JP2563796B2 - 半導体回路 - Google Patents

半導体回路

Info

Publication number
JP2563796B2
JP2563796B2 JP62086107A JP8610787A JP2563796B2 JP 2563796 B2 JP2563796 B2 JP 2563796B2 JP 62086107 A JP62086107 A JP 62086107A JP 8610787 A JP8610787 A JP 8610787A JP 2563796 B2 JP2563796 B2 JP 2563796B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
inverting circuit
pulse signal
output
inverting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62086107A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6439687A (en
Inventor
好彦 沖原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP62086107A priority Critical patent/JP2563796B2/ja
Publication of JPS6439687A publication Critical patent/JPS6439687A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2563796B2 publication Critical patent/JP2563796B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、パルス信号を増幅・整形し伝達する半導
体回路に関するものである。
〔従来の技術〕
第4図は従来のパルス信号伝達回路の一例を示す。
(3)は第1の反転回路で、pチヤンネルトランジスタ
(Q1)とNチヤンネルトランジスタ(Q2)のコンタクタ
ンスの比は2:1になつている。(4)は第2の反転回路
で、Pチヤンネルトランジスタ(Q3)とNチヤンネルト
ランジスタ(Q4)のコンダクタンスの比は1:2になつて
いる。(5)は第3の反転回路で、Pチヤンネルトラン
ジスタ(Q5)とNチヤンネルトランジスタ(Q6)のコン
ダクタンスは等しくなつている。(2)はATDパルス発
生回路である。ATDとは、アドレス・トランジシヨン・
デイテクトの略称であり、一般的には遅延回路を組み合
わせることにより、アドレス信号の変化を検出し、パル
ス信号を発生するようになつている。第4図において
は、アドレスピン(1)に入力されるアドレス信号
(A)が変化することにより、ATDパルス発生回路
(2)において、負のパルス信号(B)が発生する。
第3の反転回路(5)の出力(Eb)は、センスアンプ
のイコライズ回路(6)及び、ワード線プルダウン回路
(7)に入力される。
次に動作について説明する。第5図は第4図の回路の
タイミングチヤードである。第5図(イ)に示す様にア
ドレスピン(1)に入力されるアドレス信号(A)が変
化すると、ATDパルス発生回路(2)により、第5図の
(ロ)に示す様に負のパルス信号(B)が発生させられ
る。ATDパルス信号(B)は、第1の反転回路(3)に
入力され、第5図の(ハ)に示す様に正のパルス信号
(Cb)が出力される。第1の反転回路(3)の判定レベ
ルは、Pチヤンネルトランジスタ(Q1)のコンダクタン
スがNチヤンネルトランジスタ(Q2)のコンダクタンス
の2倍であるため、1/2Vccより高くなつている。そのた
め第1の反転回路(3)は比較的振幅(H)の小さいパ
ルス信号が入力されても、そのパルス信号のピーク値
(M)が判定レベルに達しやすいため出力パルスは発生
しやすい。第2の反転回路(4)は、第1の反転回路
(3)とは逆に判定レベルが1/2Vccより低くなつてお
り、第1の反転回路(3)と同様の効果がある。
第3の反転回路(5)は、判定レベルが1/2Vccであ
り、パルス波形を整形する。上記のATDパルス信号伝達
回路により、比較的振幅の小さいパルス信号も、充分な
振幅をもつパルス信号に整形され出力される。
しかし、アドレスピン(1)に、第6図の(イ)に示
すように、第5図の(イ)に示すアドレス信号が何らか
の障害によって減衰してノイズ信号として認められるよ
うな信号として入力された時、第6図の(ロ)に示すよ
うに、充分な振幅をもつパルス信号が得られない。こう
いつた不充分なATDパルス信号は、第1,第2,第3の反転
回路(3),(4),(5)の何れかにおいて、常に判
定レベルに達せず、出力されなくなれば問題はない。ま
た、第5図に示したように、常に完全なパルス信号が出
力されれば問題はない。しかし、第6図の(ニ)に示す
ように、第2の反転回路の出力信号(Db)のピーク値
(M)が第3の反転回路(5)の判定レベルと近接した
状態になると、第6図の(ホ)に示すように、第3の反
転回路の出力(Eb)として不完全なパルス信号が発生し
てしまう。この不完全なパルス信号は、誤動作の原因と
なる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のATDパルス信号伝達回路で用いられる反転回路
は、判定レベルが1点でしか存在しないため、ピーク値
が判定レベルと近接しているような、パルス信号が入力
した時、充分にパルス信号を伝達することができず、時
として所望の振幅及びパルス幅に満たない不完全なパル
ス信号を発生させるという問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、上記の様に正常な信号が減衰してピーク値
が判定レベルと近接している様なパルス信号が入力され
た場合でも、確実に増幅・整形し、伝達できるような半
導体回路を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体回路は、パルス信号が供給され
る第1の反転回路と、この第1の反転回路の出力を遅延
させる遅延回路と、この遅延回路の出力を入力とする第
2の反転回路と、この第2の反転回路の出力を入力とす
る第3の反転回路と、この第3の反転回路の出力を入力
とし、上記第2の反転回路の判定レベルを制御するドラ
イブトランジスタを用いることにより、確実にパルス信
号を増幅・整形し、伝達できるようにしたものである。
〔作用〕
この発明における第2の反転回路は、ヒステリシス特
性を有し、その判定レベルは2点存在する。従つて、こ
の第2の反転回路に遅延されたパルス信号が入力された
時、この入力パルス信号のピーク値が1方の判定レベル
の値と近接していても、この入力信号がもう1方の判定
レベルの値になるまでの時間は、“H"として出力され
る。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図に従つて説明する。第
1図は、この発明の一実施例であり、ATDパルス信号伝
達回路を示すものである。(3)は第1の反転回路であ
り、Pチヤンネルトランジスタ(Q1)は、Nチヤンネル
トランジスタ(Q2)よりコンダクタンスが大きい。
(C1),(C2)はコンデンサーで、各々遅延回路を為
す。(4)は第2の反転回路であり、(Q7)は第3の反
転回路の出力を入力とするPチャンネルによってシュミ
ットトリガー回路を構成するドライブトランジスタであ
る。Nチヤンネルトランジスタ(Q4)は、Pチヤンネル
トランジスタ(Q3),(Q7)よりもコンダクタンスが大
きい。(5)は第3の反転回路であり、Pチヤンネルト
ランジスタ(Q5)とNチヤンネルトランジスタ(Q6)の
コンダクタンスは等しい。ATDパルス発生回路(2)は
アドレスピン(1)に入力されるアドレス信号(A)の
変化を検出し、負のパルス信号(B)を発生する。第3
の反転回路の出力(Ea)は、センスアンプのイコライズ
回路(6)及び、ワード線プルダウン回路(7)に入力
される。
次に上記実施例の動作について説明する。第2図は、
上記実施例のタイミングチヤートである。第2図の
(イ)に示す様にアドレス信号(A)の変化を検出し、
ATDパルス発生回路(2)において第2図の(ロ)に示
す様に負のパルス信号(B)が発生する。このパルス信
号(B)は第1の反転回路(3)に入力されるが、この
第1の反転回路(3)の出力端には容量(C1),(C2
が付いているため、出力は遅延される。その際、第1の
反転回路(3)は、Pチヤンネルトランジスタ(Q1)の
方がNチヤンネルトランジスタ(Q2)よりコンダクタン
スが大きいため、上記第1の反転回路の出力(Ca)は、
第2図の(ハ)に示す様に主に立ち下がりが遅延され
る。この遅延された第1の反転回路の出力(Ca)は、第
2の反転回路(4)に入力されるが、上記第1の反転回
路の出力(Ca)が“L"から“H"に変わる時には、最初ド
ライブトランジスタ(Q7)は“ON"している。そのた
め、第2の反転回路(4)のPチヤンネルトランジスタ
は(Q3)と(Q7)を合わせたコンダクタンスを持つこと
になり、第2図の(ハ)に示したようにVIHという判定
レベルを持つ。逆に、上記第1の反転回路の出力(Ca)
が“H"から“L"に変わる時には、ドライブトランジスタ
(Q7)は“OFF"した状態から反転が始まるので、第2の
反転回路(4)の判定レベルは、VIHよりも低い値VIL
なる。よつて、この第2の反転回路の出力(Da)は、第
2図の(ニ)に示す様に上記第1の反転回路の出力(C
a)が、一旦、VIHに上昇してからVILに低下するまでの
間“L"になる。ここで、上記第1の反転回路の出力(C
a)は、立ち下がりが遅延されているため、上記第2の
反転回路の出力(Da)が“L"になつている時間は、最低
限確保される。上記第2の反転回路の出力(Da)は第3
の反転回路(5)に入力され、第2図の(ホ)に示す様
に正の完全なパルス信号が出力される。
第3図は、上記ATDパルス信号伝達回路で、アドレス
ピン(1)にノイズと見なされるような正常な信号が入
った場合のタイミングチヤートである。第3図の(イ)
に示すようにアドレスピン(1)に第2図の(イ)に示
したアドレス信号とは波形の異なるノイズ信号と見なさ
れるような正常な信号が入力した場合、ATDパルス信号
(B)は充分な振幅をもたない。この不充分なATDパル
ス信号(B)は、常に第1,第2の反転回路(3),
(4)のどちらかにおいて、判定レベルに達せず、出力
されなくなれば問題はない。仮に第3図の(ハ)に示す
ように、第1の反転回路の出力(Ca)のピーク値(M)
が第2の反転回路の判定レベルVIHに近接している場合
でも、第1の反転回路の出力(Ca)の出力が第2の反転
回路の判定レベルVILに低下するまでの時間、第3図の
(ニ)に示すように第2の反転回路の出力は“L"とな
る。ここで第1の反転回路の出力(Ca)はその立ち下が
りが遅延されているので、上記第2の反転回路の出力
(Da)は最低限確保される。従って、第3図(ホ)の第
3の反転回路の出力(Ea)の振幅及びパルス幅は所望の
ものが得られる。
尚、上記実施例では、第1の反転回路(3)の入力に
負のパルス信号を用い、この第1の反転回路(3)の出
力の立ち上がりを遅延させる回路を示したが、上記第1
の反転回路(3)に、正のパルス信号を入力し、出力の
立ち下がりを遅延させても上記実施例を同様に効果を奏
する。
また、第1の反転回路(3)に正または負のパルス信
号が入力される場合、出力の立ち上がりと立ち下がり両
方を遅延させてもよい。
尚、上記実施例では、第2の反転回路(4)のドライ
ブトランジスタ(Q7)をPチヤンネルにし、Vccに接続
した回路を示したが、GND側にNチヤンネルトランジス
タを用いてもよい。
尚、上記実施例では、遅延回路のコンデンサーをVcc
側とGND側の両方に着けたが、どちらか片方だけでもよ
い。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば第1の反転回路の出
力信号を遅延させ、2つの異なる判定レベルを有する第
2の反転回路に入力させたので、第3の反転回路から、
確実に増幅・整形されたパルス信号を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体回路図、第2
図,第3図はその半導体回路に関するタイミングチヤー
ト、第4図は従来の半導体回路図、第5図,第6図はそ
の従来の半導体回路に関するタイミングチヤートであ
る。 図において、(3),(4),(5)は反転回路、
(C1),(C2)は遅延用コンデンサー、(Q1),
(Q3),(Q5)はPチヤンネルトMOSトランジスタ、(Q
2),(Q4),(Q6)はNチヤンネルMOSトランジスタ、
(Q7)はPチヤンネルMOSのドライブトランジスタ、
(A)はアドレス信号、(B)はATDパルス信号、
(C),(D),(E)は第1,第2,第3それぞれの反転
回路(3),(4),(5)の出力信号。 尚、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】パルス信号が供給される第1の反転回路
    と、この第1の反転回路から出力されたパルス信号の立
    ち上がり及び立ち下がりのうち少なくともどちらか一方
    を遅延させる遅延回路と、この遅延回路から出力された
    パルス信号が供給される第2の反転回路と、この第2の
    反転回路から出力されたパルス信号が供給される第3の
    反転回路と、シュミットトリガー回路により構成され、
    上記第3の反転回路から出力されるパルス信号に基づい
    て上記第2の反転回路の判定レベルを高及び低の2つの
    判定レベルに制御し、その第3の反転回路から出力され
    るパルス信号を整形させるドライブトランジスタとを備
    えた半導体回路。
  2. 【請求項2】第1の反転回路に供給されるパルス信号
    は、アドレス信号の変化を検出して発生したパルス信号
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
    導体回路。
JP62086107A 1987-04-07 1987-04-07 半導体回路 Expired - Lifetime JP2563796B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62086107A JP2563796B2 (ja) 1987-04-07 1987-04-07 半導体回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62086107A JP2563796B2 (ja) 1987-04-07 1987-04-07 半導体回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6439687A JPS6439687A (en) 1989-02-09
JP2563796B2 true JP2563796B2 (ja) 1996-12-18

Family

ID=13877479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62086107A Expired - Lifetime JP2563796B2 (ja) 1987-04-07 1987-04-07 半導体回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2563796B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6785444B1 (ja) 2020-02-06 2020-11-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 情報処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6439687A (en) 1989-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5566129A (en) Semiconductor memory device with address transition detector
JP4159402B2 (ja) データストローブ入力バッファ、半導体メモリ装置、データ入力バッファ、および半導体メモリの伝播遅延時間制御方法
JPH0646513B2 (ja) 半導体記憶装置のデータ読出回路
US6617885B2 (en) Sense amplifiers having gain control circuits therein that inhibit signal oscillations
JP4167905B2 (ja) 半導体集積回路のレシーバ回路
JPS6470991A (en) Address change detection circuit
US5708607A (en) Data read circuit of a memory
JP2563796B2 (ja) 半導体回路
JPS63146509A (ja) 一定幅パルス発生器
US5384736A (en) Data output circuit of a semiconductor memory device
US5606269A (en) Non-delay based address transition detector (ATD)
JPH01288008A (ja) パルス発生回路
JPH0241114B2 (ja)
JPH01238217A (ja) 半導体集積回路の誤動作防止回路
JP3454912B2 (ja) 電圧レベル検出回路及び半導体記憶装置
US5057706A (en) One-shot pulse generator
JPH0224279Y2 (ja)
TW202524480A (zh) 記憶體裝置及其雜訊抑制方法
KR100275112B1 (ko) 고속감지증폭기
US4805153A (en) Input buffer circuit of a MOS memory device
WO2023203512A1 (en) Method for automatically gating a data strobe and systems thereof
JPH088978A (ja) 信号伝送回路
KR100237746B1 (ko) 래치타입 센스앰프의 오동작 방지장치
TW202516335A (zh) 記憶體系統及接收器
JPH0287711A (ja) 半導体集積回路