JP6762364B2 - レーザシステム - Google Patents
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Description
A.パルスレーザ光を出力するレーザ装置;及び
B.パルスレーザ光のパルス幅を伸長するための遅延光路を含む第1の光学パルスストレッチャであって、遅延光路を周回して出力される周回光のビームウェスト位置を、周回数に応じて光路軸方向に変化させるように構成された第1の光学パルスストレッチャ。
1.比較例
1.1 構成
1.2 動作
1.3 パルス幅の定義
1.4 課題
1.4.1 空間分解による可干渉性の低下
2.第1の実施形態
2.1 構成
2.2 動作
2.3 効果
2.4 ビームウェスト位置について
2.5 OPSの変形例
2.5.1 第1の変形例
2.5.2 第2の変形例
3.第2の実施形態
3.2 動作
3.3 効果
4.増幅器の後段にOPSを配置する例
5.増幅器の変形例
5.1 第1の変形例
5.2 第2の変形例
1.1 構成
図1は、比較例に係るレーザシステム2の構成を概略的に示す。図1において、レーザシステム2は、マスターオシレータとしての固体レーザ装置3と、光学パルスストレッチャ(OPS:Optical Pulse Stretcher)10と、ビームエキスパンダ20と、増幅器30と、を含む。
次に、比較例に係るレーザシステム2の動作について説明する。まず、固体レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光PLは、OPS10内のビームスプリッタ11に入射する。ビームスプリッタ11に入射したパルスレーザ光PLのうち一部は、ビームスプリッタ11を透過し、遅延光路を周回していない0周回光PS0としてOPS10から出力される。
レーザ光のパルス幅TISは、下式1により定義される。ここで、tは時間である。I(t)は、時間tにおける光強度である。伸長パルスレーザ光PTのパルス幅は、下式1を用いて求められる。
次に、比較例に係るレーザシステム2の課題について説明する。レーザシステム2から露光装置に供給されるレーザ光は、可干渉性が低いほど好ましいため、さらなる可干渉性の低下が求められている。
比較例に係るレーザシステム2では、OPS10によりパルスレーザ光PLを時間的に分解することにより可干渉性を低下させているが、さらにパルスレーザ光PLを空間的に分解することにより可干渉性を低下させることが可能である。
次に、本開示の第1の実施形態に係るレーザシステムについて説明する。第1の実施形態に係るレーザシステムは、OPSの構成が異なること以外は、図1に示した比較例に係るレーザシステムの構成と同一である。以下では、図1に示した比較例に係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図6は、第1の実施形態に係るレーザシステム50の構成を示す。レーザシステム50は、固体レーザ装置3と、OPS60と、ビームエキスパンダ20と、増幅器30と、を含む。OPS60は、ビームスプリッタ61と、第1〜第4の凹面ミラー62a〜62dと、を含む。ビームスプリッタ61は、比較例のビームスプリッタ11と同一の構成である。
次に、第1の実施形態に係るレーザシステム50の動作について説明する。まず、固体レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光PLは、OPS60内のビームスプリッタ61に入射する。ビームスプリッタ61に入射したパルスレーザ光PLのうち一部は、ビームスプリッタ61を透過し、0周回光PS0としてOPS60から出力される。図9Aは、OPS60から出力される0周回光PS0を示す。0周回光PS0は、コリメート光である。
OPS60は、パルスレーザ光PLを時間的に分解することに加え、分解された複数のパルス光PSnを、進行方向を変えずに、ビームウェスト位置wnを光路軸方向に変化させる。これにより、複数のパルス光PSnは、それぞれビームウェスト位置wn及び発散角θnが異なるので、相互の可干渉性がさらに低下し、これらで構成される伸長パルスレーザ光PTの可干渉性がさらに低下する。
図11Aは、第1の実施形態のOPS60から出力される複数のパルス光PSnのビームウェスト位置wnの変化を計測する方法を説明する模式図である。OPS60の出力光の光路軸上に焦点距離がfの理想レンズ70を配置し、理想レンズ70による出力光の集光位置を計測する。この集光位置がビームウェスト位置に対応する。理想レンズ70とは、収差を無視できる程度のレンズである。集光位置は、図12に示すように、ビームのスポット径が最小となる位置を計測することにより求まる。
次に、遅延光学系を非コリメート光学系とするためのその他の例について説明する。
図13は、第1の変形例に係るOPS80の構成を示す。OPS80は、ビームスプリッタ81と、第1〜第4の凹面ミラー82a〜82dと、を含む。ビームスプリッタ81は、比較例のビームスプリッタ11と同一の構成である。
図14は、第2の変形例に係るOPS90の構成を示す。OPS90は、ビームスプリッタ91と、第1〜第4の凹面ミラー92a〜92dと、第1のレンズ93と、第2のレンズ94と、を含む。ビームスプリッタ91は、比較例のビームスプリッタ11と同一の構成である。第1〜第4の凹面ミラー92a〜92dは、比較例の第1〜第4の凹面ミラー12a〜12dと同一の構成であり、かつ同一の位置に配置されている。すなわち、OPS90は、LOPS=8Fの関係を有する。
次に、本開示の第2の実施形態に係るレーザシステムについて説明する。第2の実施形態に係るレーザシステムは、OPSの構成が異なること以外は、図6に示した第1の実施形態に係るレーザシステム50の構成と同一である。第1の実施形態では、OPSを複数の凹面ミラーを含む構成としているが、第2の実施形態では、OPSを、集光レンズを含む構成とする。
次に、第2の実施形態に係るレーザシステムの動作について説明する。まず、固体レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光PLは、第1の集光レンズ103を介してビームスプリッタ101に入射する。ビームスプリッタ101に入射したパルスレーザ光PLのうち一部は、ビームスプリッタ101を透過し、第2の集光レンズ104に入射する。第2の集光レンズ104から出射される光は、0周回光PS0としてOPS100から出力される。図16Aに示すように、0周回光PS0は、コリメート光である。
第2の実施形態に係るレーザシステムは、第1の実施形態と同様に、出力光の可干渉性を低下させるとともに、ASE光の発生を抑制することができる。また、第2の実施形態に係るレーザシステムでは、第2の集光レンズ104及び第4の集光レンズ106の位置を調整することにより、n周回光PSnの発散角θn及びビームウェスト位置wnを調整することができる。
第1及び第2の実施形態に係るレーザシステムでは、固体レーザ装置3と増幅器30との間にOPSを配置しているが、さらに増幅器30の後段にOPSを配置してもよい。なお、固体レーザ装置3と増幅器30との間に配置されたOPSが、第1の光学パルスストレッチャに対応する。増幅器の後段に配置されたOPSが、第2の光学パルスストレッチャに対応する。
第1及び第2の実施形態に係るレーザシステムでは、図6に示される増幅器30を適用しているが、増幅器は、様々な構成を取り得る。
図19は、第1の変形例に係る増幅器300の構成を示す。増幅器300は、図6に示される増幅器30の構成におけるリアミラー33と出力結合ミラー34とに代えて、凹面ミラー310と凸面ミラー320とを備えている。凹面ミラー310と凸面ミラー320とは、伸長パルスレーザ光PTが一対の放電電極32a及び32b間の放電空間35を3回通過して、ビームが拡大されるように配置されている。増幅器300のその他の構成は、増幅器30と同様である。増幅器300は、マルチパス増幅器と称される。
図20は、第2の変形例に係る増幅器400の構成を示す。図20において、増幅器400は、レーザチャンバ31と、出力結合ミラー410と、高反射ミラー420〜422とを含む。高反射ミラー420〜422は、平面ミラーである。さらに、増幅器400は、伸長パルスレーザ光PTを高反射ミラー420に導くための高反射ミラーを含んでもよい。
Claims (15)
- レーザシステムは、以下を備える:
A.パルスレーザ光を出力するレーザ装置;及び
B.前記パルスレーザ光のパルス幅を伸長するための遅延光路を含む第1の光学パルスストレッチャであって、前記遅延光路を周回して出力される周回光のビームウェスト位置を、周回数に応じて光路軸方向に変化させるように構成された第1の光学パルスストレッチャ。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記周回光は、理想レンズで集光した場合に、集光位置が、周回数に応じて光路軸方向に変化する。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、以下をさらに含む:
前記遅延光路は、複数の凹面ミラーにより構成されており、
前記複数の凹面ミラーのうち少なくとも1つの凹面ミラーの曲率が、他の凹面ミラーの曲率と異なる。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、以下をさらに含む:
前記遅延光路は、複数の凹面ミラーにより構成されており、
前記複数の凹面ミラーのうち少なくとも1つの凹面ミラーが、コリメート条件を満たす位置から、前記遅延光路の光路長を変更する方向に移動されている。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、以下をさらに含む:
前記遅延光路は、複数の凹面ミラーにより構成されており、
前記遅延光路には、発散角を変更して出力するレンズが配置されている。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、以下をさらに含む:
前記遅延光路は、複数の高反射ミラーと、複数の集光レンズとにより構成されており、
前記複数の集光レンズのうち少なくとも1つの集光レンズは、コリメート条件を満たす位置から光路軸方向に移動されている。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記遅延光路の光路長が、前記パルスレーザ光の時間的コヒーレント長以上である。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、以下をさらに含む:
C.前記第1の光学パルスストレッチャから出力される伸長パルスレーザ光を増幅する増幅器。 - 請求項8に記載のレーザシステムであって、
前記増幅器は、ファブリペロ共振器またはリング共振器を含む。 - 請求項8に記載のレーザシステムであって、
前記増幅器は、マルチパス増幅器である。 - 請求項8に記載のレーザシステムであって、以下をさらに含む:
D.前記第1の光学パルスストレッチャと前記増幅器との間に配置されたビームエキスパンダ;
ここで、前記ビームエキスパンダは、前記伸長パルスレーザ光のビーム径を、前記増幅器の放電空間の幅に合わせるように拡大する。 - 請求項8に記載のレーザシステムであって、以下をさらに含む:
E.前記増幅器からの出力光のパルス幅を伸長する第2の光学パルスストレッチャ。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記パルスレーザ光のパルス幅をΔD、前記遅延光路の光路長をLOPS、光速をcとした場合に、下式(a)を満たす。
LOPS=c・ΔD ・・・(a) - 請求項8に記載のレーザシステムであって、
前記増幅器は、ファブリペロ共振器であり、
伸長パルスレーザ光のパルス幅をΔDT、前記ファブリペロ共振器の光路長をLamp、光速をcとした場合に、下式(b)を満たす。
ΔDT≧Lamp/c ・・・(b) - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記レーザ装置は、固体レーザ装置である。
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| JPH01132186A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Toshiba Corp | レーザパルスストレッチャー |
| JPH0473983A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Toshiba Corp | レーザパルスストレッチャー |
| JP2554772B2 (ja) * | 1990-10-11 | 1996-11-13 | 株式会社東芝 | レーザパルスストレッチャー |
| US6693939B2 (en) * | 2001-01-29 | 2004-02-17 | Cymer, Inc. | Laser lithography light source with beam delivery |
| US7518787B2 (en) * | 2006-06-14 | 2009-04-14 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
| US7415056B2 (en) * | 2006-03-31 | 2008-08-19 | Cymer, Inc. | Confocal pulse stretcher |
| US6928093B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-08-09 | Cymer, Inc. | Long delay and high TIS pulse stretcher |
| US7916388B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-03-29 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
| JP4416481B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2010-02-17 | ギガフォトン株式会社 | 光学的パルス伸長器および露光用放電励起ガスレーザ装置 |
| JP2005303135A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Canon Inc | 明光学装置およびそれを用いた投影露光装置 |
| US7564888B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-07-21 | Cymer, Inc. | High power excimer laser with a pulse stretcher |
| JP4627185B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2011-02-09 | 株式会社小松製作所 | 光学パルスストレッチ装置における遅延光学路長の設定方法 |
| WO2006096171A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Coherent, Inc. | Optical pulse duration extender |
| US20060216037A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Wiessner Alexander O | Double-pass imaging pulse-stretcher |
| JP4912125B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2012-04-11 | 株式会社小松製作所 | 露光装置用狭帯域レーザ装置 |
| JP5096035B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2012-12-12 | ギガフォトン株式会社 | 光学的パルスストレッチ装置及び露光用放電励起レーザ装置 |
| DE102007045454B4 (de) * | 2007-09-24 | 2013-04-25 | Hellma Materials Gmbh & Co. Kg | Pulsstretcher mit variablen Verzögerungsstrecken |
| JP2010003755A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 波長変換レーザ装置 |
| EP2204695B1 (en) * | 2008-12-31 | 2019-01-02 | ASML Holding N.V. | Etendue adjuster for a pulsed beam |
| JP5410344B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2014-02-05 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
| JP2012015445A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザアニール処理装置およびレーザアニール処理方法 |
| US8416396B2 (en) * | 2010-07-18 | 2013-04-09 | David H. Parker | Methods and apparatus for optical amplitude modulated wavefront shaping |
| JP2012199425A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Gigaphoton Inc | マスタオシレータ、レーザシステム、およびレーザ生成方法 |
| JP5844536B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2016-01-20 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステムおよびレーザ生成方法 |
| JP5844535B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2016-01-20 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステムおよびレーザ生成方法 |
| US8724203B2 (en) * | 2011-12-12 | 2014-05-13 | Corning Incorporated | Variable pulse stretching length by variable beamsplitter reflectivity |
| JP2013214708A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Gigaphoton Inc | レーザ装置、レーザシステムおよび極端紫外光生成装置 |
| JP6348121B2 (ja) * | 2013-12-16 | 2018-06-27 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
| CN104319615B (zh) * | 2014-11-02 | 2017-12-26 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于双分束元件的准分子激光脉冲展宽装置 |
| WO2016147308A1 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | 国立大学法人九州大学 | レーザシステム及びレーザアニール装置 |
| WO2017163356A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 国立大学法人九州大学 | レーザドーピング装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2018138819A1 (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
| WO2018229854A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び光学素子の製造方法 |
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