JP6144868B2 - フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法 - Google Patents

フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに関する。フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体チップ等の半導体素子の裏面の保護と、強度向上等のために用いられる。また本発明は、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法及びフリップチップ実装の半導体装置に関する。
近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。当該フリップチップ接続は半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置等では、半導体チップの裏面を保護フィルムにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある（例えば、特許文献１〜１０参照）。
また、近年、半導体装置の微細化、高機能化の要求に対応すべく、半導体素子の回路面の全域に配置された電源ラインの配線幅や信号ライン間の間隔が狭くなってきている。この為、インピーダンスの増加や、異種ノードの信号ライン間での信号の干渉が生じ、半導体チップの動作速度、動作電圧余裕度、耐静電破壊強度等に於いて、十分な性能の発揮を阻害する要因となっている。
従来、上記の問題を解決する為、半導体チップを積層したパッケージ構造が提案されている（例えば、特許文献１１及び特許文献１２参照）。
一方、近年の電子部品の多様化に伴い、半導体チップから放出される電磁波（ノイズ）の周波数領域も様々となっており、前記のパッケージ構造のように半導体素子を積層した場合、１の半導体チップから放出される電磁波が、他の半導体チップ、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に悪影響を及ぼす可能性がある。
特許文献１３には、電気絶縁層とフェライト層とから成る積層体の最外方の両面に粘着層を有する半導体素子接着用電磁波遮断シートが開示されている。また、特許文献３には、当該半導体素子接着用電磁波遮断シートにより、電気信号の漏洩をフェライト層の磁気損失特性によって減衰させることが記載されている。
また、特許文献１４には、ダイパッドと半導体チップの裏面との間に第１磁気シールド材が配置され、前記半導体チップの回路面上に第２磁気シールド材が配置された半導体装置が開示されている。また、特許文献４には、前記半導体装置は、外部磁界に対する耐性が向上していることが記載されている。
特開２００８−１６６４５１号公報 特開２００８−００６３８６号公報 特開２００７−２６１０３５号公報 特開２００７−２５０９７０号公報 特開２００７−１５８０２６号公報 特開２００４−２２１１６９号公報 特開２００４−２１４２８８号公報 特開２００４−１４２４３０号公報 特開２００４−０７２１０８号公報 特開２００４−０６３５５１号公報 特開昭５５−１１１１５１号公報 特開２００２−２６１２３３号公報 特許第４１３３３６３７号公報 特開２０１０−１５３７６０号公報
しかしながら、特許文献１３の半導体素子接着用電磁波遮断シートは、半導体素子と基板との間に設けられるものであり、半導体素子の基板とは反対側の面に設けるものではない。そのため、半導体素子の基板とは反対側の面から放出される電磁波を低減させることはできない。
また、特許文献１４の半導体装置は、半導体ウエハの裏面に接着性を有する第１フィルム材を貼り付け、次に、前記第１フィルム剤を介して第１磁気シールド材を貼り付け、その次に、前記第１磁気シールド材の裏面に接着性を有する第２フィルム材を貼り付ける工程を経て製造される。しかしながら、このような製造工程であると、従来の半導体装置の製造に比べて、第１磁気シールド材を貼り付ける工程や第２フィルム材を貼り付ける工程が追加されており、製造工程数が増大しているため、生産性に欠けるといった問題があった。
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法について検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、被着体上にフリップチップ接続される半導体素子の裏面に電磁波シールド層を設けることができ、かつ、当該電磁波シールド層を有する半導体装置を、生産性を低下させることなく製造できることを見出して本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、接着剤層と、電磁波シールド層とを有することを特徴とする。
フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続される半導体素子の裏面に貼り付けられるものである。従って、前記構成によれば、フリップチップ型半導体装置が備える半導体素子の裏面（被着体とは反対側の面）に電磁波シールド層を設けることができる。その結果、半導体素子の裏面（被着体とは反対側の面）から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することができる。また、本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、接着剤層と、電磁波シールド層とを有しており、これを半導体素子の裏面に貼り付ければよい。すなわち、半導体素子の裏面に接着剤層を形成し、次に、電磁波シールド層を形成するといったように多段階の工程を必要とせず、一段階の工程で半導体素子の裏面に電磁波シールド層を設けることができる。その結果、製造工程の増大を極力抑えることができる。
また、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、前記に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルムが、ダイシングテープ上に積層されたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、前記ダイシングテープは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されていることを特徴とする。
前記構成のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、ダイシングテープとフリップチップ型半導体裏面用フィルムが一体的に形成されているので、半導体ウエハをダイシングして半導体素子を作製するダイシング工程やその後のピックアップ工程にも供することができる。即ち、ダイシング工程の前にダイシングテープを半導体ウエハ裏面に貼着させる際に、前記半導体裏面用フィルムも貼着させることができるので、半導体裏面用フィルムのみを貼着させる工程（半導体裏面用フィルム貼着工程）を必要としない。その結果、工程数の低減が図れる。しかも、半導体ウエハや、ダイシングにより形成された半導体素子の裏面を半導体裏面用フィルムが保護するので、ダイシング工程やそれ以降の工程（ピックアップ工程など）において、当該半導体素子の損傷を低減又は防止することができる。その結果、フリップチップ型半導体装置の製造歩留まりの向上が図れる。
また、本発明に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法は、前記に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法であって、接着剤層を形成する工程と、電磁波シールド層を前記接着剤層上に形成する工程とを具備することを特徴とする。
前記構成により製造されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、電磁波シールド層を有しているため、半導体装置を製造する際には、電磁波シールド層を形成する工程を追加する必要がない。すなわち、半導体素子の裏面に接着剤層を形成し、次に、電磁波シールド層を形成するといったように多段階の工程を必要とせず、一段階の工程で半導体素子の裏面に電磁波シールド層を設けることができる。その結果、製造工程の増大を極力抑えることができる。
また、本発明に係る半導体装置は、前記課題を解決するために、前記に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルムを有することを特徴とする。
本発明の一実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムを示す断面模式図である。 本発明の一実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。 本発明の一実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面模式図である。 実施例１に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例２に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例３に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例４に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例５に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例６に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 比較例１に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 比較例２に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。
（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）
まず、本発明の一実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルム（以下、「半導体裏面用フィルム」という場合がある）について、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムを示す断面模式図であり、図２は、他の実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムを示す断面模式図である。図１に示すように、半導体裏面用フィルム４０は、接着剤層３０上に電磁波シールド層３１が積層された構成を有する。また、本発明に係る半導体裏面用フィルムは、図２に示す半導体裏面用フィルム４１のように、電磁波シールド層３１上にさらに接着剤層３２が積層された構成であってもよい。さらに、本発明に係る半導体裏面用フィルムは、接着剤層と電磁波シールド層とを有していれば、半導体裏面用フィルム４０、半導体裏面用フィルム４１に限定されず、例えば、接着剤層及び電磁波シールド層以外の他の層を有するものであってもよい。
電磁波シールド層３１としては、導電層、誘電体層、磁性体層を挙げることができる。前記導電層としては、無機導電材料や有機導電材料を有する層を挙げることができる。前記無機導電材料としては、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Ra, Be, Mg, Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Ti, Zr, Sn, Hf, Pb, Th, Fe, Co, N, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, U, Mn, Re, Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Ptからなる群より選択される少なくとも１以上の金属元素、前記金属元素の酸化物、前記金属元素の合金等を挙げることができる。前記有機導電材料としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリピロール等を挙げることができる。前記有機導電材料は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、前記無機導電材料と前記有機導電材料とを併用して用いることができる。前記導電層は、金属箔や蒸着膜のように導電材料のみからなる層であってもよく、前記無機導電材料や有機導電材料が樹脂に配合された層であってもよい。前記導電層のなかでも、導電率が10×101〜10×107S/mの範囲にあるものが好ましく、5×102〜5×107S/mの範囲にあるものがより好ましく、10×102〜1×107S/mの範囲にあるものがさらに好ましい。前記導電層は、反射損失により電磁波を減衰させることができる。金属箔とは、前記無機導電材料からなるものをいい、例えば、前記無機導電材料を薄く（例えば、0.1〜100μｍ程度）伸ばして製造されるものをいう。
前記誘電体層に用いる材料としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフオン、ポリ塩化ビニル、エポキシ等の合成樹脂や、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム（ＮＢＲ）、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴム、シリコンゴム等の各種合成ゴム材料を挙げることができる。また、これらの樹脂に、カーボン、酸化チタン、アルミナ、チタン酸バリウム、ロッシェル塩等の無機材料を添加したものを挙げることができる。前記誘電体層のなかでも、比誘電率が１．０〜４０００の範囲にあるものが好ましく、１．０〜１０００の範囲にあるものがより好ましく、１．０〜１００の範囲にあるものがさらに好ましい。前記誘電体層は、誘電損失により電磁波を減衰させることができる。
前記磁性体層に用いる磁性粒子としては、特に限定されないが、ヘマタイト（Ｆｅ２Ｏ３）、マグネタイト（Ｆｅ３Ｏ４）、さらに一般式：ＭＦｅ２Ｏ４や、ＭＯ・ｎＦｅ２Ｏ３（両式中、Ｍは２価の金属粒子であり、Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｂａ，Ｍｇ等があげられる。また、ｎは正数である。そして、Ｍは繰り返し時において同種であってもよく異種であってもよい）で表される各種フェライト、ケイ素鋼粉、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、Ｃｏ基アモルファス合金、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、アルパーム、スーパーマロイ、ミューメタル、パーメンター、パーミンバー等の各種金属粉やその合金粉、磁性粉等を用いることができる。また、日立金属（株）社製のｆｉｎｅｍｅｔ（登録商標）を用いることができる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。前記磁性体層は、前記磁性粒子が樹脂に配合された層とすることができる。前記磁性体層は、磁性損失により電磁波を減衰させることができる。また、電磁波シールド層３１として、導電材料（前記有機導電材料、前記無機導電材料）と、前記磁性粒子とを配合した層とすることにより、より電磁波遮断効果を発揮させることができる。
電磁波シールド層３１の厚さは、特に限定されず、０．００１〜１００００μｍの範囲内から選択することができ、好ましくは０．００５〜９００μｍ、より好ましくは０．０１〜８００μｍである。ただし、電磁波シールド層３１の厚さは、誘電体層又は磁性体層により、電磁波シールド特性を持たせる場合には、シールドする電磁波の周波数に応じて厚さは異なる。一般的には、シールドする電磁波の波長（λ）の１／４以上が好ましい。
半導体裏面用フィルム４０、４１は、半導体裏面用フィルム４０、４１を透過した電磁波の減衰量が、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、３ｄＢ以上であることが好ましい。前記周波数領域は、８０ＭＨｚ〜１９ＧＨｚの範囲であることがより好ましく、１００ＭＨｚ〜１８ＧＨｚの範囲であることがさらに好ましい。また、前記減衰量は、４ｄＢ以上であることがより好ましく、５ｄＢ以上であることがさらに好ましい。半導体裏面用フィルム４０、４１を透過した電磁波の減衰量が、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚという比較的高い周波数領域の少なくとも一部において３ｄＢ以上であると、電磁波がより効率的に遮断される。従って、１の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることをより低減することができる。
接着剤層３０と電磁波シールド層３１との１８０度ピール強度、及び、接着剤層３２と電磁波シールド層３１との１８０度ピール強度は、０．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは、０．８Ｎ／１０ｍｍ以上であり、さらに好ましくは、１．０Ｎ／１０ｍｍ以上である。前記１８０度ピール強度を０．５Ｎ／１０ｍｍ以上とすることにより、層間剥離が起こりに難くなり、歩留りの向上を図ることができる。
前記１８０度ピール強度は、以下のようにして測定することができる。まず、接着剤層を粘着テープ（日東電工（株）製、BT-３１５）で裏打ちし、１０×１００ｍｍに切り出す。次に、電磁波シールド層を粘着テープ（日東電工（株）製、BT-３１５）で裏打ちし、１０×１００ｍｍに切り出す。そして、切り出した接着剤層と電磁波シールド層とをラミネーター（ＭＣＫ製、ＭＲＫ−６００）を用い、５０℃、０．５ＭＰａ、１０ｍｍ／秒の条件下にて貼り合せる。その後、常温（２５℃）環境下で２０分放置し、試験片を得る。次いで、接着剤層と電磁波シールドとの１８０度剥離力を、引張試験機（島津製作所製、ＡＧＳ−Ｊ）を用いて測定する。
接着剤層３０、３２は、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されており、少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることが好ましい。
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。
また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
本発明では、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
接着剤層３０、３２としては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成物や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好適である。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。
また、接着剤層３０、３２を構成する接着剤組成物としては、上述したように、ポリイミド樹脂を、熱硬化性ポリイミド樹脂、又は、熱可塑性ポリイミド樹脂として他の樹脂と共に用いる他、単体で用いることもできる。ポリイミド樹脂は、一般的にその前駆体であるポリアミド酸を脱水縮合（イミド化）して得られる耐熱性樹脂である。ポリアミド酸は、ジアミン成分と酸無水物成分とを実質的に等モル比にて適宜の有機溶媒中で反応させて得ることができる。
上記ジアミンとしては、例えば、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、1,8-ジアミノオクタン、1,10-ジアミノデカン、1,12-ジアミノドデカン、4,9-ジオキサ-1,12-ジアミノドデカン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン（α、ω-ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）等が挙げられる。脂肪族ジアミンの分子量は、通常50から1,000,000、好ましくは100から30,000である。
上記芳香族ジアミンとしては、例えば、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)-2,2-ジメチルプロパン、4,4’-ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。
上記酸無水物としては、種々のものを用いることができるが、例えば、テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。上記テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、3，3'，4，4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2，2'，3，3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3，3'，4，4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2，2'，3，3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4，4'-オキシジフタル酸二無水物、2，2-ビス（2，3-ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、2，2-ビス（3，4-ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（6ＦＤＡ）、ビス（2，3-ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（3，4-ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（2，3-ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（3，4-ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
上記ジアミンと上記酸無水物とを反応させる溶剤としては、特に制限されないが、例えば、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等が挙げられる。これらは、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレンなどといった非極性の溶剤と適宜、混合して用いることができる。
ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等が挙げられる。なかでも、加熱イミド化法が好ましく、加熱温度は150℃以上が好ましい。また、加熱イミド化法においては、樹脂の酸化劣化を防ぐため、窒素雰囲気下や真空中など不活性な雰囲気下で処理することが好ましい。これにより、樹脂中に残った揮発成分を完全に除去することができる。
上記テトラカルボン酸二無水物と上記ジアミンとを反応させる場合において、特にブタジエンアクリロニトリル共重合体骨格含むジアミンを用いる場合には、100℃以上の温度で反応させることが好ましい。これにより、ゲル化を防止することができる。
接着剤層３０は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。接着剤層３０は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる。接着剤層３０を予めある程度架橋させておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。
なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分（特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体）１００重量部に対し、通常７重量部以下（例えば、０．０５重量部〜７重量部）とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分１００重量部に対して７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分１００重量部に対して０．０５重量部以上であることが好ましい。
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
半導体裏面用フィルム４０において、接着剤層３０は着色されていることが好ましい。
また、半導体裏面用フィルム４１において、接着剤層３０及び接着剤層３２の少なくとも一方は着色されていることが好ましい。これにより、半導体裏面用フィルム４０、４１は、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルムは、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルムを介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。また、半導体裏面用フィルムは着色されているので、ダイシングテープと、半導体裏面用フィルムとを、容易に区別することができ、作業性等を向上させることができる。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けすることも可能である。半導体裏面用フィルムを有色にする場合（無色・透明ではない場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。
本実施の形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。
また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、例えば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０又はほぼ０）であることが好適である。
なお、本実施の形態において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳＺ ８７２９に規定されている。
接着剤層３０、３２を着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。
特に、色材として染料を用いると、接着剤層３０、３２中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な半導体裏面用フィルム４０、４１（ひいてはダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１）を容易に製造することができる。そのため、色材として染料を用いると、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、着色濃度を均一又はほぼ均一とすることができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。
黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。
具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。
本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。
このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ５９０５」（オリエント化学工業株式会社製）などが市販されている。
黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。
また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８などが挙げられる。
マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。
また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。
シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。
接着剤層３０、３２を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。例えば、接着剤層３０、３２は、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよい。また、少なくとも熱硬化性樹脂により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なくとも積層された積層フィルムであってもよい。なお、接着剤層３０、３２が樹脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の接着剤層３０、３２としては、樹脂層／着色剤層／樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合、着色剤層の両側の２つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の樹脂層であってもよい。
接着剤層３０、３２には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
前記充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、接着剤層３０、３２に導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、接着剤層３０、３２としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
前記充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対して８０重量部以下（０重量部〜８０重量部）であることが好ましく、特に０重量部〜７０重量部であることが好適である。
また、前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
接着剤層３０、３２は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じてアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。
なお、接着剤層３０、３２が、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、接着剤層３０、３２は、半導体ウエハに適用する前の段階では、熱硬化性樹脂が未硬化又は部分硬化の状態である。この場合、半導体ウエハに適用後に（具体的には、通常、フリップチップボンディング工程で封止材をキュアする際に）、接着剤層３０、３２中の熱硬化性樹脂を完全に又はほぼ完全に硬化させる。
このように、接着剤層３０、３２は、熱硬化性樹脂を含んでいても、該熱硬化性樹脂は未硬化又は部分硬化の状態であるため、接着剤層３０、３２のゲル分率としては、特に制限されないが、例えば、５０重量％以下（０重量％〜５０重量％）の範囲より適宜選択することができ、好ましくは３０重量％以下（０重量％〜３０重量％）であり、特に１０重量％以下（０重量％〜１０重量％）であることが好適である。接着剤層のゲル分率の測定方法は、以下の測定方法により測定することができる。
＜ゲル分率の測定方法＞
接着剤層から約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量）、該サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌのトルエン中に室温で１週間浸漬させる。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）をトルエンから取り出し、１３０℃で約２時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、下記式（ａ）よりゲル分率（重量％）を算出する。
ゲル分率（重量％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００ （ａ）
なお、接着剤層のゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることができる。
本発明において、接着剤層は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されたフィルム状物である場合、半導体ウエハに対する密着性を有効に発揮することができる。
半導体裏面用フィルム４０、４１の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上（例えば、１ＧＰａ〜５０ＧＰａ）であることが好ましく、より好ましくは２ＧＰａ以上であり、特に３ＧＰａ以上であることが好適である。前記引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であると、半導体チップを半導体裏面用フィルム４０、４１と共に、ダイシングテープの粘着剤層２２から剥離させた後、半導体裏面用フィルム４０、４１を支持体上に載置して、輸送等を行った際に、半導体裏面用フィルムが支持体に貼着するのを有効に抑制又は防止することができる。尚、前記支持体は、例えば、キャリアテープにおけるトップテープやボトムテープなどをいう。
半導体裏面用フィルムの未硬化状態における前記引張貯蔵弾性率（２３℃）は、樹脂成分（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂）の種類やその含有量、シリカフィラー等の充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。
なお、接着剤層３０、３２は、複数の層が積層された積層フィルムである場合（半導体裏面用フィルムが積層の形態を有している場合）、その積層形態としては、例えば、ウエハ接着層とレーザーマーク層とからなる積層形態などを例示することができる。また、このようなウエハ接着層とレーザーマーク層との間には、他の層（中間層、光線遮断層、補強層、着色層、基材層、電磁波遮断層、熱伝導層、粘着層など）が設けられていてもよい。なお、ウエハ接着層はウエハに対して優れた密着性（接着性）を発揮する層であり、ウエハの裏面と接触する層である。一方、レーザーマーク層は優れたレーザーマーキング性を発揮する層であり、半導体チップの裏面にレーザーマーキングを行う際に利用される層である。
尚、前記引張貯蔵弾性率は、ダイシングテープ２に積層させずに、未硬化状態の半導体裏面用フィルム４０、４１を作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて測定して、得られた引張貯蔵弾性率の値とした。
半導体裏面用フィルム４０、４１は、少なくとも一方の面がセパレータ（剥離ライナー）により保護されていることが好ましい（図示せず）。例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１（図３参照）の場合、半導体裏面用フィルムの一方の面のみにセパレータが設けられていてもよく、一方、ダイシングテープと一体化されていない半導体裏面用フィルムの場合、半導体裏面用フィルムの片面又は両面にセパレータが設けられていてもよい。セパレータは、実用に供するまで半導体裏面用フィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の場合、セパレータは、更に、ダイシングテープの基材上の粘着剤層２２に半導体裏面用フィルム４０を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータは、半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタレートなど）や紙等も使用可能である。なお、セパレータは従来公知の方法により形成することができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。
半導体裏面用フィルム４０、４１がダイシングテープ２に積層されていない場合、半導体裏面用フィルム４０、４１は、両面に剥離層を有するセパレータを１枚用いてロール状に巻回された形態で、両面に剥離層を有するセパレータにより保護されていてもよく、少なくとも一方の面に剥離層を有するセパレータにより保護されていてもよい。
また、半導体裏面用フィルム４０、４１における可視光（波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光線透過率（可視光透過率）は、特に制限されないが、例えば、２０％以下（０％〜２０％）の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０％以下（０％〜１０％）、特に好ましくは５％以下（０％〜５％）である。半導体裏面用フィルム４０、４１は、可視光透過率が２０％より大きいと、光線通過により、半導体素子に悪影響を及ぼす恐れがある。また、前記可視光透過率（％）は、半導体裏面用フィルム４０、４１の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤（顔料や染料など）の種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。
半導体裏面用フィルムの可視光透過率（％）は、次の通りにして測定することができる。即ち、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面用フィルム単体を作製する。次に、半導体裏面用フィルムに対し、波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光線［装置：島津製作所製の可視光発生装置（商品名「ＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ ＳＰＥＣＴＲＯ ＰＨＯＴＯＭＥＴＲ」）］を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を測定する。更に、可視光線が半導体裏面用フィルムを透過する前後の強度変化より、可視光透過率の値を求めることができる。尚、２０μｍの厚さでない半導体裏面用フィルムの可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の値により、厚さ：２０μｍの半導体裏面用フィルムの可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）を導き出すことも可能である。また、本発明では、厚さ２０μｍの半導体裏面用フィルムの場合における可視光透過率（％）を求めているが、本発明に係る半導体裏面用フィルムは厚さ２０μｍのものに限定される趣旨ではない。
また、半導体裏面用フィルム４０、４１としては、その吸湿率が低い方が好ましい。具体的には、前記吸湿率は１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．８重量％以下である。前記吸湿率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、半導体裏面用フィルム４０、４１と半導体素子との間でボイドの発生などを抑制又は防止することもできる。尚、前記吸湿率は、半導体裏面用フィルム４０、４１を、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置する前後の重量変化により算出した値である。半導体裏面用フィルム４０、４１が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記吸湿率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの値を意味する。また、前記吸湿率は、例えば、無機フィラーの添加量を変化させることにより調整することができる。
また、半導体裏面用フィルム４０、４１としては、揮発分の割合が少ない方が好ましい。具体的には、加熱処理後の半導体裏面用フィルム４０、４１の重量減少率（重量減少量の割合）が１重量％以下が好ましく、０．８重量％以下がより好ましい。加熱処理の条件は、例えば、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間である。前記重量減少率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、フリップチップ型の半導体装置にクラックが発生するのを抑制又は防止することができる。前記重量減少率は、例えば、鉛フリーハンダリフロー時のクラック発生を減少させ得る無機物を添加することにより、調整することができる。なお、半導体裏面用フィルム４０、４１が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記重量減少率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間の条件下で加熱したときの値を意味する。
半導体裏面用フィルム４０、４１の厚さ（電磁波シールド層、及び、接着剤層を含む総厚）は、特に限定されないが、例えば、１〜１００００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは２〜９００μｍ、より好ましくは３〜８００μｍである。
接着剤層３０、３２の厚さは特に限定されないが、半導体裏面用フィルム４０、４１の厚さが上記範囲内となるように選択することができ、例えば、１〜２００μｍ、好ましくは２〜１５０μｍ、より好ましくは３〜１００μｍである。
本実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、ダイシングテープ上に積層させることによりダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムとして使用することができる。前記ダイシングテープとしては特に限定されず、例えば、基材上に粘着剤層が積層されたものを採用することができる。以下、上述した実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムを、ダイシングテープ上に積層させたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムについて説明する。
（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）
図３は、本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。図３で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、基材２１上に粘着剤層２２が設けられたダイシングテープ２と、半導体裏面用フィルム４０とを備える構成である。また、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、図３で示されているように、ダイシングテープ２の粘着剤層２２上において、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分２３のみに接着剤層３０が形成された構成であってもよいが、粘着剤層２２の全面に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよく、また、半導体ウエハの貼着部分に対応する部分２３より大きく且つ粘着剤層２２の全面よりも小さい部分に半導体裏面用フィルムが形成された構成でもよい。なお、半導体裏面用フィルム４０の表面（ウエハの裏面に貼着される側の表面）は、ウエハ裏面に貼着されるまでの間、セパレータ等により保護されていてもよい。
（ダイシングテープ）
ダイシングテープ２は、基材２１上に粘着剤層２２が形成されて構成されている。このように、ダイシングテープ２は、基材２１と、粘着剤層２２とが積層された構成を有していればよい。基材（支持基材）は粘着剤層等の支持母体として用いることができる。前記基材２１は放射線透過性を有していることが好ましい。前記基材２１としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。
また基材２１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材２１を熱収縮させることにより粘着剤層２２と接着剤層３０との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
基材２１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
前記基材２１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材２１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材２１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材２１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
基材２１の厚さ（積層体の場合は総厚）は、特に制限されず強度や柔軟性、使用目的などに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下（例えば、１μｍ〜１０００μｍ）、好ましくは１０μｍ〜５００μｍ、さらに好ましくは２０μｍ〜３００μｍ、特に３０μｍ〜２００μｍ程度であるが、これらに限定されない。
なお、基材２１には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい。
前記粘着剤層２２は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。具体的には、粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリ−プ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤（例えば、特開昭５６−６１４６８号公報、特開昭６１−１７４８５７号公報、特開昭６３−１７９８１号公報、特開昭５６−１３０４０号公報等参照）の中から、前記特性を有する粘着剤を適宜選択して用いることができる。また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）や、熱膨張性粘着剤を用いることもできる。粘着剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
前記粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤を好適に用いることができ、特にアクリル系粘着剤が好適である。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体又は共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤が挙げられる。
前記アクリル系粘着剤における（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステルなどが挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、アルキル基の炭素数が４〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好適である。なお、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状の何れであっても良い。
なお、前記アクリル系重合体は、凝集力、耐熱性、架橋性などの改質を目的として、必要に応じて、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他の単量体成分（共重合性単量体成分）に対応する単位を含んでいてもよい。このような共重合性単量体成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー；（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミドなどの（Ｎ−置換）アミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルなどの（メタ）アクリル酸アミノアルキル系モノマー；（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルなどの（メタ）アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー；（メタ）アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー；イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー；ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー；Ｎ−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカルボン酸アミド類、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー；Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー；Ｎ−メチルイタコンイミド、Ｎ−エチルイタコンイミド、Ｎ−ブチルイタコンイミド、Ｎ−オクチルイタコンイミド、Ｎ−２−エチルヘキシルイタコンイミド、Ｎ−シクロヘキシルイタコンイミド、Ｎ−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー；Ｎ−（メタ）アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクルロイル−６−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイル−８−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー；（メタ）アクリル酸ポリエチレングリコール、（メタ）アクリル酸ポリプロピレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシエチレングリコール、（メタ）アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー；（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー；ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。これらの共重合性単量体成分は１種又は２種以上使用できる。
粘着剤として放射線硬化型粘着剤（又はエネルギー線硬化型粘着剤）を用いる場合、放射線硬化型粘着剤（組成物）としては、例えば、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーをベースポリマーとして用いた内在型の放射線硬化型粘着剤や、粘着剤中に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された放射線硬化型粘着剤などが挙げられる。また、粘着剤として熱膨張性粘着剤を用いる場合、熱膨張性粘着剤としては、例えば、粘着剤と発泡剤（特に熱膨張性微小球）とを含む熱膨張性粘着剤などが挙げられる。
本発明では、粘着剤層２２には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。
前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量は、特に制限されない。
前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
粘着剤層２２は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を、基材２１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布して粘着剤層２２を形成し、これを基材２１上に転写（移着）する方法などにより、粘着剤層２２を形成することができる。
粘着剤層２２の厚さは特に制限されず、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは５μｍ〜２００μｍ、さらに好ましくは５μｍ〜１００μｍ、特に好ましくは７μｍ〜５０μｍ）程度である。粘着剤層２２の厚さが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮することができる。なお、粘着剤層２２は単層、複層の何れであってもよい。
なお、本発明では、フリップチップ型半導体裏面用フィルム４０、４１や、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによる半導体ウエハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材２１、粘着剤層２２乃至フリップチップ型半導体裏面用フィルム４０、４１へ帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、基材２１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層を付設する方法等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウエハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルム４０、４１は、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
また、フリップチップ型半導体裏面用フィルム４０、４１や、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、ロール状に巻回された形態で形成されていてもよく、シート（フィルム）が積層された形態で形成されていてもよい。例えば、ロール状に巻回された形態を有している場合、フリップチップ型半導体裏面用フィルム又はフリップチップ型半導体裏面用フィルムとダイシングテープとの積層体を、必要に応じてセパレータにより保護した状態でロール状に巻回して、ロール状に巻回された状態又は形態のフリップチップ型半導体裏面用フィルムやダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムとして作製することができる。なお、ロール状に巻回された状態又は形態のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１としては、基材２１と、前記基材２１の一方の面に形成された粘着剤層２２と、前記粘着剤層２２上に形成された半導体裏面用フィルムと、前記基材２１の他方の面に形成された剥離処理層（背面処理層）とで構成されていてもよい。
なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の厚さ（半導体裏面用フィルムの厚さと、基材２１及び粘着剤層２２からなるダイシングテープの厚さの総厚）としては、例えば、７μｍ〜１１３００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは１７μｍ〜１６００μｍ（さらに好ましくは２８μｍ〜１２００μｍ）である。
なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおいて、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの厚さと、ダイシングテープの粘着剤層の厚さとの比や、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの厚さと、ダイシングテープの厚さ（基材及び粘着剤層の総厚）との比をコントロールすることにより、ダイシング工程時のダイシング性、ピックアップ工程時のピックアップ性などを向上させることができ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリップチップボンディング工程にかけて有効に利用することができる。
（半導体裏面用フィルムの製造方法）
半導体裏面用フィルム４０、４１の製造方法について、説明する。先ず、接着剤層３０の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前記接着剤組成物の他、必要に応じて、フィラーや各種の添加剤等が配合されていてもよい。
次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層３０を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。
次に、電磁波シールド層３１を接着剤層３０上に形成する。電磁波シールド層３１は、前記の材料を用いて、スパッタ法や、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の蒸着法や、めっき法、浸漬法、塗工法等により形成することができる。また、電磁波シールド層３１は、例えば、前記の材料を予めフィルム状にしたもの（例えば、金属箔）を接着剤層３０に圧着することによっても、形成することができる。以上により、半導体裏面用フィルム４０を得ることができる。
また、電磁波シールド層３１上に、さらに接着剤層３２を形成することにより、半導体裏面用フィルム４１を得ることができる。接着剤層３２は、接着剤層３２を形成する為の形成材料（接着剤組成物）を剥離紙上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で塗布層を形成する。この塗布層を電磁波シールド層３１上に転写することにより、半導体裏面用フィルム４１を形成する。また、電磁波シールド層３１上に形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによっても接着剤層３２を形成することができる。
（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法）
次に、本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法について、図３に示すダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を例にして説明する。先ず、基材２１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
次に、基材２１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層２２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材２１に塗布して、基材２１上に粘着剤層２２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層２２を形成させた後、該粘着剤層２２を基材２１に転写させてもよい。これにより、基材２１上に粘着剤層２２を形成されたダイシングテープ２が作製される。
次に、予め製造した半導体裏面用フィルム４０の接着剤層３０と粘着剤層２２とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１が得られる。また、粘着剤層２２上に接着剤層３０、電磁波シールド層３１を順次に直接形成することによっても、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を得ることができる。この場合、接着剤層３０、電磁波シールド層３１の形成方法は、前記の半導体裏面用フィルム４０の製造方法と同様とすればよい。なお、半導体裏面用フィルム４０を形成する際に熱硬化を行う場合、部分硬化の状態となる程度で熱硬化を行うことが重要であるが、好ましくは熱硬化を行わない。
本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップボンディング工程を具備する半導体装置の製造の際に好適に用いることができる。すなわち、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置を製造する際に用いられ、半導体チップの裏面に、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム４０が貼着している状態又は形態で、フリップチップ実装の半導体装置が製造される。従って、本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、フリップチップ実装の半導体装置（半導体チップが基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置）に対して用いることができる。
なお、半導体裏面用フィルム４０は、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１と同様に、フリップチップ実装の半導体装置（半導体チップが基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導体装置）に対して用いることができる。
（半導体ウエハ）
半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。
（半導体装置の製造方法）
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図４を参照しながら以下に説明する。図４は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた場合の半導体装置の製造方法を示す断面模式図である。
前記半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いて半導体装置を製造することができる。具体的には、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを少なくとも具備する。
なお、半導体裏面用フィルム４０の場合、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた場合の半導体装置の製造方法に準じた方法により、半導体装置を製造することができる。例えば、半導体裏面用フィルム４０はダイシングテープと貼り合わせて、ダイシングテープと一体化させたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムとして用いて、半導体装置を製造することができる。この場合、半導体裏面用フィルム４０を用いた半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法における工程に、さらに、半導体裏面用フィルムとダイシングテープとを、半導体裏面用フィルムとダイシングテープの粘着剤層が接触する形態で貼り合わせる工程を具備した製造方法になる。
また、半導体裏面用フィルム４０は、ダイシングテープと一体化せずに、半導体ウエハに貼着させて用いることもできる。この場合、半導体裏面用フィルム４０を用いた半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法におけるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程を、半導体裏面用フィルムを半導体ウエハに貼着する工程、半導体ウエハに貼着されている半導体裏面用フィルムに、ダイシングテープを、半導体裏面用フィルムとダイシングテープの粘着剤層が接触する形態で貼り合わせる工程とした製造方法になる。
また、半導体裏面用フィルム４０は、半導体ウエハを個片化した半導体チップに貼着させて用いることもできる。この場合、半導体裏面用フィルム４０を用いた半導体装置の製造方法は、例えば、ダイシングテープを半導体ウエハに貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程と、半導体素子に、半導体裏面用フィルムを貼着する工程とを少なくとも具備した製造方法であってもよい。
［マウント工程］
先ず、図４（ａ）で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の半導体裏面用フィルム４０上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該半導体裏面用フィルム４０上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。このとき前記半導体裏面用フィルム４０は未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、半導体ウエハ４の裏面に貼着される。半導体ウエハ４の裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。
［ダイシング工程」
次に、図４（ｂ）で示されるように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ４は、半導体裏面用フィルムを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。このとき、半導体裏面用フィルム４０を構成する電磁波シールド層３１が蒸着法により形成された蒸着膜である場合には、ブレードダイシングの際に切削屑が出難く、半導体チップの汚染を防止することができる。また、ブレードの損傷を抑えることができる。
なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。
［ピックアップ工程］
ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、図４（ｃ）で示されるように、半導体チップ５のピックアップを行って、半導体チップ５を半導体裏面用フィルム４０とともにダイシングテープ２より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の基材２１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ５は、その裏面が半導体裏面用フィルム４０により保護されている。
［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップ５は、図４（ｄ）で示されるように、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップ５を、半導体チップ５の回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ５と被着体６との電気的導通を確保し、半導体チップ５を被着体６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップ５を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することが重要である。
被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
フリップチップボンディング工程において、バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。
なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ５の回路面側のバンプと、被着体６の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、半導体裏面用フィルムをエポキシ樹脂等により形成することにより、このフリップチップボンディング工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。
本工程では、半導体チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、洗浄液に対する耐溶剤性を有しており、これらの洗浄液に対して実質的に溶解性を有していない。そのため、前述のように、洗浄液としては、各種洗浄液を用いることができ、特別な洗浄液を必要とせず、従来の方法により洗浄させることができる。
次に、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化（リフロー）が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。当該工程における熱処理においては、封止樹脂だけでなく半導体裏面用フィルム４０の接着剤層３０の熱硬化も同時に行われる。これにより、封止樹脂及び接着剤層３０の双方が、熱硬化の進行に伴い硬化収縮をする。その結果、封止樹脂の硬化収縮に起因して半導体チップ５に加えられる応力は、接着剤層３０が硬化収縮することにより相殺ないし緩和することができる。また、当該工程により、接着剤層３０を完全に又はほぼ完全に熱硬化させることができ、優れた密着性で半導体素子の裏面に貼着させることができる。更に、本発明に係る接着剤層３０は、未硬化状態であっても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、接着剤層３０を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。
前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。
前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１や半導体裏面用フィルム４０を用いて製造された半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、半導体チップの裏面に半導体裏面用フィルムが貼着されているため、各種マーキングを優れた視認性で施すことができる。特に、マーキング方法がレーザーマーキング方法であっても、優れたコントラスト比でマーキングを施すことができ、レーザーマーキングにより施された各種情報（文字情報、図形情報など）を良好に視認することが可能である。なお、レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ４レーザーが好適である。
なお、半導体裏面用フィルム４０にレーザーマーキングした後、必要に応じて、熱処理（レーザーマーキングした後に行われるリフロー工程）を行ってもよい。この熱処理条件としては特に限定されないが、半導体技術協会（ＪＥＤＥＣ）による規格に準じて行うことができる。例えば、温度（上限）が２１０〜２７０℃の範囲で、その時間が５〜５０秒で行うことができる。当該工程により、半導体パッケージを基板（マザーボードなど）に実装することができる。
本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムや半導体裏面用フィルムを用いて製造された半導体装置は、フリップチップ実装方式で実装された半導体装置であるので、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄型化、小型化された形状となっている。このため、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」や「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（例えば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」及びコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（例えば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤー等）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては、例えば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。
上述した実施形態では、電磁波シールド層３１が１層である場合について説明した。しかしながら、本発明において、電磁波シールド層は、１層に限定されず２層以上であってもよい。電磁波シールド層が２層以上である場合、その層構成としては特に限定されない。例えば、複数の電磁波シールド層が他の層を介在させることなく積層されていてもよく、複数の電磁波シールド層が他の層（例えば、接着剤層）を介して積層されていてもよい。電磁波シールド層が２層以上であると、電磁波を、まず、１の電磁波シールド層により減衰させることができ、さらに、他の電磁波シールド層により減衰させることができる。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。
（実施例１）
＜接着剤層Ａの作製＞
下記（ａ）〜（ｆ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７ＣＭ） １００部
（ｂ）エポキシ樹脂１（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４） ２４２部
（ｃ）エポキシ樹脂２（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７） ２２０部
（ｄ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ） ４８９部
（ｅ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６６０部
（ｆ）熱硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） ３部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ６０μｍの接着剤層Ａを作製した。
＜接着剤層Ｂの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）アクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテック社製、ＳＧ−８０Ｈ）１００部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−７２００Ｈ） １０部
（ｃ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ） １０部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６３部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの接着剤層Ｂを作製した。
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、厚さが２０μｍのアルミ箔（東洋アルミ（株）社製）を、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ９０μｍの半導体裏面用フィルムを作製した。なお、アルミ箔は、電磁波シールド層として機能を有する。
（実施例２）
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、厚さが３８μｍのＳＵＳ３０４（ステンレス鋼）箔を、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ１０８μｍの半導体裏面用フィルムを作製した。なお、ＳＵＳ３０４箔は、電磁波シールド層として機能を有する。
（実施例３）
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
スパッタ装置（ULVAC社製、SH-550）を用い、接着剤層Ａ上に、厚さ５００ｎｍのアルミニウム層をスパッタ法により形成した。スパッタ条件は、以下のようにした。
（スパッタ条件）
ターゲット： アルミニウム
放電出力：DC 600W (出力密度 3.4W/cm2)
系内圧力： 0.56 Pa
Ar流量： 40sccm
基板温度： 非加熱
成膜速度：20 nm/min
次に、アルミニウム層上に、接着剤層Ｂを、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ７０．５μｍの半導体裏面用フィルムを作製した。なお、アルミニウム層は、電磁波シールド層として機能を有する。
（実施例４）
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、厚さが２０μｍのニッケル箔を、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ９０μｍの半導体裏面用フィルムを作製した。なお、ニッケル箔は、電磁波シールド層として機能を有する。
（実施例５）
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、厚さが１２μｍの銅箔を、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ８２μｍの半導体裏面用フィルムを作製した。なお、銅箔は、電磁波シールド層として機能を有する。
（参考例１）
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
厚さ５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを両側に有する、厚さ１８μｍのｆｉｎｅｍｅｔ層が形成されたフィルム（日立金属（株）社製、FP-FT-5M）（以下、「ｆｉｎｅｍｅｔフィルム」ともいう）を準備した。なお、ｆｉｎｅｍｅｔ層は、Feを主成分にして、これにSi（シリコン）とB（ボロン）および微量のCu（銅）とNb（ニオブ）を添加した組成の高温融液を約100万℃/秒で急冷固化したアモルファス（非晶質）薄帯である。
次に、接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、前記ｆｉｎｅｍｅｔフィルムを、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ１８８μｍの半導体裏面用フィルムを作製した。この際、接着剤層ＡとＰＥＴフィルムとが対向し、接着剤層Ｂとｆｉｎｅｍｅｔ層とが対向するように貼り合わせた。なお、ｆｉｎｅｍｅｔ層は、電磁波シールド層として機能を有する。
（比較例１）
アルミ箔を用いなかったこと以外は、実施例１と同様にして接着剤層Ａと接着剤層Ｂとを貼り合わせて、本比較例に係る半導体裏面用フィルムを作製した。
（比較例２）
＜半導体裏面用フィルムの作製＞
厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に、厚さ３μｍのフェライト層が形成されたフィルムを準備した。比較例２に係るフェライト層は、フェライトめっき法で作成したＮｉＺｎフェライトからなる層である。
次に、接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、前記フェライトフィルムを、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ１１１μｍの半導体裏面用フィルムを作製した。この際、接着剤層ＡとＰＥＴフィルムとが対向し、接着剤層Ｂとフェライト層とが対向するように貼り合わせた。
＜電磁波減衰量（ｄＢ）の測定＞
実施例及び比較例に係る半導体裏面用フィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）を磁界プローブ法にて行った。具体的には、まず、スペクトラムアナライザー（Advantest製、R3172）を用いて、周波数１３ＭＨｚ〜３ＧＨｚのデジタル信号を特性インピーダンス５０ΩのMSL線路に入力し、線路上１mmに発生する磁界強度（ｄＢ）を磁界プローブ（NECエンジニアリング製、CP-2S）を用いて測定した。次に、実施例及び比較例に係る半導体裏面用フィルムをMSL線路上に置き、磁界強度（ｄＢ）を測定した。そして、MSL線路上に何も無い状態の測定値と、半導体裏面用フィルムをMSL線路上に置いた状態の測定値とを比較し、その差を１３ＭＨｚ〜３ＧＨｚの範囲における電磁波減衰量（ｄＢ）とした。測定結果を表１に示す。また、表１に示した測定結果をグラフ化したものを図５〜図１２に示す。図５〜図１０は、それぞれ実施例１〜実施例５、参考例１の測定結果を示すグラフであり、図１１、図１２は、それぞれ比較例１、比較例２の測定結果を示すグラフである。
Figure 0006144868
１ ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
２ ダイシングテープ
２１ 基材
２２ 粘着剤層
２３ 半導体ウエハの貼着部分に対応する部分
４０、４１ 半導体裏面用フィルム（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）
４ 半導体ウエハ
５ 半導体チップ
５１ 半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ
６ 被着体
６１ 被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材

Claims (3)

  1. 被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、
    接着剤層と、電磁波シールド層とを有し、
    前記電磁波シールド層は、導電率が10×10 1 〜10×10 7 S/mの範囲にある導電層、又は、比誘電率が１．０〜４０００の範囲にある誘電体層であることを特徴とするフリップチップ型半導体裏面用フィルム。
  2. 請求項１に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルムが、ダイシングテープ上に積層されたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、
    前記ダイシングテープは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、
    前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されていることを特徴とするダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
  3. 請求項１に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法であって、
    接着剤層を形成する工程と、
    導電率が10×10 1 〜10×10 7 S/mの範囲にある導電層、又は、比誘電率が１．０〜４０００の範囲にある誘電体層である電磁波シールド層を前記接着剤層上に形成する工程と
    を具備することを特徴とするフリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法。
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