JPH01125956A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01125956A
JPH01125956A JP62285817A JP28581787A JPH01125956A JP H01125956 A JPH01125956 A JP H01125956A JP 62285817 A JP62285817 A JP 62285817A JP 28581787 A JP28581787 A JP 28581787A JP H01125956 A JPH01125956 A JP H01125956A
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JP
Japan
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aluminum
signal line
semiconductor device
layer
entering
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Pending
Application number
JP62285817A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutoshi Koshihisa
越久　和俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH01125956A publication Critical patent/JPH01125956A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
    • H10W44/203—Electrical connections
    • H10W44/209—Vertical interconnections, e.g. vias
    • H10W44/212—Coaxial feed-throughs in substrates

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分舒〕 この発明は半導体装置にお−で、信号用配線へのノイズ
の進入防止に関するものである。
〔従来の技術〕
第５図は従来の半導体装置の断面図で１図にお−て１口
】Ｆｉ基板、直２）＃ｉ信号Ｍ、（３）Ｆｉ拡散層を示
す。
従来の半導体装置は上記のように構成されてお９％基板
（１）上に形成され北回路の信号線ｔ２）はシールドが
なされて鱒ない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は以上のように構成さｎてｈたので、
外部からのノイズが信号線に進入して、回路が誤動作す
るなどの問題点かあつ次。
この発明は上記のような問題点を解消する九めになさｔ
ｔ、ｅもので、外部からのノイズが信号線へ進入するの
を防止することの！きる半導体装置を得ることｔ目的と
する。
〔問題点を解決する友めの手段〕
この発明に係る半導体５ｔｌｔｒｔ、信号線ｔおおうシ
ールド配ａｔ備え友ものである。
〔作用〕
この発明に訃−ては信号線の周りにシールド繍を設ける
ことにより、外部よりのノイズが信号線に進入するのを
防止する。
〔実施例〕
第１図、第２図はこの発明の一実施例を示す半導体装置
の断面図及び上面図で１図におりて、（１）はＰ基板ｋ
（２）は信号線アルミで第１アルミ形成時に形成される
。＋３）は？拡散層、（４）は最初に形成されるアルミ
である第１アルミ、ｒｓ＞Ｆｉｚ回目に形成されるアル
ミの第２アルミ、（６）はＰ＋拡散層と第１アルミ＋４
）　ｔ　ｆｉぐコンタクト、　（７）は第１アルミ（４
）と第２アルミ（５）ｔ−継ぐコンタクト、（８）は絶
縁層である。
上記のように構成され九半導体装置において、信号線ア
ルミ１２＋ＩｆｉＰ◆拡散層（３）、第１アルミ（４）
、第２アルミ（５１によっておおわれており、Ｐ１散層
（３）、第１アルミ（４）、第２アルミ（５）をＶｓａ
に継ぐことにニジ、信号線アルミ［２１ＬＩｉシールド
される。この友め外部からのノイズが信号１４　（２１
へ進入するのを防止できる。
なお、上記実施例では信号線ζ２）が、第１アルミ（４
）の場合について示し九が、第３図、第４図のように、
信号線が多結晶シリコンの場合もそｆ′Ｌをおおってい
るＰ４拡散層（３）及び第１アルミ＋４）ｋＶｓ８に継
ぐことにＬつ゛Ｃ同様の効果がある。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、信号ｗＬｔシールドす
ることにより外部ノイズが、信号線に進入するのを防止
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図にこの発明の一実施例による半導体装置
を示す断面図及び上面図、第３図、第４図はこの発明の
他の実施例による半導体装置を示す断面図及び上面図、
第５図は従来の半導体装置の断面図である。 図において、（１）はＰ基板、（２）は信号線アルミ、
ｔａｌｈｐ”拡ａｍ、　（４）ｄ第Ｌ　フルｔ　、　（
５１ＵＩ！　２　フルミ。 （６）は第１アルミとＰ＋拡散層とのコンタクト１７）
Ｆｉ第！アルミと第２フルばとのコンタクト、（８）は
絶縁層、（９）は信号線多結晶シリコンを示す。 なお１図中同一符号は同一、ｔｔは相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）信号線と、その信号線をおおうシールド配線を備
    えたことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）信号線は第１アルミ、又はポリミリコンで形成さ
    れ、シールド配線は第１アルミ、第２アルミ及び拡散層
    で形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
    載の半導体装置。
JP62285817A 1987-11-11 1987-11-11 半導体装置 Pending JPH01125956A (ja)

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