JP3129960B2 - Ｆｐｃ上のベアチップｉｃの樹脂封止構造およびその製造方法 - Google Patents
Ｆｐｃ上のベアチップｉｃの樹脂封止構造およびその製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に樹脂にて封止
することにより信頼性を得るモジュール、特にＦＰＣ上
のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法に
関する。
することにより信頼性を得るモジュール、特にＦＰＣ上
のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂
封止構造における封止樹脂の気泡防止対策は、まず樹脂
を塗布した際、気泡を発生させない方法として、実装さ
れたベアチップＩＣとＦＰＣ（フレキシブル プリント
配線板）に対して、気泡の発生しにくい塗布位置及び
塗布条件（塗布スピード、塗布量、樹脂温度等）により
最適値を検討し、樹脂剤自体の粘性を改善して、流動性
の高いものを使用していた。しかし、これだけの対策で
は、完全に気泡の発生は防止することはできなかった。
封止構造における封止樹脂の気泡防止対策は、まず樹脂
を塗布した際、気泡を発生させない方法として、実装さ
れたベアチップＩＣとＦＰＣ（フレキシブル プリント
配線板）に対して、気泡の発生しにくい塗布位置及び
塗布条件（塗布スピード、塗布量、樹脂温度等）により
最適値を検討し、樹脂剤自体の粘性を改善して、流動性
の高いものを使用していた。しかし、これだけの対策で
は、完全に気泡の発生は防止することはできなかった。
【０００３】次の対策として、封止樹脂の脱泡工程が取
り入れられた。図６に従来のＦＰＣ上のベアチップＩＣ
の封止樹脂における脱泡工程を示す。ＦＰＣ等回路を構
成する基板にベアチップＩＣ等半導体部品を実装し樹脂
を塗布した電子部品モジュール５０を、その樹脂か硬化
する前にデシケータか完全に密閉された温度槽５１に入
れ、槽に接続された真空ポンプ５２を作動させて、脱泡
作業を行う。５３はその時の排気を示す。
り入れられた。図６に従来のＦＰＣ上のベアチップＩＣ
の封止樹脂における脱泡工程を示す。ＦＰＣ等回路を構
成する基板にベアチップＩＣ等半導体部品を実装し樹脂
を塗布した電子部品モジュール５０を、その樹脂か硬化
する前にデシケータか完全に密閉された温度槽５１に入
れ、槽に接続された真空ポンプ５２を作動させて、脱泡
作業を行う。５３はその時の排気を示す。
【０００４】脱泡装置は、端的に言えば、完全密閉でき
る温度槽とそれに接続された真空ポンプにより構成さ
れ、真空ポンプを作動させることによって、温度槽内の
空気を排出するものである。この装置に入れることによ
って、樹脂が硬化していないので真空ポンプによる槽内
の空気の圧力の低下により、封止樹脂内にある気泡は樹
脂外ヘと排出される。さらに、槽内の温度を上げること
によって、脱泡の効率を向上させることかできるが、こ
のような手間のかかる脱泡工程を採用していた。
る温度槽とそれに接続された真空ポンプにより構成さ
れ、真空ポンプを作動させることによって、温度槽内の
空気を排出するものである。この装置に入れることによ
って、樹脂が硬化していないので真空ポンプによる槽内
の空気の圧力の低下により、封止樹脂内にある気泡は樹
脂外ヘと排出される。さらに、槽内の温度を上げること
によって、脱泡の効率を向上させることかできるが、こ
のような手間のかかる脱泡工程を採用していた。
【０００５】ＦＰＣ等回路を構成する基板にベアチップ
ＩＣ等半導体部品を実装し樹脂を塗布した電子部品モジ
ュール５０について、図７を用いて説明する。図７
（ａ）は実装前の平面図であり、ＦＰＣ（フレキシブル
プリント配線基板 サーキット）５４にＩＣ実装部の
ベアチップＩＣとの接続リード（ＩＬＢ、インナー リ
ード ボンド）５５をベアチップＩＣのバンプに対向す
るよう４方向に配置されている。図７（ｂ）は実装前の
断面図である。ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム
５６上の銅箔５７をエッチングによりパターン形成した
後、レジスト剤５８を印刷によりその上に形成し、硬化
させ作製する。
ＩＣ等半導体部品を実装し樹脂を塗布した電子部品モジ
ュール５０について、図７を用いて説明する。図７
（ａ）は実装前の平面図であり、ＦＰＣ（フレキシブル
プリント配線基板 サーキット）５４にＩＣ実装部の
ベアチップＩＣとの接続リード（ＩＬＢ、インナー リ
ード ボンド）５５をベアチップＩＣのバンプに対向す
るよう４方向に配置されている。図７（ｂ）は実装前の
断面図である。ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム
５６上の銅箔５７をエッチングによりパターン形成した
後、レジスト剤５８を印刷によりその上に形成し、硬化
させ作製する。
【０００６】図７（ｃ）は実装後の平面図であり、５４
はＦＰＣ、５５はＦＰＣへのＩＣ実装部のための接続リ
ード（ＩＬＢ）であり、５９はベアチップＩＣである。
図７（ｄ）は実装後の断面図である。ＦＰＣの基材であ
るポリイミドフィルム５６上に銅箔５７があり、レジス
ト剤５８が印刷され、ベアチップＩＣ５９上のバンプ６
０は銅箔５７と圧接され、電気的導通が図られている。
そして、ベアチップＩＣとＦＰＣとの空間には封止樹脂
剤６１が充填されている。
はＦＰＣ、５５はＦＰＣへのＩＣ実装部のための接続リ
ード（ＩＬＢ）であり、５９はベアチップＩＣである。
図７（ｄ）は実装後の断面図である。ＦＰＣの基材であ
るポリイミドフィルム５６上に銅箔５７があり、レジス
ト剤５８が印刷され、ベアチップＩＣ５９上のバンプ６
０は銅箔５７と圧接され、電気的導通が図られている。
そして、ベアチップＩＣとＦＰＣとの空間には封止樹脂
剤６１が充填されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造においては以
下に示すような問題点があった。
ＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造においては以
下に示すような問題点があった。
【０００８】回路構成されたＦＰＣ基板に実装されたべ
アチップＩＣは、数十μｍ〜百数十μｍの接続パンプを
介して、ＦＰＣ基板とベアチップＩＣとが電気的、機械
的に接合されている。従って、外力や環境条件により信
頼性に著しい影響を与えることになる。
アチップＩＣは、数十μｍ〜百数十μｍの接続パンプを
介して、ＦＰＣ基板とベアチップＩＣとが電気的、機械
的に接合されている。従って、外力や環境条件により信
頼性に著しい影響を与えることになる。
【０００９】そのため、ベアチップＩＣと基板の接続部
を保護するため、エポキシ樹脂等の樹脂剤がベアチップ
ＩＣとＦＰＣとの空間に塗布し硬化させることにより、
接続信頼性を確保するものである。しかし、その樹脂内
に気泡が入っている場合、諸条件によって、気泡の膨張
や収縮により封止樹脂にクラックが生じることがある。
また封止樹脂はベアチップＩＣの下部にも注入してお
り、特にこの部分に発生した気泡は、膨張によりベアチ
ップＩＣを上方に押し上げ、接続部に対して、剥離方向
の応力が働き断線に至る。概ね封止樹脂内に発生する気
泡はこの部分に集中していた。従来のＦＰＣでは、実装
したベアチップＩＣの下部には何もなくフラットな場合
でも、ＦＰＣとベアチップＩＣの間に流入した樹脂は、
ベアチップＩＣのバンプピッチやバンプ形状に影響を受
けて、浸透スピードにばらつきが生じる。このばらつき
が樹脂の流れを乱流となし、気泡を発生させる要因とな
っていた。
を保護するため、エポキシ樹脂等の樹脂剤がベアチップ
ＩＣとＦＰＣとの空間に塗布し硬化させることにより、
接続信頼性を確保するものである。しかし、その樹脂内
に気泡が入っている場合、諸条件によって、気泡の膨張
や収縮により封止樹脂にクラックが生じることがある。
また封止樹脂はベアチップＩＣの下部にも注入してお
り、特にこの部分に発生した気泡は、膨張によりベアチ
ップＩＣを上方に押し上げ、接続部に対して、剥離方向
の応力が働き断線に至る。概ね封止樹脂内に発生する気
泡はこの部分に集中していた。従来のＦＰＣでは、実装
したベアチップＩＣの下部には何もなくフラットな場合
でも、ＦＰＣとベアチップＩＣの間に流入した樹脂は、
ベアチップＩＣのバンプピッチやバンプ形状に影響を受
けて、浸透スピードにばらつきが生じる。このばらつき
が樹脂の流れを乱流となし、気泡を発生させる要因とな
っていた。
【００１０】次に従来例におけるＦＰＣに実装したベア
チップＩＣの樹脂封止工程における気泡の発生について
図８を用いて説明する。
チップＩＣの樹脂封止工程における気泡の発生について
図８を用いて説明する。
【００１１】図８（ａ）はＦＰＣ表面が平滑であり、且
つベアチップＩＣにバンプが無いと仮想した（非現実
の）場合の樹脂封止の流れ方を示すものである。ベアチ
ップＩＣ５９がある領域が点線で示されており、封止樹
脂剤６１は樹脂塗布位置６２から注入され、塗布した位
置から封止樹脂剤はベアチップＩＣの周囲を伝っていく
ものと、ベアチップＩＣとＦＰＣの間に表面張力により
流れ込んでいくものとに分けることができる。そして、
封止樹脂剤の流れの進行波面６３は多少の凹凸が発生す
るが、ＦＰＣ表面が平滑で且つベアチップＩＣにバンプ
が無い非現実の場合には、気泡の巻き込みは発生しな
い。５５はＦＰＣを示す。
つベアチップＩＣにバンプが無いと仮想した（非現実
の）場合の樹脂封止の流れ方を示すものである。ベアチ
ップＩＣ５９がある領域が点線で示されており、封止樹
脂剤６１は樹脂塗布位置６２から注入され、塗布した位
置から封止樹脂剤はベアチップＩＣの周囲を伝っていく
ものと、ベアチップＩＣとＦＰＣの間に表面張力により
流れ込んでいくものとに分けることができる。そして、
封止樹脂剤の流れの進行波面６３は多少の凹凸が発生す
るが、ＦＰＣ表面が平滑で且つベアチップＩＣにバンプ
が無い非現実の場合には、気泡の巻き込みは発生しな
い。５５はＦＰＣを示す。
【００１２】図８（ｂ）は現実の場合の従来のＦＰＣ表
面とベアチップＩＣとの間を封止樹脂剤が流れる様子を
示すものである。ベアチップＩＣ５９がある領域が点線
で示されており、封止樹脂剤６１は樹脂塗布位置６２か
ら注入され、ベアチップＩＣ５９のバンプ６４の影響を
受け、封止樹脂剤の流れ（浸透）の進行波面６３は凹凸
が激しくなる。５５はＦＰＣを示す。
面とベアチップＩＣとの間を封止樹脂剤が流れる様子を
示すものである。ベアチップＩＣ５９がある領域が点線
で示されており、封止樹脂剤６１は樹脂塗布位置６２か
ら注入され、ベアチップＩＣ５９のバンプ６４の影響を
受け、封止樹脂剤の流れ（浸透）の進行波面６３は凹凸
が激しくなる。５５はＦＰＣを示す。
【００１３】図８（ｃ）は図８（ｂ）の更に時間が経過
した時の封止樹脂剤の流れを示す。５５はＦＰＣ、６１
は封止樹脂剤、６２は樹脂塗布位置を示し、ベアチップ
ＩＣ５９のバンプ６４の影響を受け、封止樹脂剤の流れ
の進行波面６３は凹凸が激しくなり、ある程度の距離を
進むと封止樹脂剤の流れは乱流となり、終には気泡６５
をはらむこととなる。また、ベアチップＩＣの接続バン
プは各メーカーによって形や大きさピッチはまちまちで
規格化されていないので、気泡の発生確率は一定しな
い。図８（ｄ）は図８（ｃ）のＡ−Ａ′断面を示すもの
である。
した時の封止樹脂剤の流れを示す。５５はＦＰＣ、６１
は封止樹脂剤、６２は樹脂塗布位置を示し、ベアチップ
ＩＣ５９のバンプ６４の影響を受け、封止樹脂剤の流れ
の進行波面６３は凹凸が激しくなり、ある程度の距離を
進むと封止樹脂剤の流れは乱流となり、終には気泡６５
をはらむこととなる。また、ベアチップＩＣの接続バン
プは各メーカーによって形や大きさピッチはまちまちで
規格化されていないので、気泡の発生確率は一定しな
い。図８（ｄ）は図８（ｃ）のＡ−Ａ′断面を示すもの
である。
【００１４】従来の技術では、封止樹脂内に発生した気
泡は、真空ポンプによる強制的な気泡の排出を行う脱泡
工程を組み込んでおり、作業項数としても大きく、生産
効率に大きく影響していた。さらに、この脱泡工程を通
しても完全に気泡を除去できない製品もあり、顕微鏡に
よる外観検査によって、気泡を内包する電子部品モジュ
ールを選別し除去していた。
泡は、真空ポンプによる強制的な気泡の排出を行う脱泡
工程を組み込んでおり、作業項数としても大きく、生産
効率に大きく影響していた。さらに、この脱泡工程を通
しても完全に気泡を除去できない製品もあり、顕微鏡に
よる外観検査によって、気泡を内包する電子部品モジュ
ールを選別し除去していた。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、発生した封止樹脂内の気泡を除去する
のではなくて、樹脂を塗布する際、気泡を発生させない
機構を特徴としており、ベアチップＩＣを実装する基板
（ＦＰＣ）のベアチップＩＣの下部領域の位置に、表面
張力により流れ込む樹脂が乱流となって気泡をはらむこ
とを防止するために、ＦＰＣ表面に溝構造を形成するこ
とにある。本発明による溝構造は、樹脂を塗布する位置
から充填する方向に平行あるいは放射状あるいは逆放射
状に複数個の構を作製する。これにより、ベアチップＩ
ＣとＦＰＣの間に流れ込む樹脂は本発明による溝構造の
ため、溝ごとに流れる樹脂量が均一化され、乱流をおこ
さず充填することができる。本発明の溝構造の形状は、
実装するベアチップＩＣのバンプ形状や、バンプピッチ
等条件を考慮して、最も適した構造（平行型、放射状
型、逆放射状型、組合せ型など）が選択される。
めに本発明では、発生した封止樹脂内の気泡を除去する
のではなくて、樹脂を塗布する際、気泡を発生させない
機構を特徴としており、ベアチップＩＣを実装する基板
（ＦＰＣ）のベアチップＩＣの下部領域の位置に、表面
張力により流れ込む樹脂が乱流となって気泡をはらむこ
とを防止するために、ＦＰＣ表面に溝構造を形成するこ
とにある。本発明による溝構造は、樹脂を塗布する位置
から充填する方向に平行あるいは放射状あるいは逆放射
状に複数個の構を作製する。これにより、ベアチップＩ
ＣとＦＰＣの間に流れ込む樹脂は本発明による溝構造の
ため、溝ごとに流れる樹脂量が均一化され、乱流をおこ
さず充填することができる。本発明の溝構造の形状は、
実装するベアチップＩＣのバンプ形状や、バンプピッチ
等条件を考慮して、最も適した構造（平行型、放射状
型、逆放射状型、組合せ型など）が選択される。
【００１６】本発明の請求項１記載のＦＰＣ上のベアチ
ップＩＣの樹脂封止構造は、基材上に回路パターンが形
成されレジスト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチップＩ
Ｃを実装し、該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰＣ上
のベアチップＩＣの樹脂封止構造において、実装される
ベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上に、レジス
ト剤を成す有機材料により形成され、封止樹脂を塗布す
る位置から充填する方向に平行あるいは放射状あるいは
逆放射状に複数個の溝構造を設けたことを特徴とするも
のである。また、本発明の請求項２記載のＦＰＣ上のベ
アチップＩＣの樹脂封止構造は、基材上に回路パターン
が形成されレジスト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチッ
プＩＣを実装し、該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰ
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造において、実装さ
れるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上に、回
路パターンを成す金属材料により形成され、封止樹脂を
塗布する位置から充填する方向に平行あるいは放射状あ
るいは逆放射状に複数個の溝構造を設けたことを特徴と
するものである。
ップＩＣの樹脂封止構造は、基材上に回路パターンが形
成されレジスト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチップＩ
Ｃを実装し、該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰＣ上
のベアチップＩＣの樹脂封止構造において、実装される
ベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上に、レジス
ト剤を成す有機材料により形成され、封止樹脂を塗布す
る位置から充填する方向に平行あるいは放射状あるいは
逆放射状に複数個の溝構造を設けたことを特徴とするも
のである。また、本発明の請求項２記載のＦＰＣ上のベ
アチップＩＣの樹脂封止構造は、基材上に回路パターン
が形成されレジスト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチッ
プＩＣを実装し、該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰ
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造において、実装さ
れるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上に、回
路パターンを成す金属材料により形成され、封止樹脂を
塗布する位置から充填する方向に平行あるいは放射状あ
るいは逆放射状に複数個の溝構造を設けたことを特徴と
するものである。
【００１７】
【００１８】
【００１９】また、本発明の請求項３記載のＦＰＣ上の
ベアチップＩＣの樹脂封止構造は、前記溝構造が、前記
回路パターンを成す金属材料と、レジスト剤を成す有機
材料とより構成されることを特徴とするものである。
ベアチップＩＣの樹脂封止構造は、前記溝構造が、前記
回路パターンを成す金属材料と、レジスト剤を成す有機
材料とより構成されることを特徴とするものである。
【００２０】さらに、本発明の請求項４記載のＦＰＣ上
のベアチップＩＣの樹脂封止の製造方法は、基材上に回
路パターンが形成されレジスト剤が印刷されたＦＰＣ上
にベアチップＩＣを実装し、該ベアチップＩＣを樹脂封
止するＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止する製造方
法において、実装されるベアチップＩＣの下部に当たる
ＦＰＣ領域上に、レジスト剤の印刷と同時にレジスト剤
を成す有機材料により、封止樹脂を塗布する位置から充
填する方向に平行あるいは放射状あるいは逆放射状に複
数個の溝構造を形成し、前記封止樹脂の塗布位置に封止
樹脂を塗布して充填することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項５記載のＦＰＣ上のベアチップＩ
Ｃの樹脂封止の製造方法は、基材上に回路パターンが形
成されレジスト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチップＩ
Ｃを実装し、該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰＣ上
のベアチップＩＣの樹脂封止する製造方法において、実
装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に、回路パターンのエッチング加工と同時に回路パター
ンを成す金属材料により、封止樹脂を塗布する位置から
充填する方向に平行あるいは放射状あるいは逆放射状に
複数個の溝構造を形成し、前記封止樹脂の塗布位置に封
止樹脂を塗布して充填することを特徴とするものであ
る。 また、本発明の請求項６に記載のＦＰＣ上のベアチ
ップＩＣの樹脂封止の製造方法は、前記溝構造を、前記
回路パターンを成す金属材料と、レジスト剤の印刷と同
時に形成されるレジスト剤を成す有機材料とにより構成
することを特徴とするものである。
のベアチップＩＣの樹脂封止の製造方法は、基材上に回
路パターンが形成されレジスト剤が印刷されたＦＰＣ上
にベアチップＩＣを実装し、該ベアチップＩＣを樹脂封
止するＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止する製造方
法において、実装されるベアチップＩＣの下部に当たる
ＦＰＣ領域上に、レジスト剤の印刷と同時にレジスト剤
を成す有機材料により、封止樹脂を塗布する位置から充
填する方向に平行あるいは放射状あるいは逆放射状に複
数個の溝構造を形成し、前記封止樹脂の塗布位置に封止
樹脂を塗布して充填することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項５記載のＦＰＣ上のベアチップＩ
Ｃの樹脂封止の製造方法は、基材上に回路パターンが形
成されレジスト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチップＩ
Ｃを実装し、該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰＣ上
のベアチップＩＣの樹脂封止する製造方法において、実
装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に、回路パターンのエッチング加工と同時に回路パター
ンを成す金属材料により、封止樹脂を塗布する位置から
充填する方向に平行あるいは放射状あるいは逆放射状に
複数個の溝構造を形成し、前記封止樹脂の塗布位置に封
止樹脂を塗布して充填することを特徴とするものであ
る。 また、本発明の請求項６に記載のＦＰＣ上のベアチ
ップＩＣの樹脂封止の製造方法は、前記溝構造を、前記
回路パターンを成す金属材料と、レジスト剤の印刷と同
時に形成されるレジスト剤を成す有機材料とにより構成
することを特徴とするものである。
【００２１】本発明による溝構造は、ベアチップＩＣと
ＦＰＣの間を流れ込む樹脂の浸透ばらつきを緩和し、乱
流の発生を抑制することができ、気泡をはらむことを防
止することが可能となる。つまり、樹脂塗布位置から樹
脂が流れる方向に対して平行あるいは放射状あるいは逆
放射状に本発明による溝構造をベアチップＩＣの接続バ
ンプ数個に対し１筋の溝を構成する。溝の設置数は多い
程乱流の発生を抑えることができるが、多すぎると表面
張力効果が減衰し、逆に封止樹脂剤が流れ込まなくなる
ので設置数を調整する必要がある。封止樹脂剤が塗布さ
れると、ベアチップＩＣの接続バンプを介し樹脂はベア
チップＩＣの下部ヘと流れ込む。さらに封止樹脂剤は本
発明の溝構造に沿って流れ込むため、バンプが存在して
浸透のばらつきが生じる場合であっても封止樹脂剤の流
れの乱流を少なくして、気泡を包含しない充填が行われ
ることになる。
ＦＰＣの間を流れ込む樹脂の浸透ばらつきを緩和し、乱
流の発生を抑制することができ、気泡をはらむことを防
止することが可能となる。つまり、樹脂塗布位置から樹
脂が流れる方向に対して平行あるいは放射状あるいは逆
放射状に本発明による溝構造をベアチップＩＣの接続バ
ンプ数個に対し１筋の溝を構成する。溝の設置数は多い
程乱流の発生を抑えることができるが、多すぎると表面
張力効果が減衰し、逆に封止樹脂剤が流れ込まなくなる
ので設置数を調整する必要がある。封止樹脂剤が塗布さ
れると、ベアチップＩＣの接続バンプを介し樹脂はベア
チップＩＣの下部ヘと流れ込む。さらに封止樹脂剤は本
発明の溝構造に沿って流れ込むため、バンプが存在して
浸透のばらつきが生じる場合であっても封止樹脂剤の流
れの乱流を少なくして、気泡を包含しない充填が行われ
ることになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１乃至図５は本発明の一実施の
形態に関する図である。
形態に関する図である。
【００２３】図１は本発明の一実施の形態よりなるＦＰ
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方
法において有機材料であるレジスト剤を溝構造の材料に
用いた場合の説明図であり、（ａ）平面図、（ｂ）断面
図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断面図を示す。
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方
法において有機材料であるレジスト剤を溝構造の材料に
用いた場合の説明図であり、（ａ）平面図、（ｂ）断面
図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断面図を示す。
【００２４】図１（ａ）の平面図において、ベアチップ
ＩＣ７がＦＰＣ２に実装される接続リード（ＩＬＢ）１
がベアチップＩＣのバンプに対向するよう４方向に配置
され、本発明による溝構造１０がＦＰＣ上に形成されて
いる。３は樹脂塗布位置を示す。図１（ｂ）の断面図に
おいて、ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム（厚さ
約２５μｍ）４上に銅箔回路パターン（厚さ約１８μ
ｍ）５があり、レジスト剤（材料はポリイミド系イン
ク、厚さ約５μｍ程度）６が印刷されている。そして、
ＦＰＣ２はポリイミドフィルム４及び銅箔回路パターン
５及びレジスト剤６により構成されている。
ＩＣ７がＦＰＣ２に実装される接続リード（ＩＬＢ）１
がベアチップＩＣのバンプに対向するよう４方向に配置
され、本発明による溝構造１０がＦＰＣ上に形成されて
いる。３は樹脂塗布位置を示す。図１（ｂ）の断面図に
おいて、ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム（厚さ
約２５μｍ）４上に銅箔回路パターン（厚さ約１８μ
ｍ）５があり、レジスト剤（材料はポリイミド系イン
ク、厚さ約５μｍ程度）６が印刷されている。そして、
ＦＰＣ２はポリイミドフィルム４及び銅箔回路パターン
５及びレジスト剤６により構成されている。
【００２５】図１（ｃ）はＦＰＣ上にベアチップＩＣを
実装した樹脂封止構造の断面図である。
実装した樹脂封止構造の断面図である。
【００２６】ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム４
上に銅箔回路パターン５があり、レジスト剤６が印刷さ
れ、ベアチップＩＣ７上の接続の金バンプ（大きさ約数
十μｍ〜百数十μｍ）８は銅箔回路パターン５と圧接さ
れ、電気的導通が図られている。そして、実装されるベ
アチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上に本発明の溝
構造１０が設けられており、ベアチップＩＣとＦＰＣと
の空間には封止樹脂剤９が充填されている。封止樹脂剤
９として、粘度の低い（約３ポイズ〜約５０ポイズ程度
のもの）熱硬化型エポキシ樹脂材が用いられた。レジス
トによる溝構造の作製方法は、ＦＰＣの基材であるポリ
イミドフィルム４上の銅箔回路パターン５をエッチング
によりパターン形成した後、レジスト６を印刷により平
面図のように形成し硬化させ作製する。レジスト印刷の
際、同時に本発明の溝構造も作製することが可能で、加
工工程の追加や専用装置は不要である。３の位置から封
止樹脂を塗布すれば、溝構造１０により樹脂が均一にベ
アチップＩＣの周囲及び下部に充填され、気泡の発生を
抑制することができる。
上に銅箔回路パターン５があり、レジスト剤６が印刷さ
れ、ベアチップＩＣ７上の接続の金バンプ（大きさ約数
十μｍ〜百数十μｍ）８は銅箔回路パターン５と圧接さ
れ、電気的導通が図られている。そして、実装されるベ
アチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上に本発明の溝
構造１０が設けられており、ベアチップＩＣとＦＰＣと
の空間には封止樹脂剤９が充填されている。封止樹脂剤
９として、粘度の低い（約３ポイズ〜約５０ポイズ程度
のもの）熱硬化型エポキシ樹脂材が用いられた。レジス
トによる溝構造の作製方法は、ＦＰＣの基材であるポリ
イミドフィルム４上の銅箔回路パターン５をエッチング
によりパターン形成した後、レジスト６を印刷により平
面図のように形成し硬化させ作製する。レジスト印刷の
際、同時に本発明の溝構造も作製することが可能で、加
工工程の追加や専用装置は不要である。３の位置から封
止樹脂を塗布すれば、溝構造１０により樹脂が均一にベ
アチップＩＣの周囲及び下部に充填され、気泡の発生を
抑制することができる。
【００２７】レジスト剤の印刷により本発明の溝構造１
０を同時に形成する場合、１回の印刷では厚さが厚さ約
５μｍ程度であるため、必要に応じて数回の重ね印刷が
行われ、溝構造１０の厚さは約５μｍ〜約１００μｍ程
度となる。また、ベアチップＩＣ７の大きさは約５ｍｍ
角〜３０ｍｍ角程度であり、接続の金バンプの配置ピッ
チは約１００μｍ〜約５００μｍ程度であるため、本発
明の溝構造１０の大きさの幅は約２０μｍ〜約５００μ
ｍ程度、長さは約１ｍｍ〜約 ５ｍｍ程度、高さは約１
０μｍ〜約１００μｍ程度、配置のピッチは約７０μｍ
〜約３ｍｍμｍ程度が用いられる。
０を同時に形成する場合、１回の印刷では厚さが厚さ約
５μｍ程度であるため、必要に応じて数回の重ね印刷が
行われ、溝構造１０の厚さは約５μｍ〜約１００μｍ程
度となる。また、ベアチップＩＣ７の大きさは約５ｍｍ
角〜３０ｍｍ角程度であり、接続の金バンプの配置ピッ
チは約１００μｍ〜約５００μｍ程度であるため、本発
明の溝構造１０の大きさの幅は約２０μｍ〜約５００μ
ｍ程度、長さは約１ｍｍ〜約 ５ｍｍ程度、高さは約１
０μｍ〜約１００μｍ程度、配置のピッチは約７０μｍ
〜約３ｍｍμｍ程度が用いられる。
【００２８】図２は本発明の一実施の形態よりなるＦＰ
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方
法においてにおいて金属材料である銅箔回路パターンを
溝構造の材料に用いた場合の説明図であり、（ａ）平面
図、（ｂ）断面図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断
面図を示す。
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方
法においてにおいて金属材料である銅箔回路パターンを
溝構造の材料に用いた場合の説明図であり、（ａ）平面
図、（ｂ）断面図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断
面図を示す。
【００２９】図２に本発明による溝構造をＦＰＣ内の回
路パターンを構成する金属材料である銅箔パターンによ
って作製した一実施の形態よりなる場合について説明す
る。本発明による溝構造が金属材料である銅箔パターン
で作製されていること以外は図１に示した一実施の形態
よりなる場合とほぼ同じである。
路パターンを構成する金属材料である銅箔パターンによ
って作製した一実施の形態よりなる場合について説明す
る。本発明による溝構造が金属材料である銅箔パターン
で作製されていること以外は図１に示した一実施の形態
よりなる場合とほぼ同じである。
【００３０】図２（ａ）の平面図において、ベアチップ
ＩＣ７がＦＰＣ２に実装される接続リード（ＩＬＢ）１
がベアチップＩＣのバンプに対向するよう４方向に配置
され、実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ
領域上に本発明による溝構造１１がＦＰＣ２上に形成さ
れている。３は樹脂塗布位置を示す。図２（ｂ）の断面
図において、ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム
（厚さ約２５μｍ）４上に銅箔回路パターン（厚さ約１
８μｍ）５があり、レジスト剤（材料はポリイミド材、
厚さ約５μｍ程度）６が印刷されている。そして、ＦＰ
Ｃ２はポリイミドフィルム４及び銅箔回路パターン５及
びレジスト剤６により構成されている。
ＩＣ７がＦＰＣ２に実装される接続リード（ＩＬＢ）１
がベアチップＩＣのバンプに対向するよう４方向に配置
され、実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ
領域上に本発明による溝構造１１がＦＰＣ２上に形成さ
れている。３は樹脂塗布位置を示す。図２（ｂ）の断面
図において、ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム
（厚さ約２５μｍ）４上に銅箔回路パターン（厚さ約１
８μｍ）５があり、レジスト剤（材料はポリイミド材、
厚さ約５μｍ程度）６が印刷されている。そして、ＦＰ
Ｃ２はポリイミドフィルム４及び銅箔回路パターン５及
びレジスト剤６により構成されている。
【００３１】図２（ｃ）はＦＰＣ上にベアチップＩＣを
実装した樹脂封止構造の断面図である。ＦＰＣの基材で
あるポリイミドフィルム４上に銅箔回路パターン５があ
り、レジスト剤６が印刷され、ベアチップＩＣ７上の接
続金バンプ（大きさ約数十μｍ〜百数十μｍ）８は銅箔
回路パターン５と圧接され、電気的導通が図られてい
る。そして、実装されるベアチップＩＣの下部に当たる
ＦＰＣ領域上に本発明の溝構造１１が設けられており、
ベアチップＩＣとＦＰＣとの空間には封止樹脂剤９が充
填されている。封止樹脂剤９として、粘度の低い（約３
ポイズ〜約５０ポイズ程度のもの）熱硬化型エポキシ樹
脂材が用いられた。
実装した樹脂封止構造の断面図である。ＦＰＣの基材で
あるポリイミドフィルム４上に銅箔回路パターン５があ
り、レジスト剤６が印刷され、ベアチップＩＣ７上の接
続金バンプ（大きさ約数十μｍ〜百数十μｍ）８は銅箔
回路パターン５と圧接され、電気的導通が図られてい
る。そして、実装されるベアチップＩＣの下部に当たる
ＦＰＣ領域上に本発明の溝構造１１が設けられており、
ベアチップＩＣとＦＰＣとの空間には封止樹脂剤９が充
填されている。封止樹脂剤９として、粘度の低い（約３
ポイズ〜約５０ポイズ程度のもの）熱硬化型エポキシ樹
脂材が用いられた。
【００３２】銅箔パターンによる溝構造の作製方法は、
ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム４上の銅箔の回
路パターン５をエッチング加工により回路形成する際、
実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に本発明による溝構造１１も作製する。回路形成の時、
同時に溝構造も形成でき、工程の追加や、専用装置は不
要である。封止樹脂の流入は実施例１と同様である。こ
の銅箔パターンによる溝構造の場合、銅箔パターンの厚
さは約１８μｍ程度であり、レジストによる溝構造の場
合に比較して、厚さの点では優れている。３の位置から
封止樹脂を塗布すれば、溝構造１１により樹脂が均一に
ベアチップＩＣの周囲及び下部に充填され、気泡の発生
を抑制することができる。
ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム４上の銅箔の回
路パターン５をエッチング加工により回路形成する際、
実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に本発明による溝構造１１も作製する。回路形成の時、
同時に溝構造も形成でき、工程の追加や、専用装置は不
要である。封止樹脂の流入は実施例１と同様である。こ
の銅箔パターンによる溝構造の場合、銅箔パターンの厚
さは約１８μｍ程度であり、レジストによる溝構造の場
合に比較して、厚さの点では優れている。３の位置から
封止樹脂を塗布すれば、溝構造１１により樹脂が均一に
ベアチップＩＣの周囲及び下部に充填され、気泡の発生
を抑制することができる。
【００３３】図３は本発明の一実施の形態よりなるＦＰ
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方
法においてＦＰＣの構成材料を少なくとも１つ以上含む
材料を溝構造に用いた場合の説明図であり、（ａ）平面
図、（ｂ）断面図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断
面図を示す。
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方
法においてＦＰＣの構成材料を少なくとも１つ以上含む
材料を溝構造に用いた場合の説明図であり、（ａ）平面
図、（ｂ）断面図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断
面図を示す。
【００３４】本発明の溝構造がＦＰＣの構成材料を少な
くとも１つ以上含む材料より構成されることを特徴とす
る以外は図１に示された一実施の形態よりなる場合と同
じである。この本発明は図２に示された一実施の形態よ
りなる場合に引き続いて、図１に示された一実施の形態
よりなる場合を続けて行うことにより作製される。
くとも１つ以上含む材料より構成されることを特徴とす
る以外は図１に示された一実施の形態よりなる場合と同
じである。この本発明は図２に示された一実施の形態よ
りなる場合に引き続いて、図１に示された一実施の形態
よりなる場合を続けて行うことにより作製される。
【００３５】図３（ａ）の平面図において、ベアチップ
ＩＣ７がＦＰＣ２に実装される接続リード（ＩＬＢ）１
がベアチップＩＣのバンプに対向するよう４方向に配置
され、実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ
領域上に本発明による溝構造１２がＦＰＣ２上に形成さ
れている。そして、この本発明による溝構造１２はＦＰ
Ｃの構成材料の１つである銅箔パターンの層とレジスト
剤との積層構造となっている。３は樹脂塗布位置を示
す。図３（ｂ）の断面図において、ＦＰＣの基材である
ポリイミドフィルム（厚さ約２５μｍ）４上に銅箔回路
パターン（厚さ約１８μｍ）５があり、レジスト剤（材
料はポリイミド材、厚さ約５μｍ程度）６が印刷されて
いる。そして、ＦＰＣ２はポリイミドフィルム４及び銅
箔回路パターン５及びレジスト剤６により構成されてい
る。
ＩＣ７がＦＰＣ２に実装される接続リード（ＩＬＢ）１
がベアチップＩＣのバンプに対向するよう４方向に配置
され、実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ
領域上に本発明による溝構造１２がＦＰＣ２上に形成さ
れている。そして、この本発明による溝構造１２はＦＰ
Ｃの構成材料の１つである銅箔パターンの層とレジスト
剤との積層構造となっている。３は樹脂塗布位置を示
す。図３（ｂ）の断面図において、ＦＰＣの基材である
ポリイミドフィルム（厚さ約２５μｍ）４上に銅箔回路
パターン（厚さ約１８μｍ）５があり、レジスト剤（材
料はポリイミド材、厚さ約５μｍ程度）６が印刷されて
いる。そして、ＦＰＣ２はポリイミドフィルム４及び銅
箔回路パターン５及びレジスト剤６により構成されてい
る。
【００３６】図３（ｃ）はＦＰＣ上にベアチップＩＣを
実装した樹脂封止構造の断面図である。ＦＰＣの基材で
あるポリイミドフィルム４上に銅箔回路パターン５があ
り、レジスト剤６が印刷され、ベアチップＩＣ７上の接
続金バンプ（大きさ約数十μｍ〜百数十μｍ）８は銅箔
回路パターン５と圧接され、電気的導通が図られてい
る。そして、実装されるベアチップＩＣの下部に当たる
ＦＰＣ領域上に本発明の溝構造１２が設けられており、
ベアチップＩＣとＦＰＣとの空間には封止樹脂剤９が充
填されている。封止樹脂剤９として、粘度の低い（約３
ポイズ〜約５０ポイズ程度のもの）熱硬化型エポキシ樹
脂材が用いられた。
実装した樹脂封止構造の断面図である。ＦＰＣの基材で
あるポリイミドフィルム４上に銅箔回路パターン５があ
り、レジスト剤６が印刷され、ベアチップＩＣ７上の接
続金バンプ（大きさ約数十μｍ〜百数十μｍ）８は銅箔
回路パターン５と圧接され、電気的導通が図られてい
る。そして、実装されるベアチップＩＣの下部に当たる
ＦＰＣ領域上に本発明の溝構造１２が設けられており、
ベアチップＩＣとＦＰＣとの空間には封止樹脂剤９が充
填されている。封止樹脂剤９として、粘度の低い（約３
ポイズ〜約５０ポイズ程度のもの）熱硬化型エポキシ樹
脂材が用いられた。
【００３７】銅箔パターンによる溝構造の作製方法は、
ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム４上の銅箔の回
路パターン５をエッチング加工により回路形成する際、
実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に本発明による溝構造１２も作製する。回路形成の時、
同時に溝構造も形成でき、工程の追加や、専用装置は不
要である。さらに、その上のレジストによる溝構造の作
製方法は、銅箔パターンによる溝構造を形成した後、レ
ジスト６を印刷により平面図のように形成し硬化させ作
製する。レジスト印刷の際、同時に本発明の溝構造も作
製することが可能で、加工工程の追加や専用装置は不要
である。
ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム４上の銅箔の回
路パターン５をエッチング加工により回路形成する際、
実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に本発明による溝構造１２も作製する。回路形成の時、
同時に溝構造も形成でき、工程の追加や、専用装置は不
要である。さらに、その上のレジストによる溝構造の作
製方法は、銅箔パターンによる溝構造を形成した後、レ
ジスト６を印刷により平面図のように形成し硬化させ作
製する。レジスト印刷の際、同時に本発明の溝構造も作
製することが可能で、加工工程の追加や専用装置は不要
である。
【００３８】封止樹脂の流入は実施例１と同様である。
この銅箔パターンおよびレジスト剤によるに２層構造に
よる溝構造の場合、銅箔パターンの厚さは約１８μｍ程
度であり、さらにレジスト剤による厚さ約５μｍが加算
され、厚さの点では更に優れている。３の位置から封止
樹脂を塗布すれば、溝構造１２により樹脂が均一にベア
チップＩＣの周囲及び下部に充填され、気泡の発生を抑
制することができる。
この銅箔パターンおよびレジスト剤によるに２層構造に
よる溝構造の場合、銅箔パターンの厚さは約１８μｍ程
度であり、さらにレジスト剤による厚さ約５μｍが加算
され、厚さの点では更に優れている。３の位置から封止
樹脂を塗布すれば、溝構造１２により樹脂が均一にベア
チップＩＣの周囲及び下部に充填され、気泡の発生を抑
制することができる。
【００３９】図４は本発明の一実施の形態よりなるＦＰ
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方
法において幾つかの溝構造の形を説明図であり、（ａ）
放射状型の溝構造、（ｂ）平行状型の溝構造、（ｃ）逆
平行状型の溝構造、（ｄ）放射状型であり、且つ溝構造
のパターンを太く溝構造、（ｅ）放射状型であり、且つ
溝構造を高密度に配置した溝構造、（ｆ）幾つかのパタ
ーンの組み合わせによる溝構造を示す。
Ｃ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方
法において幾つかの溝構造の形を説明図であり、（ａ）
放射状型の溝構造、（ｂ）平行状型の溝構造、（ｃ）逆
平行状型の溝構造、（ｄ）放射状型であり、且つ溝構造
のパターンを太く溝構造、（ｅ）放射状型であり、且つ
溝構造を高密度に配置した溝構造、（ｆ）幾つかのパタ
ーンの組み合わせによる溝構造を示す。
【００４０】図４（ａ）は樹脂塗布位置１３から放射状
型の溝構造１４を作製した場合である。図４（ｂ）は樹
脂塗布位置１３から平行状型の溝構造１５を作製した場
合である。図４（ｃ）は樹脂塗布位置１３から逆放射状
型の溝構造１６を作製した場合である。図４（ｄ）は樹
脂塗布位置１３から放射状型であり、且つ溝構造のパタ
ーンを太くした場合の溝構造１７を作製した場合であ
り、封止樹脂剤の樹脂量を少なくすることができる。図
４（ｅ）は樹脂塗布位置１３から放射状型であり、且つ
溝構造を高密度にを作製した場合の溝構造１８である。
使用樹脂剤の粘性や気泡の発生状況に応じて、ピッチを
設定する。図１〜図３に示した本発明の溝構造の配列ピ
ッチが約５００μｍ〜約３ｍｍ程度が用いられるのに対
して、図４に示めす本発明の場合は約１００μｍ〜約３
００μｍ程度の高密度ピッチが用いられる。図４（ｆ）
は上記のパターンを組み合わせた場合のもの溝構造１９
である。
型の溝構造１４を作製した場合である。図４（ｂ）は樹
脂塗布位置１３から平行状型の溝構造１５を作製した場
合である。図４（ｃ）は樹脂塗布位置１３から逆放射状
型の溝構造１６を作製した場合である。図４（ｄ）は樹
脂塗布位置１３から放射状型であり、且つ溝構造のパタ
ーンを太くした場合の溝構造１７を作製した場合であ
り、封止樹脂剤の樹脂量を少なくすることができる。図
４（ｅ）は樹脂塗布位置１３から放射状型であり、且つ
溝構造を高密度にを作製した場合の溝構造１８である。
使用樹脂剤の粘性や気泡の発生状況に応じて、ピッチを
設定する。図１〜図３に示した本発明の溝構造の配列ピ
ッチが約５００μｍ〜約３ｍｍ程度が用いられるのに対
して、図４に示めす本発明の場合は約１００μｍ〜約３
００μｍ程度の高密度ピッチが用いられる。図４（ｆ）
は上記のパターンを組み合わせた場合のもの溝構造１９
である。
【００４１】ベアチップＩＣのバンプの形には幾つかの
型があり、図５（ａ）はマッシュルーム型バンプ、図５
（ｂ）ストレート型バンプであり、その他これらの変形
もあり、さらにバンプのベアチップＩＣ上の配置はベア
チップＩＣの回路の回路設計や放熱設計などの因子に基
づき設定されるものである。８はベアチップＩＣであ
る。マッシュルーム型バンプの大きさ（頭の形状）は約
９０μｍ×約１２０μｍ〜約１２０μｍ×約１４０μｍ
程度であり、ストレート型バンプの大きさは約７０μｍ
×約９０μｍ〜約１００μｍ×約９５μｍ程度である。
型があり、図５（ａ）はマッシュルーム型バンプ、図５
（ｂ）ストレート型バンプであり、その他これらの変形
もあり、さらにバンプのベアチップＩＣ上の配置はベア
チップＩＣの回路の回路設計や放熱設計などの因子に基
づき設定されるものである。８はベアチップＩＣであ
る。マッシュルーム型バンプの大きさ（頭の形状）は約
９０μｍ×約１２０μｍ〜約１２０μｍ×約１４０μｍ
程度であり、ストレート型バンプの大きさは約７０μｍ
×約９０μｍ〜約１００μｍ×約９５μｍ程度である。
【００４２】従って、ベアチップＩＣの外周部にのみバ
ンプが配置されているとは限らない。ベアチップＩＣの
ほぼ全面に格子状にバンプが配置される場合もあり、ベ
アチップＩＣのほぼ全面に放射状にバンプが配置される
場合もある。そのため、図４（ｆ）のように組み合わせ
パターンを用いることにより、封止樹脂剤に気泡が内包
されることを抑制することができる。また、溝構造の先
端２０や終端２１を円形とすることでより気泡の発生を
抑えることができる。
ンプが配置されているとは限らない。ベアチップＩＣの
ほぼ全面に格子状にバンプが配置される場合もあり、ベ
アチップＩＣのほぼ全面に放射状にバンプが配置される
場合もある。そのため、図４（ｆ）のように組み合わせ
パターンを用いることにより、封止樹脂剤に気泡が内包
されることを抑制することができる。また、溝構造の先
端２０や終端２１を円形とすることでより気泡の発生を
抑えることができる。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、溝構造
の加工工程の追加や専用装置を必要とせず、封止樹脂剤
に気泡を巻き込まない樹脂封止をすることができる。
の加工工程の追加や専用装置を必要とせず、封止樹脂剤
に気泡を巻き込まない樹脂封止をすることができる。
【００４４】
【００４５】
【００４６】
【００４７】
【００４８】また上記の本発明による効果を列記すれ
ば、 （１）封止樹脂を塗布する際、気泡の発生を抑制するこ
とができる。
ば、 （１）封止樹脂を塗布する際、気泡の発生を抑制するこ
とができる。
【００４９】（２）ベアチップＩＣのバンプ形状やパン
プビッチによる不均一な樹脂の流入を改善し、ベアチッ
プＩＣの周囲及びベアチップＩＣの下部に樹脂を確実に
封止することができる。
プビッチによる不均一な樹脂の流入を改善し、ベアチッ
プＩＣの周囲及びベアチップＩＣの下部に樹脂を確実に
封止することができる。
【００５０】（３）封止樹脂を塗布した段階で気泡の発
生を防止できるため、脱泡工程を削除することができ、
工数を削減し、生産効率を向上できる。したがって、コ
スト低減できる。
生を防止できるため、脱泡工程を削除することができ、
工数を削減し、生産効率を向上できる。したがって、コ
スト低減できる。
【００５１】（４）溝構造によって封止樹脂の体積を減
らすことができ、樹脂使用量を低減できる。また樹脂塗
布時間も削減可能となる。
らすことができ、樹脂使用量を低減できる。また樹脂塗
布時間も削減可能となる。
【００５２】（５）ベアチップＩＣの下部に溝構造を形
成するため、樹脂封止した後の強度を向上させることが
でる。
成するため、樹脂封止した後の強度を向上させることが
でる。
【００５３】（６）ベアチップＩＣの下部に溝構造を形
成するので、ＦＰＣ単品における湿度や熱による反り防
止に効果があり、ベアチップＩＣの実装精度を向上させ
ることができる。
成するので、ＦＰＣ単品における湿度や熱による反り防
止に効果があり、ベアチップＩＣの実装精度を向上させ
ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態よりなるＦＰＣ上のベア
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法において
有機材料であるレジスト剤を溝構造に用いた場合の説明
図であり、（ａ）平面図、（ｂ）断面図、（ｃ）封止樹
脂剤を充填した時の断面図を示す。
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法において
有機材料であるレジスト剤を溝構造に用いた場合の説明
図であり、（ａ）平面図、（ｂ）断面図、（ｃ）封止樹
脂剤を充填した時の断面図を示す。
【図２】本発明の一実施の形態よりなるＦＰＣ上のベア
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法において
において金属材料である銅箔回路パターンを溝構造に用
いた場合の説明図であり、（ａ）平面図、（ｂ）断面
図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断面図を示す。
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法において
において金属材料である銅箔回路パターンを溝構造に用
いた場合の説明図であり、（ａ）平面図、（ｂ）断面
図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断面図を示す。
【図３】本発明の一実施の形態よりなるＦＰＣ上のベア
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法において
ＦＰＣの構成材料を少なくとも１つ以上含む材料を溝構
造に用いた場合の説明図であり、（ａ）平面図、（ｂ）
断面図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断面図を示
す。
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法において
ＦＰＣの構成材料を少なくとも１つ以上含む材料を溝構
造に用いた場合の説明図であり、（ａ）平面図、（ｂ）
断面図、（ｃ）封止樹脂剤を充填した時の断面図を示
す。
【図４】本発明の一実施の形態よりなるＦＰＣ上のベア
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法において
幾つかの溝構造の形を説明図であり、（ａ）放射状型の
溝構造、（ｂ）平行状型の溝構造、（ｃ）逆平行状型の
溝構造、（ｄ）放射状型であり、且つ溝構造のパターン
を太く溝構造、（ｅ）放射状型であり、且つ溝構造を高
密度に配置した溝構造、（ｆ）幾つかのパターンの組み
合わせによる溝構造を示す。
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法において
幾つかの溝構造の形を説明図であり、（ａ）放射状型の
溝構造、（ｂ）平行状型の溝構造、（ｃ）逆平行状型の
溝構造、（ｄ）放射状型であり、且つ溝構造のパターン
を太く溝構造、（ｅ）放射状型であり、且つ溝構造を高
密度に配置した溝構造、（ｆ）幾つかのパターンの組み
合わせによる溝構造を示す。
【図５】本発明の一実施の形態よりなるＦＰＣ上のベア
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法における
ベアチップＩＣのバンプの形状を説明図であり、（ａ）
マッシュルーム型バンプ、（ｂ）ストレート型バンプを
示す。
チップＩＣの樹脂封止構造およびその製造方法における
ベアチップＩＣのバンプの形状を説明図であり、（ａ）
マッシュルーム型バンプ、（ｂ）ストレート型バンプを
示す。
【図６】従来例のＦＰＣ上のベアチップＩＣの封止樹脂
の脱泡工程を示す。
の脱泡工程を示す。
【図７】従来例のＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止
構造の説明図であり、（ａ）実装前のＦＰＣの平面図、
（ｂ）実装前のＦＰＣの断面図、（ｃ）実装後のＦＰＣ
の平面図、（ｄ）実装前のＦＰＣの断面図を示す。
構造の説明図であり、（ａ）実装前のＦＰＣの平面図、
（ｂ）実装前のＦＰＣの断面図、（ｃ）実装後のＦＰＣ
の平面図、（ｄ）実装前のＦＰＣの断面図を示す。
【図８】ＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造にお
けるベアチップＩＣとの間の封止樹脂剤の流れを説明す
る図であり、（ａ）バンプが無いと仮想した場合、
（ｂ）バンプがあり、封止樹脂の浸透の初期状態、
（ｃ）バンプがあり、封止樹脂の浸透の時間経過後の気
泡を内包した状態、（ｄ）は（ｃ）のＡ−Ａ′断面を示
す。
けるベアチップＩＣとの間の封止樹脂剤の流れを説明す
る図であり、（ａ）バンプが無いと仮想した場合、
（ｂ）バンプがあり、封止樹脂の浸透の初期状態、
（ｃ）バンプがあり、封止樹脂の浸透の時間経過後の気
泡を内包した状態、（ｄ）は（ｃ）のＡ−Ａ′断面を示
す。
１ 接続リード ２ ＦＰＣ ３ 封止樹脂の塗布位置 ４ ＦＰＣの基材であるポリイミドフィルム ５ 銅箔回路パターン ６ レジスト剤 ７ ベアチップＩＣ ８ 接続バンプ ９ 封止樹脂剤 １０ ＦＰＣ領域上の本発明の溝構造 １１ 本発明の有機材料による溝構造 １２ 本発明の金属材料による溝構造 １３ 本発明のＦＰＣの構成材料による溝構造 １４ 封止樹脂の塗布位置 １５ 放射状型の溝構造 １６ 平行状型の溝構造 １７ 逆平行状型の溝構造 １８ 放射状型溝構造 １９ 放射状型で高密度の溝構造 ２０ 組合せ型の溝構造 ２１ 溝構造の先端 ２２ 溝構造の終端
Claims (6)
- 【請求項１】 基材上に回路パターンが形成されレジス
ト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチップＩＣを実装し、
該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰＣ上のベアチップ
ＩＣの樹脂封止構造において、 実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に、レジスト剤を成す有機材料により形成され、封止樹
脂を塗布する位置から充填する方向に平行あるいは放射
状あるいは逆放射状に複数個の溝構造を設けたことを特
徴とするＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造。 - 【請求項２】 基材上に回路パターンが形成されレジス
ト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチップＩＣを実装し、
該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰＣ上のベアチップ
ＩＣの樹脂封止構造において、 実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に、回路パターンを成す金属材料により形成され、封止
樹脂を塗布する位置から充填する方向に平行あるいは放
射状あるいは逆放射状に複数個の溝構造を設けたことを
特徴とする ＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止構造。 - 【請求項３】 前記溝構造が、前記回路パターンを成す
金属材料と、レジスト剤を成す有機材料とより構成され
ることを特徴とする請求項２記載のＦＰＣ上のベアチッ
プＩＣの樹脂封止構造。 - 【請求項４】 基材上に回路パターンが形成されレジス
ト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチップＩＣを実装し、
該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰＣ上のベアチップ
ＩＣの樹脂封止する製造方法において、 実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に、レジスト剤の印刷と同時にレジスト剤を成す有機材
料により、封止樹脂を塗布する位置から充填する方向に
平行あるいは放射状あるいは逆放射状に複数個の溝構造
を形成し、 前記封止樹脂の塗布位置に封止樹脂を塗布して充填する
ことを特徴とするＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止
の製造方法 。 - 【請求項５】 基材上に回路パターンが形成されレジス
ト剤が印刷されたＦＰＣ上にベアチップＩＣを実装し、
該ベアチップＩＣを樹脂封止するＦＰＣ上のベアチップ
ＩＣの樹脂封止する製造方法において、 実装されるベアチップＩＣの下部に当たるＦＰＣ領域上
に、回路パターンのエッチング加工と同時に回路パター
ンを成す金属材料により、封止樹脂を塗布する位置から
充填する方向に平行あるいは放射状あるいは逆放射状に
複数個の溝構造を形成し、 前記封止樹脂の塗布位置に封止樹脂を塗布して充填する
ことを特徴とするＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止
の製造方法。 - 【請求項６】 前記溝構造を、前記回路パターンを成す
金属材料と、レジスト剤の印刷と同時に形成されるレジ
スト剤を成す有機材料とにより構成することを特徴とす
る請求項５記載のＦＰＣ上のベアチップＩＣの樹脂封止
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08039774A JP3129960B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | Ｆｐｃ上のベアチップｉｃの樹脂封止構造およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08039774A JP3129960B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | Ｆｐｃ上のベアチップｉｃの樹脂封止構造およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232474A JPH09232474A (ja) | 1997-09-05 |
| JP3129960B2 true JP3129960B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=12562289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08039774A Expired - Fee Related JP3129960B2 (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | Ｆｐｃ上のベアチップｉｃの樹脂封止構造およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3129960B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709259A (zh) * | 2011-03-28 | 2012-10-03 | 力成科技股份有限公司 | 非数组凸块的覆晶模封构造与方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6249135B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-06-19 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for passive optical characterization of semiconductor substrates subjected to high energy (MEV) ion implantation using high-injection surface photovoltage |
| JP4655325B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2011-03-23 | 凸版印刷株式会社 | 画像形成装置と画像形成方法および情報記録媒体の製造方法 |
| JP4727850B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2011-07-20 | ローム株式会社 | 半導体電子部品 |
| US7033864B2 (en) * | 2004-09-03 | 2006-04-25 | Texas Instruments Incorporated | Grooved substrates for uniform underfilling solder ball assembled electronic devices |
| JP4685601B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2011-05-18 | 新光電気工業株式会社 | 実装基板および半導体装置 |
| WO2008111345A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Nec Corporation | 電子機器及び電子機器の製造方法 |
| JP2010103240A (ja) | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Fujitsu Ltd | 接触センサユニット、電子装置及び接触センサユニットの製造方法 |
| JP2011096865A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Sharp Corp | 基板部材、モジュール、電気機器、およびモジュールの製造方法 |
| JP5214753B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP5785760B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-09-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 部品実装基板 |
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| JP5954075B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2016-07-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP6917295B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2021-08-11 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品内蔵基板、シート基板 |
| WO2020058815A1 (en) * | 2018-09-17 | 2020-03-26 | 3M Innovative Properties Company | Flexible device including conductive traces with enhanced stretchability |
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| CN112310008A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-02 | 华天科技(南京)有限公司 | 一种设置有基板预刷胶的封装结构及其制作方法 |
| TWM624524U (zh) * | 2021-11-23 | 2022-03-11 | 頎邦科技股份有限公司 | 半導體封裝構造 |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP08039774A patent/JP3129960B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09232474A (ja) | 1997-09-05 |
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