JPH01140724A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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Publication number
JPH01140724A
JPH01140724A JP29752587A JP29752587A JPH01140724A JP H01140724 A JPH01140724 A JP H01140724A JP 29752587 A JP29752587 A JP 29752587A JP 29752587 A JP29752587 A JP 29752587A JP H01140724 A JPH01140724 A JP H01140724A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
treatment chamber
processing chamber
generated
frequency power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29752587A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuo Tokuda
徳田 光雄
Toru Otsubo
徹 大坪
Takashi Kamimura
隆 上村
Seiichi Kato
誠一 加藤
Kazutsuna Nakajiyou
中條 和維
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP29752587A priority Critical patent/JPH01140724A/ja
Publication of JPH01140724A publication Critical patent/JPH01140724A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラズマを利用して試料を処理するドライエツ
チング装置やプラズマCVD装置などに係り、特に処理
室内面に付着した物質をプラズマにより洗浄除去する上
で好適なプラズマ処理方法及び装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、処理室内壁に付着した物質をプラズマLよって洗
浄除去する場合は上下電極の極性切換に。
より洗浄効果を高めている。つまり接地されたアノード
電極へ入射するプラズマ中のイオンのエネ。
ルギーは、高周波電力を印加するカソード電極へ入射す
るイオンのエネルギに比べて極めて小さいので、反応生
成物が堆積しやすくなる。そのため時々極性を切換えて
堆積した物質をプラズマにより洗浄除去している。(!
!#開昭57−42151号公報。
参照)。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術の場合、高周波電源を接続する電極の背面
及び外側面は通常、接地されたアースシールド体で取囲
まれ、これにより高周波電源なW45続した電極に近接
した処理室内壁との空間での枚電発生を阻止する構成と
している。このため、上下電極の極性切換のいかんに係
らず、アースシールド体と処理室内壁で狭まれた空隙に
はプラズマが発生しない。したがって、この部位の表面
に何着堆積した物質はプラズマにより洗浄除去できない
という問題があった。
本発明の目的は洗浄除去時のみアースシールド体と処理
室内壁の空隙部にもプラズマを発生させて、この部位の
付着堆積物を洗浄除去することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的はアースシールド体と処理室を!気的・に絶縁
し、かつ切換スイッチを介して高周波電源及び大地に接
続する装置構成とし、り17−ニングに際しては切換ス
イッチによりアースシールド体を高周波電源に接続して
アースシールド体に高周波電力を印加することにより達
成される。なお、通常のプラズマ処理時には切換スイッ
チによりアースシールド体を接地すればよい。
〔作用〕
切換スイッチにより高周波電力をアースシールド体に印
加することにより、アースシールド体は原理的にカソー
ド電極の一部分を形成するので、接地された処理室との
間にプラズマが発生する。
これによりアースシールド体の背面部に付着した物質を
効率よ(洗浄除去できる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図はカソード結合式のドライエツチング装置の場合を示
す。接地された処理室1内の下貼にカソード電極2を設
ける。上部にはアノード電。
極5を設ける。カソード電極2の周囲は絶縁体4及び導
伝性のアースシールド体5で取囲まわて−・る。アース
シールド体5と処理室1は絶縁体6で。
電気的に絶縁されている。アノード電極5と処理。
呈1も絶縁体7で絶縁されている。カソード電極。
2には高周波電源8が接続されている。またカソード電
極2とアノード電極5はケーブルにより接。
続されるとともに切換スイッチ9を介して一方が。
高周波電源8.他方がアース10に接続されている。
処理室1の外部にはエツチング用ガス源11a、に結ば
れた配管はマスフローコントローラ12αを介して処理
室1内へ導かれる。
一方、ガス源11bに結ばれた配管はマスフローコント
ローラ12Aを介してカソード電極2及びアノード電極
5の背面空隙部へ導かれる。以上の構成において、その
作用を説明する。
処理室1内へエツチングガスを導入しカソード′1極2
vc高周波電力を印加することにより電極間。
にプラズマが発生し、これによりウェハ15をエツチン
グする。なお、切換スイッチ9はb側へ接らされる。エ
ツチングで生成した反応生成物の一部は処理室1の内壁
やアノード電極5.アースシールド体5の背面に付着堆
積する。この物質はやか。
て異物の発生源となるのみならず、吸蔵ガスの1脱によ
るエツチング特性の劣化を招く。そこで定期的に処理室
1内のりy−ニングを行う必要がある。この場合、切換
スイッチ9をα側に接続し、ガス源11Aからqあるい
はCF4などのクリーニングに有効なガスを処理室1内
へ導入し、所定のミ力ICv4節されろ。高周波電源8
からカソード電極8のみならずアースシールド体5及び
アノード電極5へ高周波電力が印加されると、これらと
接地された処理室1の内壁との空隙部にプラズマが発生
する。したがってプラズマは処理室1内部の全域に発生
することになり、しかもアースシールド体5.アノード
電極5共に実質上カソード電極と同電位となるため、ク
リーニングに必要かつ十分なイオンエネルギが得られる
。これによりアースシールド体5と処理室1Vc狭まれ
た部位の壁面に付着堆積した物質をプラズマにより容易
に洗浄除去できる。以上、本実施例によれは、処理室1
内の全域、特にアースシールド体5と処理室1内壁・で
狭まれた部位を容易かつ効果的にプラズマにより洗浄除
去できる効果がある。
なお、クリーニング用のガスをアースシールド体5およ
びアノード電極5と処理室1の間隙部に直接導入するこ
とにより、クリーニング効果が一段と向上できる。
第2図には別の実施例を示す。本例はアノード結合式の
ドライエツチング装置の場合を示し℃いる。構成0作用
は第1図の例とほぼ同等である。
ただし処理室1bが石英などの絶縁物から成るものの場
合を示している。
第5図にはWJ5の実施例としてマイクロ波ドライエツ
チング装置の場合を示す。本例はマグネトロン21で発
生したマイクロ波を導波管22によりプラズマ室25へ
導き、かつコイル24の磁界によりプラズマ室25内の
プラズマ密度を大幅に高めて高性能化を実現するもので
ある。しかしながら、やはりこの場合もウェハを載置す
る電極25の外側に取付けたアースシールド体5と処理
室1で狭まれた空隙にはプラズマが発生しない。本例も
第1図の例と同じ方式でアースシールド体5にも高周波
亀。
力を印加すると共に、この部分へクリーニング用。
ガスを導入することによって処理室1の全域をプラズマ
により洗浄できる効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、アースシールド体と処理室へ。
壁に狭まれた空隙部にもプラズマを発生させることがで
きるので、これらの領域を含む処理室内の全値域の壁面
に付着した物質を洗浄除去できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の縦断面図、第2図は他の実
施例の縦断面図、第5図はさらに他の実施例の縦断面図
である。 1・・・処理室、2・・・カソード電極、3・・・アノ
ード電極、4,6.7・・・絶縁体、5・・・アースシ
ールド体、8・・・高周波電源、9・・・切換スイッチ
、25・・・電極。 第 1 閃 5zア一人し−Iレドやト l 第′5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、処理室内へガスを導入し、高周波電力を供給してプ
    ラズマを発生させ、このプラズマにより試料を処理する
    ものにおいて、 高周波電源を接続する電極の背面及び側面を取囲んでな
    るアースシールド体を、大地及び接地した処理室と電気
    的に絶縁し、このアースシールド体を切換スイッチを介
    して高周波電源および大地の一方に選択的に接続できる
    構成としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
JP29752587A 1987-11-27 1987-11-27 プラズマ処理装置 Pending JPH01140724A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29752587A JPH01140724A (ja) 1987-11-27 1987-11-27 プラズマ処理装置

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JP29752587A JPH01140724A (ja) 1987-11-27 1987-11-27 プラズマ処理装置

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JPH01140724A true JPH01140724A (ja) 1989-06-01

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ID=17847653

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29752587A Pending JPH01140724A (ja) 1987-11-27 1987-11-27 プラズマ処理装置

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JP (1) JPH01140724A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102085A (ja) * 1991-10-04 1993-04-23 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ装置
JP2000348897A (ja) * 1999-05-31 2000-12-15 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102085A (ja) * 1991-10-04 1993-04-23 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ装置
JP2000348897A (ja) * 1999-05-31 2000-12-15 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置

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