JP2956844B2 - 濃度補正方法 - Google Patents
濃度補正方法Info
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- JP2956844B2 JP2956844B2 JP63104230A JP10423088A JP2956844B2 JP 2956844 B2 JP2956844 B2 JP 2956844B2 JP 63104230 A JP63104230 A JP 63104230A JP 10423088 A JP10423088 A JP 10423088A JP 2956844 B2 JP2956844 B2 JP 2956844B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、多値化パルス幅変調された画像形成信号に
より駆動されるレーザービームによつて、中間調画像を
形成する複写機，レーザープリンタ等の画像形成方法に
係り、特にそれの画像の濃度補正方法に関する。
より駆動されるレーザービームによつて、中間調画像を
形成する複写機，レーザープリンタ等の画像形成方法に
係り、特にそれの画像の濃度補正方法に関する。
まず、本発明の前提となる画像形成装置について述べ
る。
る。
第７図は、半導体レーザーを用いた書込光学系の一例
を示す斜視図である。１は半導体レーザー、２はポリゴ
ンミラー、３は感光体ドラム、４はｆθレンズ、５は集
光レンズ、６はシリンドリカルレンズ、７はミラー、８
は書き出し位置を一定にするための光検知器である。
を示す斜視図である。１は半導体レーザー、２はポリゴ
ンミラー、３は感光体ドラム、４はｆθレンズ、５は集
光レンズ、６はシリンドリカルレンズ、７はミラー、８
は書き出し位置を一定にするための光検知器である。
このような構成において、半導体レーザー１から出射
されたビームは集光レンズ５において平行ビームにさ
れ、この平行ビームはシリンドリカルレンズ６によりポ
リゴンミラー２上に線状に集光される。ポリゴンミラー
２で反射されたビームはｆθレンズ４によつて感光体ド
ラム３上に結像させられ、ビームはポリゴンミラー２の
回転により感光体ドラム３上を走査する。
されたビームは集光レンズ５において平行ビームにさ
れ、この平行ビームはシリンドリカルレンズ６によりポ
リゴンミラー２上に線状に集光される。ポリゴンミラー
２で反射されたビームはｆθレンズ４によつて感光体ド
ラム３上に結像させられ、ビームはポリゴンミラー２の
回転により感光体ドラム３上を走査する。
第８図は、第７図に示した書込光学系を備えた画像形
成装置の全体構成を説明する概略断面図である。図にお
いて、11は第７図に示した書込光学系をユニツトとして
示す書込光学系ユニツトであり、ユニツトのビーム出射
部には防塵ガラス17が備えられており、ユニツトは密閉
構造になつている。12は第７図に感光体ドラム３として
示した感光体ドラム、13は帯電器、14は現像手段、15は
転写紙、16はクリーニング手段である。感光体ドラム12
は図示されていない駆動手段により矢印方向に回転させ
られ、帯電器13により帯電される。その後、書込光学系
ユニツト11からのレーザービームにより走査露光されて
潜像が形成される。そして現像手段14により顕像化さ
れ、転写点において転写紙15上に像を転写する。また感
光体ドラム12上に残されたトナーはクリーニング手段16
により除去される。
成装置の全体構成を説明する概略断面図である。図にお
いて、11は第７図に示した書込光学系をユニツトとして
示す書込光学系ユニツトであり、ユニツトのビーム出射
部には防塵ガラス17が備えられており、ユニツトは密閉
構造になつている。12は第７図に感光体ドラム３として
示した感光体ドラム、13は帯電器、14は現像手段、15は
転写紙、16はクリーニング手段である。感光体ドラム12
は図示されていない駆動手段により矢印方向に回転させ
られ、帯電器13により帯電される。その後、書込光学系
ユニツト11からのレーザービームにより走査露光されて
潜像が形成される。そして現像手段14により顕像化さ
れ、転写点において転写紙15上に像を転写する。また感
光体ドラム12上に残されたトナーはクリーニング手段16
により除去される。
次に、レーザービームを変調するためのパルス幅変調
方式について説明する。
方式について説明する。
このパルス幅変調方式は、画像処理部より階調信号が
入力されると、予め用意された階調に対応するパルス幅
の変調信号により、半導体レーザーからレーザービーム
が出射されるようにしたものである。
入力されると、予め用意された階調に対応するパルス幅
の変調信号により、半導体レーザーからレーザービーム
が出射されるようにしたものである。
第９図は、２ビツト並列信号線を階調信号に割り当
て、２ビツトにより４階調の出力を得る構成のブロツク
図である。D1〜D4はデイレイライン、G1,G2はANDゲー
ト、G3,G4はORゲート、Ｓはセレクタ、Ｄは半導体レー
ザー（LD）駆動回路、１は半導体レーザー（LD）であ
る。
て、２ビツトにより４階調の出力を得る構成のブロツク
図である。D1〜D4はデイレイライン、G1,G2はANDゲー
ト、G3,G4はORゲート、Ｓはセレクタ、Ｄは半導体レー
ザー（LD）駆動回路、１は半導体レーザー（LD）であ
る。
同図に示したパルス幅変調方式は、画像クロツクCLK
と、この画像クロツクCLKをデイレイラインで任意時間
遅延させたものの論理積または論理和をとる構成を階調
数（ここでは４種類）用意し、セレクタＳにより階調信
号に応じたパルス幅の出力を得、これをLD駆動回路Ｄに
与え、半導体レーザー（LD）１を駆動するものである。
と、この画像クロツクCLKをデイレイラインで任意時間
遅延させたものの論理積または論理和をとる構成を階調
数（ここでは４種類）用意し、セレクタＳにより階調信
号に応じたパルス幅の出力を得、これをLD駆動回路Ｄに
与え、半導体レーザー（LD）１を駆動するものである。
第10図，第11図は、デイレイラインとANDゲート、OR
ゲートにより画素クロツクCLKから任意のパルス幅出力
を得るための説明図で、第10図（ａ）はデイレイライン
とANDゲートによる構成図、同図（ｂ）はその動作波形
図、第11図（ａ）はデイレイラインＤとORゲートによる
構成図、同図（ｂ）はその動作波形図である。
ゲートにより画素クロツクCLKから任意のパルス幅出力
を得るための説明図で、第10図（ａ）はデイレイライン
とANDゲートによる構成図、同図（ｂ）はその動作波形
図、第11図（ａ）はデイレイラインＤとORゲートによる
構成図、同図（ｂ）はその動作波形図である。
第10図において、画素クロツクCLKとデイレイライ
ンＤ（遅延時間：ΔT1）を通した遅延信号のANDゲー
トＧに入力することにより、（Ｔ−ΔT1）のパルス幅を
持つた信号を得ることが出来る。したがつて、ΔT1を
任意に選ぶことにより、任意のパルス幅（Ｔ−ΔT1）の
信号を得ることが出来る。
ンＤ（遅延時間：ΔT1）を通した遅延信号のANDゲー
トＧに入力することにより、（Ｔ−ΔT1）のパルス幅を
持つた信号を得ることが出来る。したがつて、ΔT1を
任意に選ぶことにより、任意のパルス幅（Ｔ−ΔT1）の
信号を得ることが出来る。
第11図において、画素クロツクCLKとデイレイライ
ンＤ（遅延時間：ΔT2）を通した遅延信号をORゲート
Ｇに入力することにより、（Ｔ＋ΔT2）のパルス幅を持
つた信号を得ることが出来る。第10図と同様に、ΔT2
を任意に選ぶことにより任意のパルス幅（Ｔ＋ΔT2）の
信号を得ることが出来る。
ンＤ（遅延時間：ΔT2）を通した遅延信号をORゲート
Ｇに入力することにより、（Ｔ＋ΔT2）のパルス幅を持
つた信号を得ることが出来る。第10図と同様に、ΔT2
を任意に選ぶことにより任意のパルス幅（Ｔ＋ΔT2）の
信号を得ることが出来る。
上記した第10図（ａ），第11図（ａ）に示した構成を
階調数に対応した数だけ持ち、これらの信号をセレクタ
に入力、画像処理部から指示された階調信号により、階
調に応じたパルス幅の信号出力を得ることが出来る。
階調数に対応した数だけ持ち、これらの信号をセレクタ
に入力、画像処理部から指示された階調信号により、階
調に応じたパルス幅の信号出力を得ることが出来る。
尚、第９図においては４階調の出力例を示したが、上
記回路構成及び階調信号のビツト数を増やすことによ
り、さらに高階調の出力が可能となる（例えば、８種類
のパルス幅を設定する設定回路及び３ビツトの階調信号
を用意することにより、８階調の出力が可能となる）。
記回路構成及び階調信号のビツト数を増やすことによ
り、さらに高階調の出力が可能となる（例えば、８種類
のパルス幅を設定する設定回路及び３ビツトの階調信号
を用意することにより、８階調の出力が可能となる）。
次に感光体の経時変化について説明する。一例とし
て、OPC感光体を使用し、ネガ−ポジ現像方式（露光部
にトナー像を形成する方式）を採用した場合について述
べる。
て、OPC感光体を使用し、ネガ−ポジ現像方式（露光部
にトナー像を形成する方式）を採用した場合について述
べる。
第12図は、感光体上の帯電電位V0が画像形成回数の増
加に伴つて変化する様子を示したものであり、帯電電位
V0は画像形成回数の増加に伴つて減少する。また、第12
図にはパルス幅T1,T2,T3（T1＜T2＜T3）で感光体上をビ
ーム露光したときの露光後電位VT1,VT2,VT3の経時変化
についても示してある。第12図を見てわかるように露光
後電位VT1,VT2,VT3の変化量は、帯電電位V0の変化量と
異なる。すなわち、短いパルス幅T1,T2で露光したとき
の露光後電位VT1,VT2の変化量は、帯電電位V0の変化量
より大きい（但し、VT1に比べるとVT2の変化量の方が大
きい）。また、長いパルス幅T3で露光したときの露光後
電位VT3はあるところからほぼ一定となる。その結果、
各パルス幅で露光された部分の画像の濃度は、初期と画
像形成回数を重ねたときで第13図に示すように変化す
る。
加に伴つて変化する様子を示したものであり、帯電電位
V0は画像形成回数の増加に伴つて減少する。また、第12
図にはパルス幅T1,T2,T3（T1＜T2＜T3）で感光体上をビ
ーム露光したときの露光後電位VT1,VT2,VT3の経時変化
についても示してある。第12図を見てわかるように露光
後電位VT1,VT2,VT3の変化量は、帯電電位V0の変化量と
異なる。すなわち、短いパルス幅T1,T2で露光したとき
の露光後電位VT1,VT2の変化量は、帯電電位V0の変化量
より大きい（但し、VT1に比べるとVT2の変化量の方が大
きい）。また、長いパルス幅T3で露光したときの露光後
電位VT3はあるところからほぼ一定となる。その結果、
各パルス幅で露光された部分の画像の濃度は、初期と画
像形成回数を重ねたときで第13図に示すように変化す
る。
図中のａは経時特性、ｂは初期特性である。すなわ
ち、これは経時的に画像の濃度上昇、画像の階調再現性
の低下となり、画質を低下させることになる。
ち、これは経時的に画像の濃度上昇、画像の階調再現性
の低下となり、画質を低下させることになる。
この不具合を解消するため、従来、画像形成回数や感
光体の疲労を検出し、その値に応じ現像バイアス電圧を
制御する方式があつたが、これでは常に良好な画像品質
を得ることは出来なかつた。
光体の疲労を検出し、その値に応じ現像バイアス電圧を
制御する方式があつたが、これでは常に良好な画像品質
を得ることは出来なかつた。
また、半導体レーザー駆動パルスのパルス幅設定値を
変更する提案が、例えば特開昭61−189567号公報に記載
されている。この提案は、感光体の表面電位Ｖを測定
し、それと目標中間調電位VH（現像されると所定の中間
調が得られる感光体表面電位）の差が許容値ΔＶを超え
ているか否かの判定がなされる。そして許容値ΔＶを超
えていると、次の制御式に従って目標パルス幅THを演算
して、それと同じかそれに近いパルス幅設定値を選択し
ようとするものである。
変更する提案が、例えば特開昭61−189567号公報に記載
されている。この提案は、感光体の表面電位Ｖを測定
し、それと目標中間調電位VH（現像されると所定の中間
調が得られる感光体表面電位）の差が許容値ΔＶを超え
ているか否かの判定がなされる。そして許容値ΔＶを超
えていると、次の制御式に従って目標パルス幅THを演算
して、それと同じかそれに近いパルス幅設定値を選択し
ようとするものである。
TH＝T3＋α（Ｖ−VH） （式中のT3は基準変調信号のパルス幅、αは定数であ
る） しかし、このようにしてパルス幅の設定値を変更した
だけでは、中間調の全体、すなわち低濃度部から高濃度
部までの広い範囲での階調特性を初期の状態に戻すこと
ができず、中間調の再現性を確実に改善することはでき
なかった。
る） しかし、このようにしてパルス幅の設定値を変更した
だけでは、中間調の全体、すなわち低濃度部から高濃度
部までの広い範囲での階調特性を初期の状態に戻すこと
ができず、中間調の再現性を確実に改善することはでき
なかった。
さらに、特開昭57−154973号公報により、感光体の表
面帯電電位を検出し、それに基づいて帯電用チャージャ
の帯電電圧、現像バイアス、或いはレーザービームの光
量を制御することが提案されている。
面帯電電位を検出し、それに基づいて帯電用チャージャ
の帯電電圧、現像バイアス、或いはレーザービームの光
量を制御することが提案されている。
しかし、この方法でも中間調の全体の階調特性を初期
の状態に戻すことができず、従って中間調の再現性を確
実に改善することはできなかった。
の状態に戻すことができず、従って中間調の再現性を確
実に改善することはできなかった。
本発明はこのような従来技術の欠点を解消し、地肌汚
れを防ぐとともに、画像の高濃度部における階調特性の
再現性を改善する濃度補正方法を提供することを目的と
する。
れを防ぐとともに、画像の高濃度部における階調特性の
再現性を改善する濃度補正方法を提供することを目的と
する。
この目的を達成するために本発明は、画像信号を多値
化変調して画像形成信号を生成し、前記画像形成信号に
より駆動される光源からのビーム光により感光体上に静
電潜像を形成し、この静電潜像をトナーにより顕像化す
る画像形成方法において、 前記感光体の非露光部の状態を検出し、画像の低濃度
部における濃度が感光体疲労前の濃度設定値になるよう
に、前記検出された非露光部の状態に基づいて現像バイ
アスを変更し、 更に画像の高濃度部における濃度が感光体疲労前の階
調特性関係になるように、前記検出された非露光部の状
態に基づいて、前記ビーム光を変調駆動する複数のパル
ス幅を有する変調パルス群のうちパルス幅の長いところ
のパルス幅を感光体疲労前の当該パルス幅よりも短くす
ることにより、前記ビーム光の露光量を変更することを
特徴とするものである。
化変調して画像形成信号を生成し、前記画像形成信号に
より駆動される光源からのビーム光により感光体上に静
電潜像を形成し、この静電潜像をトナーにより顕像化す
る画像形成方法において、 前記感光体の非露光部の状態を検出し、画像の低濃度
部における濃度が感光体疲労前の濃度設定値になるよう
に、前記検出された非露光部の状態に基づいて現像バイ
アスを変更し、 更に画像の高濃度部における濃度が感光体疲労前の階
調特性関係になるように、前記検出された非露光部の状
態に基づいて、前記ビーム光を変調駆動する複数のパル
ス幅を有する変調パルス群のうちパルス幅の長いところ
のパルス幅を感光体疲労前の当該パルス幅よりも短くす
ることにより、前記ビーム光の露光量を変更することを
特徴とするものである。
本発明は、感光体表面電位の経時的変化によって生じ
る画像濃度の上昇を補正するために、感光体上の非露光
部の状態に基づいて現像バイアスを変更することによっ
て、画像の低濃度部における濃度を所定の測定値に補正
するとともに、前記感光体上の非露光部の状態に基づい
て感光体への露光量を変更することによって、画像の高
濃度部における階調の再現性を改善するものである。
る画像濃度の上昇を補正するために、感光体上の非露光
部の状態に基づいて現像バイアスを変更することによっ
て、画像の低濃度部における濃度を所定の測定値に補正
するとともに、前記感光体上の非露光部の状態に基づい
て感光体への露光量を変更することによって、画像の高
濃度部における階調の再現性を改善するものである。
すなわち、従来通りのプロセス値だけを変更する方法
だと、後述する第２図に示されているように高濃度部に
おける階調の線形成が改善されない。その理由は、感光
体表面電位の経時的変化が第12図のようになるからであ
る。
だと、後述する第２図に示されているように高濃度部に
おける階調の線形成が改善されない。その理由は、感光
体表面電位の経時的変化が第12図のようになるからであ
る。
そこで本発明は、画像の低濃度部における濃度が感光
体疲労前の濃度設定値になるように、感光体上の非露光
部の状態に基づいて現像バイアスを変更することにより
地肌汚れを防ぐとともに、更に画像の高濃度部における
濃度が感光体疲労前の階調特性関係になるように、感光
体上の非露光部の状態に基づいて感光体に照射されるビ
ーム光の露光量を変更することにより、高濃度部におけ
る階調の線形性を改善することができる。
体疲労前の濃度設定値になるように、感光体上の非露光
部の状態に基づいて現像バイアスを変更することにより
地肌汚れを防ぐとともに、更に画像の高濃度部における
濃度が感光体疲労前の階調特性関係になるように、感光
体上の非露光部の状態に基づいて感光体に照射されるビ
ーム光の露光量を変更することにより、高濃度部におけ
る階調の線形性を改善することができる。
本発明の実施例を説明する前に、まず感光体の疲労度
を検出する方法について説明する。
を検出する方法について説明する。
第４図は画像形成装置内の感光体ドラム12の表面電位
を検出する表面電位検出器18を備えた例を示したもので
ある。図において、表面電位検出器18は感光体ドラム12
上のビーム照射点P1と帯電器13の間に設けられており、
表面電位検出器18により帯電電位V0を検出でき、第12図
に示した帯電電位V0の変化、すなわち感光体の疲労度を
知ることが出来る。
を検出する表面電位検出器18を備えた例を示したもので
ある。図において、表面電位検出器18は感光体ドラム12
上のビーム照射点P1と帯電器13の間に設けられており、
表面電位検出器18により帯電電位V0を検出でき、第12図
に示した帯電電位V0の変化、すなわち感光体の疲労度を
知ることが出来る。
第５図は、第４図とは別の感光体の疲労度を検出する
方法について説明するための図である。図において19は
反射濃度検出器であり、現像点P2と転写点P3との間の位
置に感光体ドラム12に近接して配置されている。そして
この反射濃度検出器19によりビーム非露光部（地肌部）
の反射濃度を検出し、感光体の疲労を知ることが出来
る。
方法について説明するための図である。図において19は
反射濃度検出器であり、現像点P2と転写点P3との間の位
置に感光体ドラム12に近接して配置されている。そして
この反射濃度検出器19によりビーム非露光部（地肌部）
の反射濃度を検出し、感光体の疲労を知ることが出来
る。
この点につき、以下詳述する。
感光体は、長時間の使用（感光体の経時の疲労、感光
体の膜けずれ等が原因である）により帯電電位V0が低下
してくる。その結果、現像バイアスを初期と同一の値に
設定していた場合、帯電電位V0がある値以下になると、
ビーム露光しない部分（地肌分）にもトナーが付着して
くる。
体の膜けずれ等が原因である）により帯電電位V0が低下
してくる。その結果、現像バイアスを初期と同一の値に
設定していた場合、帯電電位V0がある値以下になると、
ビーム露光しない部分（地肌分）にもトナーが付着して
くる。
第６図は、感光体の電位と感光体上に付着するトナー
量との関係を示したものである（反射濃度検出器19は、
検出器より出射された光の反射光量を検出するものであ
り、トナー付着量が増えた場合、反射光量は低下してく
る）。すなわち、感光体の長時間の使用により帯電電位
がほぼ現像バイアスと同じ値またはそれ以下になると、
感光体上のトナー付着量が増大してくる。よつてトナー
付着量（反射濃度）を検出することにより、帯電電位の
低下、すなわち、感光体の疲労を知ることが出来る。
量との関係を示したものである（反射濃度検出器19は、
検出器より出射された光の反射光量を検出するものであ
り、トナー付着量が増えた場合、反射光量は低下してく
る）。すなわち、感光体の長時間の使用により帯電電位
がほぼ現像バイアスと同じ値またはそれ以下になると、
感光体上のトナー付着量が増大してくる。よつてトナー
付着量（反射濃度）を検出することにより、帯電電位の
低下、すなわち、感光体の疲労を知ることが出来る。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための画像形
成装置全体の系統図である。
成装置全体の系統図である。
第４図で説明した表面電位検出器18,電位検出回路20
により、帯電電位V0を検出する。そして、初期の帯電電
位V0に対し経時的に帯電電位がV0′に下がつたとする
と、バイアス電圧変更回路21,バイアス電圧出力回路22
により、初期における現像バイアス電圧VCからVC′（＝
VC−V0＋V0′）に現像バイアス電圧を変更する。すなわ
ち、帯電電位の低下量ΔV0（＝V0−V0′）とほぼ同じ量
現像バイアスを下げる。
により、帯電電位V0を検出する。そして、初期の帯電電
位V0に対し経時的に帯電電位がV0′に下がつたとする
と、バイアス電圧変更回路21,バイアス電圧出力回路22
により、初期における現像バイアス電圧VCからVC′（＝
VC−V0＋V0′）に現像バイアス電圧を変更する。すなわ
ち、帯電電位の低下量ΔV0（＝V0−V0′）とほぼ同じ量
現像バイアスを下げる。
そのときの画像濃度の階調特性を第２図のａ（破線）
に示す。ｂ（実線）は初期特性である。
に示す。ｂ（実線）は初期特性である。
第２図からわかるように、現像バイアス電圧を変える
ことにより、濃度の低いところから高いところで、ほぼ
均一に濃度が下がる（第13図のａに対し第２図のａはほ
ぼ均一に濃度が下がつた状態となつている）。
ことにより、濃度の低いところから高いところで、ほぼ
均一に濃度が下がる（第13図のａに対し第２図のａはほ
ぼ均一に濃度が下がつた状態となつている）。
第２図のａとｂとを比較してわかるように、現像バイ
アスを変えることにより、濃度の低いところの階調特性
は、初期（感光体疲労前）の階調特性とほぼ同じにする
ことは出来るが、濃度の高い領域の階調特性は初期のと
一致しない。そこで、パルス値の長いところにおけるパ
ルス幅の値をパルス幅設定回路23,セレクタＳにより短
くなる方向へ変え、LD駆動回路Ｄを駆動することによ
り、濃度の高い領域における階調特性を初期の階調特性
とほぼ同じに出来る。
アスを変えることにより、濃度の低いところの階調特性
は、初期（感光体疲労前）の階調特性とほぼ同じにする
ことは出来るが、濃度の高い領域の階調特性は初期のと
一致しない。そこで、パルス値の長いところにおけるパ
ルス幅の値をパルス幅設定回路23,セレクタＳにより短
くなる方向へ変え、LD駆動回路Ｄを駆動することによ
り、濃度の高い領域における階調特性を初期の階調特性
とほぼ同じに出来る。
一例として、 のとき、経時的に、帯電電位が−700Vに変化したとする
と、 と変えることにより、階調特性を初期とほぼ同じ状態に
することが出来る。
と、 と変えることにより、階調特性を初期とほぼ同じ状態に
することが出来る。
但し、 画素密度;16本/mm 感光体線速;90mm/s 有効走査期間率;71.5％ 画素クロツク;10MHz １画素点灯幅;100ms が条件となる。
次に、第３図にパルス幅の設定値を変えるパルス幅設
定回路のブロツク図を示す。第９図に示したブロツク図
と異なる点は、パルス幅T3,T4を得る回路の途中に遅延
時間変更回路を設けたところである。電位検出信号を遅
延時間変更回路d3,d4に入力し、デイレイラインD3,D4の
遅延時間を変更することにより、パルス幅T3,T4を変え
ることが出来る。
定回路のブロツク図を示す。第９図に示したブロツク図
と異なる点は、パルス幅T3,T4を得る回路の途中に遅延
時間変更回路を設けたところである。電位検出信号を遅
延時間変更回路d3,d4に入力し、デイレイラインD3,D4の
遅延時間を変更することにより、パルス幅T3,T4を変え
ることが出来る。
以上、本発明によれば、感光体の長期間使用による感
度劣化等に伴う形成画像の地肌汚れを防ぐとともに、高
濃度部における階調の線形成を改善することができる。
度劣化等に伴う形成画像の地肌汚れを防ぐとともに、高
濃度部における階調の線形成を改善することができる。
第１図は本発明の一実施例に係る画像形成装置全体の系
統図、第２図は同、画像濃度の階調特性図、第３図は
同、パルス幅設定回路のブロツク図、第４図，第５図は
感光体の疲労度を検出する異なる構成を示す図、第６図
は感光体の電位とトナー量との関係を示す図、第７図は
レーザー書込光学系の斜視図、第８図は従来例に係る画
像形成装置の概略図、第９図はレーザービームのパルス
幅変調方式の一例を示すブロツク図、第10図，第11図は
その詳細を示す図であり、（ａ）はブロツク図、（ｂ）
はタイムチヤート、第12図は感光体表面電位の経時劣化
特性を示す図、第13図は従来例に係る画像濃度の階調特
性図である。 18……表面電位検出器、19……反射濃度検出器、20……
電位検出回路、21……バイアス電圧変更回路、22……バ
イアス電圧出力回路、23……パルス幅設定回路、d3,d4
……遅延時間変更回路。
統図、第２図は同、画像濃度の階調特性図、第３図は
同、パルス幅設定回路のブロツク図、第４図，第５図は
感光体の疲労度を検出する異なる構成を示す図、第６図
は感光体の電位とトナー量との関係を示す図、第７図は
レーザー書込光学系の斜視図、第８図は従来例に係る画
像形成装置の概略図、第９図はレーザービームのパルス
幅変調方式の一例を示すブロツク図、第10図，第11図は
その詳細を示す図であり、（ａ）はブロツク図、（ｂ）
はタイムチヤート、第12図は感光体表面電位の経時劣化
特性を示す図、第13図は従来例に係る画像濃度の階調特
性図である。 18……表面電位検出器、19……反射濃度検出器、20……
電位検出回路、21……バイアス電圧変更回路、22……バ
イアス電圧出力回路、23……パルス幅設定回路、d3,d4
……遅延時間変更回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朝田 賢一郎 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 藤岡 尚亘 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 金子 良雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭61−189567（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−154973（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−86353（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−153869（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−159658（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−296062（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03G 15/00 303 G03G 15/04 116 B41J 3/00 H04N 1/23 103
Claims (3)
- 【請求項１】画像信号を多値化変調して画像形成信号を
生成し、前記画像形成信号により駆動される光源からの
ビーム光により感光体上に静電潜像を形成し、この静電
潜像をトナーにより顕像化する画像形成方法において、 前記感光体の非露光部の状態を検出し、画像の低濃度部
における濃度が感光体疲労前の濃度設定値になるよう
に、前記検出された非露光部の状態に基づいて現像バイ
アスを変更し、 更に画像の高濃度部における濃度が感光体疲労前の階調
特性関係になるように、前記検出された非露光部の状態
に基づいて、前記ビーム光を変調駆動する複数のパルス
幅を有する変調パルス群のうちパルス幅の長いところの
パルス幅を感光体疲労前の当該パルス幅よりも短くする
ことにより、前記ビーム光の露光量を変更することを特
徴とする濃度補正方法。 - 【請求項２】前記感光体上の表面電位を検出することに
より、前記感光体の非露光部の状態を検出することを特
徴とする請求項（１）記載の濃度補正方法。 - 【請求項３】前記感光体上の非露光部の濃度を検出する
ことにより、前記感光体の非露光部の状態を検出するこ
とを特徴とする請求項（１）記載の濃度補正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63104230A JP2956844B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 濃度補正方法 |
| US07/338,273 US4914459A (en) | 1988-04-18 | 1989-04-14 | Image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63104230A JP2956844B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 濃度補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276166A JPH01276166A (ja) | 1989-11-06 |
| JP2956844B2 true JP2956844B2 (ja) | 1999-10-04 |
Family
ID=14375162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63104230A Expired - Fee Related JP2956844B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-28 | 濃度補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2956844B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5486353A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Recorder |
| JPS57154973A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-24 | Minolta Camera Co Ltd | Controller of electrostatic recorder |
| JPH0750343B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63104230A patent/JP2956844B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01276166A (ja) | 1989-11-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |