JPH01124293A - 両面プリント基板の製造方法 - Google Patents
両面プリント基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01124293A JPH01124293A JP28198787A JP28198787A JPH01124293A JP H01124293 A JPH01124293 A JP H01124293A JP 28198787 A JP28198787 A JP 28198787A JP 28198787 A JP28198787 A JP 28198787A JP H01124293 A JPH01124293 A JP H01124293A
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- JP
- Japan
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- conductive
- base plate
- thin film
- insulating
- insulating base
- Prior art date
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- Pending
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、絶縁素板の両面に形成された回路パターン
を、その絶縁素板に形成した貫通孔内の導通部を介して
互いに電気的に接続するようにした両面プリント基板の
製造方法に関する。
を、その絶縁素板に形成した貫通孔内の導通部を介して
互いに電気的に接続するようにした両面プリント基板の
製造方法に関する。
従来の両面プリント基板は、絶縁素板に貫通孔を形成し
、その貫通孔の内周面に導通部を半田デイツプ法や半田
メツキ法等により形成することにより、前記絶縁素板の
両面に形成された回路パターン間を、その導通部を介し
て電気的に接続するようにしている。
、その貫通孔の内周面に導通部を半田デイツプ法や半田
メツキ法等により形成することにより、前記絶縁素板の
両面に形成された回路パターン間を、その導通部を介し
て電気的に接続するようにしている。
しかしながら、上述した半田デイツプ法による場合は、
高温の溶融半田浴槽に絶縁素板を浸して一定位置に保持
する複雑な作業が必要になり、また、半田メツキ法によ
る場合は、接続の信頼性を保障するためにメツキ条件を
厳しく管理しなければならない等の面倒な作業が必要に
なる。しだがって、これら半田デイツプ法や半田メツキ
法により導通部を形成する場合は、いずれも製造工程が
複雑になり、製造コストが高価になるという問題点があ
った。
高温の溶融半田浴槽に絶縁素板を浸して一定位置に保持
する複雑な作業が必要になり、また、半田メツキ法によ
る場合は、接続の信頼性を保障するためにメツキ条件を
厳しく管理しなければならない等の面倒な作業が必要に
なる。しだがって、これら半田デイツプ法や半田メツキ
法により導通部を形成する場合は、いずれも製造工程が
複雑になり、製造コストが高価になるという問題点があ
った。
［発明の目的１
この発明は、上述の問題点を解消するためになされたも
ので、両面プリント基板を簡単な製造工程により安価に
形成できる両面プリント基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
ので、両面プリント基板を簡単な製造工程により安価に
形成できる両面プリント基板の製造方法を提供すること
を目的とする。
［発明の要点］
この発明は、上述の目的を達成するために、絶縁素板に
形成した導通部用の貫通孔内にペースト状の導電材を充
填塗布するとともに、前記絶縁素板の両面にそれぞれ前
記貫通孔を含めて導電薄膜体を一体的に被着し、これら
各導電薄膜体にエツチング処理を施すことにより、前記
絶縁素板の両面に、前記貫通孔内の前記導電材によって
形成された導通部を介して互いに電気的に接続された所
定形状の回路パターンをそれぞれ形成したことを要点と
する。
形成した導通部用の貫通孔内にペースト状の導電材を充
填塗布するとともに、前記絶縁素板の両面にそれぞれ前
記貫通孔を含めて導電薄膜体を一体的に被着し、これら
各導電薄膜体にエツチング処理を施すことにより、前記
絶縁素板の両面に、前記貫通孔内の前記導電材によって
形成された導通部を介して互いに電気的に接続された所
定形状の回路パターンをそれぞれ形成したことを要点と
する。
［実施例］
以下、この発明の両面プリント基板の製造方法の一実施
例を、第１Ａ図乃至第５Ｂ図に示す工程順に説明する。
例を、第１Ａ図乃至第５Ｂ図に示す工程順に説明する。
第１Ａ図及び第１Ｂ図には、絶縁素板ｌが示されている
。この絶縁素板ｌは、ポリイミド樹脂などの絶縁樹脂フ
ィルムからなり、その所定位置には、１つまたは多数の
導通部用の貫通孔２，２が形成されている。
。この絶縁素板ｌは、ポリイミド樹脂などの絶縁樹脂フ
ィルムからなり、その所定位置には、１つまたは多数の
導通部用の貫通孔２，２が形成されている。
そして、この実施例では、貫通孔２．２を形成した前記
絶縁素板ｌの一面１ａに、まず、第２Ａ図及び第２゛Ｂ
図に示すように、前記貫通孔２．２を含めて、銅箔から
なる導電薄膜体３を接着剤４を介して一体的に被着する
。この導電薄膜体３は、前記貫通孔２，２を含む絶縁素
板１の一面ｌａ上の所定範囲全面を覆うように絶縁素板
ｌの一面１ａに接着一体化される。なお、この導電薄膜
体３の接着作業は、前記貫通孔２．２を除く絶縁素板ｌ
の一面ｌａ上に、予め接着剤４を略均−に塗布しておき
、この塗布した接着剤４上に導電薄膜体３を接着するこ
とにより行われる。
絶縁素板ｌの一面１ａに、まず、第２Ａ図及び第２゛Ｂ
図に示すように、前記貫通孔２．２を含めて、銅箔から
なる導電薄膜体３を接着剤４を介して一体的に被着する
。この導電薄膜体３は、前記貫通孔２，２を含む絶縁素
板１の一面ｌａ上の所定範囲全面を覆うように絶縁素板
ｌの一面１ａに接着一体化される。なお、この導電薄膜
体３の接着作業は、前記貫通孔２．２を除く絶縁素板ｌ
の一面ｌａ上に、予め接着剤４を略均−に塗布しておき
、この塗布した接着剤４上に導電薄膜体３を接着するこ
とにより行われる。
次に、上述の如く絶縁素板１の一面１ａに導電薄膜体３
を被着した後、前記絶縁素板ｌの貫通孔２．２内に、第
３図に示すように、ペースト状の導電材５を前記導電ｐ
Ｊ膜体３に接触するように充ｑｐｌ布する。なお、この
ペースト状の導電材５には、半田ペーストなどが使用さ
れる。
を被着した後、前記絶縁素板ｌの貫通孔２．２内に、第
３図に示すように、ペースト状の導電材５を前記導電ｐ
Ｊ膜体３に接触するように充ｑｐｌ布する。なお、この
ペースト状の導電材５には、半田ペーストなどが使用さ
れる。
次に、上述のように貫通孔２、ｚ内に導電材５を充填塗
布した前記絶縁素板ｌの他面１ｂに第４図に示すように
、前記貫通孔２．２を含めて、前記導電薄膜体３とは別
の銅箔からなる導電ｇ膜体６を接着剤７を介して一体的
に被着する。この導電ＦＩ膜体６は、前記貫通孔２．２
を含む絶縁素板ｌの他面１ｂ上の所定範囲全面を覆うよ
うに絶縁素板ｌの他面ｉｂに接着一体化される。なお、
この導電薄膜体６の接着作業は、前記貫通孔２．２を除
く絶縁ぶ板ｌの他面１ｂ上に、予め接着剤７を略均−に
塗布しておき、この塗布した接着剤７上に導電６ｔｊＨ
体６を接着することにより行われる。そして、この接着
によって、前記導電薄膜体６は、前記導電材５に接触す
るように保持される。
布した前記絶縁素板ｌの他面１ｂに第４図に示すように
、前記貫通孔２．２を含めて、前記導電薄膜体３とは別
の銅箔からなる導電ｇ膜体６を接着剤７を介して一体的
に被着する。この導電ＦＩ膜体６は、前記貫通孔２．２
を含む絶縁素板ｌの他面１ｂ上の所定範囲全面を覆うよ
うに絶縁素板ｌの他面ｉｂに接着一体化される。なお、
この導電薄膜体６の接着作業は、前記貫通孔２．２を除
く絶縁ぶ板ｌの他面１ｂ上に、予め接着剤７を略均−に
塗布しておき、この塗布した接着剤７上に導電６ｔｊＨ
体６を接着することにより行われる。そして、この接着
によって、前記導電薄膜体６は、前記導電材５に接触す
るように保持される。
次に、前記絶縁素板ｌの両面１ａ、１ｂに被着された各
導電薄膜体３．６にエツチング処理を施すことにより、
前記絶縁素板ｌの両面１ａ、１ｂに、第５Ａ図及び第５
Ｂ図に示すように、所定形状の回路パターン３ａ、６ａ
をそれぞれ形成する。この結果、前記貫通孔２．２内の
導電材５．５によって形成された導通部５ａ、５ａを介
して互いに電気的に接続された回路パターン３ａ、６ａ
を両面に有する両面プリント基板Ａが形成される。
導電薄膜体３．６にエツチング処理を施すことにより、
前記絶縁素板ｌの両面１ａ、１ｂに、第５Ａ図及び第５
Ｂ図に示すように、所定形状の回路パターン３ａ、６ａ
をそれぞれ形成する。この結果、前記貫通孔２．２内の
導電材５．５によって形成された導通部５ａ、５ａを介
して互いに電気的に接続された回路パターン３ａ、６ａ
を両面に有する両面プリント基板Ａが形成される。
しかして、この発明の両面プリント基板の製造方法によ
れば、絶縁素板ｌの導通部用の貫通孔２．２内にペース
ト状の導電材５を充填塗布するとともに、前記絶縁素板
ｌの両面１ａ、１ｂにそれぞれ前記貫通孔２．２を含め
て導電薄膜体３゜６を一体的に被着した後、該各導電薄
膜体３．６にエツチング処理を施すことにより、前記絶
縁素板ｌの両面１ａ、ｌｂに、前記貫通孔２．２内の前
記導電材５，５によって形成された導通部５ａ、５ａを
介して互いに電気的に接続された所定形状の回路パター
ン３ａ、６ａをそれぞれ形成したから、従来の半田デイ
ツプ法や半田メツキ法の如く複雑で、面倒な作業が不要
になり、絶縁素板ｌの貫通孔２．２内にペースト状の導
電材５．５を充填塗布し、かつ、導電Ｆ１膜体３．６に
エツチング処理を施すだけで、互いに電気的に接続され
た回路パターン３ａ、６ａを両面に形成できるので、製
造工程を簡単にでき１両面プリント基板を安価に形成で
きる。
れば、絶縁素板ｌの導通部用の貫通孔２．２内にペース
ト状の導電材５を充填塗布するとともに、前記絶縁素板
ｌの両面１ａ、１ｂにそれぞれ前記貫通孔２．２を含め
て導電薄膜体３゜６を一体的に被着した後、該各導電薄
膜体３．６にエツチング処理を施すことにより、前記絶
縁素板ｌの両面１ａ、ｌｂに、前記貫通孔２．２内の前
記導電材５，５によって形成された導通部５ａ、５ａを
介して互いに電気的に接続された所定形状の回路パター
ン３ａ、６ａをそれぞれ形成したから、従来の半田デイ
ツプ法や半田メツキ法の如く複雑で、面倒な作業が不要
になり、絶縁素板ｌの貫通孔２．２内にペースト状の導
電材５．５を充填塗布し、かつ、導電Ｆ１膜体３．６に
エツチング処理を施すだけで、互いに電気的に接続され
た回路パターン３ａ、６ａを両面に形成できるので、製
造工程を簡単にでき１両面プリント基板を安価に形成で
きる。
しかも、上述した実施例の如く、絶縁素板１を絶縁樹脂
フィルムで構成するとともに、導電薄膜体３．６を銅箔
で構成すれば、極く薄い両面プリント基板を、簡易、か
つ、安価に形成できる。
フィルムで構成するとともに、導電薄膜体３．６を銅箔
で構成すれば、極く薄い両面プリント基板を、簡易、か
つ、安価に形成できる。
なお、上記実施例では、絶縁素板ｌの一面１ａに導電薄
膜体３を被着させた後、この絶縁素板ｌの貫通孔２．２
内にペースト状の導電材５を充填塗布するようにしたが
、この発明は、これに限らず、絶縁素板ｌの貫通孔２、
ｚ内にペースト状の導電材５．５を充＠塗布したあとで
、この絶縁素板ｌの両面１ａ、１ｂに、導電薄膜体３．
６を被着するようにしてもよい。
膜体３を被着させた後、この絶縁素板ｌの貫通孔２．２
内にペースト状の導電材５を充填塗布するようにしたが
、この発明は、これに限らず、絶縁素板ｌの貫通孔２、
ｚ内にペースト状の導電材５．５を充＠塗布したあとで
、この絶縁素板ｌの両面１ａ、１ｂに、導電薄膜体３．
６を被着するようにしてもよい。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明は、絶縁素板に形成した
導通部用の貫通孔内にペースト状の導電材を充填塗布す
るとともに、前記絶縁素板の両面にそれぞれ前記貫通孔
を含めて導電薄膜体を一体的に被着し、これら各導電薄
膜体にエツチング処理を施すことにより、前記絶縁素板
の両面に、前記貫通孔内の導電材によって形成された導
通部を介して互いに電気的に接続された所定形状の回路
パターンをそれぞれ形成したから、従来の半田デイツプ
法や半田メツキ法の如く複雑で、面倒な作業が不要にな
り、絶縁素板の貫通孔にペースト状の導電材を充填塗布
し、かつ、導電薄膜体に工７チング忽理を施すだけで、
互いに電気的に接続された所定形状の回路パターンを両
面に形成できるので、製造工程を簡単にでき、両面プリ
ント基板を安価に形成できる。
導通部用の貫通孔内にペースト状の導電材を充填塗布す
るとともに、前記絶縁素板の両面にそれぞれ前記貫通孔
を含めて導電薄膜体を一体的に被着し、これら各導電薄
膜体にエツチング処理を施すことにより、前記絶縁素板
の両面に、前記貫通孔内の導電材によって形成された導
通部を介して互いに電気的に接続された所定形状の回路
パターンをそれぞれ形成したから、従来の半田デイツプ
法や半田メツキ法の如く複雑で、面倒な作業が不要にな
り、絶縁素板の貫通孔にペースト状の導電材を充填塗布
し、かつ、導電薄膜体に工７チング忽理を施すだけで、
互いに電気的に接続された所定形状の回路パターンを両
面に形成できるので、製造工程を簡単にでき、両面プリ
ント基板を安価に形成できる。
第１Ａ図乃至第５Ｂ図はこの発明方法の一実施例を工程
順に示したもので、第１Ａ図は絶縁素板の平面図、第１
Ｂ図は第１Ａ図のＩ−Ｉ線に沿う断面図、第２Ａ図は上
記絶縁素板の一面に導電薄膜体を被着させた状態の平面
図、第２Ｂ図は第２Ａ図の■−■線に沿う断面図、第３
図は上記絶縁素板の貫通孔にペースト状の導電材を充填
塗布した状態の断面図、第４図は上記絶縁素板の他面に
導電薄膜体を被着させた状態の断面図、第５Ａ図は上記
導電薄膜体にエツチング処理を施して回路パターンを形
成した状態の平面図、ｔ５５Ｂ図は第５Ａ図のｖ−ｖ線
に沿う断面図である。 ｌ・・・・・・絶縁素板、２・・・・・・貫通孔、３・
・・・・・導電薄膜体、３ａ・・・・・・回路パターン
、４・・・・・・接着剤、５・・・・・・ペースト状の
導電材、５ａ・・・・・・導通部、６・・・・・・導電
ｆｊ膜体、６ａ・・・・・・回路パターン、７・・・・
・・接着剤。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 第１Ａ図 第ｉｓ図 第２Ａ図 第２８図 第４図 第５Ａ図 第５８図
順に示したもので、第１Ａ図は絶縁素板の平面図、第１
Ｂ図は第１Ａ図のＩ−Ｉ線に沿う断面図、第２Ａ図は上
記絶縁素板の一面に導電薄膜体を被着させた状態の平面
図、第２Ｂ図は第２Ａ図の■−■線に沿う断面図、第３
図は上記絶縁素板の貫通孔にペースト状の導電材を充填
塗布した状態の断面図、第４図は上記絶縁素板の他面に
導電薄膜体を被着させた状態の断面図、第５Ａ図は上記
導電薄膜体にエツチング処理を施して回路パターンを形
成した状態の平面図、ｔ５５Ｂ図は第５Ａ図のｖ−ｖ線
に沿う断面図である。 ｌ・・・・・・絶縁素板、２・・・・・・貫通孔、３・
・・・・・導電薄膜体、３ａ・・・・・・回路パターン
、４・・・・・・接着剤、５・・・・・・ペースト状の
導電材、５ａ・・・・・・導通部、６・・・・・・導電
ｆｊ膜体、６ａ・・・・・・回路パターン、７・・・・
・・接着剤。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 第１Ａ図 第ｉｓ図 第２Ａ図 第２８図 第４図 第５Ａ図 第５８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁素板に形成した導通部用の貫通孔内にペースト状
の導電材を充填塗布する工程と、 前記絶縁素板の両面にそれぞれ前記貫通孔を含めて導電
薄膜体を一体的に被着する工程と、前記絶縁素板の両面
に被着された前記各導電薄膜体にエッチング処理を施す
ことにより、前記絶縁素板の両面に、前記貫通孔内の前
記導電材によって形成された導通部を介して互いに電気
的に接続された所定形状の回路パターンをそれぞれ形成
する工程と からなることを特徴とする両面プリント基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28198787A JPH01124293A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 両面プリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28198787A JPH01124293A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 両面プリント基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124293A true JPH01124293A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17646657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28198787A Pending JPH01124293A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 両面プリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124293A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297553B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-10-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd | Semiconductor device and process for producing the same |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP28198787A patent/JPH01124293A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297553B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-10-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd | Semiconductor device and process for producing the same |
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