JP6478565B2 - インプリントシステム及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリントシステム及び物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド（原版）と基板上の樹脂（インプリント材）とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。かかるインプリント装置では、樹脂硬化法として、一般に、紫外線などの光の照射によって基板上の樹脂を硬化させる光硬化法が採用されている。

また、インプリント装置では、基板上に樹脂を供給（塗布）する際に、例えば、インクジェット法を用いて基板上に樹脂の液滴の配列を形成している。そして、基板上の樹脂（液滴）にモールドを押し付けることで、かかる樹脂をモールドのパターン（凹部）に充填させている。但し、インプリント装置においては、モールドのパターンの違いや製造ばらつき、装置の動作ばらつきなどによって、基板上に形成されるパターンの欠陥や残膜厚（ＲＬＴ）の異常などの問題が発生し、良質なパターンを形成することが困難である。

このような問題を回避するために、樹脂の液滴の基板上における供給位置を示すマップ（樹脂塗布パターン、インプリントレシピ、ドロップレシピ）を最適化する技術が提案されている（特許文献１及び２参照）。特許文献１には、モールドのパターンへの樹脂の充填量、基板上に形成すべき残膜厚、基板のショット領域やエッジの位置、下地（基板）における凹凸分布、及び、後工程での加工寸法のばらつきを考慮してインプリントレシピを作成する方法が開示されている。また、特許文献２には、半導体集積回路を構成する回路ブロックごとに欠陥数が最も少ないドロップレシピを選択及び収集するドロップレシピ作成支援データベースを作成する方法が開示されている。

特許第５２１４６８３号公報 特開２０１２−１１４１５７号公報

インプリント装置では、インプリント処理を繰り返すことで、モールドのパターン、即ち、凹部に剥離しきれない樹脂が徐々に堆積（付着）し、モールドのパターンの形状（凹凸形状）が変化してしまう。そこで、一定回数のインプリント処理が終了したら、モールドを装置から外して洗浄し、洗浄されたモールドを装置に再び取り付けてインプリント処理を繰り返すことが一般的に行われている。なお、モールドの凹凸形状とは、例えば、パターン寸法、凹部と凸部との体積比率（Ｄｕｔｙ Ｃｙｃｌｅ）、凹部の深さ（凸部の高さ）、凹凸のテーパー角、表面粗さ（Ｒａ）などを含む。

一方、モールドを洗浄すると、そのパターンが摩耗し、パターンの形状に変化が生じることが知られている。従って、インプリント処理を繰り返すことで、樹脂の付着や洗浄による摩耗によって、モールドのパターンの形状に経時変化が生じる。モールドの長寿命化のためには、モールドの洗浄頻度を少なくすることが有効である。但し、この場合には、モールドのパターンに付着した樹脂に起因するパターンの欠陥や残膜厚の異常の発生を抑制するために、新たなマップを生成する必要がある。これは、モールドのパターンの形状の経時変化に対して、同一のマップを用いてインプリント処理を繰り返すことは、パターンの欠陥や残膜厚の異常の発生を引き起こす可能性が高いからである。

しかしながら、マップの作成には、上述したように、モールドのパターンの形状の他に、基板のショット領域やエッジの位置、下地における凹凸分布、後工程での加工寸法などを考慮しなければならない。従って、新たなマップの作成には一定時間を必要とし、その間のインプリント処理を停止しなければならないため、インプリント装置の生産性（稼働率）を低下させてしまう。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、生産性の点で有利なインプリントシステムを提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリントシステムは、基板上のインプリント材とモールドとを互いに接触させた状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリントシステムであって、前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給するディスペンサを含み、前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行う処理部と、前記ディスペンサから供給すべき液滴の前記基板上における供給位置及び供給量の少なくとも一方を示す、互いに異なる複数の分布情報を管理するライブラリと、前記モールド及び前記ディスペンサの少なくとも一方の経時変化による前記インプリント処理の結果の変化に関する情報に基づいて、前記ライブラリで管理されている前記複数の分布情報から前記インプリント処理に用いる１つの分布情報を選択する制御部と、を有し、前記複数の分布情報のそれぞれは、前記経時変化から変化が予測されるインプリント処理の結果の範囲内の複数の結果のそれぞれに対応する、液滴の前記基板上における供給位置及び供給量の少なくとも一方を示すことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、生産性の点で有利なインプリントシステムを提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリントシステムの構成を示す概略図である。 インプリント装置の構成を示す概略図である。 ホストサーバの構成を示す概略図である。 ライブラリの構成を示す概略図である。 生成サーバの構成を示す概略図である。 インプリント処理を説明するためのフローチャートである。 インプリント処理を説明するための図である。 インプリント処理を説明するための図である。 マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。 供給量分布情報の一例を示す図である。 マップの一例を示す図である。 マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。 マップの変更及び更新に関する処理を説明するためのフローチャートである。 本発明の一側面としてのインプリントシステムの構成を示す概略図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の一側面としてのインプリントシステム１０の構成を示す概略図である。インプリントシステム１０は、基板上のインプリント材をモールドで成形するインプリント処理を行う。本実施形態では、インプリント材として、樹脂を使用し、樹脂硬化法として、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用する。但し、本発明は、樹脂硬化法を限定するものではなく、熱によって樹脂を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。インプリントシステム１０は、インプリント装置（処理部）１００と、ホストサーバ（制御部）２００と、ライブラリ３００と、生成サーバ（生成部）４００とを有する。

インプリント装置１００は、基板上に樹脂を供給するためのディスペンサ（塗布部）を含み、インプリント処理を行う処理部として機能する。例えば、インプリント装置１００は、ディスペンサから供給すべき樹脂の液滴の基板上における供給位置を示すマップ（樹脂塗布パターン、インプリントレシピ、ドロップレシピなどとも呼ばれる）に従って、基板上に樹脂の液滴の配列を形成する。そして、インプリント装置１００は、基板上に供給された樹脂とモールドとを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離す（離型する）ことで基板上にパターンを形成する。また、インプリント装置１００は、インプリント処理の結果やインプリント装置１００の状態に関する情報を、ホストサーバ２００に送信する機能１０ａを有している。

ホストサーバ２００は、ＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤなどを含むコンピュータで構成され、インプリントシステム１０の各部、即ち、インプリント装置１００、ライブラリ３００及び生成サーバ４００を制御する。ホストサーバ２００は、例えば、ディスペンサから供給すべき樹脂の液滴の基板上における供給位置を示すマップを制御する。また、ホストサーバ２００は、インプリント処理を行う際のインプリント条件も制御する。ホストサーバ２００は、インプリント処理に用いる、即ち、インプリント処理に適切なマップをインプリント装置１００に送信する機能１０ｂやライブラリ３００に管理されているマップを参照（照会）する機能１０ｃを有する。また、ホストサーバ２００は、新たなマップの生成を指示するジョブやマップを生成するために必要となる情報を、生成サーバ４００に送信する機能１０ｅを有する。ここで、マップを生成するために必要となる情報とは、例えば、モールドのパターンの寸法、基板上に形成すべきパターンの残膜厚、基板面内情報、基板のショット領域のレイアウト情報などを含む。また、基板面内情報は、基板の面内における樹脂の揮発量の分布及び基板の面内における気流の分布を含む。

ライブラリ３００は、ＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤなどを含むコンピュータで構成され、ディスペンサから供給すべき樹脂の液滴の基板上における供給位置を示すマップを管理（保管）する。ライブラリ３００は、インプリント処理に適切なマップをホストサーバ２００に送信する機能１０ｄと、マップを生成するために必要となる情報を生成サーバ４００に送信する機能１０ｆとを有する。また、ライブラリ３００は、保管している複数のマップの生成履歴及び選択履歴を解析する機能を有してもよい。

生成サーバ４００は、ＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤなどを含むコンピュータで構成され、ホストサーバ２００からのジョブに応じて、ディスペンサから供給すべき樹脂の液滴の基板上における供給位置を示すマップを生成する。この際、生成サーバ４００は、モールドのパターンの寸法（モールドのパターンの設計値又は実測値）及び基板上に形成すべきパターンの残膜厚に基づいて、マップを生成する。更に、生成サーバ４００は、基板の面内における樹脂の揮発量の分布及び基板の面内における気流の分布を含む基板面内情報、及び、基板のショット領域のレイアウト情報の少なくとも一方にも基づいて、マップを生成してもよい。生成サーバ４００は、このようなマップを生成するために必要となる情報を、上述したように、ホストサーバ２００やライブラリ３００から取得する。また、生成サーバ４００は、生成したマップをライブラリ３００に送信する機能１０ｇを有する。

なお、インプリントシステム１０を構成する装置、サーバ及びライブラリ間での機能については図１に示す構成に限定されるものではなく、かかる機能を、図１に示す構成とは異なる装置、サーバ及びライブラリ間で実現してもよい。また、ホストサーバ２００、ライブラリ３００及び生成サーバ４００は、インプリントシステム１０の外部に設けることも可能である。但し、この場合にも、ホストサーバ２００、ライブラリ３００及び生成サーバ４００とインプリント装置１００とを接続して、インプリント処理に適切なマップをインプリント装置１００に提供可能にする必要がある。

インプリントシステム１０では、基板上に形成すべきパターンや残膜厚に応じて、互いに異なる複数のマップをライブラリ３００に予め保管している。インプリント装置１００では、特に、ディスペンサの経時変化やモールドのパターンの経時変化によって、ディスペンサから供給すべき樹脂の液滴の基板上における供給位置を示すマップの変更が必要となる場合がある。このような場合、本実施形態では、新たなマップを生成することなく、ライブラリ３００に管理されている複数のマップを参照してインプリント処理に適切なマップをインプリント装置１００、即ち、ディスペンサに設定することができる。従って、マップを変更する際に、インプリント処理を停止させたり、モールドを交換したりすることが不要となるため、インプリント装置１００の生産性（稼働率）を向上させることができる。本実施形態では、モールド及びディスペンサの少なくとも一方の経時変化によるインプリント処理の結果の変化を予測し、それに応じた複数のマップを予め管理しているため、予測可能な一定の経時変化やその変化幅に対して有効となる。なお、本実施形態では、突発的、或いは、局所的に発生する異常に対して、予め管理しているマップで最適なものがない場合には、インプリント処理の結果に応じて、新たなマップを生成する。

本実施形態で想定している予測可能な経時変化とは、上述したように、モールドの経時変化やディスペンサの経時変化などである。モールドの経時変化は、モールドの洗浄などによるパターンの形状（凹凸形状）の変化、即ち、パターン寸法（線幅）、凹部と凸部との体積比率（Ｄｕｔｙ Ｃｙｃｌｅ）、凹部の深さ（凸部の高さ）、凹凸のテーパー角、表面粗さ（Ｒａ）などの変化を含む。また、ディスペンサの経時変化は、ディスペンサから吐出される樹脂の液滴量や着弾位置などの変化を含む。これらの経時変化によって、インプリント処理の結果、具体的には、基板上に形成されたパターンの線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）、残膜厚及び欠陥数が変化する。

本実施形態では、インプリント処理の結果の変化に関する情報に基づいて、ライブラリ３００で管理されている複数のマップからインプリント処理で用いる１つのマップを選択する。ここで、インプリント処理の結果の変化に関する情報は、モールドの使用履歴、ディスペンサの使用履歴及びインプリント処理の結果のうちの少なくとも１つを含む。また、インプリント処理の結果は、基板上に形成されたパターンの線幅、残膜厚及び欠陥数のうちの少なくとも１つを含む。

更に、本実施形態では、インプリント処理の結果の変化に関する情報に加えて、インプリント処理を行う際のインプリント条件にも基づいて、ライブラリ３００で管理されている複数のマップからインプリント処理で用いる１つのマップを選択してもよい。ここで、インプリント条件は、基板の面内における樹脂の揮発量の分布及び基板の面内における気流の分布を含む基板面内分布情報や基板のショット領域のレイアウト情報などを含む。

ライブラリ３００で管理される複数のマップは、上述したように、インプリント処理の結果の変化を予測して生成される。ここで、ディスペンサから吐出される樹脂の液滴量の変化について考える。例えば、インプリント装置１００に使用するディスペンサから吐出される樹脂の液滴量の実測値が５．０ｐＬであるとする。この場合、液滴量の変化の範囲を±０．５ｐＬと予測し、５．０±０．５ｐＬの範囲において、０．１ｐＬごとに、それに対応するマップ、即ち、１１個のマップを生成してライブラリ３００で管理する。

また、基板上に形成されたパターンの欠陥数の変化について考える。例えば、パターンの欠陥数の変化、即ち、増加によって必要となる樹脂の供給量の予測増加分１％の範囲において、０．１％ごとに、それに対応するマップ、即ち、１１個のマップを生成してライブラリ３００で管理する。

また、基板上に形成されたパターンの残膜厚の変化について考える。例えば、残膜厚の設計値が２５．０ｎｍであるとする。この場合、残膜厚の変化の範囲を±０．５ｎｍと予測し、２５．０±０．５ｎｍの範囲において、０．１ｎｍごとに、それに対応するマップ、即ち、１１個のマップを生成してライブラリ３００で管理する。

また、基板上に形成されたパターンのＣＤの変化について考える。例えば、ＣＤの設計値が５０．０ｎｍであるとする。この場合、ＣＤの変化の範囲を±０．５ｎｍと予測し、５０．０±０．５ｎｍの範囲において、０．１ｎｍごとに、それに対応するマップ、即ち、１１個のマップを生成してライブラリ３００で管理する。

また、モールドのパターンの形状の変化について考える。例えば、モールドのパターンの変化によって必要となる樹脂の供給量の予測増加分１％の範囲において、０．１％ごとに、それに対応するマップ、即ち、１１個のマップを生成してライブラリ３００で管理する。

また、上述したような変化のそれぞれに対してマップを生成及び管理するだけではなく、それらの組み合わせ（特に、同時に変化することが想定されるもの）について変化を予測し、それに対応するマップを生成及び管理してもよい。

インプリント装置１００又は検査装置においてインプリント処理の結果の変化が検知された場合には、それに対応するマップをライブラリ３００で管理されている複数のマップから選択してディスペンサに設定する。インプリント処理の結果の変化が改善（補正）されているかどうかの確認が必要な場合には、インプリント装置１００又は検査装置を用いて、その変化が適正に改善されているかどうかを確認することができる。

また、インプリント処理の結果の変化が検知されていない場合でも、インプリント処理の結果を定期的に検査し、その変化が検知されたら、それに対応するマップをライブラリ３００で管理されている複数のマップから選択してディスペンサに設定してもよい。

図２は、インプリントシステム１０におけるインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造プロセスで使用されるリソグラフィ装置であって、上述したように、基板上の樹脂にモールドのパターンを転写する。

インプリント装置１００は、モールド１０１を保持するヘッド１０２と、照射部１０３と、基板１０４を保持するステージ１０５と、ディスペンサ１１０と、樹脂供給部１１１と、制御部１１２と、格納部１１３とを有する。

モールド１０１は、基板１０４に対向する面に、基板１０４に供給された樹脂１２０に転写すべきパターンが形成されたパターン領域１０１ａを有する。モールド１０１は、例えば、矩形の外形形状を有する。モールド１０１は、基板上の樹脂１２０を硬化させるための紫外線を透過する材料、例えば、石英などで構成されている。

ヘッド１０２は、モールド１０１を真空吸引力又は静電気力によって保持（固定）する。ヘッド１０２は、モールド１０１をｚ軸方向に駆動する（移動させる）駆動機構を含む。ヘッド１０２は、基板上に供給された未硬化の樹脂１２０にモールド１０１を押印する機能、及び、基板上の硬化した樹脂１２０からモールド１０１を引き離す機能を有する。

照射部１０３は、基板上の樹脂１２０を硬化させる機能を有する。照射部１０３は、例えば、ハロゲンランプやＬＤＥなどを含み、モールド１０１を介して、基板上の樹脂１２０に紫外線を照射する。

基板１０４は、モールド１０１のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを含む。

ステージ１０５は、基板１０４を保持する基板チャックと、モールド１０１と基板１０４との位置合わせ（アライメント）を行うための駆動機構とを含む。かかる駆動機構は、例えば、粗動駆動系と微動駆動系とで構成され、ｘ軸方向及びｙ軸方向に基板１０４を駆動する（移動させる）。また、かかる駆動機構は、ｘ軸方向及びｙ軸方向だけではなく、ｚ軸方向及びθ（ｚ軸周りの回転）方向に基板１０４を駆動する機能や基板１０４の傾きを補正するためのチルト機能を備えていてもよい。

樹脂供給部１１１は、未硬化の樹脂１２０を保管するタンクを含む。樹脂供給部１１１は、供給管を介して、ディスペンサ１１０に対して未硬化の樹脂１２０を供給する。

ディスペンサ１１０は、例えば、基板１０４に対して樹脂１２０の液滴を吐出する複数のノズルを含み、基板上に樹脂１２０を供給（塗布）する。ディスペンサ１１０における樹脂１２０の供給量の単位は「滴」であり、樹脂１２０の１滴あたりの量は、サブピコリットルから数ピコリットルである。また、ディスペンサ１１０から樹脂１２０の液滴を滴下可能な基板上の位置は、数μｍごとと決まっている。

樹脂供給部１１１からディスペンサ１１０に樹脂１２０を供給しながらステージ１０５を駆動（スキャン駆動又はステップ駆動）させるとともに、ディスペンサ１１０から樹脂１２０の液滴を吐出することで、基板上に樹脂１２０の液滴の配列が形成される。

制御部１１２は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体（動作）を制御する。制御部１１２は、インプリント装置１００の各部を制御して、インプリント処理を行う。また、制御部１１２は、ホストサーバ２００に対して、必要に応じて、インプリント処理の結果、モールド１０１やディスペンサ１１０の使用履歴、温度や湿度の変化などの樹脂１２０の揮発に関わる情報などを送信する。制御部１１２は、ホストサーバ２００から取得したマップを格納部１１３に格納する。

図３は、インプリントシステム１０におけるホストサーバ２００の構成を示す概略図である。ホストサーバ２００は、結果管理部２０１と、結果判定部２０２と、マップ選択部２０３と、装置情報管理部２０４と、パターン情報管理部２０５と、設計情報管理部２０６と、条件管理部２０７と、装置履歴送信部２０８と、生成指示部２０９とを含む。

結果管理部２０１は、インプリント装置１００から、インプリント処理時における装置条件、モールドの使用履歴、ディスペンサの使用履歴、インプリント処理の結果などを含むインプリント結果情報を取得し、それらを管理する。また、結果管理部２０１は、検査装置から、インプリント装置１００によるインプリント処理の結果を解析した解析結果も取得して管理する。

結果判定部２０２は、結果管理部２０１で管理されているインプリント結果情報に基づいて、ディスペンサから供給すべき樹脂の液滴の基板上における供給位置を示すマップの変更が必要かどうかを判定する。

マップ選択部２０３は、結果判定部２０２によってマップの変更が必要であると判定された場合に、ライブラリ３００で管理されている複数のマップから最適なマップを選択し、かかるマップをインプリント装置１００に送信する。ライブラリ３００で最適なマップが管理されていない場合には、マップ選択部２０３は、最適なマップに最も近いマップを選択し、かかるマップをインプリント装置１００に送信する。この際、マップ選択部２０３は、生成指示部２０９に対して、新たなマップ（例えば、最適なマップ）の生成を指示するためのジョブを送信する。

装置情報管理部２０４は、結果管理部２０１からインプリント結果情報を取得し、かかるインプリント処理情報から装置情報を抽出して管理する。同様に、パターン情報管理部２０５は、結果管理部２０１からインプリント結果情報を取得し、かかるインプリント処理情報からパターン情報を抽出して管理する。また、装置情報管理部２０４及びパターン情報管理部２０５は、管理している情報の変化を監視して経時変化情報として管理する。

設計情報管理部２０６は、モールドのパターンの設計情報（設計値）やモールドのパターンの検査情報（実測値）を管理する。条件管理部２０７は、基板上に形成すべきパターンの残膜厚、基板のショット領域のレイアウト情報、モールドのパターンへの樹脂の充填時間、装置設定などを管理する。

装置履歴送信部２０８は、装置情報管理部２０４及びパターン情報管理部２０５から経時変化情報を取得し、かかる経時変化情報を生成指示部２０９に送信する。

生成指示部２０９は、マップ選択部２０３からのジョブに応じて、設計情報管理部２０６、条件管理部２０７及び装置履歴送信部２０８からマップの生成に必要な情報を取得し、かかる情報を、マップの生成を指示するジョブとともに、生成サーバ４００に送信する。

また、生成指示部２０９は、マップ情報管理部３０１で管理されているマップ情報と、解析部３０３で管理されている選択履歴とを参照して、ライブラリ３００で管理されているマップが不足していないか、或いは、不足する可能性がないかを判定する。マップが不足している、或いは、不足する可能性があると判定した場合には、生成指示部２０９は、新たなマップの生成を指示するジョブを生成サーバ４００に送信する。

図４は、インプリントシステム１０におけるライブラリ３００の構成を示す概略図である。ライブラリ３００は、マップ情報管理部３０１と、マップ保存部３０２と、解析部３０３とを有する。

マップ情報管理部３０１は、ライブラリ３００で管理しているマップが生成された際の生成条件に関するマップ情報を管理する。マップ情報管理部３０１は、ホストサーバ２００からのライブラリ３００で管理されているマップの照会に応じて、マップ情報を参照して該当するマップを管理しているかどうかを判定する。該当するマップを管理している場合には、マップ情報管理部３０１は、かかるマップをホストサーバ２００に送信する。また、マップ情報管理部３０１は、ホストサーバ２００からマップの生成を指示するジョブを取得した場合に、マップの生成に必要な情報を生成サーバ４００に送信する。更に、マップ情報管理部３０１は、生成サーバ４００で生成された新たなマップのマップ情報を生成サーバ４００から取得して管理する。

マップ保存部３０２は、インプリント装置１００に送信可能なファイル形式でマップを保存（保管）する。マップ保存部３０２は、マップ情報管理部３０１を介して、ホストサーバ２００にマップを送信するとともに、生成サーバ４００で生成されたマップを保存する。

解析部３０３は、ホストサーバ２００からマップの選択結果を取得し、マップの選択履歴として管理する。

図５は、インプリントシステム１０における生成サーバ４００の構成を示す概略図である。生成サーバ４００は、設計情報設定部４０１と、パラメータ設定部４０２と、レイアウト情報設定部４０３と、装置履歴設定部４０４と、装置変化管理部４０５と、パターン変化管理部４０６と、液滴数算出部４０７と、決定部４０８と、出力部４０９とを含む。

設計情報設定部４０１は、モールド１０１に形成されているパターンの設計情報をホストサーバ２００から取得し、かかる設計情報を設定（入力）する。パラメータ設定部４０２は、モールド１０１の凹部の深さ（凸部の高さ）、基板上に形成するパターンの残膜厚などの設定情報をホストサーバ２００から取得し、かかる設定情報を設定（入力）する。また、パラメータ設定部４０２は、基板上の樹脂１２０の拡がりに関する情報、モールド１０１のパターンへの樹脂１２０の充填時間、基板上で必要な樹脂１２０の液滴の間隔などの制約条件も設定（入力）する。

レイアウト情報設定部４０３は、基板１０４のショット領域のレイアウト情報をホストサーバ２００から取得して、かかるレイアウト情報を設定（入力）する。装置履歴設定部４０４は、モールド１０１やディスペンサ１１０の使用履歴などから算出される樹脂１２０の液滴補正量及び液滴の基板上における供給位置を決定するための分布情報を、ホストサーバ２００から取得し、かかる分布情報を設定（入力）する。

装置変化管理部４０５は、ディスペンサ１１０の使用履歴から算出される樹脂１２０の液滴補正量及び液滴の基板上における供給位置を決定するための分布情報を管理（提供）する。パターン変化管理部４０６は、モールド１０１の使用履歴から算出される樹脂１２０の液滴補正量及び液滴の基板上における供給位置を決定するための分布情報を管理（提供）する。

液滴数算出部４０７は、インプリント処理を行う基板上のインプリント領域に供給すべき樹脂１２０の供給量、即ち、樹脂１２０の液滴数を算出する。液滴数算出部４０７は、例えば、設計情報設定部４０１及びパラメータ設定部４０２で設定された情報、装置変化管理部４０５及びパターン変化管理部４０６で管理された情報、液滴補正量などに基づいて、液滴数を算出する。

決定部４０８は、基板上における樹脂１２０の液滴の配列、即ち、樹脂１２０の液滴の供給位置を決定する。決定部４０８は、例えば、設計情報設定部４０１及びパラメータ設定部４０２で設定された情報、装置変化管理部４０５及びパターン変化管理部４０６で管理された情報、液滴数算出部４０７で算出された液滴数、液滴補正量などに基づいて、供給位置を決定する。

出力部４０９は、決定部４０８で決定された基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置に基づいて、指定された形式でマップを出力する。出力部４０９で出力されたマップは、ライブラリ３００に送信されて管理される。

インプリントシステム１０におけるインプリント処理について詳細に説明する。図６は、インプリントシステム１０におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。インプリント処理は、上述したように、ホストサーバ２００がインプリント装置１００、ライブラリ３００及び生成サーバ４００を統括的に制御し、制御部１１２がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。

Ｓ１００では、基板１０４に形成すべきパターンを形成可能なモールド１０１をインプリント装置１００に搬入し、かかるモールド１０１をヘッド１０２に保持させる。モールド１０１は、例えば、フォトマスクに用いる透明な石英基板に、設計情報に対応する凹凸のパターンが形成されたものである。モールド１０１には、一般的に、そのパターンを識別するためのＩＤが設定されている。

Ｓ１０１では、ヘッド１０２に保持されたモールド１０１のＩＤを読み取り、かかるＩＤに基づいて、ホストサーバ２００から、モールド１０１のパターン情報、具体的には、パターンの配置、線幅及び密度、或いは、パターンの形状の計測結果などを取得する。

Ｓ１０２では、ホストサーバ２００から、インプリント装置１００に搭載されたディスペンサ１１０に関するディスペンサ情報を取得する。ここで、ディスペンサ情報は、例えば、ディスペンサ１１０の種類及びノズル数、吐出性能である平均吐出量、ノズルごとの吐出量のばらつき、基板上での着弾位置のばらつきなどを含む。ディスペンサ１１０には、一般には、そのディスペンサ情報を識別するためのＩＤが設定されているため、かかるＩＤを読み取ることで、インプリント装置１００に搭載されたディスペンサ１１０に関するディスペンサ情報を取得することができる。

Ｓ１０３では、基板１０４をインプリント装置１００に搬入し、図７（ａ）に示すように、かかる基板１０４をステージ１０５に保持させる。

Ｓ１０４では、ライブラリ３００で管理されている複数のマップからインプリント処理に用いる１つのマップを選択する。具体的には、Ｓ１０１及びＳ１０２のそれぞれで取得したパターン情報及びディスペンサ情報、モールド１０１の使用履歴、ディスペンサ１１０の使用履歴、及び、インプリント処理の結果のうちの少なくとも１つに基づいて、マップを選択する。上述したように、マップは、ディスペンサ１１０から供給すべき樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示すものである。かかるマップは、本実施形態では、生成サーバ４００で生成され、目標とする充填時間に対して、欠陥や残膜厚の異常のないインプリント処理が可能なように最適化されている。

Ｓ１０５では、基板のショット領域のうち、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定する。ここで、ショット領域とは、１回のインプリント処理でパターンが形成される領域を意味するものとする。また、対象ショット領域とは、これからインプリント処理を行うショット領域を意味するものとする。本実施形態では、例えば、図７（ｂ）に示すように、基板１０４において連続するショット領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、・・・の順にインプリント処理を行う。但し、インプリント処理の順序は、図７（ｂ）に示すようなものに限定されるものではなく、千鳥格子順であってもよいし、ランダムであってもよい。

Ｓ１０６では、ディスペンサ１１０によって、基板上に樹脂１２０を供給する。この際、ディスペンサ１１０は、図７（ｃ）に示すように、Ｓ１０４で選択されたマップに従って、ステージ１０５の移動に応じて基板上に樹脂１２０の液滴を順次吐出する。

Ｓ１０７では、押印処理を行う。具体的には、まず、図８（ａ）に示すように、樹脂１２０が供給された基板１０４に対して、モールド１０１を近接させる。次いで、図８（ｂ）に示すように、モールド１０１と基板１０４との位置合わせを行いながら、モールド１０１と基板上の樹脂１２０とを接触させる。そして、モールド１０１のパターンに樹脂１２０が充填されるまで、かかる状態を維持する。モールド１０１と基板上の樹脂１２０とを接触させた初期段階では、モールド１０１のパターンへの樹脂１２０の充填が不十分であるため、パターンの隅に充填欠陥を生じている。但し、時間が経過していくにつれて、モールド１０１のパターンの隅々まで樹脂１２０が充填され、充填欠陥が減少する。

Ｓ１０８では、硬化処理を行う。具体的には、モールド１０１のパターンに樹脂１２０を十分充填させた後、図８（ｃ）に示すように、照射部１０３によって、モールド１０１の裏面から樹脂１２０に紫外線を所定時間照射して、基板上の樹脂１２０を硬化させる。

Ｓ１０９では、離型処理を行う。具体的には、図８（ｄ）に示すように、基板上の硬化した樹脂１２０からモールド１０１を引き離す。これにより、基板上にモールド１０１のパターンに対応する樹脂パターン１２１が形成される。

Ｓ１１０では、Ｓ１０４で選択したマップの変更が必要であるかどうかを判定する。かかる判定の基準は、例えば、インプリント処理の結果の変化、即ち、基板上に形成されたパターンのＣＤ、残膜厚及び欠陥数などの変化である。このような変化は、ディスペンサ１１０から吐出された樹脂１２０の液滴の液滴量や着弾位置のずれ、モールド１０１のパターンの寸法の変化、モールド１０１の使用限度回数のオーバーなどによって生じる。また、このような変化は、モールド１０１の押印力や離型力の変動、押印処理におけるモールド１０１と基板１０４との間のゴミの挟み込みなどによっても生じる。インプリント処理の結果の変化は、インプリント装置１００や外部の検査装置で検知することが可能である。インプリント処理の結果の変化が検知された場合には、パターンの転写不良（製品不良）を招く可能性があるため、インプリント処理を停止してもよい。マップの変更が必要である場合には、新たなマップを選択するために、Ｓ１０４に移行する。一方、マップの変更が必要でない場合には、Ｓ１１１に移行する。

Ｓ１１１では、基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行っていない場合には、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定するために、Ｓ１０５に移行する。Ｓ１０５からＳ１１１までの処理を繰り返すことで、基板１０４の全てのショット領域に樹脂パターン１２１が形成される。一方、基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行った場合には、Ｓ１１２に移行する。

Ｓ１１２では、全てのショット領域にインプリント処理が行われた基板１０４を、インプリント装置１００から搬出する。インプリント装置１００から搬出された基板１０４は、樹脂パターン１２１をマスクとして下層側が加工（例えば、エッチング）される。半導体デバイスを製造する際には、これらの処理がプロセスのレイヤごとに繰り返される。

ここで、同一のモールド１０１及びディスペンサ１１０を用いて、次のロットの基板１０４にインプリント処理を行う場合を考える。このような場合には、かかるインプリント処理に用いるマップとして、前のロットで使用していたマップ（同一のマップ）が選択される。

また、マップの変更が必要であるかどうかの判定（Ｓ１１０）では、モールド１０１の洗浄が必要であるかどうかも判定してもよい。モールド１０１の洗浄が必要でない場合には、かかるモールド１０１の使用履歴に応じて、ライブラリ３００で管理されている複数のマップから最適なマップが選択される。この際、最適なマップがライブラリ３００で管理されていない場合には、かかるマップの生成を指示するジョブがホストサーバ２００から生成サーバ４００に送信される。そして、かかるジョブに応じて生成サーバ４００で生成されたマップがライブラリ３００で保管されるとともに、ホストサーバ２００を介して、インプリント装置１００に送信される。

一方、モールド１０１の洗浄が必要である場合には、インプリント処理を停止して、ヘッド１０２からモールド１０１を取り外す。但し、この場合には、新たなモールド１０１をヘッド１０２に保持させて、ライブラリ３００で管理されている複数のマップから新たなモールド１０１に対応するマップを選択することで、インプリント処理を停止する期間を最小限に抑えるとよい。

ヘッド１０２から取り外されたモールド１０１は、モールド洗浄装置に搬入して洗浄される。モールド洗浄装置は、例えば、モールド１０１に付着するゴミや汚れに対して、薬液や純水を使用してウェット洗浄する洗浄装置を用いてもよいし、エキシマレーザやプラズマなどを使用してドライ洗浄する洗浄装置を用いてもよい。モールド１０１の洗浄が終了したら、かかるモールド１０１の使用履歴に洗浄したことが追加される。

また、モールド１０１を洗浄すると、そのパターンが摩耗し、パターンの形状に変化が生じる可能性がある。そこで、洗浄したモールド１０１のパターンの形状（凹凸形状）を計測する必要がある。具体的には、モールド１０１のパターンの形状として、モールド１０１のパターン寸法、凹部と凸部との体積比率（Ｄｕｔｙ Ｃｙｃｌｅ）、凹部の深さ（凸部の高さ）、凹凸のテーパー角、表面粗さ（Ｒａ）などを計測する。このようなモールド１０１のパターンの形状を表す物理量は、一般的な寸法計測装置、高さ計測装置、粗さ計測装置を用いて計測することができる。

例えば、モールド１０１のパターンの線幅及びＤｕｔｙ Ｃｙｃｌｅを計測する際には、電子ビーム方式の寸法計測装置（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いればよい。モールド１０１のパターンがライン（凹部）とスペース（凸部）との繰り返しパターンである場合、ラインの幅及びスペースの幅を複数箇所について計測し、モールド１０１を洗浄する前と比べて差分があれば、モールド１０１のパターンの線幅が変化したことになる。Ｄｕｔｙ Ｃｙｃｌｅについては、ラインとスペースとの比率から求めることができる。

また、モールド１０１の、凹部の深さ、凹凸のテーパー角、表面粗さを計測する際には、ＡＦＭや共焦点顕微鏡を用いればよい。これらは、モールド１０１のパターンを直接計測することで求めてもよいし、モールド１０１のパターンの外側に設けた計測用パターンを計測することで間接的に求めてもよい。

モールド１０１を洗浄すると、モールド１０１の表面（パターン領域１０１ａ）が一定量摩耗して薄くなることに加えて、そのパターンに応じて摩耗量の分布も発生する。例えば、モールド１０１のパターンがライン（凹部）とスペース（凸部）との繰り返しパターンである場合、洗浄によって、凹部の幅が太くなり、凸部の幅が狭くなるため、凹部の体積比率が増加する。また、凸部がより摩耗する場合には、凸部の高さがより小さくなり、凹凸のテーパー角は小さくなる。モールド１０１の表面における凹凸が小さくなる場合には、表面粗さが小さくなる。

モールド１０１のパターン（凹凸形状）を表す物理量は、モールド１０１のパターンを直接計測するのではなく、洗浄後に行われるテストインプリント処理により得られる樹脂パターンを計測することで求めることも可能である。テストインプリント処理により得られる樹脂パターンを計測する場合には、樹脂パターンを切り出してその断面を計測してもよい。

このようにして計測されたモールド１０１のパターンの寸法は、ホストサーバ２００に送信され、モールド１０１のパターンの寸法の実測値として管理される。また、洗浄したモールド１０１を用いてインプリント処理を行う場合には、モールド１０１を洗浄したことを含むモールド１０１の履歴情報に基づいて、新たなマップが選択又は生成され、インプリント処理に用いられる。

図９を参照して、ディスペンサ１１０から供給すべき樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置や供給量を示すマップを生成する処理について詳細に説明する。本実施形態では、上述したように、生成サーバ４００においてマップを生成し、かかるマップをライブラリ３００で管理する。但し、インプリントシステム１０の外部の情報処理装置などでマップを生成し、かかるマップをライブラリ３００で管理してもよい。

Ｓ２００では、モールド１０１のパターンの設計情報や装置情報から基板上の各領域に必要な樹脂１２０の供給量（塗布量）を算出した供給量分布を取得する。供給量分布は、ホストサーバ２００における装置情報管理部２０４、パターン情報管理部２０５、設計情報管理部２０６、条件管理部２０７及び生成指示部２０９からの情報に基づいて算出される。ここで、かかる情報は、モールド１０１のパターンの寸法、基板上に形成すべきパターンの残膜厚、基板１０４の面内における樹脂の揮発量の分布や気流の分布を含む基板面内分布情報、基板１０４のショット領域のレイアウト情報などを含む。

本実施形態では、供給量分布情報として、図１０に示すように、基板上における樹脂１２０の供給量分布を濃淡の多値情報に変換した画像データを用いる。図１０を参照するに、領域１３０ａ乃至１３０ｃは、モールド１０１のパターンの位置、形状及び深さなどに基づいて算出された濃淡を示している。領域１３０ａは、パターンの深さが深く、樹脂１２０の必要体積が大きい領域を示している。領域１３０ｂは、パターンの深さが浅く、樹脂１２０の必要体積が領域１３０ａよりも小さい領域を示している。領域１３０ｃは、パターンがなく、樹脂１２０の必要体積が領域１３０ｂよりも小さい領域を示している。

Ｓ２０１では、Ｓ２００で取得された供給量分布情報やディスペンサ１１０から吐出される樹脂１２０の液滴のサイズ（例えば、液滴量）に基づいて、基板上のインプリント領域内に必要な樹脂１２０の液滴数を算出する。

Ｓ２０２では、Ｓ２００で取得された供給量分布及びＳ２０１で算出された液滴数に基づいて、ディスペンサ１１０から供給すべき樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置や供給量を示すマップを生成する。具体的には、まず、Ｓ２００で取得した供給量分布情報から多値分布データを生成する。次いで、かかる多値分布データをハーフトーン処理によって２値化して、ディスペンサ１１０における樹脂１２０の液滴の吐出及び非吐出を指定する情報に変換することでマップを生成する。ハーフトーン処理としては、公知技術である誤差拡散法を用いることができる。図１１は、Ｓ２０２で生成されたマップの一例を示す図である。図１１では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点１４０ａで示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点１４０ｂで示している。

Ｓ２０３では、Ｓ２０２で生成されたマップ、即ち、ディスペンサ１１０から供給すべき樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示すマップをライブラリ３００に送信する。かかるマップは、ライブラリ３００におけるマップ保存部３０２に保存される。

本実施形態では、マップを生成する処理において、ハーフトーン処理として誤差拡散法を用いているが、これに限定されるものではなく、ディザ法などの他の手法も適用可能である。また、ハーフトーン処理以外の手法でも、基板上の必要な領域に必要量の液滴を配置できる手法であれば適用可能である。

また、本実施形態では、マップとして、樹脂１２０の液滴の吐出及び非吐出を指定する２値情報に変換したデータを用いているが、データの形式を特に限定するものではない。例えば、マップとして、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置を基板上の相対位置座標で表した数値データを用いることも可能である。また、マップには、基板上における樹脂１２０の各液滴の量（液滴量）に関する情報を追加することも可能である。

本実施形態におけるインプリントシステム１０では、モールド１０１及びディスペンサ１１０の少なくとも一方の経時変化によるインプリント処理の結果の変化を予測し、それに応じた複数のマップを予め管理している。従って、インプリント処理の結果が変化に応じて、新たなマップを生成することなく、ライブラリ３００に管理されている複数のマップからインプリント処理に適切なマップを選択することができる。これにより、マップを変更する際に、インプリント処理を停止させたり、モールド１０１を交換したりすることが不要となるため、インプリント装置１００の生産性（稼働率）を向上させることができる。

＜第２の実施形態＞
図１２を参照して、モールド１０１やディスペンサ１１０などの経時変化から変化が予測されるインプリント処理の結果の範囲における複数のマップを生成する処理について説明する。本実施形態では、上述したように、生成サーバ４００においてマップを生成し、かかるマップをライブラリ３００で管理する。但し、インプリントシステム１０の外部の情報処理装置などでマップを生成し、かかるマップをライブラリ３００で管理してもよい。

Ｓ３００では、ホストサーバ２００から、モールド１０１のパターン情報、具体的には、パターンの配置、線幅及び密度、或いは、パターンの形状の計測結果などを取得する。Ｓ３０１では、ホストサーバ２００から、インプリント装置１００に搭載されたディスペンサ１１０に関するディスペンサ情報を取得する。

Ｓ３０２では、ホストサーバ２００から、インプリント処理を行う際のインプリント条件を取得する。Ｓ３０３では、ホストサーバ２００から、基板１０４のショット領域のレイアウト情報を取得する。Ｓ３０３では、ホストサーバ２００から、モールド１０１の使用履歴及びディスペンサ１１０の使用履歴を取得する。

Ｓ３０５では、Ｓ３００乃至Ｓ３０３のそれぞれで取得したパターン情報、ディスペンサ情報、インプリント条件、モールド１０１の使用履歴及びディスペンサ１１０の使用履歴に基づいて、インプリント処理の結果の変化の範囲を予測する。この際、インプリント処理の結果の変化の範囲内において、マップを生成すべき複数の結果を設定する。また、本実施形態では、現在のインプリント処理の結果（即ち、現在のインプリント装置１００の状態）を中心として、その変化の範囲を予測する。

Ｓ３０６では、Ｓ３０５で予測されたインプリント処理の結果の変化の範囲内におけるマップを生成する。本実施形態では、インプリント処理の変化の範囲内で設定された複数の結果のうちの１つの結果に対応するマップを生成する。なお、マップの生成については、第１の実施形態と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。

Ｓ３０７では、Ｓ３０６で生成されたマップ、即ち、ディスペンサ１１０から供給すべき樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示すマップをライブラリ３００に送信する。かかるマップは、ライブラリ３００におけるマップ保存部３０２に保存される。

Ｓ３０８では、Ｓ３０５で予測されたインプリント処理の結果の範囲内における複数のマップの全て、即ち、インプリント処理の変化の範囲内で設定された複数の結果のそれぞれに対応するマップを生成しかたどうかを判定する。複数のマップの全てを生成していない場合には、インプリント処理の結果の範囲内における新たなマップを生成するために、Ｓ３０６に移行する。一方、複数のマップの全てを生成している場合には、処理を終了する。

また、インプリントシステム１０では、インプリント処理の結果の変化に応じて、ディスペンサ１１０から供給すべき樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示すマップを変更するとともに、ライブラリ３００で管理するマップを更新することも可能である。図１３を参照して、インプリント処理の結果の変化に対するマップの変更及び更新に関する処理について説明する。かかる処理は、ホストサーバ２００がインプリント装置１００、ライブラリ３００及び生成サーバ４００を統括的に制御することで行われる。

Ｓ４０１では、インプリント処理の結果の変化が検知されたかどうかを判定する。上述したように、インプリント処理の結果の変化は、インプリント装置１００や外部の検査装置で検知することが可能である。インプリント処理の結果の変化が検知されていない場合には、インプリント処理の結果の変化が検知されるまで待機する。一方、インプリント処理の結果の変化が検知された場合には、Ｓ４０２に移行する。

Ｓ４０２では、Ｓ４０１で検知されたインプリント処理の結果の変化に応じて、かかるインプリント処理の結果に対応する最適なマップ（即ち、次のインプリント処理で用いるべきマップ）がライブラリ３００で管理されているかどうかを判定する。インプリント処理の結果に対応するマップがライブラリ３００で管理されていない場合には、Ｓ４０３に移行する。一方、インプリント処理の結果に対応するマップがライブラリ３００で管理されている場合には、Ｓ４０４に移行する。

Ｓ４０３では、生成サーバ４００に対して、インプリント処理の結果に対応するマップの生成を指示する。生成サーバ４００で生成されたマップは、ライブラリ３００に送信されて管理される。

Ｓ４０４では、ライブラリ３００で管理されている複数のマップから、インプリント処理の結果に対応する最適なマップを、次のインプリント処理で用いるマップとして選択する。

Ｓ４０５では、Ｓ４０４でのマップの選択結果から、予測されたインプリント処理の結果の変化の範囲（予測範囲）にずれが発生しているか、即ち、インプリント処理の結果の変化の範囲が（例えば、第１範囲から第２範囲に）変動しているかどうかを判定する。予測範囲にずれが発生している場合には、Ｓ４０６に移行する。一方、予測範囲にずれが発生しない場合には、処理を終了する。

Ｓ４０６では、予測範囲のずれに応じて、インプリント処理の結果の範囲（例えば、第２範囲）を新たに予測し、生成サーバ４００に対して、かかる範囲内における複数のマップの生成を指示する。本実施形態では、Ｓ４０４で選択されたマップに対応するインプリント処理の結果を中心とする新たな予測範囲内の複数の結果のそれぞれに対応するマップの生成を指示する。生成サーバ４００で生成された複数のマップは、ライブラリ３００に送信されて管理される。この際、生成サーバ４００による新たな予測範囲内における複数のマップの生成を、インプリント装置１００によるインプリント処理と並行して行うとよい。これにより、インプリント処理の結果の変化が新たに検知されたときに、新たなマップを生成すること、即ち、インプリント処理を停止させることが不要となるため、インプリント装置１００の生産性（稼働率）を向上させることができる。また、これまでの予測範囲（第１範囲）と新たな予測範囲（第２範囲）とは、一部重なり合っていてもよい。

このように、本実施形態では、予測されたインプリント処理の結果の変化の範囲（予測範囲）にずれが発生した場合には、新たな予測範囲内の複数の結果のそれぞれに対応するマップを生成し、かかるマップをライブラリ３００で管理している。換言すれば、インプリント処理の結果の変化に応じて、ライブラリ３００で管理しているマップを更新している。従って、インプリント処理の結果が変化に応じて、新たなマップを生成することなく、ライブラリ３００に管理されている複数のマップからインプリント処理に適切なマップを選択することができる。これにより、マップを変更する際に、インプリント処理を停止させたり、モールド１０１を交換したりすることが不要となるため、インプリント装置１００の生産性（稼働率）を向上させることができる。

＜第３の実施形態＞
図１４は、本発明の一側面としてのインプリントシステム１１の構成を示す概略図である。インプリントシステム１１は、インプリントシステム１０と同様な構成を有し、基板上のインプリント材をモールドで成形するインプリント処理を行う。具体的には、インプリントシステム１１は、インプリント装置１００、ホストサーバ２００、ライブラリ３００及び生成サーバ４００に加えて、他のインプリント装置１００Ａ及び１００Ｂを有する。インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂは、ホストサーバ２００によって制御されている。

インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂのそれぞれで同時にインプリント処理を行う場合を考える。この場合、ホストサーバ２００は、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂのそれぞれについて、ライブラリ３００で管理されている複数のマップからインプリント処理に用いる１つのマップを選択する。これは、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂで使用されるモールド１０１及びディスペンサ１１０が装置ごとに異なる（別である）からである。なお、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂで使用されるモールド１０１及びディスペンサ１１０に実質的に差がない場合には、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂで同一のマップを選択してもよい。但し、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂの間でインプリント処理の結果に変化に差が生じた場合には、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂのそれぞれについて、最適なマップを選択することが必要となる。

また、本実施形態では、ライブラリ３００は、マップを管理する際に、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂのそれぞれを識別して管理する。換言すれば、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂごとに、予測範囲内におけるマップを管理する。これにより、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂの間でインプリント処理の結果に変化に差が生じた場合にも、最適なマップを選択できる可能性を高めることができる。

また、インプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂのそれぞれの予測範囲については、他のインプリント装置におけるマップの選択結果を参照して設定することも可能である。ここで、インプリント装置１００で使用されるモールド１０１の洗浄回数がインプリント装置１００Ａで使用されるモールド１０１の洗浄回数よりも先行して進んでいた場合を考える。この場合、インプリント装置１００におけるマップの選択履歴から、インプリント装置１００Ａにおいて選択されるマップを予測することが可能となる。例えば、モールド１０１の洗浄に対して、予め予測されているモールド１０１のパターンの寸法の変化と、インプリント装置１００で実際に使用しているモールド１０１のパターンの寸法の変化との間に差分があることがある。そこで、この差分をインプリント装置１００Ｂにおける予測範囲に反映させる。これにより、インプリント装置１００Ｂで使用されるモールド１０１の洗浄回数がインプリント装置１００Ａで使用されているモールド１０１の洗浄回数に達したときに、最適なマップを選択できる可能性を高めることができる。

複数のインプリント装置を有するインプリントシステム１１においては、各インプリント装置におけるマップの選択結果を、他のインプリント装置の予測範囲に反映させることで、予測範囲の精度を高めることが可能となる。

また、本実施形態では、３つのインプリント装置１００、１００Ａ及び１００Ｂを１つのホストサーバ２００で制御している。このように、複数のインプリント装置を１つのホストサーバで制御する場合にはかかるホストサーバの負荷が大きくなることが想定される。従って、ディスペンサが供給すべき樹脂の液滴の基板上における供給位置を示すマップを選択する機能を各インプリント装置が有していてもよい。この場合、ホストサーバは、各インプリント装置におけるマップの選択履歴を管理することになる。

このように、インプリントシステム１１では、複数のインプリント装置を有していても、各インプリント装置を識別して複数のマップを予め管理している。従って、各インプリント装置について、インプリント処理の結果が変化に応じて、新たなマップを生成することなく、ライブラリ３００に管理されている複数のマップからインプリント処理に適切なマップを選択することができる。これにより、マップを変更する際に、インプリント処理を停止させたり、モールド１０１を交換したりすることが不要となるため、インプリント装置１００の生産性（稼働率）を向上させることができる。

＜第４の実施形態＞
物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリントシステム１０又は１１を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１０：インプリントシステム １００：インプリント装置 ２００：ホストサーバ ３００：ライブラリ ４００：生成サーバ

Claims (15)

1. 基板上のインプリント材とモールドとを互いに接触させた状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリントシステムであって、
   前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給するディスペンサを含み、前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行う処理部と、
   前記ディスペンサから供給すべき液滴の前記基板上における供給位置及び供給量の少なくとも一方を示す、互いに異なる複数の分布情報を管理するライブラリと、
   前記モールド及び前記ディスペンサの少なくとも一方の経時変化による前記インプリント処理の結果の変化に関する情報に基づいて、前記ライブラリで管理されている前記複数の分布情報から前記インプリント処理に用いる１つの分布情報を選択する制御部と、
   を有し、
   前記複数の分布情報のそれぞれは、前記経時変化から変化が予測されるインプリント処理の結果の範囲内の複数の結果のそれぞれに対応する、液滴の前記基板上における供給位置及び供給量の少なくとも一方を示すことを特徴とするインプリントシステム。
2. 前記情報は、前記モールドの使用履歴、前記ディスペンサの使用履歴及び前記インプリント処理の結果のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリントシステム。
3. 前記制御部は、前記インプリント処理を行う際のインプリント条件にも基づいて、前記１つの分布情報を選択することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントシステム。
4. 前記インプリント条件は、前記基板の面内における前記インプリント材の揮発量の分布及び前記基板の面内における気流の分布を含む基板面内分布情報、及び、前記基板のショット領域のレイアウト情報のうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項３に記載のインプリントシステム。
5. 前記インプリント処理の結果は、前記基板上に形成されたパターンの線幅、残膜厚及び欠陥数のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリントシステム。
6. 前記複数の分布情報は、前記モールドのパターンの寸法及び前記基板上に形成すべきパターンの残膜厚に基づいて生成されていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリントシステム。
7. 前記モールドのパターンの寸法は、前記モールドのパターンの設計値又は前記モールドのパターンの実測値を含むことを特徴とする請求項６に記載のインプリントシステム。
8. 前記複数の分布情報は、前記基板の面内における前記インプリント材の揮発量の分布及び前記基板の面内における気流の分布を含む基板面内分布情報、及び、前記基板のショット領域のレイアウト情報の少なくとも一方にも基づいて生成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリントシステム。
9. 前記分布情報を生成する生成部を更に有することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリントシステム。
10. 前記経時変化から変化が予測される前記インプリント処理の結果の範囲が第１範囲から第２範囲に変動する場合に、前記制御部は、前記第２範囲における分布情報を生成するように前記生成部を制御し、且つ、前記生成部によって生成された前記第２範囲における分布情報を管理するように前記ライブラリを制御することを特徴とする請求項９に記載のインプリントシステム。
11. 前記制御部は、前記処理部による前記インプリント処理と、前記生成部による前記第２範囲における分布情報の生成とが並行して行われるように、前記処理部及び前記生成部を制御することを特徴とする請求項１０に記載のインプリントシステム。
12. 前記第１範囲と前記第２範囲とは、一部重なり合っていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のインプリントシステム。
13. 前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給するディスペンサをそれぞれ含み、前記インプリント材を硬化させるインプリント処理をそれぞれ行う他の処理部を更に有し、
    前記制御部は、前記処理部及び前記他の処理部のそれぞれについて、前記ライブラリで管理されている前記複数の分布情報から前記インプリント処理に用いる１つの分布情報を選択することを特徴とする請求項１に記載のインプリントシステム。
14. 基板上のインプリント材とモールドとを互いに接触させた状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うインプリントシステムであって、
    前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給するディスペンサを含み、前記インプリント材を硬化させるインプリント処理を行う処理部と、
    前記ディスペンサから供給すべき液滴の前記基板上における供給位置及び供給量の少なくとも一方を示す、互いに異なる複数の分布情報を管理するライブラリと、
    前記ディスペンサの経時変化による前記インプリント処理の結果の変化に関する情報に基づいて、前記ライブラリで管理されている前記複数の分布情報から前記インプリント処理に用いる１つの分布情報を選択する制御部と、
    を有することを特徴とするインプリントシステム。
15. 請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載のインプリントシステムを用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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