JP2968955B2 - イオン注入設備のウェーハ汚染防止装置 - Google Patents
イオン注入設備のウェーハ汚染防止装置Info
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイオン注入設備のウ
ェーハ汚染防止装置に関し、より詳細には、イオンを加
速させディスク上に設置されたウェーハに注入する際、
加速されたイオンがディスクに衝突して発生する金属イ
オンによってウェーハの縁が汚染されるのを防止するイ
オン注入設備のウェーハ汚染防止装置に関するものであ
る。
ェーハ汚染防止装置に関し、より詳細には、イオンを加
速させディスク上に設置されたウェーハに注入する際、
加速されたイオンがディスクに衝突して発生する金属イ
オンによってウェーハの縁が汚染されるのを防止するイ
オン注入設備のウェーハ汚染防止装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体製造技術においてイオン注
入は、ターゲットの表面を貫通する程度の高い加速エネ
ルギーをイオンに与えることでターゲットの中に原子イ
オンを注入する技術をいい、この技術を行うのがイオン
注入設備である。
入は、ターゲットの表面を貫通する程度の高い加速エネ
ルギーをイオンに与えることでターゲットの中に原子イ
オンを注入する技術をいい、この技術を行うのがイオン
注入設備である。
【０００３】半導体製造工程でイオン注入設備は1014な
いし1018原子/cm3の範囲で不純物の濃度を調節すること
ができ、これは他の不純物の注入技術を利用したものよ
り濃度の調節が容易なため多く用いられている。
いし1018原子/cm3の範囲で不純物の濃度を調節すること
ができ、これは他の不純物の注入技術を利用したものよ
り濃度の調節が容易なため多く用いられている。
【０００４】前述したイオン注入設備は、真空装置、イ
オン供給装置、イオン抽出加速装置、イオン分析装置、
加速装置及びディスクなどからなり、各部分でイオンの
分解、抽出、そして加速のための多様なレベルの高電圧
が供給される。このような多様なレベルの電圧が供給さ
れることによりイオン供給装置から供給されるガスがプ
ラズマ状態に変換され、与えられた電圧によって形成さ
れる電界によりイオンが加速、抽出される。抽出された
イオンはイオンビームを形成し、このイオンビームが回
折する地点でイオンの量及び大きさなどが分析されて、
イオンがウェーハに適当な深さで注入されるようイオン
ビームの加速が調節される。
オン供給装置、イオン抽出加速装置、イオン分析装置、
加速装置及びディスクなどからなり、各部分でイオンの
分解、抽出、そして加速のための多様なレベルの高電圧
が供給される。このような多様なレベルの電圧が供給さ
れることによりイオン供給装置から供給されるガスがプ
ラズマ状態に変換され、与えられた電圧によって形成さ
れる電界によりイオンが加速、抽出される。抽出された
イオンはイオンビームを形成し、このイオンビームが回
折する地点でイオンの量及び大きさなどが分析されて、
イオンがウェーハに適当な深さで注入されるようイオン
ビームの加速が調節される。
【０００５】前述した従来のイオン注入設備は、製造会
社及び用途によって差はあるが大体図２のような構成を
持つ。
社及び用途によって差はあるが大体図２のような構成を
持つ。
【０００６】図２において、イオンビームが発生されて
ウェーハ10に注入される経路に沿って、イオン供給装置
12、イオン抽出加速装置14、分析装置16、加速チューブ
18、タンデム電子チャンバー20及びディスク22が設けら
れている。そして、ウェーハ10に注入されるイオンのた
めの中性化環境を提供するとともに、注入されるドーズ
の量を測定するためのファラデーカップアセンブリー24
が設けられている。
ウェーハ10に注入される経路に沿って、イオン供給装置
12、イオン抽出加速装置14、分析装置16、加速チューブ
18、タンデム電子チャンバー20及びディスク22が設けら
れている。そして、ウェーハ10に注入されるイオンのた
めの中性化環境を提供するとともに、注入されるドーズ
の量を測定するためのファラデーカップアセンブリー24
が設けられている。
【０００７】前記の構成によって、ウェーハ10に注入す
るイオンを生成するためのソースガスがイオン供給装置
12を通じてイオン抽出加速装置14に供給され、イオン抽
出加速装置14で陽イオンがガスから生成、抽出され、分
析装置16でビームを形成しながら進行する陽イオンが回
折してイオンビームに対する定量分析が行われる。
るイオンを生成するためのソースガスがイオン供給装置
12を通じてイオン抽出加速装置14に供給され、イオン抽
出加速装置14で陽イオンがガスから生成、抽出され、分
析装置16でビームを形成しながら進行する陽イオンが回
折してイオンビームに対する定量分析が行われる。
【０００８】そして、加速チューブ18及びタンデム電子
チャンバー20でイオンが加速、集束され、ディスク22に
装着されたウェーハ10にイオンが注入される。ウェーハ
10に注入されるイオンの量はファラデーカップアセンブ
リー24の電流メータ28で測定される。電源26はファラデ
ーカップ内部の二次電子抑制用に使われる。
チャンバー20でイオンが加速、集束され、ディスク22に
装着されたウェーハ10にイオンが注入される。ウェーハ
10に注入されるイオンの量はファラデーカップアセンブ
リー24の電流メータ28で測定される。電源26はファラデ
ーカップ内部の二次電子抑制用に使われる。
【０００９】前述した従来のイオン注入設備でイオンビ
ームが最終的にウェーハ10とディスク22に到達すると、
ウェーハ10とディスク22に陽イオンの衝突が起こる。
ウェーハ10に衝突して注入される陽イオンはウェーハの
内部で不純物として作用する。しかし、ディスク22に陽
イオンが衝突すると、ディスク22から金属イオンが散乱
して、前記の金属イオンによってウェーハの縁部が汚染
される。
ームが最終的にウェーハ10とディスク22に到達すると、
ウェーハ10とディスク22に陽イオンの衝突が起こる。
ウェーハ10に衝突して注入される陽イオンはウェーハの
内部で不純物として作用する。しかし、ディスク22に陽
イオンが衝突すると、ディスク22から金属イオンが散乱
して、前記の金属イオンによってウェーハの縁部が汚染
される。
【００１０】前述した従来のウェーハの縁部の汚染物質
は、大体、鉄やアルミニウムを含む金属類である。ウェ
ーハの縁部を汚染した物質は、ウェーハを製造する過程
でいくつかの大きな不良原因として作用し、結局ウェー
ハの収率低下を引き起こす。前述した問題点は深部注入
工程を行うために300keV以上の高いエネルギーでイオン
注入を行うイオン注入設備において特にひどく発生す
る。
は、大体、鉄やアルミニウムを含む金属類である。ウェ
ーハの縁部を汚染した物質は、ウェーハを製造する過程
でいくつかの大きな不良原因として作用し、結局ウェー
ハの収率低下を引き起こす。前述した問題点は深部注入
工程を行うために300keV以上の高いエネルギーでイオン
注入を行うイオン注入設備において特にひどく発生す
る。
【００１１】ウェーハの縁部を汚染させる金属の汚染量
はイオンビームの加速エネルギーとビーム電流（イオン
ビームの量）に比例し、従来のイオン注入工程でのウェ
ーハの金属の汚染防止対策としては、加速エネルギー又
はビーム電流を減らす方法が提示された。
はイオンビームの加速エネルギーとビーム電流（イオン
ビームの量）に比例し、従来のイオン注入工程でのウェ
ーハの金属の汚染防止対策としては、加速エネルギー又
はビーム電流を減らす方法が提示された。
【００１２】しかし、加速エネルギーはイオン注入の深
さを決定する重要な要素であるので、不純物発生を抑制
するために加速エネルギーを可変させることには限界が
あるという問題があった。
さを決定する重要な要素であるので、不純物発生を抑制
するために加速エネルギーを可変させることには限界が
あるという問題があった。
【００１３】一方、ビーム電流を減らすと単位時間当た
り発生する汚染物質の量を減らすことはできる。しか
し、これは製品の生産量を決定する重要な要素であり、
単位時間当たりウェーハに注入されるイオンの数が減る
ので、それに伴いウェーハ当たりの工程時間が長くな
り、その分生産性が低下するという問題があった。
り発生する汚染物質の量を減らすことはできる。しか
し、これは製品の生産量を決定する重要な要素であり、
単位時間当たりウェーハに注入されるイオンの数が減る
ので、それに伴いウェーハ当たりの工程時間が長くな
り、その分生産性が低下するという問題があった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高い
エネルギーでイオン注入を行なう際、加速されたイオン
がディスクに衝突して発生する金属イオンによってウェ
ーハが汚染されることを防止する為のイオン注入設備の
ウェーハ汚染防止装置を提供することにある。
エネルギーでイオン注入を行なう際、加速されたイオン
がディスクに衝突して発生する金属イオンによってウェ
ーハが汚染されることを防止する為のイオン注入設備の
ウェーハ汚染防止装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明によるイオン注入設備のウェーハ汚染防止装
置は、ディスクに装着されたウェーハにイオンを加速さ
せて注入するイオン注入設備のウェーハ汚染防止装置に
おいて、前記ディスク上に装着されたウェーハ周辺部に
前記イオンがディスクに衝突して発生する金属イオンに
対する逆磁場を形成する磁場形成手段を設置してなる。
め、本発明によるイオン注入設備のウェーハ汚染防止装
置は、ディスクに装着されたウェーハにイオンを加速さ
せて注入するイオン注入設備のウェーハ汚染防止装置に
おいて、前記ディスク上に装着されたウェーハ周辺部に
前記イオンがディスクに衝突して発生する金属イオンに
対する逆磁場を形成する磁場形成手段を設置してなる。
【００１６】そして、前記磁場形成手段はマグネットで
構成され、これは300keV以上の加速エネルギーが要求さ
れる設備に適用されるのが望ましい。
構成され、これは300keV以上の加速エネルギーが要求さ
れる設備に適用されるのが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるイオン注入設
備のウェーハ汚染防止装置を示した実施例で、図１にお
いて図２と重複する部分については同一符号で示し、こ
れに関する具体的な説明は省略する。
備のウェーハ汚染防止装置を示した実施例で、図１にお
いて図２と重複する部分については同一符号で示し、こ
れに関する具体的な説明は省略する。
【００１８】図１を参照すると、本発明による実施例に
おいては、イオンビームが発生されてウェーハ10に注入
される経路に沿って、イオン供給装置12、イオン抽出加
速装置14、分析装置16、加速チューブ18、タンデム電子
チャンバー20及びディスク22が設けられている。そし
て、ウェーハ10に注入されるイオンに中性化環境を提供
するとともに、注入される不純物の量を測定するための
ファラデーカップアセンブリー24がさらに設けられてい
る。さらに、ファラデーカップアセンブリー24には逆バ
イアス電圧を与える電源26とイオン注入量を表示する電
流メータ28が備えられている。
おいては、イオンビームが発生されてウェーハ10に注入
される経路に沿って、イオン供給装置12、イオン抽出加
速装置14、分析装置16、加速チューブ18、タンデム電子
チャンバー20及びディスク22が設けられている。そし
て、ウェーハ10に注入されるイオンに中性化環境を提供
するとともに、注入される不純物の量を測定するための
ファラデーカップアセンブリー24がさらに設けられてい
る。さらに、ファラデーカップアセンブリー24には逆バ
イアス電圧を与える電源26とイオン注入量を表示する電
流メータ28が備えられている。
【００１９】さらに、ウェーハが載置されるディスク22
上にマグネット30が設置され、マグネット30はウェーハ
より若干大きな内径を有するリング形状を有している。
マグネット30の極性の設定は、金属イオンについて外部
に斥力が及ぶようにしなければならない。前記のマグネ
ット30がディスク22に設置された後、ウェーハ10はディ
スク22のマグネット30の内径に設置される。
上にマグネット30が設置され、マグネット30はウェーハ
より若干大きな内径を有するリング形状を有している。
マグネット30の極性の設定は、金属イオンについて外部
に斥力が及ぶようにしなければならない。前記のマグネ
ット30がディスク22に設置された後、ウェーハ10はディ
スク22のマグネット30の内径に設置される。
【００２０】前述したように構成されることでウェーハ
の縁部の金属による汚染が防止される。
の縁部の金属による汚染が防止される。
【００２１】具体的に説明すると、イオンがイオン発生
部12で発生され所定加速エネルギーに加速された後、ウ
ェーハ10やディスク22に衝突すると、これによってウェ
ーハ10で二次電子が発生し、ディスク22で金属イオンが
発生する。
部12で発生され所定加速エネルギーに加速された後、ウ
ェーハ10やディスク22に衝突すると、これによってウェ
ーハ10で二次電子が発生し、ディスク22で金属イオンが
発生する。
【００２２】ウェーハ10で発生する二次電子は、通常、
高圧で逆バイアスされる電圧によって抑制される。
高圧で逆バイアスされる電圧によって抑制される。
【００２３】そして、ディスク22で発生する金属イオン
は、高圧の逆バイアス電圧とマグネット30による磁場に
より抑制されてウェーハ10への接近が遮断される。
は、高圧の逆バイアス電圧とマグネット30による磁場に
より抑制されてウェーハ10への接近が遮断される。
【００２４】ディスク22で発生する鉄やアルミニウムの
ような金属イオンは電気的に陰性であり、また、マグネ
ット30の外面は陰性で、一方ディスクに接するマグネッ
ト30の内面は陽性である。従って、マグネット30の外面
は鉄やアルミニウムイオンのような金属イオンに対して
斥力を有し、それにより前述したように金属イオンのウ
ェーハへの接近が遮断される。
ような金属イオンは電気的に陰性であり、また、マグネ
ット30の外面は陰性で、一方ディスクに接するマグネッ
ト30の内面は陽性である。従って、マグネット30の外面
は鉄やアルミニウムイオンのような金属イオンに対して
斥力を有し、それにより前述したように金属イオンのウ
ェーハへの接近が遮断される。
【００２５】従って、ウェーハ10の縁部ではイオン注入
工程中に鉄やアルミニウムそしてその他の金属イオンの
接近が遮断され、それらによる汚染が起こるのが防止さ
れる。
工程中に鉄やアルミニウムそしてその他の金属イオンの
接近が遮断され、それらによる汚染が起こるのが防止さ
れる。
【００２６】特に、本発明による実施例は、300keV以上
の高い値の加速エネルギーでイオン注入が行われる深部
注入工程に適用される際、より大きな効果が期待され
る。これは前述したように金属イオンが発生する量は加
速エネルギーとビーム電流に影響を受けるからである。
の高い値の加速エネルギーでイオン注入が行われる深部
注入工程に適用される際、より大きな効果が期待され
る。これは前述したように金属イオンが発生する量は加
速エネルギーとビーム電流に影響を受けるからである。
【００２７】
【発明の効果】従って、本発明によるとイオン注入時、
ディスクにイオンが衝突して発生する金属イオンのウェ
ーハへの接近が遮断されるので、ウェーハの縁部の汚染
が防止され、それによってウェーハの収率が極大化され
るなどの効果がある。
ディスクにイオンが衝突して発生する金属イオンのウェ
ーハへの接近が遮断されるので、ウェーハの縁部の汚染
が防止され、それによってウェーハの収率が極大化され
るなどの効果がある。
【００２８】以上でみた本発明は記載された具体例に対
してのみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内
で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとっ
て明白なことであり、このような変形及び修正が添付さ
れた特許請求範囲に属することは当然なことである。
してのみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内
で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとっ
て明白なことであり、このような変形及び修正が添付さ
れた特許請求範囲に属することは当然なことである。
【図１】本発明によるイオン注入設備のウェーハ汚染防
止装置の実施例を示す図である。
止装置の実施例を示す図である。
【図２】従来のイオン注入設備を示す概略図である。
10 ウェーハ 12 イオン供給装置 14 イオン抽出加速装置 16 分析装置 18 加速チューブ 20 タンデム電子チャンバー 22 ディスク 24 ファラデーカップアセンブリー 26 電源 28 電流メータ 30 マグネット
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/317 H01J 37/20 H01L 21/265
Claims (2)
- 【請求項１】 ディスクに装着されたウェーハにイオン
を加速させて注入するイオン注入設備のウェーハ汚染防
止装置において、 前記イオンが前記ディスクに衝突することにより発生す
る金属イオンがウェーハに接近するのを遮断するため、
前記ディスク上のウェーハの周囲にマグネットが設けら
れ、前記マグネットは前記ディスクに接する面が陽極、
その反対面が陰極となっていることを特徴とするイオン
注入設備のウェーハ汚染防止装置。 - 【請求項２】 前記イオン注入のための加速エネルギー
が300keV以上の時に前記磁場形成手段が設けられること
を特徴とする請求項1記載の前記イオン注入装置のウェ
ーハ汚染防止装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970007993A KR100241695B1 (ko) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 이온주입설비의 웨이퍼 오염방지장치 |
| KR1997-7993 | 1997-03-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10269984A JPH10269984A (ja) | 1998-10-09 |
| JP2968955B2 true JP2968955B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=19499276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10058141A Expired - Fee Related JP2968955B2 (ja) | 1997-03-10 | 1998-03-10 | イオン注入設備のウェーハ汚染防止装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5977553A (ja) |
| JP (1) | JP2968955B2 (ja) |
| KR (1) | KR100241695B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3934262B2 (ja) * | 1998-10-13 | 2007-06-20 | 三星電子株式会社 | 半導体を製造するため使用するイオン注入装置のファラデーカップをモニタする方法 |
| DE112017007863B4 (de) * | 2017-09-15 | 2022-10-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ionenfräsvorrichtung |
| CN114256045B (zh) * | 2021-12-16 | 2024-06-18 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 改善离子注入机金属污染的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05106037A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置及びその制御方法 |
| US5757018A (en) * | 1995-12-11 | 1998-05-26 | Varian Associates, Inc. | Zero deflection magnetically-suppressed Faraday for ion implanters |
-
1997
- 1997-03-10 KR KR1019970007993A patent/KR100241695B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-04 US US09/034,328 patent/US5977553A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-10 JP JP10058141A patent/JP2968955B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100241695B1 (ko) | 2000-02-01 |
| US5977553A (en) | 1999-11-02 |
| KR19980072962A (ko) | 1998-11-05 |
| JPH10269984A (ja) | 1998-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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