JP3263282B2 - ミリ波・赤外撮像装置 - Google Patents
ミリ波・赤外撮像装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ミサイル用ミリ
波・赤外複合シーカあるいは地上用ミリ波・赤外複合監
視システムのセンサ等に利用され、ミリ波画像、赤外画
像を同時に得るミリ波・赤外撮像装置に関する。
波・赤外複合シーカあるいは地上用ミリ波・赤外複合監
視システムのセンサ等に利用され、ミリ波画像、赤外画
像を同時に得るミリ波・赤外撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、ミリ波で空間のある視野
を画像としてとらえるミリ波撮像装置は、図7(a)に
示すように、パラボラアンテナ11を用いて機械的にミ
リ波ビームを走査するか、または図7(b)に示すよう
に、電子走査アンテナ12を用いて電気的にミリ波ビー
ムを走査することで画像化している。この方法による
と、直径20cmのパラボラアンテナを用いて希望する
視野空間(20°×10°)を94GHz帯で走査する
と数秒かかる。電子走査アンテナでも同様である。
を画像としてとらえるミリ波撮像装置は、図7(a)に
示すように、パラボラアンテナ11を用いて機械的にミ
リ波ビームを走査するか、または図7(b)に示すよう
に、電子走査アンテナ12を用いて電気的にミリ波ビー
ムを走査することで画像化している。この方法による
と、直径20cmのパラボラアンテナを用いて希望する
視野空間(20°×10°)を94GHz帯で走査する
と数秒かかる。電子走査アンテナでも同様である。
【0003】一方、赤外線撮像装置でも、焦光光学系に
より単素子赤外線検知器の焦点面に集光するようにした
赤外線センサの赤外線入射面をプリズムや反射鏡によっ
て走査することで、機械的走査で画像化している。最近
は、焦点面アレイ検知素子により、機械走査しないで画
像化が可能となっている。
より単素子赤外線検知器の焦点面に集光するようにした
赤外線センサの赤外線入射面をプリズムや反射鏡によっ
て走査することで、機械的走査で画像化している。最近
は、焦点面アレイ検知素子により、機械走査しないで画
像化が可能となっている。
【0004】ところが、ミリ波画像と赤外画像を同時に
同一方向のそれぞれ希望の視野内で得るためには、それ
ぞれの撮像装置21,22を図8に示すように縦か横に
並べるしかない。この方法によると、並べる間隔によっ
てはパララックスが生じたり(2個の撮像装置の画像中
心が一致しない)、装置全体が大掛かりとなる。特にミ
リ波画像抽出までに要する時間がかかりすぎるという難
点である。
同一方向のそれぞれ希望の視野内で得るためには、それ
ぞれの撮像装置21,22を図8に示すように縦か横に
並べるしかない。この方法によると、並べる間隔によっ
てはパララックスが生じたり(2個の撮像装置の画像中
心が一致しない)、装置全体が大掛かりとなる。特にミ
リ波画像抽出までに要する時間がかかりすぎるという難
点である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来のミリ波・赤外撮像装置では、各撮像装置を縦か横に
並べるしかなく、並べる間隔によってはパララックスが
生じたり、装置全体が大掛かりとなる。特にミリ波画像
抽出までに要する時間がかかりすぎる。
来のミリ波・赤外撮像装置では、各撮像装置を縦か横に
並べるしかなく、並べる間隔によってはパララックスが
生じたり、装置全体が大掛かりとなる。特にミリ波画像
抽出までに要する時間がかかりすぎる。
【0006】この発明は上記の課題を解決するためにな
されたもので、パララックスを生じることなく、簡易な
構造でかつ短時間にミリ波、赤外の画像を得ることので
きるミリ波・赤外撮像装置を提供することを目的とす
る。
されたもので、パララックスを生じることなく、簡易な
構造でかつ短時間にミリ波、赤外の画像を得ることので
きるミリ波・赤外撮像装置を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は、互いに同一方向からのミリ波、赤外の画
像を得るミリ波・赤外撮像装置において、前記ミリ波を
反射して集束させる1次反射鏡と、この1次反射鏡から
のミリ波反射経路上に配置され、赤外線透過素材による
複合レンズを用い、前記1次反射鏡と対向する面で前記
1次反射鏡から受けるミリ波を反射して前記1次反射鏡
上の1点に結像させると同時に、前記1次反射鏡とは反
対側の面から入射される赤外線を透過して前記1次反射
鏡上のミリ波結像面と同一面に結像させる形状を有する
2次反射鏡と、前記1次反射鏡上の結像面に配置され、
結像されたミリ波を電流検出するミリ波2次元受信アレ
イ素子と結像された赤外線を光電変換する赤外線2次元
受光アレイ素子を同一平面内に配置してなるミリ波・赤
外同一焦点面アレイと、このアレイからミリ波検出信
号、赤外検出信号を同時に読出し、走査変換を施して別
々の表示器にミリ波画像、赤外画像を表示する画像信号
に変換する信号処理手段とを具備して構成される。
にこの発明は、互いに同一方向からのミリ波、赤外の画
像を得るミリ波・赤外撮像装置において、前記ミリ波を
反射して集束させる1次反射鏡と、この1次反射鏡から
のミリ波反射経路上に配置され、赤外線透過素材による
複合レンズを用い、前記1次反射鏡と対向する面で前記
1次反射鏡から受けるミリ波を反射して前記1次反射鏡
上の1点に結像させると同時に、前記1次反射鏡とは反
対側の面から入射される赤外線を透過して前記1次反射
鏡上のミリ波結像面と同一面に結像させる形状を有する
2次反射鏡と、前記1次反射鏡上の結像面に配置され、
結像されたミリ波を電流検出するミリ波2次元受信アレ
イ素子と結像された赤外線を光電変換する赤外線2次元
受光アレイ素子を同一平面内に配置してなるミリ波・赤
外同一焦点面アレイと、このアレイからミリ波検出信
号、赤外検出信号を同時に読出し、走査変換を施して別
々の表示器にミリ波画像、赤外画像を表示する画像信号
に変換する信号処理手段とを具備して構成される。
【0008】上記構成によるミリ波・赤外撮像装置で
は、ミリ波を反射する1次反射鏡及び2次反射鏡の焦点
面に、ミリ波2次元受信アレイ素子と赤外線2次元受光
アレイ素子を同一平面内に配置したミリ波赤外同一焦点
面アレイを配し、2次反射鏡を赤外線集光レンズ構造と
することで、ミリ波・赤外共に画像として得られるよう
にしている。
は、ミリ波を反射する1次反射鏡及び2次反射鏡の焦点
面に、ミリ波2次元受信アレイ素子と赤外線2次元受光
アレイ素子を同一平面内に配置したミリ波赤外同一焦点
面アレイを配し、2次反射鏡を赤外線集光レンズ構造と
することで、ミリ波・赤外共に画像として得られるよう
にしている。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図1乃至図6を参照してこ
の発明の実施形態を詳細に説明する。図1はこの発明に
係るミリ波・赤外撮像装置におけるカセグレンアンテナ
系の構造を示す斜視図、図2はその具体的な構造を示す
断面図、図3は信号処理系の構成を示すブロック回路図
である。
の発明の実施形態を詳細に説明する。図1はこの発明に
係るミリ波・赤外撮像装置におけるカセグレンアンテナ
系の構造を示す斜視図、図2はその具体的な構造を示す
断面図、図3は信号処理系の構成を示すブロック回路図
である。
【0010】31は1次反射鏡、32は2次反射鏡であ
る。1次反射鏡31はミリ波を反射する素材で構成さ
れ、その反射面は放物面となっている。2次反射鏡32
は赤外線を透過する素材(例えばGe)による3枚のレ
ンズ321〜323で構成される。1枚面のレンズ32
1は1次反射鏡31側を双曲面として、ミリ波の2次反
射鏡として動作させ、さらにその反射を非球面として、
凹レンズ322、凸レンズ323を組み合わせ配置する
ことで、1次反射鏡31の中心が赤外の焦点面となるよ
うにする。すなわち、これら3種のGeレンズ321〜
323による2次反射鏡32は赤外線の透過型集光系と
して機能する。
る。1次反射鏡31はミリ波を反射する素材で構成さ
れ、その反射面は放物面となっている。2次反射鏡32
は赤外線を透過する素材(例えばGe)による3枚のレ
ンズ321〜323で構成される。1枚面のレンズ32
1は1次反射鏡31側を双曲面として、ミリ波の2次反
射鏡として動作させ、さらにその反射を非球面として、
凹レンズ322、凸レンズ323を組み合わせ配置する
ことで、1次反射鏡31の中心が赤外の焦点面となるよ
うにする。すなわち、これら3種のGeレンズ321〜
323による2次反射鏡32は赤外線の透過型集光系と
して機能する。
【0011】上記1次反射鏡31の焦点面にはミリ波・
赤外同一焦点面アレイ33が配置される。このアレイ3
3はミリ波2次元受信アレイ素子と赤外線2次元受光ア
レイ素子を同一平面内に配置したもので(詳細は後述す
る)、図3に示すように、アレイ駆動回路34からの駆
動信号により、ミリ波の受信出力(検波電流)を外部に
読出し、同時に赤外受光出力(検知電荷)を外部に読出
し、A/D変換器35でデジタル化した後、走査変換器
36で走査変換を行うことで、2台の一般的なCRT表
示器37,38に別個に出画可能となっており、一方の
表示器37にはミリ波画像、他方の表示器38には赤外
画像が表示される。
赤外同一焦点面アレイ33が配置される。このアレイ3
3はミリ波2次元受信アレイ素子と赤外線2次元受光ア
レイ素子を同一平面内に配置したもので(詳細は後述す
る)、図3に示すように、アレイ駆動回路34からの駆
動信号により、ミリ波の受信出力(検波電流)を外部に
読出し、同時に赤外受光出力(検知電荷)を外部に読出
し、A/D変換器35でデジタル化した後、走査変換器
36で走査変換を行うことで、2台の一般的なCRT表
示器37,38に別個に出画可能となっており、一方の
表示器37にはミリ波画像、他方の表示器38には赤外
画像が表示される。
【0012】図4は上記ミリ波・赤外同一焦点面アレイ
33の具体的な構造を示すもので、図4(a)はアレイ
33の上面図、図4(b)はそのA−A線断面図であ
る。このアレイ33は中央部に赤外受光アレイ部331
を配し、その周囲にミリ波受信アレイ部332を配した
もので、共にSiウェハ基板333上に形成される。全
体は約60mm×60mmの正方形である。
33の具体的な構造を示すもので、図4(a)はアレイ
33の上面図、図4(b)はそのA−A線断面図であ
る。このアレイ33は中央部に赤外受光アレイ部331
を配し、その周囲にミリ波受信アレイ部332を配した
もので、共にSiウェハ基板333上に形成される。全
体は約60mm×60mmの正方形である。
【0013】Siウェハ基板333には、赤外線を光電
変換する赤外受光アレイ部331の配置部下にその光電
変換出力を転送するための赤外電荷転送CCDが形成さ
れ、ミリ波を電流検波するミリ波受信アレイ部332の
配置部下にその電流検波出力を転送するためのミリ波検
波電流転送CCD335が形成される。これらのCCD
334、335は、それぞれ上部に配置される赤外受光
アレイ部331、ミリ波受信アレイ部332とIn金属
柱336を介して接続される。
変換する赤外受光アレイ部331の配置部下にその光電
変換出力を転送するための赤外電荷転送CCDが形成さ
れ、ミリ波を電流検波するミリ波受信アレイ部332の
配置部下にその電流検波出力を転送するためのミリ波検
波電流転送CCD335が形成される。これらのCCD
334、335は、それぞれ上部に配置される赤外受光
アレイ部331、ミリ波受信アレイ部332とIn金属
柱336を介して接続される。
【0014】赤外受光アレイ部331はInSbまたは
PuSe等のファトダイオードアレイで構成され、赤外
線波長3〜5μmを対象とする場合、1画素寸法30μ
m角のフォトダイオードを64×64画素程度配列す
る。この場合、全体は2mm×2mm程度となり、3.
8mm×3.8mm内に配置される。
PuSe等のファトダイオードアレイで構成され、赤外
線波長3〜5μmを対象とする場合、1画素寸法30μ
m角のフォトダイオードを64×64画素程度配列す
る。この場合、全体は2mm×2mm程度となり、3.
8mm×3.8mm内に配置される。
【0015】一方、ミリ波受信アレイ部332は、Ga
As系のMMIC回路で構成され、(15×15−1)
画素を赤外受光アレイ部331の周囲に配される。ミリ
波受信アレイ部332の構造を図5に示す。図5(a)
は上面図、図5(b)は1画素の上面図、図5(c)は
その断面図を示している。
As系のMMIC回路で構成され、(15×15−1)
画素を赤外受光アレイ部331の周囲に配される。ミリ
波受信アレイ部332の構造を図5に示す。図5(a)
は上面図、図5(b)は1画素の上面図、図5(c)は
その断面図を示している。
【0016】すなわち、このミリ波受信アレイ部332
は(15×15−1)画素で構成され、GaAs系基板
3321の上面に、1画素寸法にそれぞれストリップラ
インによってパッチアンテナ部3322、低雑音増幅器
(HEMT・LNA)3323、ショットキーダイオー
ド部(ミリ波検波器を構成し、ストリップライン下部に
n+層を形成することで実現される)3324、スルー
ホールによる電極3325を形成したMMIC回路で構
築される。各画素毎の電極3325はIn金属柱336
を介してSiウェハ333上の電極3331に接続され
る。
は(15×15−1)画素で構成され、GaAs系基板
3321の上面に、1画素寸法にそれぞれストリップラ
インによってパッチアンテナ部3322、低雑音増幅器
(HEMT・LNA)3323、ショットキーダイオー
ド部(ミリ波検波器を構成し、ストリップライン下部に
n+層を形成することで実現される)3324、スルー
ホールによる電極3325を形成したMMIC回路で構
築される。各画素毎の電極3325はIn金属柱336
を介してSiウェハ333上の電極3331に接続され
る。
【0017】これに対し、Siウェハ333側には、電
極3331の下部にn+層による注入ダイオード333
2が形成され、その側部に電荷蓄積MOSコンデンサ
(Cs)3333が形成され、その上部にMOSスイッ
チゲート3334が形成され、その側部に転送CCD電
極3335が形成され、これにより上述のミリ波検波電
流転送CCD335が構成される。
極3331の下部にn+層による注入ダイオード333
2が形成され、その側部に電荷蓄積MOSコンデンサ
(Cs)3333が形成され、その上部にMOSスイッ
チゲート3334が形成され、その側部に転送CCD電
極3335が形成され、これにより上述のミリ波検波電
流転送CCD335が構成される。
【0018】上記1画素当たりのミリ波受信構造の等価
回路を図6に示して、その動作を説明する。まず、ミリ
波MMIC回路側では、パッチアンテナ部3321で受
信したミリ波信号を低雑音増幅器3323により増幅し
た後、ショットキーダイオード部3324で電流検波
し、電極3325よりIn金属柱336を介してSiウ
ェハ333の電極3331に導出する。
回路を図6に示して、その動作を説明する。まず、ミリ
波MMIC回路側では、パッチアンテナ部3321で受
信したミリ波信号を低雑音増幅器3323により増幅し
た後、ショットキーダイオード部3324で電流検波
し、電極3325よりIn金属柱336を介してSiウ
ェハ333の電極3331に導出する。
【0019】Siウェハ333側では、電極3331に
供給される検波電流を電荷蓄積MOSコンデンサ333
3に蓄積し、その充電電圧をMOSスイッチゲート33
34により一定周期で取り出して転送CCD電極333
5を通じて転送出力する。
供給される検波電流を電荷蓄積MOSコンデンサ333
3に蓄積し、その充電電圧をMOSスイッチゲート33
34により一定周期で取り出して転送CCD電極333
5を通じて転送出力する。
【0020】以上の構成によるミリ波・赤外同一焦点面
アレイ33において、ミリ波周波数を94.7GHzと
した場合、回析限界による焦点面の間隔dは約1.2×
F×λ(F=f/D:Fは明るさ、fは焦点距離、Dは
開口径)で決定される(電波の場合は電力半値幅とす
る)。
アレイ33において、ミリ波周波数を94.7GHzと
した場合、回析限界による焦点面の間隔dは約1.2×
F×λ(F=f/D:Fは明るさ、fは焦点距離、Dは
開口径)で決定される(電波の場合は電力半値幅とす
る)。
【0021】例えば、D=25cm、f=25cmとす
ると、d=1.2×1×3.16[mm]となる。ミリ
波受信アレイ部332について約3.8mm角を1画素
相当とすると、中心部に赤外受光アレイ部331として
64×64画素アレイ約2mm×2mmと周辺回路部を
含めて3.8mm×3.8mm、すなわちミリ波の1画
素相当を割り当てる。ミリ波受信アレイ部332は(1
5×15−1)画素であるから、約57mm角を占める
ことになる。カセグレンアンテナの2次反射鏡の径との
兼ね合いで、スピルオーバーがない程度に焦点面に占め
るミリ波画素数を決定する。
ると、d=1.2×1×3.16[mm]となる。ミリ
波受信アレイ部332について約3.8mm角を1画素
相当とすると、中心部に赤外受光アレイ部331として
64×64画素アレイ約2mm×2mmと周辺回路部を
含めて3.8mm×3.8mm、すなわちミリ波の1画
素相当を割り当てる。ミリ波受信アレイ部332は(1
5×15−1)画素であるから、約57mm角を占める
ことになる。カセグレンアンテナの2次反射鏡の径との
兼ね合いで、スピルオーバーがない程度に焦点面に占め
るミリ波画素数を決定する。
【0022】以下、中心に64×64画素の赤外受光ア
レイ部331、周辺に(15×15−1)画素のミリ波
受信アレイ部332を配したものとして詳述する。赤外
検知素子(フォトダイオード)に所定の感度を持たせる
ために、このミリ波・赤外同一焦点面アレイを真空デュ
アに封入し、中心付近を冷却する構造とする。
レイ部331、周辺に(15×15−1)画素のミリ波
受信アレイ部332を配したものとして詳述する。赤外
検知素子(フォトダイオード)に所定の感度を持たせる
ために、このミリ波・赤外同一焦点面アレイを真空デュ
アに封入し、中心付近を冷却する構造とする。
【0023】尚、ミリ波の1画素として、3.8mm×
3.8mm内にアンテナ、LNA、ショットキーダイオ
ードをMMIC回路で収めるとしているが、一般に実効
誘電率εeのマイクロストリップ線路の実効波長λgは
λg=λ/(εe)1/2 (λ:自由空間波長)であり、
GaAs系のεeは約10なので、ミリ波周波数が9
4.7GHzの場合、λgはおよそ1mmとなる。した
がって、十分アンテナ、LNA用の整合回路を与えられ
た面積内で作成することが可能である。
3.8mm内にアンテナ、LNA、ショットキーダイオ
ードをMMIC回路で収めるとしているが、一般に実効
誘電率εeのマイクロストリップ線路の実効波長λgは
λg=λ/(εe)1/2 (λ:自由空間波長)であり、
GaAs系のεeは約10なので、ミリ波周波数が9
4.7GHzの場合、λgはおよそ1mmとなる。した
がって、十分アンテナ、LNA用の整合回路を与えられ
た面積内で作成することが可能である。
【0024】上記実施形態によるミリ波・赤外同一焦点
面アレイを用いた撮像装置を、ミリ波に関し、全波ミリ
波受信機として使用した場合(自然放射のミリ波をパッ
シブ受信する)、従来方式の走査型に比して、15×1
5=225画素、すなわち1画面を形成するのに1/2
25の時間短縮となり、非常にデータレートの早いミリ
波画像が可能となる。この結果、1台のセットでミリ波
と赤外の画像をパララックスなく同時に出画可能とな
り、ASM、SSM(ミサイル径300mm)のシーカ
として十分利用することができるようになる。
面アレイを用いた撮像装置を、ミリ波に関し、全波ミリ
波受信機として使用した場合(自然放射のミリ波をパッ
シブ受信する)、従来方式の走査型に比して、15×1
5=225画素、すなわち1画面を形成するのに1/2
25の時間短縮となり、非常にデータレートの早いミリ
波画像が可能となる。この結果、1台のセットでミリ波
と赤外の画像をパララックスなく同時に出画可能とな
り、ASM、SSM(ミサイル径300mm)のシーカ
として十分利用することができるようになる。
【0025】また、ミサイルのシーカに限らず、カセグ
レンの直径を大とし、さらに2次反射鏡の径を大とし
て、スピルオーバーしない程度にミリ波素子数を増加す
れば、赤外、ミリ波の詳細画像が得られるようなり、複
雑な背景下の目標の識別に非常に有利となる。
レンの直径を大とし、さらに2次反射鏡の径を大とし
て、スピルオーバーしない程度にミリ波素子数を増加す
れば、赤外、ミリ波の詳細画像が得られるようなり、複
雑な背景下の目標の識別に非常に有利となる。
【0026】自然放射電力不足時は、外部からミリ波の
視野内に送信し、その反射波を画像出力することもでき
る。いわゆるセミアクティブ画像レーダにも利用でき
る。尚、この発明は上記実施形態に限定されるものでは
なく、この発明の要旨を変更しない範囲で種々変形して
も同様に実施可能である。
視野内に送信し、その反射波を画像出力することもでき
る。いわゆるセミアクティブ画像レーダにも利用でき
る。尚、この発明は上記実施形態に限定されるものでは
なく、この発明の要旨を変更しない範囲で種々変形して
も同様に実施可能である。
【0027】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、パララ
ックスを生じることなく、簡易な構造でかつ短時間にミ
リ波、赤外の画像を得ることのできるミリ波・赤外撮像
装置を提供することができる。
ックスを生じることなく、簡易な構造でかつ短時間にミ
リ波、赤外の画像を得ることのできるミリ波・赤外撮像
装置を提供することができる。
【図1】この発明に係るミリ波・赤外撮像装置の一実施
形態の構造を示す斜視図である。
形態の構造を示す斜視図である。
【図2】同実施形態のアンテナ系の具体的な構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図3】同実施形態の信号処理系の構造を示すブロック
図である。
図である。
【図4】同実施形態のミリ波・赤外同一焦点面アレイの
具体的な構造を示す図である。
具体的な構造を示す図である。
【図5】同実施形態のミリ波受信アレイ部の構造をに示
す図である。
す図である。
【図6】同実施形態のミリ波受信アレイ部の1画素当た
りのミリ波受信構造の等価回路を示すブロック回路図で
ある。
りのミリ波受信構造の等価回路を示すブロック回路図で
ある。
【図7】従来のミリ波撮像装置の構成例を示す図であ
る。
る。
【図8】従来のミリ波・赤外撮像装置の構成を示す図で
ある。
ある。
11…パラボラアンテナ、12…電子走査アンテナ、2
1…ミリ波撮像装置、22…赤外撮像装置、31…1次
反射鏡、32…2次反射鏡、321〜323…赤外線レ
ンズ、33…ミリ波・赤外同一焦点面アレイ、331…
赤外受光アレイ部、332…ミリ波受信アレイ部、33
21…GaAs系基板、3322…パッチアンテナ部、
3323…低雑音増幅器(HEMT・LNA)、332
4…ショットキーダイオード部、3325…スルーホー
ル電極、333…Siウェハ基板、3331…電極、3
332…注入ダイオード、3333…電荷蓄積MOSコ
ンデンサ、3334…MOSスイッチゲート、3335
…転送CCD電極、334…赤外電荷転送CCD、33
5…ミリ波検波電流転送CCD、336…In金属柱、
34…アレイ駆動回路、35…A/D変換器、36…走
査変換器、37,38…CRT表示器。
1…ミリ波撮像装置、22…赤外撮像装置、31…1次
反射鏡、32…2次反射鏡、321〜323…赤外線レ
ンズ、33…ミリ波・赤外同一焦点面アレイ、331…
赤外受光アレイ部、332…ミリ波受信アレイ部、33
21…GaAs系基板、3322…パッチアンテナ部、
3323…低雑音増幅器(HEMT・LNA)、332
4…ショットキーダイオード部、3325…スルーホー
ル電極、333…Siウェハ基板、3331…電極、3
332…注入ダイオード、3333…電荷蓄積MOSコ
ンデンサ、3334…MOSスイッチゲート、3335
…転送CCD電極、334…赤外電荷転送CCD、33
5…ミリ波検波電流転送CCD、336…In金属柱、
34…アレイ駆動回路、35…A/D変換器、36…走
査変換器、37,38…CRT表示器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 5/30 - 5/335 H04N 7/18 G01S 7/03 G01S 13/86
Claims (3)
- 【請求項1】互いに同一方向からのミリ波、赤外の画像
を得るミリ波・赤外撮像装置において、 前記 ミリ波を反射して集束させる1次反射鏡と、 この1次反射鏡からのミリ波反射経路上に配置され、赤
外線透過素材による複合レンズを用い、前記1次反射鏡
と対向する面で前記1次反射鏡から受けるミリ波を反射
して前記1次反射鏡上の1点に結像させると同時に、前
記1次反射鏡とは反対側の面から入射される赤外線を透
過して前記1次反射鏡上のミリ波結像面と同一面に結像
させる形状を有する2次反射鏡と、 前記1次反射鏡上の結像面に配置され、結像されたミリ
波を電流検出するミリ波2次元受信アレイ素子と結像さ
れた赤外線を光電変換する赤外線2次元受光アレイ素子
を同一平面内に配置してなるミリ波・赤外同一焦点面ア
レイと、 このアレイからミリ波検出信号、赤外検出信号を同時に
読出し、走査変換を施して別々の表示器にミリ波画像、
赤外画像を表示する画像信号に変換する信号処理手段と
を具備するミリ波・赤外撮像装置。 - 【請求項2】前記1次反射鏡は放物面、2次反射鏡は双
曲面を有してカセグレンアンテナを構成することを特徴
とする請求項1記載のミリ波・赤外撮像装置。 - 【請求項3】前記ミリ波・赤外同一焦点面アレイは、前
記ミリ波2次元受信アレイ素子及び前記赤外線2次元受
光アレイ素子それぞれの下部に電荷転送デバイスを対向
配置し、各素子をそれぞれ対向配置された電荷転送デバ
イスにバンプ結合して構成されることを特徴とする請求
項1記載のミリ波・赤外撮像装置。
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|---|---|---|---|
| JP17514895A JP3263282B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ミリ波・赤外撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17514895A JP3263282B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ミリ波・赤外撮像装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927927A JPH0927927A (ja) | 1997-01-28 |
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ID=15991120
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP17514895A Expired - Fee Related JP3263282B2 (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ミリ波・赤外撮像装置 |
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| JP (1) | JP3263282B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1995
- 1995-07-11 JP JP17514895A patent/JP3263282B2/ja not_active Expired - Fee Related
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