JP2016197863A - 集積回路 - Google Patents

Abstract

【課題】消費電力を低減する。【解決手段】入力信号を元に論理演算処理を行い、論理演算処理の結果に応じて設定される電位を記憶データとして保持し、記憶データに応じた値の信号を出力信号として出力する機能を有する演算回路を具備し、演算回路は、論理演算処理を行う演算部と、記憶データの電位を、論理演算処理の結果に応じた電位に設定するか否かを制御する第１の電界効果トランジスタと、記憶データの電位を、基準電位に設定するか否かを制御する第２の電界効果トランジスタと、記憶データに応じた値の信号を出力信号として出力するか否かを制御する第３の電界効果トランジスタと、を備える。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、回路に関する。

近年、電子機器のさらなる高性能化のために、システムＬＳＩなど、複数の機能を有する
集積回路が１つのチップにより構成された演算処理装置の開発が進められている。

上記演算処理装置では、例えば同一基板上にＣＭＯＳ回路を用いた演算回路及び記憶回路
などの機能回路が別々に設けられ、データバスとなる配線を介して演算回路及び記憶回路
との間でデータの転送が行われる（例えば特許文献１）。

さらに、演算回路の一部に記憶手段を備え、論理演算処理機能及びデータ保持機能を併せ
持つ演算回路が提案されている。上記演算回路では、データバスを介さずに論理演算処理
の結果のデータを記憶することができるため、消費電力を低減することができる。

特開２０１０−２８２７２１号公報

しかしながら、従来の演算回路では、記憶手段が揮発性であるため、演算回路のデータを
保持するためには、別途不揮発性の記憶回路にデータを待避させる必要があった。よって
、データを待避させる際にも電力が消費されるため、従来の演算回路において、低消費電
力化は不十分である。

また、従来の演算回路では、記憶手段を構成する素子の数が多く、回路面積が大きいとい
った問題があった。

本発明の一態様では、消費電力を低減することを課題の一つとする。また、本発明の一態
様では、消費電力を低減し、且つ回路面積を小さくすることを課題の一つとする。

本発明の一態様では、複数の演算回路を具備し、演算回路の構成を、演算部と、出力信号
の電位を演算部の論理演算処理の結果に応じた値に設定するか否かを制御する第１のトラ
ンジスタと、出力信号の電位を演算部の基準電位に応じた値に設定するか否かを制御する
第２のトランジスタと、出力信号の電位を第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの
接続箇所の電位に応じた値に設定するか否かを制御する第３のトランジスタと、を備え、
上記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタ、若しくは第３のトランジスタ、又は第
１のトランジスタ乃至第３のトランジスタとして、オフ電流の低い電界効果トランジスタ
を用いる構成にすることにより、論理演算処理を行う機能、及び論理演算処理の結果を表
すデータを記憶する機能を併せ持つ回路を提供する。

上記回路では、各演算回路においてオフ電流の低い電界効果トランジスタを用いたトラン
ジスタをオフ状態にすることにより、データを保持することができる。さらに、上記トラ
ンジスタをオフ状態にすることにより、長期間データを記憶することができる。

本発明の一態様は、入力信号を元に論理演算処理を行い、論理演算処理の結果に応じて設
定される電位を記憶データとして保持し、記憶データに応じた値の信号を出力信号として
出力する機能を有する演算回路を具備し、演算回路は、論理演算処理を行う演算部と、記
憶データの電位を、論理演算処理の結果に応じた電位に設定するか否かを制御する第１の
電界効果トランジスタと、記憶データの電位を、基準電位に設定するか否かを制御する第
２の電界効果トランジスタと、記憶データに応じた値の信号を出力信号として出力するか
否かを制御する第３の電界効果トランジスタと、を備え、第１及び第２の電界効果トラン
ジスタのそれぞれ、若しくは第３の電界効果トランジスタ、又は第１乃至第３の電界効果
トランジスタのそれぞれにおける、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、１０ａＡ以下
である回路である。

本発明の一態様により、電力の消費を抑制しつつデータを保持することができるため、消
費電力を低減することができる。

集積回路の例を説明するための図。 集積回路の例を説明するための図。 集積回路における演算回路の例を説明するための図。 集積回路における演算回路の例を説明するための図。 集積回路における演算回路の例を説明するための図。 トランジスタの構造例を説明するための図。 ＣＡＡＣの構造例を説明するための図。 ＣＡＡＣの構造例を説明するための図。 ＣＡＡＣの構造例を説明するための図。 ＣＡＡＣの構造例を説明するための図。 トランジスタの作製方法例を説明するための図。 酸化物半導体層における欠陥密度とトランジスタの電界効果移動度との関係を説明するための図。 トランジスタの断面構造例を説明するための図。 トランジスタにおける電気特性の計算結果を説明するための図。 トランジスタにおける電気特性の計算結果を説明するための図。 トランジスタにおける電気特性の計算結果を説明するための図。 トランジスタにおける電気特性の測定結果を説明するための図。 トランジスタにおける電気特性の測定結果を説明するための図。 トランジスタにおける電気特性の測定結果を説明するための図。 トランジスタにおける酸化物半導体層のＸＲＤ測定結果を説明するための図。 トランジスタの特性を説明するための図。 トランジスタの特性を説明するための図。 トランジスタの特性を説明するための図。 演算処理装置の例を説明するための図。 電子機器の例を説明するための図。

本発明を説明するための実施の形態の一例について、図面を用いて以下に説明する。なお
、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく実施の形態の内容を変更することは、
当業者であれば容易である。よって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定
されない。

なお、各実施の形態の内容を互いに適宜組み合わせることができる。また、各実施の形態
の内容を互いに置き換えることができる。

また、第１、第２などの序数は、構成要素の混同を避けるために付しており、各構成要素
の数は、序数の数に限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、記憶手段を備え、論理演算処理を行う機能及び論理演算処理の結果の
データを記憶する機能を有する演算回路を複数具備する集積回路の例について説明する。

本実施の形態における集積回路の例について、図１を用いて説明する。

図１（Ａ）に示す集積回路は、演算回路１０１＿１と、演算回路１０１＿２と、を具備す
る。

演算回路１０１＿１には、入力信号ＩｎＡ＿１が入力され、演算回路１０１＿１は、入力
信号ＩｎＡ＿１を元に論理演算処理を行い、論理演算処理の結果に応じた値の出力信号Ｏ
ｕｔＱ＿１を出力する機能を有する。なお、互いに異なる複数の信号を入力信号ＩｎＡ＿
１としてもよい。

演算回路１０１＿２には、入力信号の一つとして演算回路１０１＿１の出力信号、及び入
力信号ＩｎＡ＿２が入力され、演算回路１０１＿２は、入力信号ＩｎＡ＿２を元に論理演
算処理を行い、論理演算処理の結果に応じた値の出力信号ＯｕｔＱ＿２を出力する機能を
有する。なお、互いに異なる複数の信号を入力信号ＩｎＡ＿２としてもよい。

演算回路１０１＿１及び演算回路１０１＿２のそれぞれは、演算部１１１と、トランジス
タ１２１と、トランジスタ１２２と、インバータ１３１と、トランジスタ１２３と、を備
える。なお、演算回路１０１＿１及び演算回路１０１＿２を必ずしも同じ構成でなくても
よく、少なくとも演算回路１０１＿１が、演算部１１１と、トランジスタ１２１と、トラ
ンジスタ１２２と、インバータ１３１と、トランジスタ１２３と、を備える構成であれば
よい。

演算部１１１は、論理演算処理を行う機能を有する。

演算部１１１は、信号入力端子と、第１端子と、第２端子と、を有する。このとき、信号
入力端子には、入力信号（演算回路１０１＿１では入力信号ＩｎＡ＿１、演算回路１０１
＿２では演算回路１０１＿１の出力信号及び入力信号ＩｎＡ＿２）が入力され、第２端子
には、電位Ｖｂが与えられ、演算部１１１は、信号入力端子に入力される入力信号に応じ
て論理演算処理を行う。また、演算部１１１では、論理演算処理の結果に応じて第１端子
と第２端子を導通状態にするか否かが設定される。

トランジスタ１２１は、出力信号ＯｕｔＱ（演算回路１０１＿１では出力信号ＯｕｔＱ＿
１、演算回路１０１＿２では演算回路１０１＿１の出力信号ＯｕｔＱ＿２）の電位を演算
部１１１の論理演算処理の結果に応じた値にするか否かを制御する機能を有する。

トランジスタ１２１としては、例えば電界効果トランジスタを用いることができる。この
とき、トランジスタ１２１のソース及びドレインの一方の電位が演算部１１１における論
理演算処理の結果に応じて設定される。また、トランジスタ１２１のゲートには、例えば
クロック信号ＣＬＫ１が入力されるが、これに限定されず、トランジスタ１２１の状態を
変化させることができるように、トランジスタ１２１のゲートに他の信号又は電圧が与え
られる構成でもよい。

トランジスタ１２２は、出力信号ＯｕｔＱ＿１の電位を基準電位にするか否かを制御する
機能を有する。

トランジスタ１２２としては、例えば電界効果トランジスタを用いることができる。この
とき、トランジスタ１２２のソース及びドレインの一方には、基準電位となる電位Ｖａが
与えられ、トランジスタ１２２のソース及びドレインの他方は、トランジスタ１２１のソ
ース及びドレインの他方に電気的に接続され、該接続箇所をノードＦＮ（演算回路１０１
＿１ではノードＦＮ＿１、演算回路１０１＿２ではノードＦＮ＿２）ともいう。また、ト
ランジスタ１２２のゲートには、例えばクロック信号ＣＬＫ２が入力されるが、これに限
定されず、トランジスタ１２２の状態を変化させることができるように、トランジスタ１
２２のゲートに他の信号又は電圧が与えられる構成でもよい。

インバータ１３１は、ノードＦＮ（演算回路１０１＿１ではノードＦＮ＿１、演算回路１
０１＿２ではノードＦＮ＿２）の電位に応じた値の信号を出力する機能を有する。インバ
ータ１３１には、ノードＦＮ（演算回路１０１＿１ではノードＦＮ＿１、演算回路１０１
＿２ではノードＦＮ＿２）の電位の信号が入力され、インバータ１３１は、入力された信
号に応じた値の出力信号ＯｕｔＱ（演算回路１０１＿１では出力信号ＯｕｔＱ＿１、演算
回路１０１＿２では出力信号ＯｕｔＱ＿２）を出力する。なお、必ずしもインバータ１３
１を設けなくてもよく、ノードＦＮ（演算回路１０１＿１ではノードＦＮ＿１、演算回路
１０１＿２ではノードＦＮ＿２）において電荷を保持することができる構成であればイン
バータ１３１が無い構成にしてもよい。また、例えば、インバータ１３１の代わりにスイ
ッチ又はバッファなどを設けてもよい。

トランジスタ１２３は、ノードＦＮ（演算回路１０１＿１ではノードＦＮ＿１、演算回路
１０１＿２ではノードＦＮ＿２）の電位に応じた値の信号を出力信号ＯｕｔＱ（演算回路
１０１＿１では出力信号ＯｕｔＱ＿１、演算回路１０１＿２では出力信号ＯｕｔＱ＿２）
として出力するか否かを制御する機能を有する。

トランジスタ１２３としては、例えば電界効果トランジスタを用いることができる。この
とき、トランジスタ１２３のソース及びドレインの一方の電位は、ノードＦＮ（演算回路
１０１＿１ではノードＦＮ＿１、演算回路１０１＿２ではノードＦＮ＿２）の電位に応じ
た値になる。例えば、トランジスタ１２３のソース及びドレインの一方には、インバータ
１３１の出力信号が入力される。また、トランジスタ１２３のゲートには、例えばクロッ
ク信号ＣＬＫ３が入力されるが、これに限定されず、トランジスタ１２３の状態を変化さ
せることができるように、トランジスタ１２３のゲートに他の信号又は電圧が与えられる
構成でもよい。また、演算回路１０１＿１におけるトランジスタ１２３のソース及びドレ
インの他方は、演算回路１０１＿２における演算部１１１に電気的に接続される。

トランジスタ１２１及びトランジスタ１２２のそれぞれ、若しくはトランジスタ１２３、
又はトランジスタ１２１乃至トランジスタ１２３のそれぞれとしては、オフ電流が低いト
ランジスタを用いることができる。このとき、上記トランジスタのオフ電流は、チャネル
幅１μｍあたり１０ａＡ（１×１０^−１７Ａ）以下、好ましくはチャネル幅１μｍあたり
１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、さらに好ましくはチャネル幅１μｍあたり１０ｚＡ（
１×１０^−２０Ａ）以下、さらに好ましくはチャネル幅１μｍあたり１ｚＡ（１×１０^−
２１Ａ）以下、さらに好ましくはチャネル幅１μｍあたり１００ｙＡ（１×１０^−２２Ａ
）以下である。

上記オフ電流の低いトランジスタとしては、例えばシリコンよりバンドギャップが広く、
例えば２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上であり、チャ
ネルが形成される半導体層を含むトランジスタを用いることができる。上記バンドギャッ
プの広いトランジスタとしては、例えばチャネルが形成される酸化物半導体層を含む電界
効果トランジスタなどを用いることができる。

なお、図１（Ａ）において、トランジスタ１２１乃至トランジスタ１２３として用いられ
ている回路記号は、一例として上記酸化物半導体層を含むトランジスタであることを表す
回路記号であるが、これに限定されない。

また、電位Ｖａ及び電位Ｖｂの一方は、高電源電位Ｖｄｄであり、電位Ｖａ及び電位Ｖｂ
の他方は、低電源電位Ｖｓｓである。高電源電位Ｖｄｄは、相対的に低電源電位Ｖｓｓよ
り高い値の電位であり、低電源電位Ｖｓｓは、相対的に高電源電位Ｖｄｄより低い値の電
位である。電位Ｖａ及び電位Ｖｂの値は、例えばトランジスタの極性などにより互いに入
れ替わる場合がある。また、電位Ｖａ及び電位Ｖｂの電位差を電源電圧としてもよい。

また、クロック信号ＣＬＫ１としては、例えばクロック信号ＣＬＫ２より１周期未満の範
囲で位相が遅れたクロック信号を用いることができる。また、クロック信号ＣＬＫ３とし
ては、例えばクロック信号ＣＬＫ１より１周期未満の範囲で位相が遅れたクロック信号を
用いることができる。

また、演算回路１０１＿１及び演算回路１０１＿２の構成は必ずしも同じでなくてもよく
、例えば少なくとも一つの演算回路が演算部１１１、トランジスタ１２１、トランジスタ
１２２、インバータ１３１、及びトランジスタ１２３を備える構成であればよい。

次に、本実施の形態における集積回路の駆動方法例として、図１（Ａ）に示す集積回路の
駆動方法例について、図１（Ｂ）に示すタイミングチャートを用いて説明する。ここでは
一例として、トランジスタ１２１乃至トランジスタ１２３を、上記酸化物半導体層を含む
Ｎチャネル型の電界効果トランジスタとする。また、ハイレベルのときのクロック信号Ｃ
ＬＫ１乃至クロック信号ＣＬＫ３の電位を電位ＶＨとし、ローレベルのときのクロック信
号ＣＬＫ１乃至クロック信号ＣＬＫ３の電位を電位ＶＬとする。また、電位Ｖａを電源電
位Ｖｄｄとし、電位Ｖｂを接地電位Ｖｇｎｄとする。

まず、トランジスタ１２１をオフ状態にし、トランジスタ１２２をオン状態にし、トラン
ジスタ１２３をオフ状態にする。例えば、図１（Ｂ）における期間Ｔ１１において、クロ
ック信号ＣＬＫ１がローレベルになることにより、トランジスタ１２１がオフ状態になり
、クロック信号ＣＬＫ２がハイレベルになることにより、トランジスタ１２２がオン状態
になり、クロック信号ＣＬＫ３がローレベルになることにより、トランジスタ１２３がオ
フ状態になる。

このとき、ノードＦＮ＿１及びノードＦＮ＿２の電位が電位Ｖａと同等の値になる。よっ
て、ノードＦＮ＿１及びノードＦＮ＿２がプリチャージされる。

次に、トランジスタ１２１をオン状態にし、トランジスタ１２２をオフ状態にし、トラン
ジスタ１２３をオフ状態にする。例えば、図１（Ｂ）における期間Ｔ１１の後の期間Ｔ１
２において、クロック信号ＣＬＫ１がハイレベルになることにより、トランジスタ１２１
がオン状態になり、クロック信号ＣＬＫ２がローレベルになることにより、トランジスタ
１２２がオフ状態になる。

このとき、演算部１１１における入力信号ＩｎＡ＿１及び入力信号ＩｎＡ＿２に従った論
理演算処理の結果に応じてノードＦＮ＿１及びノードＦＮ＿２の電位が設定される。例え
ば、図１（Ｂ）における期間Ｔ１２では、演算回路１０１＿１において演算部１１１の論
理演算処理の結果に応じて演算部１１１の第１端子と第２端子が導通状態になり、ノード
ＦＮ＿１の電荷が徐々に放出され、ノードＦＮ＿１の電位は、電位Ｖｂと同等の値になる
。なお、これに限定されず、ノードＦＮ＿２の電位を変化させてもよい。さらに、トラン
ジスタ１２３のソース及びドレインの一方の電位は、インバータ１３１の出力信号の電位
に応じて設定される、つまりノードＦＮ＿１又はノードＦＮ＿２の電位に応じて設定され
る。

次に、トランジスタ１２１をオフ状態にし、トランジスタ１２２をオフ状態にし、トラン
ジスタ１２３をオン状態にする。例えば、図１（Ｂ）における期間Ｔ１２の後の期間Ｔ１
３において、クロック信号ＣＬＫ３がハイレベルになることにより、トランジスタ１２３
がオン状態になる。

このとき、期間Ｔ１３に示すように、出力信号ＯｕｔＱ＿１は、ハイレベルになり、出力
信号ＯｕｔＱ＿２は、ローレベルになる。その結果、演算部１１１の入力信号の値が決定
する。

その後、例えば、図１（Ｂ）の期間Ｔ１３の後の期間Ｔ１４のように、トランジスタ１２
１をオフ状態にし、トランジスタ１２２をオン状態にし、トランジスタ１２３をオフ状態
にしてもよい。

このとき、ノードＦＮ＿１及びノードＦＮ＿２の電位が電位Ｖａと同等の値になる。よっ
て、ノードＦＮ＿１及びノードＦＮ＿２がプリチャージされる。

次に、期間Ｔ１４の後の期間Ｔ１５において、トランジスタ１２１をオン状態にし、トラ
ンジスタ１２２をオフ状態にし、トランジスタ１２３をオフ状態にする。

このとき、期間Ｔ１５に示すように、演算回路１０１＿１において、演算部１１１の論理
演算処理の結果に応じて演算部１１１の第１端子と第２端子が非導通状態になる。また、
演算回路１０１＿２において、演算部１１１の第１端子と第２端子が導通状態になり、ノ
ードＦＮ＿２の電荷が徐々に放出され、ノードＦＮ＿２の電位が変化する。

次に、期間Ｔ１５の後の期間Ｔ１６に示すように、トランジスタ１２１をオフ状態にし、
トランジスタ１２２をオフ状態にし、トランジスタ１２３をオン状態にする。

このとき、図１（Ｂ）における期間Ｔ１６に示すように、出力信号ＯｕｔＱ＿１は、ロー
レベルになり、出力信号ＯｕｔＱ＿２は、ハイレベルになる。その結果、演算部１１１の
入力信号の値が決定する。

また、トランジスタ１２１及びトランジスタ１２２がノーマリ・オフ型のトランジスタで
ある場合、及び集積回路への電源電圧の供給を停止することもできる。集積回路への電源
電圧の供給を停止する場合、少なくともクロック信号ＣＬＫ１及びクロック信号ＣＬＫ２
、又はクロック信号ＣＬＫ１乃至クロック信号ＣＬＫ３をローレベルと同等の値の電位に
し、集積回路へのクロック信号ＣＬＫ１及びクロック信号ＣＬＫ２の供給、又はクロック
信号ＣＬＫ１乃至クロック信号ＣＬＫ３の供給を停止させた後に、集積回路への電源電圧
の供給を停止する。

このとき、トランジスタ１２１乃至トランジスタ１２３のゲートの電位は、ローレベルと
同等の状態になるため、トランジスタ１２１乃至トランジスタ１２３がオフ状態になる。
しかし、演算回路１０１＿１のノードＦＮ＿１及び演算回路１０１＿２のノードＦＮ＿２
の電位は記憶データとして保持される。

以上が、図１（Ａ）に示す集積回路の駆動方法例の説明である。

なお、図１（Ａ）に示す構成に限定されず、クロック信号ＣＬＫ３を用いずに演算回路を
構成することもできる。クロック信号ＣＬＫ３を用いない演算回路の構成例について図２
（Ａ）に示す。

図２（Ａ）に示す演算回路は、図１（Ａ）に示すトランジスタ１２３の代わりにＰチャネ
ル型の電界効果トランジスタであるトランジスタ１２４及びトランジスタ１２５を設けた
構成である。

このとき、トランジスタ１２４のゲートには、クロック信号ＣＬＫ１及びクロック信号Ｃ
ＬＫ２の一方（図２（Ａ）ではクロック信号ＣＬＫ１）が入力され、トランジスタ１２４
のソース及びドレインの一方には、インバータ１３１の出力信号が入力され、トランジス
タ１２４のソース及びドレインの他方の電位は、ノードＦＮ（演算回路１０１＿１ではノ
ードＦＮ＿１、演算回路１０１＿２ではノードＦＮ＿２）の電位に応じて設定される。ま
た、トランジスタ１２５のゲートには、クロック信号ＣＬＫ１及びクロック信号ＣＬＫ２
の他方（図２（Ａ）ではクロック信号ＣＬＫ２）が入力され、トランジスタ１２５のソー
ス及びドレインの一方は、トランジスタ１２４のソース及びドレインの他方に電気的に接
続される。

さらに、図２（Ａ）に示す集積回路の駆動方法例では、図２（Ｂ）に示すように、期間Ｔ
１１及び期間Ｔ１４において、トランジスタ１２４がオン状態になり、トランジスタ１２
５がオフ状態になる。また、期間Ｔ１２及び期間Ｔ１５において、トランジスタ１２４が
オフ状態になり、トランジスタ１２５がオン状態になる。また、期間Ｔ１３及び期間Ｔ１
６において、トランジスタ１２４がオン状態になり、トランジスタ１２５がオン状態にな
る。その他の動作については図１（Ａ）に示す集積回路の駆動方法例の説明と同じである
ため、図１（Ａ）に示す集積回路の駆動方法例の説明を適宜援用する。

また、図１及び図２に示す演算回路１０１＿１及び演算回路１０１＿２では、演算部１１
１の構成により、様々な論理演算を行うことができる。一例として、図１（Ａ）に示す演
算回路の構成例について図３乃至図５に示す。なお、図３乃至図５では、便宜のため演算
回路１０１＿１の構成のみ示すが、これに限定されず、演算回路１０１＿２についても同
様の構成を適用することができる。

図３に示す演算回路は、ＮＯＴ演算を行う演算回路の例である。図３に示す演算回路では
、Ｐチャネル型の電界効果トランジスタであるトランジスタ１５１を用いて演算部１１１
を構成することにより、ＮＯＴ演算を行うことができる。このとき、トランジスタ１５１
のソース及びドレインの一方は、トランジスタ１２１のソース及びドレインの一方に電気
的に接続され、トランジスタ１５１のソース及びドレインの他方には、電位Ｖｂが与えら
れ、トランジスタ１５１のゲートには、入力信号ＩｎＡ＿１が入力される。

図４（Ａ）に示す演算回路は、ＡＮＤ演算を行う演算回路の例である。図４（Ａ）に示す
演算回路では、Ｎチャネル型の電界効果トランジスタであるトランジスタ１６１及びトラ
ンジスタ１６２を用いて構成することにより、ＡＮＤ演算を行うことができる。このとき
、トランジスタ１６１のソース及びドレインの一方は、トランジスタ１２１のソース及び
ドレインの一方に電気的に接続され、トランジスタ１６１のゲートには、入力信号ＩｎＡ
１＿１が入力される。また、トランジスタ１６２のソース及びドレインの一方は、トラン
ジスタ１６１のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、トランジスタ１６２のソ
ース及びドレインの他方には、電位Ｖｂが与えられ、トランジスタ１６２のゲートには、
入力信号ＩｎＡ２＿１が入力される。

図４（Ｂ）に示す演算回路は、ＯＲ演算を行う演算回路の例である。図４（Ｂ）に示す演
算回路では、Ｐチャネル型の電界効果トランジスタであるトランジスタ１７１及びトラン
ジスタ１７２を用いて構成することにより、ＯＲ演算を行うことができる。このとき、ト
ランジスタ１７１のソース及びドレインの一方は、トランジスタ１２１のソース及びドレ
インの一方に電気的に接続され、トランジスタ１７１のソース及びドレインの他方には、
電位Ｖｂが与えられ、トランジスタ１７１のゲートには、入力信号ＩｎＡ１＿１が入力さ
れる。また、トランジスタ１７２のソース及びドレインの一方は、トランジスタ１２１の
ソース及びドレインの一方に電気的に接続され、トランジスタ１７２のソース及びドレイ
ンの他方には、電位Ｖｂが与えられ、トランジスタ１７２のゲートには、入力信号ＩｎＡ
２＿１が入力される。

図４（Ｃ）に示す演算回路は、ＥＮＯＲ演算を行う演算回路の例である。図４（Ｃ）に示
す演算回路では、Ｎチャネル型の電界効果トランジスタであるトランジスタ１８１及びト
ランジスタ１８２と、Ｐチャネル型の電界効果トランジスタであるトランジスタ１８３及
びトランジスタ１８４とを用いて構成することにより、ＥＮＯＲ演算を行うことができる
。このとき、トランジスタ１８１のソース及びドレインの一方は、トランジスタ１２１の
ソース及びドレインの一方に電気的に接続され、トランジスタ１８１のゲートには、入力
信号ＩｎＡ１＿１が入力される。また、トランジスタ１８２のソース及びドレインの一方
は、トランジスタ１８１のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、トランジスタ
１８２のソース及びドレインの他方には、電位Ｖｂが与えられ、トランジスタ１８２のゲ
ートには、入力信号ＩｎＡ２＿１が入力される。また、トランジスタ１８３のソース及び
ドレインの一方は、トランジスタ１２１のソース及びドレインの一方に電気的に接続され
、トランジスタ１８３のゲートには、入力信号ＩｎＡ１＿１が入力される。また、トラン
ジスタ１８４のソース及びドレインの一方は、トランジスタ１８３のソース及びドレイン
の他方に電気的に接続され、トランジスタ１８４のソース及びドレインの他方には、電位
Ｖｂが与えられ、トランジスタ１８４のゲートには、入力信号ＩｎＡ２＿１が入力される
。

なお、図５（Ａ）に示すように、図４（Ａ）に示すトランジスタ１６１及びトランジスタ
１６２をＰチャネル型の電界効果トランジスタにすることにより、ＮＡＮＤ演算を行う演
算回路を構成することもできる。また、図５（Ｂ）に示すように、図４（Ｂ）に示すトラ
ンジスタ１７１及びトランジスタ１７２をＮチャネル型の電界効果トランジスタにするこ
とにより、ＮＯＲ演算を行う演算回路を構成することもできる。また、図５（Ｃ）に示す
ように、図４（Ｃ）に示すトランジスタ１８２をＰチャネル型の電界効果トランジスタに
し、トランジスタ１８４をＮチャネル型の電界効果トランジスタにすることにより、ＥＯ
Ｒ演算を行う演算回路を構成することもできる。

また、本実施の形態の集積回路における演算回路の例は、上記構成に限定されず、例えば
図１乃至図５のいずれか一つに示す演算回路を複数用いて、複数の信号を出力信号として
出力する演算回路を構成することもできる。

図１乃至図５を用いて説明したように、本実施の形態における集積回路の一例では、第１
の演算回路（例えば演算回路１０１＿１）及び第２の演算回路（例えば演算回路１０１＿
２）を備え、第１の演算回路は、論理演算処理を行う演算部と、出力信号の電位を上記演
算部の論理演算処理の結果に応じた値にするか否かを制御する第１のトランジスタ（例え
ばトランジスタ１２１）と、出力信号の電位を基準電位に応じた値に設定するか否かを制
御する第２のトランジスタ（例えばトランジスタ１２２）と、第１のトランジスタ及び第
２のトランジスタにより設定された電位を出力信号として出力するか否かを制御する第３
のトランジスタ（例えばトランジスタ１２３）と、を備えることにより、論理演算処理を
行う機能、及びデータを記憶する機能を併せ持つ演算回路を構成することができる。例え
ば、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタをオフ状態にすることにより、保持容量
などを用いなくとも演算回路にデータを記憶することができる。また、上記構成にするこ
とにより、演算回路の構成を相補的な構成とする必要がないため、演算回路のトランジス
タの数を、ＣＭＯＳ回路で構成する場合に比べて少なくすることができる。また、信号線
の数を少なくすることができるため、回路面積を小さくすることができる。また、貫通電
流を抑制することができ、消費電力を低減することができる。

また、本実施の形態における集積回路の一例では、上記第１のトランジスタ及び上記第２
のトランジスタのそれぞれ、若しくは第３のトランジスタ、又は上記第１のトランジスタ
乃至第３のトランジスタとしてオフ電流の低い電界効果トランジスタを用いることにより
、オフ状態のときにおけるトランジスタのリーク電流を少なくすることができる。よって
、長期のデータの保持が可能となり、他の不揮発性記憶回路にデータを待避させる必要が
なくなるため、動作速度を向上させることができ、また、消費電力を低減することができ
る。

さらに、表１はＭＲＡＭに用いられる磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子ともいう）と、
酸化物半導体を用いたトランジスタ及びシリコン半導体を用いたトランジスタの積層（Ｏ
Ｓ／Ｓｉともいう）を備える場合の上記不揮発性記憶回路との対比を示す。

ＭＴＪ素子としては、磁性材料が用いられる。このため、ＭＴＪ素子をキュリー温度以上
にすると磁性が失われてしまう欠点がある。また、ＭＴＪ素子は電流駆動であるため、シ
リコンのバイポーラデバイスと相性が良いが、バイポーラデバイスは集積化に不向きであ
る。さらに、ＭＴＪ素子は、メモリの大容量化によって書き込み電流が増大し、消費電力
が増大してしまうといった問題がある。

また、ＭＴＪ素子は、磁界耐性が弱く、強磁界にさらされるとスピンの向きが狂いやすい
。また、ＭＴＪ素子に用いる磁性体は、ナノスケールにすることにより磁化揺らぎが生じ
る。

また、ＭＴＪ素子はビット当たりの材料コストから見ても高価である。

一方、本実施の形態で示す酸化物半導体を用いたトランジスタは、チャネルを形成する半
導体材料が金属酸化物であること以外は、素子構造や動作原理がシリコンＭＯＳＦＥＴと
同様である。また、酸化物半導体を用いたトランジスタは磁界の影響を受けず、ソフトエ
ラーも生じにくい。このことからシリコン集積回路と非常に整合性が良いといえる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態に示す演算回路のトランジスタに適用可能な酸化物半
導体層を含む電界効果トランジスタの例について説明する。

本実施の形態におけるトランジスタの構造例について、図６を用いて説明する。

図６（Ａ）に示すトランジスタは、導電層６０１＿ａと、絶縁層６０２＿ａと、半導体層
６０３＿ａと、導電層６０５ａ＿ａと、導電層６０５ｂ＿ａと、を含む。

半導体層６０３＿ａは、領域６０４ａ＿ａ及び領域６０４ｂ＿ａを含む。領域６０４ａ＿
ａ及び領域６０４ｂ＿ａは、互いに離間し、それぞれドーパントが添加された領域である
。なお、領域６０４ａ＿ａ及び領域６０４ｂ＿ａの間の領域がチャネル形成領域になる。
半導体層６０３＿ａは、被素子形成層６００＿ａの上に設けられる。なお、必ずしも領域
６０４ａ＿ａ及び領域６０４ｂ＿ａを設けなくてもよい。

導電層６０５ａ＿ａ及び導電層６０５ｂ＿ａは、半導体層６０３＿ａの上に設けられ、半
導体層６０３＿ａに電気的に接続される。また、導電層６０５ａ＿ａ及び導電層６０５ｂ
＿ａの側面は、テーパ状である。

また、導電層６０５ａ＿ａは、領域６０４ａ＿ａの一部に重畳するが、必ずしもこれに限
定されない。導電層６０５ａ＿ａを領域６０４ａ＿ａの一部に重畳させることにより、導
電層６０５ａ＿ａ及び領域６０４ａ＿ａの間の抵抗値を小さくすることができる。また、
導電層６０５ａ＿ａに重畳する半導体層６０３＿ａの領域の全てが領域６０４ａ＿ａであ
る構造にしてもよい。

また、導電層６０５ｂ＿ａは、領域６０４ｂ＿ａの一部に重畳するが、必ずしもこれに限
定されない。導電層６０５ｂ＿ａを領域６０４ｂ＿ａの一部に重畳させることにより、導
電層６０５ｂ＿ａ及び領域６０４ｂ＿ａの間の抵抗を小さくすることができる。また、導
電層６０５ｂ＿ａに重畳する半導体層６０３＿ａの領域の全てが領域６０４ｂ＿ａである
構造にしてもよい。

絶縁層６０２＿ａは、半導体層６０３＿ａ、導電層６０５ａ＿ａ、及び導電層６０５ｂ＿
ａの上に設けられる。

導電層６０１＿ａは、絶縁層６０２＿ａの一部の上に設けられ、絶縁層６０２＿ａを介し
て半導体層６０３＿ａに重畳する。絶縁層６０２＿ａを介して導電層６０１＿ａと重畳す
る半導体層６０３＿ａの領域がチャネル形成領域になる。

また、図６（Ｂ）に示すトランジスタは、導電層６０１＿ｂと、絶縁層６０２＿ｂと、半
導体層６０３＿ｂと、導電層６０５ａ＿ｂと、導電層６０５ｂ＿ｂと、絶縁層６０６ａと
、絶縁層６０６ｂと、絶縁層６０７と、を含む。

半導体層６０３＿ｂは、領域６０４ａ＿ｂ及び領域６０４ｂ＿ｂを含む。領域６０４ａ＿
ｂ及び領域６０４ｂ＿ｂは、互いに離間し、それぞれドーパントが添加された領域である
。半導体層６０３＿ｂは、例えば導電層６０５ａ＿ｂ、導電層６０５ｂ＿ｂ、及び被素子
形成層６００＿ｂの上に設けられ、導電層６０５ａ＿ｂ及び導電層６０５ｂ＿ｂに電気的
に接続される。なお、必ずしも領域６０４ａ＿ｂ及び領域６０４ｂ＿ｂを設けなくてもよ
い。

絶縁層６０２＿ｂは、半導体層６０３＿ｂの一部の上に設けられる。

導電層６０１＿ｂは、絶縁層６０２＿ｂの一部の上に設けられ、絶縁層６０２＿ｂを介し
て半導体層６０３＿ｂに重畳する。なお、絶縁層６０２＿ｂを介して導電層６０１＿ｂと
重畳する半導体層６０３＿ｂの領域がトランジスタのチャネル形成領域になる。なお、導
電層６０１＿ｂの上に絶縁層が設けられていてもよい。

絶縁層６０６ａは、絶縁層６０２＿ｂの上に設けられ、導電層６０１＿ｂにおける一対の
側面の一方に接する。

絶縁層６０６ｂは、絶縁層６０２＿ｂの上に設けられ、導電層６０１＿ｂにおける一対の
側面の他方に接する。

なお、絶縁層６０２＿ｂを介して絶縁層６０６ａ及び絶縁層６０６ｂに重畳する領域６０
４ａ＿ｂ及び領域６０４ｂ＿ｂの部分のドーパントの濃度は、絶縁層６０６ａ及び絶縁層
６０６ｂに重畳しない領域６０４ａ＿ｂ及び領域６０４ｂ＿ｂの部分のドーパントの濃度
より低くてもよい。

導電層６０５ａ＿ｂ及び導電層６０５ｂ＿ｂは、半導体層６０３＿ｂの上に設けられる。

導電層６０５ａ＿ｂは、領域６０４ａ＿ｂに電気的に接続される。また、導電層６０５ａ
＿ｂは、絶縁層６０６ａに接する。

導電層６０５ｂ＿ｂは、領域６０４ｂ＿ｂに電気的に接続される。また、導電層６０５ｂ
＿ｂは、絶縁層６０６ｂに接する。

絶縁層６０７は、導電層６０１＿ｂ、導電層６０５ａ＿ｂ、導電層６０５ｂ＿ｂ、絶縁層
６０６ａ、及び絶縁層６０６ｂの上に設けられる。

さらに、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す各構成要素について説明する。

被素子形成層６００＿ａ及び被素子形成層６００＿ｂとしては、例えば絶縁層、又は絶縁
表面を有する基板などを用いることができる。また、予め素子が形成された層を被素子形
成層６００＿ａ及び被素子形成層６００＿ｂとして用いることもできる。

導電層６０１＿ａ及び導電層６０１＿ｂのそれぞれは、トランジスタのゲートとしての機
能を有する。なお、トランジスタのゲートとしての機能を有する層をゲート電極又はゲー
ト配線ともいう。

導電層６０１＿ａ及び導電層６０１＿ｂとしては、例えばモリブデン、マグネシウム、チ
タン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカン
ジウムなどの金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料の層を用いることができる。
また、導電層６０１＿ａ及び導電層６０１＿ｂに適用可能な材料の積層により、導電層６
０１＿ａ及び導電層６０１＿ｂを構成することもできる。

絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂのそれぞれは、トランジスタのゲート絶縁層とし
ての機能を有する。

絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂとしては、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン
層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム
層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、酸化ハフニウム層、又は酸化ラ
ンタン層を用いることができる。また、絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂに適用可
能な材料の積層により絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂを構成することもできる。

また、絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂとしては、例えば元素周期表における第１
３族元素及び酸素元素を含む材料の絶縁層を用いることもできる。例えば、半導体層６０
３＿ａ及び半導体層６０３＿ｂが第１３族元素を含む場合に、半導体層６０３＿ａ及び半
導体層６０３＿ｂに接する絶縁層として第１３族元素を含む絶縁層を用いることにより、
該絶縁層と酸化物半導体層との界面の状態を良好にすることができる。

第１３族元素及び酸素元素を含む材料としては、例えば酸化ガリウム、酸化アルミニウム
、酸化アルミニウムガリウム、酸化ガリウムアルミニウムなどが挙げられる。なお、酸化
アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量（原子％）よりアルミニウムの含有量（原
子％）が多い物質のことをいい、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量（原
子％）がアルミニウムの含有量（原子％）以上の物質のことをいう。例えば、Ａｌ_２Ｏ_ｘ
（ｘ＝３＋α、αは０より大きく１より小さい値）、Ｇａ_２Ｏ_ｘ（ｘ＝３＋α、αは０よ
り大きく１より小さい値）、又はＧａ_ｘＡｌ_２−ｘＯ_３＋α（ｘは０より大きく２より小
さい値、αは０より大きく１より小さい値）で表記される材料を用いることもできる。

また、絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂに適用可能な材料の層の積層により絶縁層
６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂを構成することもできる。例えば、複数のＧａ_２Ｏ_ｘで
表記される酸化ガリウムを含む層の積層により絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂを
構成してもよい。また、Ｇａ_２Ｏ_ｘで表記される酸化ガリウムを含む絶縁層及びＡｌ_２Ｏ
_ｘで表記される酸化アルミニウムを含む絶縁層の積層により絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層
６０２＿ｂを構成してもよい。

半導体層６０３＿ａ及び半導体層６０３＿ｂのそれぞれは、トランジスタのチャネルが形
成される層としての機能を有する。半導体層６０３＿ａ及び半導体層６０３＿ｂに適用可
能な酸化物半導体としては、例えばＩｎ系酸化物（例えば酸化インジウムなど）、Ｓｎ系
酸化物（例えば酸化スズなど）、又はＺｎ系酸化物（例えば酸化亜鉛など）などを用いる
ことができる。

また、上記金属酸化物としては、例えば、四元系金属酸化物、三元系金属酸化物、二元系
金属酸化物などの金属酸化物を用いることもできる。なお、上記酸化物半導体として適用
可能な金属酸化物は、特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとしてガリウムを含
んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビラ
イザーとしてスズを含んでいてもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸
化物は、上記スタビライザーとしてハフニウムを含んでいてもよい。また、上記酸化物半
導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザーとしてアルミニウムを含んでい
てもよい。また、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、上記スタビライザー
として、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウ
ム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウ
ム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムの一つ又は複数を含んでいてもよい。ま
た、上記酸化物半導体として適用可能な金属酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい
。

例えば、四元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈ
ｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物などを用い
ることができる。

また、三元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯともいう
）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物
、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、又はＩｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化
物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、
Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、又はＩｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物などを用いることができる。

また、二元系金属酸化物としては、例えばＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａ
ｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉ
ｎ−Ｓｎ系酸化物、又はＩｎ−Ｇａ系酸化物などを用いることができる。

なお、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物という意味
であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が
入っていてもよい。

また、酸化物半導体としては、ＩｎＬＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは０より大きい数）で表記さ
れる材料を用いることもできる。ＩｎＬＯ_３（ＺｎＯ）_ｍのＬは、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎ、及
びＣｏから選ばれた一つ又は複数の金属元素を示す。

また、酸化物半導体としては、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／
３）又はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１（＝２／５：２／５：１／５）の原子比のＩｎ−
Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。また、酸化物半導
体としては、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１（＝１／３：１／３：１／３）、Ｉｎ：Ｓｎ
：Ｚｎ＝２：１：３（＝１／３：１／６：１／２）又はＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５（
＝１／４：１／８：５／８）の原子比のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸
化物を用いることができる。

しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性（移動度、閾値電圧、ばらつき等）に
応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キ
ャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を
適切なものとすることが好ましい。

酸化物半導体は単結晶でも、非単結晶でもよい。後者の場合、アモルファスでも、多結晶
でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファス
でもよい。

また、半導体層６０３＿ａ及び半導体層６０３＿ｂとしては、ｃ軸に配向し、かつａｂ面
、表面又は界面の方向から見て三角形状又は六角形状の原子配列を有し、ｃ軸において金
属原子が層状又は金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、ａｂ面においてａ軸又は
ｂ軸の向きが異なる（ｃ軸を中心に回転した）結晶（ＣＡＡＣ：Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇ
ｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌともいう）の層を用いることができる。

ＣＡＡＣは、単結晶ではないが、非晶質のみから形成されている材料でもない。また、Ｃ
ＡＡＣは結晶化した部分（結晶部分）を含むが、１つの結晶部分と他の結晶部分の境界を
明確に判別できないこともある。

ＣＡＡＣに酸素が含まれる場合、酸素の一部は窒素で置換されてもよい。また、ＣＡＡＣ
を構成する個々の結晶部分のｃ軸は、一定の方向（例えば、ＣＡＡＣが形成される基板面
、ＣＡＡＣの表面などに垂直な方向）に揃っていてもよい。又は、ＣＡＡＣを構成する個
々の結晶部分のａｂ面の法線は一定の方向（例えば、ＣＡＡＣが形成される基板面、ＣＡ
ＡＣの表面などに垂直な方向）を向いていてもよい。

ＣＡＡＣは、その組成などに応じて、導体であったり、半導体であったり、絶縁体であっ
たりする。また、その組成などに応じて、可視光に対して透明であったり不透明であった
りする。

このようなＣＡＡＣの例としては、例えば膜状に形成され、膜表面又は基板面に垂直な方
向から観察すると三角形又は六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察すると
金属原子又は金属原子及び酸素原子（又は窒素原子）の層状配列が認められる結晶を挙げ
ることもできる。

また、酸化物半導体としては、ｃ軸方向に配向する結晶領域の組成がＩｎ_１＋σＧａ_１−
σＯ_３（ＺｎＯ）_Ｍ（ただし、０＜σ＜１、Ｍ＝１以上３以下の数）で表され、ｃ軸方向
に配向する結晶領域を含む全体の半導体層の組成がＩｎ_ＰＧａ_ＱＯ_Ｒ（ＺｎＯ）_Ｍ（ただ
し、０＜Ｐ＜２、０＜Ｑ＜２、Ｍ＝１以上３以下の数）で表される材料を用いることもで
きる。

また、例えば、半導体層６０３＿ａ及び半導体層６０３＿ｂがＣＡＡＣの酸化物半導体層
の場合において、トランジスタのチャネル長を３０ｎｍとするとき、半導体層６０３＿ａ
及び半導体層６０３＿ｂの厚さを例えば５ｎｍ程度にしてもトランジスタにおける短チャ
ネル効果を抑制することができる。

ここで、ＣＡＡＣに含まれる結晶構造例について図７乃至図１０を用いてさらに説明する
。なお、特に断りがない限り、図７乃至図１０は上方向をｃ軸方向とし、ｃ軸方向と直交
する面をａｂ面とする。なお、単に上半分、下半分という場合、ａｂ面を境にした場合の
上半分、下半分をいう。また、図７において、丸で囲まれたＯは４配位のＯを示し、二重
丸で囲まれたＯは３配位のＯを示す。

図７（Ａ）では、１個の６配位のインジウム原子（６配位のＩｎともいう）と６配位のＩ
ｎに近接する６個の４配位の酸素原子（４配位のＯともいう）と、を有する構造を示す。
なお、Ｉｎなどの１個の金属原子と該金属原子に近接する酸素原子により構成される部分
を小グループという。また、図７（Ａ）では、便宜のため、八面体構造を平面構造で示し
ている。また、図７（Ａ）の上半分及び下半分には、それぞれ３個ずつ４配位のＯがある
。また、図７（Ａ）に示す小グループの総電荷は０である。

図７（Ｂ）では、１個の５配位のＧａと、５配位のＧａに近接する３個の３配位の酸素原
子（３配位のＯともいう）と、５配位のＧａに近接する２個の４配位のＯと、を有する構
造を示す。３個の３配位のＯのそれぞれは、いずれもａｂ面に存在する。また、図７（Ｂ
）の上半分及び下半分のそれぞれには、１個ずつ４配位のＯがある。また、インジウム原
子には、６配位だけではなく、５配位のインジウム原子（５配位のＩｎ）も存在するため
、５配位のＩｎと、３個の３配位のＯと、２個の４配位のＯにより、図７（Ｂ）に示す構
造を構成することもできる。また、図７（Ｂ）に示す小グループの総電荷は０である。

図７（Ｃ）では、１個の４配位の亜鉛原子（４配位のＺｎともいう）と、４配位のＺｎに
近接する４個の４配位のＯと、を有する構造を示す。図７（Ｃ）の上半分には１個の４配
位のＯがあり、下半分には３個の４配位のＯがある。また、図７（Ｃ）の上半分に３個の
４配位のＯがあり、下半分に１個の４配位のＯがあってもよい。なお、図７（Ｃ）に示す
小グループの総電荷は０である。

図７（Ｄ）では、１個の６配位のスズ原子（６配位のＳｎともいう）と、６配位のＳｎに
近接する６個の４配位のＯと、を有する構造を示す。図７（Ｄ）の上半分には３個の４配
位のＯがあり、下半分には３個の４配位のＯがある。なお、図７（Ｄ）に示す小グループ
の総電荷は＋１となる。

図７（Ｅ）では、２個の亜鉛原子を含む小グループを示す。図７（Ｅ）の上半分には１個
の４配位のＯがあり、下半分には１個の４配位のＯがある。図７（Ｅ）に示す小グループ
の総電荷は−１となる。

なお、複数の小グループの集合体を中グループといい、複数の中グループの集合体を大グ
ループという。

ここで、上記小グループ同士が結合する規則について説明する。例えば、図７（Ａ）に示
す６配位のＩｎの上半分における３個の４配位のＯは、下方向に近接する３個の６配位の
Ｉｎに結合し、下半分における３個の４配位のＯは、上方向に近接する３個の６配位のＩ
ｎに結合する。また、５配位のＧａの上半分における１個の３配位のＯは、下方向に近接
する１個の５配位のＧａに結合し、下半分における１個の３配位のＯは、上方向に近接す
る１個の５配位のＧａに結合する。また、４配位のＺｎの上半分における１個の４配位の
Ｏは、下方向に近接する１個の４配位のＺｎに結合し、下半分における３個のＯは、上方
向に近接する３個の４配位のＺｎに結合する。このように、金属原子の上方向における４
配位のＯの数と、そのＯの下方向に近接する金属原子の数は等しく、同様に金属原子の下
方向における４配位のＯの数と、そのＯの上方向に近接する金属原子の数は等しい。この
とき、Ｏは４配位なので、下方向に近接する金属原子の数と、上方向に近接する金属原子
の数の和は４になる。従って、金属原子の上方向における４配位のＯの数と、別の金属原
子の下方向における４配位のＯの数との和が４個のとき、金属原子を有する二種の小グル
ープ同士は、結合することができる。例えば、６配位の金属原子（Ｉｎ又はＳｎ）が下半
分の４配位のＯを介して結合する場合、４配位のＯが３個であるため、５配位の金属原子
又は４配位の金属原子と結合することになる。

これらの配位数を有する金属原子は、ｃ軸方向において、４配位のＯを介して結合する。
また、この他にも、層構造の合計の電荷が０となるように、複数の小グループが結合して
中グループを構成する。

さらに、図８（Ａ）では、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループのモ
デル図を示す。また、図８（Ｂ）では、３つの中グループで構成される大グループを示す
。また、図８（Ｃ）では、図８（Ｂ）に示す層構造をｃ軸方向から観察した場合の原子配
列を示す。

なお、図８（Ａ）では、便宜のため、３配位のＯは省略し、４配位のＯは個数のみ示し、
例えば、Ｓｎの上半分及び下半分のそれぞれに３個ずつ４配位のＯがあることを、丸枠の
３として示している。同様に、図８（Ａ）において、Ｉｎの上半分及び下半分のそれぞれ
には、１個ずつ４配位のＯがあることを、丸枠の１として示している。また、同様に、図
８（Ａ）では、下半分に１個の４配位のＯがあり、上半分に３個の４配位のＯがあるＺｎ
と、上半分に１個の４配位のＯがあり、下半分に３個の４配位のＯがあるＺｎと、を示し
ている。

図８（Ａ）において、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループでは、上
から順に、４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＳｎが、４配位のＯが１個ずつ
上半分及び下半分にあるＩｎに結合し、該Ｉｎが、上半分に３個の４配位のＯがあるＺｎ
に結合し、且つ下半分の１個の４配位のＯ及び上記Ｚｎを介して、４配位のＯが３個ずつ
上半分及び下半分にあるＩｎと結合し、該Ｉｎ原子が、上半分に１個の４配位のＯがある
Ｚｎ原子２個からなる小グループと結合し、且つ該小グループの下半分における１個の４
配位のＯを介して４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＳｎ原子と結合している
。複数の上記中グループが結合することにより、大グループが構成される。

ここで、３配位のＯ及び４配位のＯの場合、結合１本当たりの電荷は、それぞれ−０．６
６７、−０．５と考えることができる。例えば、Ｉｎ（６配位又は５配位）、Ｚｎ（４配
位）、Ｓｎ（５配位又は６配位）の電荷は、それぞれ＋３、＋２、＋４である。従って、
Ｓｎを含む小グループの電荷は＋１となる。そのため、Ｓｎを含む層構造を形成するため
には、＋１である電荷を打ち消す−１の電荷が必要となる。電荷が−１となる構造として
、図７（Ｅ）に示すように、２個のＺｎを含む小グループが挙げられる。例えば、Ｓｎを
含む小グループが１個に対し、２個のＺｎを含む小グループが１個あれば、電荷が打ち消
されるため、層構造の合計の電荷を０とすることができる。

さらに、図８（Ｂ）に示す大グループが繰り返された構造にすることにより、Ｉｎ−Ｓｎ
−Ｚｎ系酸化物の結晶（Ｉｎ_２ＳｎＺｎ_３Ｏ_８）を得ることができる。なお、得られるＩ
ｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物の層構造は、Ｉｎ_２ＳｎＺｎ_２Ｏ_７（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは０又は自然
数）とする組成式で表すことができる。

また、本実施の形態に示す他の四元系金属酸化物、三元系金属酸化物、二元系金属酸化物
、その他の金属酸化物などを用いた場合も同様である。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループのモデル図を図９（Ａ
）に示す。

図９（Ａ）において、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループは、上か
ら順に４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎが、４配位のＯが１個上半分に
あるＺｎに結合し、且つ該Ｚｎの下半分の３個の４配位のＯを介して、４配位のＯが１個
ずつ上半分及び下半分にあるＧａに結合し、且つ該Ｇａの下半分の１個の４配位のＯを介
して、４配位のＯが３個ずつ上半分及び下半分にあるＩｎに結合している構成である。複
数の上記中グループが結合することにより、大グループが構成される。

図９（Ｂ）では、３つの中グループで構成される大グループを示す。また、図９（Ｂ）に
示す層構造をｃ軸方向から観察した場合の原子配列を図９（Ｃ）に示す。

ここで、Ｉｎ（６配位又は５配位）、Ｚｎ（４配位）、Ｇａ（５配位）の電荷は、それぞ
れ＋３、＋２、＋３であるため、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのいずれかを含む小グループの電荷
は０となる。そのため、これらの小グループの組み合わせであれば中グループの合計の電
荷は常に０となる。

なお、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造を構成する中グループは、図９（Ａ）に示した
中グループに限定されず、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの配列が異なる中グループを組み合わせて大
グループを構成することもできる。

具体的には、図９（Ｂ）に示した大グループが繰り返されることで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系
酸化物の結晶を得ることができる。得られるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物の層構造は、Ｉｎ
ＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（ｎは自然数。）とする組成式で表される。

ｎ＝１（ＩｎＧａＺｎＯ_４）の場合、例えば結晶構造を図１０（Ａ）に示す構造にするこ
とができる。また、Ｇａ及びＩｎは５配位をとるため、図７（Ｂ）を用いて説明したよう
に、結晶構造を図１０（Ａ）に示す結晶構造におけるＧａがＩｎに置き換わった構造にす
ることもできる。

また、ｎ＝２（ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５）の場合、例えば結晶構造を図１０（Ｂ）に示す結晶
構造にすることができる。なお、Ｇａ及びＩｎは５配位をとるため、図７（Ｂ）を用いて
説明したように、結晶構造を図１０（Ｂ）に示す結晶構造におけるＧａがＩｎに置き換わ
った構造にすることもできる。

以上がＣＡＡＣの構造例の説明である。ＣＡＡＣのように結晶性を有する酸化物半導体は
、アモルファスの酸化物半導体と比べて欠陥が少ない。

さらに、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す領域６０４ａ＿ａ、領域６０４ｂ＿ａ、領域６
０４ａ＿ｂ、及び領域６０４ｂ＿ｂは、ドーパントが添加され、トランジスタのソース又
はドレインとしての機能を有する。ドーパントとしては、例えば元素周期表における１３
族の元素（例えば硼素など）、元素周期表における１５族の元素（例えば窒素、リン、及
び砒素の一つ又は複数）、及び希ガス元素（例えばヘリウム、アルゴン、及びキセノンの
一つ又は複数）の一つ又は複数を用いることができる。なお、トランジスタのソースとし
ての機能を有する領域をソース領域ともいい、トランジスタのドレインとしての機能を有
する領域をドレイン領域ともいう。領域６０４ａ＿ａ、領域６０４ｂ＿ａ、領域６０４ａ
＿ｂ、及び領域６０４ｂ＿ｂにドーパントを添加することにより導電層との間の抵抗を小
さくすることができるため、トランジスタを微細化することができる。

導電層６０５ａ＿ａ、導電層６０５ｂ＿ａ、導電層６０５ａ＿ｂ、及び導電層６０５ｂ＿
ｂのそれぞれは、トランジスタのソース又はドレインとしての機能を有する。なお、トラ
ンジスタのソースとしての機能を有する層をソース電極又はソース配線ともいい、トラン
ジスタのドレインとしての機能を有する層をドレイン電極又はドレイン配線ともいう。

導電層６０５ａ＿ａ、導電層６０５ｂ＿ａ、導電層６０５ａ＿ｂ、及び導電層６０５ｂ＿
ｂとしては、例えばアルミニウム、マグネシウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリ
ブデン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらの金属材料を主成分とする合
金材料の層を用いることができる。例えば、銅、マグネシウム、及びアルミニウムを含む
合金材料の層により、導電層６０５ａ＿ａ、導電層６０５ｂ＿ａ、導電層６０５ａ＿ｂ、
及び導電層６０５ｂ＿ｂを構成することができる。また、導電層６０５ａ＿ａ、導電層６
０５ｂ＿ａ、導電層６０５ａ＿ｂ、及び導電層６０５ｂ＿ｂに適用可能な材料の積層によ
り、導電層６０５ａ＿ａ、導電層６０５ｂ＿ａ、導電層６０５ａ＿ｂ、及び導電層６０５
ｂ＿ｂを構成することもできる。例えば、銅、マグネシウム、及びアルミニウムを含む合
金材料の層と銅を含む層の積層により、導電層６０５ａ＿ａ、導電層６０５ｂ＿ａ、導電
層６０５ａ＿ｂ、及び導電層６０５ｂ＿ｂを構成することができる。

また、導電層６０５ａ＿ａ、導電層６０５ｂ＿ａ、導電層６０５ａ＿ｂ、及び導電層６０
５ｂ＿ｂとしては、導電性の金属酸化物を含む層を用いることもできる。導電性の金属酸
化物としては、例えば酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム酸化スズ、
又は酸化インジウム酸化亜鉛を用いることができる。なお、導電層６０５ａ＿ａ、導電層
６０５ｂ＿ａ、導電層６０５ａ＿ｂ、及び導電層６０５ｂ＿ｂに適用可能な導電性の金属
酸化物は、酸化シリコンを含んでいてもよい。

絶縁層６０６ａ及び絶縁層６０６ｂとしては、例えば絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２
＿ｂに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁層６０６ａ及び絶縁層６０
６ｂに適用可能な材料の積層により、絶縁層６０６ａ及び絶縁層６０６ｂを構成してもよ
い。

絶縁層６０７は、トランジスタへの不純物の侵入を抑制する保護絶縁層としての機能を有
する。

絶縁層６０７としては、例えば絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂに適用可能な材料
の層を用いることができる。また、絶縁層６０７に適用可能な材料の積層により、絶縁層
６０７を構成してもよい。例えば、酸化シリコン層、酸化アルミニウム層などにより、絶
縁層６０７を構成してもよい。例えば、酸化アルミニウム層を用いることにより、半導体
層６０３＿ｂへの不純物の侵入抑制効果をより高めることができ、また、半導体層６０３
＿ｂ中の酸素の脱離抑制効果を高めることができる。

なお、本実施の形態のトランジスタを、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導
体層の一部の上に絶縁層を含み、該絶縁層を介して酸化物半導体層に重畳するように、ソ
ース又はドレインとしての機能を有する導電層を含む構造としてもよい。上記構造である
場合、絶縁層は、トランジスタのチャネル形成層を保護する層（チャネル保護層ともいう
）としての機能を有する。チャネル保護層としての機能を有する絶縁層としては、例えば
絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂに適用可能な材料の層を用いることができる。ま
た、絶縁層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂに適用可能な材料の積層によりチャネル保護
層としての機能を有する絶縁層を構成してもよい。

また、被素子形成層６００＿ａ及び被素子形成層６００＿ｂの上に下地層を形成し、該下
地層の上にトランジスタを形成してもよい。このとき、下地層としては、例えば絶縁層６
０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂに適用可能な材料の層を用いることができる。また、絶縁
層６０２＿ａ及び絶縁層６０２＿ｂに適用可能な材料の積層により下地層を構成してもよ
い。例えば、酸化アルミニウム層及び酸化シリコン層の積層により下地層を構成すること
により、下地層に含まれる酸素が半導体層６０３＿ａ及び半導体層６０３＿ｂを介して脱
離するのを抑制することができる。

さらに、本実施の形態におけるトランジスタの作製方法例として、図６（Ａ）に示すトラ
ンジスタの作製方法例について、図１１を用いて説明する。図１１は、図６に示すトラン
ジスタの作製方法例を説明するための断面模式図である。

まず、図１１（Ａ）に示すように、被素子形成層６００＿ａを準備し、被素子形成層６０
０＿ａの上に半導体層６０３＿ａを形成する。

例えば、スパッタリング法を用いて半導体層６０３＿ａに適用可能な酸化物半導体材料の
膜（酸化物半導体膜ともいう）を成膜することにより、半導体層６０３＿ａを形成するこ
とができる。なお、上記酸化物半導体膜を成膜した後に、該酸化物半導体膜の一部をエッ
チングしてもよい。また、希ガス雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲
気下で酸化物半導体膜を成膜してもよい。

また、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］、
４：２：３［原子数比］、３：１：２［原子数比］、１：１：２［原子数比］、２：１：
３［原子数比］、又は３：１：４［原子数比］の組成比である酸化物ターゲットを用いて
酸化物半導体膜を成膜してもよい。上記組成比である酸化物ターゲットを用いることによ
り、結晶性の高い酸化物半導体膜を成膜することができ、多結晶又はＣＡＡＣが形成され
やすくなる。

また、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：２：２［原子数比］、
２：１：３［原子数比］、１：１：１［原子数比］、又は２０：４５：３５［原子数比］
の組成比である酸化物ターゲットを用いて酸化物半導体膜を成膜してもよい。上記組成比
である酸化物ターゲットを用いることにより、結晶性の高い酸化物半導体膜を成膜するこ
とができ、多結晶又はＣＡＡＣが形成されやすくなる。

また、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ：Ｚｎ＝５０：１乃至Ｉｎ：Ｚｎ＝１：２
（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝２５：１乃至Ｉｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：４
）、好ましくはＩｎ：Ｚｎ＝２０：１乃至Ｉｎ：Ｚｎ＝１：１（モル数比に換算するとＩ
ｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１０：１乃至Ｉｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝１：２）、さらに好ましくはＩｎ
：Ｚｎ＝１５：１乃至Ｉｎ：Ｚｎ＝１．５：１（モル数比に換算するとＩｎ_２Ｏ_３：Ｚｎ
Ｏ＝１５：２乃至Ｉｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝３：４）の組成比である酸化物ターゲットを用い
てＩｎ−Ｚｎ系酸化物の膜を成膜してもよい。また、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化物半導体膜の成膜
に用いるターゲットは、原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｓ：Ｕ：Ｒのとき、Ｒ＞１．５Ｓ＋
Ｕとする。Ｉｎの量を多くすることにより、トランジスタの電界効果移動度（単に移動度
ともいう）を向上させることができる。

また、スパッタリング法を用いる場合、例えば、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下
、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下で半導体層６０３＿ａを形成する。こ
のとき、希ガスと酸素の混合雰囲気下で半導体層６０３＿ａを形成する場合には、希ガス
の量に対して酸素の量が多い方が好ましい。

また、スパッタリング法を用いた成膜を行う場合、堆積される膜中に水素、水、水酸基、
又は水素化物（水素化合物ともいう）などの不純物が含まれないように、成膜室外部から
のリークや成膜室内の内壁からの脱ガスを十分抑えることが好ましい。

例えば、スパッタリング法を用いて膜を成膜する前に、スパッタリング装置の予備加熱室
において予備加熱処理を行ってもよい。上記予備加熱処理を行うことにより、上記不純物
を脱離することができる。

また、スパッタリング法を用いて成膜する前に、例えばアルゴン、窒素、ヘリウム、又は
酸素雰囲気下で、ターゲット側に電圧を印加せずに、基板側にＲＦ電源を用いて電圧を印
加し、プラズマを形成して被形成面を改質する処理（逆スパッタともいう）を行ってもよ
い。逆スパッタを行うことにより、被形成面に付着している粉状物質（パーティクル、ご
みともいう）を除去することができる。

また、スパッタリング法を用いて成膜する場合、吸着型の真空ポンプなどを用いて、膜を
成膜する成膜室内の残留水分を除去することができる。吸着型の真空ポンプとしては、例
えばクライオポンプ、イオンポンプ、又はチタンサブリメーションポンプなどを用いるこ
とができる。また、コールドトラップを設けたターボ分子ポンプを用いて成膜室内の残留
水分を除去することもできる。上記真空ポンプを用いることにより、上記不純物を含む排
気の逆流を低減することができる。

また、スパッタリングガスとして、例えば上記不純物が除去された高純度ガスを用いるこ
とにより、形成される膜の上記不純物の濃度を低減することができる。例えば、スパッタ
リングガスとして、露点−７０℃以下であるガスを用いることが好ましい。

また、スパッタリング法の代わりに真空蒸着法、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎ
ｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓ
ｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ
）法などを用いて酸化物半導体膜を成膜してもよい。

また、本実施の形態におけるトランジスタの作製方法例において、膜の一部をエッチング
して層を形成する場合、例えば、フォトリソグラフィ工程により膜の一部の上にレジスト
マスクを形成し、レジストマスクを用いて膜をエッチングすることにより、層を形成する
ことができる。なお、この場合、層の形成後にレジストマスクを除去する。

また、半導体層６０３＿ａとしてＣＡＡＣである酸化物半導体層を形成する場合、スパッ
タリング法を用い、酸化物半導体膜が形成される被素子形成層の温度を１００℃以上６０
０℃以下、好ましくは１５０℃以上５５０℃以下、さらに好ましくは２００℃以上５００
℃以下にして酸化物半導体膜を成膜する。被素子形成層の温度を高くして酸化物半導体膜
を成膜することにより、膜中の不純物濃度が低減し、作製されるトランジスタの電界効果
移動度を向上させ、ゲートバイアス・ストレスに対する安定性を高めることができる。ま
た、酸化物半導体膜中の原子配列が整い、高密度化され、多結晶またはＣＡＡＣが形成さ
れやすくなる。さらに、酸素ガス雰囲気で成膜することでも、希ガスなどの余分な原子が
含まれないため、多結晶またはＣＡＡＣが形成されやすくなる。ただし、酸素ガスと希ガ
スの混合雰囲気としてもよく、その場合は酸素ガスの割合は３０体積％以上、好ましくは
５０体積％以上、さらに好ましくは８０体積％以上とする。また、酸化物半導体膜を薄く
するほど、トランジスタの短チャネル効果が低減される。

また、このとき、被素子形成層６００＿ａは平坦であることが好ましい。例えば、被素子
形成層６００＿ａの平均面粗さは、１ｎｍ以下、さらには０．３ｎｍ以下ｎｍ以下である
ことが好ましい。被素子形成層６００＿ａの平坦性を向上させることにより、アモルファ
ス状態の酸化物半導体以上に移動度を向上させることができる。例えば、化学的機械研磨
（ＣＭＰ）処理及びプラズマ処理の一つ又は複数により、被素子形成層６００＿ａを平坦
化することができる。このとき、プラズマ処理には、希ガスイオンで表面をスパッタリン
グする処理やエッチングガスを用いて表面をエッチングする処理も含まれる。

次に、図１１（Ｂ）に示すように、半導体層６０３＿ａの上に導電層６０５ａ＿ａ及び導
電層６０５ｂ＿ａを形成する。

例えば、スパッタリング法などを用いて導電層６０５ａ＿ａ及び導電層６０５ｂ＿ａに適
用可能な材料の膜を第１の導電膜として成膜し、該第１の導電膜の一部をエッチングする
ことにより導電層６０５ａ＿ａ及び導電層６０５ｂ＿ａを形成することができる。

次に、図１１（Ｃ）に示すように、半導体層６０３＿ａに接するように絶縁層６０２＿ａ
を形成する。

例えば、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混
合雰囲気下で、スパッタリング法を用いて絶縁層６０２＿ａに適用可能な膜を成膜するこ
とにより、絶縁層６０２＿ａを形成することができる。絶縁層６０２＿ａを形成する際の
被素子形成層６００＿ａの温度は、室温以上３００℃以下であることが好ましい。

また、絶縁層６０２＿ａを形成する前にＮ_２Ｏ、Ｎ_２、又はＡｒなどのガスを用いたプラ
ズマ処理を行い、露出している半導体層６０３＿ａの表面に付着した吸着水などを除去し
てもよい。プラズマ処理を行った場合、その後、大気に触れることなく、絶縁層６０２＿
ａを形成することが好ましい。

次に、図１１（Ｄ）に示すように、絶縁層６０２＿ａの上に導電層６０１＿ａを形成する
。

例えば、スパッタリング法などを用いて導電層６０１＿ａに適用可能な材料の膜を第２の
導電膜として成膜し、該第２の導電膜の一部をエッチングすることにより導電層６０１＿
ａを形成することができる。

また、図６（Ａ）に示すトランジスタの作製方法の一例では、例えば６００℃以上７５０
℃以下、又は６００℃以上基板の歪み点未満の温度で加熱処理を行う。例えば、酸化物半
導体膜を成膜した後、酸化物半導体膜の一部をエッチングした後、第１の導電膜を成膜し
た後、第１の導電膜の一部をエッチングした後、絶縁層６０２＿ａを形成した後、第２の
導電膜を成膜した後、又は第２の導電膜の一部をエッチングした後に上記加熱処理を行う
。上記加熱処理を行うことにより、水素、水、水酸基、又は水素化物などの不純物が半導
体層６０３＿ａから排除される。

なお、上記加熱処理を行う加熱処理装置としては、電気炉、又は抵抗発熱体などの発熱体
からの熱伝導又は熱輻射により被処理物を加熱する装置を用いることができ、例えばＧＲ
ＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置又はＬＲＴＡ（Ｌａｍ
ｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、例えばハロゲ
ンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧
ナトリウムランプ、又は高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射によ
り、被処理物を加熱する装置である。また、ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処
理を行う装置である。高温のガスとしては、例えば希ガス、又は加熱処理によって被処理
物と反応しない不活性気体（例えば窒素）を用いることができる。

また、上記加熱処理を行った後、その加熱温度を維持しながら又はその加熱温度から降温
する過程で該加熱処理を行った炉と同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のＮ_２Ｏガス、又
は超乾燥エア（露点が−４０℃以下、好ましくは−６０℃以下の雰囲気）を導入してもよ
い。このとき、酸素ガス又はＮ_２Ｏガスは、水、水素などを含まないことが好ましい。ま
た、加熱処理装置に導入する酸素ガス又はＮ_２Ｏガスの純度を、６Ｎ以上、好ましくは７
Ｎ以上、すなわち、酸素ガス又はＮ_２Ｏガス中の不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは
０．１ｐｐｍ以下とすることが好ましい。酸素ガス又はＮ_２Ｏガスの作用により、半導体
層６０３＿ａに酸素が供給され、半導体層６０３＿ａ中の酸素欠乏に起因する欠陥を低減
することができる。なお、上記高純度の酸素ガス、高純度のＮ_２Ｏガス、又は超乾燥エア
の導入は、上記加熱処理時に行ってもよい。

また、図６（Ａ）に示すトランジスタの作製方法の一例では、半導体層６０３＿ａ形成後
、導電層６０５ａ＿ａ及び導電層６０５ｂ＿ａ形成後、絶縁層６０２＿ａ形成後、導電層
６０１＿ａ形成後、又は上記加熱処理後に酸素プラズマによる酸素ドーピング処理など、
酸素イオンを電界で加速させる方法を用いて酸化物半導体膜に酸素を注入してもよい。例
えば２．４５ＧＨｚの高密度プラズマにより酸素ドーピング処理を行ってもよい。また、
イオン注入法を用いて酸素ドーピング処理を行ってもよい。酸素ドーピング処理を行うこ
とにより、作製されるトランジスタの電気特性のばらつきを低減することができる。例え
ば、酸素ドーピング処理を行い、絶縁層６０２＿ａを、化学量論的組成比より酸素が多い
状態にする。

半導体層６０３＿ａに接する絶縁層中の酸素を過剰にすることにより、半導体層６０３＿
ａに酸素が供給されやすくなる。よって、半導体層６０３＿ａ中、又は絶縁層６０２＿ａ
と、半導体層６０３＿ａとの界面における酸素欠陥を低減することができるため、半導体
層６０３＿ａのキャリア濃度をより低減することができる。また、これに限定されず、製
造過程により半導体層６０３＿ａに含まれる酸素を過剰にした場合であっても、半導体層
６０３＿ａに接する上記絶縁層により、半導体層６０３＿ａからの酸素の脱離を抑制する
ことができる。

例えば、絶縁層６０２＿ａとして、酸化ガリウムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁層
に酸素を供給し、酸化ガリウムの組成をＧａ_２Ｏ_ｘにすることができる。

また、絶縁層６０２＿ａとして、酸化アルミニウムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁
層に酸素を供給し、酸化アルミニウムの組成をＡｌ_２Ｏ_ｘにすることができる。

また、絶縁層６０２＿ａとして、酸化ガリウムアルミニウム又は酸化アルミニウムガリウ
ムを含む絶縁層を形成する場合、該絶縁層に酸素を供給し、酸化ガリウムアルミニウム又
は酸化アルミニウムガリウムの組成をＧａ_ｘＡｌ_２−ｘＯ_３＋αとすることができる。

以上の工程によって、半導体層６０３＿ａから、水素、水、水酸基、又は水素化物（水素
化合物ともいう）などの不純物を排除し、且つ半導体層６０３＿ａに酸素を供給すること
により、酸化物半導体層を高純度化させることができる。

さらに、上記加熱処理とは別に、絶縁層６０２＿ａを形成した後に、不活性ガス雰囲気下
、又は酸素ガス雰囲気下で加熱処理（好ましくは２００℃以上６００℃以下、例えば２５
０℃以上３５０℃以下）を行ってもよい。

上記に示す被素子形成層６００＿ａの加熱温度又は酸化物半導体膜の成膜後の加熱処理の
温度は、１５０℃以上、好ましくは２００℃以上、より好ましくは４００℃以上である。
酸化物半導体膜の成膜後の加熱処理では、３００℃以上であれば膜中に含まれる水素等の
不純物を放出させ、該不純物を除去すること（脱水化、脱水素化）ができる。

上記加熱処理は酸素中で行うことができるが、上記脱水化・脱水素化を窒素雰囲気又は減
圧下で行ってから、酸素雰囲気中で熱処理をするように２段階で行うようにしてもよい。
脱水化・脱水素化後に酸素を含む雰囲気中で熱処理することにより、酸化物半導体中に酸
素を加えることも可能となり、上記加熱処理の効果をより高めることができる。また、上
記加酸化処理を、酸化物半導体層に接するように絶縁層を設けた状態で熱処理を行っても
よい。例えば酸化物半導体層中及び酸化物半導体層に積層する層との界面には、酸素欠損
による欠陥が生成されやすいが、上記加熱処理により酸化物半導体中に酸素を過剰に含ま
せることにより、定常的に生成される酸素欠損を過剰な酸素によって補償することができ
る。上記過剰な酸素は、主に格子間に存在する酸素であり、その酸素濃度を１×１０^１６
／ｃｍ^３以上２×１０^２０／ｃｍ^３以下にすることにより、例えば結晶化した場合であっ
ても結晶に歪みなどを与えることなく酸化物半導体層中に酸素を含ませることができる。

また、酸化物半導体膜の成膜後に加熱処理を行うことにより、作製されるトランジスタの
ゲートバイアス・ストレスに対する安定性を高めることができる。また、トランジスタの
電界効果移動度を向上させることもできる。

さらに、図１１（Ｅ）に示すように、導電層６０１＿ａが形成される側から半導体層６０
３＿ａにドーパントを添加することにより、絶縁層６０２＿ａを介して自己整合で領域６
０４ａ＿ａ及び領域６０４ｂ＿ａを形成する。

例えば、イオンドーピング装置又はイオン注入装置を用いてドーパントを添加することが
できる。

なお、図６（Ａ）に示すトランジスタの作製方法例を示したが、これに限定されず、例え
ば図６（Ｂ）に示す各構成要素において、名称が図６（Ａ）に示す各構成要素と同じであ
り且つ機能の少なくとも一部が図６（Ａ）に示す各構成要素と同じであれば、図６（Ａ）
に示すトランジスタの作製方法例の説明を適宜援用することができる。

図６乃至図１１を用いて説明したように、本実施の形態におけるトランジスタの一例では
、ゲートとしての機能を有する導電層と、ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層と、
ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層を介してゲートとしての機能を有する導電層に
重畳し、チャネルが形成される酸化物半導体層と、酸化物半導体層に電気的に接続され、
ソース及びドレインの一方としての機能を有する導電層と、酸化物半導体層に電気的に接
続され、ソース及びドレインの他方としての機能を有する導電層と、を含む構成にするこ
とにより、トランジスタを構成することができる。

また、本実施の形態におけるトランジスタの一例では、酸化物半導体層のキャリア濃度を
１×１０^１４／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１２／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１
×１０^１１／ｃｍ^３未満にすることができる。

酸化物半導体をトランジスタに適用するにはキャリア濃度を１０^１８／ｃｍ^３以下にする
ことが好ましい。ＩｎあるいはＺｎを含む酸化物半導体は、ＧａやＳｎを酸化物半導体を
構成する一元素として含ませることのみならず、上記のように酸化物半導体膜の高純度化
（水素等の除去）を図ることや、成膜後の熱処理をすることによってキャリア濃度を１０
^１８／ｃｍ^３以下にすることができる。

また、酸化物半導体膜を成膜する際の加熱処理及び成膜後の加熱処理の一つ又は複数を行
うことにより、トランジスタの閾値電圧をプラスシフトさせ、ノーマリ・オフ化させるこ
とができ、また、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流を、１０ａＡ（１×１０^−１７Ａ）
以下、さらには１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、さらには１０ｚＡ（１×１０^−２０Ａ
）以下、さらには１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、さらには１００ｙＡ（１×１０^−２
２Ａ）以下にすることができる。トランジスタのオフ電流は、低ければ低いほどよいが、
本実施の形態におけるトランジスタのオフ電流の下限値は、約１０^−３０Ａ／μｍである
と見積もられる。

本実施の形態の酸化物半導体層を含むトランジスタを、例えば上記実施の形態における演
算回路における出力信号の電位を制御するためのトランジスタに用いることにより、演算
回路におけるデータの保持時間を長くすることができる。

また、本実施の形態におけるトランジスタの一例は、他のトランジスタ（例えば、元素周
期表における第１４族の半導体（シリコンなど）を含有する半導体層を含むトランジスタ
）と積層させることができる。よって、同一基板上に上記酸化物半導体層を含むトランジ
スタ及び上記他のトランジスタを形成しつつ、回路面積を縮小することができる。

また、上記酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質又は結晶のいずれの場合であっ
てあっても比較的高い電界効果移動度を得ることができる。このような電界効果移動度の
向上は、脱水化・脱水素化による不純物の除去のみならず、高密度化により原子間距離が
短くなるためとも推定される。また、酸化物半導体膜から不純物を除去して高純度化する
ことにより、結晶化を図ることもできる。例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物半導体では
３１ｃｍ^２／Ｖｓ超、好ましくは３９ｃｍ^２／Ｖｓ超、より好ましくは６０ｃｍ^２／Ｖｓ
超の電界効果移動度を得ることも可能である。また、高純度化された非単結晶酸化物半導
体は、理想的には１００ｃｍ^２／Ｖｓを超える電界効果移動度を実現することも可能にな
ると示唆される。また、本実施の形態におけるトランジスタの一例では、酸化物半導体層
の欠陥密度が少ないほどトランジスタの電界効果移動度が高くなると示唆される。その理
由について以下に説明する。

酸化物半導体層を含む電界効果トランジスタに限らず、実際に測定される電界効果トラン
ジスタの電界効果移動度は、様々な理由によって本来の電界効果移動度よりも低くなる。
電界効果移動度を低下させる要因としては、半導体層内部の欠陥や半導体層と絶縁層との
界面の欠陥がある。例えば、Ｌｅｖｉｎｓｏｎモデルを用いると、酸化物半導体層に欠陥
がないと仮定した場合のトランジスタの電界効果移動度を理論的に導き出すことができる
。

半導体層本来の電界効果移動度をμ_０とし、測定される電界効果移動度をμとし、半導体
層中に何らかのポテンシャル障壁（粒界等）が存在すると仮定すると、測定される電界効
果移動度であるμは、下記の式（１）で表される。

上記式（１）において、Ｅはポテンシャル障壁の高さであり、ｋはボルツマン定数、Ｔは
絶対温度である。また、ポテンシャル障壁が欠陥に由来すると仮定すると、Ｌｅｖｉｎｓ
ｏｎモデルにおいて、ポテンシャル障壁の高さであるＥは、下記の式（２）で表される。

上記式（２）において、ｅは電気素量、Ｎはチャネル内の単位面積当たりの平均欠陥密度
、εは半導体の誘電率、ｎはチャネルのキャリア面濃度、Ｃ_ｏｘは単位面積当たりの容量
、Ｖｇはゲート電圧（ゲートとソースの間の電圧）、ｔはチャネルの厚さである。なお、
厚さ３０ｎｍ以下の半導体層であれば、チャネルの厚さは半導体層の厚さと同一として差
し支えない。さらに、線形領域におけるドレイン電流Ｉｄ（ドレインとソースの間の電流
）は、下記の式（３）で表される。

上記式（３）において、Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅であり、ここでは、Ｌ＝Ｗ＝１
０μｍである。また、Ｖｄはドレイン電圧である。さらに、上式の両辺をＶｇで割り、更
に両辺の対数を取ると、式（３）を下記の式（４）に変換することができる。

上記式（４）において、右辺はＶｇの関数である。式（４）からわかるように、縦軸をｌ
ｎ（Ｉｄ／Ｖｇ）、横軸を１／Ｖｇとする直線の傾きから欠陥密度Ｎが求められる。すな
わち、トランジスタのＩｄ―Ｖｇ特性から、欠陥密度を評価することができる。
例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）の比率が、Ｉｎ：Ｇａ：
Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］である酸化物半導体膜の欠陥密度Ｎは、１×１０^１２／ｃ
ｍ^２程度である。

上記の方法により求めた欠陥密度などをもとに、上記の式（１）及び式（２）を用いて本
来の半導体層の電界効果移動度であるμ_０を求めると、μ_０＝１２０ｃｍ^２／Ｖｓとなる
。通常、欠陥のあるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物で測定される電界効果移動度は、４０ｃｍ
^２／Ｖｓ程度であるが、しかし、半導体内部及び半導体と絶縁膜との界面の欠陥が無い酸
化物半導体の移動度μ_０は１２０ｃｍ^２／Ｖｓとなると予想できる。このことから、欠陥
が少ないほど酸化物半導体の移動度、さらにはトランジスタの電界効果移動度は高いこと
がわかる。例えばＣＡＡＣなどの酸化物半導体層は、欠陥密度が低い。

ただし、半導体層内部に欠陥がなくても、チャネルとゲート絶縁層との界面での散乱によ
ってトランジスタの輸送特性は影響を受ける。すなわち、チャネルとゲート絶縁層との界
面からｘだけ離れた場所における移動度μ_１は、下記の式（５）で表される。

上記式（５）において、Ｄはゲート方向の電界、Ｂ、ｌは定数である。Ｂ及びｌは、実際
の測定結果より求めることができ、上記の測定結果では、Ｂ＝２．３８×１０^７ｃｍ／ｓ
、ｌ＝１０ｎｍ（界面散乱が及ぶ深さ）となる。式（５）では、Ｄが増加する（すなわち
、ゲート電圧が高くなる）と式（５）の第２項が増加するため、Ｄが増加すると移動度μ
_１は低下することがわかる。

半導体層内部の欠陥が無い理想的な酸化物半導体をチャネルに用いたトランジスタの移動
度μ_２の計算結果を図１２に示す。なお、上記計算には、シノプシス社製デバイスシミュ
レーションソフト、Ｓｅｎｔａｕｒｕｓ Ｄｅｖｉｃｅを使用する。また、酸化物半導体
層において、バンドギャップを２．８ｅＶとし、電子親和力を４．７ｅＶとし、比誘電率
を１５とし、厚さを１５ｎｍとする。さらに、トランジスタにおいて、ゲート、ソース、
ドレインの仕事関数をそれぞれ、５．５ｅＶ、４．６ｅＶ、４．６ｅＶとする。また、ゲ
ート絶縁層において、厚さを１００ｎｍとし、比誘電率を４．１とする。さらに、トラン
ジスタにおいて、チャネル長及びチャネル幅をともに１０μｍとし、ドレイン電圧Ｖｄを
０．１Ｖとする。

図１２に示すように、ゲート電圧Ｖｇが１Ｖ付近のときの電界効果移動度は、１００ｃｍ
^２／Ｖｓ以上と高いが、ゲート電圧Ｖｇがさらに高くなると、界面散乱が大きくなり、移
動度が低下する。なお、界面散乱を低減するためには、半導体層表面を原子レベルで平坦
にすること（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｆｌａｔｎｅｓｓともいう）が望ましい。

さらに、上記のように高い電界効果移動度の酸化物半導体を用いた、微細なトランジスタ
における電気特性の計算結果を以下に示す。

まず、計算に用いたトランジスタの断面構造を図１３に示す。図１３に示すトランジスタ
は酸化物半導体層にＮ型の半導体領域６５３ａ及び６５３ｂ、並びに半導体領域６５３ｃ
を有する。半導体領域６５３ａ及び半導体領域６５３ｂの抵抗率は２×１０^−３Ωｃｍと
する。

図１３（Ａ）に示すトランジスタは、下地絶縁物６５１及び埋め込み絶縁物６５２の上に
設けられる。埋め込み絶縁物６５２は、酸化アルミニウムを用いて下地絶縁物６５１に埋
め込まれるように設けられる。埋め込み絶縁物６５２を設けることにより、半導体領域６
５３ｃに酸素を供給しやすくすることができる。

また、図１３（Ａ）に示すトランジスタは、半導体領域６５３ａと、半導体領域６５３ｂ
と、半導体領域６５３ｃと、ゲート絶縁層６５４と、ゲート電極６５５と、側壁絶縁物６
５６ａと、側壁絶縁物６５６ｂと、絶縁層６５７と、ソース電極６５８ａと、ドレイン電
極６５８ｂと、を含む。

半導体領域６５３ｃは、半導体領域６５３ａ及び半導体領域６５３ｂの間に挟まれて設け
られる。半導体領域６５３ｃは、チャネル形成領域となる真性の半導体領域である。

ゲート電極６５５は、ゲート絶縁層６５４の上に設けられる。なお、ゲート電極６５５の
幅を３３ｎｍとする。

側壁絶縁物６５６ａ及び側壁絶縁物６５６ｂは、ゲート電極６５５の側面に接するように
設けられる。図１３（Ａ）に示すトランジスタでは、側壁絶縁物６５６ａの下の半導体領
域は、Ｎ型の半導体領域６５３ａに含まれ、側壁絶縁物６５６ｂの下の半導体領域は、Ｎ
型の半導体領域６５３ｂに含まれる。なお、側壁絶縁物６５６ａ及び側壁絶縁物６５６ｂ
のそれぞれの幅を５ｎｍとする。

絶縁層６５７は、ゲート電極６５５の上に設けられる。絶縁層６５７は、ゲート電極６５
５と他の配線との短絡を防止する機能を有する。

ソース電極６５８ａは、半導体領域６５３ａに接する。

ドレイン電極６５８ｂは、半導体領域６５３ｂに接する。

なお、図１３（Ａ）に示すトランジスタにおけるチャネル幅を３３ｎｍとする。

また、図１３（Ｂ）に示すトランジスタは、図１３（Ａ）に示すトランジスタと比較して
、側壁絶縁物６５６ａ及び側壁絶縁物６５６ｂの下の半導体領域の導電型が異なる。図１
３（Ｂ）に示すトランジスタでは、側壁絶縁物６５６ａ及び側壁絶縁物６５６ｂの下の半
導体領域は、真性の半導体領域６５３ｃに含まれる。すなわち、図１３（Ｂ）に示すトラ
ンジスタは、半導体領域６５３ａとゲート電極６５５が重ならない領域及び半導体領域６
５３ｃとゲート電極６５５が重ならない領域を含む。この領域のそれぞれをオフセット領
域といい、その幅をオフセット長（Ｌｏｆｆともいう）という。図１３（Ｂ）において、
オフセット長は、側壁絶縁物６５６ａ及び側壁絶縁物６５６ｂのそれぞれの幅と同じであ
る。

なお、計算に使用するその他のパラメータは上記のとおりである。また、計算には、シノ
プシス社製デバイス計算ソフト、Ｓｅｎｔａｕｒｕｓ Ｄｅｖｉｃｅを使用した。

図１４は、図１３（Ａ）に示される構造のトランジスタのドレイン電流Ｉｄ（実線）及び
電界効果移動度μ（点線）のゲート電圧Ｖｇ（ゲートとソースの電位差）の依存性を示す
図である。ドレイン電流Ｉｄは、ドレイン電圧Ｖｄ（ドレインとソースの電位差）を＋１
Ｖとし、電界効果移動度μはドレイン電圧を＋０．１Ｖとして計算したものである。

図１４（Ａ）は、ゲート絶縁層６５４の厚さが１５ｎｍであるトランジスタの場合の図で
あり、図１４（Ｂ）は、ゲート絶縁層６５４の厚さが１０ｎｍであるトランジスタの場合
の図であり、図１４（Ｃ）は、ゲート絶縁層６５４の厚さが５ｎｍであるトランジスタの
場合の図である。図１４（Ａ）乃至図１４（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁層６５４が薄
くなるほど、特にオフ状態でのドレイン電流Ｉｄ（オフ電流）が顕著に低下する。一方、
電界効果移動度μのピーク値やオン状態でのドレイン電流Ｉｄ（オン電流）には目立った
傾向が無い。また、ゲート電圧１Ｖ前後で、ドレイン電流Ｉｄの値は、記憶回路などで必
要とされる１０μＡを超える。

図１５は、図１３（Ｂ）に示す構造で、オフセット長（Ｌｏｆｆ）を５ｎｍであるトラン
ジスタのドレイン電流Ｉｄ（実線）及び移動度μ（点線）のゲート電圧Ｖｇ依存性を示す
図である。ここでは、ドレイン電圧Ｖｄを＋１Ｖとしてドレイン電流Ｉｄを計算し、ドレ
イン電圧Ｖｄを＋０．１Ｖとして電界効果移動度μを計算する。さらに、図１５（Ａ）は
、ゲート絶縁層６５４の厚さが１５ｎｍである場合の図であり、図１５（Ｂ）は、ゲート
絶縁層６５４の厚さが１０ｎｍである場合の図であり、図１５（Ｃ）は、ゲート絶縁層６
５４の厚さが５ｎｍである場合の図である。

また、図１６は、図１３（Ｂ）に示される構造のトランジスタで、オフセット長Ｌｏｆｆ
を１５ｎｍとしたもののドレイン電流Ｉｄ（実線）及び移動度μ（点線）のゲート電圧依
存性を示す。ここでは、ドレイン電流Ｉｄを、ドレイン電圧Ｖｄを＋１Ｖとして計算し、
移動度μはドレイン電圧Ｖｄを＋０．１Ｖとして計算する。図１６（Ａ）は、ゲート絶縁
層６５４の厚さが１５ｎｍである場合の図であり、図１６（Ｂ）は、ゲート絶縁層６５４
の厚さが１０ｎｍである場合の図であり、図１６（Ｃ）は、ゲート絶縁層６５４の厚さが
５ｎｍの場合の図である。

図１４乃至図１６からわかるように、いずれもゲート絶縁層６５４が薄くなるほど、トラ
ンジスタのオフ電流が顕著に低下する一方、移動度μのピーク値やトランジスタのオン電
流には目立った傾向が無い。

なお、電界効果移動度μのピークは、図１４では８０ｃｍ^２／Ｖｓ程度であるが、図１５
では６０ｃｍ^２／Ｖｓ程度であり、図１６では４０ｃｍ^２／Ｖｓ程度であることから、オ
フセット長（Ｌｏｆｆ）が増加するほど低下する。また、トランジスタのオフ電流も同様
な傾向がある。一方、トランジスタのオン電流は、オフセット長（Ｌｏｆｆ）が増加する
と共に減少するが、トランジスタのオフ電流の減少に比べるとはるかに緩やかである。ま
た、いずれのトランジスタもゲート電圧１Ｖ前後で、ドレイン電流は、例えば記憶回路な
どで必要とされる１０μＡを超える。

上記に示すように、酸化物半導体を含むトランジスタでは、電界効果移動度を高くするこ
ともできるため、上記実施の形態における演算回路を支障なく動作させることができる。

さらに、上記トランジスタの一例として、チャネル形成層としてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎを含有
する酸化物半導体層を含むトランジスタの例について説明する。

例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＺｎを主成分とする酸化物半導体層と、厚さ１００ｎｍのゲー
ト絶縁層を含み、チャネル長Ｌが３μｍ、チャネル幅Ｗが１０μｍであるトランジスタの
特性を図１７（Ａ）乃至図１７（Ｃ）に示す。なお、Ｖｄは１０Ｖとする。

図１７（Ａ）は、被素子形成層を意図的に加熱せず、スパッタリング法を用いてＩｎ、Ｓ
ｎ、Ｚｎを主成分とする酸化物半導体膜を成膜して酸化物半導体層を形成したときにおけ
るトランジスタの特性を示す図である。図１７（Ａ）において、電界効果移動度は１８．
８ｃｍ^２／Ｖｓである。一方、図１７（Ｂ）は、基板を２００℃に加熱してＩｎ、Ｓｎ、
Ｚｎを主成分とする酸化物半導体膜を成膜して酸化物半導体層を形成したときのトランジ
スタの特性を示す図である。図１７（Ｂ）において、電界効果移動度は３２．２ｃｍ^２／
Ｖｓである。よって、意図的に加熱することにより、トランジスタの電界効果移動度が向
上することがわかる。

また、図１７（Ｃ）は、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＺｎを主成分とする酸化物半導体膜を２００℃
でスパッタリング法を用いて成膜して酸化物半導体層を形成した後、６５０℃で加熱処理
をしたときのトランジスタの特性を示す図である。図１７（Ｃ）において、電界効果移動
度は３４．５ｃｍ^２／Ｖｓである。よって、酸化物半導体膜を成膜した後に加熱処理をす
ることによって、上記電界効果移動度が高くなることがわかる。

なお、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＺｎを主成分とする酸化物半導体層に酸素イオンを注入し、加熱
処理により該酸化物半導体に含まれる水素、水、水酸基、又は水素化物などの不純物を放
出させ、その加熱処理と同時に又はその後の加熱処理により酸化物半導体層を結晶化させ
ても良い。上記結晶化又は再結晶化の処理により結晶性の良い非単結晶酸化物半導体層を
得ることができる。

また、被素子形成層を意図的に加熱しないで形成されたＩｎ、Ｓｎ、及びＺｎを主成分と
する酸化物半導体層を含むトランジスタは、例えば図１７（Ａ）に示すように、閾値電圧
がマイナスになってしまう傾向がある。しかし、被素子形成層を意図的に加熱して形成さ
れた酸化物半導体層を用いた場合、例えば図１７（Ｂ）に示すように、加熱しない場合と
比べて閾値電圧が高くなる。よって、酸化物半導体膜を成膜する際の加熱及び成膜後の加
熱処理の一つ又は複数により、トランジスタがノーマリ・オフになりやすくなることがわ
かる。

また、Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎの比率を変えることによってもトランジスタの閾値電圧を制御
することができる。例えば、酸化物半導体膜の組成比をＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３と
することにより、トランジスタをノーマリ・オフ型にしやすくすることができる。

さらに、例えば、２ＭＶ／ｃｍ、１５０℃、１時間印加の条件において、ゲートバイアス
・ストレス試験（ＢＴ試験ともいう）を行うと、ドリフトが±１．５Ｖ未満、好ましくは
１．０Ｖ未満となる。よって、酸化物半導体膜を成膜する際の加熱及び成膜後の加熱処理
の一つ又は複数を行うことにより、ゲートバイアス・ストレスに対する安定性が高くなる
ことがわかる。ここで、酸化物半導体膜成膜後に加熱処理を行っていない試料１と、６５
０℃の加熱処理を行った試料２のトランジスタにおけるＢＴ試験の結果を図１８及び図１
９に示す。なお、ＢＴ試験としては、プラスＢＴ試験とマイナスＢＴ試験を行った。

プラスＢＴ試験としては、まず被素子形成層（基板）の温度を２５℃とし、Ｖｄを１０Ｖ
とし、トランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性の測定を行った。次に、被素子形成層（基板）の温
度を１５０℃とし、Ｖｄを０．１Ｖとした。次に、ゲート絶縁層に印加される電界強度が
２ＭＶ／ｃｍとなるようにＶｇを２０Ｖとし、そのまま１時間保持した。次に、Ｖｇを０
Ｖとした。次に、被素子形成層（基板）の温度を２５℃とし、Ｖｄを１０Ｖとし、トラン
ジスタのＶｇ−Ｉｄ測定を行った。

また、マイナスＢＴ試験としては、まず被素子形成層（基板）の温度を２５℃とし、Ｖｄ
を１０Ｖとし、トランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性の測定を行った。次に、被素子形成層（基
板）の温度を１５０℃とし、Ｖｄを０．１Ｖとした。次に、ゲート絶縁層に印加される電
界強度が−２ＭＶ／ｃｍとなるようにＶｇに−２０Ｖを印加し、そのまま１時間保持した
。次に、Ｖｇを０Ｖとした。次に、被素子形成層（基板）の温度を２５℃とし、Ｖｄを１
０Ｖとし、トランジスタのＶｇ−Ｉｄ測定を行った。

試料１のプラスＢＴ試験の結果を図１８（Ａ）に示し、試料１のマイナスＢＴ試験の結果
を図１８（Ｂ）に示す。また、試料２のプラスＢＴ試験の結果を図１９（Ａ）に示し、試
料２のマイナスＢＴ試験の結果を図１９（Ｂ）に示す。

図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示すように、試料１のプラスＢＴ試験及びマイナスＢＴ
試験によるトランジスタの閾値電圧の変動は、それぞれ１．８０Ｖ及び−０．４２Ｖであ
った。また、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に示すように、試料２のプラスＢＴ試験及び
マイナスＢＴ試験によるトランジスタの閾値電圧の変動は、それぞれ０．７９Ｖ及び０．
７６Ｖであった。よって、試料１及び試料２の両方において、ＢＴ試験前後におけるトラ
ンジスタの閾値電圧の変動が小さく、信頼性が高いことがわかる。

さらに、組成比がＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１である金属酸化物のターゲットを用いて
、被素子形成層を意図的に加熱せずにスパッタリング法を用いて成膜した酸化物半導体膜
は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）でハローパターンが観測
される。しかし、上記酸化物半導体膜を加熱処理することにより結晶化させることができ
る。このときの加熱処理温度は任意であるが、例えば６５０℃の加熱処理を行うことで、
Ｘ線回折において明確な回折ピークを観測することができる。

ここで、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ膜のＸＲＤ測定の結果を以下に示す。なお、ＸＲＤ測定で
は、Ｂｒｕｋｅｒ ＡＸＳ社製Ｘ線回折装置Ｄ８ ＡＤＶＡＮＣＥを用いてＯｕｔ−ｏｆ
−Ｐｌａｎｅ法で測定した。

ＸＲＤ分析を行った試料として、試料Ａ及び試料Ｂを用意した。以下に試料Ａ及び試料Ｂ
の作製方法を説明する。

脱水素化処理済みの石英基板上にＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ膜を１００ｎｍの厚さで成膜した
。

当該Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ膜は、スパッタリング装置を用い、酸素雰囲気で電力を１００
Ｗ（ＤＣ）として成膜した。このときのターゲットとして、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：
１［原子数比］のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏターゲットを用いた。なお、成膜時の加熱温度は
２００℃とした。上記工程により作製した試料を試料Ａとする。

次に、試料Ａと同様の方法で作製した試料に対し、６５０℃の温度で加熱処理を行った。
ここでは、窒素雰囲気で１時間の加熱処理を行い、温度を下げずに酸素雰囲気でさらに１
時間の加熱処理を行った。上記工程により作製した試料を試料Ｂとする。

試料Ａ及び試料ＢのＸＲＤスペクトルを図２０に示す。試料Ａでは、結晶由来のピークが
観測されなかったが、試料Ｂでは、２θが３５°近傍及び３７°〜３８°に結晶由来のピ
ークが観測された。よって、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎを主成分とする酸化物半導体膜を成膜する
際の加熱、及び成膜後の加熱処理の一つ又は複数を行うことにより、酸化物半導体層の結
晶性が向上することがわかる。

酸化物半導体膜を成膜する際の加熱、及び成膜後の加熱処理の一つ又は複数を行うことに
より、作製したトランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、例えば図２１に示
すように、被素子形成層（基板）の温度が１２５℃の場合には、０．１ａＡ（１×１０^−
１９Ａ）以下、８５℃の場合には１０ｚＡ（１×１０^−２０Ａ）以下であった。電流値の
対数が温度の逆数に比例することから、室温（２７℃）の場合には上記トランジスタのチ
ャネル幅１μｍあたりのオフ電流は０．１ｚＡ（１×１０^−２２Ａ）以下であると予想さ
れる。従って、上記トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流を１２５℃におい
て１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下に、８５℃において１００ｚＡ（１×１０^−１９Ａ）
以下に、室温において１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下にすることができる。

なお、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎを主成分とする酸化物半導体膜は、加熱処理によって膜中の水素
、を除去することができるが、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを主成分とする酸化物半導体膜と比べて
水分の放出温度が高いため、最初から不純物の含まれない膜を形成しておくことが好まし
い。

さらに、酸化物半導体膜の成膜後に６５０℃の加熱処理を行った試料のトランジスタにお
いて、被素子形成層（基板）の温度と電気的特性の関係について評価した。

測定に用いたトランジスタは、チャネル長Ｌが３μｍ、チャネル幅Ｗが１０μｍ、Ｌｏｖ
が片側３μｍ（合計６μｍ）、ｄＷが０μｍのトランジスタである。なお、Ｖｄは１０Ｖ
とした。また、被素子形成層（基板）の温度が、−４０℃、−２５℃、２５℃、７５℃、
１２５℃、及び１５０℃である６条件で上記評価を行った。なお、Ｌｏｖとは、ゲート電
極とソース電極及びドレイン電極となる一対の電極とのチャネル長方向に重畳する幅のこ
とをいい、ｄＷとは、酸化物半導体膜に対するソース電極及びドレイン電極のチャネル幅
方向のはみ出しのことをいう。

図２２に、Ｉｄ（実線）及び電界効果移動度（点線）のＶｇ依存性を示す。また、図２３
（Ａ）に被素子形成層（基板）の温度と閾値電圧の関係を示し、図２３（Ｂ）に被素子形
成層（基板）の温度と電界効果移動度の関係を示す。

図２２及び図２３（Ａ）より、被素子形成層（基板）の温度が高いほど閾値電圧が低くな
ることがわかる。なお、その範囲は−４０℃〜１５０℃で１．０９Ｖ〜−０．２３Ｖであ
った。

また、図２２及び図２３（Ｂ）より、被素子形成層（基板）の温度が高いほど電界効果移
動度が低くなることがわかる。なお、その範囲は−４０℃〜１５０℃で３６ｃｍ^２／Ｖｓ
〜３２ｃｍ^２／Ｖｓであった。従って、上述の温度範囲において電気的特性の変動が小さ
いことがわかる。

以上がＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎを含有する酸化物半導体層を含むトランジスタの説明である。

上記Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎを主成分とする上記酸化物半導体層を含むトランジスタでは、オフ
電流を１ａＡ／μｍ以下に保ちつつ、電界効果移動度を３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上、好ましく
は４０ｃｍ^２／Ｖｓ以上、より好ましくは６０ｃｍ^２／Ｖｓ以上とし、ＬＳＩで要求され
るオン電流の値を満たすことができる。例えば、Ｌ／Ｗ＝３３ｎｍ／４０ｎｍのトランジ
スタにおいて、ゲート電圧が２．７Ｖでドレイン電圧が１．０Ｖのときに、１２μＡ以上
のオン電流を流すことができる。また、トランジスタの動作に求められる温度範囲におい
ても、十分な電気的特性を確保することができる。このような特性であれば、第１４族の
半導体（シリコンなど）を含有する半導体層を含むトランジスタを用いた回路の中に上記
酸化物半導体層を含むトランジスタを混載しても、動作速度を犠牲にすることなく新たな
機能を有する回路を提供することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、ＣＰＵなどの演算処理装置の例について説明する。

本実施の形態における演算処理装置の例について、図２４を用いて説明する。

図２４に示す演算処理装置は、バスインターフェース（ＩＦともいう）８０１と、制御装
置（ＣＴＬともいう）８０２と、キャッシュメモリ（ＣＡＣＨともいう）８０３と、命令
デコーダ（ＩＤｅｃｏｄｅｒともいう）８０５と、演算論理ユニット（ＡＬＵともいう）
８０６と、を具備する。

バスインターフェース８０１は、外部との信号のやりとり、及び演算処理装置内の各回路
との信号のやりとりなどを行う機能を有する。

制御装置８０２は、演算処理装置内の各回路の動作を制御する機能を有する。

例えば、上記実施の形態における集積回路を用いて制御装置８０２を構成することができ
る。

キャッシュメモリ８０３は、制御装置８０２により制御され、演算処理装置における動作
時のデータを一時的に保持する機能を有する。なお、例えば、１次キャッシュ及び２次キ
ャッシュとして、演算処理装置にキャッシュメモリ８０３を複数設けてもよい。

命令デコーダ８０５は、読み込んだ命令信号を翻訳する機能を有する。翻訳された命令信
号は、制御装置８０２に入力され、制御装置８０２は命令信号に応じた制御信号を演算論
理ユニット８０６に出力する。

例えば、上記実施の形態における集積回路を用いて命令デコーダ８０５を構成することが
できる。

演算論理ユニット８０６は、制御装置８０２により制御され、入力された命令信号に応じ
て論理演算処理を行う機能を有する。

例えば、上記実施の形態における演算回路を用いて演算論理ユニット８０６を構成するこ
とができる。

なお、演算処理装置にレジスタを設けてもよい。このときレジスタは、制御装置８０２に
より制御される。例えば、複数のレジスタを演算処理装置に設け、あるレジスタを演算論
理ユニット８０６用のレジスタとし、別のレジスタを命令デコーダ８０５用のレジスタと
してもよい。

図２４を用いて説明したように、本実施の形態における演算処理装置の一例では、上記実
施の形態の演算回路を、制御装置、命令デコーダ、又は演算論理ユニットなどのユニット
に用いることにより、各ユニットにおいて、データの保持を行うことができ、処理速度を
向上させることができる。

また、本実施の形態における演算処理装置の一例では、上記実施の形態における演算回路
を用いることにより、消費電力を抑制しつつ、長時間データの保持を行うことができる。
よって、演算処理装置の消費電力を低減することができる。また、実施の形態における演
算回路を用いることにより、演算処理装置の面積を小さくすることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態における演算処理装置を備えた電子機器の例について
説明する。

本実施の形態における電子機器の構成例について、図２５（Ａ）乃至図２５（Ｄ）を用い
て説明する。

図２５（Ａ）に示す電子機器は、携帯型情報端末の例である。図２５（Ａ）に示す情報端
末は、筐体１００１ａと、筐体１００１ａに設けられた表示部１００２ａと、を具備する
。

なお、筐体１００１ａの側面１００３ａに外部機器に接続させるための接続端子、図２５
（Ａ）に示す携帯型情報端末を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよ
い。

図２５（Ａ）に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ａの中に、ＣＰＵと、記憶回路と、
外部機器とＣＰＵ及び記憶回路との信号の送受信を行うインターフェースと、外部機器と
の信号の送受信を行うアンテナと、を備える。

図２５（Ａ）に示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュー
タ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。

図２５（Ｂ）に示す電子機器は、折り畳み式の携帯型情報端末の例である。図２５（Ｂ）
に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ｂと、筐体１００１ｂに設けられた表示部１００
２ｂと、筐体１００４と、筐体１００４に設けられた表示部１００５と、筐体１００１ｂ
及び筐体１００４を接続する軸部１００６と、を具備する。

また、図２５（Ｂ）に示す携帯型情報端末では、軸部１００６により筐体１００１ｂ又は
筐体１００４を動かすことにより、筐体１００１ｂを筐体１００４に重畳させることがで
きる。

なお、筐体１００１ｂの側面１００３ｂ又は筐体１００４の側面１００７に外部機器に接
続させるための接続端子、図２５（Ｂ）に示す携帯型情報端末を操作するためのボタンの
うち、一つ又は複数を設けてもよい。

また、表示部１００２ｂ及び表示部１００５に、互いに異なる画像又は一続きの画像を表
示させてもよい。なお、表示部１００５を必ずしも設けなくてもよく、表示部１００５の
代わりに、入力装置であるキーボードを設けてもよい。

図２５（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、筐体１００１ｂ又は筐体１００４の中に、ＣＰＵ
と、記憶回路と、外部機器とＣＰＵ及び記憶回路との信号の送受信を行うインターフェー
スと、を備える。なお、図２５（Ｂ）に示す携帯型情報端末に、外部との信号の送受信を
行うアンテナを設けてもよい。

図２５（Ｂ）に示す携帯型情報端末は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュー
タ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。

図２５（Ｃ）に示す電子機器は、設置型情報端末の例である。図２５（Ｃ）に示す設置型
情報端末は、筐体１００１ｃと、筐体１００１ｃに設けられた表示部１００２ｃと、を具
備する。

なお、表示部１００２ｃを、筐体１００１ｃにおける甲板部１００８に設けることもでき
る。

また、図２５（Ｃ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｃの中に、ＣＰＵと、記憶回
路と、外部機器とＣＰＵ及び記憶回路との信号の送受信を行うインターフェースと、を備
える。なお、図２５（Ｃ）に示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行うアンテ
ナを設けてもよい。

さらに、図２５（Ｃ）に示す設置型情報端末における筐体１００１ｃの側面１００３ｃに
券などを出力する券出力部、硬貨投入部、及び紙幣挿入部の一つ又は複数を設けてもよい
。

図２５（Ｃ）に示す設置型情報端末は、例えば現金自動預け払い機、券などの注文をする
ための情報通信端末（マルチメディアステーションともいう）、又は遊技機としての機能
を有する。

図２５（Ｄ）は、設置型情報端末の例である。図２５（Ｄ）に示す設置型情報端末は、筐
体１００１ｄと、筐体１００１ｄに設けられた表示部１００２ｄと、を具備する。なお、
筐体１００１ｄを支持する支持台を設けてもよい。

なお、筐体１００１ｄの側面１００３ｄに外部機器に接続させるための接続端子、図２５
（Ｄ）に示す設置型情報端末を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよ
い。

また、図２５（Ｄ）に示す設置型情報端末は、筐体１００１ｄの中に、ＣＰＵと、記憶回
路と、外部機器とＣＰＵ及び記憶回路との信号の送受信を行うインターフェースと、を備
えてもよい。なお、図２５（Ｄ）に示す設置型情報端末に、外部との信号の送受信を行う
アンテナを設けてもよい。

図２５（Ｄ）に示す設置型情報端末は、例えばデジタルフォトフレーム、モニタ、又はテ
レビジョン装置としての機能を有する。

上記実施の形態の演算処理装置は、図２５（Ａ）乃至図２５（Ｄ）に示す電子機器のＣＰ
Ｕとして用いられる。

図２５を用いて説明したように、本実施の形態における電子機器の一例は、ＣＰＵとして
上記実施の形態における演算処理装置を具備する構成である。

また、本実施の形態における電子機器の一例では、上記実施の形態における演算処理装置
を用いることにより、消費電力を抑制しつつ、長時間データの保持を行うことができる。
よって、演算処理装置の消費電力を低減することができる。また、実施の形態における演
算回路を用いることにより、演算処理装置の面積を小さくすることができる。

１０１ 演算回路
１１１ 演算部
１２１ トランジスタ
１２２ トランジスタ
１２３ トランジスタ
１２４ トランジスタ
１２５ トランジスタ
１３１ インバータ
１５１ トランジスタ
１６１ トランジスタ
１６２ トランジスタ
１７１ トランジスタ
１７２ トランジスタ
１８１ トランジスタ
１８２ トランジスタ
１８３ トランジスタ
１８４ トランジスタ
６００ 被素子形成層
６０１ 導電層
６０２ 絶縁層
６０３ 半導体層
６０４ａ 領域
６０４ｂ 領域
６０５ａ 導電層
６０５ｂ 導電層
６０６ａ 絶縁層
６０６ｂ 絶縁層
６０７ 絶縁層
６５１ 下地絶縁物
６５２ 埋め込み絶縁物
６５３ａ 半導体領域
６５３ｂ 半導体領域
６５３ｃ 半導体領域
６５４ ゲート絶縁層
６５５ ゲート電極
６５６ａ 側壁絶縁物
６５６ｂ 側壁絶縁物
６５７ 絶縁層
６５８ａ ソース電極
６５８ｂ ドレイン電極
８０１ バスインターフェース
８０２ 制御装置
８０３ キャッシュメモリ
８０５ 命令デコーダ
８０６ 演算論理ユニット
１００４ 筐体
１００５ 表示部
１００６ 軸部
１００７ 側面
１００８ 甲板部
１００１ａ 筐体
１００１ｂ 筐体
１００１ｃ 筐体
１００１ｄ 筐体
１００２ａ 表示部
１００２ｂ 表示部
１００２ｃ 表示部
１００２ｄ 表示部
１００３ａ 側面
１００３ｂ 側面
１００３ｃ 側面
１００３ｄ 側面

Claims (4)

1. 演算部と、
   Ｎチャネル型の第１のトランジスタと、
   Ｎチャネル型の第２のトランジスタと、
   Ｎチャネル型の第３のトランジスタと、
   インバータと、を有し、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記演算部の第１端子と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記インバータの入力端子と電気的に接続され、
   前記インバータの出力端子は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は出力端子と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのゲートには、第１のクロック信号が入力され、
   前記第２のトランジスタのゲートには、第２のクロック信号が入力され、
   前記第１のクロック信号の位相は、前記第２のクロック信号の位相とは異なり、
   前記第１乃至前記第３のトランジスタは、チャネルとして酸化物半導体層を有することを特徴とする集積回路。
2. 請求項１において、
   前記第３のトランジスタのゲートには、第３のクロック信号が入力され、
   前記第３のクロック信号の位相は、前記第１のクロック信号の位相とは異なり、
   前記第３のクロック信号の位相は、前記第２のクロック信号の位相とは異なることを特徴とする集積回路。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有することを特徴とする集積回路。
4. 請求項１又は請求項２において、
   前記酸化物半導体層は、インジウムと、錫と、亜鉛とを有することを特徴とする集積回路。