JP4470017B2 - 精密基板用容器 - Google Patents

Description

発明の属する技術分野
本発明は、半導体製造用のウエハ基板、マスク原板、フォトマスク、磁気ディスク基板、液晶ディスプレイ基板などの精密基板の保管、搬送等に使用する精密基板用容器と、該精密基板用容器の構成部品の製造方法と、該精密基板用容器を用いた精密基板の格納方法とに関する。
背景技術
半導体チップや液晶表示デバイス等の電子部品分野では、高集積化に伴い、それらの製造工程における微粒子（０．１μｍ程度の大きさでも問題となる。）、水分、有機物質等の汚染物質の混入による品質低下が大きな問題となっている。そのため、これらの部品の製造に用いられるシリコンウエハ基板や液晶表示基板などの精密基板の保管や搬送は、上記汚染物質を可能な限り低減させた環境下で行う必要がある。
そこで、これらの精密基板を、内部が高度に清浄された密閉容器に収納し、外部環境から隔離した状態で保管や搬送する方法が用いられている。
また、容器に収納される精密基板に微粒子などの汚染物質が付着することを防止するため、容器内部にクリーンエアや不活性ガスの封入が行われていたが、近年、低汚染性の要求が一層強まり、そのためにさらに内部を真空又は減圧状態にする方法が提案されている。内部を減圧又は真空状態にした容器は、気密性が高く、耐圧性があることに加えて、容器自体から水分や有機物等の汚染物質が揮散しないことが要求される。この要求を満たす容器として、金属製の容器が知られている。
しかし、金属製の容器は、重く、内部の精密基板が観察できず、製造コストも高い。そのため、熱可塑性樹脂を用いて上記の要求を満たす容器が得られないかが検討されてきた。
熱可塑性樹脂の成形品は、一般に水分や有機物を放出するが、環状オレフィン樹脂による容器が内容物に対する汚染の少ないことは知られている（特開平１１−７４３３７号公報）。
しかしながら、この公報記載の技術によっても最近の低汚染性への要求に対応するには不十分であった。
発明の開示
本発明の目的は、低汚染性の要求を満足することができる精密基板用容器と、該精密基板用容器の構成部品の製造方法と、該精密基板用容器を用いた精密基板の格納方法とを、提供することである。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、熱可塑性樹脂を成形してなり、特定の条件下においたときに放出される水分や有機化合物の量が特定量以下である部品で容器を製造して精密基板を収納すると、長期に保管、搬送等しても汚染物質の付着量が著しく少なくなることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明によれば、
熱可塑性樹脂を成形してなる構成部品を１つ以上有する精密基板用容器であって、
前記構成部品が、下記［１］および［２］の特性を満足することを特徴とする精密基板用容器が提供される。
［１］２５℃において、流速１．２Ｌ／ｍｉｎの超高純度アルゴンガス（不純物濃度：１ｐｐｂ以下）を接触させ続けたときに、３００分後の前記アルゴンガス中の水分量が、構成部品の表面積１ｃｍ^２ あたり３０ｐｐｂ以下、
［２］１００℃の空気中に置いたときに、３００分間での空気中の有機物の増加量が、構成部品の重量１ｇあたり１５０ｎｇ以下。
好ましくは、熱可塑性樹脂が、脂環式構造含有重合体樹脂である。
好ましくは、脂環式構造含有重合体樹脂が、脂環式構造含有単量体由来の繰り返し単位を３０〜１００重量％含有する。
好ましくは、脂環式構造含有重合体樹脂が、ノルボルネン系単量体の開環（共）重合体または該重合体の水素化物である。
好ましくは、脂環式構造含有重合体樹脂が、９５重量％以上の重合転化率を持つ。
好ましくは、脂環式構造含有重合体樹脂が、５，０００〜５００，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を持ち、該重量平均分子量がヘキサン溶液（重合体樹脂が溶解しない場合はトルエン溶液）のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリイソプレン換算の値である。
好ましくは、脂環式構造含有重合体樹脂が、炭素−炭素二重結合を全炭素−炭素結合の総量に対して０．１５重量％以下含有する。
好ましくは、脂環式構造含有重合体樹脂が、０．１〜３０ｇ／１０ｍｉｎのメルトインデックスを持ち、該メルトインデックスがＪＩＳ−Ｋ７２１０に基づき２３０℃で測定した値である。
好ましくは、脂環式構造含有重合体樹脂が、２〜１００ｇ／１０ｍｉｎのメルトインデックスを持ち、該メルトインデックスがＪＩＳ−Ｋ７２１０に基づき２８０℃で測定した値である。
本発明によれば、
予備乾燥した脂環式構造含有重合体樹脂を含む成形用材料を用いて精密基板用容器の構成部品を製造することを特徴とする精密基板用容器の構成部品の製造方法が提供される。
好ましくは、脂環式構造含有重合体樹脂の予備乾燥を、該脂環式構造含有重合体樹脂のガラス転移温度より５℃〜８０℃低い温度および２時間以上１０時間以内の条件で行う。
好ましくは、窒素シールして保管された成形用材料を用いる。
好ましくは、０．１〜３０ｇ／１０ｍｉｎのメルトインデックスを持ち、該メルトインデックスがＪＩＳ−Ｋ７２１０に基づき２３０℃で測定した値である脂環式構造含有重合体樹脂を用い、下記条件で射出成形して精密基板用容器の構成部品を製造する。
成形時の樹脂温度：２２０〜３３０℃、
溶融樹脂のシリンダー内部滞留時間：１時間以内。
好ましくは、２〜１００ｇ／１０ｍｉｎのメルトインデックスを持ち、該メルトインデックスがＪＩＳ−Ｋ７２１０に基づき２８０℃で測定した値である脂環式構造含有重合体樹脂を含む成形用材料を、下記条件で射出成形し、精密基板用容器の構成部品を製造する。
成形時の樹脂温度：２２０〜３３０℃、
溶融樹脂のシリンダー内部滞留時間：１時間以内。
本発明によれば、
上記いずれかの精密基板用容器を用い、該容器内を真空状態にして精密基板を格納することを特徴とする精密基板の格納方法が提供される。
好ましくは、開口部を有し、内部に精密基板を収納可能な容器本体と、
該容器本体の開口部を覆って接合させることにより、前記容器本体との間で閉じた空間を形成可能な容器蓋とを、有する精密基板用容器を用い、
前記容器本体の内部に精密基板を入れる工程と、
該精密基板が入れられた容器本体の置かれた雰囲気を常圧から真空状態に減圧する工程と、
該減圧後の容器本体の開口部を、前記容器蓋で覆い、容器内に精密基板を密閉状態で格納する工程と、
該精密基板が格納された容器の置かれた雰囲気を常圧に戻す工程とを、有する。
本発明に係る精密基板用容器は、半導体製造用ウエハ基板（シリコンウエハ基板や集積回路チップへ加工途中のウエハ基板等）、マスク原板、フォトマスク、磁気ディスク基板、液晶ディスプレイ基板などの各種精密基板の格納（保管）や搬送に使用することができる。
本発明に係る精密基板用容器は、低汚染性の要求を満足し、中に保管される精密基板を汚染しないため、該基板を用いて製造した電子部品等の不良率を大幅に小さくすることができる。
本発明に係る精密基板用容器の構成部品の製造方法によれば、上述した本発明の精密基板用容器の構成部品を効率よく製造することができる。
本発明に係る精密基板の格納方法によれば、空気中の浮遊物質により精密基板が汚染されることを効果的に防止できる。
図面の簡単な説明
図１Ａは本発明の一実施形態に係る精密基板用容器の概略断面図、
図１Ｂは図１Ａの精密基板用容器の平面図である。
発明を実施するための最良の形態
精密基板用容器
本発明に係る精密基板用容器は、少なくとも２つに分割可能な少なくとも２つの構成部品で構成してある。少なくとも２つの構成部品のうち、少なくとも１つの構成部品に精密基板を収納した後、残りの構成部品を接合して得られる閉じた空間の内部に精密基板を格納可能な構造を持つ。
構成部品
すなわち、本発明に係る精密基板用容器は、少なくとも、開口部を有し内部に精密基板を収納可能な第１の構成部品と、該第１の構成部品の開口部を覆って接合させることにより前記第１の構成部品との間で閉じた空間を形成可能な第２の構成部品とを、有する。
第１の構成部品は、本発明の中で、通常、最も容量が大きいものであり、容器本体を構成する。第２の構成部品は、前記容器本体の開口部を覆って接合させることにより閉じた空間を形成し得るものであり、容器蓋を構成する。
容器本体は、精密基板を入れることのできる開口部を有する。容器本体の形状は、特に限定されず、円柱状、椀状、皿状、角柱状などのいずれの形状であっても良い。ただし、複数枚の精密基板（主に円板、長方形板）を収納し得るように、円柱状または角柱状であることが好ましい。この場合、容器本体の側壁は、容器底面に垂直、先広がり、先ぼそりのいずれの態様であっても良い。また、容器記本体は、容器蓋と接合するためのフランジ部を開口部に有するのが好ましい。
容器蓋は、容器本体の開口部を覆って接合することができれば、その形状は特に限定されないが、板状、椀状または皿状であることが好ましい。なお、容器蓋が椀状や皿状である場合には、該容器蓋にも精密基板を収納してもよい。
容器本体と容器蓋との使用時の位置関係は、特に限定されず、たとえば容器蓋の裏側に精密基板を重ね置き、その上から容器本体を覆うような関係であっても良い。
容器本体の開口部と、容器蓋との接合面は、密着して容器内を気密に保つことのできる構造（たとえば、面と面とで接する構造）であることが好ましい。
本発明に係る精密基板用容器は、上記容器本体および容器蓋の他に、それらを密着させるための第３の構成部品をさらに有することが好ましい。具体的には、容器本体の開口部と容器蓋との接合面をシールする部品（ガスケット、パッキン、Ｏリングなど）や、容器本体と容器蓋とを密着させる部品（クランプ、クリップなどの締め付け治具）などが挙げられる。容器本体と容器蓋との接合面をシールする部品は、軟質の樹脂、熱可塑性エラストマー、ゴムなどで構成してあることが好ましい。
容器本体と容器蓋とにより形成される閉じた空間（精密基板の収納部）の容積は、通常０．２〜３００リットル、好ましくは１〜１５０リットル、より好ましくは３〜５０リットルである。
本発明では、上述した容器本体および容器蓋（いずれも本発明での構成部品に相当する）は、いずれも下記［１］および［２］の特性を満足することが好ましい。
［１］２５℃において、流速１．２Ｌ／ｍｉｎの超高純度アルゴンガス（不純物濃度：１ｐｐｂ以下）を接触させ続けたときに、３００分後の前記アルゴンガス中の水分量（放出水分量）が、構成部品の表面積１ｃｍ^２ あたり３０ｐｐｂ以下（好ましくは２０ｐｐｂ以下、より好ましくは１０ｐｐｂ以下、特に好ましくは５ｐｐｂ以下）、
［２］１００℃の空気中に置いたときに、３００分間での空気中の有機物の増加量（放出有機物量）が、構成部品の重量１ｇあたり１５０ｎｇ以下（好ましくは１００ｎｇ／ｇ以下、より好ましくは５０ｎｇ／ｇ以下）。
構成部品の表面積１ｃｍ^２ あたりの放出水分量が３０ｐｐｂを越えると、例えば容器にシリコンウエハ基板を保管した場合に、該ウエハ基板の表面に自然酸化膜が生成するため、該ウエハ基板で半導体素子を製造すると絶縁不良などの不具合を生じるおそれがある。構成部品の重量１ｇあたりの放出有機物量が１５０ｎｇを越えると、放出された有機物がシリコンウエハ基板上に付着しやすくなり、製造の歩留まりや信頼性が低下する。
放出水分量の測定方法を説明する。まず、成形直後の部品、あるいは成形後に超純水で１０分間超音波洗浄し、高純度窒素でパージして精密洗浄を行ってクリーンルーム中に保存した部品、から試験片を切り出し、保管する。試験片の切り出しおよび切り出した試験片の保管は、環境からの水分の吸着や吸収がないように、相対湿度２０〜８５％、好ましくは３５〜６０％の環境下で行う。試験片は、任意の方向で測定した長さの最大値を５０〜３００ｍｍとし、その表面積が切断面も含めて５〜２００ｃｍ^２ となるように切り出す。次に、試験片の放出水分量を測定する。放出水分量の測定は、不純物濃度が１ｐｐｂ以下である超高純度アルゴンガスの流速１．２Ｌ／ｍｉｎ、温度２５℃の気流中に、上記試験片を置いて該高純度アルゴンガスと接触させ続け、３００分後のアルゴンガス中の水分量を大気圧イオン化質量分析計〔以下、「ＡＰＩ−ＭＳ」と記す。〕にて求める。なお、低湿度の環境下で容器部品または試験片を長期間保管すると、測定前に試験片から水分が放出されて正しい測定値が得られない。そこで、部品の成形または精密洗浄から測定までの時間を、通常４８時間以内、好ましくは２４時間以内とすることが望ましい。
放出有機物量の測定方法を説明する。試験片の作成条件は、上述した放出水分量の測定に用いる試験片と同様である。ただし、試験片は、任意の方向の長さの最大値を５０〜３００ｍｍとし、その重量が０．５〜２０ｇとなるよう切り出す。次に、試験片の放出有機物量を測定する。放出有機物量の測定は、上記試験片を用い、熱脱着ガスクロマトグラフィー−質量分析計（ＴＤＳ−ＧＣ−ＭＳ）を用いて、１００℃、３００分で行う。なお、切り出した試験片は、クラス１００のクリーンルーム中に保管し、部品の成形または精密洗浄から、通常４８時間以内、好ましくは２４時間以内に測定に供することが望ましい。
空気中に放出される有機物は、
（１）熱可塑性樹脂中の未反応モノマーやオリゴマーまたはそれらの分解物、
（２）樹脂に配合された酸化防止剤またはそれらの分解物〔例えば、ブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、ジラウリルチオジプロピオネートなど〕、
（３）可塑剤〔例えば、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ）などのフタル酸エステル；リン酸トリブチル（ＴＢＰ）、リン酸トリエチル（ＴＥＰ）などのリン酸エステル；オレイン酸ブチルなどの脂肪酸エステル；アジピン酸ジオクチル（ＤＯＡ）などのアジピン酸エステルなど〕、
（４）樹脂中の残留溶剤（例えば、アセトン、トルエン、キシレン、ジクロロベンゼン、シクロヘキサンなど）、
（５）光安定剤、架橋剤、滑剤、帯電防止剤などの添加剤、
などで構成される。
本発明では、上述した容器本体および容器蓋は、いずれも熱可塑性樹脂を成形してなることが好ましい。
熱可塑性樹脂
本発明で使用可能な熱可塑性樹脂としては、その成形品としての上述した構成部品が、上述した放出水分量および放出有機物量の性能を持ち、かつ透明な成形体を形成できるものであれば、特に限定されない。
このような熱可塑性樹脂としては、脂環式構造含有重合体樹脂、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニルエーテル、ポリスルフォン、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。これらの中で脂環式構造含有重合体樹脂が好ましい。
本発明で使用可能な脂環式構造含有重合体樹脂は、脂環式構造含有単量体由来の繰り返し単位を２０重量％以上含有する重合体であって樹脂であるものをいう。
脂環式構造としては、単環、多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み合わせ多環など）が挙げられる。脂環式構造を構成する炭素原子数は、格別な制限はないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個である。脂環式構造の炭素数が上記範囲であると、機械的強度、耐熱性および成形性の諸特性が高度にバランスされ、好適である。
脂環式構造含有重合体樹脂中の脂環式構造含有単量体由来の繰り返し単位の含有割合は、通常２０〜１００重量％、好ましくは３０〜１００重量％である。脂環式構造含有単量体由来の繰り返し単位の割合が過度に少ないと、耐熱性に劣り好ましくない。
脂環式構造含有重合体樹脂中の脂環式構造含有単量体由来の繰り返し単位以外の残部は、使用目的に応じて適宜選択される。
脂環式構造含有重合体樹脂としては、ノルボルネン系重合体、単環シクロアルケン系重合体、ビニルシクロアルカン系重合体などが挙げられる。
ノルボルネン系重合体は、ノルボルネン系単量体を、付加（共）重合または開環（共）重合し、必要に応じてそれらの不飽和結合部分を水素化することによって得られる重合体である。
単環シクロアルケン重合体は、単環シクロアルケン単量体または脂環式共役ジエン単量体を付加（共）重合し、必要に応じてそれらの不飽和結合部分を水素化することによって得られる重合体である。
ビニルシクロアルカン系重合体は、ビニルシクロアルカンの重合体；ビニルシクロアルケンの重合体またはビニルシクロアルカンもしくはビニルシクロアルケンと共重合可能な他の単量体との共重合体の不飽和結合部分の水素化物；芳香族ビニル系重合体または芳香族ビニル化合物と共重合可能な他の単量体との共重合体の芳香環およびオレフィン性不飽和結合部分の水素化物である。
これらの中で、ノルボルネン系単量体の開環（共）重合体およびその水素化物が好ましく、ノルボルナン環を付帯しないノルボルネン系単量体を（共）重合成分として含有するものがより好ましい。
なお、以下の説明では、ノルボルネン系単量体、単環シクロアルケン、脂環式共役ジエンおよびビニルシクロアルケンを「脂環式構造含有単量体」と称することがある。
脂環式構造含有単量体としては、ノルボルナン環を付帯しないノルボルネン系単量体、ノルボルナン環を付帯するノルボルネン系単量体、単環シクロアルケン、脂環式共役ジエン、ビニル脂環式炭化水素などが挙げられる。
ノルボルナン環を付帯しないノルボルネン系単量体としては、ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５−メチル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５，５−ジメチル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−エチル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−オクタデシル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−エチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−メチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、
５−プロペニル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−シアノ−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−メチル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネイト、ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−５−エニル−２−メチルオクタネイト、
ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチルビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５，６−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５，６−ジカルボキシ−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−シクロヘキシル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−シクロヘキセニル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、５−フェニル−ビシクロ〔２．２．１〕ヘプト−２−エン、
トリシクロ〔４．３．０．１^２，５ 〕デカ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、トリシクロ〔４．３．０．１^２，５ 〕デカ−３−エン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５ 〕ウンデカ−３，７−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５ 〕ウンデカ−３，８−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１^２，５ 〕ウンデカ−３−エン、７，８−ベンゾトリシクロ〔４．３．０．１^２，５ 〕デカ−３−エン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン）、８，９−ベンゾトリシクロ〔４．４．０．１^２，５ 〕ウンデカ−３−エン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン）などが挙げられる。
ノルボルナン環を付帯するノルボルネン系単量体としては、テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、８−メチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−エチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−ビニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^{７，１０〕}ドデカ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−カルボキシ−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、
８−シクロペンチル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−シクロヘキシル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−シクロヘキセニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラシクロ〔４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０〕ドデカ−３−エン、ペンタシクロ〔６．５．１．１^３，６ ．０^２，７ ．０^９，１３〕ペンタデカ−３，１０−ジエン、ペンタシクロ〔７．４．０．１^３，６ ．１^{１０，１３} ．０^２，７ 〕ペンタデカ−４，１１−ジエンなどが挙げられる。
単環シクロアルケンとしては、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロヘプテンなどが挙げられる。
脂環式共役ジエンとしては、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエンなどが挙げられる。
ビニル脂環式炭化水素としては、ビニルシクロアルケン、ビニルシクロアルカンが挙げられる。ビニルシクロアルケンとしては、ビニルシクロペンテン、２−メチル−４−ビニルシクロペンテン、ビニルシクロヘキセンなどのが挙げられる。ビニルシクロアルカンとしては、ビニルシクロペンタン、２−メチル−４−ビニルシクロペンタン、ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロオクタンなどが挙げられる。
芳香族ビニル化合物としては、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、ビニルナフタレン、ビニルトルエンなどが挙げられる。
上記脂環式構造含有単量体及び芳香族ビニル化合物は、それぞれ単独で、または２種以上を組み合わせても用いることができる。
本発明で使用可能な脂環式構造含有重合体樹脂は、前記脂環式構造含有単量体または／および芳香族ビニル化合物と、脂環式構造含有単量体または芳香族ビニル化合物と共重合可能なその他の単量体とを共重合して得られるものであってもよい。
脂環式構造含有単量体または芳香族ビニル化合物と共重合可能なその他の単量体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの鎖状オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明で使用可能な脂環式構造含有重合体樹脂には、極性基を含有していてもよい。脂環式構造含有重合体樹脂を構成する全繰り返し単位の中の、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミド基、エステル基、酸無水物基などの極性基を含有する繰り返し単位の割合は、通常５０重量％以下、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１０重量％以下である。脂環式構造含有重合体樹脂の全繰り返し単位中の極性基含有繰り返し単位の割合が多すぎると、成形体から放出される水分が多くなるおそれがある。
脂環式構造含有重合体樹脂の重合方法および必要に応じて行われる水素添加の方法は、格別な制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。
ノルボルネン系単量体および単環シクロアルケンの開環重合体は、開環重合触媒として、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金などの金属のハロゲン化物、硝酸塩またはアセチルアセトン化合物と、還元剤とからなる触媒、あるいは、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タングステン、モリブデンなどの金属のハロゲン化物またはアセチルアセトン化合物と、助触媒の有機アルミニウム化合物とからなる触媒を用いて、通常、溶媒中で−５０℃〜１００℃の重合温度、０〜５ＭＰａの重合圧力で開環重合させることにより得ることができる。
ノルボルネン系単量体および単環シクロアルケンの付加重合体、または、これらと上記共重合可能な単量体との付加共重合体は、例えば、単量体成分を、チタン、ジルコニウム、またはバナジウム化合物と助触媒の有機アルミニウム化合物とからなる触媒の存在下で、通常、−５０℃〜１００℃の重合温度、０〜５ＭＰａの重合圧力で共重合させる方法により得ることができる。
芳香族ビニル化合物、ビニルシクロアルケンまたはビニルシクロアルカンの重合反応は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合などの公知の方法のいずれでもよいが、カチオン重合では重合体の分子量が小さくなり、ラジカル重合では分子量分布が広くなって成形体の機械的強度が低下する傾向があるので、アニオン重合が好ましい。また、懸濁重合、溶液重合、塊状重合のいずれでもよい。これらの重合体の中では芳香族ビニル化合物単独重合体、芳香族ビニル化合物単位を５０重量％以上含有するランダムおよびブロック共重合体の水素化物が好ましい。水素化スチレン単独重合体は、アイソタクチック、シンジオタクチックおよびアタクチックのいずれでも良い。
ラジカル重合を行う場合は、重合触媒としてアゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルペルオキシドのごときラジカル開始剤を使用することができ、カチオン重合を行う場合は、重合触媒としてＢＦ_３ 、ＢＦ_６ などを用いることができる。
アニオン重合は、具体的には有機溶媒中で、重合触媒としてｎ−ブチルリチウム、１，４−ジリチオブタンなどの有機アルカリ金属を使用する。機械的強度や耐熱性の確保などの目的で、分子量分布の狭い重合体を得るためにジブチルエーテル、トリエチルアミンなどのルイス塩基を添加する。
重合反応の後に重合体の水素添加反応を続けて行う場合には、重合反応が有機溶媒中で重合する溶液重合であると工程を連続して行うのに好都合である。
アニオン重合に用いる有機溶媒としては、炭化水素系溶媒が好ましく、重合触媒を害さないもので、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、イソオクタンなどの脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、デカリンなどの脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類などが挙げられる。有機溶媒の使用量は、単量体濃度が、通常、１〜４０重量％、好ましくは１０〜３０重量％になる量である。
アニオン重合反応は、通常、−７０〜１５０℃、好ましくは−５０〜１２０℃で行う。重合時間は、通常、０．０１〜２０時間、好ましくは０．１〜１０時間である。
脂環式共役ジエンの重合は、例えば特開平６−１３６０５７号公報や特開平７−２５８３１８号公報に記載された公知の方法によって行うことができる。
本発明に使用可能な脂環式構造含有重合体樹脂は、通常９５重量％以上、好ましくは９７重量％以上、より好ましくは９９重量％以上の重合転化率を持つ。重合転化率が低すぎると成形体から未反応単量体が揮散するおそれがある。
本発明に使用可能な脂環式構造含有重合体樹脂は、重合反応後に環や主鎖および側鎖の炭素−炭素二重結合を水素化したものであることが好ましい。具体的には、脂環式構造含有重合体樹脂中の全炭素−炭素結合の総量に対する炭素−炭素二重結合の含有割合が、通常０．１５重量％以下、好ましくは０．０７重量％以下、より好ましくは０．０２重量％以下となるように、水素化することが好ましい。重合体中の炭素−炭素二重結合を水素化して得られる脂環式構造含有重合体樹脂は、酸化劣化が生じ難く、有機物の揮散もし難くなり、本発明の目的達成に寄与しやすい。
水素化反応は、水素化する重合体の種類により、反応温度、水素分圧、反応時間および反応溶液濃度を適宜に最適な範囲に設定する。重合体溶液と水素化触媒とを接触させる方法としては、該重合体溶液に水素化触媒を一定量添加して、反応器内で水素存在下に撹拌混合する方法、および、重合体溶液と水素とを、水素化触媒を充填した固定床式反応器に通過させる方法のいずれの方法も用いることができる。いずれの場合も、脂環式構造含有重合体の１〜３０重量％有機溶媒溶液に対して、水素化触媒を重合体１００重量部あたり０．０１〜５０重量部用いて、反応温度２５〜３００℃、水素分圧０．５〜１０ＭＰａにて反応時間０．５〜２０時間反応する。
水素化触媒としては、特に限定されず一般の水素化触媒が使用できる。例えば、ニッケル、コバルトなどの金属化合物と有機アルミニウムや有機リチウムと組み合わせてなる均一系触媒が好ましい。必要に応じて活性炭、ケイソウ土、マグネシアなどの担体を用いる。水素化触媒の使用量は、触媒成分が水素化対象重合体１００重量部当たり、通常、０．０３〜５０重量部となる量である。
脂環式構造含有重合体樹脂の重合反応後に水素化反応を行わない場合は重合反応後の溶液から、また、重合反応後に水素化反応を行う場合は水素添加反応が終了した反応溶液を濾過して水素添加触媒を濾別した溶液から、溶媒などの揮発成分を除去する。
溶媒などの揮発成分を除去する方法としては、凝固法や直接乾燥法など公知の方法を採用することができる。
凝固法は、重合体溶液を重合体の貧溶媒と混合することにより、重合体を析出させる方法であり、貧溶媒としては、たとえばエチルアルコール、ｎ−プロピルアルコールもしくはイソプロピルアルコールなどのアルコール類；アセトンもしくはメチルエチルケトンなどのケトン類；酢酸エチルもしくは酢酸ブチルなどのエステル類などの極性溶媒を挙げることができる。凝固して固液分離した後、小塊状の重合体（クラム）は加熱乾燥して溶媒を除去する。
直接乾燥法は、重合体溶液を減圧下で加熱して溶媒を除去する方法である。この方法は、遠心薄膜連続蒸発乾燥機、掻面熱交換型連続反応器型乾燥機、高粘度リアクタ装置などの公知の装置を用いて行うことができる。真空度や温度はその装置によって適宜選択され、限定されない。
凝固や直接乾燥により溶媒を除去した後、さらに減圧下で加熱して乾燥することが好ましい。その際の圧力は、通常、１０ｋＰａ以下、好ましくは３ｋＰａ以下で、加熱温度は、通常、２６０℃以上、好ましくは２８０℃以上である。このような条件で乾燥すると重合体中に未反応単量体や溶媒がほとんど残らないので、成形体から揮散する有機物が少なくなる。
本発明に使用可能な脂環式構造含有重合体樹脂は、通常５，０００〜５００，０００、好ましくは８，０００〜２００，０００、より好ましくは１０，０００〜１００，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を持つ。この場合の重量平均分子量は、ヘキサン溶液（重合体樹脂が溶解しない場合はトルエン溶液）のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーで（ＧＰＣ）で測定したポリイソプレン換算の値である。
本発明に使用可能な脂環式構造含有重合体樹脂は、示差走査型熱量計（ＤＳＣ）により昇温速度１０℃／分で測定したガラス転移温度（Ｔｇ）が、通常５０〜３００℃、好ましくは６０〜２００℃、より好ましくは７０〜１６０℃である。
本発明に使用可能な脂環式構造含有重合体樹脂は、ＪＩＳ−Ｋ７２１０に基づき温度２３０℃で測定したメルトインデックスが、通常０．１〜３０ｇ／１０ｍｉｎ、好ましくは０．１〜１０ｇ／１０ｍｉｎ、より好ましくは０．１〜５ｇ／１０ｍｉｎである。また、ＪＩＳ−Ｋ７２１０に基づき温度２８０℃で測定したメルトインデックスが、通常２〜１００ｇ／１０ｍｉｎ、好ましくは３〜５０ｇ／１０ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｇ／１０ｍｉｎである。脂環式構造含有重合体樹脂のメルトインデックスが上記範囲であると成形を比較的低温で行うことができ、また、溶融流動性が良好なので成形時に局所的な温度上昇が起きにくいので、樹脂の分解や劣化に伴う低分子量成分の生成を防ぐことができる。
配合成分
本発明で使用可能な熱可塑性樹脂には、ゴム質重合体を配合することができる。ここで、ゴム質重合体とは、Ｔｇが４０℃以下の重合体である。ゴム質重合体にはゴムや熱可塑性エラストマーが含まれる。ブロック共重合体のごとくガラス転移温度が２点以上ある場合は、最も低いガラス転移温度が４０℃以下であれば本発明においてゴム質重合体として用いることができる。ゴム質重合体のムーニー粘度（ＭＬ_１＋４ ：１００℃）は、使用目的に応じて適宜選択されるが、通常、５〜３００である。
配合可能なゴム質重合体としては、エチレン−プロピレンゴムのようなエチレン−α−オレフィン系ゴム；エチレン−α−オレフィン−ポリエン共重合体ゴム；エチレン−メチルメタクリレート、エテレン−ブチルアクリレートなどのエチレン−不飽和カルボン酸エステル共重合体；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸ラウリルなどのアクリル酸アルキルエステル系重合体；ポリブタジエン、低結晶性ポリブタジエン、ポリイソプレン、スチレンとブタジエンまたはイソプレンとのランダム共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ブタジエン−イソプレン共重合体、ブタジエン−（メタ）アクリル酸アルキルエステル共重合体、ブタジエン−（メタ）アクリル酸アルキルエステル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−（メタ）アクリル酸アルキルエステル−アクリロニトリル−スチレン共重合体、ブチレン−イソプレン共重合体などの共役ジエン系ゴム；スチレン−ブタジエンブロック共重合体、水素化スチレン−ブタジエンブロック共重合体、水素化スチレン−ブタジエンランダム共重合体、スチレン−イソプレンブロック共重合体、水素化スチレン−イソプレンブロック共重合体などの芳香族ビニル−共役ジエン系ブロック共重合体；スチレングラフトエチレン−プロピレンエラストマー；ポリエチレンテレフタレート・ポリ（テトラメチレンオキシド）グリコールブロック共重合体、ポリエチレンテレフタレート／イソフタレート・ポリ（テトラメチレンオキシド）・グリコールブロック共重合体、ポリブチレンテレフタレート／イソフタレート・ポリ（テトラメチレンオキシド）グリコールブロック共重合体、ポリブチレンテレフタレート／デカンジカルボキシレート・ポリ（テトラメチレンオキシド）グリコールブロック共重合体などのポリエステル系熱可塑性エラストマー；エチレン系アイオノマー樹脂；などを挙げることができる。これらのゴム質重合体のうち、エチレン−α−オレフィン系ゴム、共役ジエン系ゴム、芳香族ビニル−共役ジエン系ブロック共重合体及びポリエステル系熱可塑性エラストマーなどが好ましい。これらのゴム質重合体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上組み合わせて用いることができる。
本発明においては、熱可塑性樹脂にゴム質重合体を配合すると、成形体（構成部品）の衝撃強度等の機械強度が向上し、脂環式構造含有重合体樹脂では特にその効果が大きい。ゴム質重合体の配合量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して、通常１〜５０重量部、好ましくは３〜３０重量部である。
熱可塑性樹脂が脂環式構造含有重合体樹脂である場合は、その性能を損なわない範囲で他の熱可塑性樹脂を少量配合することによっても、機械強度を向上させることができる。そのような他の熱可塑性樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリプロピレンなどのα−オレフィン系樹脂；ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、耐衝撃性ポリスチレン（ＨＩＰＳ）、スチレン−アクリロニトリル共重合体（ＡＳ樹脂）、スチレン−アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＡＢＳ）、スチレン−メチルメタクリレート−ブタジエン共重合体（ＭＢＳ）などの芳香族ビニル系樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンなどが挙げられる。中でも、α−オレフィン系樹脂及び芳香族ビニル系樹脂が好ましい。これらの熱可塑性樹脂は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、本発明の効果を損なわない範囲であれば特に限定されない。
本発明で使用可能な熱可塑性樹脂には、その他必要に応じて、酸化防止剤、紫外線吸収剤、耐候安定剤、帯電防止剤などの各種の配合剤を適宜配合することができる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤などが挙げられる。これらの中でもフェノール系酸化防止剤、特にアルキル置換フェノール系酸化防止剤が好ましい。これらの酸化防止剤は、熱可塑性樹脂の透明性、低吸水性を低下させることなく成形時の酸化劣化等による成形物の着色や強度低下を防止できるので、配合剤として特に重要である。
フェノール系酸化防止剤としては、例えば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキスメチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニルプロピオネート）メタン［すなわち、ペンタエリスリチル−テトラキス３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオネート）］などのアルキル置換フェノール系化合物；２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，４−ジ−ｔ−アミル−６−{１−（３，５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）エチル}フェニルアクリレートなどのアクリレート系化合物；６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−２，４−ビスオクチルチオ−１，３，５−トリアジン、４−ビスオクチルチオ−１，３，５−トリアジンなどのトリアジン基含有フェノール系化合物；などが挙げられる。
リン系酸化防止剤としては、例えば、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトなどのモノホスファイト系化合物；４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト）などのジホスファイト系化合物；などが挙げられる。
イオウ系酸化防止剤としては、例えば、ジラウリル−３，３−チオジプロピオネート、ジミリスチル３，３’−チオジプロピピオネート、ジステアリル−３，３−チオジプロピオネート、ラウリルステアリル−３，３−チオジプロピオネートなどが挙げられる。
これらの酸化防止剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は適宜選択されるが、熱可塑性樹脂１００重量部に対して、通常０．００１〜５重量部、好ましくは０．０１〜１重量部である。
紫外線吸収剤及び耐候安定剤としては、例えば、２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジルベンゾエート、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）−２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロネートなどのヒンダードアミン系化合物；２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾール系化合物；２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、ヘキサデシル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなどのベゾエート系化合物；などが挙げられる。
これらの紫外線吸収剤及び耐候安定剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上組み合わせて用いることができる。紫外線吸収剤及び耐候安定剤の量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して、通常０．００１〜５重量部、好ましくは０．０１〜２重量部の範囲である。
帯電防止剤としては、ステアリルアルコール、ベヘニルアルコールなどの長鎖アルキルアルコール；アルキルスルホン酸ナトリウム塩、アルキルスルホン酸ホスホニウム塩；ステアリン酸グリセリンエステルなどの脂肪酸エステル；ヒドロキシアミン系化合物；アルキルホスフェートアミン；ポリオキシエチレンアルキルアミン；アルキルジエタノールアミド；ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロック共重合体；有機ホウ素系界面活性剤；カチオン界面活性剤；無定形炭素、酸化スズ粉、アンチモン含有酸化スズ粉などを例示することができる。
帯電防止剤の量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して、通常、０．１〜５０重量部の範囲である。
本発明で使用可能な熱可塑性樹脂には、必要に応じて、その他の配合剤として、さらに光安定剤、近赤外線吸収剤、染料や顔料などの着色剤、滑剤、可塑剤、アンチブロッキング剤、蛍光増白剤、防臭剤、有機または無機フィラー充填剤、架橋剤、加硫剤などを配合することができる。これらは単独で、あるいは２種以上混合して用いることができ、その配合量は本発明の目的を損なわない範囲で適宜選択される。
構成部品の製造方法
本発明に係る精密基板用容器は、上述したたとえば容器本体および容器蓋の構成部品からなるが、以下の説明では、この構成部品の製造方法の一例を示す。
まず、成形用材料（成形用樹脂組成物）を調製する。成形用材料は、上述した熱可塑性樹脂のみで構成されていてもよいが、通常は、上述した配合成分と混合して調製されることが多い。成形用材料の調製に先立ち、熱可塑性樹脂を予備乾燥することが好ましい。予備乾燥の条件は、通常、熱可塑性樹脂のガラス転移温度より５℃〜８０℃、好ましくは１０℃〜５０℃低い温度で、２時間以上１０時間以内、好ましくは４時間以上８時間以内である。このような条件で予備乾燥を行うと、成形時に樹脂焼けが少なく成形体の色調が無色透明で良好となる。予備乾燥は、熱可塑性樹脂が脂環式構造含有重合体樹脂の場合に前記効果が大きい。
成形用材料の調製は、通常、ニーダー、バンバリーミキサー、押出機、ロールなどの公知の混合機を用いて、これらの成分を、１６０〜３５０℃で溶融混練することにより行われる。溶融混練後は、通常、ペレット状等に成形される。ペレットは、通常、上記成形用材料を押出機で溶融混練した後に、直径１〜５ｍｍのストランド状に押出し、このストランドを冷却後にペレタイザーで長さ２〜１５ｍｍにカットして作製される。
次に、調製された成形用材料を用いて、構成部品を成形する。構成部品の成形方法としては、射出成形、押し出しブロー成形、射出ブロー成形、多層ブロー成形、コネクションブロー成形、二重壁ブロー成形、延伸ブロー成形、真空成形、回転成形、プレス成形、溶融押し出し成形などが挙げられる。中でも射出成形が好ましい。射出成形時の樹脂温度は、成形用材料に含まれる熱可塑性樹脂が脂環式構造含有重合体樹脂の場合には、通常２２０〜３３０℃、好ましくは２３０〜３２０℃、より好ましくは２４０〜３００℃である。溶融樹脂のシリンダー滞留時間は、通常１時間以内、好ましくは３０分以内、より好ましくは１０以内である。上記範囲の条件で射出成形した場合に樹脂の熱分解（劣化）が少なく、低分子量有機物の生成が抑制される。
なお、成形用材料を調製してから成形に供するまでに所定期間を要することがある。このような場合には、調製後の成形用材料を、たとえばステンレス製の容器に入れて窒素シールして保管しておくことが好ましい。調製後の成形用材料を窒素シールして保管しておくことにより、該調製後の成形用材料に環境から水分や有機物が混入することが防止され、しかも得られる成形体（構成部品）に曇りや白化などを生じさせることがなく、良好な外観を形成することが可能となる。
精密基板の格納方法
本発明に係る精密基板用容器を用いた精密基板の格納方法としては、単に、常圧下で精密基板を容器本体に収納した後、容器蓋により蓋をする方法を採ってもよいが、空気中の浮遊物質が精密基板を汚染しないよう、容器内を真空状態にして格納する方法を採ることが好ましい。容器内を真空状態にして精密基板を格納するには、例えば、精密基板を収容した容器本体の置かれた室内を常圧から真空状態に減圧した後、該容器本体に蓋をし、次いで室内を常圧に戻すことにより行うことができる。
本発明に係る精密基板用容器は、上記したように水分や有機物の放出量が極めて少ない熱可塑性樹脂を成形してなる構成部品を１つ以上有する。このため、本発明に係る容器の内部に収納された精密基板は、保管中の水分および有機物の吸着が抑制される。従って、例えば、半導体製造用シリコンウエハ基板、該基板を用いて成形した半導体素子における不良が低減し、歩留まりが向上する。例えば、本発明に係る精密基板用容器に格納・保管されたシリコンウエハ基板を用いて作製されたキャパシタは、水分や有機物の汚染による不良がほとんどなくなる。
本発明に係る精密基板用容器を構成する熱可塑性樹脂製部品以外の構成部品は、特に限定されず、他の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、金属、ガラス、陶器など、いずれで製造されたものでも良い。
具体的構成の一例
次に、本発明に係る精密基板用容器を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、本実施形態に係る精密基板用容器１は、脂環式構造含有重合体樹脂からなる容器本体２（第１構成部品）を有する。
容器本体２は、精密基板を収容するための中空部３を有する。中空部３は、容器本体２と、容器本体のフランジ部２１で接合する金属（例えばアルミニウム、ステンレスなど）製の容器蓋４（第２構成部品）とで閉じた空間を形成している。容器蓋４のフランジ部には溝４１が形成してあり、溝４１の中にゴム質重合体で製造されたＯリング５が配置されている。
本実施形態では、容器本体２の中空部３の内径は、好ましくは１５０〜３００ｍｍである。中空部３の中央の高さは、好ましくは５０〜３００ｍｍである。中空部３の側壁の高さは、好ましくは４０〜２８０ｍｍである。また、中空部３の側壁の厚さは、好ましくは２〜１５ｍｍである。
次に、精密基板用容器１の容器本体２を製造する方法の一例を説明する。まず、成形用材料を調製する。成形用材料は、予備乾燥した脂環式構造含有重合体と各種配合成分とを溶融混練後、ペレット状に調製する。次に、ペレット状の成形用材料を射出成形することにより、容器本体２が得られる。
次に、精密基板用容器１を用いた精密基板の格納方法の一例を説明する。
まず、精密基板を載置した平板状の台座（図示せず）に、本実施形態に係る精密基板用容器１の容器本体２をかぶせた状態で、容器１の置かれた室内を減圧してゆく。すると、間もなく室内および中空部３が真空状態になる。真空状態になるのは、容器本体２と台座との接合部にはＯリングがなく気密でないからである。
次に、台座を容器本体２の接合部に沿って一方にスライドさせ、同時に容器蓋４（容器本体２との接合部にＯリング用の溝を有する平板）を他方（台座のスライド方向の反対側）から接合部に沿ってスライドさせて、前記台座と置換する。 次に、容器１の置かれた室内を常圧に戻す。容器本体２と容器蓋４とはフランジ部のＯリング５により気密が保たれるので、容器１の外部が大気圧になっても中空部３は真空が保たれる。
このようにして、精密基板用容器１を用いれば、精密基板を真空状態で保管、格納することができる。
本実施形態に係る精密基板用容器１は、水分や有機物の放出量が極めて少ない脂環式構造含有重合体樹脂からなる容器本体２を有する。このため、中空部３に収容された精密基板は、保管中の水分および有機物の吸着が抑制される。従って、例えば、半導体製造用シリコンウエハ基板、該基板を用いて成形した半導体素子における不良が低減し、歩留まりが向上する。
また、脂環式構造含有重合体樹脂からなる容器本体２は比重が約１で軽量であり、また透明なので内部の精密基板の保管状態が明瞭に観察でき、工程管理が容易である。
実施例
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、実施例中、「部」および「％」は、特記しない限り重量基準である。
＜試験及び評価方法＞
（１）重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）
重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）は、シクロヘキサンを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値として測定した。
（２）ガラス転移温度
重合体のガラス転移温度は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定した。単位℃。
（３）メルトインデックス
ペレットのメルトインデックスをＪＩＳ−Ｋ７２１０に従い、温度２３０℃または２８０℃にて測定した。単位はｇ／１０分である。
（４）放出水分量
４００℃で２時間加熱しながら、高純度アルゴンガス気流を通して予め内部の表面に吸着していた水分や有機物を完全に除去したステンレス製の試料室内に、不純物濃度１ｐｐｂ以下、温度２５℃の超高純度アルゴンガスの気流（流速１．２Ｌ／ｍｉｎ）を流した。
温度２５℃、相対湿度５０％の室内で、容器のフランジ部から厚さ５ｍｍ、縦６０ｍｍ、横８ｍｍの試験片２本（総表面積３２．８ｃｍ^２ ）を切り出した後、直ちに該試験片を前記試料室内に置いた。
試験片が高純度アルゴンガス気流と接触を開始してから３００分後に、該高純度アルゴンガス中の水分量をＡＰＩ−ＭＳ（ＵＧ−４００Ｐ、日立エレクトロニクス（株）製）で、ドリフト電圧２３．１Ｖ、スキャン速度２５６ｍｓｅｃ／ｍａｓｓの条件にて測定した。この値を試験片から放出される水分量とした。単位はｐｐｂ（水分）／ｃｍ^２ （試験片）である。
（５）放出有機物量
上記（４）と同一の条件で容器のフランジ部から厚さ５ｍｍ、縦６０ｍｍ、横８ｍｍの試験片を２本切り出し、重量が４．８ｇであることを確認してクラス１００のクリーンルーム中に保管し、２４時間以内に次の測定を行った。
上記（４）と同一の方法で表面に吸着していた水分や有機物を完全に除去したステンレス製の試料室に試験片を入れ、温度１００℃で３００分間、市販の活性炭チューブを用いて気体を連続的に捕集した後ＴＤＳ−ＧＣ−ＭＳで分析し、有機物の積算放出量を測定した。単位はｎｇ（有機物）／ｇ（試験片）である。
（６）有機物吸着量（保管試験）
射出成形により得られた容器本体とステンレス製の蓋とから成る容器の中空部にシリコンウエハ（φ５インチ）を置き、２５℃、減圧状態（１００ｔｏｒｒ）で４８時間保管した。
次いで、表面に吸着していた水分や有機物を完全に除去したステンレス製の試料室に、流量１．２Ｌ／ｍｉｎ、２５℃の超高純度アルゴンガスが流通させ、その中に、上記の容器に保管した後のシリコンウエハを置き、昇温速度３℃／ｍｉｎで４００℃まで昇温しながら、上記（４）と同様にしてＡＰＩ−ＭＳでシリコンウエハが吸着していた有機物の量を分析した。単位はｎｇ／ｃｍ^２ （ウエハ）である。
（７）ＭＯＳキャパシタの絶縁破壊特性
射出成形により得られた容器本体とステンレス製の蓋とから成る容器の中空部にシリコンウエハ基板（φ５インチ）を置き、２５℃で減圧状態（圧力１００ｔｏｒｒ）に４８時間保管した。このウエハ基板を用いて、ＭＯＳキャパシタを作製し、その絶縁破壊特性を測定し、破壊確率５０％の注入電荷量（後述）を求めた。注入電荷量（単位Ｃ／ｃｍ^２ ）が大きいほどＭＯＳキャパシタの絶縁破壊特性に優れる。
ＭＯＳキャパシタ作製条件
下記に記す工程を順次行ってＭＯＳキャパシタを作製した。
▲１▼シリコンウエハ基板準備：
６インチｎ型シリコンウエハを繰り抜いて直径３３ｍｍのシリコンウエハ基板を作製した。
▲２▼フィールド酸化工程：
このシリコンウエハ基板を洗浄後、アルゴン雰囲気下でフィールド酸化を行った。
〔フィールド酸化条件〕：１０００℃×１ｈ／パイロジェニック式ウエット酸化（Ｈ_２ ：Ｏ_２ ＝１：１）
フィールド酸化後、該ウエハ基板をアルゴン中で１０００℃にて１時間アニール処理を行った。
▲３▼ボロンドープ（ＢＳＧデポジション）工程：
フィールド酸化及びアニール処理後のウエハ基板を、常圧でＣＶＤ法により以下の条件でボロンドープ（シリコン中へのホウ素の添加）を行った。
〔ボロンドープ条件〕：ＳｉＨ_４ （シラン）、Ｏ_２ （酸素）、Ｂ_２ Ｈ_４ （ジボラン）の混合気体中、４００℃、１７．５分間処理した。
ボロンドープ後、該ウエハ基板を窒素中で１０００℃にて３０分間アニール処理を行った。
▲４▼ゲート酸化膜形成工程：
ボロンドープ及びアニール処理後のウエハ基板を、酸素中で９００℃にて５分間処理して、ゲート酸化膜を形成させた。
▲５▼容器保管試験：
ゲート酸化膜形成後のウエハ基板を前述の容器中に入れ、保管した。
〔保管条件〕：２５℃で減圧状態（圧力１００ｔｏｒｒ）にて４８時間保管した。
▲６▼多結晶シリコン膜形成（ポリシリコンデポジション）工程：
容器中に保管したウエハ基板を用い、以下の条件でポリシリコンデポジションを行った。
〔ポリシリコンデポジション条件〕：ＳｉＨ_４ （シラン）、ＰＨ_３ （ホスフィン）混合気体中、６００℃、２０分間処理した。
ポリシリコンデポジション後、該ウエハ基板を窒素中で８５０℃にて３０分間アニール処理を行った。
▲７▼電極層（アルミ）蒸着工程：
ポリシリコンデポジション及びアニール処理後のウエハ基板にアルミ蒸着処理を行った。
▲８▼欠陥部分水素化（水素シンタリング）工程：
アルミ蒸着処理したウエハ基板を、４００℃にて３０分間、水素シンタリングを行った。
尚、上記工程は▲５▼を除き公知のＭＯＳキャパシタ製造方法である。上記工程の間に洗浄、リソグラフィー及びエッチングが含まれる。
絶縁破壊特性測定法
上記手法で作製したＭＯＳキャパシタを、容器内に２５℃、１００ｔｏｒｒで４８時間保管した。次いで該ＭＯＳキャパシタに一定電流ストレスを下記条件で加えた（電流ストレスを加える時間を段階的に変化させた）、電流ストレスを加えた時間から注入した電荷量を求め、その注入電荷量に対する破壊確率をプロットして検量線を作成し、破壊確率５０％となる注入電荷量を求めた。
〔条件〕
ゲート面積：１×１０^−４ｃｍ^２ （０．１ｍｍ×０．１ｍｍ）
ストレス条件：ゲート電極から基板側へ０．１Ａ／ｃｍ^２ で電子を注入
サンプルの酸化膜厚：５．０ｎｍ
測定系
測定器：Ｖｅｃｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ社製、ＭＸ−１１００Ａ
計測部：ＬＣＲメーター、ＨＰ４２８４Ａ（２０Ｈｚ−１ＭＨｚ）
電源部：スイッチングコントローラー、ＨＰ４１５６Ａ
コンピューター：ＨＰ３８２
重合体製造例１（脂環式構造含有重合体Ａの製造）
室温、窒素雰囲気の反応器に、脱水したシクロヘキサン２５０部を入れ、さらに１−ヘキセン０．８４部、ジブチルエ−テル０．０６部及びトリイソブチルアルミニウム０．１１部を入れて混合した後、４５℃に保ちながら、トリシクロ［４．３．０．１^２，５ ］デカ−３−ジエン（以下ＤＣＰと略す）３８部、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０］ドデカ−３−エン（以下ＴＣＤと略す。）３５部および７，８−ベンゾトリシクロ［４．３．０．１^２，５ ］デカ−３−エン（以下ＭＴＦと略す）２７部及び六塩化タングステンの０．７％トルエン溶液１５部を２時間かけて連続的に添加して重合した。重合転化率は１００％であった。
得られた重合反応液を耐圧性の水素化反応器に移送し、ケイソウ土担持ニッケル触媒（日産ガードラー社製；Ｇ−９６Ｄ、ニッケル担持率５８重量％）５部およびシクロヘキサン１００部を加え、１５０℃、水素圧４．４ＭＰａで８時間反応させた。この反応溶液を、ラジオライト＃５００を濾過床として、圧力０．２５ＭＰａで加圧濾過（フンダフィルター、石川島播磨重工社製）を行い、水素化触媒を除去して無色透明な溶液を得た。
上記溶液に、酸化防止剤ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（イルガノックス１０１０、チバガイギー社製）を、水素化した重合体１００部に対し０．０５部となる量を添加した。その後、該溶液を金属ファイバー製フィルター（孔径３μｍ、ニチダイ社製）、ゼータープラスフィルター３０Ｈ（孔径０．５〜１μｍ、キュノ社製）にて順次濾過し、さらに別の金属ファイバー製フィルター（孔径０．４μｍ、ニチダイ社製）にて濾過して微小な固形分を除去した。
次いで、上記溶液から、溶媒であるシクロヘキサン及び有機物ガス発生の原因となる低分子量成分を、円筒形濃縮乾燥機（日立製作所製）を用いて除去して、ＤＣＰ−ＥＴＤ開環重合体水素化物を回収した。溶媒及び低分子量成分の除去は、２段階に分けて行った。濃縮の条件は、第１ステップ：温度２６０℃、圧力１３．４ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）、第２ステップ：温度２７０℃、圧力０．７ｋＰａ（５Ｔｏｒｒ）とした。溶媒及び低分子量成分の除去された開環重合体水素化物は、クラス１０００のクリーンルーム内で、濃縮機に直結したダイから溶融状態で押し出され、水冷された後、ペレタイザー（ＯＳＰ−２、長田製作所製）で切断し、ペレット状で回収された。得られたＤＣＰ−ＴＣＤ−ＭＴＦ開環重合体水素添加物のＭｗは３１，０００、全炭素−炭素結合数に対する二重結合数の割合は０．０２％で、重合体中のノルボルナン環構造を有さない繰り返し単位の含有率は８９％で、ガラス転移温度は１０１℃であった。メルトインデックスは、２３０℃で４．２ｇ／１０ｍｉｎ、２８０℃で１７．８ｇ／１０ｍｉｎであった。
重合体製造例２（脂環式構造含有重合体Ｂの製造）
重合体製造例１において、ＤＣＰ３８部、ＴＣＤ３５部およびＭＴＦ２７部の代りにＤＣＰ８５部および８−エチル−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５ ．１^７，１０］ドデカ−３−エン（以下ＥＴＤと略す。）１５部を用い、溶媒と低分子量成分の除去（濃縮）の第１ステップの温度を２８０℃、第２ステップの温度を２８０℃とした以外は重合体製造例１と同様に行い、ＤＣＰ−ＥＴＤ開環重合体水素添加物のペレットを得た。得られたＤＣＰ−ＥＴＤ開環重合体水素添加物のＭｗは３４，０００、全炭素−炭素結合数に対する二重結合数の割合は０．０２％で、重合体中のノルボルナン環構造を有さない繰り返し単位の含有率は６７％で、ガラス転移温度は１４０℃であった。メルトインデックスは、２３０℃で１２．１ｇ／１０ｍｉｎ、２８０℃で４７．５ｇ／１０ｍｉｎであった。
重合体製造例３（脂環式構造含有重合体Ｃの製造）
十分に乾燥し窒素置換した、撹拌装置を備えたステンレス鋼製重合器に、脱水シクロヘキサン３２０部、スチレン３７．５部およびジブチルエーテル０．３８部を仕込み、６０℃で撹拌しながらｎ−ブチルリチウム溶液（１５％含有ヘキサン溶液）０．３６部を添加して重合反応を開始した。重合反応を１時間行った後、反応溶液にスチレン８部とイソプレン１２部とからなる混合モノマー２０部を添加して重合反応をさらに１時間行い、さらにスチレン３７．５部を添加して１時間反応を行った後、反応溶液中にイソプロピルアルコール０．２部を添加して反応を停止させた。
こうして、スチレン由来の繰り返し単位を含有するブロック（以下、「Ｓｔ」と略記す。）、およびスチレンとイソプレン由来の繰り返し単位を含有するブロック（以下、「Ｓｔ／Ｉｐ」と略記す。）を有するＳｔ−（Ｓｔ／Ｉｐ）−Ｓｔの三元ブロック共重合体の溶液を得た。
次いで、上記重合反応溶液４００部を、撹拌装置を備えた耐圧反応器に移送し、水素化触媒として、シリカ−アルミナ坦持型ニッケル触媒（Ｅ２２Ｕ、日揮化学工業社製）１０部を添加して混合した。反応器内部を水素ガスで置換し、さらに溶液を撹拌しながら水素を供給し、温度を１６０℃に維持しつつ、圧力４．５ＭＰａで８時間反応することにより、芳香族環も含めて水素化を行った。
水素化触媒の除去工程以降は重合体製造例１と同様にして、Ｓｔ−（Ｓｔ／Ｉｐ）−Ｓｔブロック共重合体水素添加物のペレットを得た。
得られたＳｔ−（Ｓｔ／Ｉｐ）−Ｓｔブロック共重合体水素添加物のＭｗは８４，９００、Ｍｗ／Ｍｎは１．２０、全炭素−炭素結合に対する二重結合数の割合は０．１４％、ガラス転移温度は１２７℃、メルトインデックスは２３０℃で７．２ｇ／１０ｍｉｎ、２８０℃で１１．３ｇ／１０ｍｉｎであった。
重合体製造例４（脂環式構造含有重合体Ｄの製造）
重合体製造例１において、１−ヘキセンを０．２０部とし、溶媒と低分子量成分の除去（濃縮）の第１ステップの温度を３００℃、第２ステップの温度を３１０℃とした以外は重合体製造例１と同様に行い、ＤＣＰ−ＴＣＤ−ＭＴＦ開環重合体水素添加物のペレットを得た。得られたＤＣＰ−ＴＣＤ−ＭＴＦ開環重合体水素添加物のＭｗは５８，０００、Ｔｇは１４２℃、二重結合数の割合は０．０９％、重合体中のノルボルナン環構造を有さない繰り返し単位の含有率は脂環式構造含有重合体Ａと同じ、メルトインデックスは２３０℃で０．０８ｇ／１０ｍｉｎ、２８０℃で０．５ｇ／１０ｍｉｎであった。
重合体製造例５（脂環式構造含有重合体Ｅの製造）
重合体製造例１において、１−ヘキセンを１．２０部とした以外は重合体製造例１と同様に行い、ＤＣＰ−ＴＣＤ−ＭＴＦ開環共重合体水素添加物のペレットを得た。得られたＤＣＰ−ＴＣＤ−ＭＴＦ開環共重合体水素添加物のＭｗは２４，０００、Ｔｇは１３７℃、二重結合数の割合は０．０２％、重合体中のノルボルナン環構造を有さない繰り返し単位の含有率は脂環式構造含有重合体Ａと同じ、メルトインデックスは２３０℃で３４．８ｇ／１０ｍｉｎ、２８０℃で１２５ｇ／１０ｍｉｎであった。
実施例１
脂環式構造含有重合体ペレットＡをペレット製造直後から、ステンレス製の容器内で窒素シールして一週間保管した後、温風循環型乾燥機を用いて１１０℃で４時間予備乾燥した。このペレットを用いて射出成形機により、樹脂の溶融温度２８０℃、シリンダー滞留時間３分で、一次射出圧力９８．１ＭＰａ、二次射出圧力７８．４ＭＰａにて射出成形して図１に示す形状の容器本体（中空部内径２８０ｍｍ、中空部中央高さ２００ｍｍ、側壁高さ１８０ｍｍ、側壁厚さ５ｍｍ）を成形した。ペレットのメルトインデックス測定値およびプレートを用いて測定した放出水分量、放出有機物、有機物吸着量、及びキャパシタの５０％破壊注入電荷量の結果を表１に示す。
実施例２
実施例１において、ペレットをポリエチレン袋内で窒素シールせずに保管してから使用した他は実施例１と同様に行い、射出成形により容器本体を得た。実施例１同様に評価した結果を表１に示す。
実施例３
実施例１において、重合体として脂環式構造含有重合体Ｂを用い、予備乾燥温度を９０℃とし、射出成形での溶融樹脂温度を２５０℃とした他は実施例１と同様に行い容器本体を得た。実施例１同様に評価した結果を表１に示す。
実施例４
実施例１において、重合体として脂環式構造含有重合体Ｃを用いた他は実施例１と同様に行い、射出成形して容器本体を得た。実施例１同様に評価した結果を表１に示す。
実施例５
実施例１において、ペレットを温度８０℃で２時間予備乾燥してから使用した他は実施例１と同様に行い、射出成形により容器本体を得た。実施例１同様に評価した結果を表１に示す。
比較例１
実施例１において、脂環式構造含有重合体Ａのペレットに代えて重合体Ｄのペレットを用い、射出成形での樹脂の溶融温度を３５０℃、シリンダー滞留時間を９０分とした他は実施例１と同様に行い容器本体を得た。実施例１同様に評価した結果を表１に示す。
比較例２
実施例１において、脂環式構造含有重合体Ａのペレットに代えて重合体Ｅのペレットを用い、射出成形での溶融樹脂温度を２１５℃とした他は実施例１と同様に行い容器本体を得た。実施例１同様に評価した結果を表１に示す。
表 １

表１が示すように、熱可塑性樹脂成形体が、不純物濃度が１ｐｐｂ以下で２５℃の超高純度アルゴンガスの流量１．２Ｌ／ｍｉｎの気流中に３００分後に放出される量が前記熱可塑性樹脂製構成部品の表面積1ｃｍ^２ あたり３０ｐｐｂ以下となる量の水分と、１００℃の空中に３００分間で放出される累積量が前記熱可塑性樹脂製部材の重量１ｇあたり１５０ｎｇ以下となる量の有機物とを有する場合は、シリコンウエハへの有機物吸着量が小さく、そのためこれらのウエハを用いて作成されたキャパシタは絶縁破壊特性が極めて良好であった（実施例１〜５）。
これらの中でも、同一の重合体Ａを用いた実施例１，２及び５を比較した場合に、ペレット作製前の予備乾燥温度を、重合体のガラス転移温度より５〜８０℃高い温度範囲内で行った場合（実施例１と実施例５とを比較）、ペレットを窒素シールして保管した場合（実施例１と実施例２とを比較）には、放出水分量、放出有機物量、有機物吸着量の全てがより少なくなり、５０％破壊電荷注入量も増加した。
放出水分量または有機物の放出量が上記の規定を超える部材は、シリコンウエハへの有機物吸着量が多く、また、キャパシタの絶縁破壊特性にも劣るものであった（比較例１、２）。
【図面の簡単な説明】
図１Ａは本発明の一実施形態に係る精密基板用容器の概略断面図、
図１Ｂは図１Ａの精密基板用容器の平面図である。

Claims (7)

1. 脂環式構造含有重合体樹脂を含む成形用材料を成形してなる構成部品を１つ以上有する精密基板用容器であって、
   脂環式構造含有重合体樹脂が、１１．３〜４２．５ｇ／１０ｍｉｎのメルトインデックスを持ち、該メルトインデックスがＪＩＳ−Ｋ７２１０に基づき２８０℃で測定した値であり、
   前記構成部品が、下記［１］および［２］の特性を満足することを特徴とする精密基板用容器。
   ［１］２５℃において、流速１．２Ｌ／ｍｉｎの超高純度アルゴンガス（不純物濃度：１ｐｐｂ以下）を接触させ続けたときに、３００分後の前記アルゴンガス中の水分量が、構成部品の表面積１ｃｍ^２あたり１．２〜３．７ｐｐｂ、
   ［２］１００℃の空気中に置いたときに、３００分間での空気中の有機物の増加量が、構成部品の重量１ｇあたり２０〜３５ｎｇ。
2. 脂環式構造含有重合体樹脂が、ノルボルネン系単量体の開環重合体、開環共重合体または該重合体の水素化物である請求項１に記載の精密基板用容器。
3. 請求項１に記載の精密基板用容器の構成部品の製造方法であって、
   予備乾燥した脂環式構造含有重合体樹脂を含む成形用材料を用いることを特徴とする精密基板用容器の構成部品の製造方法。
4. 窒素シールして保管された成形用材料を用いる請求項３に記載の精密基板用容器の構成部品の製造方法。
5. 請求項１に記載の精密基板用容器を用い、該容器内を真空状態にして精密基板を格納することを特徴とする精密基板の格納方法。
6. 開口部を有し、内部に精密基板を収納可能な容器本体と、
   該容器本体の開口部を覆って接合させることにより、前記容器本体との間で閉じた空間を形成可能な容器蓋とを、有する精密基板用容器を用い、
   前記容器本体の内部に精密基板を入れる工程と、
   該精密基板が入れられた容器本体の置かれた雰囲気を常圧から真空状態に減圧する工程と、
   該減圧後の容器本体の開口部を、前記容器蓋で覆い、容器内に精密基板を密閉状態で格納する工程と、
   該精密基板が格納された容器の置かれた雰囲気を常圧に戻す工程とを、有する請求項５に記載の精密基板の格納方法。
7. 半導体製造用ウエハ基板を精密基板として用いる請求項５または６に記載の精密基板の格納方法。

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