JP6469577B2 - 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置 - Google Patents
極紫外光源のためのターゲット材料供給装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6469577B2 JP6469577B2 JP2015537715A JP2015537715A JP6469577B2 JP 6469577 B2 JP6469577 B2 JP 6469577B2 JP 2015537715 A JP2015537715 A JP 2015537715A JP 2015537715 A JP2015537715 A JP 2015537715A JP 6469577 B2 JP6469577 B2 JP 6469577B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- target material
- coating
- droplet
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K5/00—Irradiation devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
- C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/002—Supply of the plasma generating material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
327 ノズル
328 オリフィス
330 金属コーティング
350 導電要素
Claims (27)
- 極紫外(EUV)光源のためのターゲット材料供給装置であって、
第1の端部と、第2の端部と、該第1及び第2の端部間に定められた側壁とを含むチューブであって、該チューブの外側面の少なくとも一部分が、電気絶縁材料を含み、該第1の端部が、加圧ターゲット材料を受け入れ、該第2の端部が、ターゲット材料液滴の流れを生成するために該加圧ターゲット材料が通過するオリフィスを定める前記チューブと、
前記外側面上から前記オリフィスを定める前記チューブの少なくとも前記第2の端部に延びる導電コーティングであって、該コーティングが、該チューブの該外側面を接地に電気的に接続し、それによって該外側面上の表面電荷を低減するように構成された前記導電コーティングと、
を含むことを特徴とする装置。 - 前記導電コーティングは、イリジウムであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記導電コーティングは、クロミウムであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記導電コーティングは、50nm又はそれ未満の厚みを有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記導電コーティングは、前記オリフィスの内側面の一部分上にさらに延びることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記導電コーティングは、前記チューブの内側面上にさらに延びることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記チューブに結合され、該チューブを変調周波数で偏向させるように構成された変調器を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記導電コーティングは、前記変調器の外側面上にあることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記導電コーティングは、前記チューブの前記側壁上にあることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記チューブの前記第1の端部を受け入れる導電取付具と、
前記導電取付具と前記チューブの前記側壁上にある前記導電コーティングの一部分との間の導電接続部と、
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記導電コーティングは、前記導電接続部を形成することを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記導電接続部は、前記金属取付具と前記導電コーティングとに直接に物理接触している別個の金属要素であることを特徴とする請求項10に記載の装置。
- 前記ターゲット材料は、溶融スズであり、前記オリフィスは、スズ液滴の流れを生成するために該溶融スズを通すことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記ターゲット材料液滴の流れは、レーザビームを受け入れるターゲット領域に向けて前記オリフィスから進み、該液滴の流れにおける第1の液滴及び該液滴の流れにおける第2の液滴が、該ターゲット領域の実質的に同じ空間位置を異なる時間に通過することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 極紫外(EUV)光源のためのターゲット材料液滴の流れを送出するアセンブリを被覆する方法であって、
その少なくとも一部分が電気絶縁している外側面と、第1の端部と、前記ターゲット材料液滴の流れを生成するために加圧ターゲット材料を通すように構成されたオリフィスを定める第2の端部とを有するチューブを含む前記アセンブリを金属材料の供給源を含むチャンバに置く段階と、
前記アセンブリを前記金属材料の供給源に対して斜めに位置決めする段階と、
前記側壁の外部面の少なくとも一部分と前記第2の端部とを前記金属材料で被覆する段階であって、前記供給源と前記アセンブリの間の距離が該コーティングの厚みを調節するように選択される前記被覆する段階と、
前記チューブの前記外側面上から少なくとも前記第2の端部上に延びる導電コーティングを接地に電気的に接続する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記コーティングの前記厚みは、50nm未満であることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記チャンバ内に金属蒸気を発生させる段階を更に含み、
前記側壁の外部面の少なくとも一部分と前記第2の端部とを前記金属材料で被覆する段階は、前記金属蒸気を該側壁の該外部面及び該第2の端部の上にスパッタリングする段階を含む、
ことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記オリフィスの内側を該オリフィスの幅の半分の距離にわたって部分的に被覆する段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記金属蒸気は、約30秒と1分の間である露出時間にわたって前記側壁の前記外部面及び前記第2の端部の上にスパッタリングされることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記金属材料は、クロミウムであることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記金属材料は、イリジウムであることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記毛細管の前記外部側壁の前記部分と前記第2の端部とを前記金属材料で被覆した後に変調器を該毛細管チューブに結合する段階を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記チャンバに置かれた前記アセンブリは、前記毛細管チューブに結合された変調器を更に含み、該変調器の外側面の少なくとも一部分が、前記金属材料で被覆されることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記変調器は、前記毛細管チューブの前記側壁の一部を取り囲む圧電チューブを含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記コーティングの前記厚みは、約10nmと50nmの間であることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 極紫外(EUV)光源内にターゲット材料液滴の流れを生成する方法であって、
絶縁チューブの外側面上から少なくとも第2の端部上に延びる金属コーティングを接地に電気的に接続する段階と、
前記絶縁チューブと流体連通しているリザーバに保持されたターゲット材料に圧力を印加する段階と、
前記加圧ターゲット材料を前記チューブの第1の端部を通して受け入れる段階と、
前記液滴の流れを生成するために前記ターゲット材料を前記チューブの前記第2の端部によって定められたオリフィスに通過させる段階と、
を含み、
前記液滴は、ターゲット材料液滴をプラズマに変換するのに十分なレーザビームを受け入れるように構成されたターゲット領域に向けて真空チャンバ内を進み、前記流れにおける第1の液滴及び該流れにおける第2の液滴が、前記ターゲット領域内の実質的に同じ空間位置を異なる時間に通過する、
ことを特徴とする方法。 - 前記圧力は、少なくとも4000psiであることを特徴とする請求項26に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/652,755 US9392678B2 (en) | 2012-10-16 | 2012-10-16 | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
| US13/652,755 | 2012-10-16 | ||
| PCT/US2013/061764 WO2014062351A2 (en) | 2012-10-16 | 2013-09-25 | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015532521A JP2015532521A (ja) | 2015-11-09 |
| JP6469577B2 true JP6469577B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=50474412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015537715A Active JP6469577B2 (ja) | 2012-10-16 | 2013-09-25 | 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9392678B2 (ja) |
| JP (1) | JP6469577B2 (ja) |
| KR (1) | KR102116787B1 (ja) |
| CN (1) | CN104885161B (ja) |
| TW (2) | TWI647324B (ja) |
| WO (1) | WO2014062351A2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9392678B2 (en) * | 2012-10-16 | 2016-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
| US10268128B2 (en) * | 2015-07-08 | 2019-04-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| CN105333953B (zh) * | 2015-10-13 | 2017-09-15 | 华中科技大学 | 一种可调谐宽波段激光等离子体极紫外光源 |
| US10880979B2 (en) * | 2015-11-10 | 2020-12-29 | Kla Corporation | Droplet generation for a laser produced plasma light source |
| NL2018005A (en) * | 2016-01-15 | 2017-07-24 | Asml Netherlands Bv | Droplet generator for lithographic apparatus, euv source and lithographic apparatus |
| US9755396B1 (en) * | 2016-11-29 | 2017-09-05 | Asml Netherlands B.V. | EUV LPP source with improved dose control by combining pulse modulation and pulse control mode |
| US10499485B2 (en) | 2017-06-20 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Supply system for an extreme ultraviolet light source |
| TWI634391B (zh) * | 2017-06-23 | 2018-09-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 噴嘴模組、微影裝置及其操作方法 |
| CN108827994B (zh) * | 2018-06-04 | 2020-06-19 | 西安交通大学 | 一种车载加速器中子源固态锂靶系统 |
| TWI770256B (zh) * | 2018-08-24 | 2022-07-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 微影設備以及微影方法 |
| TWI840411B (zh) | 2018-09-24 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 目標形成設備 |
| TWI826559B (zh) * | 2018-10-29 | 2023-12-21 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 延長靶材輸送系統壽命之裝置及方法 |
| NL2024324A (en) * | 2018-12-31 | 2020-07-10 | Asml Netherlands Bv | Apparatus for controlling introduction of euv target material into an euv chamber |
| KR102775003B1 (ko) * | 2019-10-17 | 2025-02-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 액적 생성기용 노즐 |
| CN111460246B (zh) * | 2019-12-19 | 2020-12-08 | 南京柏跃软件有限公司 | 基于数据挖掘和密度检测的实时活动异常人员发现方法 |
| CN113634383A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-11-12 | 江汉大学 | 一种基于电场力诱导的极紫外光源液滴靶发生装置及方法 |
| CN118120340A (zh) * | 2021-10-22 | 2024-05-31 | Asml荷兰有限公司 | 燃料液滴喷嘴组件 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1800307B1 (de) * | 1968-10-01 | 1970-06-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines metallischen Mehrschichtenverbundrohres |
| AU507748B2 (en) * | 1976-06-10 | 1980-02-28 | University Of Sydney, The | Reactive sputtering |
| DE3643088A1 (de) * | 1986-12-17 | 1988-06-30 | Flabeg Gmbh | Fernseh-bildroehre mit verbundfrontscheibe |
| US7465946B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-12-16 | Cymer, Inc. | Alternative fuels for EUV light source |
| US7897947B2 (en) | 2007-07-13 | 2011-03-01 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave |
| US7405416B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
| US6912267B2 (en) | 2002-11-06 | 2005-06-28 | University Of Central Florida Research Foundation | Erosion reduction for EUV laser produced plasma target sources |
| US7449703B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-11-11 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling |
| US7367138B2 (en) * | 2005-10-11 | 2008-05-06 | Nikon Corporation | Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles |
| US8158960B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-04-17 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| DE102006044591A1 (de) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Anordnung, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie, sowie reflektives optisches Element mit verminderter Kontamination |
| JP5001055B2 (ja) | 2007-04-20 | 2012-08-15 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
| US7872245B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-01-18 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
| JP2010062141A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP5551426B2 (ja) | 2008-12-19 | 2014-07-16 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置 |
| JP5739099B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2015-06-24 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、その制御システム、その制御装置およびその制御回路 |
| US8837679B2 (en) | 2009-04-03 | 2014-09-16 | Excillum Ab | Supply of a liquid-metal target in X-ray generation |
| GB2470049B (en) | 2009-05-07 | 2011-03-23 | Zeiss Carl Smt Ag | Optical imaging with reduced immersion liquid evaporation effects |
| DE102009020776B4 (de) * | 2009-05-08 | 2011-07-28 | XTREME technologies GmbH, 37077 | Anordnung zur kontinuierlichen Erzeugung von flüssigem Zinn als Emittermaterial in EUV-Strahlungsquellen |
| WO2010137625A1 (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
| JP2012531730A (ja) | 2009-06-30 | 2012-12-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びスペクトル純度フィルタを製造する方法 |
| WO2011013779A1 (ja) | 2009-07-29 | 2011-02-03 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法、およびそのプログラムを記録した記録媒体 |
| US8648536B2 (en) | 2009-09-01 | 2014-02-11 | Ihi Corporation | Plasma light source |
| US20120280148A1 (en) | 2010-01-07 | 2012-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Euv radiation source and lithographic apparatus |
| JP5726587B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2015-06-03 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置 |
| JP5802465B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-10-28 | ギガフォトン株式会社 | ドロップレット生成及び検出装置、並びにドロップレット制御装置 |
| JP5921876B2 (ja) | 2011-02-24 | 2016-05-24 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| WO2012136343A1 (en) | 2011-04-05 | 2012-10-11 | Eth Zurich | Droplet dispensing device and light source comprising such a droplet dispensing device |
| JP2011253818A (ja) * | 2011-07-13 | 2011-12-15 | Komatsu Ltd | ターゲット供給装置 |
| US9392678B2 (en) * | 2012-10-16 | 2016-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Target material supply apparatus for an extreme ultraviolet light source |
-
2012
- 2012-10-16 US US13/652,755 patent/US9392678B2/en active Active
-
2013
- 2013-09-25 CN CN201380053831.9A patent/CN104885161B/zh active Active
- 2013-09-25 KR KR1020157011818A patent/KR102116787B1/ko active Active
- 2013-09-25 JP JP2015537715A patent/JP6469577B2/ja active Active
- 2013-09-25 WO PCT/US2013/061764 patent/WO2014062351A2/en not_active Ceased
- 2013-09-30 TW TW107105435A patent/TWI647324B/zh active
- 2013-09-30 TW TW102135338A patent/TWI639721B/zh active
-
2016
- 2016-05-31 US US15/168,431 patent/US9632418B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI647324B (zh) | 2019-01-11 |
| CN104885161B (zh) | 2017-12-05 |
| US9392678B2 (en) | 2016-07-12 |
| US20140102875A1 (en) | 2014-04-17 |
| TWI639721B (zh) | 2018-11-01 |
| WO2014062351A2 (en) | 2014-04-24 |
| TW201420795A (zh) | 2014-06-01 |
| KR20150073184A (ko) | 2015-06-30 |
| TW201816160A (zh) | 2018-05-01 |
| WO2014062351A3 (en) | 2014-06-19 |
| JP2015532521A (ja) | 2015-11-09 |
| KR102116787B1 (ko) | 2020-06-01 |
| CN104885161A (zh) | 2015-09-02 |
| US20160274466A1 (en) | 2016-09-22 |
| US9632418B2 (en) | 2017-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6469577B2 (ja) | 極紫外光源のためのターゲット材料供給装置 | |
| JP6784737B2 (ja) | レーザ生成プラズマeuv光源におけるソース材料送出の装置及び方法 | |
| US7378673B2 (en) | Source material dispenser for EUV light source | |
| TW201940012A (zh) | 用於控制在液滴串流中液滴聚結之裝置與方法 | |
| KR20100126795A (ko) | 레이저 산출 플라즈마 euv 광원에서의 타겟 물질 전달을 위한 시스템 및 방법 | |
| US20260020132A1 (en) | Nozzle apparatus | |
| CN115918265A (zh) | 用于加速euv源的液滴生成器中的液滴的装置和方法 | |
| US20130186567A1 (en) | Target supply device | |
| JP2022501633A (ja) | ターゲット形成装置 | |
| KR102759799B1 (ko) | Euv 챔버 내로의 euv 타겟 물질의 도입을 제어하기 위한 장치 및 방법 | |
| JP7721741B2 (ja) | ターゲット材料送達システムの寿命を延長する装置及び方法 | |
| CN117480868A (zh) | 靶供应装置 | |
| TW202319830A (zh) | 產生在極紫外線光源中之目標材料的小滴之設備及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150622 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150714 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160905 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170831 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180427 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180724 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6469577 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |