JP2945732B2 - 撮像管およびその動作方法 - Google Patents
撮像管およびその動作方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光導電層の少なくとも一部がSeを主体とす
る非晶質半導体から成る撮像管およびその動作方法に関
する。
る非晶質半導体から成る撮像管およびその動作方法に関
する。
非晶質Seは光導電性を示し、一般にｐ形導電性を有す
るとともに、ｎ形導電性の材料と整流性接触をなすこと
から、非晶質Seを光導電層として用い、この特徴を生か
した阻止型撮像管ターゲットを作ることができる。
るとともに、ｎ形導電性の材料と整流性接触をなすこと
から、非晶質Seを光導電層として用い、この特徴を生か
した阻止型撮像管ターゲットを作ることができる。
また、上記阻止型撮像管ターゲットに高電界を印加す
ると、材料内部で電荷のアバランシェ増倍が誘起され、
撮像管の光感度がめざましく増大することが知られてい
る。これについては、例えば、特開昭63−304551号公報
に述べられている。
ると、材料内部で電荷のアバランシェ増倍が誘起され、
撮像管の光感度がめざましく増大することが知られてい
る。これについては、例えば、特開昭63−304551号公報
に述べられている。
さて、非晶質Seは室温近傍にガラス転移温度を持つた
め、非晶質Seを用いた撮像管を長時間連続動作させる
と、温度上昇、光照射、電界印加に由来する局所的な結
晶化が起こり、再生画像に白点状の画面欠陥（以下、こ
れを単に白キズと呼ぶ）が発生する。
め、非晶質Seを用いた撮像管を長時間連続動作させる
と、温度上昇、光照射、電界印加に由来する局所的な結
晶化が起こり、再生画像に白点状の画面欠陥（以下、こ
れを単に白キズと呼ぶ）が発生する。
これを改善する手段として、SeにAsを添加し、ガラス
転移点を上昇させる方法が知られている。しかし、As添
加は、非晶質Se内に電子捕獲準位の形成を伴うので、非
晶質Se系光導電層全体にわたって一様に多量のAsを添加
することは、暗電流や残像等の増加をもたらすため、得
策ではない。
転移点を上昇させる方法が知られている。しかし、As添
加は、非晶質Se内に電子捕獲準位の形成を伴うので、非
晶質Se系光導電層全体にわたって一様に多量のAsを添加
することは、暗電流や残像等の増加をもたらすため、得
策ではない。
上記従来技術には、結晶化に起因する白キズの発生の
防止には有効であるが、撮像管を高電界下で長時間動作
すると、暗電流が大きくなる問題があった。
防止には有効であるが、撮像管を高電界下で長時間動作
すると、暗電流が大きくなる問題があった。
本発明の目的は、非晶質Seを主体とする光導電層を用
いた撮像管において、長時間連続動作させても白キズが
発生せず、かつ高電界下においても暗電流を小さくする
ことができる構造を提供することにある。
いた撮像管において、長時間連続動作させても白キズが
発生せず、かつ高電界下においても暗電流を小さくする
ことができる構造を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の撮像管は、Seを
主体とする非晶質半導体から成る光導電層の、電子注入
阻止層または正孔注入阻止層との界面または界面近傍の
少なくともいずれかの光導電層内の狭い領域のAs添加量
を極力低減し、また、この狭い領域を除く中央部の領域
のAs添加量は該狭い領域よりも少なくすることにより達
成される。
主体とする非晶質半導体から成る光導電層の、電子注入
阻止層または正孔注入阻止層との界面または界面近傍の
少なくともいずれかの光導電層内の狭い領域のAs添加量
を極力低減し、また、この狭い領域を除く中央部の領域
のAs添加量は該狭い領域よりも少なくすることにより達
成される。
すなわち、本発明では、Seを主体とする非晶質半導体
層から成る光導電層内の電子注入阻止層の界面から、ま
たは界面近傍から層厚10nm以上・400nm以下の領域に、A
sを22重量％以上・38重量％以下添加する。また、光導
電層内の正孔注入阻止層の界面から、または界面近傍か
ら層厚10nm以上・100nm以下の領域に、Asを１重量％以
上・５重量％以下添加する。さらに、上記特定の領域以
外の領域に、Asを１重量％以下添加し、非晶質半導体層
全体の層厚を２〜10μｍとしたものである。
層から成る光導電層内の電子注入阻止層の界面から、ま
たは界面近傍から層厚10nm以上・400nm以下の領域に、A
sを22重量％以上・38重量％以下添加する。また、光導
電層内の正孔注入阻止層の界面から、または界面近傍か
ら層厚10nm以上・100nm以下の領域に、Asを１重量％以
上・５重量％以下添加する。さらに、上記特定の領域以
外の領域に、Asを１重量％以下添加し、非晶質半導体層
全体の層厚を２〜10μｍとしたものである。
また、本発明の撮像管の動作方法は、光導電層の内部
で、電荷のアバランシェ増倍が誘起される電界領域で撮
像管を動作させることを特徴とする。
で、電荷のアバランシェ増倍が誘起される電界領域で撮
像管を動作させることを特徴とする。
第１図は、本発明の撮像管の一例を示す断面図であ
る。１は透光性基板、２は透光性導電膜、３は正孔注入
阻止層、４はSeを主体とする非晶質半導体層から成る光
導電層、５は電子注入阻止層である。光導電層４は、Se
−As（Ｉ）層41、Se−As（II）層42、Se−As（III）層4
3から構成されている。Ａは入射光側、Ｂは電子ビーム
走査側である。
る。１は透光性基板、２は透光性導電膜、３は正孔注入
阻止層、４はSeを主体とする非晶質半導体層から成る光
導電層、５は電子注入阻止層である。光導電層４は、Se
−As（Ｉ）層41、Se−As（II）層42、Se−As（III）層4
3から構成されている。Ａは入射光側、Ｂは電子ビーム
走査側である。
本発明者らの最近の研究によれば、非晶質Se膜におけ
る結晶化の核発生は、他層と接する界面領域でのみ起こ
り、内部で起こることはほとんどない。この核発生の物
理的機構は、まだ充分解明されていないが、核発生に必
要な転移エネルギーが、他層との界面で最も低くなって
いるためと考えられる。
る結晶化の核発生は、他層と接する界面領域でのみ起こ
り、内部で起こることはほとんどない。この核発生の物
理的機構は、まだ充分解明されていないが、核発生に必
要な転移エネルギーが、他層との界面で最も低くなって
いるためと考えられる。
上記の事実は、撮像管動作時の暗電流を小さくし、か
つ結晶化に起因する白キズを防止するためには、非晶質
半導体層内の電子注入阻止層または正孔注入阻止層の、
界面または界面近傍の領域のみを結晶化しにくい材料組
成とすることが重要であることを示唆している。
つ結晶化に起因する白キズを防止するためには、非晶質
半導体層内の電子注入阻止層または正孔注入阻止層の、
界面または界面近傍の領域のみを結晶化しにくい材料組
成とすることが重要であることを示唆している。
そこで本発明は、第１図のSe−As（Ｉ）層41により正
孔注入阻止層３との界面領域での結晶化を防止し、Se−
As層（III）43により電子注入阻止層５との界面領域で
の結晶化を防止している。
孔注入阻止層３との界面領域での結晶化を防止し、Se−
As層（III）43により電子注入阻止層５との界面領域で
の結晶化を防止している。
Se−As層（Ｉ）41、Se−As層（III）43の層厚とAs添
加量は、前記目的のために、実験的に定められたもので
ある。
加量は、前記目的のために、実験的に定められたもので
ある。
なお、第１図の例では、As高濃度領域と正孔注入阻止
層３、あるいは電子注入阻止層５を隣接させたが、その
間に、ごく薄い（100nm以下、30〜60nmが望ましい）、A
s添加量が１重量％以下のSe−As層（図示せず）を介在
させても、結晶化に対する効果はほとんど変わらないこ
とが判ってい。また、第１図の例では、Se−As（Ｉ）層
41とSe−As（III）層43以外の半導体層をSe、Asより成
る層としたが、この層にAs以外の添加物、たとえばTeな
どの元素を添加しても、上記の結晶化防止効果は不変で
あることは明らかである。
層３、あるいは電子注入阻止層５を隣接させたが、その
間に、ごく薄い（100nm以下、30〜60nmが望ましい）、A
s添加量が１重量％以下のSe−As層（図示せず）を介在
させても、結晶化に対する効果はほとんど変わらないこ
とが判ってい。また、第１図の例では、Se−As（Ｉ）層
41とSe−As（III）層43以外の半導体層をSe、Asより成
る層としたが、この層にAs以外の添加物、たとえばTeな
どの元素を添加しても、上記の結晶化防止効果は不変で
あることは明らかである。
すなわち、本発明の撮像管では、光導電層のSeにAsを
添加することにより、ガラス転移点を上昇させることが
できるので、長時間連続動作させても白キズが発生せ
ず、また、上記のような界面近傍の特定の領域のみにAs
を高濃度に導入したので、高電界下においても暗電流を
小さく抑えることができる。
添加することにより、ガラス転移点を上昇させることが
できるので、長時間連続動作させても白キズが発生せ
ず、また、上記のような界面近傍の特定の領域のみにAs
を高濃度に導入したので、高電界下においても暗電流を
小さく抑えることができる。
実施例１ 第１図を用いて、本発明の撮像管の第１の実施例を説
明する。
明する。
ガラス基板１上に、酸化インジウムを主体とする透明
導電膜２を形成し、その上に、CeO2を30nmの厚さに蒸着
し、正孔注入阻止層３を形成する。その上に、Se、Asか
ら成る厚さ60nmの非晶質半導体層41を真空蒸着法により
形成する。膜形成に際しては、Se、As2Se3をそれぞれ別
のボートから同時に蒸着させて蒸着し、As濃度が３重量
％となるようにする。その上に、Se、Asから成る非晶質
半導体層42を真空蒸着法により形成する。このときのAs
濃度は0.5重量％とする。その上に、やはり、Se、Asか
ら成る非晶質半導体層43を真空蒸着法により形成する。
このとき、As濃度は、10〜39重量％、膜厚は５〜500nm
の間で変化させ、光導電層全体の膜厚を５μｍとする。
その上に電子注入阻止層５としてSb2S3を１×10-1Torr
の不活性ガス雰囲気中で0.1μｍの厚さに蒸着し、阻止
型構造の光導電ターゲットを得る。さらに、得られたタ
ーゲットを電子銃を内蔵した撮像管匡体中に組込み、光
導電型撮像管を得る。
導電膜２を形成し、その上に、CeO2を30nmの厚さに蒸着
し、正孔注入阻止層３を形成する。その上に、Se、Asか
ら成る厚さ60nmの非晶質半導体層41を真空蒸着法により
形成する。膜形成に際しては、Se、As2Se3をそれぞれ別
のボートから同時に蒸着させて蒸着し、As濃度が３重量
％となるようにする。その上に、Se、Asから成る非晶質
半導体層42を真空蒸着法により形成する。このときのAs
濃度は0.5重量％とする。その上に、やはり、Se、Asか
ら成る非晶質半導体層43を真空蒸着法により形成する。
このとき、As濃度は、10〜39重量％、膜厚は５〜500nm
の間で変化させ、光導電層全体の膜厚を５μｍとする。
その上に電子注入阻止層５としてSb2S3を１×10-1Torr
の不活性ガス雰囲気中で0.1μｍの厚さに蒸着し、阻止
型構造の光導電ターゲットを得る。さらに、得られたタ
ーゲットを電子銃を内蔵した撮像管匡体中に組込み、光
導電型撮像管を得る。
得られた撮像管に、青色光を当て、徐々に電界強度を
大きくすると、全ての撮像管で約７×107V/mで、アバラ
ンシェ増倍を開始し、約1.1×108V/mで増倍率10が得ら
れた。各撮像管を寿命試験装置に入れ、増倍率10を与え
る電界下で2000時間、連続動作させた。そして、寿命試
験終了後、高電界での暗電流値と寿命試験による白キズ
発生の有無を調べた。
大きくすると、全ての撮像管で約７×107V/mで、アバラ
ンシェ増倍を開始し、約1.1×108V/mで増倍率10が得ら
れた。各撮像管を寿命試験装置に入れ、増倍率10を与え
る電界下で2000時間、連続動作させた。そして、寿命試
験終了後、高電界での暗電流値と寿命試験による白キズ
発生の有無を調べた。
以上の結果を、第２図に示す。一点鎖線Ａは、増倍率
が10となる電界を印加したとき、暗電流がほぼ1nAとな
る点を結ぶ特性線であり、暗電流は一点鎖線Ａより上方
では1nAより大きく、一点鎖線Ａより下方では1nAより小
さい。同様に、破線Ｂは、増倍率が30となる電界を印加
したとき、暗電流がほぼ1nAとなる点を結ぶ特性線であ
り、暗電流は破線Ｂより上方では1nAより大きく、破線
Ｂより下方では1nAより小さい。
が10となる電界を印加したとき、暗電流がほぼ1nAとな
る点を結ぶ特性線であり、暗電流は一点鎖線Ａより上方
では1nAより大きく、一点鎖線Ａより下方では1nAより小
さい。同様に、破線Ｂは、増倍率が30となる電界を印加
したとき、暗電流がほぼ1nAとなる点を結ぶ特性線であ
り、暗電流は破線Ｂより上方では1nAより大きく、破線
Ｂより下方では1nAより小さい。
一方、実線Ｃは、上記の寿命試験を行った後、白キズ
の発生が認められた否かを区別する特性線で、実線Ｃよ
り上方では白キズが発生せず、実線Ｃより下方では白キ
ズが発生したことを示す。
の発生が認められた否かを区別する特性線で、実線Ｃよ
り上方では白キズが発生せず、実線Ｃより下方では白キ
ズが発生したことを示す。
すなわち、一点鎖線Ａと実線Ｃとによって囲まれた領
域が適正範囲であり、破線Ｂと実線Ｃとによって囲まれ
た領域が最適範囲である。
域が適正範囲であり、破線Ｂと実線Ｃとによって囲まれ
た領域が最適範囲である。
なお、一点鎖線Ａについて、ｙ＝38（ｘ≦350）、ｙ
＝−0.32x＋150（ｘ≧350）、破線Ｂについて、ｙ＝36
（ｘ≦150）、ｙ＝−0.28x＋78（ｘ≧150）、また、実
線Ｃについて、ｙ＝−0.8x＋46（ｘ≦30）、ｙ＝22（ｘ
≧30）である。
＝−0.32x＋150（ｘ≧350）、破線Ｂについて、ｙ＝36
（ｘ≦150）、ｙ＝−0.28x＋78（ｘ≧150）、また、実
線Ｃについて、ｙ＝−0.8x＋46（ｘ≦30）、ｙ＝22（ｘ
≧30）である。
実施例２ ガラス基板１（第１図参照）上に、酸化スズを主体と
する透明導電膜２を形成し、その上にGeO2を40nm、その
上にCeO2を40nmの厚さに蒸着し、正孔注入阻止層３を形
成する。その上に、Se、AsとLiFから成る膜厚60nmの非
晶質半導体層41を真空蒸着法により形成する。膜形成に
際しては、Se、As2Se3およびLiFをそれぞれ別々のボー
トから同時に蒸発させて蒸着し、As濃度を２重量％と
し、LiF濃度は、2000ppm重量％となるようにする。次
に、Se、Asとから成る非晶質半導体層42を真空蒸着法で
形成する。このときのAs濃度は0.5重量％とする。その
上にSe、Asとから成る非晶質半導体層43を20〜500nmの
厚さの範囲で変化させ、真空蒸着法により形成する。こ
のときのAs濃度は30重量％とする。その上に、Seのみか
ら成る非晶質半導体層（図示せず）を50nmの厚さに、真
空蒸着法により形成し、非晶質半導体層全体の厚さが５
μｍとなるようにする。その上に、電子注入阻止層５と
して、Sb2S3を２×10-2Torrの不活性ガス雰囲気中で0.1
μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電ターゲットを
得る。さらに、これを電子銃を内蔵した撮像管匡体に組
込み、光導電型撮像管を得る。
する透明導電膜２を形成し、その上にGeO2を40nm、その
上にCeO2を40nmの厚さに蒸着し、正孔注入阻止層３を形
成する。その上に、Se、AsとLiFから成る膜厚60nmの非
晶質半導体層41を真空蒸着法により形成する。膜形成に
際しては、Se、As2Se3およびLiFをそれぞれ別々のボー
トから同時に蒸発させて蒸着し、As濃度を２重量％と
し、LiF濃度は、2000ppm重量％となるようにする。次
に、Se、Asとから成る非晶質半導体層42を真空蒸着法で
形成する。このときのAs濃度は0.5重量％とする。その
上にSe、Asとから成る非晶質半導体層43を20〜500nmの
厚さの範囲で変化させ、真空蒸着法により形成する。こ
のときのAs濃度は30重量％とする。その上に、Seのみか
ら成る非晶質半導体層（図示せず）を50nmの厚さに、真
空蒸着法により形成し、非晶質半導体層全体の厚さが５
μｍとなるようにする。その上に、電子注入阻止層５と
して、Sb2S3を２×10-2Torrの不活性ガス雰囲気中で0.1
μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電ターゲットを
得る。さらに、これを電子銃を内蔵した撮像管匡体に組
込み、光導電型撮像管を得る。
得られた撮像管を、実施例１と同様に、寿命試験装置
内で、青色光照射時に増倍率10を与える電界下で、2000
時間、連続動作させた。
内で、青色光照射時に増倍率10を与える電界下で、2000
時間、連続動作させた。
連続動作後、白キズの発生の有無を調べたところ実施
例１の結果とほぼ同様であった。また、暗電流に関する
データ値は、概ね、実施例１の0.8〜1.0倍程度と実施例
１と同等もしくは優れた結果が得られた。
例１の結果とほぼ同様であった。また、暗電流に関する
データ値は、概ね、実施例１の0.8〜1.0倍程度と実施例
１と同等もしくは優れた結果が得られた。
本実施例により、Sb2S3の電子注入阻止層５と、Asを
高濃度に含む層43との間に純Seを50nm程度介在させて
も、As高濃度層の暗電流低減、白キズ発生の抑止効果は
十分有効であることが判る。
高濃度に含む層43との間に純Seを50nm程度介在させて
も、As高濃度層の暗電流低減、白キズ発生の抑止効果は
十分有効であることが判る。
実施例３ ガラス基板１（第１図参照）上に、酸化インジウムを
主体とする透明光導電層２を形成し、その上に、正孔注
入阻止層３としてCeO2を50nmの厚さに蒸着する。その上
に、Se、AsとLiFから成る50nmの厚さの非晶質半導体層4
1を真空蒸着法により形成する。膜形成に際しては、S
e、As2Se3およびLiFをそれぞれ別のボートから蒸発させ
て蒸着し、As濃度を2.0重量％、LiFを1000ppm重量％と
なるようにする。次に、その上に、Se、As、およびTe
（赤の増感）から成る50nmの厚さの非晶質半導体層（図
示せず）を形成する。このときのAs濃度は2.0重量％、T
e濃度は10重量％とする。その上に、Se、Asから成る非
晶質半導体層42を形成する。このときのAs濃度は、1.0
重量％とする。その上に、Se、AsおよびGaF3よりなる20
0nmの膜厚の非晶質半導体層43を形成する。このときのA
s濃度は25重量％、GaF3の濃度は、2000ppm重量％とす
る。その上に、SeとGaF3よりなる50nmの非晶質半導体層
（図示せず）を形成する。このときのGaF3濃度は、2000
ppmとし、光導電層全体の膜厚を５μｍとする。次に、
電子注入阻止層５として、Sb2S3を１×10-1Torrの不活
性ガス雰囲気中で0.2μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造
の光導電ターゲットを得る。さらに、これを電子銃を内
蔵した撮像管匡体に組込み、光導電型撮像管を得る。
主体とする透明光導電層２を形成し、その上に、正孔注
入阻止層３としてCeO2を50nmの厚さに蒸着する。その上
に、Se、AsとLiFから成る50nmの厚さの非晶質半導体層4
1を真空蒸着法により形成する。膜形成に際しては、S
e、As2Se3およびLiFをそれぞれ別のボートから蒸発させ
て蒸着し、As濃度を2.0重量％、LiFを1000ppm重量％と
なるようにする。次に、その上に、Se、As、およびTe
（赤の増感）から成る50nmの厚さの非晶質半導体層（図
示せず）を形成する。このときのAs濃度は2.0重量％、T
e濃度は10重量％とする。その上に、Se、Asから成る非
晶質半導体層42を形成する。このときのAs濃度は、1.0
重量％とする。その上に、Se、AsおよびGaF3よりなる20
0nmの膜厚の非晶質半導体層43を形成する。このときのA
s濃度は25重量％、GaF3の濃度は、2000ppm重量％とす
る。その上に、SeとGaF3よりなる50nmの非晶質半導体層
（図示せず）を形成する。このときのGaF3濃度は、2000
ppmとし、光導電層全体の膜厚を５μｍとする。次に、
電子注入阻止層５として、Sb2S3を１×10-1Torrの不活
性ガス雰囲気中で0.2μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造
の光導電ターゲットを得る。さらに、これを電子銃を内
蔵した撮像管匡体に組込み、光導電型撮像管を得る。
得られた撮像管を実施例１、２と同様に、青色光を当
てたとき増倍率10となる電界で2000時間連続動作させ
た。連続動作後の暗電流を、実施例１、２と同様にして
測定した結果、暗電流は1nA以下と良好であった。ま
た、白キズも発生していなかった。
てたとき増倍率10となる電界で2000時間連続動作させ
た。連続動作後の暗電流を、実施例１、２と同様にして
測定した結果、暗電流は1nA以下と良好であった。ま
た、白キズも発生していなかった。
本実施例により、Teを含む非晶質Se系光導電層におい
ても、本発明が有効であることが判る。
ても、本発明が有効であることが判る。
実施例４ ガラス基板１（第１図参照）上に、Al製の透明光導電
層２を形成し、その上にCeO2を30nmの厚さに蒸着し、正
孔注入阻止層３を形成する。その上に、SeとLiFから成
る100nmの厚さの非晶質半導体（図示せず）を真空蒸着
法により形成する。膜形成に際しては、SeおよびLiFを
それぞれ別のボートから蒸発させて蒸着し、LiFを1000p
pm重量％となるようにする。次に、その上に、Se、Asか
ら成る非晶質半導体層42を形成する。このときのAs濃度
は、1.0重量％とする。その上に、Se、Asよりなる250nm
膜厚の非晶質半導体層43を形成する。このときのAs濃度
は、25重量％とし、光導電層全体の膜厚を６μｍとす
る。次に、電子注入阻止層５として、Sb2S3を２×10-1T
orrの不活性ガス雰囲気中で0.1μｍの厚さに蒸着し、阻
止型ターゲットを得る。これを電子銃を内蔵した撮像管
匡体に組込み、撮像管を得る。
層２を形成し、その上にCeO2を30nmの厚さに蒸着し、正
孔注入阻止層３を形成する。その上に、SeとLiFから成
る100nmの厚さの非晶質半導体（図示せず）を真空蒸着
法により形成する。膜形成に際しては、SeおよびLiFを
それぞれ別のボートから蒸発させて蒸着し、LiFを1000p
pm重量％となるようにする。次に、その上に、Se、Asか
ら成る非晶質半導体層42を形成する。このときのAs濃度
は、1.0重量％とする。その上に、Se、Asよりなる250nm
膜厚の非晶質半導体層43を形成する。このときのAs濃度
は、25重量％とし、光導電層全体の膜厚を６μｍとす
る。次に、電子注入阻止層５として、Sb2S3を２×10-1T
orrの不活性ガス雰囲気中で0.1μｍの厚さに蒸着し、阻
止型ターゲットを得る。これを電子銃を内蔵した撮像管
匡体に組込み、撮像管を得る。
得られた撮像管を実施例１〜３と同様に、青色光を当
てたとき増倍率10となる電界で1000時間連続動作させ
た。連続動作後の暗電流を、実施例１、２と同様にして
測定した結果、暗電流は1nA以下と良好であった。ま
た、白キズも発生していなかった。
てたとき増倍率10となる電界で1000時間連続動作させ
た。連続動作後の暗電流を、実施例１、２と同様にして
測定した結果、暗電流は1nA以下と良好であった。ま
た、白キズも発生していなかった。
本実施例により、第１図のSe−As層（Ｉ）41が、必ず
しも無くとも、長時間安定な撮像管動作が可能であるこ
とが判る。
しも無くとも、長時間安定な撮像管動作が可能であるこ
とが判る。
以上本発明を上記実施例に基づいて具体的に説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であるこ
とは勿論である。
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であるこ
とは勿論である。
以上説明したように、本発明によれば、非晶質Seを主
体とする光導電層を用いた撮像管において、高電界印加
時の暗電流が低く、かつ、長時間連続動作させても白キ
ズを発生しない効果がある。
体とする光導電層を用いた撮像管において、高電界印加
時の暗電流が低く、かつ、長時間連続動作させても白キ
ズを発生しない効果がある。
第１図は、本発明の非晶質Se系光導電層を用いた撮像管
ターゲットの断面構造の一例を示す図、第２図は、本発
明の実施例の結果を示す説明図である。 １……透光性基板 ２……透光性導電膜 ３……正孔注入阻止層 ４……光導電層 ５……電子注入阻止層 41……Se−As（Ｉ）層 42……Se−As（II）層 43……Se−As（III）層
ターゲットの断面構造の一例を示す図、第２図は、本発
明の実施例の結果を示す説明図である。 １……透光性基板 ２……透光性導電膜 ３……正孔注入阻止層 ４……光導電層 ５……電子注入阻止層 41……Se−As（Ｉ）層 42……Se−As（II）層 43……Se−As（III）層
フロントページの続き (72)発明者 平井 忠明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 高嵜 幸男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所茂原工場内 (72)発明者 設楽 圭一 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本 放送協会放送技術研究所内 (72)発明者 谷岡 健吉 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本 放送協会放送技術研究所内 (72)発明者 山崎 順一 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本 放送協会放送技術研究所内 (72)発明者 久保田 節 東京都世田谷区砧１丁目10番11号 日本 放送協会放送技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−80639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−19738（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 29/45
Claims (5)
- 【請求項１】透光性基板上に透光性導電膜、正孔注入阻
止層、少なくとも一部がSeを主体とする非晶質半導体か
ら成る光導電層、および電子注入阻止層を少なくとも形
成して成るターゲットと、電子ビームにより上記ターゲ
ットを走査する電子ビーム制御部とを有する撮像管にお
いて、上記光導電層内の上記電子注入阻止層との界面か
ら、または界面近傍から層厚10nm以上・400nm以下の領
域に、Asを22重量％以上・38重量％以下添加したことを
特徴とする撮像管。 - 【請求項２】透光性基板上に透光性導電膜、正孔注入阻
止層、少なくとも一部がSeを主体とする非晶質半導体か
ら成る光導電層、および電子注入阻止層を少なくとも形
成して成るターゲットと、電子ビームにより上記ターゲ
ットを走査する電子ビーム制御部とを有する撮像管にお
いて、上記光導電層内の上記電子注入阻止層との界面か
ら、または界面近傍から層厚12.5nm以上・200nm以下の
領域に、Asを22重量％以上・36重量％以下添加したこと
を特徴とする撮像管。 - 【請求項３】上記光導電層の上記正孔注入阻止層との界
面から、または界面近傍から層厚10nm以上・100nm以下
の領域に、Asを１重量％以上・５重量％以下添加したこ
とを特徴とする請求項１または２記載の撮像管。 - 【請求項４】上記光導電層の上記特定の領域以外の領域
に、Asを１重量％以下添加したことを特徴とする請求項
１、２または３記載の撮像管。 - 【請求項５】上記光導電層の内部で、電荷のアバランシ
ェ増倍が誘起される電界領域で上記撮像管を動作させる
ことを特徴とする請求項１、２、３または４記載の撮像
管の動作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066190A JP2945732B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 撮像管およびその動作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066190A JP2945732B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 撮像管およびその動作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04112433A JPH04112433A (ja) | 1992-04-14 |
| JP2945732B2 true JP2945732B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=16911311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23066190A Expired - Lifetime JP2945732B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 撮像管およびその動作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2945732B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5529410B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2014-06-25 | 日本放送協会 | 撮像装置及び撮像方法 |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP23066190A patent/JP2945732B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04112433A (ja) | 1992-04-14 |
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