JP2852929B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JP2852929B2 JP2852929B2 JP63170135A JP17013588A JP2852929B2 JP 2852929 B2 JP2852929 B2 JP 2852929B2 JP 63170135 A JP63170135 A JP 63170135A JP 17013588 A JP17013588 A JP 17013588A JP 2852929 B2 JP2852929 B2 JP 2852929B2
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- Japan
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- photoelectric conversion
- conversion device
- output electrode
- signal
- output
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光照射された原稿からの反射光を受けて電
気信号に変換することが可能な半導体変換装置に関す
る。
気信号に変換することが可能な半導体変換装置に関す
る。
本発明は、光電変換用受光素子（以下、受光素子と称
す。）のすべての光電変換を終えた後、基準電位にリセ
ットを行なう放電回路が駆動する回路で構成されている
半導体変換装置である。このため光電変換時に信号出力
にノイズ成分が加わらず、正確に信号出力を得ることが
可能となる。
す。）のすべての光電変換を終えた後、基準電位にリセ
ットを行なう放電回路が駆動する回路で構成されている
半導体変換装置である。このため光電変換時に信号出力
にノイズ成分が加わらず、正確に信号出力を得ることが
可能となる。
また、前記放電回路は、前記読み取り回路を構成する
シフトレジスタにより駆動可能であるため簡単な回路を
追加するのみで本発明は実施できる。
シフトレジスタにより駆動可能であるため簡単な回路を
追加するのみで本発明は実施できる。
従来、第３図に示す様に受光素子と受光素子で得られ
た電気信号を時系列変換する読み取り回路及び受光素子
を基準となる電圧まで放電する放電回路により、半導体
変換装置が構成されていた。
た電気信号を時系列変換する読み取り回路及び受光素子
を基準となる電圧まで放電する放電回路により、半導体
変換装置が構成されていた。
しかし、第３図のような回路構成の場合、全回路を同
一半導体基板上に集積回路として作成するとき、金属配
線の形成が行なわれた後、SiO2等の絶縁膜で全面を覆う
ので、受光素子１の出力端子と、スイッチングトランジ
スタからなる放電トランジスタを駆動するためのゲート
電圧を印加するための配線との間に、容量C1,C2が形成
される。また第３図の回路の状態遷移図を第４図に示
す。なお、シフトレジスタデータ入力信号端子には信号
SIが入力し、シフトレジスタデータ出力端子からは、信
号Ｓが出力すると共に、コントロール信号入力端子に
は、コントロール信号INHが入力し、映像信号出力端子
からは、映像信号SIGが出力される。信号DT1′、DT
2′、DT3′、…DT（ｎ−１）′及びDTn′がそれぞれス
イッチングトランジスタDT1、DT2、DT3、…DT（ｎ−
１）及びDTnのゲートに印加され、また信号TG1′、TG
2′、TG3′、…TG（ｎ−１）′及びTGn′がそれぞれト
ランスミッションゲートTG1、TG2、TG3、…TG（ｎ−
１）及びTGnのＮチャネル側のトランジスタのゲートに
印加される。前記容量C1、C2が存在するために、受光素
子１の信号出力時、すなわちトランスミッションゲート
TG3がＮするタイミングでスイッチングトランジスタD
T1がFFし、スイッチングトランジスタDT2がＮする
ために、容量C1、C2を介して、ノイズ成分が、受光素子
１の信号出力に加わるため、正確な信号出力が得られな
い。またトランスミッションゲートTG3がＮするタイ
ミングでは、シフトレジスタSR1、…SR（ｎ＋１）等を
含めると数十個のトランジスタがスイッチング動作を行
なうため、電源電圧の変動も生じる。
一半導体基板上に集積回路として作成するとき、金属配
線の形成が行なわれた後、SiO2等の絶縁膜で全面を覆う
ので、受光素子１の出力端子と、スイッチングトランジ
スタからなる放電トランジスタを駆動するためのゲート
電圧を印加するための配線との間に、容量C1,C2が形成
される。また第３図の回路の状態遷移図を第４図に示
す。なお、シフトレジスタデータ入力信号端子には信号
SIが入力し、シフトレジスタデータ出力端子からは、信
号Ｓが出力すると共に、コントロール信号入力端子に
は、コントロール信号INHが入力し、映像信号出力端子
からは、映像信号SIGが出力される。信号DT1′、DT
2′、DT3′、…DT（ｎ−１）′及びDTn′がそれぞれス
イッチングトランジスタDT1、DT2、DT3、…DT（ｎ−
１）及びDTnのゲートに印加され、また信号TG1′、TG
2′、TG3′、…TG（ｎ−１）′及びTGn′がそれぞれト
ランスミッションゲートTG1、TG2、TG3、…TG（ｎ−
１）及びTGnのＮチャネル側のトランジスタのゲートに
印加される。前記容量C1、C2が存在するために、受光素
子１の信号出力時、すなわちトランスミッションゲート
TG3がＮするタイミングでスイッチングトランジスタD
T1がFFし、スイッチングトランジスタDT2がＮする
ために、容量C1、C2を介して、ノイズ成分が、受光素子
１の信号出力に加わるため、正確な信号出力が得られな
い。またトランスミッションゲートTG3がＮするタイ
ミングでは、シフトレジスタSR1、…SR（ｎ＋１）等を
含めると数十個のトランジスタがスイッチング動作を行
なうため、電源電圧の変動も生じる。
更に、トランスミッションゲートTG3がＮするタイ
ミングでは、スイッチングトランジスタDT1がFFし、
スイッチングトランジスタDT2がＮする。
ミングでは、スイッチングトランジスタDT1がFFし、
スイッチングトランジスタDT2がＮする。
しかしトランスミッションゲートTG1がＮするタイ
ミングでは、放電トランジスタは、どれも駆動していな
い。またトランスミッションゲートTG2がONするタイミ
ングでは、スイッチングトランジスタDT1がONするのみ
である。すなわちトランスミッションゲートTG1、TG2、
TG3がONするタイミングで各受光素子の信号出力に加わ
るノイズ成分が異なることになり、信号出力間でばらつ
きが生じる。これは、暗出力状態では信号出力が低電圧
のために、特に顕著である。
ミングでは、放電トランジスタは、どれも駆動していな
い。またトランスミッションゲートTG2がONするタイミ
ングでは、スイッチングトランジスタDT1がONするのみ
である。すなわちトランスミッションゲートTG1、TG2、
TG3がONするタイミングで各受光素子の信号出力に加わ
るノイズ成分が異なることになり、信号出力間でばらつ
きが生じる。これは、暗出力状態では信号出力が低電圧
のために、特に顕著である。
上記課題を解決するために本発明は、全受光素子の光
電変換が終了した後に、前記受光素子を基準となる電位
まで時系列に放電する回路で構成したものである。すな
わち、第２図の状態遷移図に示す様に、受光素子が出力
される期間は、放電トランジスタは、駆動せず、全受光
素子の光電変換が終了した後、放電トランジスタが順次
Ｎされるために、光電変換時は、放電トランジスタは
FFした状態であり、信号出力にノイズ成分は加わらな
く、各トランスミッションゲートがＮするタイミング
で駆動される回路は、すべて同様となる。
電変換が終了した後に、前記受光素子を基準となる電位
まで時系列に放電する回路で構成したものである。すな
わち、第２図の状態遷移図に示す様に、受光素子が出力
される期間は、放電トランジスタは、駆動せず、全受光
素子の光電変換が終了した後、放電トランジスタが順次
Ｎされるために、光電変換時は、放電トランジスタは
FFした状態であり、信号出力にノイズ成分は加わらな
く、各トランスミッションゲートがＮするタイミング
で駆動される回路は、すべて同様となる。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の半導体変換装置の等価回路図であ
る。第２図は、本発明の半導体変換装置の状態遷移図で
ある。なお、第２図において、たとえばトランスミッシ
ョンゲートTG1に入力される信号はTG1′で示される。第
１図において、トランジスタDTnは、各受光素子を基準
となる電位に放電するものである。トランスミッション
ゲートTGnは、シフトレジスタSRnの信号を受けて、順次
導通状態となり、各受光素子の信号を出力していくもの
である。トランジスタDTnが駆動するのは、全受光素子
の信号が出力を終えてからである。このために、第１図
に示した様に、トランスミッションゲートTG3とスイッ
チングトランジスタDT1及びDT2との間に容量C1、C2が存
在した場合でも、トランスミッションゲートTG3にノイ
ズ成分が加わるのは、受光素子の信号を出力した後であ
り、問題とならない。また、各トランスミッションゲー
トがＮするタイミングでは、駆動する回路はすべて同
様となるために、信号出力にばらつきを生じることはな
い。
る。第２図は、本発明の半導体変換装置の状態遷移図で
ある。なお、第２図において、たとえばトランスミッシ
ョンゲートTG1に入力される信号はTG1′で示される。第
１図において、トランジスタDTnは、各受光素子を基準
となる電位に放電するものである。トランスミッション
ゲートTGnは、シフトレジスタSRnの信号を受けて、順次
導通状態となり、各受光素子の信号を出力していくもの
である。トランジスタDTnが駆動するのは、全受光素子
の信号が出力を終えてからである。このために、第１図
に示した様に、トランスミッションゲートTG3とスイッ
チングトランジスタDT1及びDT2との間に容量C1、C2が存
在した場合でも、トランスミッションゲートTG3にノイ
ズ成分が加わるのは、受光素子の信号を出力した後であ
り、問題とならない。また、各トランスミッションゲー
トがＮするタイミングでは、駆動する回路はすべて同
様となるために、信号出力にばらつきを生じることはな
い。
また本発明を実施するために、使用する回路は特別な
回路を必要とせず、簡単に構成できるものである。第１
図では、シフトレジスタを、最初は、各受光素子を順次
出力させるため駆動しており、次に放電トランジスタを
駆動するためにも使われており、素子数の低減を図る回
路構成となっている。本発明は、受光素子の信号を出力
される場合に加わるノイズ成分の低減を実施するもので
あり、第１図以外の回路構成により、実施可能なことは
明白であろう。
回路を必要とせず、簡単に構成できるものである。第１
図では、シフトレジスタを、最初は、各受光素子を順次
出力させるため駆動しており、次に放電トランジスタを
駆動するためにも使われており、素子数の低減を図る回
路構成となっている。本発明は、受光素子の信号を出力
される場合に加わるノイズ成分の低減を実施するもので
あり、第１図以外の回路構成により、実施可能なことは
明白であろう。
以上の説明された回路により、本発明の半導体変換装
置が形成され、光電変換された信号出力にノイズ成分の
加わらない明瞭な信号の検出が可能である。
置が形成され、光電変換された信号出力にノイズ成分の
加わらない明瞭な信号の検出が可能である。
本発明は、以上説明したように、簡単な回路で構成さ
れており、受光素子の信号を出力するトランスミッショ
ンゲートと受光素子を基準となる電圧へ放電するトラン
ジスタの駆動するタイミングをずらし、信号出力に生じ
るノイズ成分を減少させるという効果がある。この様
に、本発明を用いると原稿、図面等の読み取り用の装置
の信号が精度良く出力され、かつ安価な半導体変換装置
を提供するという効果がある。
れており、受光素子の信号を出力するトランスミッショ
ンゲートと受光素子を基準となる電圧へ放電するトラン
ジスタの駆動するタイミングをずらし、信号出力に生じ
るノイズ成分を減少させるという効果がある。この様
に、本発明を用いると原稿、図面等の読み取り用の装置
の信号が精度良く出力され、かつ安価な半導体変換装置
を提供するという効果がある。
第１図は、本発明の半導体変換装置の等価回路図。第２
図は、本発明の半導体変換装置のタイミングチャート、
第３図は、従来の半導体変換装置の等価回路図、第４図
は、従来の半導体変換装置のタイミングチャートであ
る。 １……受光素子 t1……TG1のＮするタイミング t2……TG2のＮするタイミング t3……TG3のＮするタイミング
図は、本発明の半導体変換装置のタイミングチャート、
第３図は、従来の半導体変換装置の等価回路図、第４図
は、従来の半導体変換装置のタイミングチャートであ
る。 １……受光素子 t1……TG1のＮするタイミング t2……TG2のＮするタイミング t3……TG3のＮするタイミング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 町田 聡 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイ コー電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−18619（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−144666（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−145481（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】複数の光電変換素子と、前記各光電変換素
子の出力電極のそれぞれに接続されその出力信号を読み
だす読み出し部と、前記読み出し部を順次駆動する駆動
回路とを備えた光電変換装置において、 前記各光電変換素子の出力電極には、該出力電極と基準
電位間をスイッチングする一つのスイッチング素子から
成り、前記出力電極を基準電位にリセットする放電回路
がそれぞれ接続されており、 前記駆動回路は、前記読み出し部を順次駆動して前記各
光電変換素子の出力信号の順次読み出し動作を行わせ、
順次読み出し動作の完了に続き、前記各放電回路を順次
駆動して各放電回路毎に所定時間オン状態とした後オフ
状態に切り換える動作を行わせるものであることを特徴
とする光電変換装置。 - 【請求項２】前記駆動回路が、シフトレジスタであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換装
置。 - 【請求項３】前記読み出し部は、MOSトランジスタで構
成されるトランスミッションゲートを有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換装置。 - 【請求項４】前記放電回路は、スイッチングトランジス
タと基準電位源とからなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光電変換装置。 - 【請求項５】前記光電変換素子が、バイポーラトランジ
スタであることを特徴とする特許請求の範囲第１、２、
３、又は、４項記載の光電変換装置。 - 【請求項６】前記光電変換素子の出力電極が、エミッタ
であることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の光
電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170135A JP2852929B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170135A JP2852929B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0219080A JPH0219080A (ja) | 1990-01-23 |
| JP2852929B2 true JP2852929B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=15899310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63170135A Expired - Lifetime JP2852929B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2852929B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100903502B1 (ko) | 2006-07-19 | 2009-06-17 | 주식회사 엘지화학 | 유/무기 복합체가 도입된 전극 및 상기 전극을 포함하는 전기화학소자 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057746B2 (ja) * | 1977-07-13 | 1985-12-17 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
| JPH0815320B2 (ja) * | 1986-12-09 | 1996-02-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63170135A patent/JP2852929B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0219080A (ja) | 1990-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081120 Year of fee payment: 10 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081120 Year of fee payment: 10 |