JP2860247B2 - ビームパラメータの電気的測定方法および構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はビーム偏向エラー測定に
関し、とくに走査（スキヤン）偏向歪みを電気的に測定
する方法および構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子集積回路の製造は光またはＸ線によ
りレジスト被覆ウエーハを露光するために像投影技術の
使用に非常に依存している。この露光により形成される
パターンは種々の回路接続および形状を決定する。幾つ
かの用途において、集積回路パターンは電子ビーム直接
描画と呼ばれる方法においてレジスト被覆ウエーハ上に
直接描画される。

【０００３】いずれの露光方法においても、投影された
像の精度は主要な用件である。この精度は要素の収量か
つ最終的にコストが遭遇する緊密露光位置条件に非常に
依存する高密度のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）の
製造においてとくに重要である。現在、電子ビームリソ
グラフイ装置は像投影技術および直接描画のために基板
上に露光パターンを配置する最も正確な方法を提供す
る。基板はマスク、ウエーハ、または半導体プロセスに
おいて使用される同様な材料として定義される。電子ビ
ームリソグラフ装置において、露光中のビーム位置は要
求される緊密な性能許容誤差を達成かつ維持するのに重
要である。

【０００４】電子ビーム位置は好都合にはラスタスキヤ
ニングと呼ばれる技術を介して制御される。この方法に
おいて、電子ビームはテレビジヨンに使用されるスキヤ
ニング技術と同様な連続する一連の傾斜偏向およびフラ
イバツク期間において繰り返して偏向される。代表的に
は、電子ビームはパターンを完全に露光するのに必要と
される時間を最小にするためにできるだけ偏向される。
この方法において、生産量（すなわち、処理量）は増加
されかつマスクまたはウエーハ当たりの単位コストは低
減される。

【０００５】通常の装置において、代表的には直径０．
１ミクロン〜１ミクロンのスポツトである電子ビームは
数百ミクロンの範囲にわたつて偏向されかつその範囲内
で０．０１ミクロン以下のエラー、好ましくは１万分の
１以下の位置エラーにより位置決めされねばならない。
３０キロヘルツ（ＫＨｚ）の代表的なスキヤニング量と
結合される、この低い位置エラーはかかる信号の直接測
定を非常に困難にする。

【０００６】通常、偏向信号はその製品、すなわちマス
クまたはウエーハ上のパターンにより測定される。マス
クまたはウエーハ上に見られる非理想的なパターンは一
連の測定および試験によつて識別され、かつ適宜な変更
が次いでこれらの不足を補正するために偏向信号になさ
れる。偏向信号の性能を偏向するこの方法はパターンを
描画し、マスクまたはウエーハを処理し、かつ次いで立
証されるが、比較的遅い、計測技術によりパターンの精
度を測定する標準の方法に非常に依存する。この方法は
単一の較正のために１時間から全部の較正のために数週
間を必要とするかも知れない。

【０００７】好ましくは、較正はマスクおよびウエーハ
の実際の露光を書き込みおよび読み取る時間を消費する
方法に頼ることなしに実行される。電子ビームパラメー
タの「リアルタイム」特性が公知の位置を有する基準グ
リツドを介して非常に低い周波数で電子ビームを走査
（スキヤニング）することにより達成される。この技術
は当該技術において公知でありかつ電子ビームリソグラ
フ装置を機能的に較正するのに十分な情報を提供する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の低い周波数測定と実際のビーム描画偏向信号との間の
相関は正確でない。とくに、高い周波数の描画信号は広
範囲のパターン描画および読み取りを介してさらに他の
特性を要求する電子ビームの幾つかの異常を導く。これ
らの異常は、偏向軸クロストーク、僅かな偏向軸回転作
用、利得差、およびスキヤンオフセツトを含み、それら
のすべてはスキヤン周波数の関数として変化する。

【０００９】電子ビームパラメータが上述した低い周波
数スキヤニング技術を介して精密に予想するのが困難で
あるため、実際の露光を描画しかつ読み取る前述した時
間を消費する方法は現在リソグラフ測定の描画性能を十
分に特徴付ける唯一の方法である。

【００１０】本発明の目的は、上述した従来装置におい
て発生する偏向軸クロストーク、偏向軸回転作用、利得
差およびスキヤンオフセツト等の異常を回避または低減
するビームパラメータの電気的測定方法および装置を提
供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、ラスタ
スキヤン装置においてビームのパラメータを電気的に測
定するビームパラメータの電気的測定方法は、較正され
るべきラスタスキヤンの予め定めたピクセルを選択し、
前記ピクセルに隣接するグリツドを動かし、前記ビーム
にストロボ作用を受け（ストロボビング）させ、前記ビ
ームを前記グリツドの第１軸に向かって増分して動かし
そして前記ビームが前記第１軸に向かって動くとき前記
ビームから生じる信号を積分する工程を含んでいる。ビ
ームを増分して動かしかつ信号を積分する、ビームにス
トロボ作用を受けさせる工程が前記信号の予め定めた値
が達成されるまで繰り返される。前記第１軸と関連する
蓄積された信号の値はグリツドの第１軸の関係位置を決
定するのに使用される。

【００１２】本発明の方法はさらにグリツドの第２軸に
関して上記した工程を実施することを包含する。第２軸
に関連して蓄積される信号はグリツドの第２軸の関係位
置を決定するのに使用される。第１および第２軸の関連
の位置はグリツドの関連位置を決定する。このグリツド
位置は代表的には時間周期または温度に関してのビーム
トリフトを決定するのに使用される。とくに、ビームド
リフトがないならば、その場合に同一の印加された偏向
は蓄積された信号の同一の値を結果として生じる。その
うえ、グリツド位置が既知であるならば、代表的にはグ
リツドに隣接する関連の基板の位置もまた既知である。

【００１３】本発明によれば、増幅器はビームにより発
生された電荷（チヤージ）を積分する。本発明の１実施
例において、増幅器は積分の前にリセツトされ、それに
より繰り返される測定の処理量を改善しかつ新たな測定
が行われ得る前の時間周期を最小にする。

【００１４】本発明の他の実施例において、複数のピク
セルが選択されかつ上記したグリツドは基板上の反射マ
ーキングを含む。したがつて、この実施例において、別
個のグリツドは除去される。ビーム測定が基板それ自体
上で行われるため、この実施例は別個のグリツドを含む
実施例に比して著しく増加した精度を提供する。

【００１５】本発明のさらに他の実施例において、ラス
タスキヤン装置においてビームのパラメータを電気的に
測定するビームパラメータの電気的測定方法は、較正さ
れるべき前記ラスタスキヤンの予め定めた複数のピクセ
ルを選択し、前記複数のピクセルに隣接する、少なくと
も１つの反射マークを動かし、前記ビームにストロボ作
用を受けさせ、前記ビームを前記少なくとも１つの反射
マークに向かって増分して動かし、そして前記ビームが
前記少なくとも１つの反射マークに向かって動くとき前
記ビームから生じる信号を積分する工程からなる。スト
ロボ作用を受けさせ増分して動かしかつ積分する工程は
前記ビームが前記少なくとも１つの反射マークを横切る
まで実施される。

【００１６】１実施例において、複数のピクセルが隣接
する一方、複数のピクセルは直線的位置決めされた複数
のビームフインガを含む。代表的には、反射マークは複
数の反射セグメントを含む。

【００１７】本発明によれば、ベクトルラスタスキヤン
装置においてビームのパラメータを電気的に測定するビ
ームパラメータの電気的測定方法は、ベクトルスキヤン
上の原位置および指定位置を選択し、前記原位置と前記
指定位置との間に前記ビームを動かし；原位置から指定
位置に動かす間に予め定めた時間遅延においてビームを
無効にせず、そしてＮ回（Ｎは整数）だけ移動および非
無効工程を繰り返す工程からなる。その場合に、予め定
めた時間遅延は増分して増加される。Ｎ回だけ移動およ
び非無効工程が繰り返される。時間遅延はビームが指定
位置に設定されるまで増加される。

【００１８】本発明によればビームパラメータ測定装置
および方法は従来の装置および方法を超える顕著な利点
を提供する。例えば、本発明は通常の偏向量での、すな
わちレジスト露光中に使用される偏向量での作動を許容
し、それにより位置的精度の測定を増加する。そのう
え、本発明は全速偏向信号を使用するため、較正プロセ
スが加速され、それにより通常の較正プロセスと関連す
る時間および費用を著しく低減する。さらに、本発明は
多重電荷パケツトの積分に備え、それにより信号対雑音
性能を改善する低利得増幅器の使用を許容する。

【００１９】以下に、本発明の実施例を添付図面に関連
して詳細に説明する。

【００２０】

【実施例】ビームドリフト測定は正確な電子ビーム位置
を保証するために基板描画プロセスの間中周期的に必要
とされる。基板描画プロセス中に使用される代表的なラ
スタ走査線は、装置および用途に依存して、２０８４／
線またはその倍数である。本発明によれば電子ビームパ
ラメータを測定する方法は１度に１ピクセルを特徴とす
る。したがつて、図１を参照すると、第１ピクセルが較
正されるためにステツプ１０１において選ばれる。

【００２１】図２を参照して、電荷（チヤージ）増幅器
２１０（以下に詳細に説明される）からアナログ／デジ
タル変換器（ＡＤＣ）２１１を介して情報を備える制御
コンピユータ２１２は電子ビーム２０７のドリフトを測
定する。ステージ位置制御装置２０１（Ｘステージ位置
制御装置２０１ＡおよびＹステージ位置制御装置２０１
Ｂを含む）は電子ビーム２０７の下にステージ２０３を
位置決めする。ビームドリフト測定の間中、基板２０４
のレジストは露光されない。かくして、これらのビーム
ドリフト測定の間中、基板２０４、電子検出器２０５お
よびステージグリツド２０６を支持するステージ２０３
はステージグリツド２０６がステツプ１０２（図１）に
示されるように電子ビーム２０７の下に位置決めされ
る。留意すべきは、この電子ビーム位置は第１ピクセル
に対応するということである。ステージグリツド２０６
がステージ２０３とかつそれゆえ基板２０４と親密に接
続されるため、ステージグリッド２０６において検出さ
れるビームドリフトは描画面、すなわち基板２０４での
ビームドリフトに実質上対応する。

【００２２】電子較正ステツプはステツプ１０３中に実
施される。電子検出器２０５、電荷増幅器２１０、デジ
タル制御ライン２５２、およびＡＤＣ２１１を含んでい
る装置２００のエレクトロニクスは一般に固有の、関連
のドリフト、雑音およびずれ作用を有する。これらの作
用は本発明によれば測定されたビーム電流から決定され
かつ要因として行動される。ステツプ１０３において、
ステージグリツド３０６上の数千のグリツド交差の１つ
であることが可能である単一のグリツドクロス３１６
（図３）が任意に選ばれる。任意のグリツドクロス３１
６は電子ビーム３０７の位置およびステージグリツド３
０６の位置が相対的な距離、すなわち元の開始位置から
の電子ビーム３０７のドリフトに基礎が置かれるため、
較正目的に適切である。留意すべきことは、電気接続３
１４および３１５がステージグリツド３０６の下に位置
決めされたフオトダイオード３０５を電荷増幅器（図５
および図６に関連して詳述される）にかつ電源Ｖバイア
スにそれぞれ結合するということである。

【００２３】電子検出器２０５は電子ビーム２０７の電
子を検出するためにステージグリツド２０６の下に配置
される。この本発明の実施例において、電子検出器２０
５はフオトダイオードである。他の実施例において、電
子検出器２０５は光導電性検出器（または光電管と呼ば
れる）、シンチレータ、または正真性負（ＰＩＮ）ダイ
オードのごときあらゆる型の高利得電子検出器である。
簡単化のために、電子検出器２０５は以下でフオトダイ
オード２０５として言及される。該フオトダイオード２
０５は代表的には５００ないし５０００の間の電流利得
を有する電流増幅器として作用する。実際の利得はフオ
トダイオード素子の構造および電子ビーム加速電圧にし
たがつて変化する。単一ピクセル露光は極度に低い電荷
移動を結果として生じるため、フオトダイオード２０５
に関して高い電流利得が好適である。

【００２４】増幅されるビーム電流および残留ダイオー
ド漏洩電流を含むフオトダイオード５０５により発生さ
れた電流は図６に示されるように電荷増幅器５１０に供
給される。電荷増幅器５１０は演算増幅器５２０、コン
デンサ５２２、アナログスイツチ５２３、オフセツト調
整５２４、および傾斜微細調整５２５を含んでいる。フ
オトダイオード５０５は演算増幅器５２０の逆転入力端
子に結合され、これに反して演算増幅器５２０の非逆転
入力端子は代表的には接地される電源に結合される。

【００２５】電荷増幅器５１０は２つの演算モード、す
なわちリセツトモードおよび積分モードを有する。リセ
ツトモードにおいて、アナログスイツチ５２３は閉じら
れかつ積分コンデンサ５２２が放電され、それにより信
号をほぼゼロボルトの出力ライン５１０Ａに供給する。
積分モードにおいて、出力ライン５１０Ａ上の信号はフ
オトダイオード５０５により供給されるチヤージに依存
する。とくに、増幅器５２０Ａの出力ライン５１０Ａの
信号は代表的には電子ビーム２０７（図２）により発生
される電流、フオトダイオード５０５の効率、および積
分コンデンサ５２２の値にしたがつて正の電圧方向（Δ
Ｖｏｕｔ）に進む。とくに、 ΔＶｏｕｔ＝ＰＢＣ×ＰＴ×Ｇｄ×１／Ｃｆ ・・・・（式１） ここで、ＰＢＣ＝主ビーム電流、 ＰＴ＝ピクセル時間、 Ｇｄ＝フオトダイオードの電流利得、および Ｃｆ＝積分コンデンサの値 である。

【００２６】例えば、主ビーム電流（ＰＢＣ）が１００
ナノアンペア（ｎＡ）、フオトダイオードの電流利得
（Ｇｄ）が５００、そして積分コンデンサの値（Ｃｆ）
が１５ビコフアラツド（ｐＦ）であるならば、その場合
に式１は、 ΔＶｏｕｔ＝１００ｎＡ×１２．５ナノセカンド（ｎ秒） ・・・＊ ＊・・・ ×１／１５ｐＦ＝４２ｍＶ ・・・・（式２） を生じる。

【００２７】かくして、式２に示される図示の値を使用
すると、演算増幅器５２０の電圧出力Ｖｏｕｔ（集積モ
ードにおいて）は各ピクセル露光により正の電圧方向に
４２ミリボルト進む。出力ライン５１０Ａ上の電圧は演
算増幅器５２０が飽和するまで増加する。しかしなが
ら、通常の状態において、ピクセル露光は飽和が達成さ
れる前に中止される。

【００２８】雑音、残留漏洩電流、および積分時間（処
理量に関連されるような）は積分時間に実用的な制限を
配置する。代表的には、３２個の単一ピクセルチヤージ
パケツトが演算増幅器５２０用の適宜な出力電圧を供給
する。４２ｍＶの例示したΔＶｏｕｔと３２個のチャー
ジパケツトを掛けるとほぼ１．３ボルトの出力電圧を生
じる。

【００２９】エレクトロニクスを較正するために、電子
ビームはフオトダイオード５０５上の入射電子を実質上
除去するために完全に無効にされる。電荷増幅器５１０
は、例えば３２個のラスタスキヤン（すなわち、電荷パ
ケツトの合計）に等しい時間だけ積分モードに置かれ
る。その時間周期後、ＡＤＣ２１１（図２）は増幅器５
２０の出力電圧を制御コンピユータ２１２に次いで送ら
れかつそこに蓄えられるデジタル信号に変換する。この
蓄えられた値はゼロビーム値を示す。

【００３０】増幅器５２０ば数マイクロセカンド（μ
ｓ）だけリセツトされかつ次いで積分モードに設定され
る。較正されるべく識別された単一ピクセルが次いで露
光される。残りのすべてのピクセルが無効にされる。こ
のピクセルはＮスキヤンだけ露光され、ここでＮはラス
タスキヤンの数（この例において３２）である。単一ピ
クセル露光は本質的に３２μｓごとにストロボ作用を受
ける固定ビームを創出する。識別されたピクセルがＮス
キヤンだけ露光された後電子ビーム２０７は再度十分に
無効にされ、そしてＡＤＣ２１１は演算増幅器５２０の
出力電圧をデジタル信号に変換する。また制御コンピユ
ータ２１２に蓄えられるこのデジタル信号は補正されな
い完全なビーム電流値を示す。ゼロビーム値（すなわ
ち、残留エラー）は補正された完全なビーム電流値を供
給するために補正されない完全なビーム電流値から減算
される。その後のビーム電流測定はこの補正された完全
なビーム電流値の百分率に基礎が置かれる。

【００３１】図４に示される本発明の他の実施例におい
て、エレクトロニクスの較正はステージ４０３に載置し
ている基板４０４それ自体により実施される。この実施
例において、ゼロビーム較正（より一般的にはオフセツ
ト基準較正として言及される）の間中、無効にされない
電子ビーム４０７は板４４１の開口４４４を通過し、か
つ反射マーク４４２に隣接して基板４０４に衝突する。
電子検出器４４０に結合される電荷増幅器５１０（図
６）は次いで予め定めた時間周期だけ積分モードに置か
れる。その後、ＡＤＣ２１１は電荷増幅器５１０からの
出力信号をデジタル信号に変換し、そしてこのデジタル
信号を制御コンピユータ２１２に供給する。

【００３２】完全なビーム電流測定の間中、無効にされ
ない電子ビーム４０７は板４４１の開口４４４を通過し
かつ既知の配置を有する反射マーク４４２に衝突する。
反射マーク４４２は、基板作成プロセスと両立できる反
射性の、金属材料（金またはプラチナのごとき）が使用
され得るけれども、代表的にはクロムから製造される。
電子ビーム４０７からバツクスキヤツタリングされた電
子は板４４１の下側に配置されるフオトダイオード電子
検出器４４０により検出される。図４に示した構成にお
いて、４つのフオトダイオード電子検出器４４０が信号
収集区域を改善するために使用される。

【００３３】電荷増幅器２１０により積分されかつＡＤ
Ｃ２１１により変換された、これらの検出器４４０から
の信号は制御コンピユータ２１２に供給される。かくし
て、本発明の実施例において、ステージグリツド３０６
（図３）は除去される。そのうえ、ビーム測定は基板そ
れ自体上で行われるため、この実施例は基板に隣接して
配置されたステージグリツドを含んでいる実施例に比し
て著しく増加した精度を提供する。

【００３４】図２４に示される本発明のさらに他の実施
例において、主電子ビーム１６０２は比較的妨害を受け
ない基板１６００を通過する。代表的には、基板１６０
０はシリコンから製造されかつほぼ５０ｎｍの厚さを有
する。しかしながら、ビーム１６０１は図２５に示され
るように基準マーク１６０１上を通るならば、伝達され
たビーム１６０２Ａは角度的スキヤツタリングを経験す
る。スキヤツタリングを検出するために基板１６００の
したに位置決めされたビーム検出器１６０３は、代表的
には大きな入射ビーム電流（例えば、１μＡの）用の環
状受光器または小さいビーム電流用の通常のフオトダイ
オードを包含する。中央孔１６０５は、スキヤツタリン
グなしにビーム検出器１６０３を通過するために、主電
子ビーム１６０２が基板１６００を通って伝達されるの
を許容し、それにより電荷増幅器１６０４へ信号を供給
しない。１９９２年１月７日にバーガー(Berger)に交付
されたアメリカ合衆国特許第５，０７９，１１２号は反
射に代えて透過によりマークを検分する方法に関して追
加の詳細を提供し、かつその全体が本書に参考として組
み込まれている。

【００３５】図５は電荷増幅器６１０の詳細な配線略図
を示す。図５を参照して、１実施例における演算増幅器
６２０は非常に低い入力エラー電流、例えば１ｎＡを供
給する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、そして
公称のインターフエイスエレクトロニクスを作動するの
に十分な出力駆動可能性、すなわち、１０ボルトまでを
供給する。

【００３６】トランジスタ６２３はリセツトモードの間
中、コンデンサ６２２、積分フイードバツクコンデンサ
が放電されるのを許容する低い漏洩アナログスイツチと
して作用する。代表的にはトランジスタ６２３のゲート
のほぼゼロ電圧がリセツトモードを強制し、かつ例えば
３ないし６ボルトの高い電圧が演算増幅器６２０を積分
モード（すなわち、トランジスタ６２３が非導通であ
る）に置く。

【００３７】抵抗６３２とともに作動するダイオード６
３３はドレン電圧が積分モードの間中トランジスタ６２
３のゲート電圧を超えないことを保証するためにトラン
ジスタ６２３のドレン電圧を制限する。留意すべきこと
は、ドレン電圧がゲート電圧を超える場合には、トラン
ジスタ６２３のゲート−ドレン接合が順方向にバイアス
されかつ通常の作動が発生しないということである。抵
抗６３２は演算増幅器６２０の出力ラインに最小の負荷
（例えば１０Ｋ）を呈するが、まだコンデンサ６２２の
急激な放電を企てるために十分に低い。

【００３８】傾斜微細調整６２５として言及されるトリ
ムポツト抵抗６３０および固定抵抗６３１はフオトダイ
オード６０５により発生される漏洩電流または、例えば
演算増幅器からの標遊漏洩を無効にする。本発明の他の
実施例において、トリムポツト抵抗６３０は漏洩無効の
コンピユータ制御を許容するデジタル／アナログ変換器
（ＤＡＣ）により置き換えられる。傾斜微細調整６２５
は電子ビームが供給されない場合に、積分された出力傾
斜（後で詳細に説明される）が最小であるように設定さ
れる。

【００３９】インバータ６３４、遅延素子６３５、トリ
ムポツト抵抗６３６およびコンデンサ６３７を包含する
オフセツト調整６２４は使用者により手でまたはコンピ
ユータにより電気的に制御される。オフセツト調整６２
４はフオトダイオード６０５からの漏洩またはリセツト
−積分遷移（リセツト制御ライン６３８の容量結合を介
して）中のアナログスイツチ６２３からの電荷注入によ
る電圧オフセツト（ずれ）を最小にする。例えば、トラ
ンジスタ６２３が状態を切り換えるとき、少量の電荷が
リセツト制御ライン６３８から積分コンデンサ６２２に
伝達される。この電荷はオフセツトエラーとして現れる
が、補完の電荷をオフセツト調整回路６２４を介して導
入することにより効果的に無効にされる。インバータ６
３４はライン６３８の信号を逆転し、遅延素子６３５は
この逆転された信号（例えば１０００ｎｓだけ）を遅延
し、そしてコンデンサ６３７が電荷をコンデンサ６２２
に注入する。トリムポツト抵抗６３６はこの信号の微細
なゆがみを提供しかつ全体のオフセツト電荷転送が最小
であるように調整される。他のオフセツト調整回路６２
４の実施例において、抵抗６３６は制御コンピユータ２
１２（図２）により作動されるＤＡＣ（図示せず）によ
り置き換えられる。

【００４０】図１および図２を参照して、ステツプ１０
３におけるエレクトロニクスの較正後、電子ビーム２０
７はステツプ１０４においてＸ−軸線に向かってステー
ジグリツド２０６を横切って進められる。ステツプ１０
４はサブステツプ１０４Ａ〜１０４Ｆを包含する。サブ
ステツプ１０４Ａにおいて、電子ビーム２０７が完全に
オンされた、すなわち最大信号をフオトダイオード２０
５に供給した後、電荷増幅器２１０はリセツトされかつ
次いで積分モードに設定される。サブステツプ１０４Ｂ
において、電子ビーム２０７は３２個のラスタスキヤン
に関して１つのピクセルだけ無効にされない。サブステ
ツプ１０４Ｃにおいて、電荷増幅器２１０の電圧出力は
デジタル信号に変換（ＡＤＣ２１１により）されかつ制
御コンピユータ２１２に蓄えられる。

【００４１】ステツプ１０４Ｄにおいて、電荷増幅器２
１０はリセツトされかつ積分するように設定される。そ
の後、電子ビーム２０７は、図７に矢印７０１により示
されるように、小さな合計偏向信号２５０Ａを介してＹ
ビーム偏向器２５１Ａに偏向され、Ｘ軸線グリツド７０
３に向かって進められる。合計信号２５０Ａは通常微細
較正に関して０．００５μ（またはそれ以上）から粗い
較正に関して数μにＹビーム偏向器２５１Ａを介して偏
向を発生する。次いで、ステツプ１０４Ｅにおいて、Ｎ
回の露光が同一のピクセルについて行われる、すなわち
電子ビーム２０７がストロボ作用を受け、それにより事
実上固定ビームを創出する。留意すべきことは、各露光
からの信号は本来的に破約かつ値が小さく、それにより
正確な測定を極端に困難にするということである。それ
ゆえ、本発明によれば、電荷増幅器２１０は適宜な出力
信号を発生させるために各露光からの電荷のパケツトを
蓄積する。電荷増幅器２１０からの出力信号はデジタル
化されかつ最後にステツプ１０４Ｆにおいて制御コンピ
ユータ２１２に蓄えられる。ステツプ１０４Ｄ〜１０４
Ｆは電子ビーム２０７が全体的にステージグリツド２０
６の頂部にある、すなわち出力信号がほぼ「ゼロ」の電
流値であるまで繰り返される。

【００４２】かくして、図８を参照すると、単一ビーム
ステツプ内の単一のピクセル積分の間中、電荷増幅器２
１０は時間周期８００の間中リセツトされ、電荷増幅器
２１０からの出力電圧は時間周期８０１の間中積分さ
れ、そしてＡＤＣ２１１はこの積分された信号を時間周
期８０２の間中変換する。連続するビームステツプのデ
ジタル化された出力電圧が図９に示される。とくに、図
９は０．００５μの増分においてＸ軸グリツド７０３に
向かってかつそれを横切って進められた電子ビーム２０
７（図２）の電圧出力を示す。通常の電子ビーム（丸み
を付けた像を投影する）はビーム中心からの距離が大き
いほどより少ない電流（フオトダイオード２０５を介し
て）を発生する。したがつて、図１０に波形１０００で
示されるように、電子ビーム電流密度はビーム中心１０
０１から０．０５μでほぼ半分にされる。図９および図
１０を参照して、グリツドエツジ９０１はサンプリング
された電圧出力９０４の実質上中間点（すなわち５０
％）で関連のビーム位置９０５であるように決定され
る。点９０２および９０３は順次グリツドエツジ位置９
０１に対応するビーム中心１００１からの関連のビーム
位置９０５、０．０５μを示す。ステージグリツド２０
６を交差する電子ビーム２０７の相対的な位置は各ステ
ツプ９００に関する既知の増分偏向を使用してステツプ
１０５（図１）において決定される。この方法におい
て、Ｘグリツド７０３の位置が決定される。このグリツ
ド位置は相対的な位置でありかつ主として時間周期また
は温度にわたつてビームドリフトを決定するのに使用さ
れる。とくに、ビームドリフトがないならば、その場合
に同一の印加された偏向は同一の増幅器出力電圧プロツ
トを結果として生じる。したがつて、この第１の較正測
定は基準点として使用され、そしてすべてのそれに続く
較正測定がこの基準点に比較される。

【００４３】図１、図２および図７を参照して、同様な
プロセスが、ビームがＹグリツドエツジ７０４Ａを交差
して検出されるまでＸビーム偏向器２５１Ｂの小さい増
分偏向を使用して、Ｙグリツドの相対的な位置を決定す
るためにステツプ１０６Ａ〜１０６Ｆにおいて実施され
る。留意すべきことは、ＸおよびＹグリツド位置が知ら
れた後、基板２０４（図２）の位置もまた知られる。

【００４４】本発明はＸおよびＹの位置を決定するため
に下記で述べる通常のデータ換算技術を使用する。とく
に、電子ビーム３０７（図３）がフオトダイオード３０
５上にのみ衝突するかまたはステージグリツド３０６上
のみに衝突するならば、ビーム位置に関して比較的少な
い情報が得られる。しかしながら、臨界データは電子ビ
ーム３０７がグリツドのエツジ、すなわちＸグリツドエ
ツジ７０３ＡまたはＹグリツドエツジ７０４Ａ（図７）
を交差するとき得られる。したがつて、このデータ換算
は、代表的にはステージグリツド３０６から離れてピク
セルを偏向するために消費される時間量を最小にするコ
ンピユータソフトウエアによって、実行される。通常の
コンピュータソフトウエア、例えばガウス曲線嵌合ルー
チン（単一ピクセル用途に関して）または最小二乗法嵌
合ルーチン（多重ピクセル用途に関して）がこのデータ
換算を実行し、その結果ビーム−オン−エツジデータを
使用することにより電子ビーム３０７の正確な位置を決
定する。１実施例において、ソフトウエアは電子ビーム
３０７（図９および図１０参照）の中間点を決定する一
方、他の実施例においてソフトウエアは５０％電圧出力
に加えてサンプリングされた出力電圧の他の百分率を決
定することにより精度を増加するためにデジタル信号処
理計画を提供する。これらの値は各ストロボ作用サイク
ルに関して均一であると見做される曲線９００に適合さ
せられる。

【００４５】ステツプ１０８において、較正されるべき
次のピクセルが選択される。ステツプ１０１〜１０７が
最後のピクセルが較正されるまで繰り返される。各ピク
セルに関して、ステージグリツド２０６はステージ位置
制御装置２０１Ａおよび２０１Ｂを介して新たな較正場
所に再び位置決めされる。他の実施例において、電子ビ
ーム２０７はビーム偏向器２５１Ａおよび２５１Ｂを介
して動かされる。各ステージグリツド位置の相対的な位
置はレーザ干渉計２１２、振動補正２１３、ステージ位
置制御２０１を包含する装置２０２の作動のため精密に
知られる。増分偏向合計信号２５０が精密に知られる
（信号２５０Ａに対する上記に述べられた較正）ためス
テージグリツド２０３の位置、ならびに各ピクセルの位
置は本発明において正確に決定される。

【００４６】本発明の他の実施例によれば、信号対雑音
比は図１１に示されるように幾つかの隣接するピクセル
を露光することにより顕著に改善される。この実施例に
おいて、ピクセル群内の非直線エラーは無視し得ると仮
定される。ピクセル群１１００（例えば、５ピクセルの
群）がグリツド１１０７を横切ってゆつくり進められる
ので、電荷増幅器（図示せず）からの出力信号は進行方
向に依存する。通常のラスタスキヤンがＹ方向（矢印１
１０８で示される）であるならば、Ｙグリツドエツジ１
１０１を横切るＸ方向の進行ピクセル群１１００は図１
２に示される波形１１０３を発生する。信号外観、すな
わち波形１１０３は実質上「単一ピクセル」波形１１０
４と同一であるが；しかしながら、最大信号振幅は単一
ピクセル振幅のＮ倍であり、ここでＮは露光される隣接
するピクセルの数である。群１１００内のすべてのピク
セルが直線であると見做されるため、個々のピクセルの
位置は通常のデータ内挿法を使用して決定される。Ｎ個
のピクセルの距離に対しＸグリッドエッジ１１０２を横
切って進行するピクセル群１１００は、図１３に示され
ているように全出力信号に達する。再度、ピクセル群１
１００においての個々のピクセルの位置は、データ内挿
法を使用して蓄積された信号から決定される。

【００４７】図１４ないし図２１に示される本発明の他
の実施例において、電子ビームおよび反射マークの形状
はビームが基板のＸ位置またはＹ位置を測定するために
進められるかどうかに依存して変化される。図１４およ
び図１５は基板１２０１のＹ位置を測定するために反射
マーク１２０２を横切る方向１２０３に進められる電子
ビーム１２００を示す。反射マーク１２０２は１０２４
μｍの代表的な長さ１２０４を有する。反射マーク１２
０２を横切って進行するビーム１２００はその後、それ
ぞれ電子検出器１２２１および電荷増幅器１２２２（同
様に図４参照）により検出されかつ蓄積されるバツクス
キヤツタリングされた電子１２２０を発生する。電荷増
幅器１２２２により積分される電荷パケツトは図１６に
示される波形１２０６を生じ、この波形は実物大で例え
ば１０Ｖの関連の信号値１２０５Ｂを有しかつ単一ピク
セルで、例えば５ｍＶの関連の信号値１２０５Ａを有す
る。電荷増幅器１２２２は代表的には０．５μｍである
距離１２０７後完全な走査値１２０５Ｂに急速に達す
る。このＸ位置を決定する方法は上述したような単一ピ
クセルスキヤンに比して以下の利点、すなわち、ビーム
１２００が反射マーク１２０２のエツジを超えて進むの
でより鋭い信号、改善された信号対雑音比、および反射
マーク１２０２上の不規則性（例えば、衝突）に対する
減じられた感度（すなわち複数のピクセルはスキヤンの
長さにわたつてこれらの不規則性を平均しようとする）
を提供する。

【００４８】図１７および図１８は複数のビームフイン
ガを包含する電子ビーム１３００を示す。この実施例に
おいて、３つのビームフインガ１３００Ａ〜１３００Ｃ
が基板１３０１のＹ位置を決定するために方向１３１０
（図１８）に進むように設けられる。フインガ１３００
Ａ〜１３００Ｃはそれぞれ反射マーカー１３０２Ａ〜１
３０２Ｃを横切って進められる。留意すべきことは、フ
インガ、例えばフインガ１３００Ａの長さ１３０９が反
射マーカー、例えば１３０２Ａの長さ１３０８より小さ
いということである。代表的には、フインガ１３００の
長さ１３０９はほぼ１５０μｍでありこれに反してマー
カー１３０２の長さ１３０８はほぼ２００μｍである。
複数の反射マーカー１３０２を横切って進行するビーム
１３００は電子検出器１３２１および電荷増幅器１３２
２を介して検出されかつ蓄積されるバツクスキヤツタリ
ングされた電子１３２０を発生する。電荷増幅器１３２
２はフインガ１３００の長さ（この実施例においては１
５０μｍ）に対応する距離１３１２後完全な走査値に達
する図１９に示される波形１３１１を供給する。

【００４９】図１７および図１８に関連して説明された
実施例の変形例において、フインガ１３００Ａ'〜１３
００Ｃ'および反射マーカー１３０２Ａ'〜１３０２Ｃ'
は寸法が著しく減少される。とくに、例えば、フインガ
１３００Ｂ'の長さ１３１４はほぼ２．０μｍである一
方、例えば反射マーカー１２０Ｂ'の長さ１３１３はほ
ぼ２．５μｍである。留意すべきことは、本発明による
フインガ１３００'および対応する反射マーカー１３０
２'の数は３ないし２００の間で変化するということで
ある。電荷増幅器１３２２は距離１３１６後完全な走査
値に達する図２１に示される波形１３１５を供給する。
距離１３１６はフインガ１３００'の長さ１３１４（こ
の実施例においては２．０μｍ）に対応する。この本発
明の実施例は以下の利点、すなわち小さなフインガ１３
００'がより鋭い信号エツジを許容しかつ図１７ないし
図２１に示した実施例にわたつて精度を改善し、かつ多
重フインガ１３００'が信号レベルを改善しかつ小さい
ビーム不規則性を平均することを提供する。フインガ１
３００'（図２０）、フインガ１３００（図１８）また
はビーム１２００（図１４ないし図１６）における各ピ
クセルの位置は前記で詳述されたような内挿入法により
決定される。

【００５０】ピクセルの位置を決定した後、公知のデー
タ換算技術がビーム偏向品質、すなわちＸおよびＹ偏向
軸のラスタスキヤンの直線性、ラスタスキヤンの長さ、
およびスキヤンドリフト対時間または温度を分析するの
に使用される。

【００５１】したがつて、本発明によるビームパラメー
タ測定装置および方法は以下を含むが、それらに限定さ
れない従来技術の装置／方法を超える顕著な利点を提供
する。すなわち、これらの利点は、 １．通常の偏向量、すなわち、レジスト露光中に使用さ
れる偏向量での作動、それにより位置的精度の決定を増
加する、 ２．多重電荷パケツトの積分、それにより信号対雑音性
能を改善するより低い利得増幅器を必要とする、 ３．予想可能な波形を供給する電荷増幅器の使用、それ
により従来の臨界のタイミングの結果を減少する、そし
て ４．リセツト機能の使用、それにより繰り返し測定の処
理量を改善しかつ新たな測定が行われ得る前の時間周期
を最小にすることである。従来の装置（すなわちリセツ
ト機能を設けてないこれらの装置）は低域フイルタの単
一の減衰に関連する時定数を経験する。この設定時間は
代表的には信号を得るのに必要とされる時間より５ない
し１０倍大きい。本発明は信号の直接のゼロ化を許容す
るリセツト機能を提供し、それにより従来技術に見出さ
れる望ましくない時定数を除去する。

【００５２】幾つかのピクセルの特徴を使用すると種々
のデータ表を生じる。例えば、時間または温度の関数と
して表にされる単一のピクセルの位置は装置ドリフトを
制限する。他の表において、終端ピクセル（またはスキ
ヤンの終わりに近いピクセル）はラスタスキヤン長さの
変化を監視するために追跡される。さらに他の表におい
て、多重ピクセルの位置はピクセルの理想的な直線配置
からのずれをプロツトするために公知の「最小二乗法適
合」曲線適合技術を介して分析される。

【００５３】共通のラスタ走査電子ビーム偏向装置に比
して、ベクトル走査装置は独特の挑戦を提起する。ベク
トル走査装置の利点は露光が必要とされる区域にのみビ
ームを偏向することにより処理量の性能に現れる。ラス
タ走査によるように、従来のベクトル走査較正は粗い較
正に関して遅い速度、低周波走査技術にかつ微細較正に
関して実際のパターン露光および計測に依存した。しか
しながら、前述されたように、これらの較正方法は時間
を消費しかつ高価である。

【００５４】ラスタ走査装置とは違って、ベクトル走査
偏向信号は繰り返し可能でなくかつ事実上、ＸおよびＹ
偏向軸において変化するパターン内に電子ビームを置
く。その上、ベクトル走査電子ビームリソグラフ装置に
おいて、ピクセル／スキヤンおよびスキヤン長さの概念
は適用されない。かくして、ビーム偏向の遷移作用は従
来の方法を使用して測定することをとくに困難にする。

【００５５】言い換えれば、ベクトル走査装置において
示される問題はいかに速いかかつ正確には、一方の位置
から他方の位置へ電子ビームがいかに動かされ得るかで
ある。本発明によれば、ベクトル走査された電子ビーム
の位置がビーム無効／非無効信号を制御することにより
時間の関数として決定される。非無効信号が非無効時間
の間中電子ビーム偏向が最小であるかまたは顕著でない
ように制御されるならば、その場合に実用的な測定のた
めに、ラスタスキヤン測定技術の単一ピクセル露光に両
立できる固定の「ストロボ作用を受けた」ビームが創出
される。

【００５６】例えば、図２２を参照して、位置１４０１
は原位置であり一方位置１４０２は指定位置であると仮
定する。電子ビームが位置１４０１から位置１４０２へ
動くとき、ビームが指定位置１４０２に安定する前に幾
らかの固有の行き過ぎおよび立ち直りがある。それゆ
え、本発明によれば、ビームが位置１４０１および１４
０２の間で繰り返して動かされるので、ビームは予め定
めた時間遅延において無効にされない。この繰り返され
た非無効は上述したストロボ作用を創出する。その場合
に、その時間遅延の位置は図１に関連して上述された方
法（すなわちグリツド１４０３が位置に近接して動かさ
れかつ次いで電子ビームがグリツドを横切って進められ
る）と同様な方法により決定される。予め定めた位置の
配置が決定された後、他の時間遅延は位置１４０１と１
４０２との間の電子ビームの非無効のために選択され
る。この方法において、波形１５０５（図２３）が発生
され、この波形はビームが原位置１４０１から指定位置
１４０２に動くときの時間、すなわち偏向装置の設定期
間１５０３の関数として電子ビームの位置を示す。留意
すべきことは、各設定時間測定用の基準点が、同様に図
２３において「Ｔ＝０」で言及される「進行の開始」点
１５０４であるということである。

【００５７】したがつて、図２３を参照すると、この技
術はビームが非無効時間期間１５０１の間の露光のため
に無効にされない前の電子ビームモーメントの位置を決
定するのを助ける。非無効時間期間１５０１の間中、電
子ビームはまだ動いているが、最小の測定エラーを生じ
る量である。

【００５８】例えば、ステージグリツド１４０３を横切
る電子ビームの設定偏向量が０．２μ／μ秒であるなら
ば、その場合に５０ｎ秒の非無効周期の間中、電子ビー
ムは代表的には受容し得る測定エラーである０．０１μ
動く。他の実施例において、より短い非無効期間１２０
１はより少ない測定エラーを発生する。

【００５９】波形１５０５は代表的には測定レベル特徴
としてまたはエラー補正信号および補正アルゴリズムを
発するための手段として使用される。

【００６０】それゆえ、本発明によるベクトルスキヤン
装置において、ビーム偏向はレジスト露光の間中周期的
でない（ラスタスキヤン装置におけるように）が、偏向
信号はビームパラメータ測定の間中周期的であるように
強制され、それにより最悪場合の偏向を示す。

【００６１】上記説明は例示としてのみのもので限定で
はない。当該技術に熟練した者は本発明による走査偏向
ひずみを電気的に測定するための他の装置および方法を
容認する。例えば、本発明の上述した実施例は電子ビー
ムの偏向を測定することに関するけれども、他の実施例
はイオンまたはレーザビームに関連する。そのうえ、本
発明における上述した方法および構造はリソグラフなら
びに計測装置に同様に適用し得る。いずれにしても、本
発明は特許請求の範囲に記載されている。

【００６２】

【発明の効果】叙上のごとく、本発明は、ラスタスキヤ
ン装置においてビームのパラメータを電気的に測定する
ビームパラメータの電気的測定方法が、較正されるべき
ラスタスキヤンの予め定めたピクセルを選択し、前記ピ
クセルに隣接するグリツドを動かし、前記ビームにスト
ロボ作用を受けさせ、前記ビームを前記グリツドの第１
軸線に向かって増分して動かし、そして前記ビームが前
記第１軸線に向かって動くとき前記ビームから生じる信
号を積分する工程を含んでいる構成としたので、従来装
置において発生する偏向軸クロストーク、偏向軸回転作
用、利得差およびスキヤンオフセツト等の異常を回避ま
たは低減するビームパラメータの電気的測定方法および
装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】偏向信号を較正するのに使用する本発明による
プロセスを示すフローチヤートである。

【図２】電子ビームリソグラフ装置用ビーム測定装置を
示すブロツク図である。

【図３】ステージグリツドおよびフオトダイオード検出
器を示す破断図である。

【図４】バツクスキヤツタリングされた電子が基板上の
目標から遮断それる本発明の他の実施例を示す概略図で
ある。

【図５】電荷増幅器を示す配線概略図である。

【図６】電荷増幅器を示す他の配線概略図である。

【図７】ステージグリツドの単一交差を横切って走査さ
れる前の無効にされないピクセルを有するラスタビーム
を示す概略図である。

【図８】代表的な測定サイクルの間の電荷増幅器の電圧
信号出力対出力電圧をグラフで示す図である。

【図９】電荷増幅器電圧出力対電子ビーム位置をグラフ
で示す図である。

【図１０】ビーム電流密度対ビーム中心からの距離をプ
ロツトするグラフの代表的な電子ビーム電流外観を示す
図である。

【図１１】幾つかの隣接するピクセルがラスタビーム中
で無効にされない本発明の他の実施例を示す概略図であ
る。

【図１２】Ｘグリツドを横切って走査された５個の隣接
するピクセル群ならびに１個のピクセルにより発生され
る代表的な波形を示す図である。

【図１３】Ｘグリツドを横切って走査された５個の隣接
するピクセル群ならびに単一ピクセルにより発生される
代表的な波形を示す図である。

【図１４】基板上の反射マークから反射する電子ビーム
を示す斜視図である。

【図１５】図１４に示された電子ビームおよび反射マー
クを示す上面図である。

【図１６】図１５において反射マークを横切って走査さ
れた電子ビームの関連の信号電圧対距離をグラフで示す
図である。

【図１７】基板上の一連の反射セグメントから反射する
複数の電子ビームフインガを示す斜視図である。

【図１８】図１７に示された電子ビームフインガおよび
一連の反射セグメントを示す上面図である。

【図１９】電子ビームフインガが図１８の一連の反射セ
グメントを横切って走査される場合の関連の信号電圧対
距離をグラフで示す図である。

【図２０】本発明の他の実施例によるる複数の電子ビー
ムフインガおよび複数の反射セグメントを示す上面図で
ある。

【図２１】複数の電子ビームフインガが図２０の複数の
反射セグメントを横切って走査される場合の関連の信号
電圧対距離をグラフで示す図である。

【図２２】ベクトルスキヤン装置における原位置および
指定位置を示す図である。

【図２３】ベクトルスキヤン装置における電子ビーム位
置対時間をグラフで示す図である。

【図２４】主ビームが基板を通過するビーム透過装置を
示す図である。

【図２５】主ビームが基板を通過するビーム透過装置を
示す図である。

【符号の説明】

２００ 装置 ２０１ ステージ位置制御装置 ２０１Ａ Ｘステージ位置制御装置 ２０１Ｂ Ｙステージ位置制御装置 ２０４ 基板 ２０５ 電子検出器 ２０６ ステージグリツド ２０７ 電子ビーム ２１０ 電荷増幅器 ２１１ アナログ／デジタル変換器 ２１２ 制御コンピユータ ３０５ フオトダイオード ３０６ ステージグリツド ３０７ 電子ビーム ４０３ ステージ ４０４ 基板 ４０７ 無効にされない電子ビーム ４４０ 電子検出器 ４４２ 反射マーク ５０５ フオトダイオード ５１０ 電荷増幅器 ５２０ 演算増幅器 ５２４ オフセツト調整 ６１０ デジタル増幅器 ６２０ 演算増幅器 ６２４ オフセツト調整 １０００ ピクセル群 １２００ 電子ビーム １２０１ 基板 １２０２ 反射マーク １２２２ 電荷増幅器 １３００ 電子ビーム １３００Ａ ビームフインガ １６００ 基板 １６０１ 反射マーク １６０２ 主電子ビーム １６０３ ビーム検出器 １６０４ 電荷増幅器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−10725（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−84510（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−26819（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−49341（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−82515（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−101214（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−313214（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−297318（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (33)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ラスタスキヤン装置においてビームのパ
   ラメータを電気的に測定するビームパラメータの電気的
   測定方法において、 （ａ）較正されるべきラスタスキヤンの予め定めたピク
   セルを選択し； （ｂ）前記ピクセルに隣接するグリツドを動かし； （ｃ）前記ビームにストロボ作用を受けさせ； （ｄ）前記ビームを前記グリツドの第１軸に向かって増
   分して動かし； （ｅ）前記ビームが前記第１軸に向かって動くとき前記
   ビームから生じる信号を積分し；そして （ｆ）前記信号の予め定めた値が達成されるまで工程
   （ｃ）ないし（ｅ）を繰り返し、それにより前記ビーム
   が前記第１軸を横切ったことを示す工程からなることを
   特徴とするビームパラメータの電気的測定方法。
2. 【請求項２】 さらに、（ｇ）前記ビームにストロボ作
   用を受けさせ； （ｈ）前記ビームを前記グリツドの前記第１軸と直交す
   る第２軸に向かって増分して動かし； （ｉ）前記ビームが前記第２軸に向かって動くとき前記
   ビームから生じる信号を積分し；そして （ｊ）前記ビームが前記第２軸を横切るとき工程（ｇ）
   ないし（ｉ）を繰り返すことを特徴とする請求項１に記
   載のビームパラメータの電気的測定方法。
3. 【請求項３】 増幅器が前記ビームから生じる前記信号
   を積分することを特徴とする請求項１に記載のビームパ
   ラメータの電気的測定方法。
4. 【請求項４】 さらに、前記増幅器をリセツトしかつ前
   記増幅器を積分モードに設定する工程からなることを特
   徴とする請求項３に記載のビームパラメータの電気的測
   定方法。
5. 【請求項５】 工程（ｃ）がＮスキヤン（Ｎは予め定め
   た整数である）だけ前記予め定めたピクセルにストロボ
   作用を受けさせることを含むことを特徴とする請求項１
   に記載のビームパラメータの電気的測定方法。
6. 【請求項６】 前記ステップ（ｅ）は前記増幅器からの
   前記積分された信号をデジタル信号に変換しかつ前記デ
   ジタル信号を蓄積する工程を含むことを特徴とする請求
   項３に記載のビームパラメータの電気的測定方法。
7. 【請求項７】 工程（ａ）が複数のピクセルを選択する
   ことを特徴とする請求項１に記載のビームパラメータの
   電気的測定方法。
8. 【請求項８】 前記複数のピクセルが隣接することを特
   徴とする請求項７に記載のビームパラメータの電気的測
   定方法。
9. 【請求項９】 前記グリツドが基板上の多数の反射セグ
   メントであることを特徴とする請求項１に記載のビーム
   パラメータの電気的測定方法。
10. 【請求項１０】 前記グリツドが透過面上に位置する少
    なくとも１つのスキヤツタリングマークであることを特
    徴とする請求項１に記載のビームパラメータの電気的測
    定方法。
11. 【請求項１１】 前記ラスタスキヤン装置がリソグラフ
    装置であることを特徴とする請求項１に記載のビームパ
    ラメータの電気的測定方法。
12. 【請求項１２】 ラスタスキヤン装置においてビームの
    パラメータを電気的に測定するビームパラメータの電気
    的測定方法において、 （ａ）較正されるべき前記ラスタスキヤンの予め定めた
    複数のピクセルを選択し； （ｂ）前記複数のピクセルに隣接する、少なくとも１つ
    の反射マークを動かし； （ｃ）前記ビームにストロボ作用を受けさせ； （ｄ）前記ビームを前記少なくとも１つの反射マークに
    向かって増分して動かし； （ｅ）前記ビームが前記少なくとも１つの反射マークに
    向かって動くとき前記ビームから生じる信号を積分し；
    そして （ｆ）前記ビームが前記少なくとも１つの反射マークを
    横切るまで前記工程（ｃ）ないし（ｅ）を繰り返すこと
    を特徴とするビームパラメータの電気的測定方法。
13. 【請求項１３】 前記複数のピクセルが隣接することを
    特徴とする請求項１ ２に記載のビームパラメータの電気
    的測定方法。
14. 【請求項１４】 前記ビームが直線的位置決めされた複
    数のビームフインガを含むことを特徴とする請求項１２
    に記載のビームパラメータの電気的測定方法。
15. 【請求項１５】 前記少なくとも１つの反射マークが複
    数の反射セグメントであることを特徴とする請求項１２
    に記載のビームパラメータの電気的測定方法。
16. 【請求項１６】 前記ラスタスキヤン装置がリソグラフ
    装置であることを特徴とする請求項１２に記載のビーム
    パラメータの電気的測定方法。
17. 【請求項１７】 ラスタスキヤン装置においてビームの
    パラメータを電気的に測定するビームパラメータの電気
    的測定方法において、 （ａ）較正されるべき前記ラスタスキヤンの予め定めた
    複数のピクセルを選択し； （ｂ）前記複数のピクセルに隣接する透過面上に位置し
    ている少なくとも１つのスキヤツタリングマークを動か
    し； （ｃ）前記ビームにストロボ作用を受けさせ； （ｄ）前記ビームを前記少なくとも１つのスキヤツタリ
    ングマークに向かって増分して動かし； （ｅ）前記ビームが前記少なくとも１つのスキヤツタリ
    ングマークに向かって動くとき前記ビームから生じる信
    号を積分し；そして （ｆ）前記ビームが前記少なくとも１つのスキヤツタリ
    ングマークを横切るまで前記工程（ｃ）ないし（ｅ）を
    繰り返すことを特徴とするビームパラメータの電気的測
    定方法。
18. 【請求項１８】 前記複数のピクセルが隣接することを
    特徴とする請求項１７に記載のビームパラメータの電気
    的測定方法。
19. 【請求項１９】 前記ビームが直線的位置決めされた複
    数のビームフインガを含むことを特徴とする請求項１７
    に記載のビームパラメータの電気的測定方法。
20. 【請求項２０】 前記少なくとも１つのスキヤツタリン
    グマークが複数のス キヤツタリングセグメントであるこ
    とを特徴とする請求項１７に記載のビームパラメータの
    電気的測定方法。
21. 【請求項２１】 前記ラスタスキヤン装置がリソグラフ
    装置であることを特徴とする請求項１７に記載のビーム
    パラメータの電気的測定方法。
22. 【請求項２２】 ラスタスキヤン装置においてビームの
    パラメータを電気的に測定するビームパラメータの電気
    的測定方法において、 （ａ）ベクトルスキヤン上の原位置および指定位置を選
    択し； （ｂ）前記原位置と前記指定位置との間に前記ビームを
    動かし； （ｃ）工程（ｂ）の間中予め定めた時間に対して前記ビ
    ームを無効にせず； （ｄ）工程（ｂ）および（ｃ）をＮ回（Ｎは予め定めた
    整数である）だけ繰り返し； （ｅ）前記予め定めた時間遅延の値を増分して増加し；
    そして （ｆ）前記ビームが前記指定位置に設定されるまで工程
    （ｂ）ないし（ｅ）を繰り返すことを特徴とするビーム
    パラメータの電気的測定方法。
23. 【請求項２３】 前記ベクトルスキヤン装置がリソグラ
    フ装置であることを特徴とする請求項２２に記載のビー
    ムパラメータの電気的測定方法。
24. 【請求項２４】 基板パターン作成のためにビームパラ
    メータを電気的に測定するビームパラメータの電気的測
    定装置において、 前記基板を位置決めする手段； 前記位置決め手段に固定される検出器； 前記検出器の上に位置決めされるグリツド； 前記検出器に結合される電荷増幅器；および 前記電荷増幅器からの信号に応答した前記位置決め手段
    を制御する手段からなることを特徴とするビームパラメ
    ータの電気的測定装置。
25. 【請求項２５】 前記電荷増幅器が、 演算増幅器； 前記演算増幅器と並列に結合されるスイツチング手段； 前記スイツチング手段と直列に結合されるオフセツト調
    整；および 前記オフセツト調整と前記スイツチング手段との間に結
    合される傾斜微細調整 からなることを特徴とする請求項
    ２４に記載のビームパラメータの電気的測定装置。
26. 【請求項２６】 前記検出器が前記演算増幅器の反転入
    力端子に結合されることを特徴とする請求項２５に記載
    のビームパラメータの電気的測定装置。
27. 【請求項２７】 第１電源が前記演算増幅器の非逆転入
    力端子に結合されることを特徴とする請求項２６に記載
    のビームパラメータの電気的測定装置。
28. 【請求項２８】 前記オフセツト調整および前記傾斜微
    細調整が前記演算増幅器の逆転入力端子に結合されるこ
    とを特徴とする請求項２７に記載のビームパラメータの
    電気的測定装置。
29. 【請求項２９】 前記装置がリソグラフ装置であること
    を特徴とする請求項２４に記載のビームパラメータの電
    気的測定装置。
30. 【請求項３０】 ビームのパラメータを電気的に測定す
    るビームパラメータの電気的測定装置において、 その上に反射マークを有する基板； 前記基板の上に位置決めされる検出器； 前記検出器に結合される電荷増幅器； 前記基板を位置決めするための手段；および 前記電荷増幅器からの信号に応答した前記位置決め手段
    を制御する手段からなることを特徴とするビームパラメ
    ータの電気的測定装置。
31. 【請求項３１】 前記装置がリソグラフ装置であること
    を特徴とする請求項３０に記載のビームパラメータの電
    気的測定装置。
32. 【請求項３２】 ビームのパラメータを電気的に測定す
    るビームパラメータの電気的測定装置において、 その上にスキヤツタリングマークを有する透過面； 前記面の下に位置決めされる検出器； 前記検出器に結合される電荷増幅器； 前記面を位置決めするための手段；および 前記電荷増幅器からの信号に応答した前記位置決め手段
    を制御する手段かるなることを特徴とするビームパラメ
    ータの電気的測定装置。
33. 【請求項３３】 前記装置がリソグラフ装置であること
    を特徴とする請求項３２に記載のビームパラメータの電
    気的測定装置。