JP5519774B2 - シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 - Google Patents
シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5519774B2 JP5519774B2 JP2012506781A JP2012506781A JP5519774B2 JP 5519774 B2 JP5519774 B2 JP 5519774B2 JP 2012506781 A JP2012506781 A JP 2012506781A JP 2012506781 A JP2012506781 A JP 2012506781A JP 5519774 B2 JP5519774 B2 JP 5519774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- resin
- reflective
- group
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
- C09D7/62—Additives non-macromolecular inorganic modified by treatment with other compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/001—Combinations of extrusion moulding with other shaping operations
- B29C48/002—Combinations of extrusion moulding with other shaping operations combined with surface shaping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/04—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing using rollers or endless belts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
- C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
- C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
- C09C1/36—Compounds of titanium
- C09C1/3607—Titanium dioxide
- C09C1/3684—Treatment with organo-silicon compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C3/00—Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
- C09C3/12—Treatment with organosilicon compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/004—Reflecting paints; Signal paints
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
- H10F10/146—Back-junction photovoltaic cells, e.g. having interdigitated base-emitter regions on the back side
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
- H10F19/804—Materials of encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
- H10F77/147—Shapes of bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
- H10F77/148—Shapes of potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H10F77/488—Reflecting light-concentrating means, e.g. parabolic mirrors or concentrators using total internal reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/93—Interconnections
- H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
- H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C2793/00—Shaping techniques involving a cutting or machining operation
- B29C2793/0027—Cutting off
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/001—Combinations of extrusion moulding with other shaping operations
- B29C48/0022—Combinations of extrusion moulding with other shaping operations combined with cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/03—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the shape of the extruded material at extrusion
- B29C48/07—Flat, e.g. panels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/03—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the shape of the extruded material at extrusion
- B29C48/07—Flat, e.g. panels
- B29C48/08—Flat, e.g. panels flexible, e.g. films
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/03—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor characterised by the shape of the extruded material at extrusion
- B29C48/13—Articles with a cross-section varying in the longitudinal direction, e.g. corrugated pipes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/15—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. extrusion moulding around inserts
- B29C48/154—Coating solid articles, i.e. non-hollow articles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/15—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. extrusion moulding around inserts
- B29C48/154—Coating solid articles, i.e. non-hollow articles
- B29C48/155—Partial coating thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/16—Articles comprising two or more components, e.g. co-extruded layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/0074—Production of other optical elements not provided for in B29D11/00009- B29D11/0073
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2083/00—Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
- B29K2105/06—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing reinforcements, fillers or inserts
- B29K2105/20—Inserts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2705/00—Use of metals, their alloys or their compounds, for preformed parts, e.g. for inserts
- B29K2705/08—Transition metals
- B29K2705/10—Copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
- B29K2995/003—Reflective
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2007/00—Flat articles, e.g. films or sheets
- B29L2007/002—Panels; Plates; Sheets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2009/00—Layered products
- B29L2009/005—Layered products coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
- C08K2003/2241—Titanium dioxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
- Y10T428/24372—Particulate matter
- Y10T428/24413—Metal or metal compound
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24612—Composite web or sheet
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/256—Heavy metal or aluminum or compound thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/269—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension including synthetic resin or polymer layer or component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
前記反射層が、失活又は揮発するまで硬化反応を抑制する反応抑制剤を含有していることにより液状又はグリース状で粘性又は塑性のままの原材料組成物を、前記支持体上に付して、三次元架橋により硬化させたものであり、
前記原材料組成物が、前記シリコーン樹脂よりも高屈折率の白色無機フィラー粉末と反応性の官能基を有するシラン化合物又はシロキサン化合物からなる接着性付与成分とを、三次元架橋した前記シリコーン樹脂へと重合する重合性シリコーン樹脂原材料に、混合させて分散させつつ含有させたものであることを特徴とする。
請求項20に記載の樹脂製反射基材は、請求項1に記載されたもので、前記反応性の官能基が、ビニル基、フェニル基、アルコキシ基、エポキシ環含有基、(メタ)アクリロイル基、アルコキシシリル基、及びカルボニル基から選ばれる何れかであることを特徴とする。
請求項21に記載のシリコーン樹脂製反射基材は、請求項1に記載されたもので、前記支持体が、イミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ガラス繊維含有エポキシ樹脂、紙フェノール樹脂、ベークライト、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、シクロオレフィン樹脂、シリコーンゴム、アルミニウム箔、銅箔又はニッケル箔で形成されていることを特徴とする。
前記原材料組成物を支持体上に付してから、
三次元架橋させて前記シリコーン樹脂へ重合させることにより、
反射層を前記支持体上で膜状、立体状又は板状に形成することを特徴とする。
請求項27に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法は、請求項22に記載されたもので、前記反応性の官能基が、ビニル基、フェニル基、アルコキシ基、エポキシ環含有基、(メタ)アクリロイル基、アルコキシシリル基、及びカルボニル基から選ばれる何れかであることを特徴とする。
請求項28に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法は、請求項22に記載されたもので、前記支持体を、イミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ガラス繊維含有エポキシ樹脂、紙フェノール樹脂、ベークライト、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、シクロオレフィン樹脂、シリコーンゴム、アルミニウム箔、銅箔又はニッケル箔で形成することを特徴とする。
請求項29に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法は、請求項22に記載されたもので、前記シリコーン樹脂は、シロキシ基繰返単位を4〜10とする低分子量ポリシロキサンを、そのシリコーン樹脂中で最大でも300ppmとすることを特徴とする。
請求項33に記載の原材料組成物は、請求項30に記載されたもので、前記反応性の官能基が、ビニル基、フェニル基、アルコキシ基、エポキシ環含有基、(メタ)アクリロイル基、アルコキシシリル基、及びカルボニル基から選ばれる何れかであることを特徴とする。
請求項34に記載の原材料組成物は、請求項30に記載されたもので、前記重合性シリコーン樹脂の原材料には、それが三次元架橋したシリコーン樹脂中でシロキシ基繰返単位を4〜10とする低分子量ポリシロキサンを最大でも300ppmとなるように、前記低分子量ポリシロキサンを含んでいることを特徴とする。
R1 aSiO(4−a)/2
(式中、R1は非置換又は置換一価炭化水素基で、好ましくは炭素数1〜10、特に1〜8のものである。aは0.8〜2、特に1〜1.8の正数である。)
で示されるものが挙げられる。ここで、Rとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基や、これらの炭素原子に結合した水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換されたクロロメチル基、クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換炭化水素基、或いはシアノ基で置換された2−シアノエチル基等のシアノ基置換炭化水素基などが挙げられ、R1は同一であっても異なっていてもよいが、R1としてメチル基、特にジメチルシロキシ基を主成分となるようなメチル基であるものが、反射性発現、耐熱性・耐久性等の観点から好ましい。
R2-[Si(R3)2-O]b-[Si(R3)(R4)-O]c-R2
(R2は同一又は異なり前記R1で例示されたメチル基等の飽和炭化水素基若しくはフェニル基等の芳香族炭化水素基又は前記R1で例示されたアルケニル基、R3は同一又は異なり前記R1で例示された飽和炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基、R4は前記R1で例示されたアルケニル基、b、cは正数)で模式的に示されるもので、ブロック共重合であってもランダム共重合であってもよいものである。
HdR5 eSiO(4-d-e)/2
(式中、R5はR1で例示された基、特に飽和炭化水素基、d及びeは、0<d<2、0.8≦e≦2となる数)で表されるものである。
具体的には、このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンの例としては、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルテトラシクロシロキサン、1,3,5,7,8−ペンタメチルペンタシクロシロキサン等の末端にSi−H基を有するシロキサンオリゴマー;トリメチルシロキシ末端基含有メチルハイドロジェンポリシロキサン、トリメチルシロキシ末端基含有ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、シラノール末端基含有メチルハイドロジェンポリシロキサン、シラノール末端基含有ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、ジメチルハイドロジェンシロキシ末端基含有ジメチルポリシロキサン、ジメチルハイドロジェンシロキシ末端基含有メチルハイドロジェンポリシロキサン、ジメチルハイドロジェンシロキシ末端基含有ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体のような主鎖の途中にSi−H基を有するホモポリマー又はコポリマーのハイドロジェンポリシロキサンが挙げられる。このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、R5 2(H)SiO1/2単位とSiO4/2単位とを含み、R5 3SiO1/2単位、R5 2SiO2/2単位、R5(H)SiO2/2単位、(H)SiO3/2単位又はR5SiO3/2単位を含んでいてもよいものである。
初期反射率の比較
(ポリフェニルシロキサン樹脂とポリジメチルシロキサン樹脂との比較)
ポリフェニルシロキサン樹脂(商品名XE14−C2508:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ)とポリジメチルシロキサン樹脂(商品名IVSM4500:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)を用いて、アナターゼ型酸化チタン(商品名A−950:堺化学工業株式会社製)とルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)とアルミナ(商品名AES12:住友化学株式会社製)を各々200質量部添加し、25μmのポリイミドを支持体に加熱プレスにて、150℃で10分間の硬化条件によって、縦70mm、横70mm、厚さ0.3mmのシリコーン白色反射板であるシリコーン樹脂製反射基材を作製した。それぞれの反射率を、分光光度計UV−3150(株式会社島津製作所製)を用いて測定した。その結果を示す図11よりすべてにおいてポリジメチルシロキサンをベースポリマーとした場合3〜5%の反射率の向上が見られた。
高温での経時後の反射率
ポリフェニルシロキサン樹脂(商品名XE14−C2508:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ)とポリジメチルシロキサン樹脂(商品名IVSM4500:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)にアナターゼ型酸化チタン(商品名A−950:堺化学工業株式会社製)とルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)をそれぞれ200質量部添加し、加熱プレスにて、25μmのポリイミドの支持体に150℃で10分間の硬化条件によって反射層を形成し、縦70mm、横70mm、厚さ0.3mmのシリコーン白色反射板であるシリコーン樹脂製反射基材を作製した。150℃で1000時間、加熱経過後の反射率を、分光光度計UV−3150(株式会社島津製作所製)を用いて測定した。その結果を示す図12より、ポリフェニルシロキサン樹脂のシリコーン白色反射板は短波長側で反射率の低下が見られるのに対し、ポリジメチルシロキサン樹脂のシリコーン白色反射板は反射率の低下が見られない。
ポリジメチルシロキサン樹脂(商品名IVSM4500:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)にアナターゼ型酸化チタン(商品名A−950:堺化学工業株式会社製)とルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)をそれぞれ100質量部添加し、加熱プレスにて、150℃で10分間の硬化条件によって反射層を形成し、縦70mm、横70mm、厚さ0.3mmのシリコーン白色反射板であるシリコーン樹脂製反射基材を作製した。それぞれの反射率を、分光光度計(商品名UV−3150;株式会社島津製作所製)を用いて初期反射率を測定した後、#1500のサンドペーパーでシリコーン白色反射板の表面をそれぞれ研磨し、再度反射率を測定する。その結果を示す図13より、研磨などで表面加工を行うことにより2〜3%反射率が向上した。
ポリジメチルシロキサン樹脂(商品名IVSM4500:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)にシリコーン樹脂100質量部に対してルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)を100質量部添加し、加熱プレスにて、25μmのポリイミドの支持体に150℃で10分間の硬化条件によって反射層を形成し、縦70mm、横70mm、厚さ50μmの白色のシリコーン樹脂製反射基材を作製した。
エポキシ樹脂100質量部に対してルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)を100質量部添加したエポキシ樹脂組成物を用いたこと以外は、実施例4と同様にして、エポキシ樹脂白色反射シートを作製した。
支持体として、25μmのポリイミドフィルムに15μmの銅めっきを施した。これにフォトレジストを用いて、エッチング加工により回路を形成した。次に、アナターゼ型酸化チタンをシリコーン樹脂100質量部に対して150〜200質量部の範囲で配合を変え、必要によりシリコーンゴムパウダーを夫々適量ずつ加えてアナターゼ型酸化チタン含有白色反射材用の原材料組成物となし、これを回路の表面にLEDチップ及び配線を行う部分を除いて、スクリーン印刷を用いて30μmの厚みで塗布し、150℃×1時間加熱し、反射層を形成し、シリコーン樹脂製反射基材を作製した。このときシリコーン樹脂製反射基材は、反射層の硬度はJIS A型硬度計で80と、JIS D型硬度計で70の硬度とであった。
支持体として、25μmのポリイミドフィルムに15μmの銅めっきを施した。これにフォトレジストを用いて、エッチング加工により回路を形成した。回路の表面にLEDチップ及びその配線を行う銅めっき部分を含む全面に、アナターゼ型酸化チタンをシリコーン樹脂100質量部に対して150〜200質量部の範囲で配合を変え、必要によりシリコーンゴムパウダーを夫々適量加えてアナターゼ型酸化チタン含有白色反射材用の原材料組成物となし、これを、スクリーン印刷を用いて30μmの厚みで塗布し、150℃×1時間加熱し、反射層を形成した。このとき反射層の硬さはJIS D型硬度計で70の硬度を有していた。次いで、図7に示すように、銅めっきが露出するまで反射層を研削し、銅めっき部分とシリコーン樹脂部分とが区分けされたシリコーン樹脂製白色反射基材を作製した。
支持体として、25μmのポリイミドフィルムに15μmの銅めっきを施した。この銅めっきにフォトレジストを用いて、エッチング加工により回路を形成した。この回路の表面にLEDチップ及びその配線を行う部分を除いてポリイミドワニス(商品名;FC−114 ファイン・ポリイミドワニス:ファインケミカルジャパン社製)を2回塗りして加熱硬化し膜厚4μmのガスバリアー層を設けた。しかる後、実施例5と同様にしてシリコーン樹脂製白色反射基材(反射層の硬度は同値)を作製した。
シリコーン接着剤(商品名X−32−1964:信越化学工業株式会社製)にルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)を100質量部添加しさらに反応抑制剤としてアセチレンアルコールを0.01部添加しシリコーン樹脂製反射基材に用いる液状の原材料組成物(粘度600Pa・s)を得た。この保存缶を開封後、室温において7日間放置し粘度を測定した結果変化が見られず、酸化チタンの沈降が見られず、150℃1時間の加熱硬化においても反射率、硬さとも初期の原材料組成物のものと同じ特性を示し、長期の保管性を示し、図1のようにLEDを実装でき、量産において生産性に優れていることが分かった。
一液型エポキシ樹脂性レジストインクにおいては、その保存缶の開封後、室温において24時間放置し確認した結果、外周が硬化し内部がゲル化し使用ができない状況であった。
チップオンフィルム(以下COFとする)として、厚さ38μmのポリイミドフィルムに厚さ8μmの導体(銅箔)に回路を形成し、ランドパターン部を除いてガスバリア層としてポリイミドワニス(商品名;FC−114 ファイン・ポリイミドワニス:ファインケミカルジャパン社製)を2回塗りして加熱硬化し膜厚4μmのガスバリアー層を設けたのち、スクリーン印刷により、ランドパターン部を除き白色無機フィラー含有原材料組成物を30μm塗布し、150℃×1時間で硬化させ、反射層を形成し、COFのシリコーン樹脂製反射基材を得た。白色無機フィラー含有原材料組成物はポリジメチルシロキサン樹脂(商品名IVSM4500:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)100質量部にアナターゼ型酸化チタン(商品名A−950:堺化学工業株式会社製)とルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)を80質量部添加したものである。このシリコーン樹脂製反射基材に日亜化学製白色LEDパッケージNSSW064を直接ランド部の上にマウントし、鉛フリーリフローに通しハンダを行い、高反射COF基板のフレキシブルLED照明基板を得た。この基板は厚みが薄く狭い箇所に挿入可能であり、熱による黄変がなく反射率98%のCOFとなった。また、金属と反射層との剥離も認めれなかった。
シリコーン樹脂原材料組成物を調製後、シロキシ基繰返単位を4〜10とする低分子量ポリシロキサンを300ppm未満になるまで、減圧下及び/又は200℃で維持した後、常圧に戻して用いたこと以外は、実施例1〜10と同様にして、シリコーン樹脂製反射基材を作製し、夫々LEDを実装してLED照明基板を製造したところ、電気接点障害、くもりの発生による照度低下などの現象は、認められなかった。
酸化チタンを、前記化学式(1)で示される反応性基含有ポリシロキサンをシランカップリング剤として浸漬し、表面処理したこと以外は、実施例1と同様にして、シリコーン樹脂製反射基材を作製したところ、表面処理しない場合よりも、前記表1で示す場合と同様に、樹脂製反射基材の曲げ強度と硬度とが、向上していた。
(実施例12)
実施例9と同様にして回路を形成した後、φ1mmに収まるランドパターン部を除いて酸化チタン含有ジメチルシリコーン樹脂原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、150℃×1時間で硬化させ、φ1mmの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。
実施例9と同様にして回路を形成した後、φ1mmに収まるランドパターン部を除いて酸化チタン含有ジメチルシリコーン樹脂原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、150℃×1時間で硬化させ、φ1mmの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。更に、サンドペーパー#1000を用い表面を研磨し、酸化チタン粉末を露出させた基板の反射率を測定したところ、3%の反射率向上が見られた。
実施例9と同様にして回路を形成した後、φ1mmに収まるランドパターン部を除いて無機白色フィラー粉末としてアナターゼ酸化チタンを100質量部、YAG蛍光体を3質量部含有させたジメチルシリコーン樹脂原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、150℃×1時間で硬化させ、φ1mmの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。サンドペーパー#1000を用い表面を研磨し、無機白色フィラー粉末を露出させた基板の反射率を測定したところ90%であった。400〜500nmの吸収が確認されその分反射率が低下したものの十分な反射率を維持できるとともに、550nmの励起光が確認された。
支持体として、25μmのポリイミドフィルムにプラズマ処理を行い、プライマー処理を行い反射層として、シリコーン樹脂100質量部に対してアルミナで表面処理を行ったアナターゼ型酸化チタン200質量部を配合し分散させ30μmの厚みで塗布し、その支持体の反対の面にはシリコーン粘着剤を30μmで塗工し、離型シートを積層し、150℃×1時間加熱し、反射層と粘着層を有したカバーレイフィルムを得た。このカバーレイフィルムを、回路を設けてあるFR−4基板にランドパターンを逃がすように穴を開け、位置を合わせて、貼り合わせた。
シリコーン樹脂原材料組成物を調製後、シロキシ基繰返単位を4〜10とする低分子量ポリシロキサンを300ppm未満になるまで、減圧下及び/又は200℃で維持した後、常圧に戻して用いたこと以外は、実施例1〜15と同様にして、シリコーン樹脂製反射基材を作製し、夫々LEDを実装してLED照明基板を製造したところ、何れも電気接点障害、くもりの発生による照度低下などの現象は、認められなかった。
酸化チタンを、前記化学式(1)で示される反応性基含有ポリシロキサンをシランカップリング剤として浸漬し、表面処理したこと以外は、実施例1と同様にして、シリコーン樹脂製反射基材を作製したところ、表面処理しない場合よりも、前記表1で示す場合と同様に、樹脂製反射基材の曲げ強度と硬度とが、向上していた。
チップオンボード(以下COBとする)として、ガラエポ基板(FR−4基板)に導体厚み8μm(銅箔)に回路を形成しランドパターン部を除き、ガスバリア層としてエポキシ樹脂でコーティングし150℃×4時間で硬化させたのち、スクリーン印刷により酸化チタン含有のシリコーン樹脂原材料組成物(シリコーン樹脂原材料組成物はポリジメチルシロキサン樹脂(商品名IVSM4500:モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製)100質量部にアナターゼ型酸化チタン(商品名A−950:堺化学工業株式会社製)とルチル型酸化チタン(商品名GTR−100;堺化学工業株式会社製)を80質量部添加したもの)を塗布し、150℃×1時間で硬化させ、COFのシリコーン樹脂製反射層を有する反射基材を得た。そこに日亜化学製白色LEDパッケージNSSW064を直接フィルム上にマウントし、鉛フリーリフローに通しハンダを行い、高反射COB基板を得た。
製造例1と同様にしてCOBのシリコーン樹脂製反射層を有する基材を得た。そこにベアチップ(LED素子自体)を直接基板上のランドパターンに実装しワイヤー(金線)ボンディングし、シリコーン透明樹脂で封止を行い、ガラスエポキシLED照明基板を得た。この基板は熱による黄変もなく反射率98%のCOBとなった。
COBとしてBTレジン製基板(三菱ガス化学株式会社製)に導体厚み8μm(銅箔)を形成しランドパターン部を除き、ガスバリア層としてエポキシ樹脂を20μmコーティングし150℃×4時間で硬化させたのち、反射層をスクリーン印刷により塗布し、150℃×1時間で硬化させ、COBのシリコーン樹脂製反射層を有する基材を得た。そこにベアチップ(LED素子自体)を直接基板上のパターンに実装しワイヤー(金線)ボンディングしシリコーン透明樹脂で封止を行った。さらに、樹脂封止されたベアチップ周辺を囲むようにして反射枠として酸化チタン含有シリコーン樹脂原材料組成物をディスペンサーにより、高さ0.5mmで吐出したのち150℃×1時間で硬化させ厚物成形を行いシリコーン樹脂製反射枠付高反射COBを得た。
製造例1と同様にして回路を形成した後、φ1mmに収まるランドパターン部を除いて酸化チタン含有ジメチルシリコーン樹脂原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、150℃×1時間で硬化させ、φ1mmの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。
製造例1と同様にして回路を形成した後、φ1mmに収まるランドパターン部を除いて酸化チタンジメチルシリコーン樹脂原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、150℃×1時間で硬化させ、φ1mmの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。更に、サンドペーパー#1000を用い表面を研磨し、酸化チタン粉末を露出させた基板の反射率を測定したところ、3%の反射率向上が見られた。
製造例1と同様にして回路を形成した後、φ1mmに収まるランドパターン部を除いて無機白色フィラー粉末としてアナターゼ酸化チタンを100質量部、YAG蛍光体を3質量部含有させたジメチルシリコーン樹脂原材料組成物をスクリーン印刷により塗布し、150℃×1時間で硬化させ、φ1mmの微細なランドパターンにダレることなく反射層を形成することができた。サンドペーパー#1000を用い表面を研磨し、無機白色フィラー粉末を露出させた基板の反射率を測定したところ90%であった。400〜500nmの吸収が確認されその分反射率が低下したものの十分な反射率を維持できるとともに、550nmの励起光が確認された。
支持体として、25μmのポリイミドフィルムにプラズマ処理を行い、プライマー処理を行い反射層としてシリコーン樹脂100質量部に対してアルミナで表面処理を行ったアナターゼ型酸化チタン200質量部を配合し分散させ30μmの厚みで塗布し、その支持体の反対の面にはシリコーン粘着剤を10μmで塗工し、熱伝導層として、50μmのアルミ箔を積層し、更に粘着剤を10μmで塗工し離型シートを積層し、150℃×1時間加熱し、反射層と粘着層を有したカバーレイフィルムを得た。このカバーレイフィルムを、回路を設けてあるFR−4基板にランドパターンを逃がすように穴を開け、位置を合わせて、貼り合わせた。
実施例7と同様にシリコーン樹脂原材料組成物となし、これを25μmのポリイミドフィルムの支持体上の導電回路に半田付けしたベアチップの周りに最外直径3mmのケーシングとして、高さ1mmでドーナッツ状にポッティングして高反射枠を設け、チップ該当箇所を透明シリコーン樹脂で封止し、反射基材を作製した。この反射基材を曲率半径20mmに撓ませたが反射異常は起きなかった。このポッティングした箇所の硬度は、JIS D型硬度計により、ショアD硬度で70であった
Claims (34)
- シリコーン樹脂を含有した反射層が、支持体上で膜状、立体状又は板状に形成されているシリコーン樹脂製反射基材であって、
前記反射層が、失活又は揮発するまで硬化反応を抑制する反応抑制剤を含有していることにより液状又はグリース状で粘性又は塑性のままの原材料組成物を、前記支持体上に付して、三次元架橋により硬化させたものであり、
前記原材料組成物が、前記シリコーン樹脂よりも高屈折率の白色無機フィラー粉末と反応性の官能基を有するシラン化合物又はシロキサン化合物からなる接着性付与成分とを、三次元架橋した前記シリコーン樹脂へと重合する重合性シリコーン樹脂原材料に、混合させて分散させつつ含有させたものであることを特徴とするシリコーン樹脂製反射基材。 - 前記シリコーン樹脂が、非環状のジメチルシロキシ繰返単位を主成分として含んでいることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記シリコーン樹脂中に含まれる、シロキシ基繰返単位を4〜10とする低分子量ポリシロキサンが、最大でも300ppmであることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記反射層が、1〜2000μmの厚さで形成されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記シリコーン樹脂が、屈折率を1.35以上、1.65未満とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記白色無機フィラー粉末が、酸化チタン、アルミナ、硫酸バリウム、マグネシア、チッ化アルミニウム、チッ化ホウ素、チタン酸バリウム、カオリン、タルク、炭酸カルシウム、酸化亜鉛、シリカ、マイカ粉、粉末ガラス、粉末ニッケル及び粉末アルミニウムから選ばれる少なくとも1種の光反射剤であることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記白色無機フィラー粉末が、シランカップリング処理されてシリコーン樹脂中に分散されたものであることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記白色無機フィラー粉末が、アナターゼ型若しくはルチル型の前記酸化チタン、前記アルミナ、又は前記硫酸バリウムであることを特徴とする請求項6に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記酸化チタンが、Al、Al2O3、ZnO、ZrO2、及び/又はSiO2で表面処理されて被覆されていることを特徴とする請求項8に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記白色無機フィラー粉末が、平均粒径0.05〜50μmであって、前記シリコーン樹脂中に、2〜80質量%含有されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記反射層に、前記白色無機フィラー粉末と蛍光体とが分散されつつ含有されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記反射層の表面に、前記白色無機フィラー粉末と前記蛍光体との少なくとも何れかが露出していることを特徴とする請求項11に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記反射層の表面が連続して、ナノメートル乃至マイクロメートルオーダーの凹凸形状、プリズム形状、及び/又は梨地面形状の何れかの非鏡面となっていることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記シリコーン樹脂の少なくとも一部の表面の研磨、粗面化、ざらついた金型による金型成形若しくはスタンプ成形、及び/又はケミカルエッチングによって、前記白色無機フィラー粉末の一部が、前記表面から露出していることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 導電パターンの付された前記支持体を覆う前記反射層が研磨され、前記導電パターンが露出していることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記反射層の表面の上に、金属膜が付されていることを特徴とする請求項15に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記金属膜が、銅、銀、金、ニッケル、及びパラジウムから選ばれる少なくとも何れかの金属で形成されていることを特徴とする請求項16に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記金属膜が、めっき被膜、金属蒸着被膜、金属溶射膜、又は接着された金属箔膜であることを特徴とする請求項16に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 発光素子、発光装置及び光電変換素子の何れかの背面、外周及び/又は導光材反射面に、配置されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記反応性の官能基が、ビニル基、フェニル基、アルコキシ基、エポキシ環含有基、(メタ)アクリロイル基、アルコキシシリル基、及びカルボニル基から選ばれる何れかであることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 前記支持体が、イミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ガラス繊維含有エポキシ樹脂、紙フェノール樹脂、ベークライト、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、シクロオレフィン樹脂、シリコーンゴム、アルミニウム箔、銅箔又はニッケル箔で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材。
- 三次元架橋したシリコーン樹脂へと重合させる重合性シリコーン樹脂原材料に前記シリコーン樹脂よりも高屈折率の白色無機フィラー粉末と失活又は揮発するまで硬化反応を抑制する反応抑制剤と反応性の官能基を有するシラン化合物又はシロキサン化合物からなる接着性付与成分とを混合させて分散させ含有させて液状又はグリース状で粘性又は塑性のままの原材料組成物とした後、
前記原材料組成物を支持体上に付してから、
三次元架橋させて前記シリコーン樹脂へ重合させることにより、
反射層を前記支持体上で膜状、立体状又は板状に形成することを特徴とするシリコーン樹脂製反射基材の製造方法。 - 前記重合が、加熱、加湿、加圧及び紫外線照射の少なくとも何れかにより、なされることを特徴とする請求項22に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法。
- 前記重合が、金型内での射出成形、又は金型での押圧成形の際加熱及び/又は加圧により、なされることを特徴とする請求項22に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法。
- 前記金型の表面が、フッ素樹脂でコーティングされていることを特徴とする請求項24に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法。
- 前記シリコーン樹脂への三次元架橋の架橋剤と前記失活又は揮発するまで硬化反応を抑制する反応抑制剤と前記シリコーン樹脂よりも高屈折率の白色無機フィラー粉末と前記接着性付与成分とを前記重合性シリコーン樹脂原材料に含有させて前記原材料組成物となした後、前記加熱によって前記重合がなされることを特徴とする請求項22に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法。
- 前記反応性の官能基が、ビニル基、フェニル基、アルコキシ基、エポキシ環含有基、(メタ)アクリロイル基、アルコキシシリル基、及びカルボニル基から選ばれる何れかであることを特徴とする請求項22に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法。
- 前記支持体を、イミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ガラス繊維含有エポキシ樹脂、紙フェノール樹脂、ベークライト、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、ポリエーテルエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルサルフォン樹脂、シクロオレフィン樹脂、シリコーンゴム、アルミニウム箔、銅箔又はニッケル箔で形成することを特徴とする請求項22に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法。
- 前記シリコーン樹脂は、シロキシ基繰返単位を4〜10とする低分子量ポリシロキサンを、そのシリコーン樹脂中で最大でも300ppmとすることを特徴とする請求項22に記載のシリコーン樹脂製反射基材の製造方法。
- 重合性シリコーン樹脂の原材料と、前記シリコーン樹脂の原材料を三次元架橋させる架橋剤と、前記シリコーン樹脂よりも高屈折率の白色無機フィラー粉末と、失活又は揮発するまで硬化反応を抑制する反応抑制剤と、反応性の官能基を有するシラン化合物又はシロキサン化合物からなる接着性付与成分とが混合されて分散されつつ含有され液状又はグリース状で粘性又は塑性のままの原材料組成物であって、請求項1に記載のシリコーン樹脂製反射基材を形成するために用いられる原材料組成物。
- 前記失活又は揮発するまで硬化反応を抑制する反応抑制剤が、メチルビニルシクロテトラシロキサン;3−メチル−1−ブチン−3−オール、3,5−ジメチル−1−へキシン−3−オール、3−メチル−1−ペンテン−3−オール、及びフェニルブチノ−ルから選ばれるアセチレンアルコール類;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、及び3,5−ジメチル−1−へキシン−3−インから選ばれるアセチレン化合物;これらのアセチレン化合物と、アルコキシシラン、アルコキシシロキサン、ハイドロジェンシラン、又はハイドロジェンシロキサンとを反応させたシロキサン変性アセチレンアルコール類;ベンゾトリアゾールである窒素含有有機化合物;有機リン化合物;オキシム化合物;又は有機クロム化合物であることを特徴とする請求項30に記載の原材料組成物。
- 粘度調整のための有機溶剤及び/又は反応性希釈剤が含まれていることを特徴とする請求項30に記載の原材料組成物。
- 前記反応性の官能基が、ビニル基、フェニル基、アルコキシ基、エポキシ環含有基、(メタ)アクリロイル基、アルコキシシリル基、及びカルボニル基から選ばれる何れかであることを特徴とする請求項30に記載の原材料組成物。
- 前記重合性シリコーン樹脂の原材料には、それが三次元架橋したシリコーン樹脂中でシロキシ基繰返単位を4〜10とする低分子量ポリシロキサンを最大でも300ppmとなるように、前記低分子量ポリシロキサンを含んでいることを特徴とする請求項30に記載の原材料組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012506781A JP5519774B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-12-24 | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010065888 | 2010-03-23 | ||
| JP2010065888 | 2010-03-23 | ||
| PCT/JP2010/073445 WO2011118108A1 (ja) | 2010-03-23 | 2010-12-24 | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2012506781A JP5519774B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-12-24 | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014077292A Division JP5836420B2 (ja) | 2010-03-23 | 2014-04-03 | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2011118108A1 JPWO2011118108A1 (ja) | 2013-07-04 |
| JP5519774B2 true JP5519774B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=44672691
Family Applications (7)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012506782A Active JP6157118B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-12-24 | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2012506781A Active JP5519774B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-12-24 | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2011064492A Active JP5770502B2 (ja) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | 反射材 |
| JP2014077292A Active JP5836420B2 (ja) | 2010-03-23 | 2014-04-03 | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2017062562A Active JP6363756B2 (ja) | 2010-03-23 | 2017-03-28 | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2018123430A Active JP6581695B2 (ja) | 2010-03-23 | 2018-06-28 | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2019156646A Active JP6717512B2 (ja) | 2010-03-23 | 2019-08-29 | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012506782A Active JP6157118B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-12-24 | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
Family Applications After (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011064492A Active JP5770502B2 (ja) | 2010-03-23 | 2011-03-23 | 反射材 |
| JP2014077292A Active JP5836420B2 (ja) | 2010-03-23 | 2014-04-03 | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2017062562A Active JP6363756B2 (ja) | 2010-03-23 | 2017-03-28 | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2018123430A Active JP6581695B2 (ja) | 2010-03-23 | 2018-06-28 | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2019156646A Active JP6717512B2 (ja) | 2010-03-23 | 2019-08-29 | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9574050B2 (ja) |
| EP (2) | EP3490015A1 (ja) |
| JP (7) | JP6157118B2 (ja) |
| KR (2) | KR101853598B1 (ja) |
| CN (2) | CN106025053B (ja) |
| WO (2) | WO2011118108A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101788381B1 (ko) * | 2015-06-18 | 2017-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치 |
Families Citing this family (193)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG183402A1 (en) * | 2010-02-19 | 2012-09-27 | Toray Industries | Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, led package, light -emitting device, and process for production of led-mounted substrate |
| WO2012078617A1 (en) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Dow Corning Corporation | Siloxane compositions including titanium dioxide nanoparticles suitable for forming encapsulants |
| KR101967623B1 (ko) | 2010-12-13 | 2019-04-10 | 도레이 카부시키가이샤 | 형광체 시트, 이것을 사용한 led 및 발광 장치, 그리고 led의 제조 방법 |
| JP5274586B2 (ja) | 2011-01-17 | 2013-08-28 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | フレキシブル回路基板 |
| US9232634B2 (en) | 2011-01-17 | 2016-01-05 | Canon Components, Inc. | Flexible circuit board for mounting light emitting element, illumination apparatus, and vehicle lighting apparatus |
| JP2013157592A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-08-15 | Canon Components Inc | 発光素子実装用フレキシブル回路基板 |
| GB2491209B (en) * | 2011-05-27 | 2013-08-21 | Renewable Energy Corp Asa | Solar cell and method for producing same |
| JP5764423B2 (ja) * | 2011-08-02 | 2015-08-19 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレームまたは光半導体装置用基板、ならびに光半導体装置 |
| JP5897862B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2016-04-06 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN103115282A (zh) * | 2011-11-16 | 2013-05-22 | 苏州通亮照明科技有限公司 | 一种背光模组及用于背光模组上的扩散构件 |
| US10115862B2 (en) | 2011-12-27 | 2018-10-30 | eLux Inc. | Fluidic assembly top-contact LED disk |
| JP2013157341A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-08-15 | Canon Components Inc | Led照明装置 |
| US9334573B2 (en) * | 2012-01-16 | 2016-05-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Layered silicate silver surface treatment agent, sulfidation prevention film and light-emitting device with treated silver layer |
| JP5948890B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-07-06 | 住友電気工業株式会社 | 集光型太陽光発電モジュール、集光型太陽光発電パネル、及び、集光型太陽光発電モジュール用フレキシブルプリント配線板 |
| SG11201404414SA (en) * | 2012-02-10 | 2014-08-28 | Univ Texas | Anhydride copolymer top coats for orientation control of thin film block copolymers |
| JP2013175528A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP5926986B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2016-05-25 | 株式会社朝日ラバー | 回路付白色反射シートロール、及びその製造方法 |
| EP2717331A4 (en) * | 2012-03-29 | 2015-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | COLLECTOR PLATE FOR A SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE WITH A COLLECTOR FILM FOR A SOLAR CELL |
| KR20130111155A (ko) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| US20130273259A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Mélanie Emilie Céline Depardieu | Marking coating |
| JP2013226769A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-07 | Asahi Rubber Inc | 白色反射膜付基材、それを用いた白色反射膜付カバーレイシート及び白色反射膜付回路基板 |
| JP5234209B1 (ja) * | 2012-07-20 | 2013-07-10 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 太陽電池封止材用樹脂組成物 |
| US20140043814A1 (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-13 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light emitting module and lighting system |
| JP2014053582A (ja) * | 2012-08-07 | 2014-03-20 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール及び照明装置 |
| JP6060578B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2017-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US9203002B2 (en) * | 2012-10-19 | 2015-12-01 | Osram Sylvania Inc. | Ultraviolet reflective silicone compositions, reflectors, and light sources incorporating the same |
| JP2014095038A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射材用組成物及びこれを用いた光半導体発光装置 |
| JP6363618B2 (ja) | 2012-12-27 | 2018-07-25 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | 優れた反射率及び難燃性を有する物品を形成するための組成物、並びにそれらから形成された物品 |
| WO2014109293A1 (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-17 | コニカミノルタ株式会社 | Led装置およびその製造に用いられる塗布液 |
| JP6105966B2 (ja) * | 2013-02-15 | 2017-03-29 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
| TWI616489B (zh) * | 2013-02-18 | 2018-03-01 | 永信新材料有限公司 | 可應用於發光二極體元件之聚矽氧烷組合物、基座配方及其發光二極體元件 |
| CN104955905B (zh) | 2013-02-27 | 2017-11-28 | 株式会社朝日橡胶 | 白色反射膜用油墨、粉体涂料、白色反射膜及其制造方法、光源支架及照明器具遮光罩 |
| US9115870B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Cree, Inc. | LED lamp and hybrid reflector |
| KR102174540B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2020-11-05 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | 알칼리 토금속을 포함하는 아릴 기-함유 실록산 조성물 |
| US9695321B2 (en) * | 2013-06-06 | 2017-07-04 | Philips Lighting Holding B.V. | Reflective composition |
| TW201509524A (zh) | 2013-07-05 | 2015-03-16 | Nitto Denko Corp | 光觸媒片材 |
| JP6301602B2 (ja) * | 2013-07-22 | 2018-03-28 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
| ES2808376T3 (es) * | 2013-09-04 | 2021-02-26 | Softpv Inc | Célula solar con placa de circuito impreso |
| US9666733B2 (en) | 2013-09-04 | 2017-05-30 | Hyeon Woo AHN | Solar cell using printed circuit board |
| JP6352613B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2018-07-04 | 帝人フィルムソリューション株式会社 | 白色反射フィルム |
| JP5954295B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2016-07-20 | 住友電気工業株式会社 | フラットケーブルとその製造方法 |
| US20160279437A1 (en) * | 2013-11-12 | 2016-09-29 | Peachtech Co., Ltd. | Led pad, method for manufacturing the same and personal treatment apparatus comprising the same |
| JP6244857B2 (ja) * | 2013-11-26 | 2017-12-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN104730606A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光反射片及其制造方法 |
| CN104804660B (zh) * | 2014-01-23 | 2017-03-15 | 台虹科技股份有限公司 | 具耐高温性及高反射率的印刷电路板用覆盖保护胶片 |
| JP2015138704A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 発光素子モジュール |
| JP6332787B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2018-05-30 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | カバーレイ及びプリント配線板 |
| CN106029333B (zh) * | 2014-02-24 | 2018-06-12 | 英派尔科技开发有限公司 | 增加的三维打印物品的层间粘附性 |
| US10743412B2 (en) * | 2014-02-27 | 2020-08-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Substrate and semiconductor apparatus |
| JP5702482B2 (ja) * | 2014-03-05 | 2015-04-15 | 帝人デュポンフィルム株式会社 | 白色反射フィルム |
| EP2916628A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-09 | Taiflex Scientific Co., Ltd. | Cover layer with high thermal resistance and high reflectivity for a printed circuit board |
| US20150257296A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-10 | Taiflex Scientific Co., Ltd. | Cover layer with high thermal resistance and high reflectivity for a printed circuit board |
| TWI647598B (zh) * | 2014-03-07 | 2019-01-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 帶有裝飾材料的基板及其製造方法、觸控面板及資訊顯示裝置 |
| CN103895615A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-07-02 | 金少青 | 一种汽车大灯翻新工艺 |
| FR3019314B1 (fr) * | 2014-03-28 | 2017-08-11 | Gaggione Sas | Collimateur de lumiere |
| WO2015147294A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 日産化学工業株式会社 | 表面粗化方法 |
| US9671085B2 (en) | 2014-04-22 | 2017-06-06 | Dow Corning Corporation | Reflector for an LED light source |
| JP2015216353A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-12-03 | 日東電工株式会社 | 波長変換接合部材、波長変換放熱部材および発光装置 |
| EP3142159B1 (en) | 2014-05-09 | 2018-10-24 | Kyocera Corporation | Substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device |
| CN106463594A (zh) * | 2014-05-15 | 2017-02-22 | 3M创新有限公司 | 反射基板上的柔性电路 |
| CN105322433B (zh) * | 2014-05-28 | 2020-02-04 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 波长转换装置及其相关发光装置 |
| JP6484972B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2019-03-20 | 大日本印刷株式会社 | 発光部品が実装された実装基板、および発光部品が実装される配線基板 |
| JP2016009689A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 実装基板の製造方法および実装基板 |
| JP2016009690A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 実装基板および実装基板の製造方法 |
| US9356185B2 (en) | 2014-06-20 | 2016-05-31 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Compact light sensing modules including reflective surfaces to enhance light collection and/or emission, and methods of fabricating such modules |
| RU2571176C1 (ru) * | 2014-07-14 | 2015-12-20 | Гиа Маргович Гвичия | Светодиодная матрица |
| JP6425945B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2018-11-21 | 東洋アルミニウム株式会社 | インターコネクタ用光拡散部材及びこれを備える太陽電池用インターコネクタ、並びに太陽電池モジュール |
| JP6634668B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2020-01-22 | 大日本印刷株式会社 | 実装基板の製造方法および実装基板 |
| JP6579419B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2019-09-25 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板および実装基板 |
| WO2016038836A1 (ja) * | 2014-09-10 | 2016-03-17 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
| JP6378020B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-08-22 | 株式会社T&K Toka | 積層シート |
| KR20160038568A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | (주)포인트엔지니어링 | 복수의 곡면 캐비티를 포함하는 칩 기판 |
| WO2016065505A1 (en) * | 2014-10-27 | 2016-05-06 | Ablestik (Shanghai) Ltd. | A method for manufacturing an optical semiconductor device and a silicone resin composition therefor |
| CN105732118B (zh) * | 2014-12-11 | 2020-03-24 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 漫反射材料、漫反射层、波长转换装置以及光源系统 |
| KR101640588B1 (ko) * | 2015-01-13 | 2016-07-19 | 주식회사 베이스 | 광균일도가 우수한 led용 색변환 유리 |
| DE102015001902A1 (de) * | 2015-02-18 | 2016-08-18 | Continental Reifen Deutschland Gmbh | Verfahren zur Verbesserung der Haftung zwischen einem Verstärkungselement und einem elastomeren Matrixmaterial |
| JP2016171199A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | イビデン株式会社 | 発光素子搭載基板 |
| KR102456796B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2022-10-21 | 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 | 경화성 수지 조성물, 드라이 필름, 경화물 및 프린트 배선판 |
| WO2016172290A1 (en) * | 2015-04-21 | 2016-10-27 | Salk Institute For Biological Studies | Methods of treating lipodystrophy using fgf-1 compounds |
| CN106206904B (zh) * | 2015-04-29 | 2019-05-03 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种波长转换装置、荧光色轮及发光装置 |
| JP6596920B2 (ja) | 2015-05-21 | 2019-10-30 | コニカミノルタ株式会社 | 音響レンズ、その製造方法、超音波探触子および超音波撮像装置 |
| JP7046608B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2022-04-04 | ヌシル テクノロジー エルエルシー | 高強度シリコーンエラストマー及びそのための組成物 |
| CN106317894B (zh) * | 2015-06-30 | 2019-03-29 | 比亚迪股份有限公司 | 有机硅组合物、反光涂层及其制备方法与包括其的光伏组件 |
| CN105086381B (zh) * | 2015-07-31 | 2017-04-26 | 深圳市兴盛迪新材料有限公司 | 聚对苯二甲酸丁二醇酯复合材料及其制备方法 |
| JP6237826B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法 |
| JP6718132B2 (ja) * | 2015-11-06 | 2020-07-08 | セイコーエプソン株式会社 | 三次元構造物の製造方法及びその製造装置 |
| JP2017088776A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、該組成物の製造方法、及び光学半導体装置 |
| KR102450574B1 (ko) | 2015-11-19 | 2022-10-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
| DE102016202103A1 (de) * | 2016-02-11 | 2017-08-17 | Osram Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Leuchtmoduls, Leuchtmodul sowie Verwendung eines Optikelements in einem Leuchtmodul |
| WO2017147311A1 (en) | 2016-02-23 | 2017-08-31 | Advanced Environmental Recycling Technologies, Inc. | Compositions and methods for reducing the surface temperature of composite articles |
| JP6566121B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-08-28 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法並びに光半導体装置 |
| JP6089144B1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-03-01 | 日本タングステン株式会社 | 銅張積層板およびその製造方法 |
| US10644210B2 (en) * | 2016-04-01 | 2020-05-05 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member |
| JP2017191839A (ja) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | 株式会社カネカ | 赤外led発光装置の半導体パッケージ用熱硬化性樹脂組成物、タブレット、半導体パッケージ、赤外led発光装置。 |
| CN107819047B (zh) * | 2016-05-13 | 2019-06-21 | 广东大粤新能源科技股份有限公司 | 一种新型太阳能光伏组件 |
| JP6658295B2 (ja) * | 2016-05-19 | 2020-03-04 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 止水用シリコーンゴム組成物、止水用シリコーンゴム成形体およびワイヤーハーネス |
| JP6680081B2 (ja) * | 2016-05-30 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6418200B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2018-11-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US10074626B2 (en) * | 2016-06-06 | 2018-09-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer laminate and making method |
| CN106085214B (zh) * | 2016-06-12 | 2019-01-11 | 上海宜瓷龙新材料股份有限公司 | 一种用于玻璃基太阳能背板的陶瓷涂料及其制备方法 |
| CN105949998B (zh) * | 2016-06-12 | 2018-12-04 | 上海宜瓷龙新材料股份有限公司 | 用于太阳能背板高反射率的陶瓷涂料及其制备方法 |
| US20200313049A1 (en) * | 2016-06-21 | 2020-10-01 | Soraa, Inc. | Light emitting diode package |
| CN107546301B (zh) * | 2016-06-29 | 2019-12-06 | 江西省晶能半导体有限公司 | 一种白胶、led灯珠及其的封装方法 |
| JP7065382B2 (ja) * | 2016-07-19 | 2022-05-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光反射体用成形材料及びその製造方法、光反射体、ベース体及びその製造方法、並びに発光装置 |
| KR102543179B1 (ko) * | 2016-08-22 | 2023-06-14 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 모듈 제조방법 |
| EP3511378A4 (en) * | 2016-09-07 | 2020-04-22 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | WAVELENGTH CONVERSION MATERIAL CONTAINING SILICONE RESIN COMPOSITION AND WAVELENGTH CONVERSION MATERIAL CONTAINER |
| US9837390B1 (en) * | 2016-11-07 | 2017-12-05 | Corning Incorporated | Systems and methods for creating fluidic assembly structures on a substrate |
| CN106542820A (zh) * | 2016-11-08 | 2017-03-29 | 泰州职业技术学院 | 一种用于降低沥青路面温度的红外热辐射功能降温粉体 |
| JP6536560B2 (ja) | 2016-12-27 | 2019-07-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| KR102475941B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2022-12-08 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 적층체, 실리콘 수지층이 부착된 지지 기재, 실리콘 수지층이 부착된 수지 기판, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
| CN106775167B (zh) * | 2017-01-13 | 2020-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控基板及其制备方法、显示装置 |
| DE102017101729A1 (de) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
| JP6867203B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2021-04-28 | 旭化成株式会社 | 硬化性組成物 |
| JP6867839B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2021-05-12 | 旭化成株式会社 | 硬化性組成物 |
| KR20190141668A (ko) * | 2017-04-19 | 2019-12-24 | 코베스트로 엘엘씨 | 반사 코팅 및 중합체 기재로의 그의 적용을 위한 금형내 방법 |
| US10153416B1 (en) * | 2017-05-23 | 2018-12-11 | Radiant Choice Limited | Package body and light emitting device using same |
| EP3637158A4 (en) * | 2017-06-06 | 2020-06-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wavelength converter and method of manufacture therefor, and light-emitting device using wavelength converter |
| JP6965040B2 (ja) | 2017-06-26 | 2021-11-10 | テクノUmg株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物並びにその樹脂成形品及び塗装加工品 |
| WO2019003775A1 (ja) * | 2017-06-29 | 2019-01-03 | 京セラ株式会社 | 回路基板およびこれを備える発光装置 |
| DE102017117150A1 (de) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| DE102017117441A1 (de) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| TWI633645B (zh) * | 2017-08-04 | 2018-08-21 | 鼎展電子股份有限公司 | 可撓性led元件與可撓性led顯示面板 |
| JP6988295B2 (ja) * | 2017-09-14 | 2022-01-05 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 照明装置及び該照明装置を備えた画像読取装置 |
| US11061278B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-07-13 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Wavelength conversion member, back light unit, image display device, resin composition for wavelength conversion, and resin cured product for wavelength conversion |
| US10897824B2 (en) * | 2017-10-30 | 2021-01-19 | Baker Hughes, A Ge Company, Llc | Encapsulation of downhole microelectronics and method the same |
| KR102542426B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2023-06-12 | 삼성전자주식회사 | 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치 |
| TWI642047B (zh) * | 2018-01-26 | 2018-11-21 | Flex Tek Co., Ltd. | 可撓性微發光二極體顯示模組 |
| CN110120623B (zh) * | 2018-02-05 | 2021-06-08 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 密封件及发光装置 |
| CN110299441A (zh) * | 2018-03-22 | 2019-10-01 | 中国科学院半导体研究所 | 可提高led出光效率的硅基反射圈、制备方法及led器件 |
| JP6992654B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-01-13 | Jnc株式会社 | 積層シート、放熱部品、発光デバイス、発光装置 |
| JP6680311B2 (ja) * | 2018-06-04 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および面発光光源 |
| KR102567653B1 (ko) * | 2018-06-11 | 2023-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| JP7206746B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2023-01-18 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 定着部材、定着装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
| CN111087819A (zh) * | 2018-10-23 | 2020-05-01 | 北京科化新材料科技有限公司 | 一种液体硅材料复合物及其制备方法和应用 |
| US20200163209A1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-05-21 | Wen Yao Chang | Circuit board with substrate made of silicone |
| WO2020111180A1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | デンカ株式会社 | 積層体 |
| KR20210098452A (ko) * | 2018-12-04 | 2021-08-10 | 하리마카세이 가부시기가이샤 | 하드 코트층 부가 몰드 수지 및 그의 제조 방법 |
| US12040436B2 (en) | 2018-12-27 | 2024-07-16 | Denka Company Limited | Phosphor substrate, light emitting substrate, and lighting device |
| CN113228316B (zh) | 2018-12-27 | 2025-01-10 | 电化株式会社 | 荧光体基板、发光基板以及照明装置 |
| EP3905348B1 (en) | 2018-12-27 | 2024-01-24 | Denka Company Limited | Light-emitting substrate, and lighting device |
| EP3905347B1 (en) | 2018-12-27 | 2024-02-21 | Denka Company Limited | Light-emitting substrate, and lighting device |
| US12027652B2 (en) | 2018-12-27 | 2024-07-02 | Denka Company Limited | Phosphor substrate, light emitting substrate, and lighting device |
| KR102127425B1 (ko) * | 2019-01-10 | 2020-06-26 | 미르텍알앤디 주식회사 | 마이크로 콘택트 핀 조립체 |
| CN109825212A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-05-31 | 昆山雅森电子材料科技有限公司 | Led用高反射性超薄覆盖膜及其制备方法 |
| JP7111041B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2022-08-02 | 信越化学工業株式会社 | 積層体の製造方法 |
| CN119846891B (zh) | 2019-04-19 | 2025-08-05 | 美题隆精密光学(上海)有限公司 | 用于波长转换装置的耐高温反射层 |
| KR102149426B1 (ko) * | 2019-05-13 | 2020-08-31 | 주식회사 레다즈 | 엘씨디 모듈 및 그 제조방법 |
| US11447659B2 (en) | 2019-06-24 | 2022-09-20 | The Johns Hopkins University | Low solar absorptance coatings |
| CN110469787A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-19 | 深圳市百柔新材料技术有限公司 | 一种可印制led背光板的制作方法 |
| KR102822401B1 (ko) * | 2019-09-05 | 2025-06-18 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 살균 모듈 |
| JP7121294B2 (ja) * | 2019-09-10 | 2022-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP7556871B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2024-09-26 | デンカ株式会社 | 放熱シート |
| CN110964323A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-04-07 | 安徽康宁油脂科技有限公司 | 一种高性能工业复合甘油及其制备方法 |
| JP7503288B2 (ja) * | 2019-11-11 | 2024-06-20 | 株式会社朝日ラバー | シリコーン樹脂製紫外線反射保護基材、その製造方法、及びそれに用いる原材料組成物 |
| WO2021117400A1 (ja) | 2019-12-11 | 2021-06-17 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置 |
| DE102019134728A1 (de) * | 2019-12-17 | 2021-06-17 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optische komponente, optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung einer optischen komponente |
| US11842944B2 (en) * | 2019-12-26 | 2023-12-12 | Intel Corporation | IC assemblies including die perimeter frames suitable for containing thermal interface materials |
| CN114762135B (zh) * | 2020-01-20 | 2025-04-15 | 冈本硝子株式会社 | 光阻墨水 |
| EP4097184B1 (en) | 2020-01-28 | 2024-07-03 | Cable Coatings Limited | Composition for coating an overhead conductor |
| WO2021166431A1 (ja) | 2020-02-18 | 2021-08-26 | 富士フイルム株式会社 | 光源ユニット、表示装置、及び光源ユニット製造装置 |
| JPWO2021166433A1 (ja) | 2020-02-18 | 2021-08-26 | ||
| US20210309313A1 (en) * | 2020-04-01 | 2021-10-07 | Strategic Sports Limited | Air valve reflector for a vehicle, and kit, wheel and bicycle containing |
| JP7078863B2 (ja) * | 2020-04-01 | 2022-06-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN111552166B (zh) * | 2020-04-03 | 2021-05-25 | 维沃移动通信有限公司 | 电子设备、交互方法及装置 |
| JP7337025B2 (ja) * | 2020-05-01 | 2023-09-01 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
| CN115516650A (zh) * | 2020-05-22 | 2022-12-23 | 东丽株式会社 | Led基板、叠层体及led基板的制造方法 |
| US12447673B2 (en) | 2020-06-04 | 2025-10-21 | Peridot Print Llc | Three-dimensional printing with organic dye radiation absorbers |
| JP7600579B2 (ja) * | 2020-09-11 | 2024-12-17 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
| US11865200B2 (en) | 2020-10-02 | 2024-01-09 | Michael E. Stein | Chemical composition and related methods |
| CN115702503A (zh) * | 2020-10-05 | 2023-02-14 | 株式会社朝日橡胶 | 紫外线led光学元件 |
| CN112251088B (zh) * | 2020-10-22 | 2022-03-11 | 重庆建谊祥科技有限公司 | 双氟处理液、制备方法及镁合金建筑模板表面处理方法 |
| CN112266571A (zh) * | 2020-10-26 | 2021-01-26 | 东莞市鑫聚光电科技股份有限公司 | 一种pdlc调光膜 |
| CN114843253A (zh) * | 2021-02-02 | 2022-08-02 | 光宝科技股份有限公司 | 发光装置 |
| US12073964B2 (en) * | 2021-02-09 | 2024-08-27 | Proterial, Ltd. | Laminate structure, cable and tube |
| JP7567533B2 (ja) * | 2021-02-09 | 2024-10-16 | 株式会社プロテリアル | 積層構造体、ケーブル及びチューブ |
| CN114958063B (zh) | 2021-02-25 | 2023-11-17 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 组合物、基板及反光层的制备方法 |
| US20240199842A1 (en) * | 2021-03-30 | 2024-06-20 | Asahi Rubber Inc. | Ultraviolet reflective material, method for producing same, and raw material composition therefor |
| CN113443487B (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-23 | 常州欣盛半导体技术股份有限公司 | Fpc烘烤箱用转向调节装置 |
| CN115212591B (zh) * | 2021-09-27 | 2023-09-29 | 江门市尚逸家居用品有限公司 | 一种拼图玩具组件 |
| CN114023899A (zh) * | 2021-10-25 | 2022-02-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN114137644B (zh) * | 2021-12-17 | 2025-12-23 | 东莞市光志光电有限公司 | 一种丙烯酸酯发泡反射片、其制备方法及背光模组 |
| JP2023173245A (ja) * | 2022-05-25 | 2023-12-07 | 北陽電機株式会社 | 反射ミラー部材、光電センサ、および光測距装置 |
| CN115248469B (zh) * | 2022-07-11 | 2023-09-12 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种长波红外宽波段吸收结构 |
| CN115407554A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-11-29 | 昆山锦林光电材料有限公司 | 一种小型led背光模组反光白胶封装结构 |
| CN115418164B (zh) * | 2022-09-16 | 2024-03-26 | 奥创特新(苏州)科技有限公司 | 一种高温热反射材料及其施工工艺 |
| TW202432449A (zh) * | 2022-10-18 | 2024-08-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 繞射光柵之形成方法 |
| JP2024090761A (ja) * | 2022-12-23 | 2024-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | 活性エネルギー線硬化型組成物、蓄光性硬化物の製造方法および蓄光性成形体 |
| US12396300B1 (en) * | 2023-01-11 | 2025-08-19 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| KR102718900B1 (ko) * | 2024-04-03 | 2024-10-17 | (주)에이원트래픽알앤디 | 플랙시블 라인형 led 바닥 신호등 제조방법 및 그 시공방법 |
| CN118991178A (zh) * | 2024-08-19 | 2024-11-22 | 嘉兴杰特新材料股份有限公司 | 一种热防护复合材料及其制备方法 |
| CN119586904B (zh) * | 2024-12-11 | 2026-01-20 | 珠海格力电器股份有限公司 | 面盖组件及其制作方法、烹饪器具 |
| CN120228892B (zh) * | 2025-05-29 | 2025-08-08 | 常州新达力塑料机械有限公司 | 一种单双面喷糙式土工膜喷糙设备 |
| CN121628164A (zh) * | 2026-01-15 | 2026-03-10 | 北京誉禾消防科技有限责任公司 | 一种可供光传播的高分子软体材料及其制备方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315654A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 発光ダイオードランプ |
| JP2006124600A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Teijin Chem Ltd | 光高反射性ポリカーボネート樹脂組成物およびその製造方法 |
| JP2006324623A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Yo Hifuku | 発光デバイス及びその製造方法 |
| WO2007074892A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Teijin Limited | 透明フィルム |
| JP2008135390A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | フレキシブル回路キャリアおよびフレキシブル反射体を利用する光源 |
| JP2008159713A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 発光装置 |
| JP2008251316A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2009129801A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板 |
| JP2009164275A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Asahi Rubber:Kk | シリコーン樹脂基材 |
| JP2009182149A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 |
Family Cites Families (78)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4087585A (en) * | 1977-05-23 | 1978-05-02 | Dow Corning Corporation | Self-adhering silicone compositions and preparations thereof |
| JPS61103931A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | シリコ−ンゴム成形体の製造方法 |
| US4544696A (en) * | 1984-10-29 | 1985-10-01 | Sws Silicones Corporation | Silicone elastomers having thermally conductive properties |
| JPS62223722A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Canon Inc | 光変調素子用材料 |
| JP3029680B2 (ja) * | 1991-01-29 | 2000-04-04 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | オルガノペンタシロキサンおよびその製造方法 |
| JPH06329803A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-11-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電気接点障害のないシリコーン製品 |
| JP2879773B2 (ja) * | 1993-05-31 | 1999-04-05 | 京セラ株式会社 | 画像装置及びその製造方法 |
| US5599894A (en) * | 1994-06-07 | 1997-02-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone gel compositions |
| JP3031184B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2000-04-10 | 株式会社コスモテック | シリコーンゴム粘着シート及びその製造方法 |
| JPH1077413A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 加熱硬化性シリコーンゴム組成物 |
| US6468638B2 (en) | 1999-03-16 | 2002-10-22 | Alien Technology Corporation | Web process interconnect in electronic assemblies |
| JP3704286B2 (ja) | 1999-11-17 | 2005-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 酸化チタン充填付加反応硬化型シリコーンゴム組成物及びその硬化物 |
| JP4735910B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2011-07-27 | Dic株式会社 | 水性インク組成物 |
| JP2002258020A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-09-11 | Three M Innovative Properties Co | 反射シート及び反射膜 |
| JP2002265901A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-18 | Fujimori Kogyo Co Ltd | 剥離シートの製造方法 |
| JP4101468B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US6632892B2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-10-14 | General Electric Company | Composition comprising silicone epoxy resin, hydroxyl compound, anhydride and curing catalyst |
| JP2003185813A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Mitsui Chemicals Inc | 反射体およびその用途 |
| JP4121874B2 (ja) | 2002-03-13 | 2008-07-23 | 日世株式会社 | 生分解性成形物の製造方法およびそれに用いる成形型 |
| JP4180844B2 (ja) | 2002-06-06 | 2008-11-12 | 昭和電工株式会社 | 硬化性難燃組成物、その硬化物及びその製造方法 |
| US6800373B2 (en) | 2002-10-07 | 2004-10-05 | General Electric Company | Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method |
| US7445769B2 (en) * | 2002-10-31 | 2008-11-04 | Cadbury Adams Usa Llc | Compositions for removing stains from dental surfaces and methods of making and using the same |
| JP4774201B2 (ja) | 2003-10-08 | 2011-09-14 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体及び半導体装置 |
| US7403008B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-07-22 | Cornell Research Foundation, Inc. | Electron spin resonance microscope for imaging with micron resolution |
| JP4803342B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2011-10-26 | 信越化学工業株式会社 | 耐擦傷性表面被膜形成用シリコーンコーティング組成物及びそれを用いた被覆物品 |
| JP4634810B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-02-16 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン封止型led |
| EP2955206A1 (en) * | 2005-01-24 | 2015-12-16 | Momentive Performance Materials Japan LLC | Silicone composition for sealing light emitting element, and light emitting device |
| AT501491B1 (de) * | 2005-02-18 | 2007-03-15 | Knorr Bremse Gmbh | Dichtungsprofil |
| JP4371234B2 (ja) | 2005-03-03 | 2009-11-25 | 信越化学工業株式会社 | フレキシブル金属箔ポリイミド積層板 |
| KR101207186B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2012-11-30 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 스크린 인쇄에 의해 형성된 실리콘 수지 층을 가진 발광장치 |
| JP4634856B2 (ja) | 2005-05-12 | 2011-02-16 | 利昌工業株式会社 | 白色プリプレグ、白色積層板、及び金属箔張り白色積層板 |
| JP2006343445A (ja) | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 光反射材及びその製造法 |
| CN101268559B (zh) * | 2005-08-04 | 2010-11-17 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法以及成形体及密封构件 |
| US7928457B2 (en) * | 2005-09-22 | 2011-04-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member |
| JP5066333B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2012-11-07 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置。 |
| US8017687B2 (en) * | 2005-11-15 | 2011-09-13 | Momentive Performance Materials Inc. | Swollen silicone composition and process of producing same |
| US7863361B2 (en) * | 2005-11-15 | 2011-01-04 | Momentive Performance Materials Inc. | Swollen silicone composition, process of producing same and products thereof |
| JP4518013B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2010-08-04 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| WO2007072659A1 (ja) | 2005-12-20 | 2007-06-28 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | 発光装置 |
| JP5364267B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2013-12-11 | 株式会社カネカ | 硬化性組成物 |
| JP5232369B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2013-07-10 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法 |
| JP2007270054A (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Jsr Corp | 金属酸化物微粒子含有ポリシロキサン組成物およびその製造方法 |
| US20090110917A1 (en) * | 2006-06-05 | 2009-04-30 | John Albaugh | Electronic Package and Method of Preparing Same |
| EP2056364A4 (en) * | 2006-08-11 | 2013-07-24 | Mitsubishi Chem Corp | ILLUMINATION DEVICE |
| EP2056277B1 (en) | 2006-08-22 | 2011-10-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Display element |
| EP2065931A4 (en) * | 2006-08-22 | 2013-02-27 | Mitsubishi Chem Corp | SEMICONDUCTOR ELEMENT ELEMENT, LIQUID TO FORM A SEMICONDUCTOR COMPONENT member, PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT link and FLUID TO FORM A SEMICONDUCTOR COMPONENT member USING THE METHOD, FLUORESCENT COMPOSITION, SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT, ILLUMINATION DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE |
| TW200821632A (en) * | 2006-08-23 | 2008-05-16 | Mitsui Chemicals Inc | Light reflector and light source having same |
| WO2008042056A1 (en) | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film and method of preparing same |
| JP2008143981A (ja) | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Three M Innovative Properties Co | 光反射性樹脂組成物、発光装置及び光学表示装置 |
| US20080144322A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Aizar Abdul Karim Norfidathul | LED Light Source Having Flexible Reflectors |
| JP2008187030A (ja) | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008222828A (ja) | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 凸レンズ形成用シリコーンゴム組成物及びそれを用いた光半導体装置 |
| JP2008225326A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 反射フィルム及び反射板 |
| JP4973279B2 (ja) | 2007-03-29 | 2012-07-11 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP4771179B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2011-09-14 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
| JP2009021394A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置 |
| JP2009046658A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-03-05 | Sony Corp | 硬化性樹脂材料−微粒子複合材料及びその製造方法、光学材料、並びに発光装置 |
| US20090032829A1 (en) | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Tong Fatt Chew | LED Light Source with Increased Thermal Conductivity |
| US7968899B2 (en) | 2007-08-27 | 2011-06-28 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | LED light source having improved resistance to thermal cycling |
| JP5315654B2 (ja) | 2007-09-20 | 2013-10-16 | 横浜ゴム株式会社 | 空気入りタイヤ |
| JP2009103915A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路フィルム及びその製造方法、並びに、光送受信モジュール |
| JP2009135485A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| US8017246B2 (en) * | 2007-11-08 | 2011-09-13 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device |
| JP4623322B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法 |
| JP2009173773A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Toshiba Corp | シリコーン樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2009224538A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009235279A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱伝導性成形体およびその製造方法 |
| JP2009244551A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像表示装置用表示粒子および画像表示装置 |
| JP5355030B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2013-11-27 | シチズンホールディングス株式会社 | Led光源及びled光源の色度調整方法 |
| JP4966915B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2012-07-04 | 株式会社タイカ | 熱伝導性シート、熱伝導性シート積層体及びその製造方法 |
| JP2009275196A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Sony Corp | 硬化性樹脂材料組成物、光学材料、発光装置及びその製造方法、並びに電子デバイス |
| JP2010004035A (ja) * | 2008-05-22 | 2010-01-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置、照明装置、および画像表示装置 |
| JP5289835B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2013-09-11 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| MY157832A (en) | 2008-12-03 | 2016-07-29 | Nippon Steel Corp | Coated metal material and method of production of same |
| JP2010232252A (ja) | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Unon Giken:Kk | 白色反射層を有するカバーレイフィルム |
| JP5230532B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2013-07-10 | 三菱樹脂株式会社 | 白色フィルム、金属積層体、led搭載用基板及び光源装置 |
| JP5332921B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2013-11-06 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
| KR20120123242A (ko) * | 2009-06-26 | 2012-11-08 | 가부시키가이샤 아사히 러버 | 백색 반사재 및 그 제조방법 |
-
2010
- 2010-12-24 JP JP2012506782A patent/JP6157118B2/ja active Active
- 2010-12-24 WO PCT/JP2010/073445 patent/WO2011118108A1/ja not_active Ceased
- 2010-12-24 EP EP19150557.7A patent/EP3490015A1/en active Pending
- 2010-12-24 CN CN201610312226.4A patent/CN106025053B/zh active Active
- 2010-12-24 JP JP2012506781A patent/JP5519774B2/ja active Active
- 2010-12-24 WO PCT/JP2010/073446 patent/WO2011118109A1/ja not_active Ceased
- 2010-12-24 KR KR1020177014956A patent/KR101853598B1/ko active Active
- 2010-12-24 US US13/636,963 patent/US9574050B2/en active Active
- 2010-12-24 KR KR1020127027662A patent/KR20130038847A/ko not_active Ceased
- 2010-12-24 CN CN201080065663.1A patent/CN102893417B/zh active Active
- 2010-12-24 EP EP10848500.4A patent/EP2551929A4/en not_active Ceased
-
2011
- 2011-03-23 JP JP2011064492A patent/JP5770502B2/ja active Active
-
2014
- 2014-04-03 JP JP2014077292A patent/JP5836420B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-05 US US15/399,058 patent/US10533094B2/en active Active
- 2017-03-28 JP JP2017062562A patent/JP6363756B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-28 JP JP2018123430A patent/JP6581695B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-29 JP JP2019156646A patent/JP6717512B2/ja active Active
- 2019-11-25 US US16/693,471 patent/US11326065B2/en active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315654A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 発光ダイオードランプ |
| JP2006124600A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Teijin Chem Ltd | 光高反射性ポリカーボネート樹脂組成物およびその製造方法 |
| JP2006324623A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Yo Hifuku | 発光デバイス及びその製造方法 |
| WO2007074892A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Teijin Limited | 透明フィルム |
| JP2008135390A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | フレキシブル回路キャリアおよびフレキシブル反射体を利用する光源 |
| JP2008159713A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 発光装置 |
| JP2008251316A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2009129801A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板 |
| JP2009164275A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Asahi Rubber:Kk | シリコーン樹脂基材 |
| JP2009182149A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101788381B1 (ko) * | 2015-06-18 | 2017-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3490015A1 (en) | 2019-05-29 |
| JP2018180551A (ja) | 2018-11-15 |
| HK1179048A1 (zh) | 2013-09-19 |
| JP2014129549A (ja) | 2014-07-10 |
| KR20130038847A (ko) | 2013-04-18 |
| US10533094B2 (en) | 2020-01-14 |
| CN106025053B (zh) | 2020-01-10 |
| US20130011617A1 (en) | 2013-01-10 |
| JP6717512B2 (ja) | 2020-07-01 |
| JP2020013142A (ja) | 2020-01-23 |
| EP2551929A1 (en) | 2013-01-30 |
| CN102893417B (zh) | 2016-06-15 |
| JP6363756B2 (ja) | 2018-07-25 |
| EP2551929A4 (en) | 2013-08-14 |
| JP6157118B2 (ja) | 2017-07-05 |
| US9574050B2 (en) | 2017-02-21 |
| JP5770502B2 (ja) | 2015-08-26 |
| WO2011118108A1 (ja) | 2011-09-29 |
| KR20170066684A (ko) | 2017-06-14 |
| JP2017124632A (ja) | 2017-07-20 |
| JP5836420B2 (ja) | 2015-12-24 |
| JP2011221518A (ja) | 2011-11-04 |
| JPWO2011118109A1 (ja) | 2013-07-04 |
| JP6581695B2 (ja) | 2019-09-25 |
| KR101853598B1 (ko) | 2018-04-30 |
| US11326065B2 (en) | 2022-05-10 |
| CN102893417A (zh) | 2013-01-23 |
| US20170114226A1 (en) | 2017-04-27 |
| CN106025053A (zh) | 2016-10-12 |
| US20200095430A1 (en) | 2020-03-26 |
| WO2011118109A1 (ja) | 2011-09-29 |
| JPWO2011118108A1 (ja) | 2013-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5519774B2 (ja) | シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物 | |
| JP5746620B2 (ja) | 白色反射材及びその製造方法 | |
| WO2022209840A1 (ja) | 紫外線反射材、その製造方法、及びそれの原材料組成物 | |
| JP7503288B2 (ja) | シリコーン樹脂製紫外線反射保護基材、その製造方法、及びそれに用いる原材料組成物 | |
| HK1179048B (en) | Silicone resin reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition used in reflective substrate | |
| HK1170849B (en) | White color reflecting material and process for production thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130524 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20130524 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20130611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130902 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140206 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140403 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5519774 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
