導体層及び活性半導体層を貫通する複数の第１ビアを形成する工程と、基板の本体を貫通する第２ビアを形成する工程と、第１ビアと電気的に接続される第１電極を基板本体の第２面に形成する工程と、第２ビアと電気的に接続される第２電極を基板本体の第２面に形成する工程とを備える。

様々な実施形態において、基板は、シリコン基板又は電気的絶縁基板であってもよい。シリコン基板の場合、電気絶縁層をビアの壁面及びシリコン基板の表面に設ける必要がある。電気絶縁基板の場合には、電気絶縁層は必要ない。

本開示の様々な実施形態の利点及び有益な点の理解を助けるべく、添付の図面を参照して以下の実施形態の詳細な説明を提供する。

本開示は、以下の詳細な記載及び添付の図面を参照した例を読むことにより、より完全に理解されるであろう。

本開示の第１実施形態に係るＬＥＤチップの構造及び製造プロセスを示した図である。 本開示の第１実施形態に係るシリコン基板の構造及びその製造プロセスを示した図である。 本開示の第１実施形態に係るフリップチップ型ＬＥＤチップの構造及びその製造プロセスを示した図である。 本開示の第２実施形態に係るフリップチップ型ＬＥＤチップの構造及びその製造プロセスを示した図である。 本開示の第２実施形態に係るフリップチップ型ＬＥＤチップの構造及びその製造プロセスを示した図である。 本開示の第３実施形態に係るシリコン基板の構造及びその製造プロセスを示した図である。 本開示の第３実施形態に係るフリップチップ型ＬＥＤチップの構造及びその製造プロセスを示した図である。 本開示の第４実施形態に係るフリップチップ型ＬＥＤチップの構造及びその製造プロセスを示した図である。 本開示の第４実施形態に係るフリップチップ型ＬＥＤチップの構造及びその製造プロセスを示した図である。

［第１実施形態］
図１〜図３に示すように、本開示は、シリコン基板２０及びＬＥＤチップ１０を備えるフリップチップ型ＬＥＤ３０を提供する。シリコン基板２０は、本体４３、複数の第３パッド２３、第４パッド２４、第１電極２５、第２電極２６、複数の第１ビア２１、及び、第２ビア２２を有する。シリコン基板２０の本体４３は、第１面２０ａ、及び、第１面２０ａに対向する第２面２０ｂを有する。第３パッド２３は、第１面２０ａに設けられている。第４パッド２４も、第１面２０ａに設けられている。第１電極２５は、第２面２０ｂの下に設けられる。第２電極２６も、第２面２０ｂの下に設けられる。第１ビア２１は、シリコン基板２０の本体４３を貫通し、電気的に少なくとも１つの第３パッド２３と第１電極２５とを接続する。第２ビア２２は、シリコン基板２０の本体４３を貫通し、電気的に少なくとも１つの第４パッド２４と第２電極２６とを接続する。

更に、シリコン基板２０には、第１ビア２１と本体４３との間、第２ビア２２と本体４３との間、本体４３の側面、及び、第１ビア２１と第２ビア２２が貫通しない第１面２０ａ及び第２面２０ｂの部分に、電気絶縁層２８が設けられる。

ＬＥＤチップ１０は、フリップチップ法によりシリコン基板２０の上に設けられ、ＬＥＤチップ１０は、透明基板１１、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、活性半導体層１２ｂ、少なくとも１つの第１パッド１４、及び、少なくとも１つの第２パッド１５を有する。一実施形態において、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、及び、活性半導体層１２ｂは、エピ型の積層構造１２を形成する。エピ型の積層構造１２では、第１型半導体層１２ｃが透明基板１１上に設けられ、第２型半導体層１２ａは第１型半導体層１２ｃ上に設けられ、活性半導体層１２ｂは、第１型半導体層１２ｃと第２型半導体層１２ａとの間に設けられる。第１パッド１４は、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａに設けられ、第３パッド２３に電気的に接続される。第２パッド１５は、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａに設けられ、第４パッド２４に電気的に接続される。

一実施形態において、ＬＥＤチップ１０は更に、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａに設けられる電気絶縁層１６を有し、第１パッド１４と第２パッド１５を分離する。一実施形態において、第２パッド１５と第２型半導体層１２ａとの間及び電気絶縁層１６と第２型半導体層１２ａとの間に、均一な電流分配層又は電流拡散層１７を配置してもよい。このような電流分配層又は電流拡散層１７は、例えば、金属の導電層又は透明な導電層である。更に、シリコン基板２０の本体４３の周辺部の側面は、第２面２０ｂにほぼ垂直である。一実施形態において、第１パッド１４と第２パッド１５との間の距離ｄ１、第３パッド２３と第４パッド２４との間の距離ｄ２、及び、第１電極２５と第２電極２６との間の距離ｄ３は、ほぼ同じである。これに替えて、第１パッド１４と第２パッド１５との間の距離ｄ１は、第３パッド２３と第４パッド２４との間の距離ｄ２、及び、第１電極２５と第２電極２６との間の距離ｄ３よりも大きくてもよい。一実施形態において、ＬＥＤチップ１０の周辺面は、シリコン基板２０の本体４３の周辺面と同一平面を成す、対応している又は揃えられている。シリコン基板２０は、フリップチップ型ＬＥＤ３０全体の放熱性を改善させる。

一実施形態において、第１型半導体層１２ｃは、Ｐ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｎ型半導体層である。第１パッド１４及び第２パッド１５はそれぞれ、Ｐ型コンタクト層及びＮ型コンタクト層である。これに替えて、第１型半導体層１２ｃは、Ｎ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｐ型半導体層であってもよい。この場合、第１パッド１４及び第２パッド１５はそれぞれ、Ｎ型コンタクト層及びＰ型コンタクト層である。透明基板１１は、サファイアであってもよい。フリップチップ型ＬＥＤ３０は更に、ＬＥＤチップ１０とシリコン基板２０との間に接着層を備えてもよい。接着層は、少なくとも１つのオーミックコンタクト層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含んでもよい。透明基板１１は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、これに変えて、不規則な形状の凹凸を有する表面を有してもよい。ＬＥＤチップ１０は更に、エピ型の積層構造１２の第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂを貫通し、第１パッド１４とエピ型積層構造１２の第１型半導体層１２ｃとを電気的に接続する複数の第３ビア１３を備えてもよい。第３ビア１３の数は、第１ビア２１の数に等しくてもよく、この場合、電流拡散の効果を向上させることができる。第３パッド２３、第１電極２５及び第１パッド１４の配置は、アプリケーションに応じて変更することができ、１つのパッド、複数のパッド、１つの電極、複数の電極、１つのコンタクト層又は複数のコンタクト層のような組み合わせを含んでもよい。パッド、電極及びコンタクト層の数はそれぞれ、第３ビア１３の数又は第１ビア２１の数に等しくてもよい。更に、ＬＥＤチップ１０は、第３ビア１３、第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂの間に電気絶縁層１３ａを有し、それにより、第３ビア１３、第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂを分離してもよい。更に、ＬＥＤチップ１０において、例えば、第１パッド１４又は第２パッド１５の近傍に反射層を設けて、活性半導体層１２ｂによって生成される光を反射して、光を、透明基板１１の規則的な形状を有する凹凸面又は不規則な形状を有する凹凸面を通過させてＬＥＤチップ１０の外へ到達させることにより、ＬＥＤチップ１０の照明効果を向上させてもよい。

図１〜図３に示すように、本開示は更に、以下に説明するフリップチップ型ＬＥＤ３０の製造方法を提供する。

最初に、本体４３を備えるシリコン基板２０を準備する。シリコン基板２０の本体４３は、第１面２０ａ、及び、第１面２０ａに対向する第２面２０ｂを有する。

複数のスルーホール２７が、シリコン基板２０の本体４３を貫通するように形成される。スルーホールの形成は、レーザー、機械的手段又はエッチングを使用して、シリコン基板２０に孔を空けることによって行われてもよい。

その後、電気絶縁層２８を、シリコン基板２０の本体４３及びスルーホール２７に形成する。電気絶縁層２８は、スルーホール２７の壁面、及び、シリコン基板２０の本体４３の側面に設けられる。更に、電気絶縁層２８が、スルーホール２７が設けられていない第１面２０ａ及び第２面２０ｂの領域に設けられる。これは、蒸着法によって達成されてもよい。

次に、金属層２９がシリコン基板２０の本体４３に形成され、スルーホール２７が金属層２９で満たされる。これは、電気めっき又は蒸着によって達成されてもよい。

そして、金属層２９が平坦化処理され、複数の第１ビア２１及び第２ビア２２が形成される。これは、化学機械研磨（ＣＭＰ）又はエッチングによって達成されてもよい。

そして、複数の第３パッド２３、第４パッド２４、第１電極２５及び第２電極２６が形成される。第３パッド２３は、第１ビア２１によって電気的に第１電極２５と接続される。第４パッド２４は、第２ビア２２を介して、第２電極２６と電気的に接続される。これは、金属層電気めっき（又は堆積）及び平坦化処理（ＣＭＰ又はエッチングを使用した）によって達成されてもよい。

このようにして、シリコン基板２０の処理が完了する。シリコン基板２０は、本体４３、複数の第３パッド２３、第４パッド２４、第１電極２５、第２電極２６、複数の第１ビア２１、及び、第２ビア２２を有する。シリコン基板２０の本体４３は、第１面２０ａ、及び、第１面２０ａに対向する第２面２０ｂを有する。第３パッド２３及び第４パッド２４は、第１面２０ａに設けられている。第１電極２５及び第２電極２６は、第２面２０ｂに設けられる。第１ビア２１は、シリコン基板２０の本体４３を貫通し、電気的に第３パッド２３と第１電極２５とを接続する。第２ビアは、シリコン基板２０の本体４３を貫通し、電気的に第４パッド２４と第２電極２６とを接続する。更に、シリコン基板２０は、電気絶縁層２８を有する。電気絶縁層２８は、第１ビア２１と本体４３との間、第２ビア２２と本体４３との間、本体の側面、及び、スルーホール２７が貫通しない第１面２０ａ及び第２面２０ｂの領域４３に設けられる。

透明基板１１、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、活性半導体層１２ｂ、少なくとも１つの第１パッド１４、及び、少なくとも１つの第２パッド１５を有するＬＥＤチップ１０が、設けられる。一実施形態において、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、及び、活性半導体層１２ｂは、エピ型の積層構造１２を形成する。エピ型の積層構造１２では、第１型半導体層１２ｃが透明基板１１上に設けられ、第２型半導体層１２ａは第１型半導体層上に設けられ、活性半導体層１２ｂは、第１型半導体層１２ｃと第２型半導体層１２ａとの間に設けられる。第１パッド１４は、エピ型積層構造１２の第１型半導体層１２ｃに設けられ、第２パッド１５は、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａに設けられる。

その後、シリコン基板２０及びＬＥＤチップ１０が互いに接合される。これにより、第１パッド１４及び第２パッド１５がそれぞれ、第３パッド２３及び第４パッド２４と電気的に接続される。

ＬＥＤチップ１０は更に、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａに設けられる電気絶縁層１６を有し、第１パッド１４と第２パッド１５を分離する。

一実施形態において、シリコン基板の大きな１片とＬＥＤウェハとの間で、アライメント型のフリップチップボンディングが実行されて、フリップチップボンディング構造が形成される。一実施形態において、シリコン基板の大きな１片は、複数のシリコン基板２０を含み、ＬＥＤウェハは、複数のＬＥＤチップ１０を含む。そして、フリップチップボンディング構造は、複数の個々のフリップチップ型ＬＥＤ３０へと切断される。

別の実施形態では、シリコン基板の大きな１片と複数のＬＥＤチップ１０との間で、アライメント型のフリップチップボンディングがまず実行される。一実施形態において、シリコン基板の大きな１片は、複数のシリコン基板２０を含む。そして、シリコン基板の大きな１片が、複数の個々のフリップチップ型ＬＥＤ３０へと切断される。

更なる別の実施形態では、複数のシリコン基板２０とＬＥＤウェハとの間で、アライメント型のフリップチップボンディングがまず実行される。一実施形態において、ＬＥＤウェハは、複数のＬＥＤチップ１０を含む。そして、ＬＥＤウェハが、複数の個々のフリップチップ型ＬＥＤ３０へと切断される。

更なる実施形態において、シリコン基板２０とＬＥＤチップ１０との間のアライメント型フリップチップ接合が実行される。そして、フリップチップ型ＬＥＤ３０が、切断工程を行うことなく形成される。

一実施形態において、第１型半導体層１２ｃはＰ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａはＮ型半導体層であり、第１パッド１４及び第２パッド１５はそれぞれ、Ｐ型コンタクト層及びＮ型コンタクト層である。これに替えて、第１型半導体層１２ｃはＮ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａはＰ型半導体層であり、第１パッド１４及び第２パッド１５はそれぞれ、Ｎ型コンタクト層及びＰ型コンタクト層であってもよい。透明基板１１は、サファイアであってもよい。一実施形態において、接合工程は、ＬＥＤチップ１０とシリコン基板２０との間に接着層を形成することを含む。接着層は、少なくとも１つのオーミック層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含んでもよい。透明基板１１は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、これに変えて、不規則な形状の凹凸を有する表面を有してもよい。ＬＥＤチップ１０は更に、エピ型の積層構造１２の第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂを貫通し、第１パッド１４とエピ型積層構造１２の第１型半導体層１２ｃとを電気的に接続する複数の第３ビア１３を備えてもよい。更に、ＬＥＤチップ１０は、電気絶縁層１３ａを有してもよい。第３ビア１３、第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂの間に電気絶縁層１３ａを設け、第３ビア１３、第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂを分離してもよい。更に、ＬＥＤチップ１０において、例えば、第１パッド１４又は第２パッド１５の近傍に反射層を設けて、活性半導体層１２ｂによって生成される光を反射して、光を、透明基板１１の規則的な形状を有する凹凸面又は不規則な形状を有する凹凸面を通過させてＬＥＤチップ１０の外へ到達させることにより、ＬＥＤチップ１０の照明効果を向上させてもよい。

［第２実施形態］
図４〜図５に示すように、本開示は更に、シリコン基板２０、透明基板１１、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、活性半導体層１２ｂ、接着層、複数の第１ビア４４、第２ビア４５、第１電極２５、及び、第２電極２６を備えるフリップチップ型ＬＥＤ５０を提供する。シリコン基板２０は、本体４３を有する。シリコン基板２０の本体４３は、第１面２０ａ、及び、第１面２０ａに対向する第２面２０ｂを有する。第１電極２５及び第２電極２６は、第２面２０ｂの下に設けられる。一実施形態において、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、及び、活性半導体層１２ｂは、エピ型の積層構造１２を形成する。エピ型の積層構造１２では、第１型半導体層１２ｃが透明基板１１上に設けられ、第２型半導体層１２ａは第１型半導体層１２ｃ上に設けられ、活性半導体層１２ｂは、第１型半導体層１２ｃと第２型半導体層１２ａとの間に設けられる。接着層は、第２型半導体層１２ａとシリコン基板２０の第１面２０ａとの間に設けられ、バリア層４１及び接合層４２を含む。バリア層４１は、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａと接触しており、接合層４２は、シリコン基板２０の第１面２０ａと接触している。第１ビア４４は、シリコン基板２０の本体４３、接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）、第２型半導体層１２ａ、及び、エピ型積層構造１２の活性半導体層１２ｂを貫通する。第１ビア４４は、エピ型積層構造１２の第１型半導体層１２ｃと第１電極２５とを電気的に接続する。第２ビア４５は、シリコン基板２０の本体４３を貫通し、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａと第２電極２６とを電気的に接続する。一実施形態において、第２ビア４５は、シリコン基板２０の本体４３及び接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）を貫通する。更に、シリコン基板２０の本体４３の周辺部の側面は、第２面２０ｂにほぼ垂直である。シリコン基板２０は、フリップチップ型ＬＥＤ５０全体の放熱性を改善させる。

一実施形態において、第１型半導体層１２ｃは、Ｐ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｎ型半導体層である。これに替えて、第１型半導体層１２ｃは、Ｎ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｐ型半導体層であってもよい。透明基板１１は、サファイアであってもよい。接着層は、少なくとも１つのオーミックコンタクト層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含んでもよい。透明基板１１は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、これに変えて、不規則な形状の凹凸を有する表面を有してもよい。第１電極２５は、１つの電極又は複数の電極を含んでもよく、第１電極の数は、第１ビア４４の数に等しくてもよい。

一実施形態において、フリップチップ型ＬＥＤ５０は更に、電気絶縁層４４ａを備えてもよい。電気絶縁層４４ａは、第１ビア４４とシリコン基板２０の本体４３との間、第１ビア４４と接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）との間、第１ビア４４とエピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂとの間、第２ビア４５とシリコン基板２０の本体４３との間、及び、シリコン基板２０の本体４３の側面に設けられてもよい。更に、電気絶縁層４４ａは、第１ビア４４及び第２ビア４５が設けられていない第２面２０ｂの領域に設けられてもよい。更に、電気絶縁層は、接合層４２とシリコン基板２０の本体４３との間に設けられてもよい。更に、フリップチップ型ＬＥＤチップ５０において、例えば、第１電極２５又は第２電極２６の近傍に反射層を設けて、活性半導体層１２ｂによって生成される光を反射して、光を、透明基板１１の規則的な形状を有する凹凸面又は不規則な形状を有する凹凸面を通過させてＬＥＤチップ５０の外へ到達させることにより、ＬＥＤチップ５０の照明効果を向上させてもよい。

図４〜図５に示すように、本開示は更に、以下に説明するフリップチップ型ＬＥＤ５０の製造方法を提供する。

始めに、透明基板１１を準備する。

次に、第１型半導体層１２ｃを、透明基板１１上に形成する。

そして、活性半導体層１２ｂが、第１型半導体層１２ｃに形成される。

続いて、第２型半導体層１２ａが活性半導体層１２ｂ上に形成される。一実施形態において、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、及び、活性半導体層１２ｂは、エピ型の積層構造１２を形成する。

その後、接着層が、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａ上に形成される。

次に、シリコン基板２０が、接着層の上に形成される。シリコン基板２０は、第１面２０ａ及び第１面２０ａに対向する第２面２０ｂを有する本体４３を含む。第１面２０ａは、接着層と接する。接着層は、バリア層４１及び接合層４２を含む。バリア層４１は、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａと接触しており、接合層４２は、シリコン基板２０の第１面２０ａと接触している。

そして、複数の第１スルーホール４７及び第２スルーホール４８が形成される。第１スルーホール４７は、シリコン基板２０の本体４３、接合層４２、バリア層４１、第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂを貫通する。第２スルーホール４８は、シリコン基板２０の本体４３を貫通する。スルーホールの形成は、レーザー、機械的手段又はエッチングを使用して、シリコン基板２０に孔を空けることによって行われてもよい。

次に、電気絶縁層４４ａが、シリコン基板２０の本体４３、第１スルーホール４７及び第２スルーホール４８に形成される。特に、電気絶縁層４４ａは、第１スルーホール４７及び第２スルーホール４８の壁面に設けられる。電気絶縁層４４ａはまた、第１ルーホール４７及び第２スルーホール４８が設けられていない第２面２０ｂのような、シリコン基板２０の本体４３の側面に設けられる。

そして、複数の第１ビア４４が、シリコン基板２０の本体４３、接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）、及び、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂを貫通するように形成される。これは、金属層電気めっき（又は堆積）及び平坦化処理（ＣＭＰ又はエッチングを使用した）によって達成されてもよい。

次に、第２ビア４５が、シリコン基板２０の本体４３及び接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）を貫通するように形成される。

その後、第１電極２５が、電気的に第１ビア４４と接続されるように、シリコン基板２０の第２面２０ｂ上に形成される。

第２電極２６が、電気的に第２ビア４５と接続されるように、シリコン基板２０の第２面２０ｂ上に形成される。

一実施形態において、始めに、半導体ウェハ処理が実行される。そして、複数のフリップチップ型ＬＥＤ５０を別個にするべく、切断プロセスが実行される。

一実施形態において、第１型半導体層１２ｃは、Ｐ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｎ型半導体層である。これに替えて、第１型半導体層１２ｃは、Ｎ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｐ型半導体層であってもよい。透明基板１１は、サファイアであってもよい。接着層は、少なくとも１つのオーミックコンタクト層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含んでもよい。透明基板１１は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、これに変えて、不規則な形状の凹凸を有する表面を有してもよい。電気絶縁層４４ａは、第１ビア４４とシリコン基板２０の本体４３との間、第１ビア４４と接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）との間、第１ビア４４とエピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂとの間、第２ビア４５とシリコン基板２０の本体４３との間に設けられてもよい。電気絶縁層４４ａはまた、第１ビア４４及び第２ビア４５が設けられていない第２面２０ｂのような、シリコン基板２０の本体４３の側面に設けられる。更に、電気絶縁層は、接合層４２とシリコン基板２０の本体４３との間に設けられてもよい。更に、フリップチップ型ＬＥＤチップ５０において、例えば、第１電極２５又は第２電極２６の近傍に反射層を設けて、活性半導体層１２ｂによって生成される光を反射して、光を、透明基板１１の規則的な形状を有する凹凸面又は不規則な形状を有する凹凸面を通過させてＬＥＤチップ５０の外へ到達させることにより、ＬＥＤチップ５０の照明効果を向上させてもよい。

［第３実施形態］
図１及び図６〜７に示すように、本開示は更に、シリコン基板又は電気的絶縁基板６０、及び、ＬＥＤチップ１０を備えるフリップチップ型ＬＥＤ７０を提供する。説明を簡略にするため、ＬＥＤチップ１０の詳細については繰り返し記載しない。電気的絶縁基板６０は、本体６９、複数の第１パッド６３、第２パッド６４、第１電極６５、第２電極６６、複数の第１ビア６１、及び、第２ビア６２を有する。電気的絶縁基板６０の本体６９は、第１面６０ａ、及び、第１面６０ａに対向する第２面６０ｂを有する。第１パッド６３及び第２パッド６４は、第１面６０ａに設けられている。第１電極６５及び第２電極６６は、第２面６０ｂに設けられる。第１ビア６１は、電気的絶縁基板６０の本体６９を貫通し、電気的に第１パッド６３と第１電極６５とを接続する。第２ビア６２は、電気的絶縁基板６０の本体６９を貫通し、電気的に第２パッド６４と第２電極６６とを接続する。一実施形態において、電気的絶縁基板６０の本体６９の周辺部の側面は、第２面６０ｂにほぼ垂直である。一実施形態において、第１パッド１４と第２パッド１５との間の距離ｄ１、第１パッド６３と第２パッド６４との間の距離ｄ４、及び、第１電極６５と第２電極６６との間の距離ｄ５は、ほぼ同じである。これに替えて、第１パッド１４と第２パッド１５との間の距離ｄ１は、第１パッド６３と第２パッド６４との間の距離ｄ４、及び、第１電極６５と第２電極６６との間の距離ｄ５よりも大きくてもよい。一実施形態において、ＬＥＤチップ１０の周辺面は、電気的絶縁基板６０の本体６９の周辺面と同一平面を成す、対応している又は揃えられている。

電気的絶縁基板６０は、電気的には伝導しないが、熱伝導性を有する基板であってもよい。フリップチップ型ＬＥＤ７０は更に、ＬＥＤチップ１０と電気的絶縁基板６０との間に接着層を備えてもよい。接着層は、少なくとも１つのオーミックコンタクト層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含んでもよい。第３ビア１３の数は、第１ビア６１の数と等しくてもよい。第１パッド６３、第１電極６５及び第１パッド１４の配置は、アプリケーションに応じて変更することができ、１つのパッド、複数のパッド、１つの電極、複数の電極、１つのコンタクト層又は複数のコンタクト層のような組み合わせを含んでもよい。パッド、電極及びコンタクト層の数はそれぞれ、第３ビア１３の数又は第１ビア６１の数に等しくてもよい。電気的絶縁基板６０は、フリップチップ型ＬＥＤ７０全体の放熱性を改善させる。

図１及び図６〜７に示すように、本開示は更に、以下に説明するフリップチップ型ＬＥＤ７０の製造方法を提供する。

最初に、電気的絶縁基板６０が用意される。電気的絶縁基板６０は、第１面６０ａ及び第１面６０ａに対向する第２面６０ｂを有する本体６９を含む。

次に、電気的絶縁基板６０の本体６９を貫通する複数のスルーホール６７が形成される。スルーホールの形成は、レーザー、機械的手段又はエッチングを使用して、電気的絶縁基板６０に孔を空けることによって行われてもよい。

そして、金属層６９ａが電気的絶縁基板６０の本体６９に形成され、スルーホール６７が金属層６９ａで満たされる。これは、電気めっき又は堆積によって達成されてもよい。

そして、金属層６９ａが平坦化処理され、複数の第１ビア６１及び第２ビア６２が形成される。これは、ＣＭＰ又はエッチングによって達成されてもよい。

次に、第１パッド６３、第２パッド６４、第１電極６５及び第２電極６６が形成される。第１ビア６１は、第１パッド６３と第１電極６５とを電気的に接続する。第２ビア６２は、第２パッド６４と第２電極６６とを電気的に接続する。これは、金属層電気めっき（又は堆積）及び平坦化処理（ＣＭＰ又はエッチングを使用した）によって達成されてもよい。

上記の電気的絶縁基板６０の製造工程により、電気的絶縁基板６０が提供される。電気的絶縁基板６０は、本体６９、複数の第１パッド６３、第２パッド６４、第１電極６５、第２電極６６、複数の第１ビア６１、及び、第２ビア６２を有する。電気的絶縁基板６０の本体６９は、第１面６０ａ、及び、第１面６０ａに対向する第２面６０ｂを有する。第１パッド６３及び第２パッド６４は、第１面６０ａに設けられ、第１電極６５及び第２電極６６は、第２面６０ｂに設けられている。第１ビアは、電気的絶縁基板６０の本体６９を貫通し、電気的に第１パッド６３と第１電極６５とを接続する。第２ビア６２は、電気的絶縁基板６０の本体６９を貫通し、電気的に第２パッド６４と第２電極６６とを接続する。

そして、ＬＥＤチップ１０が設けられる。ＬＥＤチップ１０は、透明基板１１、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、活性半導体層１２ｂ、第１パッド１４及び第２パッド１５を有する。一実施形態において、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、及び、活性半導体層１２ｂは、エピ型の積層構造１２を形成する。エピ型の積層構造１２では、第１型半導体層１２ｃが透明基板１１上に設けられ、第２型半導体層１２ａは第１型半導体層１２ｃ上に設けられ、活性半導体層１２ｂは、第１型半導体層１２ｃと第２型半導体層１２ａとの間に設けられる。第１パッド１４は、エピ型積層構造１２の第１型半導体層１２ｃ上に設けられる。第２パッド１５は、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａ上に設けられる。

そして、電気的絶縁基板６０とＬＥＤチップ１０とが、第１パッド１４及び第２パッド１５とをそれぞれ、第１パッド６３及び第２パッド６４に接続することにより接合される。

一実施形態において、シリコン基板の大きな１片とＬＥＤウェハとの間で、アライメント型のフリップチップ接合が実行されて、フリップチップ接合構造が形成される。一実施形態において、シリコン基板の大きな１片は、複数の電気的絶縁基板６０を含み、ＬＥＤウェハは、複数のＬＥＤチップ１０を含む。そして、フリップチップ接合構造は、複数の個々のフリップチップ型ＬＥＤ７０へと切断される。

別の実施形態では、シリコン基板の大きな１片と複数のＬＥＤチップ１０との間で、アライメント型のフリップチップ接合がまず実行される。一実施形態において、シリコン基板の大きな１片は、複数の電気的絶縁基板６０を含む。そして、シリコン基板の大きな１片が、複数の個々のフリップチップ型ＬＥＤ７０へと切断される。

更なる実施形態において、複数の電気絶縁基板６０とＬＥＤウェハとの間のアライメント型フリップチップ接合が実行される。一実施形態において、ＬＥＤウェハは、複数のＬＥＤチップ１０を含む。そして、ＬＥＤウェハが、複数の個々のフリップチップ型ＬＥＤ３０へと切断される。

更なる実施形態において、電気的絶縁基板６０とＬＥＤチップ１０との間のアライメント型フリップチップボンディングが実行される。そして、フリップチップ型ＬＥＤ７０が、切断工程を行うことなく形成される。

［第４実施形態］
図８〜図９に示すように、本開示は更に、電気的絶縁基板６０、透明基板１１、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、活性半導体層１２ｂ、接着層、複数の第１ビア８４、第２ビア８５、第１電極６５、及び、第２電極６６を備えるフリップチップ型ＬＥＤ８０を提供する。電気的絶縁基板６０は、本体６９を有する。電気的絶縁基板６０の本体６９は、第１面６０ａ、及び、第１面６０ａに対向する第２面６０ｂを有する。第１電極６５及び第２電極６６は、第２面６０ｂに設けられる。一実施形態において、第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、及び、活性半導体層１２ｂは、エピ型の積層構造１２を形成する。エピ型の積層構造１２では、第１型半導体層１２ｃが透明基板１１上に設けられ、第２型半導体層１２ａは第１型半導体層１２ｃ上に設けられ、活性半導体層１２ｂは、第１型半導体層１２ｃと第２型半導体層１２ａとの間に設けられる。接着層は、第２型半導体層１２ａとシリコン基板２０の第１面６０ａとの間に設けられ、バリア層４１及び接合層４２を含む。バリア層４１は、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａと接触しており、接合層４２は、電気的絶縁基板６０の第１面６０ａと接触している。第１ビア８４は、電気的絶縁基板６０の本体６９、接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）、第２型半導体層１２ａ、及び、エピ型積層構造１２の活性半導体層１２ｂを貫通する。第１ビア４４は、エピ型積層構造１２の第１型半導体層１２ｃと第１電極６５とを電気的に接続する。第２ビア８５は、電気的絶縁基板６０の本体６９を貫通し、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａと第２電極６６とを電気的に接続する。一実施形態において、第２ビア８５は、電気的絶縁基板６０の本体６９及び接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）を貫通する。更に、電気的絶縁基板６０の本体６９の周辺部の側面は、第２面６０ｂにほぼ垂直である。電気的絶縁基板６０は、フリップチップ型ＬＥＤ８０全体の放熱性を改善させる。

フリップチップ型ＬＥＤ８０は更に、電気絶縁層８４ａを有する。電気絶縁層８４ａは、第１ビア８４と、本体６９の接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）との境界部分の間、第１ビア８４と接着層との間、第１ビア８４とエピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂとの間に設けられてもよい。電気絶縁層８４ａはまた、第２ビア８５と本体６９の接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）との境界部分との間、及び、第２ビア８５と接着層との間にも設けられてもよい。

一実施形態において、第１型半導体層１２ｃは、Ｐ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｎ型半導体層である。これに替えて、第１型半導体層１２ｃは、Ｎ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｐ型半導体層であってもよい。透明基板１１は、サファイアであってもよい。接着層は、少なくとも１つのオーミックコンタクト層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含んでもよい。第１電極６５は、１つの電極又は複数の電極を含んでもよい。第１電極の数は、第１ビア８４の数と等しくてもよい。透明基板１１は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、これに変えて、不規則な形状の凹凸を有する表面を有してもよい。更に、ＬＥＤチップ８０において、例えば、第１電極６５又は第２電極６６の近傍に反射層を設けて、活性半導体層１２ｂによって生成される光を反射して、光を、透明基板１１の規則的な形状を有する凹凸面又は不規則な形状を有する凹凸面を通過させてＬＥＤチップ８０の外へ到達させることにより、ＬＥＤチップ８０の照明効果を向上させてもよい。

図８〜図９に示すように、本開示は更に、以下に説明するフリップチップ型ＬＥＤ７０の製造方法を提供する。

最初に、透明基板１１が用意される。

次に、第１型半導体層１２ｃを、透明基板１１上に形成する。

そして、活性半導体層１２ｂが、第１型半導体層１２ｃに形成される。

続いて、第２型半導体層１２ａが活性半導体層１２ｂ上に形成される。第１型半導体層１２ｃ、第２型半導体層１２ａ、及び、活性半導体層１２ｂは、エピ型の積層構造１２を形成する。

その後、接着層が、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａ上に形成される。

次に、電気的絶縁基板６０が、接着層の上に接合される。電気的絶縁基板６０は、第１面６０ａ及び第１面６０ａに対向する第２面６０ｂを有する本体６９を含む。第１面６０ａは、接着層と接する。接着層は、バリア層４１及び接合層４２を含む。バリア層４１は、エピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａと接触しており、接合層４２は、電気的絶縁基板６０の第１面６０ａと接触している。

そして、複数の第１スルーホール８７及び第２スルーホール８８が形成される。第１スルーホール８７は、電気的絶縁基板６０の本体６９、接合層４２、バリア層４１、第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂを貫通する。第２スルーホール８８は、電気的絶縁基板６０の本体６９を貫通する。スルーホールの形成は、レーザー、機械的手段又はエッチングを使用して、電気的絶縁基板６０に孔を空けることによって行われてもよい。

次に、電気絶縁層８４ａが、第１スルーホール８７及び第２スルーホール８８に部分的に形成される。電気絶縁層８４ａは、第１スルーホール８７及び第２スルーホール８８の壁面に設けられる。電気絶縁層８４ａは、エピ型積層構造１２及び接着層に設けられた第１スルーホール８７の壁面を覆い、更に、接着層に設けられた第１スルーホール８７及び第２スルーホール８８の壁面の少なくとも一部、及び、接着層と境界を成す本体６９の一部を覆う。これは、堆積法によって達成されてもよい。

その後、複数の第１ビア８４が形成される。第１ビア８４は、電気的絶縁基板６０の本体６９、接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）、第２型半導体層１２ａ、及び、エピ型積層構造１２の活性半導体層１２ｂを貫通する。これは、金属層電気めっき（又は堆積）及び平坦化処理（ＣＭＰ又はエッチングを使用した）によって達成されてもよい。

そして、第２ビア８５が形成される。第２ビア８５は、電気的絶縁基板６０の本体６９を貫通する。一実施形態において、第２ビア８５は、電気的絶縁基板６０の本体６９及び接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）を貫通する。

次に、第１電極６５が、電気的絶縁基板６０の第２面６０ｂ上に形成される。第１電極６５は、電気的に第１ビア８４と接続される。

そして、第２電極６６が、気的絶縁基板６０の第２面６０ｂ上に形成される。第２電極６６は、電気的に第２ビア８５と接続される。

一実施形態において、始めに、半導体ウェハ処理が実行される。そして、複数のフリップチップ型ＬＥＤ８０を別個にするべく、切断プロセスが実行される。

一実施形態において、第１型半導体層１２ｃは、Ｐ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｎ型半導体層である。これに替えて、第１型半導体層１２ｃは、Ｎ型半導体層であり、第２型半導体層１２ａは、Ｐ型半導体層であってもよい。透明基板１１は、サファイアであってもよい。接着層は、少なくとも１つのオーミックコンタクト層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含んでもよい。透明基板１１は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、これに変えて、不規則な形状の凹凸を有する表面を有してもよい。電気絶縁層８４ａは、第１ビア８４と、本体６９の接着層（例えば、バリア層４１及び接合層４２）との境界部分の間、第１ビア８４と接着層との間、第１ビア８４とエピ型積層構造１２の第２型半導体層１２ａ及び活性半導体層１２ｂとの間に設けられてもよい。更に、電気絶縁層は、接合層４２と電気的絶縁基板６０との間に設けられてもよい。また、ＬＥＤチップ８０において、例えば、第１電極６５又は第２電極６６の近傍に反射層を設けて、活性半導体層１２ｂによって生成される光を反射して、光を、透明基板１１の規則的な形状を有する凹凸面又は不規則な形状を有する凹凸面を通過させてＬＥＤチップ８０の外へ到達させることにより、ＬＥＤチップ８０の照明効果を向上させてもよい。

従来のＬＥＤパッケージに関する問題を解決するために、本開示では、シリコン基板又は電気的に絶縁された基板を含むＬＥＤチップを提供する。ＬＥＤチップは、透明な基板、及び、透明な基板の表面上に形成されたＮ型半導体層、発光層及びＰ型半導体層を含む半導体層を備える。ＬＥＤチップは更に、Ｐ型半導体層とシリコン基板又は電気的に絶縁された基板との間に、コンタクト層を備える。コンタクト層は、Ｐ型半導体層と、シリコン基板又は電気的絶縁基板との間に設けられる。ＬＥＤチップは、シリコン基板又は電気的絶縁基板の底面からＮ型半導体層までを貫通する複数の第１金属導電プラグと、シリコン基板又は電気的絶縁基板の底面からＰ型半導体層までを貫通する複数の第２金属導電プラグと、シリコン基板又は電気的絶縁基板の底面に設けられ第１金属導電プラグと電気的に接続されるＮ型電極と、シリコン基板又は電気的絶縁基板の底面に設けられ第２金属導電プラグと電気的に接続されるＰ型電極とを備える。ＬＥＤチップは、フリップチップ型の方法により、基板と電気的に接続される。したがって、シリコン基板又は電気的絶縁基板は、ＬＥＤフリップチップ構造を高い位置に配置することが可能となるので、逆電流及び短絡現象の発生を回避することができる。更に、シリコン基板又は電気的絶縁基板は、高い電流によるＬＥＤフリップチップ構造の絶縁破壊を回避するべく、ツェナーダイオードであってもよい。

本開示の上記の実施形態では、複数の導電性金属プラグが、シリコン基板又は電気的に絶縁された基板に、ダマシンプロセスによって形成される。そして、シリコン基板又は電気的に絶縁された基板が、共晶接合により、ＬＥＤチップの半導体層と接合される。

本開示の上記の実施形態では、シリコン基板又は電気的絶縁基板は、ＬＥＤチップの半導体層に接合される。フォトリソグラフィー及び金属堆積によって、複数の第１金属導電プラグ及び複数の第２金属導電プラグが、ＬＥＤチップ内に形成される。電気絶縁層が、金属導電プラグの側面付近に形成されるため、電気接続による短絡を回避できる。

本開示の上記の実施形態では、ＬＥＤチップの透明基板は更に、透明基板の他方の側の半導体層に設けられるパターニングされた構造を有する。パターニングされた構造は、照明を向上させる規則的なパターン又は不規則なパターンを含んでもよい。

本開示の上記の実施形態では、ＬＥＤチップのＰ型電極及びＮ型電極は、共晶接合又はリフローによって、基板上の電極と電気的に接続されてもよい。

本開示の上記の実施形態では、ＬＥＤフリップチップ構造の上方に、光学変換材料を配置してもよい。光学変換材料は、ＬＥＤフリップチップ構造によって励起されて、光混合した時に白色光を生成してもよい。

上記の実施形態において、基板は、シリコン基板又は電気的絶縁基板であってもよい。シリコン基板の場合、電気絶縁層をビアの壁面及びシリコン基板の表面に設ける必要がある。電気絶縁基板の場合には、電気絶縁層は必要ない。

本開示が、例として及び望ましい実施形態の観点で説明されたが、本開示は、開示された実施形態に限定されないことは理解されるべきである。反対に、本開示は、（当業者にとって明らかな）様々な変形例及び同様な配置も範囲に含むことを意図している。したがって、添付の特許請求の範囲は、このような変形及び同様な配置を全て包括するべく最も広い解釈が適用されるべきである。

Claims (20)

1. 基板と、前記基板にフリップチップ接合される発光ダイオード（ＬＥＤ）チップとを備える発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
   前記基板は、
   第１面及び前記第１面と対向する第２面を有する本体と、
   前記第１面に設けられた複数の第３パッドと、
   前記第１面に設けられた第４パッドと、
   前記第２面に設けられた第１電極と、
   前記第２面に設けられた第２電極と、
   前記本体を貫通し、前記複数の第３パッドと前記第１電極とを電気的に接続する複数の第１ビアと、
   前記本体を貫通し、前記第４パッドと前記第２電極とを電気的に接続する第２ビアと、
   複数の第３ビアとを有し、
   前記ＬＥＤチップは、
   透明基板と、
   前記透明基板上に設けられた第１型半導体層と、
   前記第１型半導体層上に設けられた活性半導体層と、
   前記活性半導体層上に設けられた第２型半導体層と、
   前記第２型半導体層上に設けられ、前記複数の第３パッドと電気的に接続される第１パッドと、
   前記第２型半導体層上に設けられ、前記第４パッドと電気的に接続される第２パッドとを有し、
   前記複数の第３ビアは、前記第２型半導体層及び前記活性半導体層を貫通し、
   前記複数の第３ビアは、前記第１パッドと前記第１型半導体層とを電気的に接続する
   ＬＥＤ。
2. 前記基板は、シリコン基板又は電気絶縁基板を含む請求項１に記載のＬＥＤ。
3. 前記第１型半導体層及び前記第２型半導体層は、Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層の組み合わせを含む請求項１に記載のＬＥＤ。
4. 前記透明基板は、サファイアを含む請求項１に記載のＬＥＤ。
5. 前記ＬＥＤチップと前記基板の間に設けられる接着層を更に備え、
   前記接着層は少なくとも、オーミックコンタクト層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含む請求項１に記載のＬＥＤ。
6. 前記透明基板は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、不規則な形状の凹凸を有する表面を含む請求項１に記載のＬＥＤ。
7. 前記複数の第３ビアの数は、前記複数の第１ビアの数に等しい請求項１に記載のＬＥＤ。
8. 前記第１パッドと前記第２パッドとの間の距離は、前記複数の第３パッドと前記第４パッドとの間の距離、及び、前記第１電極と前記第２電極との間の距離の何れか一方、又は、両方よりも大きい又は等しい請求項１に記載のＬＥＤ。
9. 前記ＬＥＤチップの周辺面は、前記基板の前記本体の周辺面と同一平面を成す請求項１に記載のＬＥＤ。
10. 前記複数の第３パッド、前記第１電極及び前記第１パッドの配置は、１つのパッド、複数のパッド、１つの電極、複数の電極、１つのコンタクト層又は複数のコンタクト層の組み合わせを含む請求項１に記載のＬＥＤ。
11. 前記複数の第３ビア、前記第２型半導体層及び前記活性半導体層を分離するべく、前記複数の第３ビア、前記第２型半導体層及び前記活性半導体層の間に設けられる第１電気絶縁層を更に備える請求項１に記載のＬＥＤ。
12. 前記複数の第１ビアと前記本体との間、前記第２ビアと前記本体との間、前記本体の側面、及び、前記複数の第１ビア及び前記第２ビアが貫通しない前記本体の前記第１面及び前記本体の前記第２面の領域に設けられる第２電気絶縁層を更に備える請求項１又は請求項１１に記載のＬＥＤ。
13. 前記第２パッドと前記第２型半導体層との間、及び、前記電気絶縁層と前記第２型半導体層との間に設けられる電流分配層を更に備える請求項１に記載のＬＥＤ。
14. 第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する本体を有する基板と、
    透明基板と、
    前記透明基板上に設けられた第１型半導体層と、
    前記第１型半導体層上に設けられた活性半導体層と、
    前記活性半導体層上に設けられた第２型半導体層と、
    前記基板の前記本体、前記第２型半導体層及び前記活性半導体層を貫通する複数の第１ビアと、
    前記基板の前記本体を貫通する第２ビアと
    を備える発光ダイオード（ＬＥＤ）。
15. 前記基板は、シリコン基板又は電気絶縁基板を含み、
    前記透明基板は、サファイアを含む請求項１４に記載のＬＥＤ。
16. 前記第１型半導体層及び前記第２型半導体層は、Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層の組み合わせを含む請求項１４に記載のＬＥＤ。
17. 前記第２型半導体層と前記基板の前記第１面との間に設けられる接着層を更に備え、
    前記接着層は少なくとも、オーミックコンタクト層、反射層、接合層、バリア層、又は、これらの１以上の組み合わせを含む請求項１４に記載のＬＥＤ。
18. 前記複数の第１ビアと前記基板の前記本体との間、前記複数の第１ビアと前記接着層との間、前記複数の第１ビアと前記第２型半導体層及び前記活性半導体層との間、前記第２ビアと前記基板の前記本体との間、及び、前記基板の前記本体の側面に設けられる電気絶縁層を更に備える請求項１７に記載のＬＥＤ。
19. 前記透明基板は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、不規則な形状の凹凸を有する表面を含む請求項１４に記載のＬＥＤ。
20. 前記本体の前記第２面に設けられた第１電極と、
    前記本体の前記第２面に設けられた第２電極とを更に備え、
    前記複数の第１ビアは、前記第１型半導体層と前記第１電極とを電気的に接続し、
    前記第２ビアは、前記第２型半導体層と前記第２電極とを電気的に接続する請求項１４に記載のＬＥＤ。

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