JP7742258B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法Info
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Description
すなわち、従来の装置は、各純水槽に清浄な純水を供給し、洗浄処理に用いた純水を廃棄している。そのため、洗浄処理における純水の消費量が非常に多くなるという問題がある。特に、スループットを向上させるために、複数台の純水槽を備えている基板処理装置ではその問題が顕著となる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に対して洗浄処理を行う基板処理装置において、基板を収容可能な第1の処理槽と、基板を収容可能な第2の処理槽と、純水供給源と連通接続され、前記第1の処理槽に純水を供給する第1の純水供給管と、前記第1の純水供給管に介挿された第1の供給弁と、純水供給源と連通接続され、前記第2の処理槽に純水を供給する第2の純水供給管と、前記第2の純水供給管に介挿された第2の供給弁と、前記第1の処理槽から排出される排出液を前記第2の処理槽へ供給する第1のリサイクル管と、前記第1のリサイクル管に介挿された第1のリサイクル弁と、前記第1の供給弁と、前記第2の供給弁と、前記第1のリサイクル弁との開閉を制御する制御部と、を備えていることを特徴とするものである。
図4を参照する。図4は、洗浄処理時における比抵抗値の変化例を示すグラフである。このグラフは、縦軸が比抵抗値[Ω・cm]を表し、横軸が洗浄時間[sec]を表している。
ここで、図5を参照する。図5は、洗浄処理の後半を他の洗浄処理の前半に重ねる処理を説明するためのグラフである。
ここで図6を参照する。図6は、4ロットを処理する際の例を示すタイムチャートである。
このとき、制御部15は、t4時点からt6時点において、例えば、次のようにリサイクルを行う。
制御部15は、t7時点からt8時点において、例えば、次のようにリサイクルを行う。
制御部15は、t9時点からt10時点において、上述した<5.1 洗浄処理部ONB1から洗浄処理部ONB2へのリサイクル>と同様にリサイクルを行う。つまり、リサイクル管43を介して、洗浄処理部ONB1から洗浄処理部ONB2への排出液の供給を行う。
図7を参照する。図7は、洗浄処理部の変形例を示す図である。
図8を参照する。図8は、洗浄処理部の他の変形例を示す図である。
CTC … 第1搬送機構
WTR … 第2搬送機構
LPD … 乾燥処理部
11 … 第1処理部
ONB1 … 洗浄処理部
CHB1 … 薬液処理部
LFS1 … 副搬送機構
13 … 第2処理部
ONB2 … 洗浄処理部
CHB2 … 薬液処理部
LFS2 … 副搬送機構
15 … 制御部
17 … 処理槽
19 … 内槽
21 … 外槽
23 … 噴出管
25 … 供給管
27 … 純水供給管
29 … 流量調整弁
31 … 開閉弁
33 … 流量計
35 … 比抵抗計
37 … 排出管
43,53 … リサイクル管
L1~L4 … 第1のロット~第4のロット
FH … 前半
SH … 後半
51,61 … バッファタンク
Claims (12)
- 基板に対して洗浄処理を行う基板処理装置において、
基板を収容可能な第1の処理槽と、
基板を収容可能な第2の処理槽と、
純水供給源と連通接続され、前記第1の処理槽に純水を供給する第1の純水供給管と、
前記第1の純水供給管に介挿された第1の供給弁と、
純水供給源と連通接続され、前記第2の処理槽に純水を供給する第2の純水供給管と、
前記第2の純水供給管に介挿された第2の供給弁と、
前記第1の処理槽から排出される排出液を前記第2の処理槽へ供給する第1のリサイクル管と、
前記第1のリサイクル管に介挿された第1のリサイクル弁と、
前記第1の供給弁と、前記第2の供給弁と、前記第1のリサイクル弁との開閉を制御する制御部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第2の処理槽から排出される排出液を前記第1の処理槽に供給する第2のリサイクル管と、
前記第2のリサイクル管に介挿された第2のリサイクル弁と、
をさらに備え、
前記制御部は、さらに前記第2のリサイクル弁の開閉を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、洗浄処理の対象である基板をロットで管理し、第1のロットが前記第1の処理槽にて洗浄処理され、第2のロットが前記第2の処理槽にて洗浄される場合に、前記第1のロットの洗浄処理の後半において前記第1の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第2のロットの洗浄処理の前半において前記第1のリサイクル管を通じて前記第2の処理槽へと供給されるようにすることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、洗浄処理の対象である基板をロットで管理し、第1のロットが前記第1の処理槽にて洗浄処理され、第2のロットが前記第2の処理槽にて洗浄される場合に、前記第1のロットの洗浄処理の後半において前記第1の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第2のロットの洗浄処理の前半において前記第1のリサイクル管を通じて前記第2の処理槽へと供給されるようにし、
前記第2のロットの洗浄処理の後半において前記第2の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部が、前記第1のロットに引き続き前記第1の処理槽で処理される第3のロットの洗浄処理の前半において前記第2のリサイクル管を通じて前記第1の処理槽へと供給されるようにすることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記第1の処理槽は、基板を収容可能な第1の内槽と、前記第1の内槽の底部に設けられ、上方に向けて純水を噴出する第1の噴出管と、前記第1の内槽の上縁から溢れた排出液が流入する第1の外槽とを備え、
前記第1の純水供給管は、前記第1の噴出管及び前記第2のリサイクル管に連通接続され、
前記第2の処理槽は、基板を収容可能な第2の内槽と、前記第2の内槽の底部に設けられ、上方に向けて純水を噴出する第2の噴出管と、前記第2の内槽の上縁から溢れた排出液が流入する第2の外槽とを備え、
前記第2の純水供給管は、前記第2の噴出管及び前記第1のリサイクル管に連通接続されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3または4に記載の基板処理装置において、
前記第1のロットの洗浄処理の後半は、前記洗浄処理の開始から比抵抗値が0.5~1MΩ・cmを越えた時点以降であることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記第2のロットの洗浄処理の後半では、前記第1の処理槽から排出される排出液を前記第2の処理槽へ供給せず、前記第2の純水供給管から純水を前記第2の処理槽に供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記第2のロットの洗浄処理の前半では、前記第1の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を前記第2の純水供給管を流通する純水と混合して前記第2の処理槽に供給し、前記第3のロットの洗浄処理の前半では、前記第2の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を前記第1の純水供給管を流通する純水と混合して前記第1の処理槽に供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第1のリサイクル管は、バッファタンクを備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記第2のリサイクル管は、バッファタンクを備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に対して洗浄処理を行う基板処理方法において、
洗浄処理の対象である基板をロットで管理する場合に、基板を収容可能な第1の処理槽において第1のロットについて洗浄処理を開始する過程と、
前記第1のロットの洗浄処理を開始する過程の後、基板を収容可能な第2の処理槽において第2のロットについて洗浄処理を開始する過程と、
をその順に実施する際に、
前記第1の処理槽から排出された排出液の少なくとも一部を、前記第2の処理槽に供給することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項11に記載の基板処理方法において、
前記第2のロットの洗浄処理を開始する過程の後、前記第1の処理槽において前記第1のロットに引き続き前記第1の処理槽で処理される第3のロットについて洗浄処理を開始する過程を実施する際に、
前記第2の処理槽から排出される排出液の少なくとも一部を、前記第1の処理槽に供給することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021138106A JP7742258B2 (ja) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR1020247007956A KR102767319B1 (ko) | 2021-08-26 | 2022-08-24 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| PCT/JP2022/031852 WO2023027100A1 (ja) | 2021-08-26 | 2022-08-24 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US18/686,823 US20240351074A1 (en) | 2021-08-26 | 2022-08-24 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN202280057059.7A CN117916857A (zh) | 2021-08-26 | 2022-08-24 | 基板处理装置及基板处理方法 |
| TW111132176A TWI830345B (zh) | 2021-08-26 | 2022-08-26 | 基板處理裝置以及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021138106A JP7742258B2 (ja) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023032159A JP2023032159A (ja) | 2023-03-09 |
| JP7742258B2 true JP7742258B2 (ja) | 2025-09-19 |
Family
ID=85322828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021138106A Active JP7742258B2 (ja) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240351074A1 (ja) |
| JP (1) | JP7742258B2 (ja) |
| KR (1) | KR102767319B1 (ja) |
| CN (1) | CN117916857A (ja) |
| TW (1) | TWI830345B (ja) |
| WO (1) | WO2023027100A1 (ja) |
Citations (4)
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| JP2013254821A (ja) | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Kurita Water Ind Ltd | 基板のエッチング方法及び装置 |
| JP2018022714A (ja) | 2016-08-01 | 2018-02-08 | 株式会社Sumco | ウェーハの洗浄方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2994113B2 (ja) * | 1991-10-08 | 1999-12-27 | 山形日本電気株式会社 | 部品洗浄装置 |
| JPH11283947A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5466380B2 (ja) | 2008-07-17 | 2014-04-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム |
| JP5646419B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2014-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
-
2021
- 2021-08-26 JP JP2021138106A patent/JP7742258B2/ja active Active
-
2022
- 2022-08-24 WO PCT/JP2022/031852 patent/WO2023027100A1/ja not_active Ceased
- 2022-08-24 CN CN202280057059.7A patent/CN117916857A/zh active Pending
- 2022-08-24 US US18/686,823 patent/US20240351074A1/en active Pending
- 2022-08-24 KR KR1020247007956A patent/KR102767319B1/ko active Active
- 2022-08-26 TW TW111132176A patent/TWI830345B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023032159A (ja) | 2023-03-09 |
| WO2023027100A1 (ja) | 2023-03-02 |
| TWI830345B (zh) | 2024-01-21 |
| KR102767319B1 (ko) | 2025-02-12 |
| US20240351074A1 (en) | 2024-10-24 |
| TW202318497A (zh) | 2023-05-01 |
| KR20240039055A (ko) | 2024-03-26 |
| CN117916857A (zh) | 2024-04-19 |
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