JP2017143228A - インプリント装置、及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】正確なパターン形成に有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】基板上のインプリント材を成型してパターンを形成するインプリント装置であって、インプリント材を吐出する複数の吐出口を含み、前記インプリント材を基板上に供給する供給部と、前記複数の吐出口のうちに異常な吐出口が存在する場合、前記複数の吐出口のうち前記異常な吐出口とは別の吐出口に前記インプリント材を吐出させるように、前記供給部を制御する制御部と、を有することを特徴とするインプリント装置を提供する。【選択図】図６

Description

本発明は、インプリント装置、及び物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置では、インプリント材の基板上における供給位置を示すマップ（インプリントレシピやドロップレシピとも呼ばれる）に基づいて、インプリント材が基板上に供給される。そして、パターンが形成されたモールドと基板上に供給されたインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。

インプリント装置には、基板上に形成されるパターンの欠陥（未充填欠陥、残膜厚（ＲＬＴ）の異常、等）を低減することが求められている。インプリント材は、インプリント装置が備えるディスペンサなどの供給部から基板上に供給されるが、インプリント材を吐出する吐出口が詰まることがある。特定の吐出口からインプリント材が吐出されない場合、基板上に供給すべきインプリント材の一部が欠けてしまうため、かかる箇所でパターンの欠陥が発生しうる。

そこで、インプリント材の液滴を吐出する際のインクジェット法における主走査方向とモールドのパターンのライン方向とで規定される交差角度が３０度から９０度になるように、インプリント材の液滴を供給する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特許第５３３７７７６号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、インプリント材を吐出することができない吐出口の影響は軽減されるものの、基板上に形成されるパターンにおける欠陥の軽減は十分とはいえない。

本発明は、正確なパターン形成に有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材を成型してパターンを形成するインプリント装置であって、インプリント材を吐出する複数の吐出口を含み、前記インプリント材を基板上に供給する供給部と、前記複数の吐出口のうちに異常な吐出口が存在する場合、前記複数の吐出口のうち前記異常な吐出口とは別の吐出口に前記インプリント材を吐出させるように、前記供給部を制御する制御部と、を有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、正確なパターン形成に有利なインプリント装置を提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。 基板上のショット領域の配列の一例を示す図である。 インプリント処理を説明するための図である。 図１に示すインプリント装置の観察部で観察される基板上のインプリント材の状態の一例を示す図である。 図１に示すインプリント装置の吐出部の複数の吐出口とマップとの関係を示す図である。 図１に示すインプリント装置の吐出部の複数の吐出口とマップとの関係を示す図である。 図１に示すインプリント装置の吐出部の複数の吐出口とマップとの関係を示す図である。 図１に示すインプリント装置の吐出部の複数の吐出口とマップとの関係を示す図である。 図１に示すインプリント装置の吐出部の複数の吐出口とマップとの関係を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造プロセスで使用されるリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、基板上のインプリント材を成型してパターンを形成するインプリント処理を行う。

本実施形態では、インプリント材として光硬化性の樹脂材料を想定し、光（紫外線など）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用する。但し、本発明は、インプリント材を樹脂材料に限定するものではなく、例えば、無機材料の粉末や粒子を含む光硬化性の材料などであってもよい。また、インプリント材の硬化法も光硬化法に限定するものではなく、例えば、熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。

インプリント装置１００は、図１に示すように、基板１０１を保持するステージ１０２と、モールド１０３を保持するヘッド１０４と、収容部１０６と、吐出部１０７と、格納部１０８と、照射部１０９と、観察部１１０と、制御部１１１とを有する。また、以下では、基板上のインプリント材に対して光を照射する照射部１０９の光軸に沿った方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な平面内において互いに直交する方向をＸ軸及びＹ軸とする。

基板１０１は、モールド１０３のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを含む。

ステージ１０２は、基板１０１を保持する基板チャックと、モールド１０３と基板１０１との位置合わせ（アライメント）を行うための駆動機構とを含む。かかる駆動機構は、例えば、粗動駆動系と微動駆動系とを含み、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に基板１０１を駆動する（移動させる）。また、かかる駆動機構は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向だけではなく、Ｚ軸方向及びθ（Ｚ軸周りの回転）方向に基板１０１を駆動する機能や基板１０１の傾きを補正するためのチルト機能を備えていてもよい。ステージ１０２は、本実施形態において、吐出部１０７における複数の吐出口と基板１０１との相対位置を変更する機能を実現する。

モールド１０３は、成型のための型であって、基板１０１に対向する面に、基板１０１に供給されたインプリント材１０５に転写すべきパターンが形成されたパターン領域を有する。モールド１０３は、本実施形態では、ラインパターン（ライン状の凹凸の溝）をパターン領域に含む。モールド１０３は、例えば、矩形の外形形状を有する。モールド１０３は、基板上のインプリント材１０５を硬化させるための光、本実施形態では、紫外線を透過する材料、例えば、石英などで構成されている。

ヘッド１０４は、モールド１０３を真空吸引力又は静電気力によって保持（固定）する。ヘッド１０４は、モールド１０３をＺ軸方向に駆動する（移動させる）駆動機構を含む。ヘッド１０４は、基板上に供給された未硬化のインプリント材１０５にモールド１０３を押印する機能、及び、基板上の硬化したインプリント材１０５からモールド１０３を引き離す機能を有する。

収容部１０６と、未硬化のインプリント材１０５を収容（保管）するタンクを含む。収容部１０６は、供給管を介して、吐出部１０７に対して未硬化のインプリント材１０５を供給する。なお、収容部１０６は、吐出部１０７に対して、構造的に分離していてもよいし、一体となっていてもよい。

吐出部１０７は、例えば、基板１０１に対してインプリント材１０５の液滴を吐出する複数の吐出口（ノズル）を含むディスペンサで構成され、基板上にインプリント材１０５を供給（塗布）する供給部として機能する。吐出部１０７におけるインプリント材１０５の供給量の単位は、ここでは「滴」であり、インプリント材１０５の１滴あたりの量は、サブピコリットルから数ピコリットルとしうる。なお、吐出部１０７は、基板上の単位領域ごとに予め定めた量のインプリント材１０５を供給するものであればよく、インプリント材１０５を当該単位領域に液滴として飛来させる必要はない。

吐出部１０７からインプリント材１０５の液滴を滴下可能な基板上の位置（供給位置）は、吐出口の配列方向に関しては、吐出口の物理的な間隔に依存し、数μｍから数１０μｍごとと決まる。また、吐出部１０７からインプリント材１０５の液滴を滴下可能な基板上の位置は、吐出口に対して基板１０１を走査する走査方向（吐出口の配列方向に直交する方向）に関しては、インプリント材１０５の吐出周期及びステージ１０２の速度によって決まる。

収容部１０６から吐出部１０７にインプリント材１０５を供給するとともに、ステージ１０２を走査方向に駆動しながら吐出部１０７からインプリント材１０５の液滴を吐出することで、基板上にインプリント材１０５の液滴の配列が形成される。

格納部１０８は、基板上に形成すべきインプリント材１０５の液滴の配列、即ち、インプリント材１０５の液滴の供給位置を示すマップ（インプリントレシピ又はドロップレシピ）を格納する。マップは、後述するように、基板上における吐出部１０７の複数の吐出口のそれぞれの位置に関連付けられて基板上に規定される座標系でのインプリント材１０５の液滴の供給位置に関する座標データを含む。また、マップは、インプリント材１０５の液滴を吐出する際に用いる吐出口を識別するための吐出口番号データも含むことができる。なお、マップは、画像形式であってもテキスト形式であってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。

マップは、インプリント装置１００に関する種々の情報のうちの少なくとも１つに基づいて、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンの欠陥や残膜厚の異常を抑えるように生成されている。ここで、インプリント装置１００に関する種々の情報は、例えば、基板１０１に関する情報、モールド１０３に関する情報、インプリント材１０５に関する情報、吐出部１０７に関する情報、インプリント条件に関する情報、装置条件に関する情報を含む。基板１０１に関する情報は、例えば、基板１０１の最表面層の濡れ性やトポグラフィなどを含む。モールド１０３に関する情報は、モールド１０３のパターンのレイアウト、ピッチ、形状及び深さやモールド１０３の使用履歴などを含む。インプリント材１０５に関する情報は、インプリント材１０５の粘度、表面エネルギー及び揮発量などを含む。吐出部１０７に関する情報は、１つの吐出口から吐出されるインプリント材１０５の１つの液滴の体積量、吐出口の間隔、吐出周期などを含む。インプリント条件に関する情報は、基板１０１に形成すべきインプリント材１０５のパターンの残膜厚の設計値、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の充填時間などを含む。装置条件に関する情報は、ステージ１０２の速度、照射部１０９の照度、気流条件（インプリント装置１００に供給されるガスの種類、流量及び方向）などを含む。

照射部１０９は、基板上のインプリント材１０５を硬化させる機能を有する。照射部１０９は、例えば、ハロゲンランプやＬＥＤなどを含み、モールド１０３を介して、基板上のインプリント材１０５に紫外線を照射する。

観察部１１０は、例えば、カメラを含み、モールド１０３を介して基板１０１を観察する。具体的には、観察部１１０は、吐出部１０７から吐出されて基板上に供給されたインプリント材１０５の状態を観察する。ここで、基板上に供給されたインプリント材１０５の状態とは、基板上に形成されたインプリント材１０５の液滴の配列やモールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態におけるインプリント材１０５の広がりなどを含む。観察部１１０は、吐出部１０７から基板上にインプリント材１０５を供給してから基板上の硬化したインプリント材１０５からモールド１０３を引き離すまでの期間において、インプリント材１０５の充填状況や異物の有無を観察することが可能である。

制御部１１１は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体（動作）を制御する。制御部１１１は、インプリント装置１００の各部を制御して、インプリント処理を行う。また、本実施形態において、制御部１１１は、格納部１０８に格納されているマップを更新する機能や吐出部１０７における複数の吐出口と基板１０１との相対位置を制御（変更）する機能を実現する。

インプリント装置１００においては、マップに基づいて、吐出部１０７から基板上にインプリント材１０５の液滴を供給する。そして、モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態でインプリント材１０５を硬化させ、硬化したインプリント材１０５からモールド１０３を引き離す（離型する）ことで基板上にインプリント材１０５のパターンを形成する。

図２は、インプリント装置１００におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。インプリント処理は、上述したように、制御部１１１がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。

Ｓ１００では、基板１０１に形成すべきパターンを形成可能なモールド１０３をインプリント装置１００に搬入し、かかるモールド１０３をヘッド１０４に保持させる。モールド１０３は、例えば、フォトマスクに用いる透明な石英基板に、設計情報に対応する凹凸のパターンが形成されたものである。

Ｓ１０１では、基板１０１をインプリント装置１００に搬入し、かかる基板１０１をステージ１０２に保持させる。

Ｓ１０２では、格納部１０８に格納されている複数のマップからインプリント処理に用いる１つのマップを選択する。例えば、モールド１０３に関する情報、基板１０１に関する情報、インプリント材１０５に関する情報、吐出部１０７に関する情報、インプリント条件に関する情報及び装置条件に関する情報のうちの少なくとも１つに基づいて、マップを選択する。かかるマップは、目標とする充填時間に対して、欠陥や残膜厚の異常のないインプリント処理が可能なように、且つ、最短の時間で必要な特性が得られるように最適化されている。Ｓ１０２で選択したマップが示す基板上の供給位置にインプリント材１０５が供給されることが最もよい。

Ｓ１０３では、図３に示す基板上のショット領域のうち、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定する。ここで、ショット領域とは、１回のインプリント処理でパターンが形成される領域を意味するものとする。本実施形態では、例えば、図３に示すように、基板１０１において連続するショット領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・・Ｓ４１、Ｓ４２の順にインプリント処理を行う。但し、インプリント処理の順序は、図３に示すようなものに限定されるものではなく、千鳥格子順であってもよいし、ランダムであってもよい。

Ｓ１０４では、吐出部１０７によって、基板上にインプリント材１０５を供給する。この際、吐出部１０７は、図４（ａ）に示すように、Ｓ１０２で選択されたマップに従って、ステージ１０２の移動に応じて基板上にインプリント材１０５の液滴を順次吐出する。

Ｓ１０５では、押印処理を行う。具体的には、まず、図４（ｂ）に示すように、インプリント材１０５が供給された基板１０１に対して、モールド１０３を近接させる。次いで、図４（ｃ）に示すように、モールド１０３と基板１０１との位置合わせを行いながら、モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させる。そして、モールド１０３のパターンにインプリント材１０５が充填されるまで、かかる状態を維持する。モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた初期段階では、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の充填が不十分であるため、パターンの一部（隅）に充填欠陥を生じている。但し、モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態で時間が経過していくにつれて、モールド１０３のパターンの隅々までインプリント材１０５が充填され、充填欠陥が減少する。

Ｓ１０６では、硬化処理を行う。具体的には、モールド１０３のパターンにインプリント材１０５を十分充填させた後、図４（ｄ）に示すように、照射部１０９によって、モールド１０３の裏面からインプリント材１０５に紫外線を所定時間照射して、基板上のインプリント材１０５を硬化させる。

Ｓ１０７では、離型処理を行う。具体的には、図４（ｅ）に示すように、基板上の硬化したインプリント材１０５からモールド１０３を引き離す。これにより、基板上にモールド１０３のパターンに対応するインプリント材１０５のパターンが形成される。

Ｓ１０８では、吐出部１０７の複数の吐出口にインプリント材１０５の液滴を吐出不能な不良吐出口（異常な吐出口）が存在するかどうかを判定する。不良吐出口が存在するかどうかの判定は、インプリント装置１００に備えられている観察部１１０を用いて行うことができる。観察部１１０は、吐出部１０７の複数の吐出口における不良吐出口の有無を検知する検知部として機能する。観察部１１０で観察される基板上のインプリント材１０５の状態を図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す。図５（ａ）及び図５（ｂ）において、Ｌは、モールド１０３に形成されているラインパターンに沿った方向を示している。

図５（ａ）は、Ｓ１０４において吐出部１０７から基板上に供給されたインプリント材１０５の液滴の配列を示している。インプリント材１０５の液滴は、Ｓ１０２で選択したマップに従って供給され、図５（ａ）では、格子状に供給されている。但し、インプリント材１０５の液滴を吐出不能な不良吐出口に対応する基板上の領域においては、インプリント材１０５の液滴が供給されていない。従って、マップが示す基板上の供給位置、即ち、インプリント材１０５の液滴の理想的な配列と、基板上に形成されたインプリント材１０５の液滴の実際の配列との差分に基づいて、不良吐出口が存在するかどうかを判定することができる。

図５（ｂ）は、Ｓ１０５において押印処理が行われた後のインプリント材１０５の状態を示している。基板上のインプリント材１０５は、理想的には、モールド１０３とインプリント材１０５との接触領域の全面に広がる。但し、不良吐出口が存在すると、図５（ｂ）に示すように、モールド１０３と基板１０１との間において、インプリント材１０５の未充填領域が生じる。従って、インプリント材１０５の未充填領域の有無に基づいて、不良吐出口が存在するかどうかを判定することができる。

このように、モールド１０３とインプリント材１０５とを接触させる前に、或いは、モールド１０３とインプリント材１０５とを接触させた状態において観察部１１０で観察される画像を用いて、不良吐出口が存在するかどうかを判定することが可能である。換言すれば、基板上にインプリント材１０５を供給する処理とモールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させる処理との間において、不良吐出口の有無を検知することができる。

また、本実施形態では、観察部１１０を不良吐出口の有無を検知する検知部として用いているが、これに限定されるものではない。例えば、吐出部１０７の複数の吐出口のそれぞれからインプリント材１０５の液滴を擬似的に吐出させながら、不良吐出口がないかどうかを光学的又は電気的に検知する検知部を設けてもよい。

図２に戻って、Ｓ１０８において、不良吐出口が存在する場合には、Ｓ１０９に移行する。一方、Ｓ１０８において、不良吐出口が存在しない場合には、Ｓ１１１に移行する。

Ｓ１０９では、吐出部１０７の複数の吐出口における不良吐出口の位置を特定する。不良吐出口の位置の特定は、Ｓ１０８と同様に、インプリント装置１００に備えられている観察部１１０を用いて行うことができる。例えば、図５（ａ）では、インプリント材１０５の液滴が供給されていない基板上の領域の位置に基づいて、不良吐出口の位置を特定することができる。また、図５（ｂ）では、モールド１０３と基板１０１との間に生じたインプリント材１０５の未充填領域の位置に基づいて、不良吐出口の位置を特定することができる。

Ｓ１１０では、吐出部１０７の複数の吐出口のうち不良吐出口から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴に対応する液滴を、複数の吐出口のうち液滴を吐出可能な正常吐出口から吐出するように、マップを更新する。本実施形態では、不良吐出口から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置に関する座標データを、基板上において正常吐出口が位置する座標データに変更する。なお、Ｓ１１０においてマップを更新したら、Ｓ１０３に移行してインプリント処理を継続する。

ここで、Ｓ１１０におけるマップの更新について具体的に説明する。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、吐出部１０７の複数の吐出口とマップ（インプリント材１０５の液滴の供給位置に関する座標データ）との関係を示す図である。吐出部１０７は、複数の吐出口として、Ｙ軸方向に配列された１６個の吐出口ａ１乃至ａ１６を含む。基板上へのインプリント材１０５の供給は、吐出口ａ１乃至ａ１６からインプリント材１０５の液滴を吐出しながら基板１０１を吐出口ａ１乃至ａ１６の配列方向に直交する方向、即ち、Ｘ軸方向（走査方向）に走査することで行われる。

図６（ａ）には、吐出部１０７の複数の吐出口ａ１乃至ａ１６からインプリント材１０５の液滴を吐出しながら基板１０１を１回走査することで得られるマップ（基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置を示すマップ）ＭＰＡが示されている。図６（ａ）に示すように、マップＭＰＡは、吐出口ａ１乃至ａ１６のそれぞれから基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置に関する座標データＤＡと、インプリント材１０５の液滴が供給されない位置に関する座標データＤＢとを含む。また、マップＭＰＡは、上述したように、基板上の供給位置のそれぞれにインプリント材１０５の液滴を吐出する際に用いる吐出口を識別するための吐出口番号データも含むことができる。

図６（ａ）を参照するに、吐出部１０７の複数の吐出口ａ１乃至ａ１６のうち、吐出口ａ６が不良吐出口となっている。また、吐出口ａ６から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置は２つ存在し、マップＭＰＡは、それらの供給位置に関する座標データＤＣを含んでいる。吐出口ａ６は不良吐出口であるため、吐出口ａ６に割り当てられた基板上の供給位置にはインプリント材１０５の液滴を供給することができない。従って、吐出口ａ６から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置やその近傍では、インプリント材１０５の充填不足に起因して、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンに欠陥や残膜厚の異常が発生してしまう。モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態を維持している時間を十分に長くすることで、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の充填を促進し、インプリント材１０５の充填不足を低減することは可能である。但し、この場合には、インプリント処理、即ち、基板上にインプリント材１０５のパターンを形成するのに必要な時間が大幅に増加するため、インプリント装置１００の生産性を低下させてしまう。

そこで、本実施形態では、上述したように、吐出口ａ６から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴に対応する液滴を、その他の正常吐出口、例えば、吐出口ａ６に隣接する吐出口ａ５から吐出するように、マップＭＰＡを更新する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、吐出口ａ６に割り当てられた基板上の供給位置に関する座標データＤＣを、基板上において吐出口ａ６に隣接する吐出口ａ５が位置する座標データＤＤに変更する。この際、基板上にインプリント材１０５を供給するために必要となる、吐出部１０７に対して基板１０１を走査する回数を増加させない条件において、座標データＤＣを座標データＤＤに変更する（マップＭＰＡを更新する）。

このように、本実施形態では、図６（ａ）に示すマップＭＰＡを図６（ｂ）に示すマップＭＰＢに更新することで、不良吐出口（吐出口ａ６）が存在したままの吐出部１０７を用いることが可能となる。また、マップＭＰＢによって、マップＭＰＡで規定されたインプリント材１０５の液滴の数を維持しながら基板上にインプリント材１０５を供給することが可能となる。この際、吐出部１０７の複数の吐出口ａ１乃至ａ１６のうち、不良吐出口に隣接する正常吐出口からインプリント材１０５の液滴を吐出することで、不良吐出口に割り当てられた基板上の供給位置からの変動量を小さく抑えることができる。従って、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の充填性や基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンの残膜厚への影響を最小限に抑えることができる。

一方、不良吐出口に起因してマップを更新することで、インプリント材１０５の充填不足や基板上に形成されるインプリント材１０５の残膜厚の異常が発生する場合も考えられる。このような場合には、マップを更新する前の条件と比較して、充填時間、即ち、モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態を維持している時間を延長して、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の充填を促進すればよい。この際、不良吐出口に割り当てられた基板上の供給位置からの変動量とモールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態を維持している時間との関係を予め求めておく必要がある。また、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンの残膜厚の分布が許容範囲に収まるまでモールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態を維持してもよい。

このように、不良吐出口に起因して更新されたマップに応じて、モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態を維持している時間を制御することも可能である。この場合であっても、モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態を維持している時間の延長を最小限に抑えることができる。これは、上述したように、基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の数を維持しながら、不良吐出口に割り当てられた基板上の供給位置の近傍にインプリント材１０５の液滴を供給しているからである。

図２に戻って、Ｓ１１１では、基板１０１の全てのショット領域にインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板１０１の全てのショット領域にインプリント処理を行っていない場合には、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定するために、Ｓ１０３に移行する。Ｓ１０３からＳ１１１までの処理を繰り返すことで、基板１０１の全てのショット領域にインプリント材１０５のパターンが形成される。一方、基板１０１の全てのショット領域にインプリント処理を行った場合には、Ｓ１１２に移行する。

Ｓ１１２では、全てのショット領域にインプリント処理が行われた基板１０１を、インプリント装置１００から搬出する。インプリント装置１００から搬出された基板１０１は、インプリント材１０５のパターンをマスクとして下層側が加工（例えば、エッチング）される。半導体デバイスを製造する際には、これらの処理がプロセスのレイヤごとに繰り返される。

複数の基板１０１に対してインプリント処理を行う場合には、図２に示す各処理を繰り返すことで、複数の基板１０１のそれぞれの各ショット領域に、インプリント材１０５のパターンを形成することができる。また、必要に応じて、モールド１０３を交換することも可能である。

本実施形態におけるインプリント装置１００では、吐出部１０７の吐出口の一部が不良吐出口となった場合にも、かかる不良吐出口とは別の吐出口にインプリント材１０５の液滴を吐出させるように、マップを更新する。これにより、基板上にインプリント材１０５を供給する際に、吐出部１０７に対して基板１０１を走査する回数を増加させることなく、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンにおける欠陥や残膜厚の異常を抑えることができる。また、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンにおける欠陥や残膜厚の異常を一定水準以上に維持するために、充填時間を延長した場合であっても、上述したように、かかる充填時間の延長を最小限に抑えることができるため、生産性の点でも有利である。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態におけるマップの更新（Ｓ１１０）を具体的に説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、吐出部１０７の複数の吐出口とマップ（インプリント材１０５の液滴の供給位置に関する座標データ）との関係を示す図である。吐出部１０７は、複数の吐出口として、Ｙ軸方向に配列された１６個の吐出口ａ１乃至ａ１６を含む。本実施形態では、基板上へのインプリント材１０５の供給は、以下のように行われる。まず、吐出口ａ１乃至ａ１６からインプリント材１０５の液滴を吐出しながら基板１０１をＸ軸（＋）方向（往路）に走査する。次いで、吐出口ａ１乃至ａ１６からのインプリント材１０５の液滴の吐出を停止して、吐出口ａ１乃至ａ１６のそれぞれの間隔の半分に対応する距離だけ基板１０１をＹ軸方向にずらす。そして、吐出口ａ１乃至ａ１６からインプリント材１０５の液滴を吐出しながら基板１０１をＸ軸（−）方向（復路）に走査する。これにより、吐出部１０７の吐出口ａ１乃至ａ１６の配列方向について、基板上に供給されるインプリント材１０５の液滴の密度を、吐出口ａ１乃至ａ１６のそれぞれの間隔の２倍にすることができる。換言すれば、基板１０１をＸ軸方向に２回走査することで、吐出部１０７の１つの吐出部には、吐出口ａ１乃至ａ１６の配列方向、即ち、Ｙ軸方向について、基板上に規定される座標系（マップＭＰＣ）における２行の供給位置が割り当てられている。

基板上に供給されるインプリント材１０５の液滴の走査方向の間隔は、吐出部１０７の吐出口ａ１乃至ａ１６から吐出されるインプリント材１０５の液滴の吐出周期を変更することで調整することができる。また、基板上に供給されるインプリント材１０５の液滴の走査方向の間隔は、吐出部１０７に対する基板１０１の走査速度を変更することでも調整することができる。なお、インプリント材１０５の液滴の吐出周期の変更と吐出部１０７に対する基板１０１の走査速度の変更とを組み合わせて、基板上に供給されるインプリント材１０５の液滴の走査方向の間隔を調整してもよい。

図７（ａ）には、吐出部１０７の複数の吐出口ａ１乃至ａ１６からインプリント材１０５の液滴を吐出しながら基板１０１を２回走査することで得られるマップ（基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置を示すマップ）ＭＰＣが示されている。図７（ａ）を参照するに、吐出部１０７の複数の吐出口ａ１乃至ａ１６のうち、吐出口ａ１１が不良吐出口となっている。また、吐出口ａ１１から基板上に供給すべきインプリント材１０５の供給位置は、基板１０１の２回の走査（往路及び復路）のそれぞれで存在し、マップＭＰＣは、それらの供給位置に関する座標データＤＥ及びＤＦを含んでいる。

本実施形態では、吐出口ａ１１から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴に対応する液滴を、その他の正常吐出口、例えば、吐出口ａ１１に隣接する吐出口ａ１０及びａ１２から吐出するように、マップＭＰＣを更新する。具体的には、図７（ｂ）に示すように、吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置に関する座標データＤＥを、基板上において吐出口ａ１１に隣接する吐出口ａ１０が位置する座標データＤＧに変更する。同様に、吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置に関する座標データＤＦを、基板上において吐出口ａ１１に隣接する吐出口ａ１２が位置する座標データＤＨに変更する。この際、基板上にインプリント材１０５を供給するために必要となる、吐出部１０７に対して基板１０１を走査する回数を増加させることなしに、座標データＤＥ及びＤＦのそれぞれを座標データＤＧ及びＤＨに変更する。

このように、本実施形態では、図７（ａ）に示すマップＭＰＣを図７（ｂ）に示すマップＭＰＤに更新することで、不良吐出口（吐出口ａ１１）が存在したままの吐出部１０７を用いることが可能となる。また、マップＭＰＤによって、マップＭＰＣで規定されたインプリント材１０５の液滴の数を維持しながら基板上にインプリント材１０５を供給することが可能となる。この際、不良吐出口である吐出口ａ１１に隣接する正常吐出口である吐出口ａ１０及びａ１２からインプリント材１０５の液滴を吐出することで、吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置からの変動量を小さく抑えることができる。従って、本実施形態においても、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の充填性や基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンの残膜厚への影響を最小限に抑えることができる。

また、不良吐出口に起因してマップを更新することで、インプリント材１０５の充填不足や基板上に形成されるインプリント材１０５の残膜厚の異常が発生する場合もある。このような場合には、第１実施形態と同様に、不良吐出口に起因して更新されたマップに応じて、モールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させた状態を維持している時間を制御すればよい。

本実施形態におけるインプリント装置１００では、吐出部１０７に対して基板１０１を２回走査することで、基板上に供給されるインプリント材１０５の液滴の密度を、吐出部１０７の吐出口ａ１乃至ａ１６のそれぞれの間隔の２倍にしている。このようなインプリント装置１００においても、吐出部１０７の吐出口の一部が不良吐出口となった場合には、かかる不良吐出口を使用しないようにマップを更新すればよい。これにより、基板上にインプリント材１０５を供給する際に、基板上に供給されるインプリント材１０５の液滴の密度を維持しながら、吐出部１０７に対して基板１０１を走査する回数を増加させずに、基板上にインプリント材１０５を供給することができる。従って、本実施形態におけるインプリント装置１００は、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンにおける欠陥や残膜厚の異常を抑える点、及び、生産性の点で有利である。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態におけるマップの更新（Ｓ１１０）を具体的に説明する。図８（ａ）及び図８（ｂ）は、吐出部１０７の複数の吐出口とマップ（インプリント材１０５の液滴の供給位置に関する座標データ）との関係を示す図である。吐出部１０７の構成や基板上へのインプリント材１０５の供給は、第２実施形態と同様である。

本実施形態では、モールド１０３には、Ｙ軸方向に沿って、一定周期の凹凸の溝、即ち、複数のラインパターン（ラインアンドスペースパターン）が形成されているものとする。ラインパターンが形成されたモールド１０３と基板上のインプリント材１０５とを接触させると、インプリント材１０５の充填速度は、一般的に、ラインパターンに沿った方向で速くなり、ラインパターンに沿った方向とは直交する方向で遅くなる傾向がある。この際、インプリント材１０５の広がり（充填形状）は、モールド１０３の上面からの平面視において、モールド１０３のラインパターンに沿った方向に伸びた楕円状に近い形状となる。本実施形態では、インプリント材１０５の充填速度が遅いモールド１０３のラインパターンに沿った方向とは直交する方向において、インプリント材１０５の隣接する液滴が一定距離以上離れないようなマップを用いている。従って、インプリント材１０５の楕円状の広がりに対して、基板上のインプリント材１０５の液滴間の隙間が大きくならないため、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の未充填を低減し、且つ、充填時間を短くすることができる。

そこで、本実施形態では、不良吐出口に割り当てられた基板上の供給位置を、モールド１０３のラインパターンに沿った方向とは直交する方向において、基板上のインプリント材１０５の隣接する液滴の間隔が大きくならないように、一方向に変更する。

図８（ａ）を参照するに、吐出部１０７の複数の吐出口ａ１乃至ａ１６のうち、吐出口ａ１１が不良吐出口となっており、マップＭＰＣは、それらの供給位置に関する座標データＤＥ及びＤＦを含んでいる。本実施形態では、吐出口ａ１１から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴に対応する液滴を、吐出口ａ１１に対して一方向に隣接する吐出口ａ１２から吐出するように、マップＭＰＣを更新する。具体的には、図７（ｂ）に示すように、吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置に関する座標データＤＥ及びＤＦのそれぞれを、基板上において吐出口ａ１１に隣接する吐出口ａ１２が位置する座標データＤＩ及びＤＪに変更する。

本実施形態では、モールド１０３のラインパターンに沿った方向とは直交する方向（Ｘ軸方向）において、マップの更新の前後で基板上の供給位置の間隔が大きくならないように、図８（ａ）に示すマップＭＰＣを図８（ｂ）に示すマップＭＰＥに更新する。従って、ラインパターンが形成されたモールド１０３に対して、インプリント材１０５の充填性能の低下を抑えることができる。また、本実施形態では、モールド１０３のラインパターンに沿った方向において、マップＭＰＣの更新の後で基板上の供給位置の間隔が等間隔に近づくように、マップＭＰＣを更新する。これにより、ラインパターンが形成されたモールド１０３に対して、インプリント材１０５の充填性能の低下を更に抑えることができる。

本実施形態におけるインプリント装置１００では、モールド１０３に形成されたラインパターンの方向を考慮してマップを変更することで、インプリント材１０５の充填性能の低下を抑えることができる。従って、本実施形態におけるインプリント装置１００は、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンにおける欠陥や残膜厚の異常を抑える点、及び、生産性の点で有利である。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態におけるマップの更新（Ｓ１１０）を具体的に説明する。図９（ａ）及び図９（ｂ）は、吐出部１０７の複数の吐出口とマップ（インプリント材１０５の液滴の供給位置に関する座標データ）との関係を示す図である。吐出部１０７は、複数の吐出口として、Ｙ軸方向に配列された１８個の吐出口ａ１乃至ａ１８を含み、マップＭＰＣよりも大きな吐出領域を有している。なお、基板上へのインプリント材１０５の供給は、第２実施形態と同様である。

本実施形態では、吐出部１０７は、マップＭＰＣよりも大きな吐出領域を有しているため、不良吐出口が存在する場合に、かかる不良吐出口に割り当てられる基板上の供給位置が少なくなるように、マップＭＰＣを更新することが可能である。換言すれば、マップＭＰＣに含まれる、インプリント材１０５の液滴を吐出する際に用いる吐出口を識別するための吐出口番号データを変更することで、吐出部１０７の吐出口ａ１乃至ａ１８と基板１０１との相対位置を変更する。

図９（ａ）を参照するに、不良吐出口である吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置は５つ存在し、マップＭＰＣは、それらの供給位置に関する座標データＤＥ及びＤＦを含んでいる。一方、不良吐出口に隣接する正常吐出口、例えば、吐出口ａ１０に割り当てられた基板上の供給位置は１つであり、マップＭＰＣは、かかる供給位置に関する座標データＤＫを含んでいる。座標データＤＥ及びＤＦに対して正常吐出口である吐出口ａ１１を割り当てるように、吐出口番号データを変更すると、不良吐出口である吐出口ａ１１に割り当てられる基板上の供給位置は１つとなる。これにより、基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の配列と基板上に実際に供給されるインプリント材１０５の液滴の配列との差分（変化量）が低減する。従って、本実施形態においても、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の充填性や基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンの残膜厚への影響を最小限に抑えることができる。

更に、本実施形態では、図９（ｂ）に示すように、不良吐出口である吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置に関する座標データを、基板上において吐出口ａ１１に隣接する吐出口ａ１２が位置する座標データＤＫに変更してもよい。図９（ｂ）には、吐出口ａ１乃至ａ１８に対して基板１０１の位置がＹ軸（＋）方向に移動するように吐出口番号データを変更し、且つ、吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置に関する座標データを変更したマップＭＰＦが示されている。マップが吐出口番号データを含んでいる場合には、不良吐出口に対応する吐出場号データを参照して、不良吐出口に割り当てられる基板上の供給位置が少なくなるように、マップを容易に更新することが可能である。

本実施形態では、マップの変更後に不良吐出口に割り当てられる基板上の供給位置の数が減少するようにマップを更新する例について説明した。但し、マップの変更後に不良吐出口に割り当てられる基板上の供給位置の数がゼロとなるようにマップを更新できる場合もある。このような場合には、マップに含まれる吐出口番号データを変更するだけで、基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置に、インプリント材１０５の液滴を供給することが可能となる。

このように、本実施形態では、不良吐出口から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置に、正常吐出口から吐出させたインプリント材１０５の液滴が供給されるように、吐出部１０７と基板１０１との相対位置を制御している。従って、本実施形態におけるインプリント装置１００は、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンにおける欠陥や残膜厚の異常を抑える点、及び、生産性の点で有利である。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態におけるマップの更新（Ｓ１１０）を具体的に説明する。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、吐出部１０７の複数の吐出口とマップ（インプリント材１０５の液滴の供給位置に関する座標データ）との関係を示す図である。吐出部１０７は、複数の吐出口として、Ｙ軸方向に配列された１８個の吐出口ａ１乃至ａ２１を含み、マップＭＰＣよりも大きな吐出領域を有している。本実施形態では、基板上へのインプリント材１０５の供給は、以下のように行われる。まず、吐出口ａ１乃至ａ２１のうちマップＭＰＣ（の領域）に対応する吐出口からインプリント材１０５の液滴を吐出しながら基板１０１をＸ軸（＋）方向（往路）に走査する。次いで、インプリント材１０５の液滴の吐出を停止して、吐出口ａ１乃至ａ２１のそれぞれの間隔の半分に対応する距離、又は、かかる距離に吐出口ａ１乃至ａ２１のそれぞれの間隔の整数倍に対応する距離を加えた距離だけ基板１０１をＹ軸方向にずらす。そして、吐出口ａ１乃至ａ２１のうちマップＭＰＣに対応する吐出口からインプリント材１０５の液滴を吐出しながら基板１０１をＸ軸（−）方向（復路）に走査する。これにより、吐出部１０７の吐出口ａ１乃至ａ２１の配列方向について、基板上に供給されるインプリント材１０５の液滴の密度を、吐出口ａ１乃至ａ２１のそれぞれの間隔の２倍にすることができる。

本実施形態では、吐出部１０７は、マップＭＰＣよりも大きな吐出領域を有している。従って、第４実施形態と同様に、不良吐出口が存在する場合には、かかる不良吐出口に割り当てられる基板上の供給位置が少なくなるように、マップＭＰＣを更新することが可能である。更に、本実施形態では、第４実施形態と比較して、基板１０１を走査する際の往路と復路とで吐出口ａ１乃至ａ２１のそれぞれの間隔以上の可動性を利用することができる。従って、Ｙ軸方向について、基板上に規定される座標系（マップＭＰＣ）の１行単位で、基板上の供給位置を吐出口ａ１乃至ａ２１のそれぞれに割り当てることが可能である。

図１０（ａ）を参照するに、不良吐出口である吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置は５つ存在し、マップＭＰＣは、それらの供給位置に関する座標データＤＥ及びＤＦを含んでいる。一方、基板１０１を走査する際の往路において、例えば、正常吐出口である吐出口ａ１０に割り当てられた基板上の供給位置はない。同様に、基板１０１を走査する際の復路において、正常吐出口である吐出口ａ１６に割り当てられた基板上の供給位置はない。

そこで、基板１０１を走査する際の往路においては、図１０（ｂ）に示すように、座標データＤＥに対して正常吐出口である吐出口ａ１２を割り当てるように、吐出口番号データを変更する。また、基板１０１を走査する際の復路においては、図１０（ｂ）に示すように、座標データＤＦに対して正常吐出口である吐出口ａ１６を割り当てるように、吐出口番号データを変更する。このように、本実施形態では、図１０（ａ）に示すマップＭＰＣを図１０（ｂ）に示すマップＭＰＧに更新する。これにより、基板１０１を走査する際の往路及び復路において、不良吐出口である吐出口ａ１１に割り当てられた基板上の供給位置がなくなる。従って、基板上の供給位置に関する座標データを変更することなく、基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置に、インプリント材１０５の液滴を供給することが可能となる。

本実施形態では、マップの変更後に不良吐出口に割り当てられる基板上の供給位置の数がゼロとなるようにマップを更新する例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、マップの変更後に不良吐出口に割り当てられる基板上の供給位置の数をゼロにできない場合もある。このような場合には、マップの変更後に不良吐出口に割り当てられる基板上の供給位置の数を低減するようにマップを更新すればよい。この場合においても、モールド１０３のパターンへのインプリント材１０５の充填性や基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンの残膜厚への影響を抑えることができる。

このように、本実施形態では、不良吐出口から基板上に供給すべきインプリント材１０５の液滴の供給位置に、正常吐出口から吐出させたインプリント材１０５の液滴が供給されるように、吐出部１０７と基板１０１との相対位置を制御している。従って、本実施形態におけるインプリント装置１００は、基板上に形成されるインプリント材１０５のパターンにおける欠陥や残膜厚の異常を抑える点、及び、生産性の点で有利である。

＜第６実施形態＞
物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１００を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

＜第７実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本実施形態（特に、第４実施形態及び第５実施形態）では、吐出部１０７の複数の吐出口と基板１０１との相対位置を変更する際にステージ１０２を用いている。但し、インプリント装置１００が吐出部１０７（の複数の吐出口）を移動させる駆動部を有している場合には、かかる駆動部及びステージ１０２の少なくとも一方を制御することで同様な効果を得ることができる。

１００：インプリント装置 １０１：基板 １０３：モールド １０６：収容部 １０７：吐出部 １１１：制御部

Claims (14)

1. 基板上のインプリント材を成型してパターンを形成するインプリント装置であって、
   インプリント材を吐出する複数の吐出口を含み、前記インプリント材を基板上に供給する供給部と、
   前記複数の吐出口のうちに異常な吐出口が存在する場合、前記複数の吐出口のうち前記異常な吐出口とは別の吐出口に前記インプリント材を吐出させるように、前記供給部を制御する制御部と、
   を有することを特徴とするインプリント装置。
2. 前記制御部は、前記複数の吐出口のうち前記異常な吐出口に隣接する、前記別の吐出口としての吐出口に前記インプリント材を吐出させるように、前記供給部を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記成型のための型は、ラインパターンを含み、
   前記制御部は、前記異常な吐出口から前記別の吐出口への変更により、前記ラインパターンに沿った方向とは直交する方向において前記インプリント材の供給位置の間隔が大きくならないように、前記供給部を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
4. 前記成型のための型は、ラインパターンを含み、
   前記制御部は、前記異常な吐出口から前記別の吐出口への変更により、前記ラインパターンに沿った方向において、前記インプリント材の供給位置の間隔が等間隔に近づくように、前記制御部を制御することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
5. 前記制御部は、前記別の吐出口の位置に基づいて、前記異常な吐出口が供給すべきであった前記インプリント材の前記基板上の供給位置を変更することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記制御部は、前記異常な吐出口から前記別の吐出口への変更により前記供給部に対して前記基板を走査する回数を増加させることなしに、前記供給部を制御することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記制御部は、前記異常な吐出口から前記別の吐出口への変更に基づいて、前記成型のための型に前記インプリント材を充填させるための時間を変更することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記制御部は、前記異常な吐出口から供給すべきであった前記インプリント材の前記基板上の供給位置に、前記別の吐出口から前記インプリント材が供給されるように、前記供給部と前記基板との間の相対位置と前記供給部とを制御する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 前記基板を保持して可動のステージ及び前記複数の吐出口を移動させる駆動部のうち少なくとも一方を含み、
   前記制御部は、前記相対位置を制御するのに、前記少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
10. 前記異常な吐出口の検知を行う検知部を有することを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
11. 前記検知部は、前記インプリント材を前記基板上に供給する処理と前記成型のための型と前記インプリント材とを接触させる処理との間において、前記検知を行うことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
12. 前記検知部は、前記成型のための型と前記インプリント材とを接触させた状態において、前記検知を行うことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
13. 前記制御部は、前記インプリント材を供給すべき前記基板上の位置を示すマップを介して、前記供給部を制御することを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
14. 請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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