JPH01140724A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH01140724A JPH01140724A JP29752587A JP29752587A JPH01140724A JP H01140724 A JPH01140724 A JP H01140724A JP 29752587 A JP29752587 A JP 29752587A JP 29752587 A JP29752587 A JP 29752587A JP H01140724 A JPH01140724 A JP H01140724A
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- JP
- Japan
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- plasma
- treatment chamber
- processing chamber
- generated
- frequency power
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマを利用して試料を処理するドライエツ
チング装置やプラズマCVD装置などに係り、特に処理
室内面に付着した物質をプラズマにより洗浄除去する上
で好適なプラズマ処理方法及び装置に関する。
チング装置やプラズマCVD装置などに係り、特に処理
室内面に付着した物質をプラズマにより洗浄除去する上
で好適なプラズマ処理方法及び装置に関する。
従来、処理室内壁に付着した物質をプラズマLよって洗
浄除去する場合は上下電極の極性切換に。
浄除去する場合は上下電極の極性切換に。
より洗浄効果を高めている。つまり接地されたアノード
電極へ入射するプラズマ中のイオンのエネ。
電極へ入射するプラズマ中のイオンのエネ。
ルギーは、高周波電力を印加するカソード電極へ入射す
るイオンのエネルギに比べて極めて小さいので、反応生
成物が堆積しやすくなる。そのため時々極性を切換えて
堆積した物質をプラズマにより洗浄除去している。(!
!#開昭57−42151号公報。
るイオンのエネルギに比べて極めて小さいので、反応生
成物が堆積しやすくなる。そのため時々極性を切換えて
堆積した物質をプラズマにより洗浄除去している。(!
!#開昭57−42151号公報。
参照)。
上記従来技術の場合、高周波電源を接続する電極の背面
及び外側面は通常、接地されたアースシールド体で取囲
まれ、これにより高周波電源なW45続した電極に近接
した処理室内壁との空間での枚電発生を阻止する構成と
している。このため、上下電極の極性切換のいかんに係
らず、アースシールド体と処理室内壁で狭まれた空隙に
はプラズマが発生しない。したがって、この部位の表面
に何着堆積した物質はプラズマにより洗浄除去できない
という問題があった。
及び外側面は通常、接地されたアースシールド体で取囲
まれ、これにより高周波電源なW45続した電極に近接
した処理室内壁との空間での枚電発生を阻止する構成と
している。このため、上下電極の極性切換のいかんに係
らず、アースシールド体と処理室内壁で狭まれた空隙に
はプラズマが発生しない。したがって、この部位の表面
に何着堆積した物質はプラズマにより洗浄除去できない
という問題があった。
本発明の目的は洗浄除去時のみアースシールド体と処理
室内壁の空隙部にもプラズマを発生させて、この部位の
付着堆積物を洗浄除去することにある。
室内壁の空隙部にもプラズマを発生させて、この部位の
付着堆積物を洗浄除去することにある。
上記目的はアースシールド体と処理室を!気的・に絶縁
し、かつ切換スイッチを介して高周波電源及び大地に接
続する装置構成とし、り17−ニングに際しては切換ス
イッチによりアースシールド体を高周波電源に接続して
アースシールド体に高周波電力を印加することにより達
成される。なお、通常のプラズマ処理時には切換スイッ
チによりアースシールド体を接地すればよい。
し、かつ切換スイッチを介して高周波電源及び大地に接
続する装置構成とし、り17−ニングに際しては切換ス
イッチによりアースシールド体を高周波電源に接続して
アースシールド体に高周波電力を印加することにより達
成される。なお、通常のプラズマ処理時には切換スイッ
チによりアースシールド体を接地すればよい。
切換スイッチにより高周波電力をアースシールド体に印
加することにより、アースシールド体は原理的にカソー
ド電極の一部分を形成するので、接地された処理室との
間にプラズマが発生する。
加することにより、アースシールド体は原理的にカソー
ド電極の一部分を形成するので、接地された処理室との
間にプラズマが発生する。
これによりアースシールド体の背面部に付着した物質を
効率よ(洗浄除去できる。
効率よ(洗浄除去できる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図はカソード結合式のドライエツチング装置の場合を示
す。接地された処理室1内の下貼にカソード電極2を設
ける。上部にはアノード電。
図はカソード結合式のドライエツチング装置の場合を示
す。接地された処理室1内の下貼にカソード電極2を設
ける。上部にはアノード電。
極5を設ける。カソード電極2の周囲は絶縁体4及び導
伝性のアースシールド体5で取囲まわて−・る。アース
シールド体5と処理室1は絶縁体6で。
伝性のアースシールド体5で取囲まわて−・る。アース
シールド体5と処理室1は絶縁体6で。
電気的に絶縁されている。アノード電極5と処理。
呈1も絶縁体7で絶縁されている。カソード電極。
2には高周波電源8が接続されている。またカソード電
極2とアノード電極5はケーブルにより接。
極2とアノード電極5はケーブルにより接。
続されるとともに切換スイッチ9を介して一方が。
高周波電源8.他方がアース10に接続されている。
処理室1の外部にはエツチング用ガス源11a、に結ば
れた配管はマスフローコントローラ12αを介して処理
室1内へ導かれる。
れた配管はマスフローコントローラ12αを介して処理
室1内へ導かれる。
一方、ガス源11bに結ばれた配管はマスフローコント
ローラ12Aを介してカソード電極2及びアノード電極
5の背面空隙部へ導かれる。以上の構成において、その
作用を説明する。
ローラ12Aを介してカソード電極2及びアノード電極
5の背面空隙部へ導かれる。以上の構成において、その
作用を説明する。
処理室1内へエツチングガスを導入しカソード′1極2
vc高周波電力を印加することにより電極間。
vc高周波電力を印加することにより電極間。
にプラズマが発生し、これによりウェハ15をエツチン
グする。なお、切換スイッチ9はb側へ接らされる。エ
ツチングで生成した反応生成物の一部は処理室1の内壁
やアノード電極5.アースシールド体5の背面に付着堆
積する。この物質はやか。
グする。なお、切換スイッチ9はb側へ接らされる。エ
ツチングで生成した反応生成物の一部は処理室1の内壁
やアノード電極5.アースシールド体5の背面に付着堆
積する。この物質はやか。
て異物の発生源となるのみならず、吸蔵ガスの1脱によ
るエツチング特性の劣化を招く。そこで定期的に処理室
1内のりy−ニングを行う必要がある。この場合、切換
スイッチ9をα側に接続し、ガス源11Aからqあるい
はCF4などのクリーニングに有効なガスを処理室1内
へ導入し、所定のミ力ICv4節されろ。高周波電源8
からカソード電極8のみならずアースシールド体5及び
アノード電極5へ高周波電力が印加されると、これらと
接地された処理室1の内壁との空隙部にプラズマが発生
する。したがってプラズマは処理室1内部の全域に発生
することになり、しかもアースシールド体5.アノード
電極5共に実質上カソード電極と同電位となるため、ク
リーニングに必要かつ十分なイオンエネルギが得られる
。これによりアースシールド体5と処理室1Vc狭まれ
た部位の壁面に付着堆積した物質をプラズマにより容易
に洗浄除去できる。以上、本実施例によれは、処理室1
内の全域、特にアースシールド体5と処理室1内壁・で
狭まれた部位を容易かつ効果的にプラズマにより洗浄除
去できる効果がある。
るエツチング特性の劣化を招く。そこで定期的に処理室
1内のりy−ニングを行う必要がある。この場合、切換
スイッチ9をα側に接続し、ガス源11Aからqあるい
はCF4などのクリーニングに有効なガスを処理室1内
へ導入し、所定のミ力ICv4節されろ。高周波電源8
からカソード電極8のみならずアースシールド体5及び
アノード電極5へ高周波電力が印加されると、これらと
接地された処理室1の内壁との空隙部にプラズマが発生
する。したがってプラズマは処理室1内部の全域に発生
することになり、しかもアースシールド体5.アノード
電極5共に実質上カソード電極と同電位となるため、ク
リーニングに必要かつ十分なイオンエネルギが得られる
。これによりアースシールド体5と処理室1Vc狭まれ
た部位の壁面に付着堆積した物質をプラズマにより容易
に洗浄除去できる。以上、本実施例によれは、処理室1
内の全域、特にアースシールド体5と処理室1内壁・で
狭まれた部位を容易かつ効果的にプラズマにより洗浄除
去できる効果がある。
なお、クリーニング用のガスをアースシールド体5およ
びアノード電極5と処理室1の間隙部に直接導入するこ
とにより、クリーニング効果が一段と向上できる。
びアノード電極5と処理室1の間隙部に直接導入するこ
とにより、クリーニング効果が一段と向上できる。
第2図には別の実施例を示す。本例はアノード結合式の
ドライエツチング装置の場合を示し℃いる。構成0作用
は第1図の例とほぼ同等である。
ドライエツチング装置の場合を示し℃いる。構成0作用
は第1図の例とほぼ同等である。
ただし処理室1bが石英などの絶縁物から成るものの場
合を示している。
合を示している。
第5図にはWJ5の実施例としてマイクロ波ドライエツ
チング装置の場合を示す。本例はマグネトロン21で発
生したマイクロ波を導波管22によりプラズマ室25へ
導き、かつコイル24の磁界によりプラズマ室25内の
プラズマ密度を大幅に高めて高性能化を実現するもので
ある。しかしながら、やはりこの場合もウェハを載置す
る電極25の外側に取付けたアースシールド体5と処理
室1で狭まれた空隙にはプラズマが発生しない。本例も
第1図の例と同じ方式でアースシールド体5にも高周波
亀。
チング装置の場合を示す。本例はマグネトロン21で発
生したマイクロ波を導波管22によりプラズマ室25へ
導き、かつコイル24の磁界によりプラズマ室25内の
プラズマ密度を大幅に高めて高性能化を実現するもので
ある。しかしながら、やはりこの場合もウェハを載置す
る電極25の外側に取付けたアースシールド体5と処理
室1で狭まれた空隙にはプラズマが発生しない。本例も
第1図の例と同じ方式でアースシールド体5にも高周波
亀。
力を印加すると共に、この部分へクリーニング用。
ガスを導入することによって処理室1の全域をプラズマ
により洗浄できる効果がある。
により洗浄できる効果がある。
本発明によれば、アースシールド体と処理室へ。
壁に狭まれた空隙部にもプラズマを発生させることがで
きるので、これらの領域を含む処理室内の全値域の壁面
に付着した物質を洗浄除去できる効果がある。
きるので、これらの領域を含む処理室内の全値域の壁面
に付着した物質を洗浄除去できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図、第2図は他の実
施例の縦断面図、第5図はさらに他の実施例の縦断面図
である。 1・・・処理室、2・・・カソード電極、3・・・アノ
ード電極、4,6.7・・・絶縁体、5・・・アースシ
ールド体、8・・・高周波電源、9・・・切換スイッチ
、25・・・電極。 第 1 閃 5zア一人し−Iレドやト l 第′5図
施例の縦断面図、第5図はさらに他の実施例の縦断面図
である。 1・・・処理室、2・・・カソード電極、3・・・アノ
ード電極、4,6.7・・・絶縁体、5・・・アースシ
ールド体、8・・・高周波電源、9・・・切換スイッチ
、25・・・電極。 第 1 閃 5zア一人し−Iレドやト l 第′5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、処理室内へガスを導入し、高周波電力を供給してプ
ラズマを発生させ、このプラズマにより試料を処理する
ものにおいて、 高周波電源を接続する電極の背面及び側面を取囲んでな
るアースシールド体を、大地及び接地した処理室と電気
的に絶縁し、このアースシールド体を切換スイッチを介
して高周波電源および大地の一方に選択的に接続できる
構成としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29752587A JPH01140724A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29752587A JPH01140724A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140724A true JPH01140724A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17847653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29752587A Pending JPH01140724A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140724A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102085A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置 |
| JP2000348897A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP29752587A patent/JPH01140724A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05102085A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置 |
| JP2000348897A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
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