JP7788452B2 - コーティングされたカソード活物質の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)一般式Li1+xTM1-xO2(式中、TMは、Ni、及び任意にCo及びMnの少なくとも1つ、及び任意にAl、Mg及びBaから選択される少なくとも1種の元素、Ni、Co及びMn以外の遷移金属元素であり、xは0~0.2の範囲であり、TMの遷移金属の少なくとも50モル%はNiである)による粒子状電極活物質を提供する工程と、
(b)ヘテロポリ酸、又はAl若しくはSbの化合物を含有することができる水性媒体で、前記粒子状電極活物質を処理する工程と、
(c)工程(b)からの水を少なくとも部分的に除去する工程と、
(d)任意に、少なくとも1種のヘテロポリ酸、又はAl若しくはSbの化合物を粒子状化合物として又は水溶液又はスラリーとして添加する工程と、
(e)任意に、工程(d)からの混合物を熱処理する工程と、
(f)ぞれぞれ、該当する場合に工程(e)から、又は工程(d)又は(c)から得られた固体物質に、Al若しくはSb若しくはBの化合物、又は少なくとも1種のヘテロポリ酸、又はそのそれぞれのアンモニウム塩又はリチウム塩、又はAl、Ga、In又はBaの塩から選択される少なくとも1種の化合物を添加し、それによって前記粒子状電極活物質の表面にから選択される少なくとも1種の元素を堆積させる工程であって、工程(f)で堆積させた元素が、それぞれ工程(b)又は(d)で堆積させた元素とは異なる、工程と、
(g)工程(f)から得られた残留物を熱処理する工程と
を含む、コーティングされたカソード活物質の製造方法に関し、ここで、工程(d)が行われるか、又は工程(b)における水性媒体がヘテロポリ酸又はAl若しくはSbの化合物を含有し、あるいは工程(d)が行われ、かつ工程(b)における水性媒体がヘテロポリ酸又はAl若しくはSbの化合物を含有する。
(a)一般式Li1+xTM1-xO2(式中、TMは、Ni、及び任意にCo及びMnの少なくとも1つ、及び任意にAl、Mg及びBaから選択される少なくとも1種の元素、Ni、Co及びMn以外の遷移金属元素であり、xは0~0.2の範囲であり、TMの遷移金属の少なくとも50モル%はNiである)による粒子状電極活物質を提供する工程と、
(b)ヘテロポリ酸、又はAl若しくはSbの化合物を含有することができる水性媒体で、前記粒子状電極活物質を処理する工程と、
(c)工程(b)からの水を少なくとも部分的に除去する工程と、
(d)任意に、少なくとも1種のヘテロポリ酸又はAl若しくはSbの化合物を粒子状化合物として又は水溶液又はスラリーとして添加する工程と、
(e)任意に、工程(d)からの混合物を熱処理する工程と、
(f)ぞれぞれ、該当する場合に工程(e)から、又は工程(d)又は(c)から得られた固体物質に、Al又はB又はSbの化合物、又は少なくとも1種のヘテロポリ酸、又はそのそれぞれのアンモニウム塩又はリチウム塩、又はAl、Ga、In又はBaの塩から選択される少なくとも1種の化合物を添加し、それによって前記粒子状電極活物質の表面にから選択される少なくとも1種の元素を堆積させる工程であって、工程(f)で堆積させた元素が、それぞれ工程(b)又は(d)で堆積させた元素とは異なる、工程と、
(g)工程(f)から得られた残留物を熱処理する工程と
を含み、ここで、工程(d)が行われるか、又は工程(b)における水性媒体がヘテロポリ酸又はAl若しくはSbの化合物を含有し、あるいは工程(d)が行われ、かつ工程(b)における水性媒体がヘテロポリ酸又はAl若しくはSbの化合物を含有する。
(NiaCobMnc)1-dM1 d (I)
(式中、a+b+c=1であり、
aは、0.6~0.99、好ましくは0.75~0.95、より好ましくは0.85~0.95の範囲であり、
bは、0又は0.01~0.2、好ましくは0.025~0.2、より好ましくは0.025~0.1の範囲であり、
cは、0~0.2、好ましくは0.025~0.2、より好ましくは0.05~0.1の範囲であり、
dは、0~0.1、好ましくは0~0.04の範囲であり、
M1は、Al、Mg、Ti、Nb、Mo、W及びZrの少なくとも1種、好ましくはAl、Ti、Zr及びWの少なくとも1種である)
に対応する。
(Nia*Cob*Ale*)1-d*M2 d* (Ia)
(式中、a*+b*+c*=1であり、
a*は、0.75~0.95、好ましくは0.88~0.95の範囲であり、
b*は、0.025~0.2、好ましくは0.025~0.1の範囲であり、
e*は、0.01~0.2、好ましくは0.015~0.04の範囲であり、
d*は、0~0.1、好ましくは0~0.02の範囲であり、
M2は、W、Mo、Nb、Mg、Ti又はZrの少なくとも1種である)
に対応する。
(g)工程(f)から得られた物質を熱処理する工程。
I.1 前駆体TM-OH.1の合成
脱イオン水、及び1kgの水当たり49gの硫酸アンモニウムを撹拌タンク反応器に入れた。溶液を55℃に温度調節し、水酸化ナトリウム水溶液を添加することにより、pH値を12に調整した。
I.2.1 塩基カソード活物質B-CAM.1の製造、工程(a.1)
B-CAM.1(塩基):混合遷移金属水酸化物前駆体TM-OH.1を、1.03のLi/TMモル比でLiOH一水和物と混合した。混合物を765℃に加熱し、酸素の混合物の強制流中に10時間保持した。室温まで冷却した後、得られた粉末を解凝集し、32μmのメッシュでふるいにかけて、塩基カソード活物質B-CAM 1を得た。
I.2.2.1 C-CAM.1の製造
工程(b.1):ビーカーに67mlの脱イオン水を入れた。100gの量のB-CAM.1を添加した。得られたスラリーを室温で5分間撹拌し、前記撹拌の間、スラリー温度を25℃に維持した。
工程(b.2):ビーカーに67mlの脱イオン水を入れた。100gの量のB-CAM.1を添加した。得られたスラリーを室温で5分間撹拌し、前記撹拌の間、スラリー温度を25℃に維持した。
工程(b.3):連続撹拌下で、100gの量のB-CAM.1を脱イオン水(水の導電率が5μS/m未満)でスラリー化した。0.3モル%(B-CAM.1におけるTMに対して)のAl2(SO4)3の水溶液を添加した。使用した脱イオン水の総量は67mlであった。得られたスラリーを室温で5分間撹拌した。
工程(b.4):連続撹拌下で、100gの量のB-CAM.1を脱イオン水(水の導電率が5μS/m未満)でスラリー化した。0.3モル%(B-CAM.1におけるTMに対して)のAl2(SO4)3の水溶液を添加した。使用した脱イオン水の総量は67mlであった。得られたスラリーを室温で5分間撹拌した。
工程(b.5):連続撹拌下で、100gの量のB-CAM.1を脱イオン水(水の導電率が5μS/m未満)でスラリー化した。このスラリーに0.45モル%(B-CAM.1におけるTMに対して)のSb2O3の懸濁液を添加した。使用した脱イオン水の総量は67mlであった。得られたスラリーを室温で5分間撹拌した。
工程(b.6):連続撹拌下で、100gの量のB-CAM.1を脱イオン水(水の導電率が5μS/m未満)でスラリー化した。このスラリーに0.45モル%(B-CAM.1におけるTMに対して)のSb2O3の懸濁液を添加した。使用した脱イオン水の総量は67mlであった。得られたスラリーを室温で5分間撹拌した。
工程(b.7):ビーカーに67mlの脱イオン水を入れた。100gの量のB-CAM.1を添加した。得られたスラリーを室温で5分間撹拌し、前記撹拌の間、スラリー温度を25℃に維持した。
工程(b.8):連続撹拌下で、100gの量のB-CAM.1を脱イオン水(水の導電率が5μS/m未満)でスラリー化した。0.3モル%(B-CAM.1におけるTMに対して)のAl2(SO4)3の水溶液を添加した。使用した脱イオン水の総量は67mlであった。得られたスラリーを室温で5分間撹拌した。
II.1 電極の製造、一般手順
正極:PVDFバインダー(Solef(登録商標)5130)をNMP(Merck)中に溶解して、8.0質量%の溶液を製造した。電極の調製では、バインダー溶液(4質量%)及びカーボンブラック(Li250、3.5質量%)をNMP中に懸濁させた。遊星遠心ミキサー(ARE-250、Thinky Corp.;日本)を使用して混合した後、本発明のCAM.3~CAM.8又は塩基カソード活物質B-CAM.1又は比較用カソード活物質のいずれか(92.5質量%)を添加し、懸濁液を再度混合して、塊のないスラリーを得た。スラリーの固形分を65%に調整した。KTF-Sロールツーロールコーター(Mathis AG)を使用して、スラリーをAlホイル上にコーティングした。使用前に、すべての電極をカレンダ加工した。カソード材料の厚さは45μmであり、15mg/cm2に対応した。バッテリーを組み立てる前に、すべての電極を120℃で7時間乾燥させた。
EL塩基1の総質量に基づいて、12.7質量%のLiPF6、26.2質量%のエチレンカーボネート(EC)、及び61.1質量%のエチルメチルカーボネート(EMC)を含有する塩基電解質組成物(EL塩基1)を調製した。この電解質組製剤に、2質量%のビニレンカーボネート(VC)を添加した(EL塩基2)。
III.1.1で記載されているように調製したカソードと、動作電極及び対極としてのリチウム金属とを含むコイン型ハーフセル(直径20mm、厚さ3.2mm)をそれぞれ組み立て、Arを充填したグローブボックス中に密封した。さらに、カソード、アノード、及びセパレータをカソード//セパレータ//Liホイルの順に重ね合わせて、ハーフコインセルを製造した。その後、0.15mLの上記(II.2)に記載されているEL塩基1をこのコインセル中に導入した。
製造したコイン型電池を使用して、セル性能を評価した。電池の性能については、セルの初期容量及び反応抵抗を測定した。初期性能及びサイクルを以下のように測定した:II.3.1によるコインハーフセルを、室温で4.3V~2.8Vの間の電圧範囲でテストした。初期サイクルでは、CC-CVモードで初期リチウム化を行った。すなわち、0.01Cに達するまで0.1Cの定電流(CC)を印加した。10分間の休止時間の後、2.8Vまで0.1Cの定電流で還元リチウム化を行った。結果を表2にまとめた。サイクルでは、電流密度が0.1Cであり、充放電を25回繰り返した。
0.1Cで25サイクル後、コインセルを4.3Vまで充電し、電気化学インピーダンス分光(EIS)法により抵抗を測定した。26サイクル目の抵抗値と2サイクル目の抵抗値との比を抵抗成長として定義した。結果を表2にまとめた。[%]の相対抵抗成長は、100%とするC-CAM.1に基づくセルの抵抗成長に基づくものである。
Claims (8)
- 以下の工程:
(a)一般式Li1+xTM1-xO2(式中、TMは、Ni、及び任意にCo及びMnの少なくとも1つ、及び任意にAl、Mg及びBaから選択される少なくとも1種の元素、Ni、Co及びMn以外の遷移金属元素であり、xは0~0.2の範囲であり、TMの遷移金属の少なくとも50モル%はNiである)による粒子状電極活物質を提供する工程と、
(b)水性媒体で、前記粒子状電極活物質を処理する工程と、
(c)工程(b)からの水を少なくとも部分的に除去する工程と、及び
(d)少なくとも1種のヘテロポリ酸又はそのそれぞれのアンモニウム塩又はリチウム塩、又はAl若しくはSbの化合物を粒子状化合物として又は水溶液又はスラリーとして添加する工程、
又は、工程(d)を省略し、且つ、ヘテロポリ酸、又はAl若しくはSbの化合物を含有する工程(b)の水性媒体を用いる工程、
又は、工程(d)を行い、且つ、ヘテロポリ酸、又はAl若しくはSbの化合物を含有する工程(b)の水性媒体を用いる工程と、
(f)ぞれぞれ、工程(d)又は(c)から得られた固体物質に、B2O3、ホウ酸及びホウ酸リチウムから選択される少なくとも1種の化合物を添加し、それによって前記粒子状電極活物質の表面にBを堆積させる工程と、
(g)工程(f)から得られた残留物を熱処理する工程と
を含む、コーティングされたカソード活物質を製造する方法。 - TMが、一般式(I)
(NiaCobMnc)1-dMd (I)
(式中、aは0.6~0.99の範囲であり、
bは0又は0.01~0.2の範囲であり、
cは0~0.2の範囲であり、
dは0~0.1の範囲であり、
Mは、Al、Mg、Ti、Mo、W及びZrの少なくとも1種であり、
a+b+c=1である)
による金属の組み合わせである、請求項1に記載の方法。 - 工程(d)で添加されるAl及びSbの化合物が、Al2O3、Al2(SO4)3、及びSb2O3から選択される、請求項1又は2に記載の方法。
- 工程(d)の後に、工程(e):
(e)工程(d)からの混合物を熱処理し、且つ、工程(f)において、工程(e)から得られた固体物質に、B 2 O 3 、ホウ酸及びホウ酸リチウムから選択される少なくとも1種の化合物を添加する工程
が行われる、請求項1~3のうちいずれか一項に記載の方法。 - ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸、リンモリブデン酸、タングステンケイ酸、モリブドケイ酸、及びそれらのそれぞれのアンモニウム塩及びリチウム塩から選択される、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 工程(g)が、300~700℃の範囲の最高温度での焼成工程を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 工程(g)が、40~250℃の範囲の最高温度での乾燥工程を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 工程(d)において、Al若しくはSbの化合物(単数又は複数)又はヘテロポリ酸の水溶液又はスラリーが添加される、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
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