JP5247410B2

JP5247410B2 - 蒸着用基板、蒸着用基板の作製方法、および蒸着方法

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Publication number: JP5247410B2
Application number: JP2008323518A
Authority: JP
Inventors: 浩平横山; 陽輔佐藤; 智哉青山; 礼奈高橋
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2007-12-26
Filing date: 2008-12-19
Publication date: 2013-07-24
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Description

本発明は、蒸着法により成膜可能な材料の成膜に用いる蒸着用基板、蒸着用基板の作製方法、およびこれを用いた発光装置の作製方法に関する。

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。

発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。

また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法などを用いて成膜されることが多い。

蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板を設置する基板ホルダと、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有しており、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される構成となっている。

しかし、実際には均一に膜を成膜するために、被成膜基板を回転させることや、基板とルツボとの間の距離を一定以上離すことが必要となる。また、複数のＥＬ材料を用いてメタルマスクなどのマスクを介した塗り分けを行う場合には、異なる画素間の間隔を広く設計し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁（バンク）の幅を広くすることが必要となるなど発光素子を含む発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。

従って、フラットパネルディスプレイとして、より高精細化や高信頼性を図るために、これらの課題を解決すると共に生産性の向上や低コスト化を図ることが要求されている。

これに対して、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、支持基板上に、低反射層と高反射層から構成される光熱変換層と、転写層を有する転写用基板について記載されている。このような転写用基板にレーザ光を照射することにより、転写層を素子作成用基板に転写することができる。
特開２００６−３０９９９５号公報

しかしながら、特許文献１の転写用基板では、基板の片側に高反射層および低反射層が積層して形成されている。そのため、高反射層を用いたとしても、ある程度の熱の吸収が考えられるため、レーザ光の熱量が大きいときに、低反射層上の転写層だけでなく、高反射層上の転写層も転写されてしまう可能性がある。

また、特許文献１の図３に記載された構成では、［００４１］段落にも記載されているように、低反射層と高反射層との間に隙間がないようにしなければならず、高精度のパターニングが必要となる。

また、特許文献１の図７に記載された構成では、低反射層をパターニングしておき、その後全面に高反射層を形成し、その後、転写層を形成している。この構成では、レーザ光を吸収し加熱された低反射層からの熱は、高反射層を介して転写層に伝わる構成となっているため、所望の転写層だけでなく、その周りの転写層も転写されてしまう可能性がある。

よって、蒸着の際に用いる蒸着用基板上に所望のパターンを容易に形成する方法を提供することにより、蒸着用基板の製造コストを低減させると共に、蒸着法による成膜を行う場合において、所望の蒸着材料のみが蒸着されることを可能にし、蒸着材料の利用効率を高めることによって製造コストを低減させると共に、蒸着用基板の作製を容易にすることで製造コストを低減させることを目的とする。

また、この様な蒸着用基板を用いることで、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進めることが可能である発光装置の作製方法を提供することを目的とする。

蒸着用基板は、基板上に形成された開口部を有する反射層と、基板および反射層上にそれぞれ分離形成された透光性を有する断熱層と、断熱層上にそれぞれ形成された光吸収層と、光吸収層上にそれぞれ形成された材料層とを有することを特徴とする蒸着用基板である。

なお、上記構成において、断熱層の透過率は６０％以上であり、また、反射層の膜厚は、１μｍ以上２μｍ以下、断熱層の膜厚は、１０ｎｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする。

また、蒸着用基板の別の構成は、基板上に形成された開口部を有する反射層および断熱層と、基板および断熱層上にそれぞれ分離形成された光吸収層と、光吸収層上にそれぞれ形成された材料層とを有することを特徴とする蒸着用基板である。

なお、上記構成において、反射層の膜厚は、１０ｎｍ以上１μｍ以下であり、断熱層の膜厚は、１μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする。

上記各構成において、反射層は、光に対する反射率が８５％以上であり、また、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、または銀を含む合金のいずれかを含むことを特徴とする。

また、上記各構成において、断熱層に用いる材料の熱伝導率は、前記反射層および前記光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さいことを特徴とし、断熱層は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウムのいずれかを含むことを特徴とする。

また、上記各構成において、光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であり、光吸収層の膜厚は、２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする。さらに、光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、その他金属窒化物、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする。

また、上記各構成において、材料層は有機化合物からなることを特徴とする。なお、材料層が、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含む場合も本発明に含めることとする。

蒸着用基板の作製方法は、上述した蒸着用基板の作製方法であって、基板上に開口部を有する反射層を形成し、基板および反射層上に透光性を有する断熱層をそれぞれ分離形成し、断熱層上に光吸収層をそれぞれ形成し、光吸収層上に材料層をそれぞれ形成することを特徴とする。

また、蒸着用基板の作製方法の別の構成は、基板上に反射層を形成し、反射層上に断熱層を形成し、反射層および断熱層に開口部を形成し、基板および前記断熱層上に光吸収層をそれぞれ分離形成し、光吸収層上に材料層をそれぞれ形成することを特徴とする。

発光装置の作製方法は、上述した蒸着用基板を用いた発光装置の作製方法であって、基板の一方の面に形成された開口部を有する反射層と、基板および反射層に接してそれぞれ分離形成された透光性を有する断熱層と、断熱層に接してそれぞれ形成された光吸収層と、光吸収層に接してそれぞれ形成された材料層とを少なくとも有する第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする。

また、発光装置の作製方法の別の構成は、基板の一方の面に形成された開口部を有する反射層と、基板および反射層に接してそれぞれ分離形成された透光性を有する断熱層と、断熱層に接してそれぞれ形成された光吸収層と、光吸収層に接してそれぞれ形成された材料層とを少なくとも有する第１の基板の一方の面と、第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第１の電極表面に蒸着させることを特徴とする。

発光装置の作製方法の別の構成は、上述した蒸着用基板を用いた発光装置の作製方法であって、基板の一方の面に形成された開口部を有する反射層および断熱層と、基板および断熱層に接してそれぞれ分離形成された光吸収層と、光吸収層に接してそれぞれ形成された材料層とを少なくとも有する第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする。

また、発光装置の作製方法の別の構成は、基板の一方の面に形成された開口部を有する反射層および断熱層と、基板および断熱層に接してそれぞれ分離形成された光吸収層と、光吸収層に接してそれぞれ形成された材料層とを少なくとも有する第１の基板の一方の面と、第１の電極が形成された第２の基板の一方の面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側から光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第１の電極表面に蒸着させることを特徴とする。

なお、上記各構成において、第１の基板に照射される光は、赤外光であることを特徴する。

また、本発明は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

蒸着用基板の構造として、蒸着用基板を形成するために積層される膜に膜厚差をつけることにより、膜を分離形成させることができるため、蒸着用基板上に所望のパターンを形成することができる。従って、通常、蒸着用基板上にパターン形成の際に必要となるフォトリソ工程が不要となるため、蒸着用基板の製造コストを低減させることができる。

また、蒸着用基板を用いることにより、蒸着用基板上に形成される材料層の膜厚を制御することによって、成膜時に被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができるため、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。

また、蒸着用基板を用いることにより、成膜時に蒸着用基板上に形成された材料層に含まれる蒸着材料を均一に昇華させることができる。また、材料層が複数の蒸着材料を含む場合でも、材料層と同じ蒸着材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、蒸着用基板を用いて成膜する際、蒸着温度の異なる複数の蒸着材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる蒸着材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

従って、上述した蒸着用基板を用いた発光装置の作製方法において、平坦でムラのない膜を成膜することが可能であり、また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができるだけでなく、その特性を向上を図ることができる。

さらに、上述した蒸着用基板を用いた発光装置の作製方法において、ＥＬ材料の利用効率を高めることができ、また、光源として熱量の大きなランプヒーター等を用いて、大面積を一括して成膜することが可能となるため、発光装置の製造コストを低減させることができる。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の一態様として、蒸着用基板の作製方法について説明する。

図１（Ａ）に示すように、まず、支持基板である第１の基板１０１上に反射層１０２を形成する。反射層１０２は、蒸着の際、蒸着用基板上の光吸収層の一部分に選択的に光を照射し、それ以外の部分に照射される光を反射するために設けられる層である。よって、反射層１０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることとする。

また、反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、または銀を含む合金などが挙げられる。特に、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、銀−ネオジム合金は、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上）に対して高い反射率を有しているため、反射層の材料として好適に用いることができる。具体的には、アルミニウムやアルミニウム−チタン合金は、膜厚４００ｎｍの場合、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）に対して、８５％以上の反射率を有している。また、上述していないモリブデンやタングステン等の材料は、波長８００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の場合には、反射率が低いため、後述する光吸収層の材料として適するが、波長２０００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の光が照射される場合には、８５％以上の高い反射率を示すため反射層１０２の材料としても用いることができる。

このように、照射される光の波長により、反射層１０２に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。

なお、反射層１０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、後に形成される機能層（断熱層、光吸収層、材料層）のパターン形成を可能にする為、１μｍ以上の膜厚で形成することが好ましい。１μｍ以上の膜厚とすることにより、機能層のパターン形成を可能とするだけでなく、照射された光が反射層を透過することを抑制することができる。

また、反射層１０２には、開口部１０３が設けられている。開口部１０３を形成する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチング法を用いることが好ましい。ドライエッチング法を用いることにより、開口部１０３の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。

次に、図１（Ｂ）に示すように断熱層１０４を形成する。なお、断熱層１０４は、反射層１０２の膜厚が厚いために反射層１０２上と、基板１０１上における反射層１０２の開口部１０３に分離して形成される。従って、断熱層１０４を分離形成するためのフォトリソ工程を省略することができる。

断熱層１０４は、蒸着の際に照射された光のうち、反射層１０２によって照射された光の一部が熱となって反射層１０２に残った場合に、その熱が、後に反射層１０２上に形成される光吸収層および材料層に伝わるのを防ぐための層である。しかし、本実施の形態１では、反射層１０２の開口部１０３を透過した光を開口部１０３に形成される光吸収層１０５に照射させる必要がある。そのために、断熱層１０４は、透光性を有する必要がある。従って、本実施の形態１における断熱層１０４は、熱伝導率の低い材料であると共に光透過率の高い材料を用いる必要がある。また、断熱層１０４は、熱伝導率が反射層１０２および光吸収層１０５を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。具体的には、熱伝導率が１０ｗ・ｍ^−１・ｋ^−１以下であり、近赤外領域（波長７００ｎｍ〜２５００ｎｍ）での光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。

また、断熱層１０４に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素等を用いることができる。

なお、断熱層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成することができる。また、断熱層１０４の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上１μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とする。１０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚とすることにより、照射された光を反射層１０２の開口部１０３において透過させるとともに、光が照射された際に反射層１０２に残った熱が、反射層１０２と重なる位置に形成される光吸収層や材料層に伝わるのを遮断する効果を有する。

次に、図１（Ｃ）に示すように光吸収層１０５を形成する。なお、光吸収層１０５は、反射層１０２の厚い膜厚の影響を受け、反射層１０２と重なる位置、および反射層１０２の開口部１０３にそれぞれ分離して形成される。従って、光吸収層１０５を分離形成するためのフォトリソ工程を省略することができる。

光吸収層１０５は、蒸着の際に照射された光を吸収する層である。よって、光吸収層１０５は、照射される光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０５は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。

また、光吸収層１０５に用いることができる材料としては、例えば、波長８００ｎｍの光に対しては、モリブデン、窒化タンタル、チタン、タングステンなどを用いることが好ましい。また、波長１３００ｎｍの光に対しては、窒化タンタル、チタンなどを用いることが好ましい。なお、光吸収層１０５は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

このように、照射される光の波長により、光吸収層１０５に好適な材料の種類は変化することから、適宜材料を選択する必要がある。

なお、光吸収層１０５は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。

また、光吸収層１０５の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚（好ましくは、１００ｎｍ以上２μｍ以下）であることが好ましい。特に、光吸収層１０５の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収層１０５の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。

なお、光吸収層１０５は、次に形成される材料層に含まれる蒸着材料の昇華温度まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、材料層に含まれる蒸着材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。

なお、反射層１０２と光吸収層１０５の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射される光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。

次に、図１（Ｄ）に示すように材料層１０６を形成する。材料層１０６は、被成膜基板上に蒸着させる蒸着材料を含んで形成される層である。そして、蒸着の際に光が照射されると、材料層１０６に含まれる蒸着材料が加熱され、昇華するとともに被成膜基板上に蒸着される。

なお、材料層１０６に含まれる蒸着材料としては、蒸着可能な材料であれば、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができるが、本実施の形態で示すように発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する蒸着可能な材料を用いることとする。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する蒸着可能な材料の詳細については、実施の形態７において詳述するので、それを参考にすることとし、ここでの説明は省略する。

また、材料層１０６は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１０６は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。従って、蒸着材料を含む層を複数積層することにより、共蒸着することも可能である。なお、材料層１０６が積層構造を有する場合には、第１の基板側に昇華温度（または、蒸着可能な温度）の低い蒸着材料を含むように積層することが好ましい。このような構成とすることにより、積層構造を有する材料層１０６による蒸着を効率良く行うことができる。

また、材料層１０６は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。

湿式法を用いて材料層１０６を形成する場合には、所望の蒸着材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、蒸着材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ蒸着材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。

以上により、蒸着用基板を形成することができる。

蒸着用基板は、蒸着用基板を形成するために積層される膜に膜厚差をつけることにより、膜を分離形成させることができるため、蒸着用基板上に所望のパターンを形成することができる。従って、通常、蒸着用基板上にパターン形成の際に必要となるフォトリソ工程が不要となるため、蒸着用基板の製造コストを低減させることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態２では、実施の形態１で説明した蒸着用基板とは構造の異なる蒸着用基板について図２を用いて説明する。

図２（Ａ）に示すように、まず、支持基板である第１の基板２０１上に反射層２０２を形成する。反射層２０２は、蒸着の際、蒸着用基板上にの光吸収層の一部分に選択的に光を照射し、それ以外の部分に照射される光を反射するために設けられる層である。よって、反射層２０２は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層２０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることとする。

また、反射層２０２に用いることができる材料としては、、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、または銀を含む合金などが挙げられる。特に、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、銀−ネオジム合金は、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上）に対して高い反射率を有しているため、反射層の材料として好適に用いることができる。具体的には、アルミニウムやアルミニウム−チタン合金は、膜厚４００ｎｍの場合、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）に対して、８５％以上の反射率を有している。また、上述していないモリブデンやタングステン等の材料は、波長８００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の場合には、反射率が低いため、本発明において、後述する光吸収層の材料として適するが、波長２０００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の光が照射される場合には、８５％以上の高い反射率を示すため反射層２０２の材料としても用いることができる。

このように、照射される光の波長により、反射層２０２に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。

なお、反射層２０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上１μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とする。１０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚とすることにより、照射された光が反射層を透過することを抑制することができる。

次に、反射層２０２上に断熱層２０３を形成する。なお、断熱層２０３は、蒸着の際に照射された光のうち、反射層２０２によって照射された光の一部が熱となって反射層２０２に残った場合に、その熱が、後に反射層２０２上に形成される光吸収層および材料層に伝わるのを防ぐための層である。従って、本実施の形態２における断熱層２０３は、熱伝導率の低い材料である必要がある。また、断熱層２０３は、熱伝導率が反射層２０２および次に形成される光吸収層を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。具体的には、熱伝導率が１０ｗ・ｍ^−１・ｋ^−１以下であり、近赤外領域（波長７００ｎｍ〜２５００ｎｍ）での光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。

また、断熱層２０３に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素等を用いることができる。

なお、断熱層２０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成することができる。また、断熱層２０３の膜厚は、後に形成される機能層（断熱層、光吸収層、材料層）のパターン形成を可能にする為、１μｍ以上２μｍ以下の膜厚で形成することが好ましい。１μｍ以上以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、機能層のパターン形成を可能とするだけでなく、光が照射された際に反射層２０２に残った熱が、反射層２０２と重なる位置に形成される光吸収層や材料層に伝わるのを遮断する効果を有する。

また、反射層２０２と断熱層２０３を積層した後、図２（Ｂ）に示すように開口部２０６を形成することにより、反射層２０４および断熱層２０５がそれぞれ分離形成される。開口部２０６を形成する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチング法を用いることが好ましい。ドライエッチング法を用いることにより、開口部２０６の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。

次に、光吸収層２０７を形成する。なお、光吸収層２０７は、断熱層２０３の膜厚が厚いために断熱層２０３上と、基板２０１上における反射層２０２および断熱層２０３の開口部２０６に分離して形成される。従って、光吸収層２０７を分離形成するためのフォトリソ工程を省略することができる。

光吸収層２０７は、蒸着の際に照射された光を吸収する層である。よって、光吸収層２０７は、照射される光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層２０７は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。

また、光吸収層２０７に用いることができる材料としては、例えば、波長８００ｎｍの光に対しては、モリブデン、窒化タンタル、チタン、タングステンなどを用いることが好ましい。また、波長１３００ｎｍの光に対しては、窒化タンタル、チタンなどを用いることが好ましい。なお、光吸収層２０７は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

このように、照射される光の波長により、光吸収層２０７に好適な材料の種類は変化することから、適宜材料を選択する必要がある。

なお、光吸収層２０７は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。

また、光吸収層２０７の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚（好ましくは、１００ｎｍ以上２μｍ以下）であることが好ましい。特に、光吸収層２０７の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収層２０７の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。

なお、光吸収層２０７は、次に形成される材料層に含まれる蒸着材料の昇華温度まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、材料層に含まれる蒸着材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。

次に、図２（Ｄ）に示すように材料層２０８を形成する。材料層２０８は、被成膜基板上に蒸着させる蒸着材料を含んで形成される層である。そして、蒸着の際に光が照射されると、材料層２０８に含まれる蒸着材料が加熱され、昇華するとともに被成膜基板上に蒸着される。

なお、材料層２０８に含まれる蒸着材料としては、蒸着可能な材料であれば、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができるが、本実施の形態で示すように発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する蒸着可能な材料を用いることとする。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する蒸着可能な材料の詳細については、実施の形態７において詳述するので、それを参考にすることとし、ここでの説明は省略する。

また、材料層２０８は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層２０８は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。従って、蒸着材料を含む層を複数積層することにより、共蒸着することも可能である。なお、材料層２０８が積層構造を有する場合には、第１の基板側に昇華温度（または、蒸着可能な温度）の低い蒸着材料を含むように積層することが好ましい。このような構成とすることにより、積層構造を有する材料層２０８による蒸着を効率良く行うことができる。

また、材料層２０８は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。

湿式法を用いて材料層２０８を形成する場合には、所望の蒸着材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、蒸着材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ蒸着材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。

以上により、蒸着用基板を形成することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態３では、蒸着用基板を用いた成膜方法について説明する。なお、本実施の形態３では、実施の形態１で説明した蒸着用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態で説明する成膜方法には、実施の形態２で示した蒸着用基板を用いることもできる。

図３（Ａ）に示すように、支持基板である第１の基板１０１上に反射層１０２が形成されている。なお、反射層１０２は開口部１０３を有している。また、反射層１０２および反射層１０２の開口部１０３上には、断熱層１０４がそれぞれ分離形成されている。また、これらの断熱層１０４上には、光吸収層１０５がそれぞれ形成されている。

さらに、光吸収層１０５上には、蒸着材料からなる材料層１０６がそれぞれ形成されている。図３（Ａ）において、断熱層１０４、光吸収層１０５、および材料層１０６は、反射層１０２の厚い膜厚の影響を受けて、反射層１０２上と、反射層１０２の開口部１０３上にそれぞれ分離形成されている。

なお、材料層１０６の蒸着材料を蒸着させる際、第１の基板１０１に照射された光が第１の基板１０１を透過する必要があることから、第１の基板１０１は、光の透過率が高い基板であることが好ましい。具体的には、照射する光としてランプ光やレーザ光を用いた場合、第１の基板１０１には、ランプ光やレーザ光を透過させる基板を用いることが好ましい。また、熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いことにより、照射された光から得られる熱を効率よく蒸着に用いることができるためである。第１の基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。

また、基板１０１の一方の面であって、反射層１０２、断熱層１０４、光吸収層１０５、および材料層１０６が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板３０１を配置する。第２の基板３０１は、蒸着処理により所望の層が成膜される被成膜基板である。なお、ここでは、蒸着用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明するため、第２の基板３０１上には、発光素子の一方の電極となる第１の電極３０２が形成されている。そして、第１の基板１０１と第２の基板３０１とを至近距離、具体的には第１の基板１０１上の材料層１０６の表面と、第２の基板３０１表面（具体的には、第１の電極３０２の表面）との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０１ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。

なお、距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０６の表面と、第２の基板３０１表面との距離で定義する。従って、図４（Ａ）に示すように第２の基板３０１上に第１の電極３０２、および第１の電極３０２の端部を覆うように形成された絶縁物３０３が形成されている場合、距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０６の表面と、第２の基板３０１上に形成された絶縁物３０３の表面との距離で定義する。ただし、第１の基板１０１上の材料層１０６の表面や、第２の基板３０１上に形成された層の最表面が凹凸を有する場合における距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０６の表面と、第２の基板３０１上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義することとする。

次に、図３（Ｂ）に示すように第１の基板１０１の裏面（反射層１０２、断熱層１０４、光吸収層１０５、および材料層１０６が形成されていない面）側から光３０４を照射する。このとき、第１の基板１０１上に形成された反射層１０２に照射された光は、反射されるが、反射層１０２の開口部１０３に照射された光は、断熱層１０４を透過し、光吸収層１０５に吸収される。そして、光吸収層１０５は、吸収した光から得た熱を材料層１０６に含まれる蒸着材料に与えることにより昇華させ、第２の基板３０１上に形成された第１の電極３０２上に蒸着材料を蒸着させる。これにより、第２の基板３０１上に発光素子のＥＬ層３０５が形成される。

ここでは、光源から照射された光による輻射熱を利用するのではなく、光源からの光を吸収した光吸収層１０５が材料層１０６に熱を与えることが特徴である。従って、光が照射された部分の光吸収層１０５から光が照射されていない部分の光吸収層１０５へ、面方向に熱が伝わることにより、加熱される材料層１０６の範囲が広がることのないように、光の照射時間は、短くすることが好ましい。例えば、ハロゲンランプを光源として用いた場合、３００℃〜８００℃を７〜１５秒間程度保持することで、材料層１０６に含まれる蒸着材料を蒸着することができる。

なお、光３０４を照射する光源としては、種々の光源を用いることができる。例えば、ランプを光源として用いる場合には、フラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を用いることができる。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第１の基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の間隔を変えることによって第１の基板の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは発光時間が短い為、対向基板への熱伝導を抑えることができる。

また、ランプ以外の光源としては、レーザ光を光源として用いることができる。レーザ光としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

また、光照射による蒸着は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１０^−６Ｐａ以上１０^−４Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。

また、蒸着用基板の構造は、実施の形態１で説明した図３（Ａ）に示す構造に加えて、実施の形態２で説明した図３（Ｃ）に示す構造としても良い。図３（Ｃ）に示す構造は、第１の基板２０１上に順次形成された反射層２０２および断熱層２０３に開口部２０６を設け、反射層２０４および断熱層２０５形成した後、光吸収層２０７、材料層２０８が順次積層形成される構造である。なお、図３（Ｃ）に示す構造の場合には、断熱層２０３の膜厚が厚く形成されていることから、蒸着のために光が照射された際に、反射層２０４と重なる位置に形成されている光吸収層２０７および材料層２０８に熱が伝わるのを防ぐことができる。従って、反射層２０４と重なる位置に形成されている材料層２０８が加熱されることにより生じる、被成膜面の成膜パターンのぼけを防ぐことができる。また、開口部２０６に形成された光吸収層２０７と第２の基板３０１との距離を設けることができるため、光吸収層２０７からの熱により、第２の基板３０１が加熱され、成膜不良が生じるのを防ぐことができる。さらに、材料層２０８から第２の基板３０１上へ蒸着する材料の蒸着方向を制御することができるため、被成膜面の成膜パターンのぼけを防ぐことができる。

また、図４（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１と第２の基板３０１との距離ｄを０ｍｍとしても良い。つまり、第１の基板１０１上の反射層１０２と重なる位置に形成され、蒸着されない部分の材料層１０６と、第２の基板３０１上に形成された絶縁物３０３の表面が接する場合について示す。このように距離ｄを小さくすることで、必要以上の材料消費を防ぐことができるので、材料の利用効率を向上させることができる。従って、図４（Ｃ）に示すように、第２の基板３０１上に発光素子のＥＬ層３０５を精度良く形成することができる。

また、本実施の形態では、第２の基板３０１が、第１の基板１０１の下方に位置する場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。

蒸着用基板を用いた成膜方法では、蒸着用基板上に形成される材料層の膜厚を制御することによって、成膜時に被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができるため、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。

また、蒸着用基板を用いた成膜方法では、成膜時に蒸着用基板上に形成された材料層に含まれる蒸着材料を均一に昇華させることができる。また、材料層が複数の蒸着材料を含む場合でも、材料層と同じ蒸着材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、蒸着用基板を用いて成膜する際、蒸着温度の異なる複数の蒸着材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる蒸着材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

また、蒸着用基板を用いた成膜方法では、平坦でムラのない膜を成膜することが可能であり、また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができるだけでなく、その特性を向上を図ることができる。また、ＥＬ材料の利用効率を高めることができ、また、光源として熱量の大きなランプヒーター等を用いて、大面積を一括して成膜することが可能となるため、発光装置の製造コストを低減させることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態４では、蒸着用基板を複数用いて、発光素子のＥＬ層を形成することにより、フルカラー表示が可能な発光装置の作製方法について説明する。

実施の形態３では、１回の成膜工程で、被成膜基板である第２の基板上に形成された複数の電極上には、全て同一の材料からなるＥＬ層を形成する場合について示したが、本実施の形態４では、第２の基板上に形成された複数の電極上には、３種類の発光の異なるＥＬ層のいずれかが形成される場合について説明する。

まず、実施の形態３において図４（Ａ）に示した蒸着用基板を３枚用意する。ただし、それぞれの蒸着用基板には、発光の異なるＥＬ層を形成するための蒸着材料を含む材料層が形成されている。具体的には、赤色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ））を形成するための蒸着材料を含む材料層（Ｒ）を有する第１の蒸着用基板と、緑色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｇ））を形成するための蒸着材料を含む材料層（Ｇ）を有する第２の蒸着用基板と、青色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｂ））を形成するための蒸着材料を含む材料層（Ｂ）を有する第３の蒸着用基板とを用意する。

また、実施の形態３において図４（Ａ）に示した複数の第１の電極を有する被成膜基板を１枚用意する。なお、被成膜基板上の複数の第１の電極は、その端部が絶縁物で覆われているため、発光領域は、第１の電極の一部であって、絶縁物と重ならずに露呈している領域に相当する。

まず、１回目の成膜工程として、図４（Ａ）と同様に被成膜基板と第１の蒸着用基板とを重ね、位置合わせをする。なお、被成膜基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。また、第１の蒸着用基板にも位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、第１の蒸着用基板には、光吸収層が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層は予め除去しておくことが好ましい。また、第１の蒸着用基板には、材料層（Ｒ）が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の材料層（Ｒ）も予め除去しておくことが好ましい。

そして、第１の蒸着用基板の裏面（図４（Ａ）に示す反射層１０２、断熱層１０４、光吸収層１０５、および材料層１０６が形成されていない面）側から光を照射する。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｒ）に熱を与えることで、材料層（Ｒ）に含まれる蒸着材料を昇華させ、被成膜基板上の一部の第１の電極上にＥＬ層（Ｒ）が形成する。そして、１回目の成膜を終えたら、第１の蒸着用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、２回目の成膜工程として、被成膜基板と第２の蒸着用基板とを重ね、位置合わせをする。第２の蒸着用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の蒸着用基板とは１画素分ずらして反射層の開口部が形成されている。

そして、第２の蒸着用基板の裏面（図４（Ａ）に示す反射層１０２、断熱層１０４、光吸収層１０５、および材料層１０６が形成されていない面）側から光を照射する。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｇ）に熱を与えることで、材料層（Ｇ）に含まれる蒸着材料を昇華させ、被成膜基板上の一部であって、１回目の成膜でＥＬ層（Ｒ）が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｇ）が形成する。そして、２回目の成膜を終えたら、第２の蒸着用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

次いで、３回目の成膜工程として、被成膜基板と第３の蒸着用基板とを重ね、位置合わせをする。第３の蒸着用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の蒸着用基板とは２画素分ずらして反射層の開口部が形成されている。

そして、第３の蒸着用基板の裏面（図４（Ａ）に示す反射層１０２、断熱層１０４、光吸収層１０５、および材料層１０６が形成されていない面）側から光を照射する。この３回目の成膜を行う直前の様子が図５（Ａ）の上面図に相当する。図５（Ａ）において、反射層５０１は開口部５０２を有している。従って、第３の蒸着用基板の反射層５０１の開口部５０２を透過した光は、断熱層を透過して、光吸収層に吸収される。また、被成膜基板の第３の蒸着用基板の開口部５０２と重なる領域には、第１の電極が形成されている。なお、図５（Ａ）中に点線で示した領域の下方には、既に１回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｒ）５１１と２回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｇ）５１２が位置している。

そして、３回目の成膜により、ＥＬ層（Ｂ）５１３が形成される。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｂ）に熱を与えることで、材料層（Ｂ）に含まれる蒸着材料を昇華させ、被成膜基板上の一部であって、２回目の成膜でＥＬ層（Ｇ）５１２が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｂ）５１３が形成される。３回目の成膜を終えたら、第３の蒸着用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。

こうしてＥＬ層（Ｒ）５１１、ＥＬ層（Ｇ）５１２、ＥＬ層（Ｂ）５１３を一定の間隔をあけて同一の被成膜基板上に形成することができる。そして、これらの膜上に第２の電極を形成することによって、発光素子を形成することができる。

以上の工程で、同一基板上に異なる発光を示す発光素子が形成されることにより、フルカラー表示が可能な発光装置を形成することができる。

図５では、蒸着用基板に形成された反射層の開口部５０２の形状を矩形とした例を示したが、特に限定されず、ストライプ状の開口部としても良い。ストライプ状の開口部とした場合、同じ発光色となる発光領域の間にも成膜が行われるが、絶縁物５１４の上に形成されるため、絶縁物５１４と重なる部分は発光領域とはならない。

また、画素の配列も特に限定されず、図６（Ａ）に示すように、１つの画素形状を多角形、例えば六角形としてもよく、ＥＬ層（Ｒ）６１１、ＥＬ層（Ｇ）６１２、ＥＬ層（Ｂ）６１３を配置してフルカラーの発光装置を実現させることもできる。なお、図６（Ａ）に示す多角形の画素を形成するために、図６（Ｂ）に示す多角形の開口部６０２を有する反射層６０１を有する蒸着用基板を用いて成膜すればよい。

本実施の形態４に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、蒸着用基板上に形成される材料層の膜厚を制御することによって、成膜時に被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができるため、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。

また、本実施の形態４に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、蒸着用基板を用いて作製することにより、成膜時に蒸着用基板上に形成された材料層に含まれる蒸着材料を均一に昇華させることができる。また、材料層が複数の蒸着材料を含む場合でも、材料層と同じ蒸着材料をほぼ同じ重量比で含有する膜を被成膜基板上に成膜することができる。従って、蒸着用基板を用いて成膜する際、蒸着温度の異なる複数の蒸着材料を用いて成膜する場合でも、共蒸着のようにそれぞれ蒸着レートを制御する必要がない。そのため、蒸着レート等の複雑な制御を行うことなく、所望の異なる蒸着材料を含む層を容易に精度良く成膜することができる。

また、本実施の形態４に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、蒸着用基板を用いて作製することにより、平坦でムラのない膜を成膜することが可能であり、また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができるだけでなく、その特性を向上を図ることができる。また、ＥＬ材料の利用効率を高めることができ、また、光源として熱量の大きなランプヒーター等を用いて、大面積を一括して成膜することが可能となるため、発光装置の製造コストを低減させることができる。

なお、本実施の形態４に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態３に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、発光装置の作製を可能とする成膜装置の例について説明する。本実施の形態に係る成膜装置の断面の模式図を図７、図８に示す。

図７（Ａ）において、成膜室７０１は、真空チャンバーであり、第１のゲート弁７０２、及び第２のゲート弁７０３によって他の処理室と連結されている。また、成膜室７０１内には、蒸着用基板支持機構７０４と、被成膜基板支持機構７０５と、光源７１０を少なくとも有している。

まず、他の成膜室において、蒸着用基板７０７上に材料層７０８を形成する。ここでは、蒸着用基板７０７を構成する支持基板として、銅を主材料とした四角平板状の基板を用いる。また、材料層７０８としては、蒸着可能である材料を用いる。なお、蒸着用基板７０７としては、被成膜基板と面積が同じ、若しくはそれより大きい面積を有していれば特に形状は限定されない。また、材料層７０８の形成方法は乾式法や湿式法を用いることができ、特に湿式法であることが好ましい。例えば、スピンコート法、印刷法、またはインクジェット法などを用いることができる。

他の成膜室から蒸着用基板７０７を成膜室７０１に搬送し、蒸着用基板支持機構７０４にセットする。また、蒸着用基板７０７における材料層７０８の形成されている面と、被成膜基板７０９の被成膜面とが、対向するように、被成膜基板７０９を被成膜基板支持機構７０５に固定する。

被成膜基板支持機構７０５を移動させて、蒸着用基板７０７と被成膜基板７０９の基板間隔が距離ｄとなるように近づける。なお、距離ｄは、蒸着用基板７０７上に形成された材料層７０８の表面と、被成膜基板７０９の表面との距離で定義する。また、被成膜基板７０９上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁物等）が形成されている場合、距離ｄは、蒸着用基板７０７上の材料層７０８の表面と、被成膜基板７０９上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、蒸着用基板７０７上の材料層７０８の表面や、被成膜基板７０９或いは被成膜基板７０９上に形成された層の表面に凹凸を有する場合における距離ｄは、蒸着用基板７０７上の材料層７０８の表面と、被成膜基板７０９或いは被成膜基板７０９上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義することとする。なお、距離ｄは、具体的には、０ｍｍ以上２ｍｍ以下とし、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．００３ｍｍ以下とする。

ここでは、距離ｄを０．００１ｍｍとする。また、被成膜基板７０９が石英基板のように硬く、ほとんど変形（反り、撓みなど）しない材料であれば、距離ｄは０ｍｍを下限として近づけることができる。また、図７では基板間隔の制御は、蒸着用基板支持機構７０４を固定し、被成膜基板支持機構７０５を移動させる例を示しているが、蒸着用基板支持機構７０４を移動させ、被成膜基板支持機構７０５を固定する構成としてもよい。また、蒸着用基板支持機構７０４と被成膜基板支持機構７０５の両方を移動させても良い。なお、図７（Ａ）では、被成膜基板支持機構７０５を移動させて、蒸着用基板７０７と被成膜基板７０９を近づけて距離ｄとした段階の断面を示している。

また、蒸着用基板支持機構７０４および被成膜基板支持機構７０５は、上下方向だけでなく、水平方向にも移動させる機構としてもよく、精密な位置合わせを行う構成としてもよい。また、精密な位置合わせや距離ｄの測定を行うため、成膜室７０１にＣＣＤなどのアライメント機構を設けてもよい。また、成膜室７０１内を測定する温度センサや、湿度センサなどを設けてもよい。

光源７１０から光を蒸着用基板７０７に照射する。これにより、短時間に蒸着用基板７０７上の材料層７０８が加熱され、材料層７０８に含まれる蒸着材料が昇華することで、対向して配置された被成膜基板７０９の被成膜面（即ち、下平面）に蒸着材料が成膜される。図７（Ａ）に示す成膜装置において、予め蒸着用基板７０７に材料層７０８が均一な膜厚で得られていれば、膜厚モニターを設置しなくとも、被成膜基板７０９に均一な膜厚となる成膜を行うことができる。また、従来の蒸着装置は、基板を回転させていたが、図７（Ａ）に示す成膜装置は、被成膜基板を固定させた状態で成膜するため、割れやすい大面積のガラス基板への成膜に適している。また、図７（Ａ）に示す成膜装置は、成膜中、蒸着用基板も固定させた状態で成膜する。

なお、均一な加熱が行われるように、光源７１０と蒸着用基板７０７は広い面積で対向することが好ましい。

また、待機時の光源からの蒸着用基板７０７上の材料層７０８への熱の影響を緩和するため、待機時（蒸着処理前）は光源７１０と蒸着用基板７０７との間に断熱化のための開閉式のシャッターを設けてもよい。

また、光源７１０は、短時間に均一な加熱を行える加熱手段であればよい。例えば、ランプやレーザを用いればよい。

ランプを光源として用いる場合には、フラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を用いることができる。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒から１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、蒸着用基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の間隔を変えることによって蒸着用基板７０７の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは発光時間が短い為、対向基板への熱伝導を抑えることができる。また、フラッシュランプを用いることにより、急加熱が容易となり、ヒーターを用いた場合の上下機構やシャッター等を簡略化できる。従って、さらなる成膜装置の小型化を図ることができる。

また、レーザ光を光源として用いる場合には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

また、図７（Ａ）では、光源７１０を成膜室７０１内に設置する例を示しているが、成膜室の内壁の一部を透光性部材として、成膜室の外側に光源７１０を配置させてもよい。成膜室７０１の外側に光源７１０を配置すると、光源７１０のライトバルブの交換などのメンテナンスを簡便なものとすることができる。

また、図７（Ｂ）は、被成膜基板７０９の温度を調節する機構を備えた成膜装置の例を示す。図７（Ｂ）において、図７（Ａ）と共通の部分には同じ符号を用いて説明する。図７（Ｂ）では、被成膜基板支持機構７０５に熱媒体を流すチューブ７１１が設けられている。チューブ７１１に、熱媒体として冷媒を流すことによりにより、被成膜基板支持機構７０５は、コールドプレートとすることができる。なお、チューブ７１１は、被成膜基板支持機構７０５の上下移動に追随できるような仕組みとなっている。熱媒体としては、例えば、水やシリコンオイルなどを用いることができる。なお、ここでは冷媒ガスや、液体の冷媒を流すチューブを用いた例を示したが、冷却する手段として、ペルチェ素子などを被成膜基板支持機構７０５に設けてもよい。また、冷却する手段ではなく、加熱する手段を設けてもよい。例えば、加熱するための熱媒体をチューブ７１１に流してもよい。

異なる材料層を積層する場合に、図７（Ｂ）の成膜装置は有用である。例えば、被成膜基板７０９に既に第１の材料層が設けられている場合、その上に第１の材料層よりも蒸着温度が高い第２の材料層を積層することができる。図７（Ａ）においては、被成膜基板７０９と蒸着用基板７０７が近接するため、被成膜基板７０９に予め成膜されている第１の材料層が、昇華してしまう恐れがある。そこで、図７（Ｂ）の成膜装置とすると、冷却機構によって被成膜基板７０９に予め成膜されている第１の材料層の昇華を抑えつつ、第２の材料層を積層することができる。

また、冷却機構だけでなく、被成膜基板支持機構７０５にヒーターなどの加熱手段を設けてもよい。被成膜基板７０９の温度を調節する機構（加熱または冷却）を設けることで、基板の反りなどを抑えることができる。

なお、図７（Ａ）および（Ｂ）には、被成膜基板７０９の成膜面が下方となるフェイスダウン方式の成膜装置の例を示したが、図８に示すようにフェイスアップ方式の成膜装置を適用することもできる。

図８（Ａ）において、成膜室８０１は、真空チャンバーであり、第１のゲート弁８０２、及び第２のゲート弁８０３によって他の処理室と連結している。また、成膜室８０１内には、蒸着用基板支持機構８０４と、被成膜基板支持機構８０５と、、光源８１０を少なくとも有している。

成膜の手順は、まず、他の成膜室において、蒸着用基板８０７上に材料層８０８を形成する。蒸着用基板８０７としては、被成膜基板と面積が同じ、若しくはそれより大きい面積を有していれば特に形状は限定されない。また、材料層８０８は、蒸着可能であり、蒸着温度の異なる複数の材料を含有する。材料層８０８の形成方法は乾式法や湿式法を用いることができ、特に湿式法であることが好ましい。例えば、スピンコート法、印刷法、またはインクジェット法などを用いることができる。

他の成膜室から蒸着用基板８０７を成膜室８０１に搬送し、蒸着用基板支持機構８０４にセットする。また、蒸着用基板８０７における材料層８０８の形成されている面と、被成膜基板８０９の被成膜面とが、対向するように被成膜基板８０９を被成膜基板支持機構８０５に固定する。また、図８（Ａ）に示すように、この構成は、基板の成膜面が上方となるからフェイスアップ方式の例を示している。フェイスアップ方式の場合、撓みやすい大面積のガラス基板をフラットな台に載せる、或いは複数のピンで支持することで基板のたわみをなくし、基板全面において均一な膜厚が得られる成膜装置とすることができる。

被成膜基板支持機構８０５を移動させて、蒸着用基板８０７と被成膜基板８０９を近づけて距離ｄとする。なお、距離ｄは、蒸着用基板８０７に形成された材料層８０８の表面と、被成膜基板８０９の表面との距離で定義する。また、被成膜基板８０９上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁物等）が形成されている場合、距離ｄは、蒸着用基板８０７の材料層８０８の表面と、被成膜基板８０９上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、蒸着用基板８０７上の材料層８０８の表面や、被成膜基板８０９或いは被成膜基板８０９上に形成された層の表面が凹凸を有する場合における距離ｄは、蒸着用基板８０７上の材料層８０８の表面と、被成膜基板８０９或いは被成膜基板８０９上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義することとする。なお、距離ｄは、具体的には、０ｍｍ以上２ｍｍ以下とし、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．００３ｍｍ以下とする。

ここでは、距離ｄを０．００１ｍｍとする。また、蒸着用基板支持機構８０４を固定し、被成膜基板支持機構８０５を移動させる例を示したが、蒸着用基板支持機構８０４を移動させ、被成膜基板支持機構８０５を固定する構成としてもよい。また、蒸着用基板支持機構８０４と被成膜基板支持機構８０５の両方を移動させて距離ｄを調節しても良い。

図８（Ａ）に示すように基板距離ｄを保持した状態で、光源８１０から蒸着用基板８０７に光を照射する。なお、均一な加熱が行われるように、光源８１０と蒸着用基板８０７は広い面積で対向させることが好ましい。

光源８１０から光を蒸着用基板８０７に照射することにより、短時間に蒸着用基板８０７上の材料層８０８を加熱して昇華させ、対向して配置された被成膜基板８０９の被成膜面（即ち、上平面）に蒸着材料が成膜される。このようにすることで、従来の大容量のチャンバーである蒸着装置に比べチャンバー容量を大幅に小さくすることができるので、小型の成膜装置を実現できる。

また、光源８１０は特に限定されず、短時間に均一な加熱を行える加熱手段であればよいが、被照射面が大面積化されている場合には、同時に光を照射できるランプの方が、レーザよりも好ましい。図８（Ａ）に示す例では、光源８１０では被成膜基板８０９の上方に固定して設けられており、光源８１０が点灯した直後に被成膜基板８０９の上平面に成膜が行われる。

なお、図７（Ａ）（Ｂ）及び図８（Ａ）では、基板横置き方式の成膜装置の例を示したが、図８（Ｂ）に示すように基板縦置き方式の成膜装置を適用することもできる。

図８（Ｂ）において、成膜室８５１は、真空チャンバーである。また、成膜室８５１内には、蒸着用基板支持機構８５４と、被成膜基板支持機構８５５と、光源８６０と少なくとも有している。

成膜室８５１は、図示しないが、被成膜基板が縦置きで搬送される第１の搬送室と連結している。また、図示しないが、蒸着用基板が縦置きで搬送される第２の搬送室と連結している。また、本明細書では、基板面が水平面に対して垂直に近い角度（７０度から１１０度の範囲）にすることを基板の縦置きと呼ぶ。大面積のガラス基板などは撓みが生じやすいため、縦置きで搬送することが好ましい。また、光源８６０は、ランプを用いることとする。

成膜の手順は、まず、他の成膜室において、蒸着用基板８５７に材料層８５８を形成する。

次に、他の成膜室から蒸着用基板８５７を成膜室８５１に搬送し、蒸着用基板支持機構８５４にセットする。また、蒸着用基板８５７における材料層８５８の形成されている面と、被成膜基板８５９の被成膜面とが、対向するように被成膜基板支持機構８５５に被成膜基板８５９を固定する。

次に、基板距離ｄを保持した状態で、光源８６０から光を蒸着用基板８５７に照射することにより、短時間に蒸着用基板８５７上の材料層８５８を加熱して昇華させ、対向して配置された被成膜基板８５９の被成膜面に蒸着材料が成膜される。このようにすることで、従来の大容量のチャンバーである蒸着装置に比べチャンバー容量を大幅に小さくすることができるので、小型の成膜装置を実現できる。

また、本実施の形態に示した成膜装置を複数設け、マルチチャンバー型の製造装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した成膜装置を直列に複数並べて、インライン型の製造装置にすることもできる。

このような成膜装置を用い、発光装置を作製することが可能である。また、蒸着源となる蒸着用基板上の材料層を湿式法で容易に準備できる。また、蒸着用基板上に形成される材料層の膜厚を制御することによって、成膜時に被成膜基板上に成膜される膜の膜厚を制御することができるため、膜厚モニターを利用した蒸着速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。また、成膜室内壁に蒸着材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを容易にすることができる。

また、本実施の形態で説明した成膜装置を用いて発光装置を作製する場合においても、発光素子を構成するＥＬ層の形成において、平坦でムラのない膜の成膜や、発光層の微細なパターン形成が容易となるため、高精細な発光装置の製造も容易にすることができる。また、光源として熱量の大きなランプヒーター等を用いることにより、大面積を一括して成膜することが可能となるため、タクト時間の短縮による製造コストの低減が可能となる。

なお、本実施の形態５に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態４に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態６では、蒸着用基板にレーザを照射させることにより蒸着を行う成膜装置の例について説明する。

図９はレーザを用いた成膜装置の一例を示す斜視図である。射出されるレーザ光はレーザ発振装置９０３（ＹＡＧレーザ装置、エキシマレーザ装置など）から出力され、ビーム形状を矩形状とするための第１の光学系９０４と、整形するための第２の光学系９０５と、平行光線にするための第３の光学系９０６とを通過し、反射ミラー９０７で光路が蒸着用基板９０１に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、蒸着用基板にレーザビームを照射する。

なお、本実施の形態６に示す蒸着用基板の構成は、実施の形態１で説明したものと同様であることとする。すなわち、基板上に反射層９１０、断熱層９１１、光吸収層９１２、および材料層９１３が形成された構成を有する。また、反射層９１０には、開口部９１４が形成されている。なお、本実施の形態において、反射層９１０には、レーザ光が照射されても耐えうる材料を用いることとする。また、光吸収層９１２には、耐熱性金属を用いることが好ましく、例えばタングステンやタンタルなどを用いることができる。

また、蒸着用基板９０１に照射されるレーザスポットの形状は、矩形状または線状とすることが好ましく、具体的には、短辺が１ｍｍ〜５ｍｍ、且つ長辺が１０ｍｍ〜５０ｍｍの矩形状とすればよい。また、大面積基板を用いる場合には、処理時間を短縮するため、レーザスポットの長辺を２０ｃｍ〜１００ｃｍとすることが好ましい。また、図９に示すレーザ発振装置及び光学系を複数設置して大面積の基板を短時間に処理してもよい。具体的には、複数のレーザ発振装置からレーザビームをそれぞれ照射して基板１枚における処理面積を分担してもよい。

なお、図９は一例であり、レーザ光の光路に配置する各光学系や電気光学素子の位置関係は特に限定されない。例えば、レーザ発振装置９０３を蒸着用基板９０１の上方に配置し、レーザ発振装置９０３から射出するレーザ光が蒸着用基板９０１の主平面に垂直な方向となるように配置すれば、反射ミラーを用いずともよい。また、各光学系は、集光レンズ、ビームエキスパンダ、ホモジナイザ、または偏光子などを用いればよく、これらを組み合わせてもよい。また、各光学系としてスリットを組み合わせてもよい。

被照射面上でレーザビームの照射領域を２次元的に、適宜、走査させることによって、基板の広い面積に照射を行う。走査するために、レーザビームの照射領域と基板とを相対的に移動させる。ここでは、基板を保持している基板ステージ９０９をＸＹ方向に移動させる移動手段（図示しない）で走査を行う。

また、制御装置９１６は、基板ステージ９０９をＸＹ方向に移動させる移動手段も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置９１６は、レーザ発振装置９０３も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置９１６は、位置マーカを認識するための撮像素子９０８を有する位置アライメント機構と連動させることが好ましい。

位置アライメント機構は、蒸着用基板９０１と、被成膜基板９００の位置合わせを行う。

また、蒸着用基板９０１と被成膜基板９００の基板間隔である距離ｄは、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．００３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。また、被成膜基板９００に隔壁となる絶縁物が設けられている場合には、絶縁物と材料層９１５を接触させて配置してもよい。

図９に示す成膜装置を用いて成膜を行う場合には、少なくとも蒸着用基板９０１と被成膜基板９００を真空チャンバー内に配置する。また、図９に示す構成を全て真空チャンバー内に設置してもよい。

また、図９に示す成膜装置は、被成膜基板９００の成膜面が上を向いた、所謂フェイスアップ方式の成膜装置の例を示しているが、フェイスダウン方式の成膜装置とすることもできる。また、被成膜基板９００が大面積基板である場合、基板の自重により基板の中心が撓んでしまうことを抑えるために、被成膜基板９００の主平面を水平面に対して垂直に立てる、所謂縦置き方式の装置とすることもできる。

また、被成膜基板９００を冷却する冷却手段をさらに設けることで、プラスチック基板などの可撓性基板を被成膜基板９００に用いることができる。

また、本実施の形態に示した製造装置を複数設け、マルチチャンバー型の製造装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した製造装置を直列に複数並べて、インライン型の製造装置にすることもできる。

また、本実施の形態で説明した成膜装置を用いて発光装置を作製する場合においても、発光素子を構成するＥＬ層の形成において、平坦でムラのない膜の成膜や、発光層の微細なパターン形成が容易となるため、高精細な発光装置の製造も容易にすることができる。

なお、本実施の形態６に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態５に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。

例えば、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図１０（Ａ）に示す発光素子は、基板１００１上に第１の電極１００２、発光層１０１３のみで形成されたＥＬ層１００３、第２の電極１００４が順に積層して設けられている。第１の電極１００２及び第２の電極１００４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層１００３で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極１００２は陽極として機能する電極であり、第２の電極１００４は陰極として機能する電極であるとする。

また、図１０（Ｂ）に示す発光素子は、図１０（Ａ）のＥＬ層１００３が複数の層が積層された構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極１００２側から正孔注入層１０１１、正孔輸送層１０１２、発光層１０１３、電子輸送層１０１４、および電子注入層１０１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層１００３は、図１０（Ａ）に示すように少なくとも発光層１０１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければよい。

図１０に示す基板１００１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。

また、第１の電極１００２および第２の電極１００４は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。

アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極１００２および第２の電極１００４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。

なお、ＥＬ層１００３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極１００２または第２の電極１００４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。

なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層１００３（正孔注入層１０１１、正孔輸送層１０１２、発光層１０１３、電子輸送層１０１４又は電子注入層１０１５）は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。また、電極を実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することもできる。

例えば、図１０（Ａ）に示す発光素子を形成する場合、実施の形態１で示した蒸着用基板の材料層をＥＬ層１００３を形成する材料で形成し、この蒸着用基板を用いて基板１００１上の第１の電極１００２上にＥＬ層１００３を形成する。そして、ＥＬ層１００３上に第２の電極１００４を形成することにより、図１０（Ａ）に示す発光素子を得ることができる。

発光層１０１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層１０１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。

発光層１０１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層１０１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。

発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。

発光層１０１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。

また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。

発光層１０１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、蒸着用基板上の材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、蒸着用基板上の材料層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の材料層を有する蒸着用基板を用いて発光層１０１３を形成することにより、発光層１０１３は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層１０１３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。

また、図１０（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層１００３（正孔注入層１０１１、正孔輸送層１０１２、電子輸送層１０１４、および電子注入層１０１５）のそれぞれの層を形成する材料で形成された材料層を有する実施の形態１で示した蒸着用基板を各層毎に用意し、各層の成膜毎に異なる蒸着用基板を用いて、実施の形態１で示した方法により、基板１００１上の第１の電極１００２上にＥＬ層１００３を形成する。そして、ＥＬ層１００３上に第２の電極１００４を形成することにより、図１０（Ｂ）に示す発光素子を得ることができる。なお、この場合には、ＥＬ層１００３の全ての層に実施の形態１で示した方法を用いることもできるが、一部の層のみに実施の形態１で示した方法を用いても良い。

例えば、正孔注入層１０１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

また、正孔注入層１０１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。

正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する蒸着用基板を用いることにより形成することができる。

正孔注入層１０１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔注入層１０１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層１０１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。

例えば、正孔注入層１０１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

正孔注入層１０１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、正孔注入層１０１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、正孔注入層１０１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、正孔注入層１０１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

これら正孔輸送性の高い物質を含む層と、電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する蒸着用基板を用いることで、正孔注入層１０１１を形成することができる。電子受容性を示す物質として金属酸化物を用いた場合には、第１の基板１００１上に正孔輸送性の高い物質を含む層を形成した後、金属酸化物を含む層を形成することが好ましい。金属酸化物は、正孔輸送性の高い物質よりも分解温度または蒸着温度が高い場合が多いためである。このような構成の蒸着源とすることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを効率良く昇華させることができる。また、蒸着して形成した膜において局所的な濃度の偏りを抑制することができる。また、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物の両方を溶解させるまたは分散させる溶媒は種類が少なく、混合溶液を形成しにくい。よって、湿式法を用いて混合層を直接形成することは困難である。しかし、上述した成膜方法を用いることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを含む混合層を容易に形成することができる。

また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層１０１１を正孔輸送層として用いてもよい。

また、正孔輸送層１０１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

電子輸送層１０１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、電子注入層１０１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極１００４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。

なお、ＥＬ層１００３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。

ＥＬ層１００３で得られた発光は、第１の電極１００２または第２の電極１００４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１００２または第２の電極１００４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極１００２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極１００２を通って基板１００１側から取り出される。また、第２の電極１００４のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極１００４を通って基板１００１と逆側から取り出される。第１の電極１００２および第２の電極１００４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極１００２および第２の電極１００４を通って、基板１００１側および基板１００１と逆側の両方から取り出される。

なお、図１０では、陽極として機能する第１の電極１００２を基板１００１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極１００４を基板１００１側に設けてもよい。

また、ＥＬ層１００３の形成方法としては、実施の形態３で示した成膜方法を用いればよく、他の成膜方法と組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。

本実施の形態７に係る発光素子は、蒸着用基板を適用したＥＬ層の形成が可能であり、それにより、高精度な膜が効率よく形成される為、発光素子の特性向上のみならず、歩留まり向上やコストダウンを図ることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態８では、実施の形態７で説明した発光素子を用いて形成される発光装置について説明する。

まず、パッシブマトリクス型の発光装置について、図１１、図１２を用いて説明することとする。

パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。

図１１（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図１１（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図１１（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図１１（Ｃ）である。

基板１１０１上には、下地絶縁層として絶縁層１１０４を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層１１０４上には、ストライプ状に複数の第１の電極１１１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極１１１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁１１１４が設けられ、開口部を有する隔壁１１１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域１１２１となる。

開口部を有する隔壁１１１４上に、第１の電極１１１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁１１２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁１１２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。

開口部を有する隔壁１１１４及び逆テーパ状の隔壁１１２２を合わせた高さは、ＥＬ層及び第２の電極１１１６の膜厚より大きくなるように設定する。これにより、複数の領域に分離されたＥＬ層、具体的には赤色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、緑色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、青色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）と、第２の電極１１１６とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。

第２の電極１１１６は、第１の電極１１１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁１１２２上にもＥＬ層及び第２の電極１１１６を形成する導電層の一部が形成されるが、ＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）、及び第２の電極１１１６とは分断されている。なお、本実施の形態におけるＥＬ層は、少なくとも発光層を含む層であって、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層等を含んでいてもよい。

ここでは、ＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）を選択的に形成し、３種類（赤（Ｒ）、青（Ｇ）、緑（Ｂ））の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。なお、ＥＬ層（Ｒ）（１１１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（１１１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（１１１５Ｂ）は、それぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。これらのＥＬ層を形成するには、上記実施の形態１および実施の形態２に示す成膜方法を適用すればよい。

また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性を向上させるために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。

ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。

次に、図１１に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図１２に示す。

図１２において、画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。

ここで、図１１における第１の電極１１１３が、図１２の走査線１２０３に相当し、図１１における第２の電極１１１６が、図１２のデータ線１２０２に相当し、逆テーパ状の隔壁１１２２が隔壁１２０４に相当する。データ線１２０２と走査線１２０３の間にはＥＬ層が挟まれており、領域１２０５で示される交差部が画素１つ分となる。

なお、走査線１２０３は配線端で接続配線１２０８と電気的に接続され、接続配線１２０８が入力端子１２０７を介してＦＰＣ１２０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１２０６を介してＦＰＣ１２０９ａに接続される。

また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

なお、図１２では、駆動回路を基板１２０１上に設けない例を示したが、本発明は特に限定されず、基板１２０１上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。

また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。

次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１３を用いて説明する。なお、図１３（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１３１０上に設けられた画素部１３０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）１３０１と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１３０３と、を有する。画素部１３０２、駆動回路部１３０１、及び駆動回路部１３０３は、シール材１３０５によって、素子基板１３１０と封止基板１３０４との間に封止されている。

また、素子基板１３１０上には、駆動回路部１３０１、及び駆動回路部１３０３に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１３０８が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１３０９を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図１３（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１３１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１３０１と、画素部１３０２が示されている。

駆動回路部１３０１はｎチャネル型ＴＦＴ１３２３とｐチャネル型ＴＦＴ１３２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部１３０２はスイッチング用ＴＦＴ１３１１と、電流制御用ＴＦＴ１３１２と電流制御用ＴＦＴ１３１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極１３１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１３１３の端部を覆って絶縁物１３１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。

また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１３１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１３１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１３１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１３１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。

第１の電極１３１３上には、ＥＬ層１３００及び第２の電極１３１６が積層形成されている。なお、第１の電極１３１３をＩＴＯ膜とし、第１の電極１３１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１３１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極１３１６は外部入力端子であるＦＰＣ１３０９に電気的に接続されている。

ＥＬ層１３００は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。第１の電極１３１３、ＥＬ層１３００及び第２の電極１３１６との積層構造で、発光素子１３１５が形成されている。

また、図１３（Ｂ）に示す断面図では発光素子１３１５を１つのみ図示しているが、画素部１３０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１３０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。

さらにシール材１３０５で封止基板１３０４を素子基板１３１０と貼り合わせることにより、素子基板１３１０、封止基板１３０４、およびシール材１３０５で囲まれた空間１３０７に発光素子１３１５が備えられた構造になっている。なお、空間１３０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１３０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材１３０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１３０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、発光装置を得ることができる。アクティブマトリクス型の発光装置は、ＴＦＴを作製するため、１枚あたりの製造コストが高くなりやすいが、上述した方法を適用することで、発光素子を形成する際の材料のロスを大幅に低減させることが可能である。よって、製造コストの低減を図ることができる。

また、上述した方法を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができると共に、発光素子を有する発光装置を容易に作製することができる。また、平坦でムラのない膜の成膜や微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、成膜時における光源として、熱量の大きなランプヒーター等を用いることができることからタクト時間の短縮が可能となり、発光装置の製造コストを低減させることができる。

なお、本実施の形態８に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態７に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について、図１４を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１４に示す。

図１４（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピーカー部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。発光装置をその表示部８００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、表示装置の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な表示装置を提供することができる。

図１４（Ｂ）はコンピュータであり、本体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０４、外部接続ポート８１０５、マウス８１０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部８１０３に用いることにより作製される。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、コンピュータの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なコンピュータを提供することができる。

図１４（Ｃ）はビデオカメラであり、本体８２０１、表示部８２０２、筐体８２０３、外部接続ポート８２０４、リモコン受信部８２０５、受像部８２０６、バッテリー８２０７、音声入力部８２０８、操作キー８２０９、接眼部８２１０等を含む。なお、ビデオカメラは、発光装置をその表示部８２０２に用いることにより作製される。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、ビデオカメラの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なビデオカメラを提供することができる。

図１４（Ｄ）は卓上照明器具であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３、支柱８３０４、台８３０５、電源８３０６を含む。なお、卓上照明器具は、発光装置を照明部８３０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、卓上照明器具の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な卓上照明器具を提供することができる。

ここで、図１４（Ｅ）は携帯電話であり、本体８４０１、筐体８４０２、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７、アンテナ８４０８等を含む。なお、携帯電話は、発光装置をその表示部８４０３に用いることにより作製される。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。

また、図１５も携帯電話であり、図１５（Ａ）が正面図、図１５（Ｂ）が背面図、図１５（Ｃ）が展開図である。本体１５０１は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。

本体１５０１は、筐体１５０２及び筐体１５０３の二つの筐体で構成されている。筐体１５０２には、表示部１５０４、スピーカー１５０５、マイクロフォン１５０６、操作キー１５０７、ポインティングマウス１５０８、カメラ用レンズ１５０９、外部接続端子１５１０、イヤホン端子１５１１等を備え、筐体１５０３には、キーボード１５１２、外部メモリスロット１５１３、カメラ用レンズ１５１４、ライト１５１５等を備えている。また、アンテナは筐体１５０２内部に内蔵されている。

また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。

表示部１５０４には、上記実施の形態に示される発光装置を組み込むことが可能であり、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部１５０４と同一面上にカメラ用レンズ１５０９を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部１５０４をファインダーとし、カメラ用レンズ１５１４及びライト１５１５で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー１５０５、及びマイクロフォン１５０６は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。

操作キー１５０７では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体１５０２と筐体１５０３（図１５（Ａ））は、スライドし、図１５（Ｃ）のように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード１５１２、ポインティングマウス１５０８を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子１５１０はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット１５１３に記録媒体を挿入しより大量のデータ保存及び移動に対応できる。

また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。

なお、上述した携帯電話は、発光装置をその表示部１５０４に用いることにより作製される。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。

以上のようにして、発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。従って、発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態９に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態８に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

蒸着用基板の作製方法を説明する図。蒸着用基板の作製方法を説明する図。蒸着用基板及び成膜方法を説明する図。蒸着用基板及び成膜方法を説明する図。蒸着用基板について説明する図。蒸着用基板について説明する図。成膜装置について説明する図。成膜装置について説明する図。成膜装置について説明する図。発光素子について説明する図。パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。アクティブマトリクス型の発光装置を示す図。電子機器を示す図。電子機器を示す図。

符号の説明

１０１基板
１０２反射層
１０３開口部
１０４断熱層
１０５光吸収層
１０６材料層
２０１基板
２０２反射層
２０３断熱層
２０４反射層
２０５断熱層
２０６開口部
２０７光吸収層
２０８材料層
３０１基板
３０２第１の電極
３０３絶縁物
３０４光
３０５ＥＬ層
４０１反射層
４０２開口部
４１１ＥＬ層（Ｒ）
４１２ＥＬ層（Ｇ）
４１３ＥＬ層（Ｂ）
４１４絶縁物
５０１反射層
５０２開口部
５１１ＥＬ層（Ｒ）
５１２ＥＬ層（Ｇ）
５１３ＥＬ層（Ｂ）
５１４絶縁物
６０１反射層
６０２開口部
６１１ＥＬ層（Ｒ）
６１２ＥＬ層（Ｇ）
６１３ＥＬ層（Ｂ）
７０１成膜室
７０２第１のゲート弁
７０３第２のゲート弁
７０４蒸着用基板支持機構
７０５被成膜基板支持機構
７０７蒸着用基板
７０８材料層
７０９被成膜基板
７１０光源
７１１チューブ
８０１成膜室
８０２第１のゲート弁
８０３第２のゲート弁
８０４蒸着用基板支持機構
８０５被成膜基板支持機構
８０７蒸着用基板
８０８材料層
８０９被成膜基板
８１０光源
８５１成膜室
８５４蒸着用基板支持機構
８５５被成膜基板支持機構
８５７蒸着用基板
８５８材料層
８５９被成膜基板
８６０光源
９００被成膜基板
９０１蒸着用基板
９０３レーザ発振装置
９０４第１の光学系
９０５第２の光学系
９０６第３の光学系
９０７反射ミラー
９０８撮像素子
９０９基板ステージ
９１０反射層
９１１断熱層
９１２光吸収層
９１３材料層
９１４開口部
９１５材料層
９１６制御装置
１００１基板
１００２第１の電極
１００３ＥＬ層
１００４第２の電極
１０１１正孔注入層
１０１２正孔輸送層
１０１３発光層
１０１４電子輸送層
１０１５電子注入層
１１０１基板
１１０４絶縁層
１１１３第１の電極
１１１４隔壁
１１１５ＲＥＬ層（赤）
１１１５ＧＥＬ層（緑）
１１１５ＢＥＬ層（青）
１１１６第２の電極
１１２１発光領域
１１２２隔壁
１２０１基板
１２０２データ線
１２０３走査線
１２０４隔壁
１２０５領域
１２０６入力端子
１２０７入力端子
１２０８接続配線
１３００ＥＬ層
１３０１駆動回路部（ソース側駆動回路）
１３０２画素部
１３０３駆動回路部（ゲート側駆動回路）
１３０４封止基板
１３０５シール材
１３０７空間
１３０８配線
１３０９ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１３１０素子基板
１３１１スイッチング用ＴＦＴ
１３１２電流制御用ＴＦＴ
１３１３第１の電極
１３１４絶縁物
１３１５発光素子
１３１６第２の電極
１３２３ｎチャネル型ＴＦＴ
１３２４ｐチャネル型ＴＦＴ
１５０１本体
１５０２筐体
１５０３筐体
１５０４表示部
１５０５スピーカー
１５０６マイクロフォン
１５０７操作キー
１５０８ポインティングマウス
１５０９カメラ用レンズ
１５１０外部接続端子
１５１１イヤホン端子
１５１２キーボード
１５１３外部メモリスロット
１５１４カメラ用レンズ
１５１５ライト
８００１筐体
８００２支持台
８００３表示部
８００４スピーカー部
８００５ビデオ入力端子
８１０１本体
８１０２筐体
８１０３表示部
８１０４キーボード
８１０５外部接続ポート
８１０６マウス
８２０１本体
８２０２表示部
８２０３筐体
８２０４外部接続ポート
８２０５リモコン受信部
８２０６受像部
８２０７バッテリー
８２０８音声入力部
８２０９操作キー
８２１０接眼部
８３０１照明部
８３０２傘
８３０３可変アーム
８３０４支柱
８３０５台
８３０６電源
８４０１本体
８４０２筐体
８４０３表示部
８４０４音声入力部
８４０５音声出力部
８４０６操作キー
８４０７外部接続ポート
８４０８アンテナ

Claims

基板上に、前記基板表面を露呈する複数の開口部を有する反射層と、
前記基板表面上の透光性を有する第１の断熱層と、前記反射層上の透光性を有する第２の断熱層と、
前記第１の断熱層上の第１の光吸収層と、前記第２の断熱層上の第２の光吸収層と、
前記第１の光吸収層上の第１の材料層と、前記第２の光吸収層上の第２の材料層とを有し、
前記第１の断熱層と前記第２の断熱層とは分離しており、
前記第１の光吸収層と前記第２の光吸収層とは分離しており、
前記第１の材料層と前記第２の材料層とは分離しており、
前記反射層の膜厚は、前記第１及び前記第２の断熱層、前記第１及び前記第２の光吸収層、並びに前記第１及び前記第２の材料層のそれぞれの膜厚よりも大きいことを特徴とする蒸着用基板。
請求項１において、
前記蒸着用基板を用いた蒸着の際に、前記蒸着用基板に照射する光に対する前記第１及び前記第２の断熱層の透過率は６０％以上であることを特徴とする蒸着用基板。
基板上に、前記基板表面を露呈する複数の開口部を有する、反射層及び前記反射層上の断熱層でなる積層体と、
前記基板表面上の透光性を有する第１の光吸収層と、前記積層体上の第２の光吸収層と、
前記第１の光吸収層上の第１の材料層と、前記第２の光吸収層上の第２の材料層とを有し、
前記第１の光吸収層と前記第２の光吸収層とは分離しており、
前記第１の材料層と前記第２の材料層とは分離しており、
前記積層体の膜厚は、前記第１及び前記第２の光吸収層、並びに前記第１及び前記第２の材料層のそれぞれの膜厚よりも大きいことを特徴とする蒸着用基板。
請求項３において、
前記断熱層に用いる材料の熱伝導率は、前記反射層および前記第１及び前記第２の光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする蒸着用基板。
請求項３または請求項４のいずれか一において、
前記断熱層は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウムのいずれかを含むことを特徴とする蒸着用基板。
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記反射層は、前記蒸着用基板を用いた蒸着の際に、前記蒸着用基板に照射する光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とする蒸着用基板。
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、または銀を含む合金のいずれかを含むことを特徴とする蒸着用基板。
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１及び前記第２の光吸収層は、前記蒸着用基板を用いた蒸着の際に、前記蒸着用基板に照射する光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする蒸着用基板。
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１及び前記第２の光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、タングステン、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする蒸着用基板。
基板上に、前記基板表面を露呈する複数の開口部を有する反射層を形成し、
前記基板表面上及び前記反射層上に透光性を有する断熱層を形成することによって、前記基板表面上の第１の断熱層と前記反射層上の第２の断熱層とをそれぞれ分離形成し、
前記第１及び前記第２の断熱層上に光吸収層を形成することによって、前記第１の断熱層上の第１の光吸収層と、前記第２の断熱層上の第２の光吸収層とをそれぞれ分離形成し、
前記第１及び前記第２の光吸収層上に材料層を形成することによって、前記第１の光吸収層上の第１の材料層と、前記第２の光吸収層上の第２の材料層とをそれぞれ分離形成し、
前記反射層の膜厚は、前記第１及び前記第２の断熱層、前記第１及び前記第２の光吸収層、並びに前記第１及び前記第２の材料層のそれぞれの膜厚よりも大きいことを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
基板上に、前記基板表面を露呈する複数の開口部を有する、反射層及び前記反射層上の断熱層とでなる積層体を形成し、
前記基板表面上及び前記積層体上に光吸収層を形成することによって、前記基板表面上の第１の光吸収層と、前記積層体上の第２の光吸収層とをそれぞれ分離形成し、
前記第１及び前記第２の光吸収層上に材料層を形成することによって、前記第１の光吸収層上の第１の材料層と、前記第２の光吸収層上の第２の材料層とをそれぞれ分離形成し、
前記積層体の膜厚は、前記第１及び前記第２の光吸収層、並びに前記第１及び前記第２の材料層のそれぞれの膜厚よりも大きいことを特徴とする蒸着用基板の作製方法。
第１の基板の一方の面上に、前記基板表面を露呈する複数の開口部を有する反射層と、
前記基板表面上の透光性を有する第１の断熱層と、前記反射層上の透光性を有する第２の断熱層と、
前記第１の断熱層上の第１の光吸収層と、前記第２の断熱層上の第２の光吸収層と、
前記第１の光吸収層上の第１の材料層と、前記第２の光吸収層上の第２の材料層とを有し、
前記第１の断熱層と前記第２の断熱層とは分離しており、
前記第１の光吸収層と前記第２の光吸収層とは分離しており、
前記第１の材料層と前記第２の材料層とは分離しており、
前記反射層の膜厚は、前記第１及び前記第２の断熱層、前記第１及び前記第２の光吸収層、並びに前記第１及び前記第２の材料層のそれぞれの膜厚よりも大きい前記第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、
前記反射層の前記開口部と重なる位置にある前記第１の材料層を選択的に加熱し、
前記第１の材料層を前記第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする蒸着方法。
第１の基板の一方の面上に、前記基板表面を露呈する複数の開口部を有する、反射層及び前記反射層上の断熱層でなる積層体と、
前記基板表面上の透光性を有する第１の光吸収層と、前記積層体上の第２の光吸収層と、
前記第１の光吸収層上の第１の材料層と、前記第２の光吸収層上の第２の材料層とを有し、
前記第１の光吸収層と前記第２の光吸収層とは分離しており、
前記第１の材料層と前記第２の材料層とは分離しており、
前記積層体の膜厚は、前記第１及び前記第２の光吸収層、並びに前記第１及び前記第２の材料層のそれぞれの膜厚よりも大きい前記第１の基板の一方の面と、
第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、
前記第１の基板の他方の面側から光を照射し、
前記積層体の前記開口部と重なる位置にある前記第１の材料層を選択的に加熱し、
前記第１の材料層を前記第２の基板の被成膜面に蒸着させることを特徴とする蒸着方法。
請求項１２または請求項１３において、
前記反射層により前記光を反射することによって、前記第２の材料層は蒸着させないことを特徴とする蒸着方法。