JP2020132985A - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本実施形態では、噴出ノズル近傍における蒸着材料の堆積を抑制することができる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。【解決手段】上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理装置は、噴出ノズルを有し、前記噴出ノズルから蒸着材料を噴出することが可能な蒸着源と、前記噴出ノズルよりも高さが低く構成され、前記噴出ノズルに並設され、第1領域と、前記第1領域の温度よりも低い温度に維持可能な第2領域とを有する防着板とを具備する。【選択図】図1

Description

本発明は、真空処理装置及び真空処理方法に関する。
真空処理装置の中に、複数の噴出ノズルが所定の間隔で並設した蒸着源を備えるものがある。複数の噴出ノズルからは、蒸着材料が噴出して、蒸着源に対向する基板に蒸着材料が成膜される。また、基板と蒸着源との間にマスク部材を設けることにより、基板には所定のパターンの膜が形成される。
しかし、噴出ノズルから噴出する蒸着材料の指向性は低く、噴出ノズルからは広い角度で蒸着材料が基板に飛散していく。このため、基板と蒸着源との間にマスク部材を配置すると、蒸着材料が飛遊する角度によっては、マスク部材で本来遮蔽されるべき基板の箇所に蒸着材料が付着する場合がある。
このような現象の対応策として、例えば、外側付近に配置された噴出ノズルを基板から背けるように傾ける方策がある(例えば、特許文献1参照)。
国際公開2018/025637号公報
しかしながら、噴出ノズルを基板から背けるように傾けて配置した場合、噴出ノズルから噴出する蒸着材料の指向性の低さから、噴出ノズルの噴出口近傍に位置する部材、例えば、噴出ノズル近傍に配置された防着板に蒸着材料が付着しやすくなる。このような噴出ノズル近傍に蒸着材料が堆積し続けると、噴出ノズルの先端口に固化した蒸着材料が接近して、噴出ノズルから噴出する蒸着材料の指向性に影響を与えたり、蒸着材料によって噴出ノズルが遮蔽されたりする可能性がある。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、噴出ノズル近傍における蒸着材料の堆積を抑制することができる真空処理装置及び真空処理方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理装置は、蒸着源と、防着板とを具備する。
上記蒸着源は、噴出ノズルを有し、上記噴出ノズルから蒸着材料を噴出することができる。
上記防着板は、上記噴出ノズルよりも高さが低く構成され、上記噴出ノズルに並設され、第1領域と、上記第1領域の温度よりも低い温度に維持可能な第2領域とを有する。
このような真空処理装置であれば、噴出ノズルに並ぶ防着板に堆積する蒸着材料の堆積速度が遅延するので、蒸着処理の生産性が向上する。
真空処置装置においては、上記第1領域よりも上記第2領域のほうが上記噴出ノズルに近接してもよい。
このような真空処理装置であれば、防着板の第2領域に堆積する蒸着材料の堆積速度が遅延するので、蒸着処理の生産性が向上する。
真空処置装置においては、上記噴出ノズルの中心軸は、上記防着板の法線と交差してもよい。
このような真空処理装置であれば、斜めに配置された噴出ノズル横の防着板に堆積する蒸着材料の堆積速度が遅延するので、蒸着処理の生産性が向上する。
真空処置装置においては、上記防着板の下に上記第1領域よりも上記第2領域を優先的に冷却する冷却機構が設けられてもよい。
このような真空処理装置であれば、防着板の第2領域に堆積する蒸着材料の堆積速度がより確実に遅延するので、蒸着処理の生産性が向上する。
真空処置装置においては、上記噴出ノズルを加熱する加熱機構と、上記冷却機構と、上記加熱機構との間に設けられた断熱部材をさらに具備してもよい。
このような真空処理装置であれば、防着板の第2領域に堆積する蒸着材料の堆積速度が寄り確実に遅延するので、蒸着処理の生産性が向上する。
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理方法では、上記蒸着源に上記防着板が並設され、上記蒸着源から上記蒸着材料を蒸発させて、基板に上記蒸着材料が蒸着される。
このような真空処理方法であれば、噴出ノズルに並ぶ防着板に堆積する蒸着材料の堆積速度が遅延するので、蒸着処理の生産性が向上する。
以上述べたように、本発明によれば、噴出ノズル近傍における蒸着材料の堆積を抑制することができる真空処理装置及び真空処理方法が提供される。
本実施形態に係る真空処理装置の模式的断面図である。 両側の一方の側に配置された噴出ノズル及び該噴出ノズル付近に設けられた部材の模式的断面図である。 両側の一方の側に配置された噴出ノズル及び該噴出ノズル付近に設けられた部材の模式的断面図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、XYZ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。実施形態は、一例であり、以下の例に限らない。
図1は、本実施形態に係る真空処理装置の模式的断面図である。
真空処理装置1は、真空容器10と、基板搬送機構20と、蒸着源30と、防着板40と、冷却機構50と、断熱部材60とを具備する。真空処理装置1は、蒸着材料30mを基板90に蒸着する蒸着装置である。
真空容器10は、減圧状態を維持できる容器である。真空容器10は、排気機構70によって、その内部の気体が排気される。真空容器10を基板搬送機構20から蒸着源30に向かう方向(以下、Z軸方向)に上面視したときの平面形状は、例えば、矩形状である。
真空容器10は、基板搬送機構20、蒸着源30、防着板40、冷却機構50、断熱部材60等を収容する。真空容器10には、ガスを供給することが可能なガス供給機構が取り付けられてもよい。また、真空容器10には、その内部の圧力を計測する圧力計が取り付けられてもよい。また、真空容器10には、基板90に形成された膜の蒸着速度等を間接的に計測する膜厚計が設けられてもよい。
基板搬送機構20は、真空容器10の上部に位置する。基板搬送機構20は、Z軸方向において蒸着源30に対向する。基板搬送機構20は、基板90を保持する基板ホルダ91を支持しつつ、基板90及び基板ホルダ91をY軸方向に搬送する。すなわち、基板90は、搬送されながら、基板90に蒸着材料30mが蒸着される。
蒸着源30と基板90との相対距離を変える搬送機構は、蒸着源30側に設けられてもよい。例えば、固定された基板90に対して蒸着源30及び蒸着源30を搬送する搬送機構が移動することにより、蒸着源30と基板90との相対距離を変えることができる。
基板90は、例えば、矩形状の大型ガラス基板である。また、基板90と蒸着源30との間には、マスク部材92が設けられてもよい。例えば、図1の例では、基板90の蒸着源30と対向する面(蒸着面)にマスク部材92が設けられる。
蒸着源30は、真空容器10の下部に位置する。蒸着源30は、蒸発容器31(坩堝)と、噴出ノズル32と、加熱機構33と、カバー37とを有する。蒸着源30は、Z軸方向において基板90に対向する。蒸着源30は、例えば、図示しない支持台に固定されている。
蒸発容器31は、基板90が搬送される方向と直交する方向(X軸方向)に延在する。蒸発容器31をZ軸方向から上面視した場合、その外形は、例えば、長方形である。蒸発容器31は、1つに限らず、例えば、Y軸方向に複数並設されてもよい。この場合、複数の蒸発容器31のそれぞれは、互いに平行になってY軸方向に並ぶことになる。
複数の蒸発容器31のそれぞれには、種類が異なる蒸着材料30mを充填することができる。これにより、基板90に、層に応じて材料が異なる積層膜、各層において異種の材料が混合した混合膜等を形成することができる。なお、蒸着材料30mは、例えば、有機物、金属等である。
また、蒸発容器31の上面部(天板31t)には、複数の噴出ノズル32が設けられている。複数の噴出ノズル32のそれぞれは、所定の間隔を隔てて、X軸方向に並設されている。複数の噴出ノズル32は、基板90に対向する。複数の噴出ノズル32からは、蒸発容器31に充填された蒸着材料30mが噴出する。複数の噴出ノズル32は、例えば、X軸方向における基板90の幅よりも狭い領域に配置されている。
また、X軸方向に列状に並ぶ複数の噴出ノズル32では、両側及び両側近傍に配置された噴出ノズル32は、基板90に背くように傾斜している。図1の例では、両側に配置された噴出ノズルを噴出ノズル321と表記している。例えば、噴出ノズル321の中心軸32cは、防着板40の法線40nと交差している。なお、本実施形態では、複数の噴出ノズルのそれぞれを総括的に"噴出ノズル32"と呼称する。
加熱機構33は、蒸発容器31の外側に配置されている。加熱機構33は、蒸発容器31の底部及び側部、複数の噴出ノズル32を囲む。加熱機構33は、誘導加熱方式または抵抗加熱方式の加熱機構である。蒸発容器31に収容された蒸着材料30mが加熱機構33によって加熱されると、蒸着材料30mが複数の噴出ノズル32から基板90に向けて蒸発する。
防着板40は、蒸発容器31の上に設けられ、噴出ノズル321よりも高さが低く構成されている。また、防着板40は、噴出ノズル321の横に並設されている。複数の噴出ノズル32は、防着板40を貫通し、基板90に対向する。防着板40の材料は、例えば、ステンレス鋼、銅、アルミニウム等の金属である。また、防着板40の下には、冷却機構50が配置されている。冷却機構50は、蒸着源30の横に設けられている。
これにより、蒸着源30から基板90への直接的な熱輻射が抑制され、蒸着材料30mの冷却機構50への直接的な付着が防止される。なお、蒸発容器31の直上には、基板90に向かって飛遊する蒸着材料30mを遮断するシャッタが設けられてもよい。
噴出ノズル321の周辺の蒸着源30、防着板40、冷却機構50等の構成をさらに詳細に説明する。
図2(a)、(b)及び図3は、両側の一方の側に配置された噴出ノズル及び該噴出ノズル付近に設けられた部材の模式的断面図である。ここで、図2(b)には、図2(a)よりも蒸着処理が後の状態が示されている。
図2(a)に示すように、蒸発容器31は、容器本体31bと、容器本体31bを覆う天板31tとを有する。天板31tには、複数の噴出ノズル32が配置されている。蒸発容器31は、加熱機構33によって囲まれている。
加熱機構33は、主に噴出ノズル32を加熱する上部加熱機構33uと、主に蒸発容器31を加熱する下部加熱機構33dとを有する。下部加熱機構33dは、カバー37により囲まれている。
防着板40下には、防着板40を冷却する冷却機構50が設けられている。冷却機構50は、防着板40を支持する支持台としても機能する。冷却機構50の材料は、例えば、銅、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属である。冷却機構50は、第1冷却領域501と、第2冷却領域502とを有する。第2冷却領域502の温度は、第1冷却領域501の温度よりも低い温度に設定される。
例えば、冷却機構50の内部には、冷媒体が流通する、流路51及び流路52が設けられている。ここで、第1冷却領域501においては、流路51が疎に配置され、第2冷却領域502においては、流路52が密に配置されている。また、流路52は、防着板40側に近接して設けられている。例えば、流路52と冷却機構50の上面との間の距離は、流路52と冷却機構50の下面との間の距離よりも短く構成されている。
防着板40は、第1領域401と、第2領域402とを有している。Z軸方向から防着板40を上面視した場合、第1領域401は、第1冷却領域501と重なり、第2領域402は、第2冷却領域502と重なる。第2領域402は、第1領域401よりも噴出ノズル321に近接している。
これにより、防着板40は、冷却機構50によって第2領域402が第1領域401よりも優先的に冷却され、第2領域402のほうが第1領域401の温度よりも低い温度に設定される。
冷却機構50と上部加熱機構33uとの間には、リフレクタ等の断熱部材60が設けられている。断熱部材60は、金属板製のリフレクタ、絶縁部材等である。断熱部材60は、防着板40と、天板31tとの間にも配設される。断熱部材60が冷却機構50と上部加熱機構33uとの間に設けられることで、第2領域402は、上部加熱機構33uによる熱の影響を受けにくくなる。
噴出ノズル32から噴出する蒸着材料30mは、余弦則に則り、所定の放射角で噴出ノズル32から噴出する。このため、斜めに傾いた噴出ノズル321においては、垂直に設けられた噴出ノズル32に比べて、その横に配置された防着板40に蒸着材料30mが付着しやすくなる。これは、噴出ノズル321が傾いたことにより、噴出ノズル321の先端口付近に防着板40が位置するからである。
例えば、図2(a)には、蒸着を開始して所定の時間が経過した後の様子が示されている。加熱機構33によって加熱された蒸着材料30mは、蒸気となって噴出ノズル321から噴出し、基板90に向かって飛遊する。この際、噴出ノズル321から噴出した蒸着材料30mの一部は、噴出ノズル321の先端口近傍の防着板40に付着する。図2(a)では、防着板40に付着して固化した蒸着材料の塊りを蒸着材料30m1としている。
ここで、防着板40が冷却機構50によって冷却されない場合を想定してみる。
この場合、防着板40は、加熱機構33によって加熱され易く、熱い防着板40上に蒸着材料30m1が堆積することになる。但し、熱い防着板40上に堆積する蒸着材料30mにおいては、その密度が疎になる傾向がある。
このため、噴出ノズル321横の防着板40に堆積する蒸着材料30m1においては、その体積が膨れ上がり、蒸着の継続とともに、嵩が大きい蒸着材料30m1が防着板40上に速く堆積する。
このため、蒸着材料30m1は、噴出ノズル321を乗り超え易く、噴出ノズル321が蒸着材料30m1によって遮蔽されたり、または、蒸着材料30m1によって閉塞されたりする可能性がある。
これに対し、真空処理装置1では、防着板40の第2領域402の温度が第1領域401の温度よりも低い温度に維持されている。そして、このような防着板40を噴出ノズル321に並設して、基板90に蒸着材料30mを蒸着している。
これにより、第2領域402に堆積する蒸着材料30mの密度は、密になる。これにより、防着板40に堆積する蒸着材料30mの堆積速度は遅れ、蒸着材料30m1による噴出ノズル321の遮蔽、閉塞が遅延する(図2(b))。
これにより、真空処理装置1を用いれば、長時間にわたる蒸着処理が可能になる。また、蒸着材料30mによる噴出ノズル321の遮蔽、閉塞が遅延することから、大気解放して行うメンテナンス作業の頻度を減少させることができ、蒸着処理の生産性が大きく向上する。換言すれば、蒸着工程におけるダウンタイムが減少することにより、蒸着材料30mの使用効率が大きく向上する。
また、第2領域402では、蒸着材料30mの捕捉効果が生じ、真空容器10内では第2領域402に蒸着材料30mが優先的に堆積する。これにより、真空容器10内では、蒸着材料30mを起因とするパーティクルが発生しにくくなり、基板90に形成される蒸着膜に該パーティクルが混在しにくくなる。
なお、冷却機構50において、第1冷却領域501と第2冷却領域502とにより確実に温度差を設ける手段として、例えば、流路52に流す冷媒体の温度を流路51に流す冷媒体の温度よりも低く設定してもよい。また、第2冷却領域502を熱伝導率が高く冷却効果に優れた金属で構成し、第1冷却領域501を第2冷却領域502よりも熱伝導率が低い材料で構成してもよい。また、図3に示す構成のように、防着板40の第2領域402下のみに冷却機構50を設けてもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。
1…真空処理装置
10…真空容器
20…基板搬送機構
30…蒸着源
30m…蒸着材料
31…蒸発容器
31t…天板
31b…容器本体
32、321…噴出ノズル
32c…中心軸
33…加熱機構
33u…上部加熱機構
33d…下部加熱機構
37…カバー
40…防着板
401…第1領域
402…第2領域
40n…法線
50…冷却機構
501…第1冷却領域
502…第2冷却領域
51、52…流路
60…断熱部材
70…排気機構
90…基板
91…基板ホルダ
92…マスク部材

Claims (6)

  1. 噴出ノズルを有し、前記噴出ノズルから蒸着材料を噴出することが可能な蒸着源と、
    前記噴出ノズルよりも高さが低く構成され、前記噴出ノズルに並設され、第1領域と、前記第1領域の温度よりも低い温度に維持可能な第2領域とを有する防着板と
    を具備する真空処理装置。
  2. 請求項1に記載された真空処置装置であって、
    前記第1領域よりも前記第2領域のほうが前記噴出ノズルに近接している
    真空処理装置。
  3. 請求項1または2に記載された真空処置装置であって、
    前記噴出ノズルの中心軸は、前記防着板の法線と交差している
    真空処理装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか1つに記載された真空処置装置であって、
    前記防着板の下に前記第1領域よりも前記第2領域を優先的に冷却する冷却機構が設けられている
    真空処理装置。
  5. 請求項4に記載された真空処置装置であって、
    前記噴出ノズルを加熱する加熱機構と、
    前記冷却機構と、前記加熱機構との間に設けられた断熱部材とをさらに具備する
    真空処理装置。
  6. 噴出ノズルを有し、前記噴出ノズルから蒸着材料を噴出することが可能な蒸着源に前記噴出ノズルよりも高さが低く構成され、前記噴出ノズルに並設され、第1領域と、前記第1領域の温度よりも低い温度に維持可能な第2領域とを有する防着板を並設し、
    前記蒸着源から前記蒸着材料を蒸発させて、基板に前記蒸着材料を蒸着する
    真空処理方法。
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