JP7308092B2 - 水晶素子、水晶デバイス及び電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、水晶素子、水晶素子を備えた水晶デバイス、及び、水晶デバイスを備えた電子機器に関する。水晶デバイスとしては、例えば水晶振動子又は水晶発振器などが挙げられる。

厚みすべり振動モードの水晶素子は、ＡＴカットの水晶片の両主面に、金属膜パターンからなる励振電極を形成したものである。この種の水晶素子として、水晶片の側面に結晶面であるｍ面を有するもの（以下「関連技術１」という。）が知られている（例えば特許文献１の図３参照）。

水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果及び逆圧電効果を利用して、特定の発振周波数を発生させる。一般的な水晶デバイスは、パッケージ内に水晶素子を収容し、これを蓋体によって気密封止した構造である（例えば特許文献１の図１参照）。

特開２０１５－２１１３６２号公報

上述の水晶素子では、水晶片の側面で反射する振動が励振電極での主振動に影響しないように、水晶片の側面から励振電極までの距離を所定値に設定している。しかしながら、関連技術１では、側面の一部であるｍ面が主面に対して斜めになっているので、ｍ面で反射する振動が複雑な経路で伝搬することになる。そのため、ｍ面で反射する振動が励振電極に到達して、主振動を阻害したり、主振動に結合したりすることがある。その結果、関連技術１では、水晶素子の等価直列抵抗値の増加、周波数温度特性の劣化など、電気的特性の低下を招いていた。

そこで、本開示の目的は、ｍ面で反射する振動の影響を低減することにより、電気的特性を向上し得る水晶素子を提供することにある。

本開示に係る水晶素子は、
平面視して長辺及び短辺からなる略矩形であり、互いに向かい合う二つの主面及び前記二つの主面に挟まれた側面を有する水晶片と、
前記主面においてその中央に位置する励振電極と、
前記主面においてその周縁に位置する接続電極と、
前記接続電極と前記励振電極とを電気的に繋ぐ配線電極と、
前記長辺を含む前記側面の一部であり、前記長辺に沿って延びる結晶面であるｍ面と、
前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記長辺に沿って延びる振動抑制パターンと、
を備え、
前記接続電極は、前記主面の周縁において前記短辺側に位置し、
前記配線電極の一部は、前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記接続電極から前記長辺に沿って延び前記振動抑制パターンに繋がっているものである。

本開示に係る水晶デバイスは本開示に係る水晶素子を備えたものであり、本開示に係る電子機器は本開示に係る水晶デバイスを備えたものである。

本開示に係る水晶素子によれば、主面のｍ面に接する側及びｍ面の少なくとも一方に位置し、長辺に沿って延びる振動抑制パターンを備えたことにより、ｍ面への振動の伝搬及びｍ面からの振動の反射を抑制できるので、電気的特性を向上できる。

図１［Ａ］は実施形態１の水晶素子を示す斜視図、図１［Ｂ］は図１［Ａ］におけるＩｂ－Ｉｂ線拡大断面図である。 図２［Ａ］は実施形態１の水晶素子の表側を示す平面図、図２［Ｂ］は実施形態１の水晶素子の裏側を示す平面透視図である。 図３［Ａ］は実施形態２の水晶素子の表側を示す平面図、図３［Ｂ］は実施形態２の水晶素子の裏側を示す平面透視図である。 図４［Ａ］は実施形態３の水晶素子の表側を示す平面図、図４［Ｂ］は実施形態３の水晶素子の裏側を示す平面透視図である。 図５［Ａ］は実施形態４の水晶素子の表側を示す平面図、図５［Ｂ］は実施形態４の水晶素子の裏側を示す平面透視図である。 図６［Ａ］は実施形態５の水晶デバイスを示す斜視図であり、図６［Ｂ］は図６［Ａ］におけるVIｂ－VIｂ線断面図である。 図７［Ａ］は実施形態６の電子機器の第一例を示す正面図であり、図７［Ｂ］は実施形態６の電子機器の第二例を示す正面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本開示を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いることにより適宜説明を省略する。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。平面透視図では、表側から水晶片を透視して、裏側の電極を見た状態を示している。

＜実施形態１＞
図１及び図２に示すように、本実施形態１の水晶素子１０は、水晶片１２と、励振電極１４ｅ，１４ｆと、接続電極１４ａ，１４ｂと、配線電極１４ｇ，１４ｈと、ｍ面１６ａ，１６ｂと、振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆと、備えたものである。

水晶片１２は、平面視して長辺１１ａ，１１ｂ及び短辺１１ｃ，１１ｄからなる略矩形であり、互いに向かい合う二つの主面１３ｅ，１３ｆと、二つの主面１３ｅ，１３ｆに挟まれた側面１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄと、を有する。励振電極１４ｅ，１４ｆは、主面１３ｅ，１３ｆにおいてその中央に位置する。接続電極１４ａ，１４ｂは、主面１３ｅ，１３ｆにおいてその周縁に位置する。配線電極１４ｇ，１４ｈは、接続電極１４ａ，１４ｂと励振電極１４ｅ，１４ｆとを電気的に繋いでいる。振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆは、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側に位置し、長辺１１ａ，１１ｂに沿って延びている。

振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆは、励振電極１４ｅ，１４ｆ等と同じ金属膜からなり、励振電極１４ｅ，１４ｆ等と同時に形成される。また、振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆは、どの電極にも接続されておらず、電気的に浮いている（フローティング）。

振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆは、次のようにしてもよい。振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆの形成位置は、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側に限らず、ｍ面１６ａ，１６ｂでもよいし、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの両方でもよい。振動抑制パターン１５ｅの平面形状は、側面１３ａに沿った直線状に限らず、側面１３ａ，１３ｂに沿ったニの字状にしてもよいし、側面１３ａ，１３ｄに沿ったＬ字状にしてもよいし、側面１３ａ，１３ｂ，１３ｄに沿ったコの字状などにしてもよい。振動抑制パターン１５ｆの平面形状についても同様である。主面１３ｅに位置する振動抑制パターン１５ｅと主面１３ｆに位置する振動抑制パターン１５ｆとは、平面透視して互いに重ならない部分に形成されているが、平面透視して互いに重なる部分に形成してもよい。つまり、主面１３ｅに位置する振動抑制パターン１５ｅと主面１３ｆに位置する振動抑制パターン１５ｆとで、水晶片１２の周縁を挟むようにしてもよい。材質は、金属膜に限らず、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜としてもよい。

長辺１１ａ，１１ｂを含む二つの側面１３ａ，１３ｂは、水晶片１２の厚み方向（Ｙ’軸方向）に斜めとなるｍ面１６ａ，１６ｂと、水晶片１２の厚み方向に略平行となる垂直面１７ａ，１７ｂとを有する。ｍ面１６ａ，１６ｂは結晶面のｍ面であり、垂直面１７ａ，１７ｂは結晶面のＲ面に直角な面を含む。換言すると、ｍ面１６ａ，１６ｂは主面１３ｅ，１３ｆに対して斜めであり、垂直面１７ａ，１７ｂは主面１３ｅ，１３ｆに対して略垂直である。

次に、水晶素子１０について更に詳しく説明する。

水晶片１２は、ＡＴカット水晶板である。すなわち、水晶において、Ｘ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）及びＺ軸（光軸）からなる直交座標系ＸＹＺを、Ｘ軸回りに３０°以上かつ５０°以下（一例として、３５°１５′）回転させて直交座標系ＸＹ’Ｚ’を定義したとき、ＸＺ’平面に平行に切り出されたウェハが水晶片１２の原材料となる。そして、長辺１１ａ，１１ｂがＸ軸に平行、短辺１１ｃ，１１ｄがＺ’軸に平行、厚み方向がＹ’軸に平行である。水晶片１２の外形寸法を例示すれば、長辺１１ａ，１１ｂは６５０～９２０μｍ、短辺１１ｃ，１１ｄは５５０～６９０μｍ、厚みは発振周波数に応じて異なる。例えば、発振周波数が１００ＭＨｚ以上の場合は、励振電極１４ｅ，１４ｆが位置する部分の水晶片１２の厚みは１７μｍ以下である。

一対の励振電極１４ｅ，１４ｆは、平面視して略矩形であり、両主面１３ｅ，１３ｆのそれぞれ略中央に設けられている。励振電極１４ｅ，１４ｆからは、励振に寄与しない配線電極１４ｇ，１４ｈが、長辺１１ａ，１１ｂに沿って短辺１１ｃの接続電極１４ａ，１４ｂまで延びている。つまり、接続電極１４ａは配線電極１４ｇを介して励振電極１４ｅに導通し、接続電極１４ｂは配線電極１４ｈを介して励振電極１４ｆに導通している。なお、励振電極１４ｅ，１４ｆは、略矩形に限らず、例えば略円形又は略楕円形などであってもよい。

励振電極１４ｅ，１４ｆは、例えばクロム（Ｃｒ）からなる下地層と、金（Ａｕ）からなる導体層と、の積層体を成している。つまり、水晶片１２上に下地層が位置し、下地層上に導体層が位置している。下地層は、主に水晶片１２との密着力を得る役割を果たす。導体層は、主に電気的導通を得る役割を果たす。接続電極１４ａ，１４ｂ及び配線電極１４ｇ，１４ｈも、励振電極１４ｅ，１４ｆと同様に、下地層と導体層との積層体としてもよい。

励振電極１４ｅ，１４ｆ等の製造工程としては、水晶片１２に成膜後にフォトレジストパターンを形成してエッチングする方法、水晶片１２にフォトレジストパターンを形成後に成膜してリフトオフする方法、又は、水晶片１２をメタルマスクで覆い成膜する方法などが挙げられる。成膜には、スパッタ又は蒸着などが用いられる。

ｍ面１６ａ，１６ｂ及び垂直面１７ａ，１７ｂは、ウェットエッチング時（外形加工工程）に主面１３ｅのマスク（耐食膜）と主面１３ｆのマスク（耐食膜）とをＺ’軸方向に少しずらすことによって得られる。

水晶素子１０は、例えば、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて次のように製造することができる。

まず、ＡＴカットの水晶ウェハ全面に耐食膜を設け、その上にフォトレジストを設ける。続いて、そのフォトレジストの上に水晶片１２のパターンが描かれたマスクを重ね、露光及び現像をすることにより一部の耐食膜を露出させ、この状態で耐食膜に対するウェットエッチングをする。その後、残った耐食膜をマスクにして、水晶ウェハに対してウェットエッチングをすることにより、水晶片１２の外形を形成する（外形加工工程）。

その後、残った耐食膜を水晶ウェハから除去し、励振電極１４ｅ，１４ｆ等となる金属膜を水晶ウェハ全面に設ける。続いて、励振電極１４ｅ，１４ｆ等のパターンからなるフォトレジストマスクを金属膜上に形成し、不要な金属膜をエッチングによって除去することにより、下地層及び導体層からなる励振電極１４ｅ，１４ｆ等を形成する。その後、不要なフォトレジストを除去することにより、水晶ウェハに複数の水晶素子１０を形成する。最後に、この水晶ウェハから各水晶素子１０に個片化することで、単体の水晶素子１０が得られる。

水晶素子１０の動作は次のとおりである。励振電極１４ｅ，１４ｆを介して、水晶片１２に交番電圧を印加する。すると、水晶片１２は、両主面１３ｅ，１３ｆが互いにずれるように厚みすべり振動を起こし、特定の発振周波数を発生させる。このように、水晶素子１０は、水晶片１２の圧電効果及び逆圧電効果を利用して、一定の発振周波数の信号を出力するように動作する。このとき、励振電極１４ｅ，１４ｆ間の水晶片１２の板厚が薄いほど、高い発振周波数となる。

次に、水晶素子１０の作用及び効果について説明する。

ｍ面１６ａ，１６ｂで反射した振動は、近傍の振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆが錘となることにより減衰する。そのため、ｍ面１６ａ，１６ｂで反射する振動が励振電極１４ｅ，１４ｆに到達して、主振動を阻害したり主振動に結合したりすることを、抑えられる。その結果、関連技術１と比較して、等価直列抵抗値の低減、及び、周波数温度特性の向上などを達成できる。よって、水晶素子１０によれば、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの少なくとも一方に位置し、長辺１１ａ，１１ｂに沿って延びる振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆを備えたことにより、ｍ面１６ａ，１６ｂへの振動の伝搬及びｍ面１６ａ，１６ｂからの振動の反射を抑制できるので、電気的特性を向上できる。

また、長辺１１ａ，１１ｂを含む二つの側面１３ａ，１３ｂが、水晶片１２の厚み方向（Ｙ’軸方向）に斜めとなるｍ面１６ａ，１６ｂと、水晶片１２の厚み方向に略平行となる垂直面１７ａ，１７ｂとを有することにより、換言すると、結晶面のｍ面であるｍ面１６ａ，１６ｂと、結晶面のＲ面に直角な面を含む垂直面１７ａ，１７ｂと、を備えたことにより、両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）が実質的に薄くなる。よって、両端部（両側面１３ａ，１３ｂ）での振動変位が大きく減衰するため、振動エネルギの閉じ込め効果によって、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値を低減できる。この効果により、いわゆるコンベックス形状、ベベル形状又はメサ型などの構造を採らなくてもよくなるので、製造工程を簡素化できる。この効果は、水晶片１２の厚み方向（Ｙ’軸方向）においてｍ面１６ａ，１６ｂの厚みと垂直面１７ａ，１７ｂの厚みとが等しくなる場合に、最も大きくなる。このとき、図１［Ｂ］に示すように、水晶片１２の重心に対して左右が点対称となることにより、水晶片１２の上半分と下半分とで振動の状態が同じになるので、振動バランスを向上できる。これに加え、水晶素子１０によれば、前述したように振動抑制パターン１５ｅ，１５ｆによって等価直列抵抗値を低減できるので、上記振動エネルギの閉じ込め効果と相俟ってよりＣＩ値をより低減できる。

＜実施形態２＞
図３に示すように、本実施形態２の水晶素子２０は、次の点で実施形態１と異なる。振動抑制パターン２５ｅ，２５ｆは、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの両方に位置する。つまり、振動抑制パターン２５ｅ，２５ｆは、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの両方に跨って、長辺１１ａ，１１ｂに沿って直線状に延びている。

水晶素子２０によれば、錘の機能を果たす振動抑制パターン２５ｅ，２５ｆを、ｍ面１６ａ，１６ｂ上にも直接形成したので、ｍ面１６ａ，１６ｂへの振動の伝搬及びｍ面１６ａ，１６ｂからの振動の反射をより抑制できる。水晶素子２０の斜視図及び断面図は、図１に準ずる。本実施形態２のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。

＜実施形態３＞
図４に示すように、本実施形態３の水晶素子３０は、次の点で実施形態１と異なる。接続電極３４ａ，３４ｂは、主面１３ｅ，１３ｆの周縁において短辺１１ｃ側に位置する。配線電極３４ｇ，３４ｈの一部は、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの少なくとも一方に位置し、接続電極３４ａ，３４ｂから長辺１１ａ，１１ｂに沿って延び振動抑制パターン３５ｅ，３５ｆに繋がっている。振動抑制パターン３５ｅ，３５ｆは、配線電極３４ｇ，３４ｈに一体化され電気的に接続されている。

本実施形態３では、接続電極３４ａ，３４ｂから配線電極３４ｇ，３４ｈを経て振動抑制パターン３５ｅ，３５ｆまで、隙間なく一体化された状態で、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの少なくとも一方に位置している。そのため、水晶素子３０によれば、ｍ面１６ａ，１６ｂへの振動の伝搬及びｍ面１６ａ，１６ｂからの振動の反射をより抑制できる。水晶素子３０の斜視図及び断面図は、図１に準ずる。本実施形態３のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。

＜実施形態４＞
図５に示すように、本実施形態４の水晶素子４０は、次の点で実施形態１と異なる。接続電極４４ａ，４４ｂは、主面１３ｅ，１３ｆの周縁において一方の短辺１１ｃ側に位置する。配線電極４４ｇ，４４ｈの一部は、主面１３ｅ，１３ｆのｍ面１６ａ，１６ｂに接する側及びｍ面１６ａ，１６ｂの少なくとも一方に位置し、振動抑制パターン４５ｅ，４５ｆと並んでかつ接して接続電極４４ａ，４４ｂから長辺１１ａ，１１ｂに沿って延び、他方の短辺１１ｄ側で励振電極１４ｅ，１４ｆに繋がっている。振動抑制パターン４５ｅ，４５ｆは、配線電極４４ｇ，４４ｈに一体化され電気的に接続されている。

水晶素子４０によれば、接続電極４４ａ，４４ｂから励振電極１４ｅ，１４ｆまでの距離を長くできるので、接続電極４４ａ，４４ｂをパッケージに接着又は接合した際の影響を低減できる。例えば、導電性接着剤を用いて接続電極４４ａ，４４ｂをパッケージに実装する際に、導電性接着剤が接続電極４４ａ，４４ｂを這い上がって励振電極１４ｅ，１４ｆに到達する距離を稼げるので、不良品の発生を抑制できる。水晶素子４０の斜視図及び断面図は、図１に準ずる。本実施形態４のその他の構成、作用及び効果は、実施形態１のそれらと同様である。

＜実施形態５＞
図６に示すように、本実施形態５の水晶デバイス６０は、実施形態１の水晶素子１０と、水晶素子１０が位置する基体６１と、基体６１とともに水晶素子１０を気密封止する蓋体６２と、を備えている。基体６１は、パッケージとも呼ばれ、基板６１ａと枠体６１ｂとからなる。基板６１ａの上面と枠体６１ｂの内側面と蓋体６２の下面とによって囲まれた空間が、水晶素子１０の収容部６３となる。水晶素子１０は、例えば、電子機器等で使用する基準信号を出力する。

換言すると、水晶デバイス６０は、上面に一対の電極パッド６１ｄ及び下面に四つの外部端子６１ｃを有する基板６１ａと、基板６１ａの上面の外周縁に沿って位置する枠体６１ｂと、一対の電極パッド６１ｄに導電性接着剤６１ｅを介して実装される水晶素子１０と、水晶素子１０を枠体６１ｂとともに気密封止する蓋体６２と、を備えている。

基板６１ａ及び枠体６１ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラスセラミックス等のセラミック材料からなり、一体的に形成されて基体６１となる。基体６１及び蓋体６２は、平面視して概ね矩形状である。外部端子６１ｃと電極パッド６１ｄ及び蓋体６２とは、基体６１の内部又は側面に形成された導体を介して電気的に接続される。詳しく言えば、基板６１ａの下面の四隅に外部端子６１ｃがそれぞれ位置する。それらのうちの二つの外部端子６１ｃが水晶素子１０に電気的に接続され、残りの二つの外部端子６１ｃが蓋体６２に電気的に接続される。外部端子６１ｃは、電子機器等のプリント配線板などに実装するために用いられる。

水晶素子１０は、前述したように、水晶片１２と、水晶片１２の上面に形成された励振電極１４ｅと、水晶片１２の下面に形成された励振電極１４ｆとを有する。そして、水晶素子１０は、導電性接着剤６１ｅを介して電極パッド６１ｄ上に接合され、安定した機械振動と圧電効果により、電子機器等の基準信号を発振する役割を果たす。

電極パッド６１ｄは、基体６１に水晶素子１０を実装するためのものであり、基板６１ａの一辺に沿うように隣接して一対が位置する。そして、一対の電極パッド６１ｄは、それぞれ接続電極１４ａ，１４ｂを接続して水晶素子１０の一端を固定端とし、水晶素子１０の他端を基板６１ａの上面から離間した自由端とすることにより、片持ち支持構造にて水晶素子１０を基板６１ａ上に固定する。

導電性接着剤６１ｅは、例えば、シリコーン樹脂等のバインダの中に、導電フィラとして導電性粉末が含有されたものである。蓋体６２は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、シーム溶接などによって枠体６１ｂと接合することにより、真空状態にある又は窒素ガスなどが充填された収容部６３を気密的に封止する。

水晶デバイス６０によれば、水晶素子１０を備えたことにより、安定した電気特性を発揮できる。なお、水晶デバイス６０は、実施形態１の水晶素子１０に限らず、他の実施形態の水晶素子を備えたものとしてもよい。

＜実施形態６＞
図７に示すように、本実施形態６の電子機器７１，７２はそれぞれ水晶デバイス６０を備えている。図７［Ａ］に例示した電子機器７１はスマートフォンであり、図７［Ｂ］に例示した電子機器７２はパーソナルコンピュータである。

図６に示すように構成された水晶デバイス６０は、はんだ付け、金（Ａｕ）バンプ又は導電性接着剤などによってプリント基板に外部端子６１ｃの底面が固定されることによって、電子機器７１，７２を構成するプリント基板の表面に実装される。そして、水晶デバイス６０は、例えば、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、時計、ゲーム機、通信機、又はカーナビゲーションシステム等の車載機器などの種々の電子機器で発振源として用いられる。

電子機器７１，７２によれば、水晶デバイス６０を備えたことにより、安定した電気特性に基づく高性能かつ高信頼性の動作を実現できる。

＜その他＞
以上、上記各実施形態を参照して本開示を説明したが、本開示はこれらに限定されるものではない。本開示の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本開示には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

１０，２０，３０，４０ 水晶素子
１１ａ，１１ｂ 長辺
１１ｃ，１１ｄ 短辺
１２ 水晶片
１３ｅ，１３ｆ 主面
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ 側面
１４ａ，１４ｂ，３４ａ，３４ｂ，４４ａ，４４ｂ 接続電極
１４ｅ，１４ｆ 励振電極
１４ｇ，１４ｈ，３４ｇ，３４ｈ，４４ｇ，４４ｈ 配線電極
１５ｅ，１５ｆ，２５ｅ，２５ｆ，３５ｅ，３５ｆ，４５ｅ，４５ｆ 振動抑制パターン
１６ａ，１６ｂ ｍ面
１７ａ，１７ｂ 垂直面
６０ 水晶デバイス
６１ 基体
６１ａ 基板
６１ｂ 枠体
６１ｃ 外部端子
６１ｄ 電極パッド
６１ｅ 導電性接着剤
６２ 蓋体
６３ 収容部
７１，７２電子機器

Claims (4)

1. 平面視して長辺及び短辺からなる略矩形であり、互いに向かい合う二つの主面及び前記二つの主面に挟まれた側面を有する水晶片と、
   前記主面においてその中央に位置する励振電極と、
   前記主面においてその周縁に位置する接続電極と、
   前記接続電極と前記励振電極とを電気的に繋ぐ配線電極と、
   前記長辺を含む前記側面の一部であり、前記長辺に沿って延びる結晶面であるｍ面と、
   前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記長辺に沿って延びる振動抑制パターンと、
   を備え、
   前記接続電極は、前記主面の周縁において前記短辺側に位置し、
   前記配線電極の一部は、前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記接続電極から前記長辺に沿って延び前記振動抑制パターンに繋がっている水晶素子。
2. 平面視して長辺及び短辺からなる略矩形であり、互いに向かい合う二つの主面及び前記二つの主面に挟まれた側面を有する水晶片と、
   前記主面においてその中央に位置する励振電極と、
   前記主面においてその周縁に位置する接続電極と、
   前記接続電極と前記励振電極とを電気的に繋ぐ配線電極と、
   前記長辺を含む前記側面の一部であり、前記長辺に沿って延びる結晶面であるｍ面と、
   前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記長辺に沿って延びる振動抑制パターンと、
   を備え、
   前記接続電極は、前記主面の周縁において一方の前記短辺側に位置し、
   前記配線電極の一部は、前記主面の前記ｍ面に接する側及び前記ｍ面の少なくとも一方に位置し、前記振動抑制パターンと並んでかつ接して前記接続電極から前記長辺に沿って延び、他方の前記短辺側で前記励振電極に繋がる水晶素子。
3. 請求項１又は２に記載の水晶素子と、
   前記水晶素子が位置する基体と、
   前記基体とともに前記水晶素子を気密封止する蓋体と、
   を備えた水晶デバイス。
4. 請求項３記載の水晶デバイスを備えた電子機器。

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