JP2014185584A - ドライ真空ポンプの内部で副生成物が凝固堆積することを防止する方法及び窒素ガス昇温装置 - Google Patents

Abstract

【課題】既に設置がされ現在稼働中のドライ真空ポンプにも適用可能な、副生成物粉体の凝固堆積防止方法及び窒素ガス昇温装置を提供すること。
【解決手段】真空装置のチャンバーＶ内を吸引するためのドライ真空ポンプＰの既存配管である希釈用窒素ガス供給配管Ｃ２に取り付けて使用する発熱体２０等を内包する窒素ガス昇温装置１及び前記窒素ガス昇温装置１を取り付けてドライ真空ポンプＰの内部で副生成物が凝固堆積することを防止する方法を提供する。
【選択図】図２

Description

本願発明は、ドライ真空ポンプの内部に流入後に冷却されることにより凝固堆積する粉体（副生成物）を、凝固し難くし前記ドライ真空ポンプの内部で堆積させずに窒素ガスとともに排気する方法及び前記粉体を凝固し難くする窒素ガス昇温装置に関するものである。

真空装置（例えば、半導体製造装置）のチャンバー内を吸引するためのドライ真空ポンプは、前記チャンバーの排気配管を介してチャンバー内で使用された各種のガス中に含まれていた副生成物（粉体等）が流入する。前記ドライ真空ポンプの内部に流入した副生成物は、その後ドライ真空ポンプの内部で冷却されることにより凝固堆積する。

前記ドライ真空ポンプの中で凝固堆積した副生成物粉体は、排気配管の閉塞、ロータの回転阻害、前記ドライ真空ポンプのロック（可動停止）、起動不良等の様々な故障の原因となることが、従来より問題視されている。

前述の問題と近似する問題を解決するための手段として、真空補助ポンプ（ドライポンプ）の吸気口に加熱された窒素を供給し、加熱窒素と混合され、昇温した排ガスを排ガス通路に排気することによって昇華性物質が、配管内で析出することを防止することが開示されている（特許文献１の００１３段落）。

特開２００１−１７６８５４号公報

確かに、特許文献１のドライエッチング排ガス処理装置を新規導入すれば、当該真空補助ポンプの中で副生成物粉体が凝固堆積することは軽減又は解消するものと思われる。しかしながら、既に設置がされ現在稼働中の設備（真空補助ポンプを含む）をすべて特許文献１の設備に入れ換えることは、使用者にとってコスト面で大きな負担を伴う。

そこで、既に設置がされ現在稼働中のドライ真空ポンプにも適用可能な、副生成物粉体の凝固堆積防止方法を提供することを１つの課題とする。

また、既に設置がされ現在稼働中のドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給配管に取り付ける窒素ガス昇温装置を提供することも１つの課題とする。

本願発明の副生成物凝固堆積防止方法は、上述の課題を解決するために、希釈用窒素ガス供給配管又は希釈用窒素ガス供給路内に取り付けた発熱体を加熱する工程と、希釈用窒素ガス供給路に常温の窒素ガスを供給する工程と、前記常温の窒素ガスを前記発熱体の加熱により一定温度まで昇温する工程と、前記昇温後の窒素ガスをドライ真空ポンプの内部に投入する工程と、前記ドライ真空ポンプの内部に投入した昇温後の窒素ガスが前記ドライ真空ポンプの排気配管から排出される工程と、によって前記ドライ真空ポンプの内部で副生成物が凝固堆積することを防止する方法を提供する。

また、本願発明の窒素ガス加熱装置は、上述の課題を解決するために、真空装置のチャンバー内を吸引するためのドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給路内に取り付ける窒素ガス昇温装置であって、発熱体及び温度計測体を内部に装備する昇温容器と、前記昇温容器と連通する導入管及び排出管とを有し、さらに、前記発熱体から、前記導入管より導入される希釈用窒素ガスへの熱伝導効率を向上させるための熱伝導効率向上機構を装備する窒素ガス昇温装置を提供する。

また、本願発明は、上述の課題を解決するために、真空装置のチャンバー内を吸引するためのドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給路内に取り付ける窒素ガス昇温装置であって、発熱体及び温度計測体を内部に装備する昇温容器と、前記昇温容器と連通し前記昇温容器の外側面に突出する導入管とを有するとともに、少なくとも前記発熱体の周囲に配置する中央管と前記昇温容器の外側面を貫通しそのまま前記昇温容器の内部中央まで配設し前記中央管と連通する排出管とを有する熱伝導効率向上機構を前記昇温容器の内部に装備する窒素ガス昇温装置を提供する。

また、本願発明は、上述の課題を解決するために、真空装置のチャンバー内を吸引するためのドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給路内に取り付ける窒素ガス昇温装置であって、発熱体及び温度計測体を内部に装備する昇温容器を有するとともに、少なくとも前記発熱体の周囲に配置する中央管と、前記昇温容器の外側面を貫通しそのまま前記昇温容器の内部中央まで配設し前記中央管と連通する排出管と、前記昇温容器の外側面を貫通しそのまま前記昇温容器の内側面に沿って配設する前記導入管と、を有する熱伝導効率向上機構を前記昇温容器の内部に装備する窒素ガス昇温装置を提供する。

また、本願発明は、上述の課題を解決するために、真空装置のチャンバー内を吸引するためのドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給路内に取り付ける窒素ガス昇温装置であって、発熱体及び温度計測体を内部に装備する昇温容器と、前記昇温容器と連通する導入管及び排出管とを有し、さらに、前記昇温容器の内部を内層路及び外層路からなる２層構造とし、前記内層路に前記希釈用窒素ガスの直進を妨げる所定の阻害体を付加した熱伝導効率向上機構を前記昇温容器の内部に装備する窒素ガス昇温装置を提供する。

また、本願発明は、上述の課題を解決するために、真空装置のチャンバー内を吸引するためのドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給路内に取り付ける窒素ガス昇温装置であって、発熱体及び温度計測体を内部に装備する昇温容器と、前記昇温容器と連通する導入管及び排出管とを有し、さらに、前記昇温容器の内部を内層路及び外層路からなる２層構造とし、前記内層路に前記希釈用窒素ガスの直進を妨げる交互に配置する複数の半ドーナツ形状の阻害体を付加した熱伝導効率向上機構を前記昇温容器の内部に装備する窒素ガス昇温装置を提供する。

本願発明のドライ真空ポンプの内部で副生成物が凝固堆積することを防止する方法は、既に設置がされ現在稼働中のドライ真空ポンプに適用可能であるため、使用者のコスト負担を軽減し得る。また、ドライ真空ポンプの内部で副生成物粉体が堆積されずに排気されるためドライ真空ポンプが安定稼動する。さらには、ドライ真空ポンプのオーバホール周期が延長でき得る。

また、本願発明の窒素ガス昇温装置は、既に設置がされ現在稼働中のドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給配管又は希釈用窒素ガス供給路内に取り付けることができるため、ドライ真空ポンプを新規導入するよりも導入コストが低減できる。

また、本願発明の窒素ガス昇温装置は、ドライ真空ポンプの製造メーカーや型式を問わずに取り付けができるため、汎用性に優れる。

また、本願発明の窒素ガス昇温装置は、所定の導入口と排出口とを装備するため、ドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給路の直管部が短い場合にも取り付けることができる。また、ドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給路が狭隘な設備位置であっても取り付けができる。

また、本願発明の窒素ガス昇温装置は、短い昇温容器であるにもかかわらず所定の熱伝導効率向上機構も装備するため、希釈用窒素ガスを常温から一定の温度まで昇温することが可能である。

また、本願発明の窒素ガス昇温装置は、通気抵抗（圧力損失）が小さいため、希釈用窒素ガスの流量が減損し難い（減損しない）。

図１は、実施例１の窒素ガス昇温装置の構成図である。 図２は、実施例１の窒素ガス昇温装置取り付け後の接続図及び動作説明図である。 図３は、実施例１の窒素ガス昇温装置の取り付け状態を示す外観図である。 図４は、実施例２の窒素ガス昇温装置の外観図である。 図５は、実施例２の昇温容器の内部構造を示す図である。 図６は、実施例２の窒素ガス昇温装置の切断断面図である。 図７は、実施例２の昇温容器の変形例の内部構造を示す図である。 図８は、実施例２の変形例の窒素ガス昇温装置の切断断面図である。 図９は、実施例２の窒素ガスの昇温装置取り付け前の接続図である。 図１０は、実施例２の窒素ガスの昇温装置取り付け後の接続図及び動作説明図である。

既に設置されているドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給配管又は希釈用窒素ガス供給路に、窒素ガス昇温装置を取り付けて使用する。

実施例１の窒素ガス昇温装置の構成について、図１に従い説明する。

窒素ガス昇温装置（１）は、２個の半円筒形状体の端部相互を接続し中心に中空部を有する昇温体（１０）と、前記昇温体の内部に埋設装備する４本のヒータ（２１）と、前記ヒータの電源供給ケーブル（２２）と、前記昇温体の端部相互側面に装備する２個の昇温体固着具（３０）と、前記ヒータの温度制御を行う制御機構（図示せず）とで構成する。

前記昇温体（１０）の長さについて、本実施例では２００ｍｍであるが取り付け環境に応じていればいかなる長さでも良い。なお、取り付け空間を考慮するとできるだけ短いものが好まれるが、中空部で希釈用窒素ガス供給配管を挟持して当該配管内に流れる常温の窒素ガスを使用者が希望する温度まで昇温させるためには一定以上の長さを要する場合が多い。

前記ヒータ（２１）の本数又は配置について、各々の半円筒形状体に２本づつ均等配置としているが常温の希釈用窒素ガスを使用者が希望する温度まで昇温させることができればいかなる本数又は配置でも良いものとする。例えば、２本又は１本でも常温の希釈用窒素ガスを使用者が希望する温度まで昇温させることができれば良い。

前記昇温体固着具（３０）について、前記昇温体（１０）の中空部で挟持する希釈用窒素ガス供給配管の振動で取り付け位置がずれない程度の固定強度を備えていれば良く、一般的な固着具を採用することができるものとする。

次に、ドライ真空ポンプ内部での粉体の堆積防止運転作動について、図２及び図３に従い説明する。

真空装置（例えば、半導体製造装置）のチャンバー（Ｖ）内を吸引するためのドライ真空ポンプ（Ｐ）は、前記チャンバーの排気配管（Ａ）と接続されている。また、前記ドライ真空ポンプの排気配管（Ｂ）とも接続されている（図２）。

また、前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）には、希釈用窒素ガス供給部（Ｎ）の供給配管（Ｃ）から分岐する第１分岐配管（Ｃ１）及び第２分岐配管（Ｃ２）が既に設置されているものとする（図２）。なお、前記供給配管（Ｃ）には、４０リットル／分の流速で希釈用窒素ガスを供給し、前記第２分岐配管（Ｃ２）には、５リットル／分から１５リットル／分の流速で希釈用窒素ガスが流れるものとして以下説明を続ける。

前記第２分岐配管（Ｃ２）の適当な位置に昇温体（１０）を挟持した後、昇温体固着具（３０）を結着し窒素ガス昇温装置（１）を前記第２分岐配管（Ｃ２）に取り付ける（図２及び図３）。これにより、前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）の希釈用窒素ガス供給配管に当該窒素ガス昇温装置（１）を介在させることができる。

本実施例の窒素ガス昇温装置（１）は、既に設置がされ現在稼働中のドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給配管に挟み込んで取り付けができるため、ドライ真空ポンプを改造する必要がまったく無い。

ヒータ（２１）の加熱を開始する。

前記ヒータ（２１）からの熱伝導により、前記第２分岐配管（Ｃ２）の内部壁面の温度が上昇する。この状態で前記希釈用窒素ガス供給部（Ｎ）から、希釈用窒素ガス供給路へ常温の希釈用窒素ガスを供給する。希釈用窒素ガス供給路とは、前記希釈用窒素ガス供給部（Ｎ）から前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）までの間で希釈用窒素ガスが流通する流路を指し示す概念である。

常温で供給された前記希釈用窒素ガスは、内部壁面の温度が上昇した前記第２分岐配管（Ｃ２）を通過することにより、一定温度（１００度から２００度程度を想定）に昇温されて、前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）の内部に投入される。

また、前記チャンバー（Ｖ）から排気される未反応原料ガス及び反応後ガスは、前記チャンバー排気配管（Ａ）を介して前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）の内部に流入し、前記昇温後の希釈用窒素ガスと混合され希釈化される。

前記混合され希釈化されたガスは、一定程度の温度を保っているため粉体化せず又は一部が粉体化したとしても堆積せず、前記ポンプ排気配管（Ｂ）を経由して前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）の外部に排出される。

実施例２の窒素ガス昇温装置は、直管部が短い希釈用窒素ガス供給部の供給路内にも取り付けが可能な窒素ガス昇温装置であり、その構成について図４から図８に従い説明する。

窒素ガス昇温装置（１）は、中空部を有する全長が１００ｍｍ程度の円筒形状の昇温容器（１１）と、前記昇温容器の一方端（図４及び図５で示す左端）を貫通し設置された発熱体（２０）であるシーズヒータ（２３）と、前記シーズヒータの電源供給ケーブル（２４）と、前記シーズヒータの周囲に配置した中央管（２５）と、前記昇温容器の外側面を貫通しそのまま前記昇温容器の内側面に沿って他方端（図５で示す右端）近傍位置まで引き延ばして管を配置した導入管（４１）と、前記昇温容器の外側面を貫通しそのまま前記昇温容器の内部中央付近まで引き延ばし前記中央管と連通した排出管（５１）と、前記中央管の上流側内壁の一方端側（図５で示す上端側）に沿った半ドーナツ形状の第１阻害体（６１）、前記中央管の上流側内壁の他方端側（図５で示す下端側）に沿った半ドーナツ形状の第２阻害体（６２）、前記中央管の下流側内壁の一方端側（図５で示す上端側）に沿った半ドーナツ形状の第３阻害体（６３）及び前記中央管の下流側内壁の他方端側（図５で示す下端側）に沿った半ドーナツ形状の第４阻害体（６４）からなる希釈用窒素ガスの直進を妨げる阻害体と、前記昇温容器の外側面を貫通し内部に装備する温度センサ（７０）と、前記昇温容器の外側面に装備するサーモスタット（８０）と、前記シーズヒータ（２３）から、希釈用窒素ガスへの熱伝導効率を向上させるための熱伝導効率向上機構（６０）と、制御機構（図示せず）とから構成する（図４から図６）。

前記昇温容器（１１）の内部構造について、前記導入管（４１）の内部空間を包含する外層路（４２）と、前記中央管（２５）の内部に存在する空間である内層路（５２）との２層構造である（図５）。

前記シーズヒータ（２３）は、前記昇温容器（１１）の中央部に配置する（図６）。

前記中央管（２５）は、前記シーズヒータ（２３）が前記昇温容器（１１）に貫通した一方端（図５で示す左端）側に開口部を備え、前記昇温容器（１１）の他方端（図５で示す右端）側を閉塞する構造である（図５）。

前記導入管（４１）の前記昇温容器（１１）から突出した側の先端部には、導入口（４０）を備える（図４）。

前記排出管（５１）の前記昇温容器（１１）から突出した側の先端部には、排出口（５０）を備える（図４）。

なお、前記内層路（５２）及び前記外層路（４２）の層路内温度について、前記シーズヒータ（２３）の近くに配置する前記内層路（５２）の方が前記外層路（４２）よりも高温になる。

熱伝導効率向上機構（６０）について、前記発熱体である前記シーズヒータ（２３）から、前記導入管から導入される希釈用窒素ガスへの熱伝導効率を向上させるための機構であれば良い。本実施例では、前記阻害体（６１、６２、６３、６４）に加え、前記中央管（２５）、前記排出管（５１）、前記内層路（５２）、前記導入管（４１）及び前記外層路（４２）で構成する。

前記阻害体（６１、６２、６３、６４）の配置、個数及び形状について、希釈用窒素ガスの通気抵抗（圧力損失）を小さくすることを考慮して、交互に突設配置する４個の半ドーナツ形状を採用している（図５）が、前記希釈用窒素ガスの昇温作用が著しく低下しなければ他の配置、個数及び形状も採用することができ得るものとする。

例えば、阻害体の形状をドーナツ形状とし、個数を３個とし、前記中央管の上流側に第５阻害体（６５）、真中に第６阻害体（６６）、下流側に第７阻害体（６７）と配した構成を採用することも可能である（図７及び図８）。

前記温度センサ（７０）は、昇温後の希釈用窒素ガスの温度を計測するための計測体である。前記温度センサで計測した温度が、設定した値よりも低温である場合には、図示しない制御機構を介して前記シーズヒータ（２３）の温度を上昇することにより、昇温後の希釈用窒素ガスの温度を上昇させる。

前記サーモスタット（８０）は、前記昇温容器（１１）の外側面の温度を計測する計測体である。前記サーモスタットで計測した温度が、一定の値を超過した場合には、図示しない制御機構を介して前記シーズヒータ（２３）の電源供給を絶つことにより、安全性を確保する。

次に、ドライ真空ポンプ内部での粉体の堆積防止運転作動について、図５、図６及び図９、図１０に従い説明する。

真空装置（例えば、半導体製造装置）のチャンバー（Ｖ）内を吸引するためのドライ真空ポンプ（Ｐ）は、前記チャンバーの排気配管（Ａ）と接続されている。また、前記ドライ真空ポンプの排気配管（Ｂ）とも接続されている（図９）。

また、前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）には、希釈用窒素ガス供給部（Ｎ）の供給配管（Ｃ）が既に設置されているものとする（図９）。なお、前記供給配管（Ｃ）には、１５リットル／分の流速で希釈用窒素ガスを供給し流れるものとして以下説明を続ける。

前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）と希釈用窒素ガス供給部（Ｎ）の供給路である供給配管（Ｃ）は、直管部１００ｍｍ程度と短いため実施例１タイプ（配管カバータイプ）の窒素ガス昇温装置が取り付け不可能である。

そこで、前記希釈用窒素ガス供給部（Ｎ）の供給路である供給配管（Ｃ）をいったん切断する。

前記切断をした供給路である前記供給配管（Ｃ）のうちの、前記希釈用窒素ガス供給部側配管（Ｃ３）の端部と窒素ガス昇温装置（１）の導入口（４０）とを結合する（図１０）。

同様に、前記切断をした供給路である前記供給配管（Ｃ）のうち、前記ドライ真空ポンプ側配管（Ｃ４）の端部と窒素ガス昇温装置（１）の排出口（５０）とを結合する（図１０）。

上述の取り付け作業により、前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）の希釈用窒素ガス供給路内に前記窒素ガス昇温装置（１）を介在させることができる。

シーズヒータ（２３）の加熱を開始する。

前記シーズヒータ（２３）からの熱伝導により、内層路（５２）の内部壁面及び外部側面の温度が上昇するとともに、外層路（４２）の外部側面及び内部壁面の温度も上昇する。この状態で前記希釈用窒素ガス供給部（Ｎ）から、希釈用窒素ガス供給路に常温の希釈用窒素ガスを供給する（図５及び図１０）。

常温で供給された希釈用窒素ガスは、前記導入口（４０）から前記導入管（４１）の内部空間である外層路（４２）を通過することにより予備加熱される（図５及び図１０）。

さらに、予備加熱された希釈用窒素ガスは、中央管（２５）の内部に存在する内層路（５２）に導かれ、第１阻害体（６１）又は第２阻害体（６２）に接触する。

前記第１阻害体（６１）又は前記第２阻害体（６２）に接触した希釈用窒素ガスは、直進が妨げられ、前記接触した前記第１阻害体（６１）又は前記第２阻害体（６２）に沿って流動する。

前記第１阻害体（６１）又は前記第２阻害体（６２）に沿って流動した希釈用窒素ガスは、前記シーズヒータ（２３）に近接をして、あるいは接触をして、さらに温度が上昇する。

上記の様に前記内層路（５２）を流動することにより、希釈用窒素ガスは、一定温度（１００度から２００度程度を想定）に昇温されて、排出管（５１）の内部空間を介して排出口（５０）に排出される（図５及び図１０）。

前記排出口（５０）から排出された昇温後の希釈用窒素ガスは、前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）の内部に投入される（図５及び図１０）。

また、前記チャンバー（Ｖ）から排気される未反応原料ガス及び反応後ガスは、前記チャンバー排気配管（Ａ）を介して前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）の内部に流入し、前記昇温された希釈用窒素ガスと混合され希釈化される。

前記混合され希釈化したガスは、一定程度の温度を保っているため粉体化せず又は一部が粉体化したとしても堆積せず、前記ポンプ排気配管（Ｂ）を経由して前記ドライ真空ポンプ（Ｐ）の外部に排出される。

本願発明のドライ真空ポンプの内部で副生成物が凝固堆積することを防止する方法及び窒素ガス昇温装置は、既に設置がされ現在稼働中のドライ真空ポンプに適用可能であるため、使用者のコスト負担を軽減し、ドライ真空ポンプを安定稼動させる優れた方法及び装置であるから産業上の利用性を有する。

１ 窒素ガス昇温装置
１０ 昇温体
１１ 昇温容器
２０ 発熱体
２１ ヒータ
２２ 電源供給ケーブル
２３ シーズヒータ
２４ 電源供給ケーブル
２５ 中央管
３０ 昇温体固着具
４０ 導入管
４１ 導入口
４２ 外層路
５０ 排出管
５１ 排出口
５２ 内層路
６０ 熱伝導効率向上機構
６１ 第１阻害体（半ドーナツ形状）
６２ 第２阻害体（半ドーナツ形状）
６３ 第３阻害体（半ドーナツ形状）
６４ 第４阻害体（半ドーナツ形状）
６５ 第５阻害体（ドーナツ形状）
６６ 第６阻害体（ドーナツ形状）
６７ 第７阻害体（ドーナツ形状）
７０ 温度センサ（温度計測体）
８０ サーモスタット
Ａ チャンバーの排気配管（既存）
Ｂ ドライ真空ポンプの排気配管（既存）
Ｃ 希釈用窒素ガス供給配管（既存）
Ｃ１ 第１分岐配管（既存）
Ｃ２ 第２分岐配管（既存）
Ｃ３ 窒素ガス供給部側配管（既存）
Ｃ４ ドライ真空ポンプ側配管（既存）
Ｎ 希釈用窒素ガス供給部（既存）
Ｐ ドライ真空ポンプ（既存）
Ｖ 真空チャンバ（既存）

Claims (6)

1. 希釈用窒素ガス供給配管又は希釈用窒素ガス供給路内に取り付けた発熱体を加熱する工程と、
   希釈用窒素ガス供給路に常温の窒素ガスを供給する工程と、
   前記常温の窒素ガスを前記発熱体の加熱により一定温度まで昇温する工程と、
   前記昇温後の窒素ガスをドライ真空ポンプの内部に投入する工程と、
   前記ドライ真空ポンプの内部に投入した昇温後の窒素ガスが前記ドライ真空ポンプの排気配管から排出される工程と、
   によって前記ドライ真空ポンプの内部で副生成物が凝固堆積することを防止する方法。
2. 真空装置のチャンバー内を吸引するためのドライ真空ポンプの希釈用窒素ガス供給路内に取り付ける窒素ガス昇温装置であって、
   発熱体及び温度計測体を内部に装備する昇温容器と、
   前記昇温容器と連通する導入管及び排出管と、
   を有し、
   前記発熱体から、前記導入管より導入される希釈用窒素ガスへの熱伝導効率を向上させるための熱伝導効率向上機構を装備する窒素ガス昇温装置。
3. 前記熱伝導効率向上機構として、少なくとも前記発熱体の周囲に配置する中央管と、
   前記昇温容器の外側面を貫通しそのまま前記昇温容器の内部中央まで配設し前記中央管と連通する前記排出管と、
   を有する請求項２に記載の窒素ガス昇温装置。
4. 前記熱伝導効率向上機構として、少なくとも前記昇温容器の外側面を貫通しそのまま前記昇温容器の内側面に沿って配設する前記導入管を有する請求項２又は請求項３に記載の窒素ガス昇温装置。
5. 前記熱伝導効率向上機構として、前記昇温容器の内部を内層路及び外層路からなる２層構造とし、前記内層路に前記希釈用窒素ガスの直進を妨げる所定の阻害体を付加したことを特徴とする請求項２から請求項４いずれかに記載の窒素ガス昇温装置。
6. 前記阻害体が、交互に配置する複数の半ドーナツ形状の阻害体である請求項５に記載の窒素ガス昇温装置。