JP4849821B2 - 表示装置、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子を有する表示装置、テレビジョン装置に関する。

また、本発明は、発光素子を有する表示装置を用いた電子機器に関する。

近年、携帯端末やテレビジョン装置などに用いる表示装置の開発が進められており、特に、液晶材料を用いた液晶表示装置の開発や、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を代表とする発光素子を用いた表示装置の開発が進められている。発光素子を用いた表示装置は、自発光型ゆえの高画質、広視野角、薄型、軽量等の利点を活かして、幅広い利用が期待されている（特許文献１参照）。
特開２００１−１３８９３号公報

発光素子から発せられる光のうち、その出射角によっては導電体の内部を繰り返し反射してしまい、隣接する画素に光が漏れてしまうことがあった。また、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域において、光を発しない発光素子を含む画素では、発光素子の画素電極又は対向電極として機能する導電膜において映り込みが発生してしまうことがあった。そのため、このような映り込みを防止することを目的に、光学フィルムを貼り付けることがあるが、そうするとコストが高くなってしまっていた。

上記の実情を鑑み、本発明は、隣接する画素に光が漏れてしまうことを防止することができる表示装置、テレビジョン装置の提供を課題とする。また、光学フィルムを用いずに、映り込みを防止することができる表示装置、テレビジョン装置の提供を課題とする。

本発明の表示装置は、基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソースドレイン配線と、ソースドレイン配線に接する導電膜と、を有する。第２の絶縁膜は遮光性を有し、ソースドレイン配線は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料からなることを特徴とする。

本発明の表示装置は、基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜と、第１乃至第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソースドレイン配線と、ソースドレイン配線に接し画素電極として機能する導電膜と、を有する。第２の絶縁膜と第３の絶縁膜の一方又は両方は遮光性を有し、ソースドレイン配線は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料からなることを特徴とする。

上記構成の表示装置において、第１の絶縁膜は、無機材料からなることを特徴とする。遮光性を有する絶縁膜は、有機材料からなることを特徴とする。また、遮光性を有する絶縁膜は、カーボン粒子を含むことを特徴とする。さらに、ソースドレイン配線は、導電膜の下方又は導電膜と同じ層に設けられることを特徴とする。また、ソースドレイン配線は、導電膜の上方又は導電膜と同じ層に設けられることを特徴とする。

本発明の表示装置は、基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソースドレイン配線と、ソースドレイン配線上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜に設けられた開口部を介して、ソースドレイン配線に接続する導電膜とを有する。ソースドレイン配線と導電膜の一方又は両方は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料からなり、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソースドレイン配線と、ソースドレイン配線上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜に設けられた開口部を介して、ソースドレイン配線に接続する接続配線と、接続配線に接する導電膜とを有する。ソースドレイン配線と接続配線の一方又は両方は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料からなり、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有することを特徴とする。

本発明の表示装置は、基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソースドレイン配線と、ソースドレイン配線上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜に設けられた開口部を介して、ソースドレイン配線に接続する接続配線と、接続配線に接する導電膜とを有する。ソースドレイン配線と導電膜の一方又は両方は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料からなり、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有することを特徴とする。

上記構成の表示装置において、接続配線は、導電膜の下方又は導電膜と同じ層に設けられることを特徴とする。また、接続配線は、導電膜の上方又は導電膜と同じ層に設けられることを特徴とする。さらに、第２の絶縁膜は、有機材料からなることを特徴とする。また、第２の絶縁膜は、カーボン粒子を含むことを特徴とする。

上記構成の表示装置において、導電膜の端部を囲む隔壁層を有し、隔壁層は第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の積層膜からなり、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の一方又は両方は遮光性を有することを特徴とする。また、導電膜に接する電界発光層と、電界発光層に接し対向電極として機能する導電膜とを有することを特徴とする。

遮光性を有する絶縁膜が不要な光を吸収するために、画素間の輪郭（境界）が明瞭なものとなり、高精細な画像を表示することができる。また、遮光性を有する絶縁膜の配置により、入射光の反射が低減され、映り込みを防止することができるため、偏光板などの光学フィルムが不要となり、小型化、薄型化、軽量化を実現することができる。

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
（実施の形態１）

本発明の表示装置の断面構造について、４つの場合に大別して、図面を参照して説明する。第１の構成の表示装置は、基板１０上に設けられたトランジスタ１１と、トランジスタ１１上に設けられた第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜１２上に設けられた第２の絶縁膜１３と、第２の絶縁膜１３上に設けられた第３の絶縁膜１４とを有する（図１（Ａ）参照）。また、第１の絶縁膜１２、第２の絶縁膜１３及び第３の絶縁膜１４に設けられた開口部を介して、トランジスタ１１のソースドレイン領域１５、１６に接続するソースドレイン配線１７、１８を有する。また、ソースドレイン配線１８に接する導電膜１９を有する。導電膜１９は画素電極として機能する。

基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる絶縁表面を有する基板である。トランジスタ１１は、電界効果型のトランジスタであり、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の３つの端子を有する。トランジスタ１１の導電型に制約はなく、Ｐチャネル型とＮチャネル型のどちらのタイプを用いてもよい。なお、ソース電極とドレイン電極は、その電極の電位に従って定められるものであるため、以下には、ソース電極又はドレイン電極のことをソースドレイン電極と表記する。

また、ソース領域又はドレイン領域のことを、ソースドレイン領域と表記することがある。

第１の絶縁膜１２は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜などの無機材料からなる。第１の絶縁膜１２は、バリア膜としての機能もあり、トランジスタ１１に対する不純物の侵入を防止する。

第２の絶縁膜１３と第３の絶縁膜１４は、有機材料からなる。また、第２の絶縁膜１３と第３の絶縁膜１４の一方又は両方は遮光性を有する。図示する構成では、第２の絶縁膜１３のみが遮光性を有するものとする。

第２の絶縁膜１３と第３の絶縁膜１４の一方又は両方に用いる遮光性を有する薄膜は、振とう機や超音波振動器等を用いて、アクリル、ポリイミドなどの有機樹脂材料やシロキサン系材料（シリコンと酸素の結合で骨格構造が構成される。置換基に少なくとも水素を含む有機基（例えば、アルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基としてフルオロ基を用いてもよい。また、置換基として、少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を用いてもよい）などの有機材料に、カーボン粒子、金属粒子、顔料や着色料等を添加して撹拌した後、必要に応じて濾過を行い、その後、スピンコート法で形成する。なお、有機材料にカーボン粒子や金属粒子を添加する際は、均一に混合されるように、界面活性剤や分散剤などを添加してもよい。

なお、カーボン粒子とは、炭素からなる粒子であり、例えば、カーボンナノチューブに相当する。

また、カーボン粒子を添加する際は、カーボン粒子の濃度が重量パーセントで５〜１５％となるように、その添加量を調節するとよい。また、スピンコート法で形成した後の薄膜をそのまま用いてもよいが、硬化を目的とした焼成を行ってもよい。成膜された薄膜の透過率と反射率は、共に０％、又はほぼ０％に近い値となる。

なお、上記の構成では３層の絶縁膜の積層膜が設けられているが、本発明はこの構成に制約されない。２層の積層膜を設けてもよいし、４層以上の積層膜を設けてもよい。但し、積層膜のうちの１層は、無機材料からなるバリア膜とし、１層は有機材料からなる遮光性を有する薄膜とする。そして、バリア膜は、トランジスタ１１を保護する目的で設けられるため、トランジスタ１１に接するように設ける。

なお、第２の絶縁膜１３と第３の絶縁膜１４は、有機材料からなるが、感光性と非感光性のどちらを用いてもよい。但し、感光性の材料を用いると、その側壁は曲率半径が連続的に変化する形状となり、後に形成する電界発光層２０が段切れすることなく、形成することができる。特に、ネガ型の感光性の材料を用いると、絶縁膜２３の上端部に第１の曲率半径を有する曲面、絶縁膜２３の下端部に第２の曲率半径を有する曲面が設けられる。第１及び第２の曲率半径は０．２〜３μｍ、絶縁膜２３の角度は３５度以上とすることが好ましい。また、ポジ型の感光性の材料を用いると、絶縁膜２３の上端部のみに曲率半径を有する曲面が設けられる。図示する断面構造では、ネガ型の感光性材料を用いたときの場合を示している。

但し、好ましくは、図１（Ａ）に示すように、トランジスタ１１に接する第１の絶縁膜１２は無機材料からなる絶縁膜であり、第２の絶縁膜１３は有機材料からなり遮光性を有する絶縁膜であり、第３の絶縁膜１４は有機材料からなる絶縁膜という構成を適用するとよい。遮光性を有する絶縁膜は、導電性があったり、不純物が混入したりしている場合があるが、上記構成のように、第２の絶縁膜１３の下層と上層に絶縁膜を設けることで、第２の絶縁膜１３が有する導電性による影響や、不純物の混入による影響を防止することができる。

ソースドレイン配線１７、１８は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる。より詳しくは、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを１〜２０ａｔｏｍｓ％（好ましくは０．５〜７．０ａｔｏｍｓ％）含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種の元素を１〜２０ａｔｏｍｓ％（好ましくは０．５〜７．０ａｔｏｍｓ％）含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも１種の元素を１〜２０ａｔｏｍｓ％（好ましくは０．５〜７．０ａｔｏｍｓ％）と、炭素又は珪素を０．１〜３ａｔｏｍｓ％含む材料からなる。

この材料は、抵抗値が３．０〜５．０Ωｃｍと低く、また、反射率は８５〜９０％と、低抵抗値で反射性に優れる点を特徴とする。また、平坦性に優れる点を特徴とする。このようなアルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる薄膜は、スパッタリング法を用いて形成するとよい。

また、ソースドレイン配線１７、１８は、導電膜１９の下方、又は導電膜１９と同じ層に設けられる。図示する構成では、ソースドレイン配線１７、１８は、導電膜１９の下方に設けられた構成を示す。

なお、トランジスタ１１のソース電極に接続する配線がソース配線であり、トランジスタ１１のドレイン電極に接続する配線がドレイン配線であるが、上記の通り、トランジスタ１１のソース電極とドレイン電極は、その電極の電位の関係により定められるものであるため、ここでは、ソース配線又はドレイン配線のことをソースドレイン配線と表記する。

なお、多くの場合において、ソースドレイン配線１７、１８は、チタン／アルミニウム／チタンというように、積層して形成する。これは、アルミニウムが酸化しやすく、ヒロックが生じることがあるためである。しかしながら、本発明のように、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料を用いると、ソースドレイン配線１７、１８を単層で形成してもよく、また、トランジスタ１１の活性層であるシリコンや、導電膜１９の代表的な材料であるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）と直接接しても、腐食などの問題が生じることがない。

特に、ソースドレイン配線１７、１８として、アルミニウムを主成分とし、少なくともニッケルを含む合金材料を用いれば、トランジスタ１１の活性層であるシリコンとソースドレイン配線１７、１８との界面にニッケルシリサイドが形成されるため、トランジスタ１１の活性層であるシリコンとソースドレイン配線１７、１８との接合性は良好なものとなる。

また、ソースドレイン配線１７、１８を形成するニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料は、エッチング加工の際に、ドライエッチングだけでなく、ウエットエッチングを行うことができる。ウエットエッチングも行うことができると、その膜厚を厚くすることができるため、電圧降下の影響を抑制することができる。ウエットエッチングは、リン酸や現像液などを用いて行うことができる。

また、上記構成の表示装置は、導電膜１９の端部を囲む隔壁層２３（土手やバンクとも呼ばれる）と、導電膜１９に接するように設けられた電界発光層２０と、電界発光層２０に接するように設けられた導電膜２１を有する。導電膜２１は対向電極として機能する。

発光素子２２は、導電膜１９、電界発光層２０及び導電膜２１の積層体に相当し、図示する発光素子２２の構造は、陽極として機能する導電膜１９、電界発光層２０、陰極として機能する導電膜２１が順に積層された、順積み構造を採用している。この場合、発光素子２２から発せられる光は、陽極として機能する導電膜１９側に出射し、ソースドレイン配線１８において反射して、矢印で示すように、基板１０とは反対の方向に出射する。つまり、上面出射を行う。

導電膜１９には、透光性を有するイリジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、珪素が添加されたＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料を用いるとよい。図１（Ａ）に示す構成では、導電層１９としてＩＴＯを用いた場合を示し、その拡大図を図１３（Ａ）に示す。また、導電層１９として、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料を用いた場合の拡大図を図１３（Ｂ）に示す。

なお、図示する構成では、画素電極として機能する導電層１９の下層に、反射率に優れた、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料を設けている。従って、発光素子２２から発せられる光の殆どをソースドレイン配線１８において反射させて、外部に取り出すことができる。

第２の構成の表示装置は、基板１０上に設けられたトランジスタ１１と、トランジスタ１１上に設けられた第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜１２上に設けられた第２の絶縁膜１３と、第２の絶縁膜１３上に設けられた第３の絶縁膜１４とを有する（図１（Ｂ）参照）。また、第１の絶縁膜１２、第２の絶縁膜１３及び第３の絶縁膜１４に設けられた開口部を介して、トランジスタ１１のソースドレイン領域１５、１６に接続するソースドレイン配線２７、２８を有する。また、ソースドレイン配線２８に接し画素電極として機能する導電膜２９とを有する。

第１の絶縁膜１２は無機材料からなり、バリア膜として機能する。第２の絶縁膜１３と第３の絶縁膜１４は、有機材料からなる。また、第２の絶縁膜１３と第３の絶縁膜１４の一方又は両方は遮光性を有する。図示する構成では、第３の絶縁膜１４のみが遮光性を有する構成を示す。

なお、上記の構成では３層の絶縁膜の積層膜が設けられているが、本発明はこの構成に制約されない。２層の積層膜を設けてもよいし、４層以上の積層膜を設けてもよい。但し、積層膜のうちの１層は、無機材料からなるバリア膜とし、１層は有機材料からなる遮光性を有する薄膜とする。そして、バリア膜は、トランジスタ１１に接するように設ける。

ソースドレイン配線２７、２８は、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる。さらに、ソースドレイン配線２７、２８は、導電膜２９の上方、又は導電膜２９と同じ層に設けられる。図示する構成では、ソースドレイン配線２７は、導電膜２９と同じ層に設けられ、ソースドレイン配線２８は、導電膜２９の上方、又は導電膜２９と同じ層に設けられた構成を示す。

なお、ソースドレイン配線２７、２８には、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料を用いて単層で形成してもよいし、その上層と下層の一方又は両方にチタンやモリブデンからなる薄膜を形成してもよい。例えば、ソースドレイン配線２７、２８として、モリブデンからなる薄膜６００と、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる薄膜６０１の積層膜を形成してもよい（図１３（Ｃ）参照）。モリブデンからなる薄膜６００は、トランジスタ１１の活性層２６であるシリコンとの接合性が良好である。

また、ソースドレイン配線２７、２８を単層で形成する場合であっても、当該ソースドレイン配線２７、２８を、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料で形成すれば、活性層２６とソースドレイン配線２８との境界面にニッケルシリサイド６０３が形成され、活性層２６とソースドレイン配線２８との接合性が良好なものとなる。（図１３（Ｄ）参照）。

なお、活性層２６は、ソースドレイン領域１５、１６とチャネル形成領域を含む半導体層である。チャネル形成領域は、ソースドレイン領域１５とソースドレイン領域１６の間に設けられる領域である。

また、上記構成の表示装置は、導電膜２９の端部を囲む隔壁層２３と、導電膜２９に接するように設けられた電界発光層３０と、電界発光層３０に接するように設けられた導電膜３１を有する。導電膜３１は対向電極として機能する。

発光素子３２は、導電膜２９、電界発光層３０及び導電膜３１の積層体に相当し、図示する発光素子２２の構造は、陰極として機能する導電膜２９、電界発光層３０、陽極として機能する導電膜３１が順に積層された、逆積み構造を採用している。この場合、発光素子３２から発せられる光は、陽極として機能する導電膜３１側に出射する。つまり、上面出射を行う。

導電膜３１には、ＩＴＯ、珪素が添加されたＩＴＯ、ＩＺＯ、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料を用いるとよい。

第３の構成の表示装置は、基板１０上に設けられたトランジスタ１１と、トランジスタ１１上に設けられた第１の絶縁膜４１と、第１の絶縁膜４１上に設けられた第２の絶縁膜４２とを有する（図１（Ｃ）参照）。また、第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２に設けられた開口部を介して、トランジスタ１１のソースドレイン領域１５、１６に接続するソースドレイン配線４７、４８を有する。また、ソースドレイン配線４７、４８上に設けられた第３の絶縁膜５３を有する。さらに、第３の絶縁膜５３に設けられた開口部を介して、ソースドレイン配線４８に接続する導電膜４９とを有する。導電膜４９は画素電極として機能する。

第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２は、無機材料からなり、バリア膜として機能する。例えば、第１の絶縁膜４１は窒化酸化珪素膜からなり、第２の絶縁膜４２は酸化窒化珪素膜からなる。

また、第３の絶縁膜５３は有機材料からなり、遮光性を有する。なお、上記の構成では無機材料からなる２層の薄膜（第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２に相当、以下第１の層間絶縁膜と表記）が設けられ、有機材料からなる単層の薄膜（第３の絶縁膜５３に相当、以下第２の層間絶縁膜と表記）が設けられているが、本発明はこの構成に制約されない。

第１の層間絶縁膜として、３層以上の積層膜を設けてもよい。但し、積層膜のうちの１層は、無機材料からなるバリア膜とする。また、積層膜の１層は有機材料からなる遮光性を有する薄膜としてもよい。

また、第２の層間絶縁膜として、２層以上の積層膜を設けてもよい。但し、積層膜のうちの１層は、有機材料からなる遮光性を有する薄膜とする。

ソースドレイン配線４７、４８は、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる。

また、上記構成の表示装置は、導電膜４９の端部を囲む隔壁層２３と、導電膜４９に接するように設けられた電界発光層５０と、電界発光層５０に接するように設けられた導電膜５１を有する。導電膜５１は対向電極として機能する。

発光素子５２は、導電膜４９、電界発光層５０及び導電膜５１の積層体に相当し、図示する発光素子５２の構造は、陰極として機能する導電膜４９、電界発光層５０、陽極として機能する導電膜５１が順に積層された、逆積み構造を採用している。この場合、発光素子５２から発せられる光は、陽極として機能する導電膜５１側に出射する。つまり、上面出射を行う。

導電膜５１には、ＩＴＯ、珪素が添加されたＩＴＯ、ＩＺＯ、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料を用いるとよい。

第４の構成の表示装置は、基板１０上に設けられたトランジスタ１１と、トランジスタ１１上に設けられた第１の絶縁膜６１と、第１の絶縁膜６１上に設けられた第２の絶縁膜６２と、第２の絶縁膜６２上に設けられた第３の絶縁膜６３とを有する（図１（Ｄ）参照）。また、第１の絶縁膜６１、第２の絶縁膜６２及び第３の絶縁膜６３に設けられた開口部を介して、トランジスタ１１のソースドレイン領域１５、１６に接続するソースドレイン配線６７、６８を有する。また、ソースドレイン配線６７、６８上に設けられた第４の絶縁膜７３を有する。さらに、第４の絶縁膜７３に設けられた開口部を介して、ソースドレイン配線６８に接続する接続配線６４を有する。また、接続配線６４に接する導電膜６９を有する。導電膜６９は画素電極として機能する。

第１の絶縁膜６１は無機材料からなり、第２の絶縁膜６２と第３の絶縁膜６３は、有機材料からなる。第２の絶縁膜６２と第３の絶縁膜６３の一方又は両方は遮光性を有し、図示する構成では、第２の絶縁膜６２のみが遮光性を有する構成を示す。第４の絶縁膜７３は有機材料からなり、遮光性を有する。

なお、上記の構成では無機材料から薄膜（第１の絶縁膜６１）と、有機材料からなる２層の薄膜（第２の絶縁膜６２と第３の絶縁膜６３）が設けられ、さらに、有機材料からなる単層の薄膜（第４の絶縁膜７３）が設けられているが、本発明はこの構成に制約されない。上記の図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す構造に倣い、トランジスタ１１に接するようにバリア性を有する絶縁膜を設けて、また、積層膜のうちの１層として遮光性を有する薄膜を設けるようにすれば、無機材料又は有機材料からなる単層又は積層の薄膜を自由に設けることができる。

ソースドレイン配線６７、６８は、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる。

また、上記構成の表示装置は、導電膜６９の端部を囲む隔壁層２３と、導電膜６９に接するように設けられた電界発光層７０と、電界発光層７０に接するように設けられた導電膜７１を有する。導電膜７１は対向電極として機能する。導電膜６９、電界発光層７０及び導電膜７１の積層体は発光素子７２に相当し、図示する発光素子７２の構造は、陰極として機能する導電膜６９、電界発光層７０、陽極として機能する導電膜７１が順に積層された、逆積み構造を有する。この場合、発光素子７２から発せられる光は、陽極として機能する導電膜７１側に出射する。つまり、上面出射を行う。

導電膜７１には、ＩＴＯ、珪素が添加されたＩＴＯ、ＩＺＯ、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料を用いるとよい。

なお、上記の図１（Ｃ）に示す構成によれば、トランジスタ１１上に絶縁膜４１、４２を設け、絶縁膜４１、４２上に絶縁膜５３を設け、絶縁膜５３上に画素電極として機能する導電膜４９を設けている。また、上記の図１（Ｄ）に示す構成によれば、トランジスタ１１上に絶縁膜６１〜６３を設け、絶縁膜６１〜６３上に絶縁膜７３を設け、絶縁膜７３上に画素電極として機能する導電膜６９を設けている。

このような構成にすると、導電膜４９、６９を設ける領域は、ソースドレイン配線４７、４８、６７、６８が配置された領域以外に制限されることがない。つまり、導電膜４９、６９を設ける領域のマージンが広がるため、高開口率を向上する。また、高開口率を実現すると、光を発する面積の増加に伴い、駆動電圧を下げて、消費電力を削減することができる。

また、上記の図１（Ａ）〜（Ｄ）に示す構成を有する本発明の表示装置は、遮光性を有する絶縁膜が設けられていることにより、不要な光により、画素間の輪郭がぼやける影響を抑制することができる。つまり、遮光性を有する絶縁膜が不要光を吸収するために、画素間の輪郭が明瞭なものとなり、高精細な画像を表示することができる。また、遮光膜の配置により不要光による影響を抑制することができるために、偏光板が不要となり、小型化、軽量化、薄型化が実現される。

また、偏光板を設けると、発光素子から発せられる光の輝度が約４０％減衰してしまうため、実際に外部に発せられる発光素子の輝度を考慮して、駆動電圧を高くする必要がある。しかしながら、本発明は偏光板が不要となるため、その分駆動電圧を低減して、消費電力を低減することができる。

（実施の形態２）

本発明の表示装置の断面構造について、２つの構成に大別して、図面を参照して説明する。ここでは、隔壁層の構造に注目し、図面を参照して説明する。

第１の構成の表示装置は、導電膜１９の端部を囲むように、第１の絶縁膜８１と第２の絶縁膜８２が積層した積層膜が設けられており、この積層膜が隔壁層２３に相当する（図２（Ａ）参照）。第１の絶縁膜８１と第２の絶縁膜８２の一方又は両方は遮光性を有する。図示する構成では、第２の絶縁膜８２のみが遮光性を有するものとする。

遮光性を有する薄膜は、アクリル、ポリイミドなどの有機樹脂材料やシロキサン系材料などの有機材料に、カーボン粒子や金属粒子を添加して撹拌した後、スピンコート法で形成する。なお、図２（Ａ）に示す表示装置は、隔壁層２３の構成以外は、図１（Ａ）に示す構造の表示装置と同じ構成であり、互いに隣接する複数のトランジスタ１１と複数の発光素子２２を示す。

第２の構成の表示装置は、導電膜２９の端部を囲むように、第１の絶縁膜８３と第２の絶縁膜８４が積層した積層膜が設けられており、この積層膜が隔壁層２３に相当する（図２（Ｂ）参照）。第１の絶縁膜８３と第２の絶縁膜８４の一方又は両方は遮光性を有する。図示する構成では、上記の図２（Ａ）の構成と同様に、第２の絶縁膜８４のみが遮光性を有するものとする。

なお、第２の構成の表示装置では、第１の絶縁膜８３と第２の絶縁膜８４の作製方法に工夫してもよい。まず、画素電極として機能する導電膜２９に接するように全面に絶縁膜を形成後、パターン加工を行って、第１の絶縁膜８３を形成する。その後、第１の絶縁膜８３に接するように全面に遮光性を有する絶縁膜を形成後、パターン加工を行って、第２の絶縁膜８４を形成する。上記のように形成すると、導電膜２９の端部を、遮光性を有する第２の絶縁膜８４で囲むことができる。そうすると、不要な光は、遮光性を有する第２の絶縁膜８４に吸収される。

また、第２の構成の表示装置では、ソースドレイン配線８５、８６の端部がテーパー状になっていることを特徴とする。この形状により、ソースドレイン配線８５、８６の端部において反射した光は、遮光性を有する絶縁膜（ここでは第２の絶縁膜８４）の方向に発せられ、この遮光膜により吸収される。そうすると、遮光性を有する絶縁膜が不要な光を吸収するために、画素間の輪郭が明瞭なものとなり、高精細な画像を表示することができる。また、遮光膜の配置により、発光素子の画素電極又は対向電極として機能する導電膜における映り込みを防止することができるため、偏光板が不要となり、小型化、軽量化、薄型化が実現される。なお、図２（Ｂ）に示す表示装置は、隔壁層２３の構成以外は、図１（Ｃ）に示す構造の表示装置と同じ構成であり、隣接する複数のトランジスタ１１と複数の発光素子２２を示したものである。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

本発明の表示装置の構成要素である、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料は、抵抗値が低く、反射性が良好であり、また平坦性が良好であることを特徴とする。

そこで、以下には３つの積層体の平坦性の比較実験について説明する。第１の構造として、アルミニウムからなる導電層３００１、窒化チタンからなる導電層３００２、インジウム錫酸化物からなる導電層３００３の積層体（図１２（Ａ）参照）、第２の構造として、アルミニウムからなる導電層３００１、窒化チタンからなる導電層３００２、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物からなる導電層３００４の積層体（図１２（Ｂ）参照）、第３の構造として、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる導電層３００５、インジウム錫酸化物からなる導電層３００６の積層体（図１２（Ｃ）参照）の３つの構造を比較する。

なお、上記の３つの積層体は、図１（Ａ）に示す構造のように、ソースドレイン配線として機能する導電層と接するように、画素電極として機能する導電層を形成する場合であって、ソースドレイン配線として機能する導電層と画素電極として機能する導電層の積層体のみを表示したものである。また、導電層３００１と導電層３００２の積層体と、導電層３００５はソースドレイン配線として機能する。導電層３００３、３００４、３００６は画素電極として機能する。

第１の構造は、表面粗さ（Ｒａ）が０．２ｎｍ、ＰＶ値が１６．５ｎｍであり、第２の構造は、表面粗さ（Ｒａ）が０．８ｎｍであり、ＰＶ値が１９．０ｎｍであった。一方、第３の構造は、表面粗さが０．５ｎｍであり、ＰＶ値が９．６ｎｍであった。このように、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる導電層３００５は、その平坦性が良好であり、当該導電層３００５の上層に、インジウム錫酸化物からなる導電層３００６を設けても、その平坦性は優れたものとなる。なおＰＶ値とは、表面の凹凸において、膜厚の最も厚い箇所と膜厚の最も薄い箇所の差を示した値である。

本発明の表示装置の構成について図面を参照して説明する。本発明の表示装置は、ソース線Ｓｘ（ｘは自然数、１≦ｘ≦ｍ）と、ゲート線Ｇｙ（ｙは自然数、１≦ｙ≦ｎ）が絶縁体を介して交差する領域に複数の素子を含む画素３１０（２つのＴＦＴ／１画素）を複数有する（図３（Ａ）参照）。画素３１０は、発光素子３１３と、容量素子３１６と、２つのトランジスタとを有する。２つのトランジスタのうち、１つは画素３１０に対するビデオ信号の入力を制御するスイッチング用のトランジスタ３１１であり、もう１つは駆動用のトランジスタ３１２である。トランジスタ３１２は、発光素子３１３の発光と非発光を制御するか、又は発光素子３１３の電流値を制御する役目を担う。容量素子３１６は、トランジスタ３１２のゲート・ソース間電圧を保持する。

トランジスタ３１１のゲート電極はゲート線Ｇｙに接続し、ソース電極及びドレイン電極の一方はソース線Ｓｘに接続し、他方はトランジスタ３１２のゲート電極に接続する。トランジスタ３１２のソース電極及びドレイン電極の一方は電源線Ｖｘ（ｘは自然数、１≦ｘ≦ｌ）を介して第１の電源３１７に接続し、他方は発光素子３１３の画素電極に接続する。発光素子３１３の対向電極は第２の電源３１８に接続する。容量素子３１６はトランジスタ３１２のゲート電極とソース電極の間に設けられる。トランジスタ３１１、３１２の導電型は、Ｎ型（Ｎチャネル型）とＰ型（Ｐチャネル型）のどちらでもよいが、図示する構成では、トランジスタ３１１はＮ型、トランジスタ３１２はＰ型の場合を示す。第１の電源３１７の電位と第２の電源３１８の電位は特に制約されないが、発光素子３１３に順方向バイアス又は逆方向バイアスの電圧が印加されるように、互いに異なる電位に設定する。発光素子３１３に対する逆方向バイアスの印加は、発光素子３１３の信頼性の向上や、発光素子３１３のアノードとカソード短絡不良を絶縁化するといった目的がある。

トランジスタ３１１、３１２を構成する半導体は、非晶質半導体（アモルファスシリコン）、微結晶半導体、結晶質半導体、有機半導体等のいずれでもよい。微結晶半導体は、シランガス（ＳｉＨ₄）とフッ素ガス（Ｆ₂）を用いて形成するか、シランガスと水素ガスを用いて形成するか、上記に挙げたガスを用いて薄膜を形成後にレーザ光の照射を行って形成してもよい。トランジスタ３１１、３１２のゲート電極は、導電性材料により単層又は積層で形成する。例えば、タングステン（Ｗ）／窒化タングステン（ＷＮ、タングステン（Ｗ）と窒素（Ｎ）の組成比には特に制約はない）の積層構造や、モリブデン（Ｍｏ）／アルミニウム（Ａｌ）／Ｍｏ、Ｍｏ／窒化モリブデン（ＭｏＮ、モリブデン（Ｍｏ）と窒素（Ｎ）の組成比には特に制約はない）の積層構造を採用するとよい。

上記構成を有する画素３１０のレイアウトを図４に示す。このレイアウトでは、トランジスタ３１１、３１２、容量素子３１６、発光素子３１３の画素電極に相当する導電層３１９を示す。

続いて、このレイアウトのＡ−Ｂ−Ｃに対応する断面構造を図３（Ｂ）に示す。ガラスや石英などの絶縁表面を有する基板３２０上にトランジスタ３１１、３１２、発光素子３１３、容量素子３１６が設けられている。

また、隣接する画素３１０の間に設けられる隔壁層３３２のレイアウトを図５に示す。隔壁層３３２の幅は、その下部に設けられた配線を隠すことができる幅であることが好ましい。図示するレイアウトの画素３１０の列方向（縦方向）の長さは幅３３８で示し、行方向（横方向）の長さは幅３３７で示す。

次に、図３（Ａ）に示した画素回路以外で、本発明に適用可能な画素回路の例について説明する。図６（Ａ）は、図３（Ａ）に示した画素３１０に、消去用のトランジスタ３４０と、消去用のゲート線Ｒｙを新たに設けた構成の画素回路（３つのＴＦＴ／１画素）である。トランジスタ３４０の配置により、強制的に発光素子３１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素３１０に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができる。従って、デューティ比を向上させて、動画の表示は特に良好に行うことができる。

図６（Ｂ）は、図３（Ａ）に示した画素３１０のトランジスタ３１２を削除して、新たに、トランジスタ３４１、３４２と、電源線Ｖａｘ（ｘは自然数、１≦ｘ≦ｌ）とを設けた画素回路（４つのＴＦＴ／１画素）である。電源線Ｖａｘは電源３４３に接続する。本構成では、トランジスタ３４１のゲート電極を一定の電位に保持した電源線Ｖａｘに接続することにより、トランジスタ３４１のゲート電極の電位を固定にし、なおかつ飽和領域で動作させる。また、トランジスタ３４２は線形領域で動作させて、そのゲート電極には、画素の点灯又は非点灯の情報を含むビデオ信号を入力する。線形領域で動作するトランジスタ３４２のソースドレイン間電圧の値は小さいため、トランジスタ３４２のゲート・ソース間電圧の僅かな変動は、発光素子３１３に流れる電流値には影響を及ぼさない。従って、発光素子３１３に流れる電流値は、飽和領域で動作するトランジスタ３４１により決定される。上記構成を有する本発明は、トランジスタ３４１の特性バラツキに起因した発光素子３１３の輝度ムラを改善して画質を高めることができる。

また、上記以外の画素回路として、図３（Ａ）の画素３１０において、トランジスタ３１１を削除した画素回路（１つのＴＦＴ／１画素）を適用してもよい。この場合、パッシブ型のディスプレイと同じ動作を行う。

また、本発明の表示装置には、アナログのビデオ信号、ディジタルのビデオ信号のどちらを用いてもよい。但し、ディジタルのビデオ信号を用いる場合、そのビデオ信号が電圧を用いているのか、電流を用いているのかで異なる。つまり、発光素子の発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがある。ビデオ信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発明の表示装置には、電圧のビデオ信号、電流のビデオ信号のどちらを用いてもよく、また定電圧駆動、定電流駆動のどちらを用いてもよい。

また、図６（Ａ）に示す画素回路では、消去用のトランジスタ３４０が設けられているが、図３（Ａ）に示す画素回路であっても、図６（Ａ）に示す画素回路の動作と同様の動作を行うことができる。そのためには、ゲート選択期間を複数（好ましくは２つ）に分割し、分割されたゲート選択期間のうちの１つの期間でデータ信号の書き込みを行い、また別の期間で消去信号の書き込みを行えばよい。この場合、消去用のトランジスタと、当該トランジスタを制御する配線を設ける必要がないため、高開口率を実現する。

また、本発明の表示装置において、カラー表示を行う場合、発光波長帯の異なる電界発光層を画素毎に形成するとよく、典型的には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応した電界発光層を形成する。この場合、発光素子の光の出射側に、その発光波長帯の光を透過するフィルター（着色層）を設けた構成とすると、色純度の向上や、画素部の鏡面化（映り込み）の防止を図ることができる。また、フィルターを設けると、従来必要であるとされていた円偏光板等を省略することが可能となり、電界発光層から出射する光の損失を無くすことができる。さらに、斜方から画素領域を見た場合に起こる色調の変化を低減することができる。また、電界発光層は単色又は白色の発光を呈する構成とすることができる。白色発光材料を用いる場合には、発光素子の光の出射側に特定の波長の光を透過するフィルターを設けた構成とすれば、カラー表示を行うことができる。

電界発光層には、一重項励起からの発光を呈する材料（以下一重項励起発光材料と表記）や、三重項励起からの発光を呈する材料（以下三重項励起発光材料と表記）を用いる。例えば、赤色に発光する発光素子、緑色に発光する発光素子及び青色に発光する発光素子のうち、輝度半減時間が比較的短い赤色のものを三重項励起発光材料で形成し、他のものを一重項励起発光材料で形成する。三重項励起発光材料は発光効率が良いので、同じ輝度を得るのに消費電力が少なくて済むという利点がある。

また、赤色のものと緑色のものとを三重項励起発光材料で形成し、青色のものを一重項励起発光材料で形成しても良い。人間の視感度が高い緑色の発光素子も三重項励起発光材料で形成することで、さらなる低消費電力化を図ることができる。なお三重項励起発光材料の一例としては、金属錯体をドーパントとして用いたものがあり、第三遷移系列元素である白金を中心金属とする金属錯体、イリジウムを中心金属とする金属錯体などがある。また、電界発光層には、低分子材料、中分子材料、高分子材料のいずれの材料を用いてもよい。

発光素子は、下から陽極／電界発光層／陰極を順に積層する順積み構造や、下から陰極／電界発光層／陽極を順に積層する逆積み構造のどちらを用いてもよい。発光素子が含む電極には、透光性を有するイリジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や、ＩＴＯに酸化珪素が添加されたＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）をドープした酸化亜鉛（ＧＺＯ）などを用いるとよい。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。本実施例は、上記の実施の形態と、上記の実施例と自由に組み合わせることができる。

本発明の表示装置の一形態であるパネルについて説明する。基板４０５上には、発光素子を含む画素を複数有する表示領域４００、ゲートドライバ４０１、４０２、ソースドライバ４０３及び接続フィルム４０７が設けられる（図７（Ａ）参照）。接続フィルム４０７はＩＣチップなどに接続する。

図７（Ｂ）はパネルのＡ−Ｂにおける断面図を示し、表示領域４００に設けられたトランジスタ４１２、発光素子４１３及び容量素子４１６、ソースドライバ４０３に設けられた素子群４１０を示す。

表示領域４００、ゲートドライバ４０１、４０２及びソースドライバ４０３の周囲にはシール材４０８が設けられ、発光素子４１３は、該シール材４０８と対向基板４０６により封止される。この封止処理は、発光素子４１３を水分から保護するための処理であり、ここではカバー材（ガラス、セラミックス、プラスチック、金属等）により封止する方法を用いるが、熱硬化性樹脂や紫外光硬化性樹脂を用いて封止する方法、金属酸化物や窒化物等のバリア能力が高い薄膜により封止する方法を用いてもよい。基板４０５上に形成される素子は、非晶質半導体に比べて移動度等の特性が良好な結晶質半導体（ポリシリコン）により形成することが好適であり、そうすると、同一表面上におけるモノリシック化が実現される。上記構成を有するパネルは、接続する外部ＩＣの個数が減少するため、小型・軽量・薄型が実現される。

なお、表示領域４００は絶縁表面上に形成された非晶質半導体（アモルファスシリコン）をチャネル部としたトランジスタにより構成し、表示領域４００を制御する回路はＩＣチップにより構成してもよい。非晶質半導体は、ＣＶＤ法を用いることで、大面積の基板に簡単に形成することができ、かつ結晶化の工程が不要であることから、安価なパネルの提供を可能とする。また、この際、インクジェット法に代表される液滴吐出法により導電層を形成すると、より安価なパネルの提供を可能とする。

また、ＩＣチップは、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により基板４０５上に貼り合わせたり、基板４０５に接続する接続フィルム４０７に貼り合わせたりしてもよい。一例として、ＣＯＧ方式により、基板４０５上に、複数のＩＣチップ４１７を貼り合わせたときの上面図を図１０に示す。ＩＣチップ４１７は、ソースドライバやゲートドライバとして動作する。

また、上記とは別の実施例として、素子群４１０と電気的に接続する接続配線４１８と、当該接続配線４１８に接するよう導電膜４１９を設けてもよい。そして、接続フィルム４０７は、異方性導電体４２０を介して、導電膜４１９に貼り付けてもよい（図１１（Ａ）参照）。

また、発光素子が含む電界発光層は、発光波長帯の異なるものを画素毎に形成してもよいし、単色又は白色を呈するものを全ての画素に形成してもよい。白色を呈する電界発光層を形成する場合は、発光素子の光の出射側に特定の波長の光を透過するフィルターを設けるが、そのときのパネルの断面図を図１１（Ｂ）に示す。

この場合、対向基板４０６側に、特定の波長に対応したフィルターとして機能する着色膜４２１〜４２３が設けられる。典型的には、着色膜４２１〜４２３の各々は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの色に対応する。また、多くの場合には、隣接する着色膜４２１〜４２３の間には遮光膜が設けられるが、本発明は、基板４０５上に遮光性の有する絶縁膜が設けられている。従って、隣接する着色膜４２１〜４２３の間に遮光膜を設ける必要がない。そうすると、アライメントの精度が向上する。本実施例は、上記の実施の形態、上記の実施例と自由に組み合わせることができる。

本発明の表示装置は、メモリや処理回路などの機能回路やアンテナコイルを搭載することで、非接触でデータの送受信が可能なＩＣカード（ＩＤカードとも呼ばれる）として用いることができる。そのようなＩＣカードの構成の一例について図面を参照して説明する。

ＩＣカード５００は、本発明の構成を適用した表示部５０１を含む（図８（Ａ）参照）。ＩＣカード５００は、保護シールにより覆われており、当該保護シールを剥離すると、表示部５０１と、機能回路部５０２と、アンテナコイル５０３とを含む（図８（Ｂ）参照）。機能回路部５０２は、表示部５０１を制御するコントローラ、アンテナコイル５０３から入力された交流の電気信号を基に各種電源を生成する電源回路、アンテナコイル５０３から入力された交流信号を基に各種クロック信号を生成するクロック発生回路、データを復調／変調するデータ復調／変調回路、各種データを記憶する記憶回路などを含む。

また、アンテナコイル５０３は、外部から送信される電磁波を交流の電気信号に変換する。

図８（Ｂ）に示すＩＣカード５００におけるＡ−Ｂに示す断面構造は図８（Ｃ）に示す通りであり、表示部５０１が含むソースドレイン配線１７、１８と同じ層に、アンテナコイル５０３を構成する導電層群５０４を設けている。実施の形態１において上述した通り、ソースドレイン配線１７、１８は、アルミニウムを主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、炭素及び珪素のうち少なくとも１つを含む合金材料からなる。この材料は、エッチング加工の際に、ドライエッチングだけでなく、ウエットエッチングを行うことができる。ウエットエッチングも行うことができると、導電層群５０４の膜厚を厚くすることができるため、アンテナコイル５０３の動作を安定化させることができる。上記構成を有するＩＣカードは、運転免許証、身分証明証などに用いることができる。本実施例は、上記の実施の形態、上記の実施例と自由に組み合わせることができる。

発光素子を含む画素領域を備えた表示装置を用いた電子機器として、テレビジョン装置（テレビ、テレビジョン受信機とも呼ばれる）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置（携帯電話機とも呼ばれる）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、モニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図９を参照して説明する。

図９（Ａ）に示す本発明の表示装置を用いた携帯情報端末は、本体９２０１、表示部９２０２等を含み、本発明により高精細な画像を表示することができる。図９（Ｂ）に示す本発明の表示装置を用いたデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、９７０２等を含み、本発明により高精細な画像を表示することができる。図９（Ｃ）に示す本発明の表示装置を用いた携帯端末は、本体９１０１、表示部９１０２等を含み、本発明により高精細な画像を表示することができる。図９（Ｄ）に示す本発明の表示装置を用いた携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含み、本発明により高精細な画像を表示することができる。図９（Ｅ）に示す本発明の表示装置を用いた携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含み、本発明により高精細な画像を表示することができる。図９（Ｆ）に示す本発明の表示装置を用いたテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含み、本発明により高精細な画像を表示することができる。また、遮光膜の配置により不要光による影響を抑制することができるために、偏光板が不要となり、小型化、軽量化、薄型化が実現される。

本発明の表示装置の構成を説明する図。 本発明の表示装置の構成を説明する図。 本発明の表示装置の構成を説明する図。 本発明の表示装置の構成を説明する図。 本発明の表示装置の構成を説明する図。 本発明の表示装置の構成を説明する図。 本発明の表示装置の一形態であるパネルを説明する図。 本発明の表示装置を用いたＩＣカードを説明する図。 本発明の表示装置を用いた電子機器を説明する図。 本発明の表示装置の一形態であるパネルを説明する図。 本発明の表示装置の一形態であるパネルを説明する図。 本発明の表示装置の構成を説明する図。 本発明の表示装置の構成を説明する図。

符号の説明

１０ 基板
１１ トランジスタ
１２ 第１の絶縁膜
１３ 第２の絶縁膜
１４ 第３の絶縁膜
１５〜１８ ソースドレイン領域
１９、２１ 導電膜
２０ 電界発光層
２２ 発光素子
２３ 絶縁膜
２３ 隔壁層
２６ 活性層
２７、２８ ソースドレイン配線
２９、３１導電膜
３０ 電界発光層
３２ 発光素子
４１ 第１の絶縁膜
４２ 第２の絶縁膜
４７、４８ ソースドレイン配線
４９、５１ 導電膜
５０ 電界発光層
５２ 発光素子
５３ 第３の絶縁膜
６１ 第１の絶縁膜
６２ 第２の絶縁膜
６３ 第３の絶縁膜
６４ 接続配線
６７、６８ ソースドレイン配線
６９、７１ 導電膜
７０ 電界発光層
７２ 発光素子
７３ 第４の絶縁膜
８１、８３ 第１の絶縁膜
８２、８４ 第２の絶縁膜、８５、８６ ソースドレイン配線

Claims (6)

1. 基板上に設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタ上に設けられた、無機材料からなる第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に設けられた、有機材料からなり、かつ遮光性を有する第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられた、有機材料からなる第３の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記第３の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続されたソースドレイン配線と、
   前記ソースドレイン配線上に設けられた、有機材料からなり、かつ遮光性を有する第４の絶縁膜と、
   前記第４の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記ソースドレイン配線に接続された接続配線と、
   前記接続配線に接する第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜に接する電界発光層と、
   前記電界発光層に接する第２の導電膜と、を有し、
   前記ソースドレイン配線と前記接続配線の一方又は両方は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の導電膜の端部を囲む隔壁層を有し、
   前記隔壁層は第５の絶縁膜と第６の絶縁膜の積層膜からなり、
   前記第５の絶縁膜と前記第６の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有することを特徴とする表示装置。
3. 請求項１において、
   前記第１の導電膜の端部を囲む隔壁層を有し、
   前記隔壁層は第５の絶縁膜と第６の絶縁膜の積層膜からなり、
   前記第５の絶縁膜と前記第６の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有し、
   前記第５の絶縁膜と前記第６の絶縁膜は有機材料からなり、前記第５の絶縁膜と前記第６の絶縁膜の一方又は両方は炭素を含むことを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記合金材料は、炭素と珪素の一方又は両方を含むことを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第１の導電膜、前記電界発光層及び前記第２の導電膜を含む発光素子は、前記基板と反対の方向に光を発することを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。

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