JP5428263B2 - アミン誘導体及びその用途 - Google Patents
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Description
以下、本発明に関し詳細に説明する。
本発明のアミン誘導体は、有機EL素子の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光層のホスト材料としても利用可能であるが、特に正孔輸送材料として使用した際に、従来の材料以上に駆動電圧の改善と高い電力効率が期待できる。また、本発明のアミン誘導体は、カルバゾール基を部分構造に持ちながらもベンゾフルオレニル基の11位に結合した置換基により、材料自身の結晶化が抑制されることから、有機EL素子の耐久性向上も期待できる。
・機器 :東ソー製 マルチステーションLC−8020
・カラム:Inertsil ODS−3V(4.6mmφ×250mm)
・検出器:UV検出器(波長=254nm)
・溶離液:メタノール/テトラハイドロフラン=9/1(v/v比)
有機EL素子の駆動電圧及び発光輝度測定は、TOPCON社製 輝度計LUMINANCE METER(BM−9)を用いて行った。
20mLのシュレンク管に攪拌子を入れ、窒素置換した後、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0) 1.10g(1.20mmol)、トリ−tert−ブチルホスフィン 1.46g(7.22mmol)、o−キシレン 10mLを加え、この溶液を窒素下にて20分間60℃で攪拌し、これを触媒溶液とした。窒素置換した1Lの3つ口フラスコに、カルバゾール40.1g(0.240mol)、4−ブロモビフェニル 28.0g(0.120mol)、炭酸カリウム33.2g(0.240mol)、18−クラウン−6 950mg(3.60mmol)、o−キシレン 700mLを加えた。室温で、この溶液に先の触媒溶液をシリンジで加え、反応溶液を120℃に加熱した。16時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。エバポレーターでo−キシレンを除去した後、濃縮残渣をクロロホルム700mLで抽出し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。有機層濃縮残渣にイソプロパノール150mLを添加し、80℃で30分間過熱した後、その温度のまま熱時ろ過を行い、肌色粉末を20.3g得た(収率53%,HPLC純度=97%)。1H−NMR測定及びFDMS測定により、目的の中間体1であることを確認した。
FDMS:319(M+)
合成例2(中間体2の合成)
2Lの3つ口フラスコに、中間体1 15.0g(47.0mmol)、ジクロロメタン845mLを添加し、室温で5分間攪拌した。この溶液に、N−ブロモコハク酸イミド 7.94g(0.95eq.)をジクロロメタン423mLに溶解させた溶液を3時間かけて滴下した。滴下終了後、更に室温で2時間攪拌した。反応液を純水500mLで3回洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層濃縮残渣をイソプロパノール400mLで洗浄した後、トルエンにて2回再結晶を行い、白色粉末を9.7g得た(収率52%)。FDMS測定により、目的の中間体2であることを確認した。
合成例3(中間体3の合成)
窒素置換した500mLの3つ口フラスコに、中間体2 12.3g(30.9mmol)、4−クロロフェニルボロン酸 6.64g(40.9mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム357mg(0.309mmol)、20重量%の炭酸ナトリウム水溶液67g、テトラヒドロフラン245mLを加え、65℃で20時間加熱した。反応後、室温まで放冷し、水層を抜いた。有機層を純水(50mL)、飽和NaCl溶液(100mL)で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層濃縮残渣をトルエンにて2回再結晶を行い、白色粉末6.5gを得た(収率58%,HPLC純度=99%)。1H−NMR測定及びFDMS測定により、目的の中間体3であることを確認した。
FDMS:429(M+)
合成例4(N−フェニル−9−アミノ−11,11−ジメチル−11H−ベンゾ[a]フルオレン)
窒素置換した1Lの3つ口フラスコに、9−クロロ−11,11−ジメチル−11H−ベンゾ[a]フルオレン(WO2007/119800の方法に従って合成)51.0g(0.183mol)、アニリン51.1g(0.549mol)、酢酸パラジウム0.411g(1.83mmol)、ナトリウムターシャリーブトキシド 21.1g(0.220mol)、o−キシレン 580mLを加えた。最後にトリ−tert−ブチルホスフィン 1.48g(7.32mmol)を加え、130℃に加熱した。20時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。この反応液を純水(500mL)、飽和NaCl溶液(200mL)で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開溶媒トルエン)、更にo−キシレンで再結晶を行うことにより、白色粉末32.9gを得た(収率65%,HPLC純度=99.4%)。FDMS測定により、目的のN−フェニル−9−アミノ−11,11−ジメチル−11H−ベンゾ[a]フルオレンであることを確認した。
実施例1(化合物A2の合成)
窒素置換した200mLの3つ口フラスコに、中間体3 3.0g(7.0mmol)、合成例4で合成したN−フェニル−9−アミノ−11,11−ジメチル−11H−ベンゾ[a]フルオレン 2.81g(8.4mmol)、酢酸パラジウム16mg(0.071mmol)、ナトリウムターシャリーブトキシド 0.81g(8.4mmol)、o−キシレン 60mLを加えた。最後にトリ−tert−ブチルホスフィン 68mg(0.34mmol)を加え、130℃に加熱した。14時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。この反応液を純水(60mL×2)、飽和NaCl溶液(30mL)で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。有機層濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開溶媒トルエン/ヘキサン)、更にトルエンで2回再結晶することにより、白色粉末3.30gを得た(収率54%,HPLC純度=99.5%)。
厚さ130nmのITO透明電極を有するガラス基板をアセトン、イソプロピルアルコールで順次超音波洗浄し、次いで、イソプロピルアルコールで煮沸洗浄した後、乾燥した。更に、UV/オゾン処理したものを透明導電性支持基板として使用した。ITO透明電極上に、銅フタロシアニンを真空蒸着法により25nmの膜厚で成膜した。次に、化合物A2を真空蒸着法により45nmの膜厚で成膜し、正孔輸送層を形成した。次に、アルミニウムトリスキノリノール錯体を真空蒸着法により60nmの膜厚で成膜し、発光層及び電子輸送層を形成した。尚、上記有機化合物の蒸着条件は、真空度1.0×10−4Pa、成膜速度0.3nm/秒の同一条件で成膜した。次に、陰極としてLiFを0.5nm、Alを100nm蒸着し、金属電極を形成した。更に、窒素雰囲気下、保護用ガラス基板を重ね、UV硬化樹脂で封止した。このようにして得られた素子に、ITO電極を正極、LiF−Al電極を負極にして、20mA/cm2の定電流密度条件下で駆動させた際の輝度、駆動電圧、電流効率、電力効率及び寿命に関する評価結果を表1に示す。
化合物A2の代わりに、以下に示した比較化合物1,2(夫々、特許文献5記載の化合物(7)、特許文献1記載の化合物(A6))を用い、実施例2に準じて素子を作製した。20mA/cm2の定電流密度条件下で駆動させた際の輝度、駆動電圧、電流効率、電力効率及び寿命に関する評価結果を表1に示す。
実施例1に準じて、中間体3とN,N−ビス(4−ビフェニリル)アミンから、比較化合物3(特許文献4記載の化合物(H53))を収率=44%で合成した。ガラス転移温度は130℃であった。
化合物A2の代わりに、比較化合物4を用い、実施例2に準じて有機EL素子を作製した。20mA/cm2の定電流密度条件下で駆動させた際の輝度、駆動電圧、電流効率、電力効率及び寿命に関する評価結果を表1に示す。
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