JP2015124145A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2013272402A JP6064895B2 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法 |
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| JP2015124145A JP2015124145A (ja) | 2015-07-06 |
| JP2015124145A5 true JP2015124145A5 (2) | 2016-01-21 |
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| JP2013272402A Expired - Fee Related JP6064895B2 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6064895B2 (2) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016017546A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化インジウム系酸化物焼結体とその製造方法 |
| WO2018155301A1 (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット |
| CN114180938A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-03-15 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种氧化铟铈钛钽粉体及其制备方法 |
| CN116813310B (zh) * | 2023-06-01 | 2024-06-07 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种稀土元素掺杂氧化铟锡镓靶材及其制备方法 |
| CN117185781B (zh) * | 2023-09-11 | 2025-10-17 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种氧化铟镓铝粉体、靶材及粉体、靶材的制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2471972B1 (en) * | 2006-12-13 | 2014-01-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target |
| JP5023745B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2012-09-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜、この透明導電膜を用いた透明導電性基板、透明導電性フィルム、並びに近赤外線遮断フィルター、および、この透明導電膜の製造方法 |
| WO2009008297A1 (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| US9039944B2 (en) * | 2011-07-06 | 2015-05-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target |
-
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