JP7334012B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法に関する。

携帯電話やパソコン等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体等の材料からなるウェーハの表面に複数の交差する分割予定ライン（ストリート）を設定する。そして、該分割予定ラインで区画される各領域にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large-Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイスを形成する。

その後、開口を有する環状のフレームに該開口を塞ぐように貼られたダイシングテープと呼ばれる粘着テープを該ウェーハの裏面または表面に貼着し、ウェーハと、粘着テープと、環状のフレームと、が一体となったフレームユニットを形成する。そして、フレームユニットに含まれるウェーハを該分割予定ラインに沿って加工して分割すると、個々のデバイスチップが形成される。

ウェーハの分割には、例えば、レーザー加工装置が使用される。レーザー加工装置は、粘着テープを介してウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを集光点が該ウェーハの内部に位置付けられた状態で該ウェーハに照射するレーザー加工ユニットと、を備える。

ウェーハを分割する際には、チャックテーブルの上にフレームユニットを載せ、粘着テープを介してチャックテーブルにウェーハを保持させる。そして、チャックテーブルと、レーザー加工ユニットと、をチャックテーブルの上面に平行な方向に沿って相対移動させながら各分割予定ラインに沿ってウェーハに該レーザー加工ユニットから次々と該レーザービームを照射する。

該レーザービームがウェーハに照射されると、シールドトンネルと称されるフィラメント状の領域が分割予定ラインに沿って次々に形成される。このシールドトンネルは、ウェーハの厚さ方向に沿う細孔と、該細孔を囲繞する非晶質領域から構成されており、ウェーハの分割起点となる（特許文献１参照）。

その後、レーザー加工装置からフレームユニットを搬出し、粘着テープを径方向外側に拡張すると、ウェーハが分割されて個々のデバイスチップが形成される。形成されたデバイスチップを粘着テープからピックアップする際には、予め、粘着テープに紫外線を照射する等の処理を施して粘着テープの粘着力を低下させておく。デバイスチップの生産効率が高い加工装置として、ウェーハの分割と、粘着テープへの紫外線の照射と、を一つの装置で連続して実施できる加工装置が知られている（特許文献２参照）。

特許第６１５１５５７号公報 特許第３０７６１７９号公報

粘着テープは、例えば、塩化ビニールシート等で形成された基材層と、該基材層上に配設された糊層と、を含む。レーザー加工装置では、分割起点となるシールドトンネルをウェーハに形成するためにレーザービームがウェーハの内部に照射される。このとき、該レーザービームの漏れ光の一部が粘着テープの糊層に達する。そして、レーザービームの照射による熱的な影響により粘着テープの糊層が溶融し、ウェーハから形成されたデバイスチップの裏面側または表面側に糊層の一部が固着する。

この場合、粘着テープからデバイスチップをピックアップする際に粘着テープに紫外線を照射する等の処理を実施しても、ピックアップされたデバイスチップの裏面または表面側には糊層の該一部が残存してしまう。そのため、デバイスチップの品質の低下が問題となる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、形成されるデバイスチップの裏面または表面側に糊層が付着せず、デバイスチップに糊層の付着に由来する品質の低下が生じないウェーハの加工方法を提供することである。

本発明の一態様によれば、複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの裏面または該表面に糊層を備えないポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、該ポリオレフィン系シートを加熱し押圧して該ウェーハと、該ポリオレフィン系シートと、を一体化させる一体化工程と、該一体化工程の前または後に、該ウェーハを収容できる大きさの開口部を有し複数の磁石を備える第１のフレームと、該ウェーハを収容できる大きさの開口部を有する第２のフレームと、で構成されるフレームを使用して、該磁石により生じる磁力により該第１のフレームと、該第２のフレームと、の間に該ポリオレフィン系シートの外周部を挟持して該ポリオレフィン系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付け、該レーザービームを該分割予定ラインに沿って該ウェーハに照射して該ウェーハに連続的にシールドトンネルを形成し、該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、該ポリオレフィン系シートから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。

また、好ましくは、該ピックアップ工程では、該ポリオレフィン系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げ、該ポリオレフィン系シート側から該デバイスチップを突き上げる。

また、好ましくは、該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかである。

さらに、好ましくは、該一体化工程において、該ポリオレフィン系シートが該ポリエチレンシートである場合に加熱温度は１２０℃～１４０℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリプロピレンシートである場合に加熱温度は１６０℃～１８０℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリスチレンシートである場合に加熱温度は２２０℃～２４０℃である。

また、好ましくは、該ウェーハは、Ｓｉ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ガラスのいずれかで構成される。

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、フレームユニットに糊層を有する粘着テープを使用せず、糊層を備えないポリオレフィン系シートを用いてフレームと、ウェーハと、を一体化する。ポリオレフィン系シートと、ウェーハと、を一体化させる一体化工程は、加熱及び押圧により実現される。

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハを収容できる大きさの開口部を有する第１のフレームと、ウェーハを収容できる大きさの開口部を有する第２のフレームと、で構成されるフレームが使用される。第１のフレームは複数の磁石を備え、第１のフレーム及び第２のフレームは、該磁石により生じる磁力により互いに引き寄せられる。

そして、フレーム支持工程では、該第１のフレームと、該第２のフレームと、の間にポリオレフィン系シートを配し、該第１のフレームと、該第２のフレームと、で挟持して該ポリオレフィン系シートをフレームで支持できる。

すなわち、ポリオレフィン系シートが糊層を備えていなくても、該一体化工程及びフレーム支持工程を実施することで、ウェーハと、ポリオレフィン系シートと、フレームと、を一体化させてフレームユニットを形成できる。

その後、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウェーハに照射し、分割予定ラインに沿って連続的にシールドトンネルを形成して該ウェーハを分割する。その後、ポリオレフィン系シートからデバイスチップをピックアップする。ピックアップされたデバイスチップは、それぞれ、所定の実装対象に実装される。

ウェーハの内部にシールドトンネルを形成する際、レーザービームの漏れ光がポリオレフィン系シートに達する。しかしながら、ポリオレフィン系シートは糊層を備えないため、該糊層が溶融してデバイスチップの裏面または表面側に固着することがない。

すなわち、本発明の一態様によると、糊層を備えないポリオレフィン系シートを用いてフレームユニットを形成できるため、糊層を備えた粘着テープが不要であり、結果として糊層の付着に起因するデバイスチップの品質低下が生じない。

したがって、本発明の一態様によると、形成されるデバイスチップの裏面または表面側に糊層が付着せず、デバイスチップに糊層の付着に由来する品質の低下が生じないウェーハの加工方法が提供される。

図１（Ａ）は、ウェーハの表面を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの裏面を模式的に示す斜視図である。 チャックテーブルの保持面上にウェーハを位置付ける様子を模式的に示す斜視図である。 ポリオレフィン系シート配設工程を模式的に示す斜視図である。 一体化工程の一例を模式的に示す斜視図である。 図５（Ａ）は、フレーム支持工程を模式的に示す斜視図であり、図５（Ｂ）は、形成されたフレームユニットを模式的に示す斜視図である。 図６（Ａ）は、分割工程を模式的に示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、同断面図であり、図６（Ｃ）は、シールドトンネルを模式的に示す斜視図である。 ピックアップ装置へのフレームユニットの搬入を模式的に示す斜視図である。 図８（Ａ）は、フレーム支持台の上に固定されたフレームユニットを模式的に示す断面図であり、図８（Ｂ）は、ピックアップ工程を模式的に示す断面図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係るウェーハの加工方法で加工されるウェーハについて説明する。図１（Ａ）は、ウェーハ１の表面を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハ１の裏面を模式的に示す斜視図である。

ウェーハ１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＧａＮ（ガリウムナイトライド）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる略円板状の基板等である。該ガラスは、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等である。

ウェーハ１の表面１ａは格子状に配列された複数の分割予定ライン３で区画される。また、ウェーハ１の表面１ａの分割予定ライン３で区画された各領域にはＩＣやＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイス５が形成される。本実施形態に係るウェーハ１の加工方法では、分割予定ライン３に沿ってウェーハ１に連側的にシールドトンネルを形成し、該シールドトンネルを起点にしてウェーハ１を分割し、個々のデバイスチップを形成する。

ウェーハ１にシールドトンネルを形成する際には、ウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービームを分割予定ライン３に沿ってウェーハ１に照射し、該レーザービームをウェーハ１の内部に集光させる。このとき、該レーザービームは、図１（Ａ）に示す表面１ａ側からウェーハ１に照射されてもよく、または、図１（Ｂ）に示す裏面１ｂ側からウェーハ１に照射されてもよい。尚、裏面１ｂ側からウェーハ１にレーザービームを照射する場合、赤外線カメラを備えたアライメント手段を用いてウェーハ１を透過して表面１ａ側の分割予定ライン３を検出し、分割予定ライン３に沿ってレーザービームを照射する。

ウェーハ１にシールドトンネルを形成するレーザー加工が実施されるレーザー加工装置６（図６（Ａ）参照）にウェーハ１を搬入する前に、ウェーハ１と、ポリオレフィン系シートと、フレームと、が一体化され、フレームユニットが形成される。ウェーハ１は、フレームユニットの状態でレーザー加工装置６に搬入され、加工される。

そして、ポリオレフィン系シートを拡張するとウェーハ１を分割でき、ウェーハ１を分割することで形成された個々のデバイスチップは該ポリオレフィン系シートに支持される。その後、ポリオレフィン系シートをさらに拡張することでデバイスチップ間の間隔を広げ、ピックアップ装置によりデバイスチップをピックアップする。

環状のフレーム７（図５（Ａ）及び図５（Ｂ）等参照）は、例えば、金属等の材料で形成され、ウェーハ１を収容できる大きさの開口部７ｂを有する第１のフレーム７ａと、ウェーハ１を収容できる大きさの開口部７ｇを有する第２のフレーム７ｆと、の２つの部材で構成される。例えば、第１のフレーム７ａと、第２のフレーム７ｆと、は略同一の形状である。

第１のフレーム７ａは、上面７ｃ上に複数のピン７ｄを備える。また、第１のフレーム７ａの上面７ｃには、複数の磁石７ｅが埋め込まれて配設される。第２のフレーム７ｆには、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔７ｉが設けられる。第１のフレーム７ａと、第２のフレーム７ｆと、を重ね合わせた際に、第１のフレーム７ａのピン７ｄが該貫通孔７ｉに嵌め入れられるように、第２のフレーム７ｆの該貫通孔７ｉは第１のフレーム７ａのピン７ｄに対応する数、位置及び大きさで形成される。

ポリオレフィン系シート９（図３等参照）は、柔軟性を有する樹脂系シートであり、表裏面が平坦である。そして、ポリオレフィン系シート９は、フレーム７を構成する第１のフレーム７ａの開口部７ｂ及び第２のフレーム７ｆの開口部７ｇの径よりも大きい径を有し、糊層を備えない。ポリオレフィン系シート９は、アルケンをモノマーとして合成されるポリマーのシートであり、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、または、ポリスチレンシート等の可視光に対して透明または半透明なシートである。ただし、ポリオレフィン系シート９はこれに限定されず、不透明でもよい。

ポリオレフィン系シート９は、粘着性を備えないため室温ではウェーハ１に貼着できない。しかしながら、ポリオレフィン系シート９は熱可塑性を有するため、所定の圧力を印加し押圧しながらウェーハ１と接合させた状態で融点近傍の温度まで加熱すると、部分的に溶融してウェーハ１に接着できる。

本実施形態に係るウェーハ１の加工方法では、加熱及び押圧によりウェーハ１の裏面１ｂ側にポリオレフィン系シート９を接着し、ポリオレフィン系シート９の外周部を第１のフレーム７ａと、第２のフレーム７ｆと、の間に挟持してフレームユニットを形成する。

次に、本実施形態に係るウェーハ１の加工方法の各工程について説明する。まず、ウェーハ１と、ポリオレフィン系シート９と、を一体化させる準備のために、ポリオレフィン系シート配設工程を実施する。図２は、チャックテーブル２の保持面２ａ上にウェーハ１を位置付ける様子を模式的に示す斜視図である。図２に示す通り、ポリオレフィン系シート配設工程は、上部に保持面２ａを備えるチャックテーブル２上で実施される。

チャックテーブル２は、上部中央にウェーハ１の外径よりも大きな径の多孔質部材を備える。該多孔質部材の上面は、チャックテーブル２の保持面２ａとなる。チャックテーブル２は、図３に示す如く一端が該多孔質部材に通じた排気路を内部に有し、該排気路の他端側には吸引源２ｂが配設される。排気路には、連通状態と、切断状態と、を切り替える切り替え部２ｃが配設され、切り替え部２ｃが連通状態であると保持面２ａに置かれた被保持物に吸引源２ｂにより生じた負圧が作用し、被保持物がチャックテーブル２に吸引保持される。

ポリオレフィン系シート配設工程では、まず、図２に示す通り、チャックテーブル２の保持面２ａ上にウェーハ１を載せる。このとき、後述の分割工程においてレーザービームが照射される被照射面を表面１ａ及び裏面１ｂのいずれとするかを考慮して、ウェーハ１の向きを選択する。例えば、該被照射面を表面１ａとする場合、表面１ａ側を下方に向ける。また、例えば、該被照射面を裏面１ｂとする場合、裏面１ｂ側を下方に向ける。以下、レーザービームの被照射面を表面１ａとする場合を例に本実施形態に係るウェーハの加工方法について説明するが、ウェーハ１の向きはこれに限定されない。

チャックテーブル２の保持面２ａ上にウェーハ１を載せた後、ウェーハ１の裏面１ｂ（または表面１ａ）上にポリオレフィン系シート９を配設する。図３は、ポリオレフィン系シート配設工程を模式的に示す斜視図である。図３に示す通り、ウェーハ１を覆うようにウェーハ１の上にポリオレフィン系シート９を配設する。

なお、ポリオレフィン系シート配設工程では、ポリオレフィン系シート９の径よりも小さい径の保持面２ａを備えるチャックテーブル２が使用される。後に実施される一体化工程でチャックテーブル２による負圧をポリオレフィン系シート９に作用させる際に、保持面２ａの全体がポリオレフィン系シート９により覆われていなければ、負圧が隙間から漏れてしまい、ポリオレフィン系シート９に適切に圧力を印加できないためである。

本実施形態に係るウェーハ１の加工方法では、次に、ポリオレフィン系シート９を加熱し押圧してウェーハ１と、該ポリオレフィン系シート９と、を一体化する一体化工程を実施する。図４は、一体化工程の一例を模式的に示す斜視図である。図４では、可視光に対して透明または半透明であるポリオレフィン系シート９を通して視認できるものを破線で示す。

一体化工程では、まず、チャックテーブル２の切り替え部２ｃを作動させて吸引源２ｂをチャックテーブル２の上部の多孔質部材に接続する連通状態とし、吸引源２ｂによる負圧をポリオレフィン系シート９に作用させる。すると、大気圧によりポリオレフィン系シート９がウェーハ１に対して密着する。

次に、吸引源２ｂによりポリオレフィン系シート９を吸引しながらポリオレフィン系シート９を加熱し押圧して、熱圧着を実施する。ポリオレフィン系シート９の加熱及び押圧は、例えば、所定の温度に加熱された部材でウェーハ１を上方から押圧することで実施する。一体化工程では、例えば、内部に熱源を備えるヒートローラー４を使用する。

ヒートローラー４を所定の温度に加熱して、チャックテーブル２の保持面２ａの一端に該ヒートローラー４を載せる。そして、ヒートローラー４を回転させ、該一端から他端にまでチャックテーブル２上でヒートローラー４を転がす。すると、ポリオレフィン系シート９がウェーハ１に熱圧着される。この際、ヒートローラー４によりポリオレフィン系シート９を押し下げる方向に力を印加すると、大気圧より大きい圧力で熱圧着が実施される。尚、ヒートローラー４の表面をフッ素樹脂で被覆することが好ましい。

また、内部に熱源を備え、平たい底板を有するアイロン状の押圧部材をヒートローラー４に代えて使用してポリオレフィン系シート９の加熱及び押圧を実施してもよい。この場合、該押圧部材の該底板を所定の温度に加熱して熱板とし、チャックテーブル２に保持されたポリオレフィン系シート９を該押圧部材で上方から押圧する。

ポリオレフィン系シート９を熱圧着した後は、切り替え部２ｃを作動させてチャックテーブル２の多孔質部材と、吸引源２ｂと、の連通状態を解除し、チャックテーブル２による吸着を解除する。

なお、熱圧着を実施する際にポリオレフィン系シート９は、好ましくは、その融点以下の温度に加熱される。加熱温度が融点を超えると、ポリオレフィン系シート９が溶解してシートの形状を維持できなくなる場合があるためである。また、ポリオレフィン系シート９は、好ましくは、その軟化点以上の温度に加熱される。加熱温度が軟化点に達していなければ熱圧着を適切に実施できないためである。すなわち、ポリオレフィン系シート９は、その軟化点以上でかつその融点以下の温度に加熱されるのが好ましい。

さらに、一部のポリオレフィン系シート９は、明確な軟化点を有しない場合もある。そこで、熱圧着を実施する際にポリオレフィン系シート９は、好ましくは、その融点よりも２０℃低い温度以上でかつその融点以下の温度に加熱される。

また、ポリオレフィン系シート９がポリエチレンシートである場合、加熱温度は１２０℃～１４０℃とされるのが好ましい。また、該ポリオレフィン系シート９がポリプロピレンシートである場合、加熱温度は１６０℃～１８０℃とされるのが好ましい。さらに、ポリオレフィン系シート９がポリスチレンシートである場合、加熱温度は２２０℃～２４０℃とされるのが好ましい。

ここで、加熱温度とは、一体化工程を実施する際のポリオレフィン系シート９の温度をいう。例えば、ヒートローラー４等の熱源では出力温度を設定できる機種が実用に供されているが、該熱源を使用してポリオレフィン系シート９を加熱しても、ポリオレフィン系シート９の温度が設定された該出力温度にまで達しない場合もある。そこで、ポリオレフィン系シート９を所定の温度に加熱するために、熱源の出力温度をポリオレフィン系シート９の融点よりも高く設定してもよい。

本実施形態に係るウェーハ１の加工方法では、該一体化工程の前または後に、ポリオレフィン系シート９をフレーム７で支持するフレーム支持工程を実施する。図５（Ａ）は、フレーム支持工程を模式的に示す斜視図である。フレーム支持工程では、該第１のフレーム７ａと、該第２のフレーム７ｆと、の間にポリオレフィン系シート９の外周部を挟持してポリオレフィン系シート９を該フレーム７で支持する。

まず、第１のフレーム７ａの上面７ｃの上にポリオレフィン系シート９を載せる。この際、第１のフレーム７ａの開口部７ｂをすべて塞ぐようにポリオレフィン系シート９の位置を決める。次に、第２のフレーム７ｆを下方に下面７ｈを向けた状態でポリオレフィン系シート９の上に載せる。この際、第２のフレーム７ｆの貫通孔７ｉが第１のフレーム７ａのピン７ｄに嵌め入れられるように第２のフレーム７ｆの位置を決める。

第１のフレーム７ａと、第２のフレーム７ｆと、を重ねると第１のフレーム７ａが備える複数の磁石７ｅにより生じる磁力が作用して両フレームが互いに引き寄せられ、ポリオレフィン系シート９の外周部が両フレーム間に挟持される。したがって、ポリオレフィン系シート９がフレーム７に支持される。このとき、第１のフレーム７ａのピン７ｄが第２のフレーム７ｆの貫通孔７ｉに嵌め入れられるため、第１のフレーム７ａ及び第２のフレーム７ｆは、互いに水平方向にずれることがない。

なお、一体化工程の後にフレーム支持工程を実施する場合について説明したが、本実施形態に係るウェーハの加工方法はこれに限定されない。例えば、フレーム支持工程の後に一体化工程を実施してもよい。この場合、一体化工程における加熱によりポリオレフィン系シート９の外周部が第１のフレーム７ａ及び第２のフレーム７ｆに接着されて、ポリオレフィン系シート９がより強い力でフレーム７に支持される。

次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、フレームユニット１１の状態となったウェーハ１をレーザー加工して、分割予定ライン３に沿ってウェーハ１に次々にシールドトンネルを形成して該ウェーハ１を分割する分割工程を実施する。分割工程は、例えば、図６（Ａ）に示すレーザー加工装置で実施される。図６（Ａ）は、分割工程を模式的に示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、分割工程を模式的に示す断面図である。

レーザー加工装置６は、ウェーハ１にレーザービーム１０を照射するレーザー加工ユニット８と、ウェーハ１を保持するチャックテーブル（不図示）と、を備える。レーザー加工ユニット８は、レーザーを発振できるレーザー発振器（不図示）を備え、ウェーハ１に対して透過性を有する波長の（ウェーハ１を透過できる波長の）レーザービーム１０を出射できる。該チャックテーブルは、上面に平行な方向に沿って移動（加工送り）できる。

レーザー加工ユニット８は、該レーザー発振器から出射されたレーザービーム１０を該チャックテーブルに保持されたウェーハ１に照射する。レーザー加工ユニット８が備える加工ヘッド８ａは、レーザービーム１０の集光点８ｂをウェーハ１の内部の所定の高さ位置に位置付ける機構を有する。加工ヘッド８ａは、集光レンズ（不図示）を内部に備える。該集光レンズの開口数（ＮＡ）は、開口数（ＮＡ）をウェーハ１の屈折率（Ｎ）で除した値が０．０５～０．２の範囲に収まるように決定される。

ウェーハ１をレーザー加工する際には、チャックテーブルの上にフレームユニット１１を載せ、ポリオレフィン系シート９を介してチャックテーブルにウェーハ１を保持させる。次に、チャックテーブルを回転させウェーハ１の分割予定ライン３をレーザー加工装置６の加工送り方向に合わせる。また、分割予定ライン３の延長線の上方に加工ヘッド８ａが配設されるように、チャックテーブル及びレーザー加工ユニット８の相対位置を調整する。そして、レーザービーム１０の集光点８ｂを所定の高さ位置に位置付ける。

次に、レーザー加工ユニット８からウェーハ１の内部に次々にレーザービーム１０を照射しながらチャックテーブルと、レーザー加工ユニット８と、をチャックテーブルの上面に平行な加工送り方向に沿って相対移動させる。すなわち、レーザービーム１０の集光点８ｂをウェーハ１の内部に位置付け、レーザービーム１０を分割予定ライン３に沿ってウェーハ１に照射する。

すると、シールドトンネル３ａと称されるフィラメント状の領域が分割予定ライン３に沿って次々に形成される。図６（Ｂ）には、シールドトンネル３ａが連続的に形成されているウェーハ１の断面図が模式的に示されている。また、図６（Ｃ）は、シールドトンネル３ａを模式的に示す斜視図である。シールドトンネル３ａは、ウェーハ１の厚さ方向に沿う細孔３ｂと、該細孔３ｂを囲繞する非晶質領域３ｃから構成されている。なお、図６（Ａ）においては、分割予定ライン３に沿って並ぶシールドトンネル３ａを実線で示している。

分割工程におけるレーザービーム１０の照射条件は、例えば、以下のように設定される。ただし、レーザービーム１０の照射条件は、これに限定されない。
波長 ：１０３０ｎｍ
平均出力 ：３Ｗ
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ
パルス幅 ：１０ｐｓ
集光スポット径：φ１０μｍ
送り速度 ：５００ｍｍ／秒

レーザービーム１０がウェーハ１にこのように照射されると、分割予定ライン３に沿ってウェーハ１に１０μｍ間隔でシールドトンネル３ａが形成される。そして、形成されるそれぞれのシールドトンネル３ａは、φ１μｍ程度の細孔３ｂと、φ１０μｍ程度の非晶質領域３ｃと、を含む。そのため、互いに隣接するシールドトンネル３ａは、図６（Ｂ）に示す通り、互いの非晶質領域３ｃが接続された形態となる。

一つの分割予定ライン３に沿ってウェーハ１にシールドトンネル３ａを形成した後、チャックテーブル及びレーザー加工ユニット８を加工送り方向とは垂直な割り出し送り方向に相対的に移動させ、他の分割予定ライン３に沿って同様にウェーハ１をレーザー加工する。一つの方向に沿った全ての分割予定ライン３に沿ってシールドトンネル３ａを形成した後、チャックテーブルを保持面に垂直な軸の回りに回転させ、他の方向に沿った分割予定ライン３に沿って同様にウェーハ１をレーザー加工する。

ここで、レーザー加工ユニット８によりウェーハ１にレーザービーム１０を照射してシールドトンネル３ａを形成すると、該レーザービーム１０の漏れ光がウェーハ１の下方のポリオレフィン系シート９に到達する。

例えば、フレームユニット１１にポリオレフィン系シート９ではなく粘着テープが使用される場合、該粘着テープの糊層にレーザービーム１０の漏れ光が照射されると粘着テープの糊層が溶融し、ウェーハ１の裏面１ｂ側に糊層の一部が固着する。この場合、ウェーハ１が分割されて形成されるデバイスチップの裏面側には糊層の該一部が残存してしまう。そのため、デバイスチップの品質の低下が問題となる。

これに対して、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、フレームユニット１１に糊層を備えないポリオレフィン系シート９を使用する。そのため、レーザービーム１０の漏れ光がポリオレフィン系シート９に到達しても、ウェーハ１の裏面１ｂ側に糊層が固着することはない。したがって、ウェーハ１から形成されたデバイスチップの品質は良好に保たれる。

次に、ポリオレフィン系シート９を径方向外側に拡張することでウェーハ１を分割してデバイスチップを形成する。その後、ポリオレフィン系シート９から個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程を実施する。ポリオレフィン系シート９の拡張には、図７下部に示すピックアップ装置１２を使用する。図７は、ピックアップ装置１２へのフレームユニット１１の搬入を模式的に示す斜視図である。

ピックアップ装置１２は、ウェーハ１の径よりも大きい径を有する円筒状のドラム１４と、フレーム支持台１８を含むフレーム保持ユニット１６と、を備える。フレーム保持ユニット１６のフレーム支持台１８は、該ドラム１４の径よりも大きい径の開口を備え、該ドラム１４の上端部と同様の高さに配設され、該ドラム１４の上端部を外周側から囲む。

フレーム支持台１８の外周側には、クランプ２０が配設される。フレーム支持台１８の上にフレームユニット１１を載せ、クランプ２０によりフレームユニット１１のフレーム７を把持させると、フレームユニット１１がフレーム支持台１８に固定される。

フレーム支持台１８は、鉛直方向に沿って伸長する複数のロッド２２により支持され、各ロッド２２の下端部には、該ロッド２２を昇降させるエアシリンダ２４が配設される。複数のエアシリンダ２４は、円板状のベース２６に支持される。各エアシリンダ２４を作動させると、フレーム支持台１８がドラム１４に対して引き下げられる。

ドラム１４の内部には、ポリオレフィン系シート９に支持されたデバイスチップを下方から突き上げる突き上げ機構２８が配設される。また、ドラム１４の上方には、デバイスチップを吸引保持できるコレット３０（図８（Ｂ）参照）が配設される。突き上げ機構２８及びコレット３０は、フレーム支持台１８の上面に沿った水平方向に移動可能である。また、コレット３０は、切り替え部３０ｂ（図８（Ｂ）参照）を介して吸引源３０ａ（図８（Ｂ）参照）に接続される。

ポリオレフィン系シート９を拡張する際、まず、ピックアップ装置１２のドラム１４の上端の高さと、フレーム支持台１８の上面の高さと、が概略一致するように、エアシリンダ２４を作動させてフレーム支持台１８の高さを調節する。例えば、フレーム支持台１８の上面の高さ位置は、ドラム１４の上端よりも第１のフレーム７ａの厚さの分だけ低い高さ位置に位置付けられてもよい。次に、レーザー加工装置６から搬出されたフレームユニット１１をピックアップ装置１２のドラム１４の上に載せる。

その後、クランプ２０によりフレーム支持台１８の上にフレームユニット１１のフレーム７を固定する。図８（Ａ）は、フレーム支持台１８の上に固定されたフレームユニット１１を模式的に示す断面図である。ウェーハ１には、分割予定ライン３に沿って並ぶシールドトンネル３ａが形成されている。

次に、エアシリンダ２４を作動させてフレーム保持ユニット１６のフレーム支持台１８をドラム１４に対して引き下げる。すると、図８（Ｂ）に示す通り、ポリオレフィン系シート９が径方向外側に拡張される。図８（Ｂ）は、拡張されたポリオレフィン系シート９を模式的に示す断面図である。

ポリオレフィン系シート９が拡張されると、ウェーハ１に径方向外側に向いた力が働き、ウェーハ１がシールドトンネル３ａを起点として分割され、個々のデバイスチップ１ｃが形成される。ポリオレフィン系シート９をさらに拡張すると、ポリオレフィン系シート９に支持された各デバイスチップ１ｃの間隔が広げられ、個々のデバイスチップ１ｃのピックアップが容易となる。

本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１を分割して個々のデバイスチップ１ｃを形成した後、ポリオレフィン系シート９からデバイスチップ１ｃをピックアップするピックアップ工程を実施する。ピックアップ工程では、ピックアップの対象となるデバイスチップ１ｃを決め、該デバイスチップ１ｃの下方に突き上げ機構２８を移動させ、該デバイスチップ１ｃの上方にコレット３０を移動させる。

その後、突き上げ機構２８を作動させてポリオレフィン系シート９側から該デバイスチップ１ｃを突き上げる。そして、切り替え部３０ｂを作動させてコレット３０を吸引源３０ａに連通させる。すると、コレット３０により該デバイスチップ１ｃが吸引保持され、デバイスチップ１ｃがポリオレフィン系シート９からピックアップされる。ピックアップされた個々のデバイスチップ１ｃは、その後、所定の配線基板等に実装されて使用される。

例えば、粘着テープを使用してフレームユニット１１を形成する場合、分割工程においてウェーハ１に照射されるレーザービーム１０の漏れ光が粘着テープに到達し、粘着テープの糊層がデバイスチップの裏面側に固着する。そして、糊層の付着によるデバイスチップの品質の低下が問題となる。

これに対して、本実施形態に係るウェーハの加工方法によると、熱圧着により糊層を備えないポリオレフィン系シート９を用いたフレームユニット１１の形成が可能となるため、糊層を備えた粘着テープが不要である。結果として裏面側への糊層の付着によるデバイスチップの品質低下が生じない。

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ポリオレフィン系シート９が、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、または、ポリスチレンシートである場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。例えば、ポリオレフィン系シートは、他の材料が使用されてもよく、プロピレンとエチレンとのコポリマーや、オレフィン系エラストマー等でもよい。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１ ウェーハ
１ａ 表面
１ｂ 裏面
３ 分割予定ライン
３ａ シールドトンネル
３ｂ 細孔
３ｃ 非晶質領域
５ デバイス
７，７ａ，７ｆ フレーム
７ｂ，７ｇ 開口部
７ｃ 上面
７ｄ ピン
７ｅ 磁石
７ｈ 下面
７ｉ 貫通孔
９ ポリオレフィン系シート
１１ フレームユニット
２ チャックテーブル
２ａ 保持面
２ｂ，３０ａ 吸引源
２ｃ，３０ｂ 切り替え部
４ ヒートローラー
６ レーザー加工装置
８ レーザー加工ユニット
８ａ 加工ヘッド
８ｂ 集光点
１０ レーザービーム
１２ ピックアップ装置
１４ ドラム
１６ フレーム保持ユニット
１８ フレーム支持台
２０ クランプ
２２ ロッド
２４ エアシリンダ
２６ ベース
２８ 突き上げ機構
３０ コレット

Claims (5)

1. 複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
   ウェーハの裏面または該表面に糊層を備えないポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、
   該ポリオレフィン系シートを加熱し押圧して該ウェーハと、該ポリオレフィン系シートと、を一体化させる一体化工程と、
   該一体化工程の前または後に、該ウェーハを収容できる大きさの開口部を有し複数の磁石を備える第１のフレームと、該ウェーハを収容できる大きさの開口部を有する第２のフレームと、で構成されるフレームを使用して、該磁石により生じる磁力により該第１のフレームと、該第２のフレームと、の間に該ポリオレフィン系シートの外周部を挟持して該ポリオレフィン系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
   該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付け、該レーザービームを該分割予定ラインに沿って該ウェーハに照射して該ウェーハに連続的にシールドトンネルを形成し、該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
   該ポリオレフィン系シートから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
   を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
2. 該ピックアップ工程では、該ポリオレフィン系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げ、該ポリオレフィン系シート側から該デバイスチップを突き上げることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。
3. 該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。
4. 該一体化工程において、該ポリオレフィン系シートが該ポリエチレンシートである場合に加熱温度は１２０℃～１４０℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリプロピレンシートである場合に加熱温度は１６０℃～１８０℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリスチレンシートである場合に加熱温度は２２０℃～２４０℃であることを特徴とする請求項３記載のウェーハの加工方法。
5. 該ウェーハは、Ｓｉ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。

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